JP5214745B2 - 酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット - Google Patents
酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット Download PDFInfo
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Description
本発明は、高屈折率で、かつ低い消衰係数を持つ酸化チタンを主成分とする薄膜、同薄膜の製造に適した酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲットに関する。
近年、磁気ヘッドを必要とせずに書き換え可能な高密度光情報記録媒体である高密度記録光ディスク技術が開発され、急速に商品化されている。特に、ＣＤ−ＲＷは、書き換え可能なＣＤとして１９７７年に登場し現在、最も普及している相変化光ディスクである。このＣＤ−ＲＷの書き換え回数は１０００回程度である。
また、ＤＶＤ用としてＤＶＤ−ＲＷが開発され商品化されているが、このディスクの層構造は基本的にＣＤ−ＲＷと同一又は類似するものである。この書き換え回数は１０００〜１００００回程度である。
これらは、光ビームを照射することにより、記録材料の透過率、反射率などの光学的な変化を生じさせて、情報の記録、再生、追記を行うものであり、急速に普及した電子部品である。
また、ＤＶＤ用としてＤＶＤ−ＲＷが開発され商品化されているが、このディスクの層構造は基本的にＣＤ−ＲＷと同一又は類似するものである。この書き換え回数は１０００〜１００００回程度である。
これらは、光ビームを照射することにより、記録材料の透過率、反射率などの光学的な変化を生じさせて、情報の記録、再生、追記を行うものであり、急速に普及した電子部品である。
一般に、ＣＤ−ＲＷ又はＤＶＤ−ＲＷ等に使用される相変化光ディスクは、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層の両側を、ＺｎＳ・ＳｉＯ２等の高融点誘電体の保護層で挟み、さらに銀若しくは銀合金又はアルミニウム合金反射膜を設けた四層構造となっている。また、繰返し回数を高めるために、必要に応じてメモリ層と保護層の間に界面層を加えることなどが行われている。
反射層と保護層は、記録層のアモルファス部と結晶部との反射率の差を増大させる光学的機能が要求されるほか、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件制御という機能が要求される（非特許文献１参照）。
反射層と保護層は、記録層のアモルファス部と結晶部との反射率の差を増大させる光学的機能が要求されるほか、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件制御という機能が要求される（非特許文献１参照）。
最近では、大容量、高密度の記録を可能とするために、片面２層光記録媒体が提案されている（特許文献１参照）。この特許文献１では、レーザー光の入射方向から、基板１上に形成された第一情報層と基板２上に形成された第二情報層があり、これらが中間層を介して互いに情報膜が対向するように張り合わされている。
この場合、第一情報層は記録層と第１金属反射層からなり、第二情報層は第１保護層、第２保護層、記録層、第２金属反射層から構成されている。この他に、傷、汚れ等から保護するハードコート層、熱拡散層等の層を任意に形成しても良いとされている。また、これらの保護層、記録層、反射層などに、多様な材料が提案されている。
この場合、第一情報層は記録層と第１金属反射層からなり、第二情報層は第１保護層、第２保護層、記録層、第２金属反射層から構成されている。この他に、傷、汚れ等から保護するハードコート層、熱拡散層等の層を任意に形成しても良いとされている。また、これらの保護層、記録層、反射層などに、多様な材料が提案されている。
高融点誘電体からなる保護層は、昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である。この意味において、誘電体保護層は重要な役割を有する。また、当然ではあるが、記録層、反射層、干渉膜層なども、上記に述べたＣＤ、ＤＶＤ等の電子部品において、それぞれの機能を発揮する意味で、同様に重要であることは論を俟たない。
これらの多層構造の各薄膜は、通常スパッタリング法によって形成されている。このスパッタリング法は正の電極と負の電極とからなる基板とターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
このような中で、酸化チタン（ＴｉＯｘ）を利用したターゲットが、熱線反射膜、反射防止膜を形成するためのスパッタリングターゲットとして提案されている（特許文献２参照）。この場合、スパッタリング時の放電を安定させるために、比抵抗値を０．３５Ωｃｍ以下にし、ＤＣスパッタリングを可能とし、高屈折率の膜を得ることができるとしている。
しかし、膜の透過率が低下するため、酸素含有量を３５重量％以上とし、さらに酸素を導入する方策が採られている。また、酸素の導入により成膜速度が低下するため、金属酸化物を添加して、成膜速度の向上を図っているが、より屈折率が高く、吸収の少ない膜が求められる精密光学部材や電子部品としての適用には問題がある。特に、４００ｎｍ付近の短波長側では問題があると考えられる。
しかし、膜の透過率が低下するため、酸素含有量を３５重量％以上とし、さらに酸素を導入する方策が採られている。また、酸素の導入により成膜速度が低下するため、金属酸化物を添加して、成膜速度の向上を図っているが、より屈折率が高く、吸収の少ない膜が求められる精密光学部材や電子部品としての適用には問題がある。特に、４００ｎｍ付近の短波長側では問題があると考えられる。
技術雑誌「光学」２６巻１号、頁９〜１５
本発明は、上記の問題点に鑑み、高屈折率で、かつ低い消衰係数を持つ酸化チタンを主成分とする薄膜及び同薄膜の製造に適した酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲットを得ることを目的とし、同時に透過率に優れ、反射率の低下が少なく、光情報記録媒体の干渉膜又は保護膜として有用である薄膜を得ること課題とする。また、ガラス基板への適用、すなわち熱線反射膜、反射防止膜、干渉フィルタとして使用することも可能とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、酸化チタンに銅、白金等の金属を添加することが極めて有効であり、また光情報記録媒体の干渉膜又は保護膜としての特性も損なわず、透過率を維持し、反射率の低下を防止することが可能である材料を得ることができるとの知見を得た。
この知見に基づき、次の発明を提供するものである。
１）チタン、酸素及び銅を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする薄膜
２）チタン、酸素及び白金を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする薄膜
３）チタン、酸素及びコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９５以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする薄膜
４）４００〜４１０ｎｍの波長域における屈折率が２．６０以上であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
５）４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．１以下であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
６）４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．０５以下であることを特徴とする上記５）記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
７）光干渉膜又は保護膜に使用する薄膜であることを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
８）光記録媒体として使用する薄膜であることを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
１）チタン、酸素及び銅を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする薄膜
２）チタン、酸素及び白金を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする薄膜
３）チタン、酸素及びコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９５以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする薄膜
４）４００〜４１０ｎｍの波長域における屈折率が２．６０以上であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
