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CN111902561B - 屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶 - Google Patents

屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶 Download PDF

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CN111902561B
CN111902561B CN201980019072.1A CN201980019072A CN111902561B CN 111902561 B CN111902561 B CN 111902561B CN 201980019072 A CN201980019072 A CN 201980019072A CN 111902561 B CN111902561 B CN 111902561B
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Abstract

一种屏蔽层(20)，其配设于液晶显示面板(10)，该屏蔽层(20)的特征在于，由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，并且，将金属成分的总计设为100原子％，还可以在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。

Description

屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶
技术领域
本发明涉及一种在显示面板中为了防静电而配设的屏蔽层、该屏蔽层的制造方法及用于该屏蔽层的制造方法的氧化物溅射靶。
本申请主张基于2018年4月26日于日本申请的专利申请2018-085459号及2019年3月29日于日本申请的专利申请2019-068393号的优先权，并将该内容物援用于此。
背景技术
在液晶显示器、有机EL显示器及触控面板等显示面板中，为了防止液晶元件、有机EL元件等的由静电引起的误动作而配设有屏蔽层。尤其，在内嵌型触控面板中，对于上述屏蔽层还要求如下作用：一边排除来自外部的干扰，一边使触控信号到达面板内部的传感器部分。
并且，在该屏蔽层中，为了确保显示面板的视觉辨认性，还要求可见光的透射性高。
在此，例如，在专利文献1中，作为上述屏蔽层，可举出ITO膜、IZO膜。
在该专利文献1中，设为如下结构：在配置于液晶元件上的玻璃基板的表面上配设有偏振膜，且在该偏振膜上层叠上述屏蔽层。
并且，在专利文献2中，提出了一种在氧化铟锡(ITO)中含有7.2～11.2原子％的硅(Si)的透明导电膜。
专利文献1：US2013/0329171A1
专利文献2：日本特开2013-142194号公报
因此，如专利文献1所记载，在作为屏蔽层而使用ITO膜及IZO膜的情况下，可见光下的透射率低，因此看起来像带有黄色，视觉辨认性有可能会劣化。
并且，在专利文献2中所记载的透明导电膜中，电阻值高，且光的透射性优异，但是耐环境性不足，在使用环境下，电阻值、透射性有可能会劣化。
而且，在上述屏蔽层中，根据显示面板的使用状态，要求优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)，以即使在高温高湿环境下使用的情况下，电阻值及透射率也不会改变。
在此，上述ITO膜及IZO膜容易成为晶质，因此在高温高湿环境下使用的情况下，水分等腐蚀性物质容易侵入到膜内部，电阻值及透射率有可能会改变。
发明内容
本发明是鉴于前述的情况而完成的，其目的在于提供一种可见光的透射率高，且电阻值足够高，而且具有优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)的屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶。
为了解决上述课题，本发明的屏蔽层配设于显示面板，所述屏蔽层的特征在于，由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素。
