JP3636914B2 - 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP3636914B2 JP3636914B2 JP00541399A JP541399A JP3636914B2 JP 3636914 B2 JP3636914 B2 JP 3636914B2 JP 00541399 A JP00541399 A JP 00541399A JP 541399 A JP541399 A JP 541399A JP 3636914 B2 JP3636914 B2 JP 3636914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- resistance
- resistance transparent
- high resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５のガラス形成酸化物並びに必要に応じＺｒＯ２若しくはＴｉＯ２の硬質材料酸化物又はＡｌ２Ｏ３若しくはＧａ２Ｏ３を含有し、残部残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなり、高抵抗透明導電膜等に有用である高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
上記高抵抗透明導電膜は主としてスパッタリングにより形成され、抵抗膜式タッチパネル装置などに必要とされる画面位置確定のための高シート抵抗用（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に使用される。
【０００２】
【従来の技術】
近年、抵抗膜式タッチパネルの需要が伸びてきている。この抵抗膜式タッチパネルは、２枚の透明導電膜を利用して両方に、ある電位差を持たせてバイアスをかけ、スイッチが押された位置を電圧降下によって特定するという構成からなっいる。
位置の特定を正確に行なう為には、電圧降下を精度よく測定できなければならない。そのためには、ある程度高いシ−ト抵抗（５００〜１０００Ω／□）を有する透明導電膜が必要となる。
【０００３】
従来の透明導電膜において、酸化インジウムを主成分としＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、、Ｔａ２Ｏ５を添加する透明導電膜が知られている（特開平２−３０９５１１号公報）。しかし、この場合は比抵抗を２×１０−４Ω・ｃｍよりもさらに小さく、導電率を向上させようという目的でなされたものであり、このような従来の透明導電膜は、これとは対照的に高抵抗でありかつ熱影響を受けた場合でもシート抵抗の変化を一定の範囲に抑えるという目的のタッチパネルには適合しない。
【０００４】
また、酸化インジウムと酸化スズからなる（ＩＴＯ）透明導電膜に、酸化珪素０．１〜５ｗｔ％を添加し、タッチスイッチの透明電極パターンの骨見え現象（膜が厚くなった場合に外からそのパターンの箇所が識別されてしまうこと）を防止する目的で導電膜を薄くした結果による導電率の低下を防止するために、それ以前のＩＴＯ透明導電膜よりも低抵抗化する技術がある（特開昭６４−１０５０７号公報）。
しかしこの場合も、酸化珪素を添加することが酸化インジウムと酸化スズからなる本来のＩＴＯ透明導電膜よりも低抵抗化することが目的であり、かかる技術には、ＩＴＯなどの透明導電膜の抵抗よりもさらに高抵抗化し、同時に長期耐熱性を向上させ、機械的変形に耐え耐摺動性を持たせるという発想はない。
【０００５】
透明導電膜として従来から多く利用されているＩＴＯなどの透明導電膜の比抵抗はおよそ２．０×１０−４Ω・ｃｍであるが、このような低い比抵抗の膜で５００〜１０００Ω／□という高いシ−ト抵抗を実現するためには、膜厚が４０Ａ（オングストローム）以下という極薄の膜を均一に成膜しなければならず、このような膜の形成は非常に難しいという問題がある。また、ＩＴＯ系の材料は熱処理により膜特性が変化するという欠点があった。
【０００６】
タッチパネルはその機能上、耐屈曲性、耐カール性、耐擦過（ペンスライド）性、などの十分な強度も兼ね備えなくてはならず、現在使用されているＩＴＯなどの透明導電膜用材料ではタッチパネルという用途の透明導電膜を作成するのは非常に難しいと言わざるを得ない。
さらに、タッチパネル用に機能するに十分な膜厚を保有させ、かつ５００〜１０００Ω／□という高いシ−ト抵抗を膜に持たせるためには、これまでの低抵抗の透明導電膜よりも比抵抗が一桁高い１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍという比抵抗をもつ高抵抗透明導電膜材料が必要となる。従来は、これらに対応できる十分な材料が得られていないという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点を解決したもので、本発明の目的は１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍという比抵抗を有する透明導電膜の作成を可能とする高抵抗透明導電膜を提供することにある。携帯用端末機などに使用されるタッチパネルを例に挙げると、例えばＰＥＴ基板のような材料に成膜されるが、熱、湿熱、アルカリ腐食、屈曲やカールなどの機械的変形、ペン衝突磨耗など、種々の環境に耐える必要があるが、本発明の高抵抗透明導電膜材料からなるターゲットで成膜した透明導電膜はこのような問題を解決することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
１ Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物である組成を有し、スパッタリング直後の膜の比抵抗をｒ０ 、アニール後の膜の比抵抗をｒとした場合に、スパッタ後のポストアニールによる膜の比抵抗の変化率Ｒ＝ｒ／ｒ０ の値Ｒが０．７〜１．３であることを特徴とする高抵抗透明導電膜
２ アニール後の膜の比抵抗が１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍ、膜厚が１００〜１０００オングストローム、膜の透過率が８５％以上であることを特徴とする上記１記載の高抵抗透明導電膜
３ ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする上記１又は２記載の高抵抗透明導電膜
４ Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行なった後、アニールすることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法
５ ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする上記４記載の高抵抗透明導電膜の製造方法
６ Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなることを特徴とする高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット
７ ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする上記６記載の高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット
、を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
高抵抗透明導電膜として使用する場合、ＩＴＯなどの透明導電膜の安定した高抵抗化のためにＩｎ ２ Ｏ ３ 、ＳｎＯ ２ 以外の第２又は第３成分の添加が不可欠と考えた。このため、種々の金属酸化物成分を添加したＩＴＯなどの透明導電膜材料からなるスパッタリングターゲットの成膜試験を行なった。
ＩＴＯのような透明導電膜の導電機構は、一般にワイドギャップ半導体であると考えられており、ＩＴＯの場合はそのキャリア濃度が１０２２ｃｍ−３、移動度が１０ｃｍ２・Ｖ−１・Ｓ−１ にあり、その結果として比抵抗が約２．０×１０−４Ω・ｃｍとなる。
【００１０】
