JPH11185294A - 相変化光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高密度記録において、ジッタ等の信号品質に
優れ、かつ繰返し記録特性に優れた高記録密度媒体の提
供をし、生産性の向上や感度の安定性を向上することを
目的とする。 【解決手段】 基板上の第１保護層、該第１保護層上の
記録層、該記録層上の第２保護層、該第２保護層上の反
射放熱層とを有する光記録媒体において、該第２保護層
の抵抗率を３×１０^-3Ω・ｃｍ以下とすることを特徴と
する光記録媒体

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録デ
ィスクなど、光ビームを照射することにより記録層材料
に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行な
い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知られてい
る。これは単一ビームによるオーバーライトが可能であ
り、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴と
し、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体とし
て応用されている。その記録材料としてはＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、
ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−
Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅが挙げられる。特
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス
部分の輪郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の
記録層として開発されている（特開平３−２４０５９０
号公報、特開平４−７８０３１号公報、特開平４−２３
２７７９号公報、特開平５−３４５４７８号公報）。こ
れらの光記録媒体に使用される記録層と反射放熱層との
間に存在する第２保護層材料を選定する上で、屈折率、
膜厚、熱伝導率、繰返し記録に伴う熱衝撃への耐久性、
内部応力、耐触性等が考慮される。特に、第２保護層の
屈折率と膜厚は、適切なモジュレーションやトラッキン
グのための信号に大きく影響する。一方良好な高密度記
録マークを記録する為には、アモルファス部分と−結晶
部分との境界が鮮明良好な輪郭を有することが好まし
い。このためにはアモルファス部分となる記録層の急冷
領域と、結晶部分となる比較的低い温度から徐冷される
徐冷領域とが明確に分離されることが好ましく、記録層
の冷却は急冷構造である方が好ましい。急冷構造を得る
ためには反射放熱層の熱伝導率を向上させ、記録層と反
射放熱層との間に存在する第２保護層を薄層化すること
が好ましいが、これには一定の限界があった。このた
め、第２保護層の膜厚方向の熱伝導率に変化をもたせる
多層構造（特公平−１１１７８８号公報、特開平５−１
４４０８２号公報）、あるいは傾斜材料から成る保護層
（特開平６−１６２５６７号公報）等が提案されてき
た。しかしながら従来技術の第２保護層に使用される材
料はＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＡｌＮ等の誘電体で伝導電子は
ほとんど存在せず、熱伝導性は主としてフォノンやイオ
ン間の相互作用等の格子間の相互作用を通じた格子振動
の伝播による熱伝導によるものが主であった。この場合
反射放熱層との密着性が乏しい場合や繰り返し記録に伴
う熱衝撃による剥離等が発生する場合には第２保護層と
反射放熱層との界面部分での熱伝導が阻害され、また、
保護層に微小なクラックが生じる場合、上記格子振動の
伝播による熱伝導は著しく阻害されるため、良好かつ安
全な放熱特性を得ることには問題があった。このため、
記録層の冷却速度の低下や乱れを生じ、結果として記録
層のアモルファス−結晶境界の乱れに起因するジッター
悪化等の記録特性に悪影響を与えていた。また、良好な
光学特性、例えば、溝信号、モジュレーション、ＤＰＤ
信号等を得るため、第２保護層膜厚をある程度厚くする
必要があったが、第２保護層の膜厚が厚い場合には徐冷
構造となり、アモルファス、結晶界面の輪郭が乱れ、高
密度な記録には一定の限界があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】請求項１、２、３記載
の本発明における目的は高密度記録において、ジッタ等
の信号品質に優れ、かつ繰返し記録特性の優れた高記録
密度媒体の提供にある。請求項４記載の本発明における
目的は、ジッタ等の信号品質に優れ、かつ繰返し記録特
性の優れた高記録密度媒体の感度を向上させ、かつ、記
録線速マージンを向上させることにある。請求項５記載
の本発明における目的は、ジッタ等の信号品質に優れ、
かつ繰返し記録特性が優れ、感度が向上された高記録密
度媒体の生産性を向上させることにある。請求項６記載
の本発明における目的は、ジッタ等の信号品質に優れ、
かつ繰返し記録特性が優れ、感度が向上されかつ生産性
が向上された高記録密度媒体の請感度の安定性を向上さ
せることにある。請求項７記載の本発明における目的
は、ジッタ等の信号品質に優れ、かつ繰返し記録特性が
優れ、感度が向上された高記録密度媒体の生産性をより
向上させることにある。請求項８記載の本発明における
目的は、ジッタ等の信号品質に優れ、かつ繰返し記録特
性が優れ、感度が向上されかつ生産性がより向上された
高記録密度媒体の感度の安定性をより向上させることに
ある。請求項９記載の本発明における目的は、ジッタ等
の信号品質に優れ、かつ繰返し記録特性が優れ、感度が
向上された高記録密度媒体の生産性をより向上させるこ
とにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
光記録媒体は、案内溝を有する基板上の１保護層、記録
層、第２保護層、反射放熱層、環境保護層を有してい
る。基板はポリカーボネート等の樹脂、あるいはガラス
などの透明体で、図示されないトラッキングサーボのた
めの案内溝を有している。第１保護層は、光学的干渉の
効果等を考慮にいれ、屈折率、膜厚、熱伝導率、応力、
強度、耐久性が適切な材料、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂等
が使用される。記録層は従来技術に示したように、Ｇｅ
Ｔｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳ
ｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡ
ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅ
Ｓｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等公知の
相変化記録材料から記録線速、記録方式、密度等を考慮
して適宜選択される。反射放熱層は、Ａｌ、Ａｌ合金、
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはこれらの合金、あるいは金
属の酸化物、窒化物、炭化物、あるいは炭素等、複素屈
折率が適切で熱伝導率・電気伝導度に優れる金属が使用
される。第２保護層は抵抗率が３×１０^-3Ω・ｃｍ以下
の低抵抗材料で、記録再生波長で透明もしくは低吸収の
材料が使用される。環境保護層は耐蝕性のある公知の金
属や合金、誘導体、あるいは、樹脂等である。例えば、
Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｐ
ｂ−Ｓｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、紫外
線硬化樹脂等である。また、上記環境保護層を積層し、
複合環境保護層としても良い。各層の膜厚範囲は任意で
あるが、概ね第１保護層は５０〜３００ｎｍ、記録層は
５〜５０ｎｍ、第２保護層は５〜５０ｎｍ、反射放熱層
は３０〜３００ｎｍ、環境保護層は５０ｎｍ以上の範囲
にある。