根据本发明的屏蔽层，由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，因此可见光的透射率优异，且具有足够高的电阻值。
而且，本发明的屏蔽层容易成为非晶质，因此水分等腐蚀性物质难以侵入到膜内部，即使在高温高湿环境下使用的情况下，电阻值及透射率也不会大幅改变，且具有优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)。
并且，本发明的屏蔽层具有对水及醇的耐性，因此即使在用水及醇等进行清洗的情况下，透射率、电阻值也不会大幅改变。
在此，在本发明的屏蔽层中，将金属成分的总计设为100原子％，还可以在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
在该情况下，将金属成分的总计设为100原子％，Zr的含量设为1原子％以上，因此屏蔽层的耐久性得到进一步提高。并且，硬度变高，耐刮伤等增强。
另一方面，Zr的含量限制在32原子％以下，因此能够抑制折射率增加，且能够抑制不必要的反射的发生，从而能够抑制可见光的透射率下降。
并且，在本发明的屏蔽层中，厚度优选设在7nm以上且25nm以下的范围内。
在该情况下，屏蔽层的厚度设为7nm以上，因此能够充分地提高耐久性。
另一方面，屏蔽层的厚度设为25nm以下，因此能够充分地确保透射率及电阻值。
而且，在本发明的屏蔽层中，在波长550nm的透射率优选为95％以上。
在该情况下，在波长550nm的透射率为95％以上，因此可见光的透射率优异。因此，能够构成视觉辨认性优异的显示面板。
并且，在本发明的屏蔽层中，薄膜电阻优选在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内。
在该情况下，薄膜电阻设在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内，因此能够有效地去除静电、干扰，而使显示器内部的触控传感器准确地检测触控信号。
另外，对于薄膜电阻(单位：Ω/□(Ω/sq.))的数值，根据JIS X 0210-1986，将数值A×10B表示为AE+B(B为正数时)的形式。
本发明的屏蔽层的制造方法的特征在于，用于制造上述屏蔽层，所述屏蔽层的制造方法设为使用由如下氧化物构成的氧化物溅射靶将氧导入到溅射装置内并进行溅射成膜的结构，所述氧化物中，将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，关于所导入的氧量，氧/氩的流量比为0.03以下。
根据该结构的屏蔽层的制造方法，使用由如下氧化物构成的氧化物溅射靶将氧导入到溅射装置内并进行溅射成膜，所述氧化物中，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，因此能够形成可见光的透射率高且电阻值足够高的屏蔽层。
并且，对于所导入的氧量，氧/氩的流量比为0.03以下，因此能够抑制所形成的屏蔽层的电阻值变得过高。
在此，在本发明的屏蔽层的制造方法中，所述氧化物溅射靶中，将金属成分的总计设为100原子％，还可以在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
在该情况下，所述氧化物溅射靶在1原子％以上且32原子％以下的范围内还包含Zr，因此能够在确保可见光的透射率的状态下，形成硬度硬且耐久性优异的屏蔽层。
并且，在本发明的屏蔽层的制造方法中，优选将所述屏蔽层的薄膜电阻设在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内。
在该情况下，通过将所述屏蔽层的薄膜电阻设在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内，能够制造可有效地去除静电、干扰，而使显示器内部的触控传感器准确地检测触控信号的屏蔽层。
本发明的氧化物溅射靶的特征在于，为用于上述屏蔽层的制造方法。
根据该结构的氧化物溅射靶，通过氧/氩的流量比为0.03以下并将氧导入到溅射装置内而进行溅射成膜，能够形成上述屏蔽层。
根据本发明，能够提供一种可见光的透射率高，且电阻值足够高，而且具有优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)的屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶。