低抵抗化を図る場合には、キャリア濃度および移動度をともに向上させる方法が考えられるが、キャリア濃度に関しては膜の透明性を保つために、最大１０２２ｃｍ−３が限界である。
その理由は、キャリアのプラズマ振動により１０２２ｃｍ−３を超えるようなキャリアを持つと、赤外域から可視領域にかけての透過率が落ちてくるからである。 そのため、近年移動度を高めて比抵抗を小さくしようとする研究が多く行なわれている。
【００１１】
本発明はこれとは逆の流れをいくもので、ＩＴＯなどの透明導電膜材料に第２又は第３成分を添加してＩＴＯなどの透明導電膜を高抵抗化するものである。
ＩＴＯなどの透明導電膜中のキャリアは、例えばＩｎ２Ｏ３結晶中のＩｎのサイトに置換して入ったＳｎが放出したものである。このＳｎのＩｎ２Ｏ３への固溶を抑えるような添加成分を見つけることは容易なことではない。
また、比抵抗を高くするためには、移動度を下げることも重要である。移動度を小さくするためには、単純に不純物散乱中心を増してやればよい。このためには微細第２相を形成するような不純物元素を添加することにより達成できる。
【００１２】
通常のＩＴＯ（１０％ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３）に関して言えば、Ｉｎ２Ｏ３ の中に既にＳｎが固溶し、なおかつ固溶しきれないＳｎが存在することも一般に知られている。したがって、ほぼ全ての元素がＩＴＯに添加された場合、微細第２相を形成する可能性があると言える。
移動度を抑えるには上記のような方策を立てたが、移動度を下げる目的で添加した成分が、ＩＴＯ中のＳｎに比較してより多くのキャリアを放出して比抵抗を下げたり、あるいは透過率を悪くしたのでは、本発明の目的からはずれてしまうので注意する必要がある。
【００１３】
そこで、本発明者らは移動度を抑え、なおかつキャリアを放出しない、あるいはＩＴＯのＩｎのサイトに置換したＳｎのキャリア放出を抑える効果のある第２及び第３の添加成分の検討を行なった。
検討を重ねた結果、上記特性を備えた第２又は第３添加成分としてガラス形成酸化物、特にＮｂ ２ Ｏ ５ 、Ｖ ２ Ｏ ５ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｐ ２ Ｏ ５ のガラス形成酸化物及びＺｒＯ２、ＴｉＯ２から選択される１種以上の硬質材料酸化物に注目するに至った。
【００１４】
この知見の基づいて、ガラス形成酸化物を０．０１〜２０重量％、好ましくはＮｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上を０．０１〜２０重量％、並びに必要に応じ、さらにＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％添加し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物である高抵抗透明導電性材料及び同材料からなるスパッタリングターゲット並びに高抵抗透明導電膜の製造方法及び同導電膜を提供する。
【００１５】
このようにして得られた導電性材料又は透明導電膜は、ＩＴＯ系材料又は透明導電膜に比べ高い抵抗率、透過率（８５％以上、好ましくは９０％以上）、さらに高いエッチング性を有する。
また従来のＩＴＯ系材料は本来非晶質材料として作製されるが、スパツタされた膜は長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）などの熱影響を受けて結晶化する傾向があり、このため膜特性が変化する問題を有しているが、本発明の上記第２又は第３成分を添加することにより、上記のようなアニ−ル時の結晶化を抑制し熱などの環境変化に対しても透明導電膜の非晶質の特性を保ち続けることができるという特徴を有している。
また、硬質材料酸化物は透明導電膜の機械的強度を高める。すなわち屈曲やカールなどの機械的変形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）を高める効果を有する。
【００１６】
ターゲットの作製に際しては、例えばキルン焙焼した電解Ｉｎ２Ｏ３粉に上記本発明のガラス形成酸化物であるＮｂ ２ Ｏ ５ 、Ｖ ２ Ｏ ５ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｐ ２ Ｏ ５ から選択された１種以上および必要に応じてＺｒＯ２、ＴｉＯ２から選択された１種以上の硬質材料酸化物を添加し、これを１μｍ以下に微粉砕し造粒する。
なお、上記ガラス形成酸化物および硬質材料酸化物の添加は、前記電解Ｉｎ２
Ｏ２粉の造粒した後でもよい。これを純水で混合し所定の形にプレス成形する。 次に雰囲気焼結炉中１５００〜１７００°Ｃで３〜１０時間焼結する。このようにして得た焼結体を研削などの機械加工を行なって、本発明のターゲットを作製する。
【００１７】
【実施例および比較例】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。以下に示す実施例は本発明の好適かつ代表的な実施例である。
【００１８】
（実施例１〜７及び比較例１）
まず、高抵抗導電膜に関する実施例及び比較例を示す。微粉砕、造粒、プレス成形、焼結、機械加工の手順を経て表１に示す成分組成のターゲットを作製した。この表１には実施例１〜５および比較例１のターゲットを併せて示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】
ターゲットの成形体密度は３．０〜４．５ｇ・ｃｍ−３、焼結体密度は６．５〜７．１ｇ・ｃｍ−３である。上記表１に示すターゲットを用いてスパッタ成膜を行い、高抵抗ＩＴＯ透明導電膜のスパッタリング時、１時間（Ｈｒ）アニール後、２４時間（Ｈｒ）アニール後および４８時間（Ｈｒ）アニール後について、比抵抗、比抵抗変化率および透過率（５５０ｎｍ）を測定した。この結果を表２に併せて示す。
スパッタ装置はアネルバ社製ＳＰＦ−３１３ＨまたはＳＰＦ−２１０Ｈを用いた。スパッタ条件は次の通りである。またアニール試験は大気中１５０°Ｃ、０〜４８時間の条件で実施した。スパッタリング条件は次の通りである。
【００２１】
スパッタリング条件
スパッタガス Ａｒ−Ｏ２（０〜５％）
ガス圧力 ０．５Ｐａ
基板温度 Ｒ．Ｔ．（室温）
膜厚 ３００Å
【００２２】
【表２】
【００２３】
表２に示すように、本発明の透明導電膜材料においてはアニール後において、すなわち長時間熱影響を受けても比抵抗の変化が小さい。
例えば本発明の実施例５を挙げて具体的に説明すると、スパッタリング時の比抵抗が１．９０×１０ −３ Ω・ｃｍ、１時間アニール後は１．８０×１０ −３ Ω・ｃｍ、２４時間アニール後は１．４０×１０ −３ Ω・ｃｍ、４８時間アニール後は１．４０×１０ −３ Ω・ｃｍであり、スパッタリング時から２４時間アニール後までの比抵抗の変化率は０．７４となり変化が極めて小さいことが分かる。
【００２４】
そして、比抵抗はタッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０−３Ω・ｃｍ〜５×１０−３Ω・ｃｍの範囲の間にある。
また、透過率は、スパッタリング時は９０．６％、１時間アニール後は９０．０％、２４時間アニール後は９１．６％、４８時間アニール後は９１．３％であり、いずれも要求特性を満たす８５％以上を満たしている。
これらは、表２に示す他の実施例についても同様に言える。
【００２５】
これに対し、表２に示す比較例のＩＴＯ膜では、透過率はいずれも９０％を超えているが、スパッタリング時の比抵抗が０．４９×１０−３Ω・ｃｍ、１時間アニール後は０．２７×１０−３Ω・ｃｍ、２４時間アニール後は０．２２×１０−３Ω・ｃｍ、４８時間アニール後は０．２２×１０−３Ω・ｃｍであり、アニール時間が長くなるにつれ比抵抗が一桁近く又はそれ以上高くなっている。
また、スパッタリング時から２４時間アニール後までの比抵抗の変化率は０．４５となり変化が著しく大きい。
【００２６】
従来のＩＴＯ膜等は非晶質であるが熱影響を受けると結晶化する傾向がある。結晶化すると抵抗率が急速に低くなる。
これに対し、上記本発明の添加物質はこの熱による結晶化を抑制する作用をするものと考えられる。これによりタッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍを維持することができる。