５）４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．１以下であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
６）４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．０５以下であることを特徴とする上記５）記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
７）光干渉膜又は保護膜に使用する薄膜であることを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
８）光記録媒体として使用する薄膜であることを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とする薄膜
また、本願は、次の発明を提供する。
９）銅を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＣｕｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット
１０）白金を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＰｔｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．１５）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット
１１）コバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＭｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット
９）銅を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＣｕｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット
１０）白金を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＰｔｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．１５）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット
１１）コバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＭｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット
以上の通り、本発明は、高屈折率で、かつ低い消衰係数を持つ酸化チタンを主成分とする薄膜、同薄膜の製造に適した酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであり、本発明によって得られた薄膜は、光情報記録媒体の膜・層として大きな効果を有する。また、本発明の薄膜は、同時に透過率に優れ、反射率の低下が少なく、光情報記録媒体の干渉膜又は保護膜として、特に有用である。
高融点誘電体の保護層は、昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性が必要であり、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要であるが、本願発明の酸化チタンを主成分とする薄膜は、このような材料に適用できる特性を備えている。
また、スパッタリング中の酸素量も少ない範囲で調整できるため、成膜速度の低下も抑制できるという効果もある。
高融点誘電体の保護層は、昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性が必要であり、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要であるが、本願発明の酸化チタンを主成分とする薄膜は、このような材料に適用できる特性を備えている。
また、スパッタリング中の酸素量も少ない範囲で調整できるため、成膜速度の低下も抑制できるという効果もある。
本発明の酸化チタンを主成分とする薄膜は、上記の通り、チタンとＯの成分以外に、銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含有する。
銅を含有する場合は、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上の組成比を有する酸化チタンを主成分とする薄膜である。
また、白金を含有する場合は、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上の組成比を有する酸化チタンを主成分とする薄膜である。
さらに、コバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含む場合には、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９６以上の組成比を有する酸化チタンを主成分とする薄膜である。
銅を含有する場合は、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上の組成比を有する酸化チタンを主成分とする薄膜である。
また、白金を含有する場合は、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上の組成比を有する酸化チタンを主成分とする薄膜である。
さらに、コバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含む場合には、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９６以上の組成比を有する酸化チタンを主成分とする薄膜である。
銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍの存在は、薄膜の屈折率を高める効果を有する。０．００３未満では、これらの添加効果が小さく、また７．４ａｔ％（銅又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍ添加の場合）若しくは５．７ａｔ％（白金添加の場合）を超えると、薄膜の消衰係数が増える傾向にあるので、薄膜中のＡｇの存在量は０．０３ａｔ％以上、７．４ａｔ％以下（後者の場合：５．７ａｔ％）にするのが望ましいと言える。
屈折率が向上する理由は、必ずしも明確でないが、酸化チタンの非晶質の膜中に、銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍが、微細粒子（ナノ粒子など）として分散していることが原因と考えられる。
これらの添加金属は、場合によっては、その一部が金属酸化物として存在する場合もあるが、このように一部が酸化物として存在する場合も、特に問題となるものではなく、同様に屈折率向上が認められる。このようにして得られる高屈折率の材料は、多層光学膜設計の自由度が高まり、より好適な材料となる。
これらの添加金属は、場合によっては、その一部が金属酸化物として存在する場合もあるが、このように一部が酸化物として存在する場合も、特に問題となるものではなく、同様に屈折率向上が認められる。このようにして得られる高屈折率の材料は、多層光学膜設計の自由度が高まり、より好適な材料となる。
これらの薄膜は非晶質の膜であり、４００〜４１０ｎｍの波長域における屈折率が２．６０以上の膜を得ることが可能となる。また、４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．１以下、さらには消衰係数が０．０５以下の薄膜を得ることができる。
上記４００〜４１０ｎｍの波長領域は、青色レーザーの波長領域であり、この波長領域において、上記の通り屈折率が２．６０以上であるが、この屈折率は高い方が良い。また、消衰係数が０．１以下、さらには０．０５以下を達成できるが、この消衰係数が低いほど、多層化により適している。この酸化チタンを主成分とする薄膜は、干渉膜又は保護膜として有用であり、特に光記録媒体として有用である。
上記４００〜４１０ｎｍの波長領域は、青色レーザーの波長領域であり、この波長領域において、上記の通り屈折率が２．６０以上であるが、この屈折率は高い方が良い。また、消衰係数が０．１以下、さらには０．０５以下を達成できるが、この消衰係数が低いほど、多層化により適している。この酸化チタンを主成分とする薄膜は、干渉膜又は保護膜として有用であり、特に光記録媒体として有用である。
上記薄膜は、銅又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットである場合には、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＭｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下である酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲットを使用することにより、また白金を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットの場合には、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＰｔｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．１５）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下である酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲットを使用することにより製造することができる。