附图说明
图1是表示具备作为本发明的实施方式的屏蔽层的液晶显示面板的一例的说明图。
具体实施方式
以下，参考附图，对作为本发明的一实施方式的屏蔽层及屏蔽层的制造方法进行说明。
在液晶显示面板、有机EL显示面板及触控面板等显示面板中，为了防静电而配设本实施方式的屏蔽层。在本实施方式中，作为配设于液晶显示面板的屏蔽层而进行说明。
首先，使用图1，对具备本实施方式的屏蔽层20的液晶显示面板10进行说明。
如图1所示，该液晶显示面板10具备第一玻璃基板11、第二玻璃基板12及配设于这些第一玻璃基板11与第二玻璃基板12之间的液晶层13。另外，在本实施方式中，这些第一玻璃基板11及第二玻璃基板12为无碱玻璃，不含Na。
另外，通过由无碱玻璃构成第一玻璃基板11及第二玻璃基板12，能够抑制碱成分混入液晶层、TFT(薄膜场效应晶体管)中，能够避免显示器性能的劣化。
并且，在第二玻璃基板12上配设有本实施方式的屏蔽层20。
在该屏蔽层20上配设有偏振膜15，在该偏振膜15上形成有保护膜16。
此时，在形成屏蔽层20之后，在进入下一个工序之前的期间因某种原因而屏蔽层20表面被污染的情况下，有时用水、醇等清洗屏蔽层20的表面。因此，对于上述屏蔽层20还要求对水、醇的耐性。
在此，在本实施方式的屏蔽层20中，由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素。
另外，在本实施方式的屏蔽层20中，将金属成分的总计设为100原子％，除了上述In以外，还可以在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
并且，在本实施方式的屏蔽层20中，其厚度t设在7nm以上且25nm以下的范围内。
而且，在本实施方式的屏蔽层20中，在波长550nm的透射率为95％以上。
并且，在本实施方式的屏蔽层20中，电阻值设在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内。
在此，对如上述那样限定屏蔽层20的组成、厚度、特性等的理由进行说明。
(In)
在由In和Si的氧化物制成的屏蔽层20中，在将金属成分的总计设为100原子％，In的含量小于60原子％的情况下，有可能无法确保作为屏蔽层20而需要的导电性。另一方面，在In的含量超过80原子％的情况下，短波长的透射率下降，视觉辨认性有可能会下降。
由以上内容，在本实施方式中，将金属成分的总计设为100原子％，将In的含量设在60原子％以上且80原子％以下的范围内。
另外，为了进一步确保屏蔽层20的导电性，优选将金属成分的总计设为100原子％，将In的含量设为62原子％以上，进一步优选设为64原子％以上。
另一方面，为了可靠地抑制可见光的透射率下降，优选将In的含量设为78原子％以下。
(Zr)
在本实施方式的屏蔽层20中，作为金属成分，除了In、Si以外，还可以含有Zr。
在此，通过将金属成分的总计设为100原子％，将Zr的含量设为1原子％以上，能够提高屏蔽层20的耐久性，并且硬度变硬，耐刮伤增强。另一方面，通过将Zr的含量设为32原子％以下，能够抑制折射率增加，且能够抑制不必要的反射的发生，因此能够抑制可见光的透射率下降。
由以上内容，在本实施方式中含有Zr的情况下，优选将金属成分的总计设为100原子％，将Zr的含量设在1原子％以上且32原子％以下的范围内。另外，在包含Zr作为不可避免的杂质金属元素的情况下，其含量可以小于1原子％。
另外，为了进一步提高屏蔽层20的耐久性，将金属成分的总计设为100原子％，优选将Zr的含量设为2原子％以上，进一步优选设为3原子％以上。
另一方面，为了抑制折射率增加而进一步抑制透射率下降，优选将Zr的含量设为28原子％以下，进一步优选设为25原子％以下。
(厚度)
在本实施方式的屏蔽层20中，在其厚度t为7nm以上的情况下，能够充分地确保屏蔽层20的耐久性。另一方面，在屏蔽层20的厚度t为25nm以下的情况下，能够充分地确保可见光的透射性及电阻值。
由以上内容，在本实施方式中，优选将上述屏蔽层20的厚度t设在7nm以上且25nm以下的范围内。
另外，为了进一步提高屏蔽层20的耐久性，优选将屏蔽层20的厚度t设为8nm以上，进一步优选设为10nm以上。
另一方面，为了进一步确保可见光的透射性及电阻值，优选将屏蔽层20的厚度t设为20nm以下，进一步优选设为18nm以下。