【０００５】本発明の請求項２記載の光記録媒体では、
請求項１記載の光記録媒体において、第２保護層がＩｎ
−Ｓｎ−Ｏであることを特徴としている。Ｓｎの濃度は
概ね０．１〜５％の範囲にあることを特徴とする。本発
明の請求項３記載の光記録媒体は、請求項１記載の光記
録媒体において、第２保護層がＺｎ−Ａｌ−Ｏであるこ
とを特徴としている。Ａｌの濃度は概ね０．１〜５％の
範囲にあることを特徴としている。本発明の請求項４記
載の光記録媒体は、請求項１、２又は３記載の光記録媒
体において、記録層と第２保護層との間に抵抗率が０．
０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層を有することを特徴とし
ている。絶縁断熱層は電気伝導率、熱伝導率共に第２保
護層より低く、また、光学的には透明もしくは反射放熱
層より低い吸収係数を有する公知の材料が使用される。
構造は非結晶質もしくは記録層材料の相変化に支障の無
い結晶質である。また、絶縁性であっても、高熱伝導率
の材料、例えば、ＢｅＯ等は除外される。ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ₂、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ等が該当する。本発
明の請求項５記載の光記録媒体は、請求項１記載の光記
録媒体において、第２保護層を抵抗率３×１０^-3Ω・ｃ
ｍ以下のＩｎ−ＯまたはＩｎ−Ｓｎ−Ｏとし、記録層と
第２絶縁層との間に絶縁断熱層を設け、該絶縁断熱層を
抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以上のＩｎ−Ｏを有する膜とす
る。高抵抗率のＩｎ−Ｏ膜は膜中の酸素濃度が低抵抗の
Ｉｎ−Ｏ膜より高く、Ｉｎ−Ｏ形成時の反応性の制御に
よりその抵抗率を制御可能である。本発明の請求項６記
載の光記録媒体は、請求項５記載の光記録媒体におい
て、絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、Ｓｉを添加することを特
徴としている。本発明の請求項７記載の光記録媒体は、
請求項４記載の光記録媒体において、第２保護層を抵抗
率３×１０^-3Ω・ｃｍ以下のＺｎ−ＯまたはＺｎ−Ａｌ
−Ｏとし、絶縁断熱層を抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以上の
Ｚｎ−Ｏを有する膜とする。高低高率のＺｎ−Ｏ膜は膜
中の酸素濃度が低抵抗のＺｎ−Ｏ膜より高くＺｎ−Ｏ形
成時の反応性の制御によりその抵抗率を制御可能であ
る。本発明の請求項８記載の光記録媒体は、請求項５記
載の光記録媒体において、絶縁断熱層にＳｉを添加する
ことを特徴としている。本発明の請求項９記載の光記録
媒体は、請求項１記載の光記録媒体において、第２保護
層を抵抗率３×１０^-3Ω・ｃｍ以下のＳｎ−Ｏとし、記
録層と第２絶縁層との間に抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以上
の絶縁断熱層が付加され、該絶縁断熱層を化学量論組成
もしくは酸素過剰のＳｎ−Ｏを有する膜とすることを特
徴としている。高抵抗率のＳｎ−Ｏ膜は膜中の酸素濃度
が低抵抗のＳｎ−Ｏ膜より高く、Ｓｎ−Ｏ形成時の反応
性の制御によりその抵抗率を制御可能である。