この場合のスパッタリングは、特に添加金属量が多い場合、スパッタガスに酸素を導入するよう調整することで、消衰係数の低い酸化チタンを主成分とする薄膜を得ることが可能となる。
本発明の焼結体ターゲットは、薄膜の成分組成に近似するが、同一ではない。すなわち、ターゲットの基本成分はＴｉ、添加金属（Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ）、Ｏの成分からなるが、各成分は上記の組成比を有する。そして、このターゲットは１００Ωｃｍ以下の比抵抗を備えている。
本発明の焼結体ターゲットは、薄膜の成分組成に近似するが、同一ではない。すなわち、ターゲットの基本成分はＴｉ、添加金属（Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ）、Ｏの成分からなるが、各成分は上記の組成比を有する。そして、このターゲットは１００Ωｃｍ以下の比抵抗を備えている。
上記において、ｍが０．５を超えると、酸素欠損が大きくなり過ぎて、消衰係数が増える傾向にあるので、ｍは０．５以下にするのが望ましいと言える。また、ｎが０．００１未満では、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕの添加効果が小さく、また０．２（但し、Ｐｔの場合は０．１５）を超えると、前記成膜した場合の消衰係数が増える傾向にあるので、ｎは０．０００１以上、０．２（但し、Ｐｔの場合は０．１５）以下にするのが望ましいと言える。スパッタリング効率を上げるためには、ターゲットの導電性が必要であるが、本願発明のターゲットはこの条件を備えており、ＤＣスパッタリングが可能である。
焼結体スパッタリングターゲット中に存在するＣｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ相は微細粒として均一に分散する方が異常放電の防止に効果を発揮出来るので、平均粒径は２０μｍ以下であることが望ましいと言える。
この焼結体スパッタリングターゲットを使用し、０．１〜１６％の酸素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングし、基板上にＣｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ及び／又はこれらの金属の酸化物を含有する酸化チタン薄膜を形成することができる。
焼結体スパッタリングターゲット中に存在するＣｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ相は微細粒として均一に分散する方が異常放電の防止に効果を発揮出来るので、平均粒径は２０μｍ以下であることが望ましいと言える。
この焼結体スパッタリングターゲットを使用し、０．１〜１６％の酸素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングし、基板上にＣｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ及び／又はこれらの金属の酸化物を含有する酸化チタン薄膜を形成することができる。
薄膜の製造に際しては、上記の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下である焼結体スパッタリングターゲットを使用し、０．１〜１６％の酸素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングすることにより製造することができる。
すなわち、これによって、基板上にチタン、酸素及び銅を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上である酸化チタンを主成分とする薄膜若しくはチタン、酸素及び白金を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上である酸化チタンを主成分とする薄膜又はチタン、酸素及びコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９５以上である酸化チタンを主成分とする薄膜を形成することが可能となる。この場合、直流スパッタリングで成膜することが可能である。
すなわち、これによって、基板上にチタン、酸素及び銅を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上である酸化チタンを主成分とする薄膜若しくはチタン、酸素及び白金を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上である酸化チタンを主成分とする薄膜又はチタン、酸素及びコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９５以上である酸化チタンを主成分とする薄膜を形成することが可能となる。この場合、直流スパッタリングで成膜することが可能である。
ターゲットを製造するには、原料として、高純度（通常、４Ｎ以上）であり平均粒径１０μｍ以下の酸化チタン（ＴｉＯ２）及び高純度（通常、３Ｎ以上）であり平均粒径２０μｍ以下の銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍの粉を用いることが望ましい。これらを、本願発明の組成比となるように調合する。
次に、酸化チタン粉にこれらの選択した添加金属が均一に分散するように、湿式ボールミル又は乾式ブレンダー（混合機）を用いて混合する。
次に、酸化チタン粉にこれらの選択した添加金属が均一に分散するように、湿式ボールミル又は乾式ブレンダー（混合機）を用いて混合する。
混合後、カーボン製のダイスに充填した後、ホットプレスを行う。ホットプレスの条件は、組成成分によって変えることができるが、通常は８００〜１１００°Ｃの範囲で、面圧力１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲で行う。しかし、この条件は、代表的な条件を示したもので、その選択は任意であり、特に制限されない。焼結後は、焼結体を機械加工してターゲット形状に仕上げる。
これによって、ターゲットの基本成分はチタン、銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍ、及び酸素の成分からなり、各成分は上記の組成比を有し、酸化チタンのマトリックスの中に、銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍ及び／又はこれらの酸化物が微細粒子として分散したターゲットを得ることができる。
これによって、ターゲットの基本成分はチタン、銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍ、及び酸素の成分からなり、各成分は上記の組成比を有し、酸化チタンのマトリックスの中に、銅若しくは白金又はコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍ及び／又はこれらの酸化物が微細粒子として分散したターゲットを得ることができる。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで好適な例を示すものであり、この例によって本願発明が制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１〜８）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が１５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の銅粉を用いた。これを、表１に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、銅が酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９７％以上、比抵抗は表１に示すように０．０１〜１０Ωｃｍのターゲットが得られた。スパッタリング中の異常放電は無かった。この結果を、表１に示す。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が１５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の銅粉を用いた。これを、表１に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、銅が酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９７％以上、比抵抗は表１に示すように０．０１〜１０Ωｃｍのターゲットが得られた。スパッタリング中の異常放電は無かった。この結果を、表１に示す。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表１に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（２〜１０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