(透射率)
在本实施方式的屏蔽层20中，在波长550nm的透射率为95％以上的情况下，能够确保足够的透射率，能够构成视觉辨认性优异的液晶显示面板10。
由以上内容，在本实施方式的屏蔽层20中，优选将在波长550nm的透射率为95％以上。
另外，为了构成视觉辨认性进一步优异的液晶显示面板10，本实施方式的屏蔽层20的在波长550nm的透射率优选为97％以上，进一步优选为98％以上。
(电阻值)
在本实施方式的屏蔽层20中，在电阻值为1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的情况下，能够有效地去除静电、干扰，而不妨碍显示器内部的触控传感器检测触控信号。
由以上内容，在本实施方式中，优选将上述屏蔽层20的电阻值设在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内。
另外，为了更可靠地去除静电、干扰，使触控信号到达面板内部的传感器部分，优选将屏蔽层20中的电阻值设为3E+7Ω/□以上，进一步优选设为5E+7Ω/□以上。并且，优选将电阻值设为9E+9Ω/□以下，进一步优选设为5E+9Ω/□以下。
接着，对制造上述的本实施方式的屏蔽层20的屏蔽层的制造方法进行说明。
在本实施方式的屏蔽层的制造方法中，使用与上述屏蔽层20相对应的组成的氧化物溅射靶。
该氧化物溅射靶由如下氧化物的烧结体构成，所述氧化物中，将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素。另外，将金属成分的总计设为100原子％，还可以在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。另外，在包含Zr作为不可避免的杂质金属元素的情况下，其含量可以小于1原子％。
在此，该氧化物溅射靶可以以下述方式制造。
首先，作为原料粉末，准备In2O3粉末、SiO2粉末及根据需要的ZrO2粉末。
In2O3粉末优选纯度为99.9质量％以上且平均粒径在0.1μm以上且10μm以下的范围内。
SiO2粉末优选纯度为99.8质量％以上且平均粒径在0.2μm以上且20μm以下的范围内。
ZrO2粉末优选纯度为99.9质量％以上且平均粒径在0.2μm以上且20μm以下的范围内。另外，在本实施方式中，对于ZrO2粉末的纯度，通过测定Fe2O3、SiO2、TiO2、Na2O的含量，而剩余部分为ZrO2时计算出的纯度。在本实施方式的ZrO2粉末中，有时含有最多2.5质量％的HfO2。
以成为规定的组成比的方式称取这些氧化物粉末，并使用粉碎混合装置进行混合，准备混合原料粉末。在此，优选将混合原料粉末的比表面积(BET比表面积)设在11.5m2/g以上且13.5m2/g以下的范围内。
通过将所获得的混合原料粉末填充到成型模中并进行加压，获得规定形状的成型体。
将该成型体装入电炉内，进行加热并进行烧结。此时，优选将保持温度设在1300℃以上且1600℃以下的范围内，且将保持时间设在2小时以上且10时间以下的范围内。并且，优选将氧导入到电炉内。
并且，在电炉内以200℃/小时以下的冷却速度冷却至600℃，然后炉冷至室温，从电炉内取出烧结体。
对所获得的烧结体进行机械加工，制造规定尺寸的氧化物溅射靶。
接着，使用该氧化物溅射靶，在第二玻璃基板12的表面形成屏蔽层20。
将上述氧化物溅射靶与基底材料接合并安装于溅射装置内，将溅射装置内部设为真空气氛之后，导入Ar气体和氧气来调节溅射气压，实施溅射成膜。
此时，关于导入到溅射装置内的氧量，优选氧/氩的流量比为0.03以下，进一步优选设为0.02以下。另外，对于氧/氩的流量比的下限，并无特别限制，但是优选设为0.002以上。通过在该范围内导入氧，能够形成具有更优选的电阻值的屏蔽层。
根据设为如上述结构的本实施方式的屏蔽层20，由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，因此可见光的透射率优异，且具有足够高的电阻值，作为液晶显示面板10中的屏蔽层20而充分地发挥作用。
并且，本实施方式的屏蔽层20容易成为非晶质，因此水分等腐蚀性物质难以侵入到膜内部，即使在高温高湿环境下使用的情况下，电阻值及透射率也不会大幅改变，且具有优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)。