また、透過率について考えると透過率は屈折率の関数であり、この屈折率は該屈折率の異なる材料の混合比率を変えることにより変化させることができる。
しかし、ＩＴＯ膜等の電気的特性すなわち抵抗率を保ったまま、屈折率を変化させようとしても実現は困難である。
【００２７】
本発明の場合は、導電性をある程度犠牲にできるので、屈折率を変化させ高い透過率とタッチパネルに好適な比抵抗１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍを選択できる。そして、屈折率が小さいもの程透過率が高い膜が得られるので、透過率改善には屈折率がＩｎ２Ｏ３（屈折率２）よりも小さい材料を選ぶ必要がある。
上記本発明のガラス形成酸化物および硬質材料酸化物はこれらの条件を満たしている。
【００２８】
【発明の効果】
本発明の高抵抗透明導電膜は、特に抵抗膜式タッチパネル装置などで必要とされる画面位置確定のために使用する高シート抵抗（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に有用である。
本発明のスパッタリングターゲットにより形成された透明導電膜は、長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）によっても、その比抵抗の変化が少なく（変化率Ｒが０．０．７≦Ｒ≦１．３の範囲に収まる）、また屈曲やカールなどの機械的変形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）や耐湿熱性も備えている特徴を有しており、タッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍを有する高抵抗透明導電膜を得ることができるという優れた特徴を有する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５のガラス形成酸化物並びに必要に応じＺｒＯ２若しくはＴｉＯ２の硬質材料酸化物又はＡｌ２Ｏ３若しくはＧａ２Ｏ３を含有し、残部残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなり、高抵抗透明導電膜等に有用である高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
上記高抵抗透明導電膜は主としてスパッタリングにより形成され、抵抗膜式タッチパネル装置などに必要とされる画面位置確定のための高シート抵抗用（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に使用される。
【０００２】
【従来の技術】
近年、抵抗膜式タッチパネルの需要が伸びてきている。この抵抗膜式タッチパネルは、２枚の透明導電膜を利用して両方に、ある電位差を持たせてバイアスをかけ、スイッチが押された位置を電圧降下によって特定するという構成からなっいる。
位置の特定を正確に行なう為には、電圧降下を精度よく測定できなければならない。そのためには、ある程度高いシ−ト抵抗（５００〜１０００Ω／□）を有する透明導電膜が必要となる。
【０００３】
従来の透明導電膜において、酸化インジウムを主成分としＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、、Ｔａ２Ｏ５を添加する透明導電膜が知られている（特開平２−３０９５１１号公報）。しかし、この場合は比抵抗を２×１０−４Ω・ｃｍよりもさらに小さく、導電率を向上させようという目的でなされたものであり、このような従来の透明導電膜は、これとは対照的に高抵抗でありかつ熱影響を受けた場合でもシート抵抗の変化を一定の範囲に抑えるという目的のタッチパネルには適合しない。
【０００４】
また、酸化インジウムと酸化スズからなる（ＩＴＯ）透明導電膜に、酸化珪素０．１〜５ｗｔ％を添加し、タッチスイッチの透明電極パターンの骨見え現象（膜が厚くなった場合に外からそのパターンの箇所が識別されてしまうこと）を防止する目的で導電膜を薄くした結果による導電率の低下を防止するために、それ以前のＩＴＯ透明導電膜よりも低抵抗化する技術がある（特開昭６４−１０５０７号公報）。
しかしこの場合も、酸化珪素を添加することが酸化インジウムと酸化スズからなる本来のＩＴＯ透明導電膜よりも低抵抗化することが目的であり、かかる技術には、ＩＴＯなどの透明導電膜の抵抗よりもさらに高抵抗化し、同時に長期耐熱性を向上させ、機械的変形に耐え耐摺動性を持たせるという発想はない。
【０００５】
透明導電膜として従来から多く利用されているＩＴＯなどの透明導電膜の比抵抗はおよそ２．０×１０−４Ω・ｃｍであるが、このような低い比抵抗の膜で５００〜１０００Ω／□という高いシ−ト抵抗を実現するためには、膜厚が４０Ａ（オングストローム）以下という極薄の膜を均一に成膜しなければならず、このような膜の形成は非常に難しいという問題がある。また、ＩＴＯ系の材料は熱処理により膜特性が変化するという欠点があった。
【０００６】
タッチパネルはその機能上、耐屈曲性、耐カール性、耐擦過（ペンスライド）性、などの十分な強度も兼ね備えなくてはならず、現在使用されているＩＴＯなどの透明導電膜用材料ではタッチパネルという用途の透明導電膜を作成するのは非常に難しいと言わざるを得ない。
さらに、タッチパネル用に機能するに十分な膜厚を保有させ、かつ５００〜１０００Ω／□という高いシ−ト抵抗を膜に持たせるためには、これまでの低抵抗の透明導電膜よりも比抵抗が一桁高い１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍという比抵抗をもつ高抵抗透明導電膜材料が必要となる。従来は、これらに対応できる十分な材料が得られていないという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点を解決したもので、本発明の目的は１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍという比抵抗を有する透明導電膜の作成を可能とする高抵抗透明導電膜を提供することにある。携帯用端末機などに使用されるタッチパネルを例に挙げると、例えばＰＥＴ基板のような材料に成膜されるが、熱、湿熱、アルカリ腐食、屈曲やカールなどの機械的変形、ペン衝突磨耗など、種々の環境に耐える必要があるが、本発明の高抵抗透明導電膜材料からなるターゲットで成膜した透明導電膜はこのような問題を解決することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
１ Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物である組成を有し、スパッタリング直後の膜の比抵抗をｒ０ 、アニール後の膜の比抵抗をｒとした場合に、スパッタ後のポストアニールによる膜の比抵抗の変化率Ｒ＝ｒ／ｒ０ の値Ｒが０．７〜１．３であることを特徴とする高抵抗透明導電膜
２ アニール後の膜の比抵抗が１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍ、膜厚が１００〜１０００オングストローム、膜の透過率が８５％以上であることを特徴とする上記１記載の高抵抗透明導電膜
３ ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする上記１又は２記載の高抵抗透明導電膜
４ Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行なった後、アニールすることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法
５ ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする上記４記載の高抵抗透明導電膜の製造方法
６ Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなることを特徴とする高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット
７ ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする上記６記載の高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット
、を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
高抵抗透明導電膜として使用する場合、ＩＴＯなどの透明導電膜の安定した高抵抗化のためにＩｎ ２ Ｏ ３ 、ＳｎＯ ２ 以外の第２又は第３成分の添加が不可欠と考えた。このため、種々の金属酸化物成分を添加したＩＴＯなどの透明導電膜材料からなるスパッタリングターゲットの成膜試験を行なった。
ＩＴＯのような透明導電膜の導電機構は、一般にワイドギャップ半導体であると考えられており、ＩＴＯの場合はそのキャリア濃度が１０２２ｃｍ−３、移動度が１０ｃｍ２・Ｖ−１・Ｓ−１ にあり、その結果として比抵抗が約２．０×１０−４Ω・ｃｍとなる。
【００１０】
低抵抗化を図る場合には、キャリア濃度および移動度をともに向上させる方法が考えられるが、キャリア濃度に関しては膜の透明性を保つために、最大１０２２ｃｍ−３が限界である。
その理由は、キャリアのプラズマ振動により１０２２ｃｍ−３を超えるようなキャリアを持つと、赤外域から可視領域にかけての透過率が落ちてくるからである。 そのため、近年移動度を高めて比抵抗を小さくしようとする研究が多く行なわれている。
【００１１】
本発明はこれとは逆の流れをいくもので、ＩＴＯなどの透明導電膜材料に第２又は第３成分を添加してＩＴＯなどの透明導電膜を高抵抗化するものである。
ＩＴＯなどの透明導電膜中のキャリアは、例えばＩｎ２Ｏ３結晶中のＩｎのサイトに置換して入ったＳｎが放出したものである。このＳｎのＩｎ２Ｏ３への固溶を抑えるような添加成分を見つけることは容易なことではない。
また、比抵抗を高くするためには、移動度を下げることも重要である。移動度を小さくするためには、単純に不純物散乱中心を増してやればよい。このためには微細第２相を形成するような不純物元素を添加することにより達成できる。
【００１２】
通常のＩＴＯ（１０％ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３）に関して言えば、Ｉｎ２Ｏ３ の中に既にＳｎが固溶し、なおかつ固溶しきれないＳｎが存在することも一般に知られている。したがって、ほぼ全ての元素がＩＴＯに添加された場合、微細第２相を形成する可能性があると言える。
移動度を抑えるには上記のような方策を立てたが、移動度を下げる目的で添加した成分が、ＩＴＯ中のＳｎに比較してより多くのキャリアを放出して比抵抗を下げたり、あるいは透過率を悪くしたのでは、本発明の目的からはずれてしまうので注意する必要がある。
【００１３】
そこで、本発明者らは移動度を抑え、なおかつキャリアを放出しない、あるいはＩＴＯのＩｎのサイトに置換したＳｎのキャリア放出を抑える効果のある第２及び第３の添加成分の検討を行なった。
検討を重ねた結果、上記特性を備えた第２又は第３添加成分としてガラス形成酸化物、特にＮｂ ２ Ｏ ５ 、Ｖ ２ Ｏ ５ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｐ ２ Ｏ ５ のガラス形成酸化物及びＺｒＯ２、ＴｉＯ２から選択される１種以上の硬質材料酸化物に注目するに至った。
【００１４】
この知見の基づいて、ガラス形成酸化物を０．０１〜２０重量％、好ましくはＮｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上を０．０１〜２０重量％、並びに必要に応じ、さらにＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％添加し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物である高抵抗透明導電性材料及び同材料からなるスパッタリングターゲット並びに高抵抗透明導電膜の製造方法及び同導電膜を提供する。
【００１５】
このようにして得られた導電性材料又は透明導電膜は、ＩＴＯ系材料又は透明導電膜に比べ高い抵抗率、透過率（８５％以上、好ましくは９０％以上）、さらに高いエッチング性を有する。
また従来のＩＴＯ系材料は本来非晶質材料として作製されるが、スパツタされた膜は長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）などの熱影響を受けて結晶化する傾向があり、このため膜特性が変化する問題を有しているが、本発明の上記第２又は第３成分を添加することにより、上記のようなアニ−ル時の結晶化を抑制し熱などの環境変化に対しても透明導電膜の非晶質の特性を保ち続けることができるという特徴を有している。
また、硬質材料酸化物は透明導電膜の機械的強度を高める。すなわち屈曲やカールなどの機械的変形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）を高める効果を有する。
【００１６】
ターゲットの作製に際しては、例えばキルン焙焼した電解Ｉｎ２Ｏ３粉に上記本発明のガラス形成酸化物であるＮｂ ２ Ｏ ５ 、Ｖ ２ Ｏ ５ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｐ ２ Ｏ ５ から選択された１種以上および必要に応じてＺｒＯ２、ＴｉＯ２から選択された１種以上の硬質材料酸化物を添加し、これを１μｍ以下に微粉砕し造粒する。
なお、上記ガラス形成酸化物および硬質材料酸化物の添加は、前記電解Ｉｎ２
Ｏ２粉の造粒した後でもよい。これを純水で混合し所定の形にプレス成形する。 次に雰囲気焼結炉中１５００〜１７００°Ｃで３〜１０時間焼結する。このようにして得た焼結体を研削などの機械加工を行なって、本発明のターゲットを作製する。
【００１７】
【実施例および比較例】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。以下に示す実施例は本発明の好適かつ代表的な実施例である。
【００１８】
（実施例１〜７及び比較例１）
まず、高抵抗導電膜に関する実施例及び比較例を示す。微粉砕、造粒、プレス成形、焼結、機械加工の手順を経て表１に示す成分組成のターゲットを作製した。この表１には実施例１〜５および比較例１のターゲットを併せて示す。
【００１９】
【表１】
ターゲットの成形体密度は３．０〜４．５ｇ・ｃｍ−３、焼結体密度は６．５〜７．１ｇ・ｃｍ−３である。上記表１に示すターゲットを用いてスパッタ成膜を行い、高抵抗ＩＴＯ透明導電膜のスパッタリング時、１時間（Ｈｒ）アニール後、２４時間（Ｈｒ）アニール後および４８時間（Ｈｒ）アニール後について、比抵抗、比抵抗変化率および透過率（５５０ｎｍ）を測定した。この結果を表２に併せて示す。
スパッタ装置はアネルバ社製ＳＰＦ−３１３ＨまたはＳＰＦ−２１０Ｈを用いた。スパッタ条件は次の通りである。またアニール試験は大気中１５０°Ｃ、０〜４８時間の条件で実施した。スパッタリング条件は次の通りである。
【００２１】
スパッタリング条件
スパッタガス Ａｒ−Ｏ２（０〜５％）
ガス圧力 ０．５Ｐａ
基板温度 Ｒ．Ｔ．（室温）
膜厚 ３００Å
【００２２】
【表２】
表２に示すように、本発明の透明導電膜材料においてはアニール後において、すなわち長時間熱影響を受けても比抵抗の変化が小さい。
例えば本発明の実施例５を挙げて具体的に説明すると、スパッタリング時の比抵抗が１．９０×１０ −３ Ω・ｃｍ、１時間アニール後は１．８０×１０ −３ Ω・ｃｍ、２４時間アニール後は１．４０×１０ −３ Ω・ｃｍ、４８時間アニール後は１．４０×１０ −３ Ω・ｃｍであり、スパッタリング時から２４時間アニール後までの比抵抗の変化率は０．７４となり変化が極めて小さいことが分かる。
【００２４】
そして、比抵抗はタッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０−３Ω・ｃｍ〜５×１０−３Ω・ｃｍの範囲の間にある。
また、透過率は、スパッタリング時は９０．６％、１時間アニール後は９０．０％、２４時間アニール後は９１．６％、４８時間アニール後は９１．３％であり、いずれも要求特性を満たす８５％以上を満たしている。
これらは、表２に示す他の実施例についても同様に言える。
【００２５】