この結果、ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡ（Ｃｕ低濃度領域ではＳＩＭＳ）で分析した膜の組成を、それぞれ表１に示す。Ｏはバランス表示としている。この表１に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）は０．９６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表１に示す。
以上の結果、屈折率は、２．６〜２．６８と高くなり、また消衰係数は０．００５〜０．０８となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
この結果、ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡ（Ｃｕ低濃度領域ではＳＩＭＳ）で分析した膜の組成を、それぞれ表１に示す。Ｏはバランス表示としている。この表１に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）は０．９６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表１に示す。
以上の結果、屈折率は、２．６〜２．６８と高くなり、また消衰係数は０．００５〜０．０８となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
（比較例１〜５）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と平均粒径が１５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の銅粉を用いた。これを、表１に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。なお、比較例１は銅粉を添加しなかった場合である。
この混合粉１ｋｇを、銅が酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５〜９８％となった。表１に示すように、ターゲットの比抵抗は＞１００Ωｃｍ〜０．０００５Ωｃｍとなった。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と平均粒径が１５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の銅粉を用いた。これを、表１に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。なお、比較例１は銅粉を添加しなかった場合である。
この混合粉１ｋｇを、銅が酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５〜９８％となった。表１に示すように、ターゲットの比抵抗は＞１００Ωｃｍ〜０．０００５Ωｃｍとなった。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表１に示すようにＡｒガス又はＡｒガス−Ｏ２（２〜１０％）ガス、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡ（Ｃｕ低濃度領域ＳＩＭＳ）で分析した膜の組成を、それぞれ表１に示す。この表１に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）は０．７６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表１に示す。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡ（Ｃｕ低濃度領域ＳＩＭＳ）で分析した膜の組成を、それぞれ表１に示す。この表１に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）は０．７６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表１に示す。
以上の結果、比較例１についてはＣｕを添加しない酸化チタンターゲットである。消衰係数は０．００４と低下したが、屈折率は２．５９と低くなった。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例２については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９５で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．７と高くなったが、逆に消衰係数は０．２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例３については、Ｃｕ量が多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９２で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．７と高くなったが、逆に消衰係数は０．２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例２については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９５で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．７と高くなったが、逆に消衰係数は０．２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例３については、Ｃｕ量が多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９２で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．７と高くなったが、逆に消衰係数は０．２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例４については、Ｃｕ量が０．００２ａｔ％と少なく、本願発明の条件に満たないものである。この場合、消衰係数は０．００５と減少したが、逆に屈折率は２．５９と低く高くなった。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例５については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．７６と少なく、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５５と低く、消衰係数も０．５と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例５については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．７６と少なく、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５５と低く、消衰係数も０．５と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
（実施例９〜１５）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のパラジウム（Ｐｄ）粉を用いた。これを、表２に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｄが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表２に示すように０．０１〜３０Ωｃｍのターゲットが得られた。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のパラジウム（Ｐｄ）粉を用いた。これを、表２に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｄが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表２に示すように０．０１〜３０Ωｃｍのターゲットが得られた。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表２に示すようにＡｒガス又はＡｒガス−Ｏ２（１〜１０％）ガス中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表２に示す。この表２に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）は０．９５〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表２に示す。