并且，即使在与水及醇接触的情况下，透射率、电阻值也不会大幅改变，因此即使在形成屏蔽层20之后，用水及醇清洗在进入下一个工序之前的期间因某种原因而屏蔽层20表面被污染的屏蔽层20，屏蔽层20也不会劣化。
并且，在本实施方式的屏蔽层20中，在将金属成分的总计设为100原子％，还在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr的情况下，能够进一步提高屏蔽层20的耐久性。并且，屏蔽层20的硬度变高，耐刮伤等增强。并且，能够抑制折射率增加，且能够抑制不必要的反射的发生，因此能够抑制可见光的透射率下降。
另外，如上所述，在本实施方式中，ZrO2粉末有时含有最多2.5质量％的HfO2，因此在屏蔽层20中有时也相对于Zr以金属成分的原子比计含有最多1.7％的Hf。
并且，在本实施方式中，在屏蔽层20的厚度设为7nm以上的情况下，能够充分地提高屏蔽层20的耐久性。
另一方面，在屏蔽层20的厚度设为25nm以下的情况下，能够充分地确保屏蔽层20的可见光的透射率及电阻值。由此，特别适用作液晶显示面板10中的屏蔽层20。
而且，在本实施方式的屏蔽层20中，在波长550nm的透射率为95％以上的情况下，可见光的透射率优异，能够确保液晶显示面板10的视觉辨认性。
并且，在本实施方式的屏蔽层20中，在电阻值设为1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的情况下，能够有效地去除静电、干扰，而不妨碍显示器内部的触控传感器检测触控信号。
根据本实施方式的屏蔽层20的制造方法，使用由在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In的氧化物制成的氧化物溅射靶，将氧导入到溅射装置内并进行溅射成膜，因此能够稳定地形成可见光的透射率高且电阻值足够高的屏蔽层20。
并且，对于所导入的氧量，氧/氩的流量比为0.03以下，因此能够抑制所形成的屏蔽层20的电阻值变得过高。
并且，在本实施方式的屏蔽层20的制造方法中，在所述氧化物溅射靶中，在将金属成分的总计设为100原子％，还在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr的情况下，能够在确保可见光的透射率的状态下，形成硬度硬且耐久性优异的屏蔽层20。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，可以在不脱离该发明的技术思想的范围内进行适当变更。
例如，在本实施方式中，举例设置于图1所示的液晶显示面板10的屏蔽层20进行了说明，但是并不限定于此，可以设置于其他结构的液晶显示面板，也可以设置于有机EL显示器及触控面板等其他显示面板。
并且，在本实施方式中，作为使用如上述那样制造的氧化物溅射靶成膜的结构而进行了说明，但是并不限定于此，可以使用通过其他制造方法制造的溅射靶成膜。
实施例
以下，对为了确认本发明的有效性而进行的确认实验的结果进行说明。
＜氧化物溅射靶＞
作为原料粉末，准备了氧化铟粉末(In2O3粉末：纯度为99.9质量％以上，平均粒径为1μm)、氧化硅粉末(SiO2粉末：纯度为99.8质量％以上，平均粒径为2μm)及根据需要的氧化锆粉末(ZrO2粉末：纯度为99.9质量％以上，平均粒径为2μm)。并且，将它们以成为表1所示的配合比的方式进行了称取。
另外，对于氧化锆粉末(ZrO2粉末)的纯度，通过测定Fe2O3、SiO2、TiO2、Na2O的含量，而剩余部分为ZrO2时计算出的纯度，有时含有最多2.5质量％的HfO2。
将所称取的各原料粉末与作为粉碎介质的直径为0.5mm的氧化锆球及溶剂(JapanAlcohol Trading Co.,Ltd.制造的Solmix A-11)一起投入到珠磨装置中，并进行了粉碎/混合。另外，粉碎/混合时间设为1小时。
在粉碎/混合之后，分离回收氧化锆球，获得了包含原料粉末和溶剂的浆料。对所获得的浆料进行加热，去除溶剂而获得了混合粉末。
接着，将所获得的混合粉末填充到内径为200mm的模具中，以150kg/cm2的压力进行冲压，由此制作了直径为200mm、厚度为10mm的圆板形状的成型体。
将所获得的成型体装入电炉(炉内部容积为27000cm3)中，通过一边以4L/分钟的流量导入氧气，一边在1400℃的烧成温度下保持7小时来进行烧成，制造了烧结体。