【０００６】

【作用】本発明の請求項１記載の光記録媒体では、上記
のように金属反射放熱層に接する第２保護層の抵抗率を
３×１０^-3Ω・ｃｍ以下とした。このため金属反射放熱
層と第２保護層との間には電気的な導通関係がある。本
発明での熱伝導は、前述した格子振動の伝播以外に、伝
導電子が加わる。特に、高導電性の領域で特に電子によ
る熱伝導が大きくなり、好ましいが、抵抗率が３×１０
^-3Ω・ｃｍ以下の領域でこの効果が発現する。ここで、
金属反射放熱層と第２保護層との界面部分では、密着性
が弱い場合や繰返し記録に伴う熱衝撃で密着性が弱くな
った場合に格子振動の伝播による熱伝導は大きく阻害さ
れるが、電子による熱伝導は密着性が弱い場合や応力に
よるダメージがある場合でも比較的良好である。このた
め、相変化記録媒体において、電子による熱伝導の寄与
が発現する領域で大きな記録層の高い冷却効果とその安
定性が得られる。そして相変化記録層のアモルファス−
結晶界面の境界の乱れが抑制され、良好な信号品質、繰
返し記録に対する耐久性が得られる。光学特性の関係か
ら比較的厚い第２保護層膜厚が要求される場合でも記録
層の急冷効果が維持され、高密度記録での光学特性との
マッチングが取り易くなるという利点も生じる。第２保
護層の材料としては可視光の領域で透明な導電性材料
で、Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ、
Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ、Ｉｎ−Ｗ−Ｏ等がある。特に、請求項
２記載のＩｎ−Ｓｎ−Ｏは導電性に優れ、請求項３に記
載のＺｎ−Ａｌ−Ｏは耐熱性に優れている。これらの酸
化物系材料の導電性は、酸素量に強く依存する。例え
ば、酸素欠陥のあるＺｎ−Ｏでは１０^-3Ω・ｃｍ程度の
低抵抗が得られ、化学量論組成もしくは酸素過剰のＺｎ
−Ｏでは数Ω・ｃｍ以上の高抵抗率が得られることが知
られている。また、Ｉｎ−Ｏに対するＳｎ、Ｚｎ−Ｏに
対するＡｌは数ａｔ．％のドーピングでドナーとして作
用する。第２保護層の熱伝導率が良好なことは信号品質
の点では好ましいが、記録層を融点以上に加熱し、アモ
ルファス化させる為に必要なレーザーパワーが増加し、
記録感度が小さくなる。記録感度を向上させる為には、
記録層と第２保護層との間に絶縁断熱層を付加すれば良
い。この場合絶縁断熱層の導電性は無い方が、自由電子
による熱伝導が抑制されるため好ましく、０．０１Ω・
ｃｍ以上の抵抗率が必要である。公知の誘電体が使用可
能であるが、上述したように化学量論組成もしくは酸素
過剰で高抵抗率・低熱伝導率となったＺｎ−Ｏ膜やＩｎ
−Ｏ膜も使用可能である。この場合、請求項５に記載の
ように、第２保護層をＩｎ−ＯまたはＩｎ−Ｓｎ−Ｏと
し、絶縁断熱層を化学量論組成もしくは酸素過剰のＩｎ
−Ｏを有する膜とする。あるいは、請求項７に記載のよ
うに、第２保護層をＺｎ−ＯまたはＺｎ−Ａｌ−Ｏと
し、絶縁断熱層を化学量論組成もしくは酸素過剰のＺｎ
−Ｏを有する膜とする、あるいは、請求項９に記載のよ
うに、第２保護層をＳｎ−Ｏ、絶縁断熱層を化学量論組
成もしくは酸素過剰のＳｎ−Ｏとすれば、同一の真空槽
内で順次絶縁断熱層形成・第２保護層膜形成を容易に行
なうことができ、光記録媒体形成に使用されるインライ
ンスパッタ装置や枚葉スパッタ装置での生産性を向上さ
せることができる。また、絶縁断熱層と第２保護層との
密着性も良好なので、繰返し記録に対する信頼性も損な
われない。