以上の結果、屈折率は２．６０〜２．６８と高くなり、また消衰係数は０．００８〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表２に示す。この表２に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）は０．９５〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表２に示す。
以上の結果、屈折率は２．６０〜２．６８と高くなり、また消衰係数は０．００８〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
（比較例６〜７）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のパラジウム（Ｐｄ）粉を用いた。これを、表２に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｄが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表２に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００１Ωｃｍ〜２０Ωｃｍとなった。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のパラジウム（Ｐｄ）粉を用いた。これを、表２に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｄが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表２に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００１Ωｃｍ〜２０Ωｃｍとなった。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表２に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（２０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表２に示す。この表２に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）は０．８５〜０．９４であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表２に示す。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表２に示す。この表２に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）は０．８５〜０．９４であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表２に示す。
以上の結果、比較例６については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）が０．９４で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．６８と高くなったが、逆に消衰係数は０．１９と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例７については、Ｐｄ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）が０．８５で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５４と低く、消衰係数は０．３と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例７については、Ｐｄ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）が０．８５で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５４と低く、消衰係数は０．３と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
（実施例１６〜実施例１７）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のコバルト（Ｃｏ）粉を用いた。これを、表３に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｃｏが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧３００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表３に示すように０．０６〜５０Ωｃｍのターゲットが得られた。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２５μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のコバルト（Ｃｏ）粉を用いた。これを、表３に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｃｏが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧３００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表３に示すように０．０６〜５０Ωｃｍのターゲットが得られた。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表３に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（１０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表３に示す。この表３に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｃｏ）は０．９５〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表３に示す。
以上の結果、屈折率は２．６１〜２．６７と高くなり、また消衰係数は０．０１〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表３に示す。この表３に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｃｏ）は０．９５〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表３に示す。
以上の結果、屈折率は２．６１〜２．６７と高くなり、また消衰係数は０．０１〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
（比較例８〜比較例９）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０であり、純度が３Ｎ（９９．９％）のコバルト（Ｃｏ）粉を用いた。これを、表３に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｃｏが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧３００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表３に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００２Ωｃｍ〜６Ωｃｍとなった。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０であり、純度が３Ｎ（９９．９％）のコバルト（Ｃｏ）粉を用いた。これを、表３に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｃｏが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９７０°Ｃ、面圧３００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表３に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００２Ωｃｍ〜６Ωｃｍとなった。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表３に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（０．５〜１０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表３に示す。この表３に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｃｏ）は０．８４〜０．９４であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表３に示す。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表３に示す。この表３に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｃｏ）は０．８４〜０．９４であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表３に示す。