烧成之后，一边继续导入氧气一边在电炉内以130℃/小时的冷却速度冷却至600℃。然后，中止氧气的导入，在炉内冷却至室温，并从电炉中取出了烧结体。
对所获得的烧结体进行机械加工，制造了直径为152.4mm、厚度为6mm的圆板形状的氧化物溅射靶。
＜屏蔽层(氧化物膜)的成膜＞
将氧化物溅射靶焊接到无氧铜制垫板，并将其安装于磁控式溅射装置(SHOWASHINKU CO.,LTD.，SPH-2307)内。
接着，用真空排气装置将溅射装置内部排气至7×10-4Pa以下之后，以成为表1的“溅射时的氧量”一栏中所记载的氧/氩的流量比的方式导入Ar气体和氧气，将溅射气压调节至0.67Pa，实施1小时的预溅射，而去除了靶表面的加工层。此时的氧气的流量设为表1中所记载的条件，电力设为DC615W。另外，氧/氩的流量比设为氧流量(sccm)与氩流量(sccm)之比。
然后，用真空排气装置将溅射装置内部排气至7×10-4Pa以下之后，在与上述预溅射相同的条件下进行溅射成膜，在50mm见方的无碱玻璃基板上形成了表1中所记载的厚度的屏蔽层(氧化物膜)。将此时的基板与靶的距离设为60mm。
并且，以下述方式评价了所获得的屏蔽层(氧化物膜)的组成、透射率、电阻值、折射率、硬度、恒温恒湿试验后的透射率及电阻值。并且，对氧化物膜的结晶性进行了确认。
(氧化物膜的组成)
使用Agilent Technologies,Inc.制造的电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)装置(Agilent5100)对用酸溶解上述氧化物膜而得的溶液进行分析，并测定了各氧化物膜的In浓度、Zr浓度及Si浓度。在表1中示出将金属成分的总计设为100原子％的膜的组成。
(透射率)
使用分光光度计(JASCO Corporation制造的V-550)，测定了波长550nm的光的透射率作为可见光的代表波长的透射率。
(短波长的透射率)
使用分光光度计(JASCO Corporation制造的V-550)，测定波长350nm的光的透射率作为可见光的短波长区域的透射率，并计算出波长350nm的透射率相对于波长550nm的透射率的相对值＝350nm的透射率/550nm的透射率。
将波长350nm的透射率相对于波长550nm的透射率的相对值为0.85以上的情况设为“○”，将小于0.85的情况设为“×”。
(电阻值)
通过低电压施加/泄漏电流测定方式进行了测定。关于测定装置，使用了Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制造的Hiresta。
(折射率)
使用椭圆偏振光谱仪，在入射角度为75°、测定波长为550nm的条件下测定了氧化物膜的折射率。
(硬度)
在上述的溅射条件下，在玻璃基板(Corning Incorporated Co.,Ltd.制造的EAGLE-XG)上形成了膜厚为500nm的氧化物膜。对于该氧化物膜，将压入荷载设为25mgf，使用超微细压痕硬度试验机(ELIONIX INC.制造的ENT-1100a)进行了测定。另外，所形成的玻璃基板设置于27℃的装置内并经过1小时之后，进行了硬度测定。并且，关于硬度，将10个点测定的平均值记载于表2中。
(恒温恒湿试验)
实施了在温度为60℃、相对湿度为90％的恒温恒湿条件下保持240小时的恒温恒湿试验1和在温度为85℃、相对湿度为85％的恒温恒湿条件下保持240小时的恒温恒湿试验2。在恒温恒湿试验1之后及恒温恒湿试验2之后，如上所述那样测定了波长550nm的透射率、电阻值。
(膜的结晶性)
对在本发明例11和现有例1的条件下形成为30nm的膜厚的氧化物膜进行XRD分析，对氧化物膜的结晶性进行了确认。其结果，在现有例1中，确认到氧化物膜为晶质。相对于此，在本发明例11中，氧化物膜为非晶质。
[表1]
Figure GDA0003354474360000111
※1：将金属成分的总计设为100原子％时的金属元素的含量
※2：氧/氩的流量比
※3：ITO SnO2：10质量％、In2O3：剩余部分
※4：IZO ZnO：10质量％、In2O3：剩余部分
※5：ITO-Si SnO2:In2O3＝1:9(质量比)、SiO2：15质量％
※6：ITO-Si Sn：3.0原子％、In：36.1原子％、Si：11.0原子％、O：剩余部分
[表2]