これに対し、表２に示す比較例のＩＴＯ膜では、透過率はいずれも９０％を超えているが、スパッタリング時の比抵抗が０．４９×１０−３Ω・ｃｍ、１時間アニール後は０．２７×１０−３Ω・ｃｍ、２４時間アニール後は０．２２×１０−３Ω・ｃｍ、４８時間アニール後は０．２２×１０−３Ω・ｃｍであり、アニール時間が長くなるにつれ比抵抗が一桁近く又はそれ以上高くなっている。
また、スパッタリング時から２４時間アニール後までの比抵抗の変化率は０．４５となり変化が著しく大きい。
【００２６】
従来のＩＴＯ膜等は非晶質であるが熱影響を受けると結晶化する傾向がある。結晶化すると抵抗率が急速に低くなる。
これに対し、上記本発明の添加物質はこの熱による結晶化を抑制する作用をするものと考えられる。これによりタッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍを維持することができる。
また、透過率について考えると透過率は屈折率の関数であり、この屈折率は該屈折率の異なる材料の混合比率を変えることにより変化させることができる。
しかし、ＩＴＯ膜等の電気的特性すなわち抵抗率を保ったまま、屈折率を変化させようとしても実現は困難である。
【００２７】
本発明の場合は、導電性をある程度犠牲にできるので、屈折率を変化させ高い透過率とタッチパネルに好適な比抵抗１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍを選択できる。そして、屈折率が小さいもの程透過率が高い膜が得られるので、透過率改善には屈折率がＩｎ２Ｏ３（屈折率２）よりも小さい材料を選ぶ必要がある。
上記本発明のガラス形成酸化物および硬質材料酸化物はこれらの条件を満たしている。
【００２８】
【発明の効果】
本発明の高抵抗透明導電膜は、特に抵抗膜式タッチパネル装置などで必要とされる画面位置確定のために使用する高シート抵抗（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に有用である。
本発明のスパッタリングターゲットにより形成された透明導電膜は、長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）によっても、その比抵抗の変化が少なく（変化率Ｒが０．０．７≦Ｒ≦１．３の範囲に収まる）、また屈曲やカールなどの機械的変形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）や耐湿熱性も備えている特徴を有しており、タッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍを有する高抵抗透明導電膜を得ることができるという優れた特徴を有する。
Claims (7)
- Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物である組成を有し、スパッタリング直後の膜の比抵抗をｒ０ 、アニール後の膜の比抵抗をｒとした場合に、スパッタ後のポストアニールによる膜の比抵抗の変化率Ｒ＝ｒ／ｒ０ の値Ｒが０．７〜１．３であることを特徴とする高抵抗透明導電膜。
- アニール後の膜の比抵抗が１×１０−３〜５×１０−３Ω・ｃｍ、膜厚が１００〜１０００オングストローム、膜の透過率が８５％以上であることを特徴とする請求項１記載の高抵抗透明導電膜。
- ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請求項１又は２記載の高抵抗透明導電膜。
- Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行なった後、アニールすることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
- ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請求項４記載の高抵抗透明導電膜の製造方法。
- Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５から選択された１種以上のガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、残部Ｉｎ ２ Ｏ ３ 又はＩｎ ２ Ｏ ３ とＳｎＯ ２ の酸化物からなることを特徴とする高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
- ＺｒＯ２及び又はＴｉＯ２の硬質材料酸化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請求項６記載の高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00541399A JP3636914B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-01-12 | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
| TW88113770A TW476798B (en) | 1999-01-12 | 1999-08-11 | Light-transmitting film and sputtering target for forming the light-transmitting film |
| US09/719,018 US6528442B1 (en) | 1999-01-12 | 1999-08-12 | Optical transparent film and sputtering target for forming optical transparent film |
| PCT/JP1999/004365 WO2001013371A1 (fr) | 1999-01-12 | 1999-08-12 | Film photoemetteur et cible de pulverisation pour former ce film photoemetteur |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-48541 | 1998-02-16 | ||
| JP4854198 | 1998-02-16 | ||
| JP00541399A JP3636914B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-01-12 | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
| PCT/JP1999/004365 WO2001013371A1 (fr) | 1999-01-12 | 1999-08-12 | Film photoemetteur et cible de pulverisation pour former ce film photoemetteur |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28760699A Division JP3841388B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-10-08 | 光ディスク用保護膜及び光ディスクの保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322413A JPH11322413A (ja) | 1999-11-24 |
| JP3636914B2 true JP3636914B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=26339355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00541399A Expired - Lifetime JP3636914B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-01-12 | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6528442B1 (ja) |