【０００７】請求項６に記載のように、Ｉｎ−Ｏから成
る絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、Ｓｉの酸化物を添加する、
あるいは、請求項８に記載のように、Ｚｎ−Ｏから成る
絶縁断熱層にＳｉの酸化物を添加すれば、絶縁断熱層の
高抵抗率が安定化し、記録感度が安定化する。

【０００８】

【実施例】図１は請求項１記載の光記録媒体に対応する
本発明の一実施例の断面の一部を示す概念図である。図
示されない案内溝を有するポリカーボネート基板上
（１）にＺｎＳ−ＳｉＯ₂第１保護層（１０）がある。
そして、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（２０）が第１
保護層（１０）上にあり、記録層（２０）上にＩｎ−Ｏ
からなる第２保護層（３０）がある。この第２保護層
（３０）上にＡｇからなる反射放熱層（４０）がある。
各層の膜厚であるが、第１保護層（１０）：１５０ｎ
ｍ、記録層（２０）：２０ｎｍ、第２保護層（３０）：
５０ｎｍ、反射放熱層（４０）：１００ｎｍである。成
膜装置は枚葉スパッタ装置で、Ｉｎ−Ｏから成る第２保
護層（３０）は金属Ｉｎをターゲットとして、Ａｒ＋Ｏ
₂を導入ガスとする反応性スパッタ法により形成可能で
ある。酸素流量は抵抗率が最小と成る流量で、１０^-4Ω
・ｃｍ台の低抵抗な透明導電膜が得られる。なお、図は
概念図であり、各層の膜厚を正確には反映していない。
また、反射放熱層（４０）の上にＵＶ硬化樹脂から成る
環境保護層（６０）が付加されている。本実施例の記録
感度は記録波長６３５ｎｍ、記録線速３．５ｍ／ｓ、記
録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで、１５ｍＷ程度であ
る。ここで、上記金属Ｉｎターゲットに２ａｔ．％のＳ
ｎを添加すればＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜が形成され、更に低抵
抗な透明導電膜となる。ここで、第２保護層形成用のタ
ーゲットをＡｌが添加されたＺｎ−Ｏとすれば、Ｚｎ−
Ａｌ−Ｏ透明導電膜が得られる。このＺｎ−Ａｌ−Ｏ透
明導電膜はＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜と比較するとａｓ ｄｅｐ
ｏでの抵抗率は若干高いが、耐熱性に優れており、繰返
し記録に伴う熱履歴で、添加元素であるＡｌが徐々に活
性化され、膜の劣化に伴う高抵抗化を抑制する作用を有
し、繰返し記録特性の安定化に寄与する。