Figure GDA0003354474360000121
※5：恒温恒湿试验条件为温度60℃、相对湿度90％、试验时间240小时
※6：恒温恒湿试验条件为温度85℃、相对湿度85％、试验时间240小时
在形成ITO膜作为屏蔽层的现有例1中，初始波长550nm的透射率、波长350nm的透射率相对于波长550nm的透射率的相对值及电阻值不足。并且，在恒温恒湿试验1及恒温恒湿试验2之后，观察到电阻值的变动，耐环境性不足。
在形成IZO膜作为屏蔽层的现有例2中，初始波长550nm的透射率、波长350nm的透射率相对于波长550nm的透射率的相对值及电阻值不足。并且，在恒温恒湿试验1及恒温恒湿试验2之后，观察到电阻值的变动，耐环境性不足。
在形成ITO-Si膜作为屏蔽层的现有例3中，在恒温恒湿试验2之后，观察到透射率及电阻值的变动，耐环境性不足。
在屏蔽层(氧化物膜)的In含量比本发明的范围少的比较例1中，电阻值变得过高，无法确保作为屏蔽层而需要的导电性。
在屏蔽层(氧化物膜)的In含量比本发明的范围多的比较例2中，短波长的透射率下降。并且，在恒温恒湿试验1及恒温恒湿试验2之后，观察到透射率的变动，耐环境性不足。
在屏蔽层(氧化物膜)的Zr含量比本发明的范围多的比较例3中，折射率变大。
相对于此，在In、Zr的含量设在本发明的范围内的屏蔽层(氧化物膜)中，确认到：透射率足够高，且电阻值设在合适的范围内，特别适用作屏蔽层。并且，即使在恒温恒湿试验1及恒温恒湿试验2之后，透射率及电阻值也不会大幅变动。
并且，与不含Zr的本发明例5相比，在含有Zr的本发明例1～本发明例4、本发明例6～本发明例17中，确认到膜的硬度得到提高。
而且，在将厚度设为20nm以下的本发明例1～本发明例10、本发明例12～本发明例17中，确认到：波长350nm的透射率相对于波长550nm的透射率的相对值为0.85以上，在短波长也具备高透射率。
由以上内容确认到：根据本发明例，能够提供一种可见光的透射率高，且电阻值足够高，而且具有优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)的屏蔽层。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供一种可见光的透射率高，且电阻值足够高，而且具有优异的耐环境性(耐热性、耐湿性)的屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶。
符号说明
10-液晶显示面板，11-第一玻璃基板，12-第二玻璃基板，13-液晶层，15-偏振膜，16-保护膜，20-屏蔽层。

Claims (3)

1.一种屏蔽层，其配设于显示面板，所述屏蔽层的特征在于，
由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，
所述屏蔽层的薄膜电阻在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内，
所述屏蔽层的厚度在7nm以上且25nm以下的范围内，
将金属成分的总计设为100原子％，还在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
2.根据权利要求1所述的屏蔽层，其特征在于，
所述屏蔽层在波长550nm的透射率为95％以上。
3.一种屏蔽层的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求1或2所述的屏蔽层，
所述屏蔽层的制造方法使用由氧化物构成的氧化物溅射靶将氧导入到溅射装置内，并进行溅射成膜，
所述氧化物中，将金属成分的总计设为100原子％，包含60原子％以上且80原子％以下的In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，
关于所导入的氧量，氧/氩的流量比为0.03以下，
所述屏蔽层的薄膜电阻在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内，
所述氧化物溅射靶中，将金属成分的总计设为100原子％，还在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
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