| JP (1) | JP3636914B2 (ja) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4198918B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2008-12-17 | 日鉱金属株式会社 | 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP4544501B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2010-09-15 | 日鉱金属株式会社 | 導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 |
| US7635440B2 (en) * | 2003-03-04 | 2009-12-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target, thin film for optical information recording medium and process for producing the same |
| KR100470155B1 (ko) * | 2003-03-07 | 2005-02-04 | 광주과학기술원 | 아연산화물 반도체 제조방법 |
| TWI370449B (en) * | 2003-07-25 | 2012-08-11 | Panasonic Corp | Information recording medium and method for producing the same |
| KR100753329B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2007-08-29 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 산화아연 분말 및 그 제조방법과 고순도 산화아연타겟트 및 고순도 산화아연 박막 |
| WO2005078153A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
| US7630955B2 (en) * | 2004-08-10 | 2009-12-08 | International Business Machines Corporation | Apparatus, system, and method for analyzing the association of a resource to a business process |
| JP2006261219A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| EP1887100B1 (en) * | 2005-05-30 | 2011-05-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target and process for producing the same |
| WO2007000867A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 酸化ガリウム－酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
| WO2007000878A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 酸化ガリウム－酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
| US7829147B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-11-09 | Corning Incorporated | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
| US7722929B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| JP4851777B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2012-01-11 | 三井金属鉱業株式会社 | ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US8110273B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-07 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium, recording/reproducing method thereof and recording/reproducing apparatus |
| RU2389824C2 (ru) * | 2005-12-08 | 2010-05-20 | Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. | Галлийоксид/цинкоксидная распыляемая мишень, способ формирования прозрачной электропроводной пленки и прозрачная электропроводная пленка |
| JP4850901B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-01-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化亜鉛系透明導電体及び同透明導電体形成用スパッタリングターゲット |
| EP2025654B1 (en) * | 2006-06-08 | 2018-09-19 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Target obtained from an oxide sintered body |
| EP2056304A4 (en) * | 2006-08-24 | 2010-06-16 | Nippon Mining Co | ZINKOXIDE-BASED TRANSPARENT ELECTRICAL LADDER, SPUTTER TARGET FOR FORMING THE LADDER AND PROCESS FOR PRODUCING THE TARGET |
| CA2698425A1 (en) | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Avery International Corporation | Block out label, label sheet, and related method |
| JP4745319B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2011-08-10 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 光情報記録媒体 |
| US20100276276A1 (en) * | 2007-12-18 | 2010-11-04 | Nippon Mining And Metals Co., Ltd. | Thin Film Mainly Comprising Titanium Oxide, Sintered Sputtering Target Suitable for Producing Thin Film Mainly Comprising Titanium Oxide, and Method of Producing Thin Film Mainly Comprising Titanium Oxide |
| WO2009145152A1 (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | 株式会社カネカ | 透明導電膜およびその製造方法 |