【０００９】図２は請求項４に記載の発明に対応する一
実施例の断面の一部を示す概念図である。図示されない
案内溝を有するポリカーボネート基板上（１）にＺｎＳ
−ＳｉＯ₂第１保護層（１０）がある。そして、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（２０）が第１保護層（１０）
上にあり、記録層（２０）上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂から成
る絶縁断熱層（８０）があり、この絶縁断熱層（８０）
の上にＺｎ−Ｏからなる第２保護層（３０）がある。こ
の第２保護層（３０）上にＡｕから成る反射放熱層（４
０）がある。各層の膜厚であるが、第１保護層（１
０）：８０ｎｍ、記録層（２０）：２０ｎｍ、絶縁断熱
層（８０）：８ｎｍ、第２保護層（３０）：２０ｎｍ、
反射放熱層（４０）：１００ｎｍである。成膜装置はス
パッタ装置で、Ｚｎ−Ｏから成る第２保護層（３０）は
金属Ｚｎをターゲットとして、Ａｒ＋Ｏ₂を導入ガスと
する反応性スパッタ法により形成可能である。Ｚｎ−Ｏ
膜の抵抗率は１×１０^-3Ω・ｃｍである。なお、図は概
念図であり、各層の膜厚を正確には反映していない。ま
た、反射放熱層（４０）の上にＵＶ硬化樹脂から成る環
境保護層（６０）が付加されている。絶縁断熱層の作用
により記録感度は向上し、１０ｍＷとなる。

【００１０】図３（ａ）、（ｂ）に本実施例のジッタの
線記録密度依存性、及び、線記録密度０．２６７μｍ／
ｂｉｔでの繰返し記録に伴うジッタの変化をそれぞれ示
す。記録波長は６３５ｎｍ、記録線速は３．５ｍ／ｓで
ある。図３（ａ）には比較例として、第２保護層の導電
率が０．０５Ω・ｃｍの場合のジッタの線記録密度依存
性を示す。第２保護層の抵抗率を低抵抗化することは、
特に、高密度記録での記録特性に好ましい影響を与え、
高記録密度で１万回程度の安定した繰返し記録回数が確
保される。図３（ｃ）は、本実施例のジッタの記録線速
依存性を示す。高記録線速での記録特性が改善され、よ
り広いパワーマージンが得られる。

【００１１】請求項５に記載の発明に対応する一実施例
では、上記請求項４に記載の発明に対応する一実施例に
おいて、絶縁断熱層の材料が化学量論組成または酸素過
剰のＩｎ−Ｏに、第２保護層の材料がＩｎ−ＯまたはＩ
ｎ−Ｓｎ−Ｏに変更される。この場合、絶縁断熱層と第
２保護層との密着性は良好で、繰返し記録に伴う熱衝撃
により剥離することは無い。また、この実施例での絶縁
断熱層と第２保護層をスパッタ法で生産する場合、両者
とも金属Ｉｎをターゲットとする酸素雰囲気中反応性ス
パッタ法で形成可能であり、同一の真空槽で連続的に薄
膜形成を行なうことが出来る。即ち、絶縁断熱層を形成
する場合に酸素を十分に供給する場合には、化学量論組
成または酸素過剰のＩｎＯ膜となり、抵抗率０．０１Ω
・ｃｍ以上の絶縁断熱層が形成され、次に成膜を中断す
ること無く酸素流量を適量に減少させるだけで、抵抗率
が１０^-4Ω・ｃｍ台の透明導電膜が形成される。これは
生産性の向上に寄与する。