以上の結果、比較例８については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）が０．９４で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５７と低く、消衰係数も０．１１と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例９については、Ｃｏ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）が０．８４で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５５と低く、消衰係数は０．３２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例９については、Ｃｏ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｄ）が０．８４で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５５と低く、消衰係数は０．３２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
（実施例２２〜実施例２６）
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が７μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の白金（Ｐｔ）粉を用いた。これを、表４に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｔが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表４に示すように０．０７〜５０Ωｃｍのターゲットが得られた。
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が７μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の白金（Ｐｔ）粉を用いた。これを、表４に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｔが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表４に示すように０．０７〜５０Ωｃｍのターゲットが得られた。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表４に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（１〜１０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表４に示す。この表４に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）は０．９５〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表４に示す。
以上の結果、屈折率は２．６２〜２．７４と高くなり、また消衰係数は０．００８〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表４に示す。この表４に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）は０．９５〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表４に示す。
以上の結果、屈折率は２．６２〜２．７４と高くなり、また消衰係数は０．００８〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
（比較例１０〜比較例１１）
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が７μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の白金（Ｐｔ）粉を用いた。これを、表４に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｔが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表４に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００５Ωｃｍ〜５０Ωｃｍとなった。
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が７μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の白金（Ｐｔ）粉を用いた。これを、表４に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｐｔが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表４に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００５Ωｃｍ〜５０Ωｃｍとなった。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表４に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（２０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表４に示す。この表４に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）は０．８９〜０．９２であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表４に示す。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表４に示す。この表４に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）は０．８９〜０．９２であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表４に示す。
以上の結果、比較例１０については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９２で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．６９と高くなったが、消衰係数は０．２１と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例１１については、Ｐｔ量が７．７ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．８９で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．６５と高くなったが、消衰係数は０．４と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例１１については、Ｐｔ量が７．７ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．８９で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．６５と高くなったが、消衰係数は０．４と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
（実施例２７〜実施例３２）
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のニッケル（Ｎｉ）粉を用いた。これを、表５に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｎｉが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表５に示すように０．０６〜３７Ωｃｍのターゲットが得られた。
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のニッケル（Ｎｉ）粉を用いた。これを、表５に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｎｉが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表５に示すように０．０６〜３７Ωｃｍのターゲットが得られた。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表５に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（１０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表５に示す。この表５に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｎｉ）は０．９６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表５に示す。