| WO2009151003A1 (ja) | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリング用酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法 |
| JP4295811B1 (ja) | 2008-09-17 | 2009-07-15 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化亜鉛系ターゲット |
| JP5214745B2 (ja) | 2009-02-05 | 2013-06-19 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット |
| EP2412844A4 (en) | 2009-03-27 | 2016-12-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SPUTTERING TARGET OF A SINTERED TI-NB OXID BODY, TI-NB OXID THIN LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE THIN LAYER |
| JP5392633B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-01-22 | 日立金属株式会社 | ＺｎＯ系透明導電膜用ターゲットおよびその製造方法 |
| US8323763B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing the same |
| EP2495224B1 (en) | 2009-10-26 | 2014-12-24 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Indium oxide sintered body and indium oxide transparent conductive film |
| JP5388899B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-01-15 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| JP2011184724A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Tdk Corp | スパッタリングターゲットの製造方法、及び、光メディアの製造方法 |
| KR101264111B1 (ko) * | 2010-06-04 | 2013-05-14 | 주식회사 나노신소재 | 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법 |
| TWI447192B (zh) * | 2010-11-24 | 2014-08-01 | Lg Hausys Ltd | 觸控面板用黏結劑組合物、黏結薄膜及觸控面板 |
| JP5476636B2 (ja) * | 2011-05-23 | 2014-04-23 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット |
| JP5760857B2 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート |
| JP5747738B2 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-07-15 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート |
| JP5730729B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2015-06-10 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板 |
| JP2013067538A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体および酸化物透明導電膜 |
| WO2013061726A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 東レ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| WO2014077198A1 (ja) | 2012-11-13 | 2014-05-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ＮｂＯ２焼結体及び該焼結体からなるスパッタリングターゲット並びにＮｂＯ２焼結体の製造方法 |
| CN103352214B (zh) * | 2012-12-19 | 2015-05-13 | 常州星海电子有限公司 | 一种In1-xGaxP(0＜x＜1)/Substrate薄膜材料的制备方法 |
| KR102000856B1 (ko) | 2015-02-27 | 2019-07-16 | 제이엑스금속주식회사 | 산화물 소결체, 산화물 스퍼터링 타깃 및 산화물 박막 |
| US10161031B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-12-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact and sputtering target formed from said oxide sintered compact |
| WO2016152349A1 (ja) | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Ｊｘ金属株式会社 | 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
| JP6885038B2 (ja) | 2016-01-08 | 2021-06-09 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
| WO2018029886A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社アルバック | 透明導電層付き基板、液晶パネル及び透明導電層付き基板の製造方法 |
| JP6842927B2 (ja) | 2017-01-06 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置 |
| JP6849481B2 (ja) | 2017-03-02 | 2021-03-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置及び表示装置 |
| WO2019208240A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱マテリアル株式会社 | シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット |
| JP6705526B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2020-06-03 | 三菱マテリアル株式会社 | シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット |
| JP7141237B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-09-22 | 日東電工株式会社 | ハードコートフィルム、透明導電性フィルム、透明導電性フィルム積層体および画像表示装置 |