【００１２】請求項６に対応する実施例では、請求項５
に対応する実施例において、絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇま
たはＳｉを添加する。この添加元素は絶縁断熱層の高抵
抗化の維持に寄与し、記録感度が安定化する。請求項７
に記載の発明の一実施例では、上記請求項４に対応する
一実施例において、絶縁断熱層の材料が化学量論組成ま
たは酸素過剰のＺｎ−Ｏに、第２保護層の材料がＺｎ−
ＯまたはＺｎ−Ａｌ−Ｏに変更される。この場合、絶縁
断熱層と第２保護層との密着性、更に絶縁断熱層とＡｕ
反射放熱層との密着性も良好で、繰返し記録に伴う熱衝
撃により剥離することは無い。また、請求項５に対応す
る実施例の場合と同様の生産性の向上の効果がある。

【００１３】請求項８に対応する実施例では、請求項７
に対応する実施例において、絶縁断熱層にＳｉを添加す
る。この添加元素は絶縁断熱層の高抵抗化の維持に寄与
し、記録感度が安定化する。

【００１４】請求項９に対応する一実施例は、上記請求
項４に対応する一実施例において、絶縁断熱層の材料が
Ｓｎ−Ｏに、第２保護層の材料がＳｎ−Ｏに変更され
る。Ｓｎ−Ｏは耐蝕性に優れ、また、請求項５に対応す
る実施例の場合と同様の生産性の向上の効果がある。

【００１５】

【発明の効果】本発明においては上記のごとく成したゆ
えに以下の効果が生じた。即ち、第１には、ジッタ等の
信号品質に優れ、かつ、繰返し記録特性に優れる光記録
媒体が提供され、第２に、感度が向上した光記録媒体が
提供され、第３に、生産性が向上した光記録媒体が提供
され、第４に感度が安定性が向上し、第５に、記録感度
が安定化され、第６に、記録線速マージンが拡大すると
いう極めて優れた効果が発揮される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の１例を示す概念図であ
る。

【図２】本発明の光記録媒体の別の１例を示す概念図で
ある。

【図３】図２に示される光記録媒体の記録特性を示す図
であり図３（ａ）はジッタの線記録密度依存性を示し、
図３（ｂ）は線記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの繰
返し記録に伴うジッタの変化を示し、図３（ｃ）は同光
記録媒体の線記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの初期
記録線速マージンを示す。

【符号の説明】

１ 基板 １０ 第１保護層 ２０ 記録層 ３０ 第２保護層 ４０ 反射放熱層 ６０ 環境保護層 ８０ 絶縁断熱層

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上の第１保護層、該第１保護層上の
   記録層、該記録層上の第２保護層、該第２保護層上の反
   射放熱層とを有する光記録媒体において、該第２保護層
   の抵抗率を３×１０^-3Ω・ｃｍ以下とすることを特徴と
   する光記録媒体。
2. 【請求項２】 第２保護層がＩｎ−Ｓｎ−Ｏであること
   を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 第２保護層がＺｎ−Ａｌ−Ｏであること
   を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 記録層と第２保護層との間に抵抗率が
   ０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層を付加することを特
   徴とする請求項１、２又は３に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 第２保護層を抵抗率３×１０^-3Ω・ｃｍ
   以下のＩｎ−Ｏ又はＩｎ−Ｓｎ−Ｏとし、記録層と第２
   絶縁層との間に絶縁断熱層を設け、該絶縁断熱層を抵抗
   率０．０１Ω・ｃｍ以上のＩｎ−Ｏを有する膜とするこ
   とを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、Ｓｉを添加す
   ることを特徴とする請求項５に記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 第２保護層を抵抗率３×１０^-3Ω・ｃｍ
   以下のＺｎ−Ｏ又はＺｎ−Ａｌ−Ｏとし、絶縁断熱層を
   抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以上のＺｎ−Ｏを有する膜とす
   ることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
8. 【請求項８】 絶縁断熱層Ｓｉを添加することを特徴と
   する請求項７に記載の光記録媒体。
9. 【請求項９】 第２保護層を３×１０^-3Ω・ｃｍ以下の
   Ｓｎ−Ｏとし、記録層と第２保護層との間に抵抗率が
   ０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層が付加され、該絶縁
   断熱層を化学量論組成もしくは酸素過剰のＳｎ−Ｏを有
   する膜とすることを特徴とする請求項１に記載の光記録
   媒体。