以上の結果、屈折率は２．６１〜２．６８と高くなり、また消衰係数は０．００８〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表５に示す。この表５に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｎｉ）は０．９６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表５に示す。
以上の結果、屈折率は２．６１〜２．６８と高くなり、また消衰係数は０．００８〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
（比較例１２〜比較例１３）
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のニッケル（Ｎｉ）粉を用いた。これを、表５に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｎｉが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表５に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００５Ωｃｍ〜１１Ωｃｍとなった。
原料として、平均粒径が１μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）のニッケル（Ｎｉ）粉を用いた。これを、表５に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。
この混合粉１ｋｇを、Ｎｉが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、１０００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表５に示すように、ターゲットの比抵抗は０．００５Ωｃｍ〜１１Ωｃｍとなった。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表５に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（２０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表５に示す。この表５に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）は０．８３〜０．９３であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表５に示す。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表５に示す。この表５に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）は０．８３〜０．９３であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表５に示す。
以上の結果、比較例１２については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９３で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５８と低くなり、消衰係数は０．１５と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例１３については、Ｎｉ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｎｉ）が０．８３で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５４と低く、消衰係数は０．３５と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例１３については、Ｎｉ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｎｉ）が０．８３で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５４と低く、消衰係数は０．３５と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
（実施例３３〜実施例３８）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の金（Ａｕ）粉を用いた。これを、表６に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。この混合粉１ｋｇを、Ａｕが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９５０°Ｃ、面圧３５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表６に示すように０．０６〜５１Ωｃｍのターゲットが得られた。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の金（Ａｕ）粉を用いた。これを、表６に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。この混合粉１ｋｇを、Ａｕが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９５０°Ｃ、面圧３５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度９５％以上、比抵抗は表６に示すように０．０６〜５１Ωｃｍのターゲットが得られた。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表６に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（１０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。ＤＣスパッタリングが問題なく実施でき、このターゲットに導電性があることが確認できた。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表６に示す。この表６に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ａｕ）は０．９６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表６に示す。
以上の結果、屈折率は２．６２〜２．７０と高くなり、また消衰係数は０．００７〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表６に示す。この表６に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ａｕ）は０．９６〜１．００であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表６に示す。
以上の結果、屈折率は２．６２〜２．７０と高くなり、また消衰係数は０．００７〜０．１となり低下した。いずれも、好適な光記録媒体の干渉膜又は保護膜を形成することが可能であった。
（比較例１２〜比較例１３）
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の金（Ａｕ）粉を用いた。これを、表６に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。この混合粉１ｋｇを、Ａｕが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。
次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９５０°Ｃ、面圧３５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
比較例１４〜比較例１５の原料の粒径、ホットプレス条件、面圧、ターゲット中のＰｄ相の粒径を、同様に表６に示す。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表６に示すように、ターゲットの比抵抗は０．０１Ωｃｍ〜３５Ωｃｍとなった。
原料として、平均粒径が３μｍであり、純度が４Ｎ（９９．９９％）の酸化チタン（ＴｉＯ２）と、平均粒径が２０μｍであり、純度が３Ｎ（９９．９％）の金（Ａｕ）粉を用いた。これを、表６に示すターゲット組成となるように調合し、混合した。この混合粉１ｋｇを、Ａｕが酸化チタン粉に均一に分散するように、湿式ボールミルを用いて混合した。
次に、水分を蒸発させて乾燥した混合粉を、カーボン製のダイスに充填し、ホットプレスを行った。ホットプレスの条件は、９５０°Ｃ、面圧３５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。
比較例１４〜比較例１５の原料の粒径、ホットプレス条件、面圧、ターゲット中のＰｄ相の粒径を、同様に表６に示す。
得られた焼結体を機械加工して、φ１５２ｍｍ、５ｍｍｔのターゲットとした。この結果、密度は９５％以上となった。表６に示すように、ターゲットの比抵抗は０．０１Ωｃｍ〜３５Ωｃｍとなった。
次に、このようにして製造したスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタ膜を形成した。スパッタリング条件は、表６に示すようにＡｒガス雰囲気又はＡｒガス−Ｏ２（２０％）ガス雰囲気中、ガス圧：０．５Ｐａ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ、スパッタリングパワー：５００〜１０００ｗでＤＣスパッタリングを実施した。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表６に示す。この表６に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ａｕ）は０．８３〜０．９２であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表６に示す。
ガラス基板上に、１μｍのスパッタ膜が形成された。成膜速度、ＥＰＭＡで分析した膜の組成を、それぞれ表６に示す。この表６に示すように、Ｏ／（２Ｔｉ＋Ａｕ）は０．８３〜０．９２であった。このスパッタ膜の屈折率及び消衰係数を測定した。屈折率及び消衰係数は、光波長：４０５ｎｍを用い、エリプソメーターにより測定した。これらの結果を、同様に表６に示す。
以上の結果、比較例１４については、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９２で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．６０と高くなったが、消衰係数は０．１３と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例１５については、Ａｕ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｎｉ）が０．８３で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５６と低く、消衰係数は０．３２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
比較例１５については、Ａｕ量が１２．５ａｔ％と多過ぎ、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｎｉ）が０．８３で、本願発明の条件に満たないものである。この場合、屈折率は２．５６と低く、消衰係数は０．３２と増加した。この結果、光記録媒体の干渉膜又は保護膜としては不適であった。
（実施例と比較例のまとめ）
上記実施例と比較例については、本願発明の範囲にあるものは、いずれも屈折率が高く、消衰係数が小さくなった。同様に、スパッタリングターゲットの各成分が本願発明の条件にあるものは、ターゲットの比抵抗がいずれも１００Ωｃｍ以下となり、異常放電が見られないという良好な結果となった。
上記実施例と比較例については、本願発明の範囲にあるものは、いずれも屈折率が高く、消衰係数が小さくなった。同様に、スパッタリングターゲットの各成分が本願発明の条件にあるものは、ターゲットの比抵抗がいずれも１００Ωｃｍ以下となり、異常放電が見られないという良好な結果となった。
本発明は、本発明は、高屈折率で、かつ低い消衰係数を持つ酸化チタンを主成分とする薄膜及び同薄膜の製造に適した酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであり、本発明によって得られた薄膜は、ＣＤ、ＤＶＤ等の電子部品などの光情報記録媒体の膜・層として利用できる。
また、本発明の薄膜は、同時に透過率に優れ、反射率の低下が少なく、光情報記録媒体の干渉膜又は保護膜として、特に有用である。高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらに、これらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である誘電体保護層として有用である。
さらに、このような特性をもつ材料は、建築用ガラス、自動車用ガラス、ＣＲＴ用、フラットディスプレイ用への適用、すなわち熱線反射膜、反射防止膜、干渉フィルタとして使用することも可能である。
また、本発明の薄膜は、同時に透過率に優れ、反射率の低下が少なく、光情報記録媒体の干渉膜又は保護膜として、特に有用である。高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらに、これらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である誘電体保護層として有用である。
さらに、このような特性をもつ材料は、建築用ガラス、自動車用ガラス、ＣＲＴ用、フラットディスプレイ用への適用、すなわち熱線反射膜、反射防止膜、干渉フィルタとして使用することも可能である。
Claims (9)
- チタン、酸素及び銅を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｃｕが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋０．５Ｃｕ）が０．９６以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とするターゲットをＤＣスパッタリングして成膜した光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜。
- チタン、酸素及び白金を含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｐｔが０．００３ａｔ％以上、５．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｐｔ）が０．９５以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とするターゲットをＤＣスパッタリングして成膜した光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜。
- チタン、酸素及びコバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、Ｔｉが２９．０ａｔ％以上、３４．０ａｔ％以下、Ｍが０．００３ａｔ％以上、７．７ａｔ％以下、残部が酸素及び不可避的不純物からなり、酸素成分と金属成分の比Ｏ／（２Ｔｉ＋Ｍ）が０．９５以上であることを特徴とする酸化チタンを主成分とするターゲットをＤＣスパッタリングして成膜した光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜。
- ４００〜４１０ｎｍの波長域における屈折率が２．６０以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とするターゲットをＤＣスパッタリングして成膜した光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜。
- ４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．１以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の酸化チタンを主成分とするターゲットをＤＣスパッタリングして成膜した光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜。
- ４００〜４１０ｎｍの波長域における消衰係数が０．０５以下であることを特徴とする請求項５記載の酸化チタンを主成分とするターゲットをＤＣスパッタリングして成膜した光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜。
- 銅を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＣｕｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜を形成するためのＤＣスパッタリング用焼結体ターゲット。
- 白金を含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＰｔｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．１５）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜を形成するためのＤＣスパッタリング用焼結体ターゲット。
- コバルト、ニッケル、パラジウム、金から選択した一種以上の金属Ｍを含み、残余がチタン、酸素及び不可避的不純物からなる酸化チタンを主成分とするターゲットであって、各成分は（ＴｉＯ２−ｍ）１−ｎＭｎ（但し、０≦ｍ≦０．５、０．０００１≦ｎ≦０．２）の組成比を有し、比抵抗が１００Ωｃｍ以下であることを特徴とする酸化チタンを主成分とする光情報記録媒体の光干渉膜又は保護膜を形成するためのＤＣスパッタリング用焼結体ターゲット。
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