| CN108947518A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-12-07 | 宁波森利电子材料有限公司 | 多元掺杂的ZnO镀膜材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045952A (ja) | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 情報記録用ディスク |
| JP2887322B2 (ja) | 1989-02-03 | 1999-04-26 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH03152736A (ja) | 1989-11-08 | 1991-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体と光学情報記録媒体用保護膜 |
| US5532062A (en) * | 1990-07-05 | 1996-07-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Low emissivity film |
| JPH062130A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-01-11 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化亜鉛系スパッタリング用ターゲット |
| JPH06128743A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-05-10 | Mitsubishi Materials Corp | 透明導電膜とその製造方法およびそれに用いるターゲット |
| JPH06293956A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-21 | Japan Energy Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット |
| US5736267A (en) * | 1994-08-17 | 1998-04-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and method for its production, and sputtering target |
| JPH10306367A (ja) * | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体およびその製造方法 |
| DE19719543C1 (de) * | 1997-05-09 | 1998-11-19 | Ver Glaswerke Gmbh | Low-E-Schichtsystem für Glasscheiben |
| JPH11171539A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-06-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ＺｎＯ系焼結体およびその製法 |
| JPH11185294A (ja) | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Ricoh Co Ltd | 相変化光記録媒体 |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP00541399A patent/JP3636914B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-12 US US09/719,018 patent/US6528442B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11322413A (ja) | 1999-11-24 |
| US6528442B1 (en) | 2003-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3636914B2 (ja) | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3803132B2 (ja) | ターゲットおよびその製造方法 | |
| KR102225493B1 (ko) | 산화물 박막 및 당해 박막을 제조하기 위한 스퍼터링 타깃용 산화물 소결체 | |
| EP1939319A1 (en) | Semiconductor thin film and process for producing the same | |
| KR101600261B1 (ko) | 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 산화물 박막 | |
| JPH06290641A (ja) | 非晶質透明導電膜 | |
| CN115819083B (zh) | 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置 | |
| KR102234874B1 (ko) | 실드층, 실드층의 제조 방법, 및 산화물 스퍼터링 타깃 | |
| CN111902561B (zh) | 屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶 | |
| JPH04272612A (ja) | 透明電極 | |
| JPH09161542A (ja) | 透明導電積層体およびこれを用いたタッチパネル | |
| JP2989886B2 (ja) | アナログ式タツチパネル | |
| JP3128124B2 (ja) | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 | |
| JPH10237632A (ja) | Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法 | |
| JPH11302017A (ja) | 透明導電膜 | |
| CN105734504A (zh) | 一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法 | |
| JP3058278B2 (ja) | 酸化物焼結体及びその用途 | |
| JP3775344B2 (ja) | 酸化物焼結体 | |
| JP2023057730A (ja) | 酸化物スパッタリングターゲット、および、酸化物膜 | |
| CN115925414B (zh) | 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置 | |
| JP3189782B2 (ja) | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 | |
| JP3379743B2 (ja) | 透明導電性酸化物材料 | |
| JP2520493B2 (ja) | 透明導電膜形成用タ―ゲット | |
| JPH08277112A (ja) | 透明導電性酸化物材料 | |
| JP2003157723A (ja) | 透明導電膜付き基板及びこれを用いたタッチパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040907 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041102 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050104 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050106 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120114 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120114 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |