JPH06293956A - 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット - Google Patents
酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲットInfo
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- JPH06293956A JPH06293956A JP10185593A JP10185593A JPH06293956A JP H06293956 A JPH06293956 A JP H06293956A JP 10185593 A JP10185593 A JP 10185593A JP 10185593 A JP10185593 A JP 10185593A JP H06293956 A JPH06293956 A JP H06293956A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗で且つ近赤外領域での透過率が良い酸
化亜鉛系透明導電膜技術の開発。 【構成】 ０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び０．１
〜１０ａｔ％硼素を同時にドープした酸化亜鉛から成る
スパッタリングターゲットを使用してスパッタ法により
基材上にＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜を形成する。Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜はＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜と同
様低抵抗であり、しかも４００〜１０００ｎｍの波長領
域において８０％水準の良好な透過率を有する。太陽電
池窓材及び電極として有用である。ターゲットは亜鉛、
アルミニウム及び硼素の酸化物等の化合物粉末を混合
し、成形及び焼結により作製する。
化亜鉛系透明導電膜技術の開発。 【構成】 ０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び０．１
〜１０ａｔ％硼素を同時にドープした酸化亜鉛から成る
スパッタリングターゲットを使用してスパッタ法により
基材上にＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜を形成する。Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜はＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜と同
様低抵抗であり、しかも４００〜１０００ｎｍの波長領
域において８０％水準の良好な透過率を有する。太陽電
池窓材及び電極として有用である。ターゲットは亜鉛、
アルミニウム及び硼素の酸化物等の化合物粉末を混合
し、成形及び焼結により作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化亜鉛系透明導電膜
の作製技術に関するものであり、特には太陽電池窓材及
び電極等として有用なアルミニウム及び硼素を同時にド
ープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ）から成る透明導
電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリン
グターゲットに関する。
の作製技術に関するものであり、特には太陽電池窓材及
び電極等として有用なアルミニウム及び硼素を同時にド
ープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ）から成る透明導
電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリン
グターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】可視光に対して透過率が大きく、且つ大
きな導電性を示す薄膜は透明導電膜と呼ばれ、透明ヒー
ター、帯電防止コーティング、液晶表示素子電極等の分
野で使用されている。中でも、液晶ディスプレイ機器等
において使用される透明電極はこれまで、錫をドープし
た酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2 ）によ
り作製されてきた。ＩＴＯは低抵抗及び高透過率という
長所を持つ反面、高価であるという短所を有しそして酸
化錫は安価ではあるが抵抗率がやや高く、成膜温度が高
いという欠点を有した。
きな導電性を示す薄膜は透明導電膜と呼ばれ、透明ヒー
ター、帯電防止コーティング、液晶表示素子電極等の分
野で使用されている。中でも、液晶ディスプレイ機器等
において使用される透明電極はこれまで、錫をドープし
た酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2 ）によ
り作製されてきた。ＩＴＯは低抵抗及び高透過率という
長所を持つ反面、高価であるという短所を有しそして酸
化錫は安価ではあるが抵抗率がやや高く、成膜温度が高
いという欠点を有した。
【０００３】こうした状況において、安価でありそして
抵抗率が比較的低い酸化亜鉛系透明導電膜が最近注目を
浴びている。例えば、特開平４−２１９３５９号は、正
３価以上の原子価を有する元素を含有し、そして抵抗率
が１０Ωｃｍ以下、焼結体密度が３．４ｇ／ｃｍ3 〜
４．５ｇ／ｃｍ3 である導電性酸化亜鉛焼結体からなる
スパッタリングターゲット及びそれを用いて透明導電性
薄膜を作製する技術を開示した。正３価以上の元素例と
してはＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等多数のものが
列挙されているが、その実施例には、原料として酸化亜
鉛及び酸化アルミニウムを使用するＺｎＯ：Ａｌ透明導
電膜並びに酸化亜鉛及び酸化インジウムを使用するＺｎ
Ｏ：Ｉｎ透明導電膜のみが記載されている。この酸化亜
鉛系導電膜は安価でありそして抵抗率も比較的低く、太
陽電池用透明電極としての使用に期待されている。
抵抗率が比較的低い酸化亜鉛系透明導電膜が最近注目を
浴びている。例えば、特開平４−２１９３５９号は、正
３価以上の原子価を有する元素を含有し、そして抵抗率
が１０Ωｃｍ以下、焼結体密度が３．４ｇ／ｃｍ3 〜
４．５ｇ／ｃｍ3 である導電性酸化亜鉛焼結体からなる
スパッタリングターゲット及びそれを用いて透明導電性
薄膜を作製する技術を開示した。正３価以上の元素例と
してはＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等多数のものが
列挙されているが、その実施例には、原料として酸化亜
鉛及び酸化アルミニウムを使用するＺｎＯ：Ａｌ透明導
電膜並びに酸化亜鉛及び酸化インジウムを使用するＺｎ
Ｏ：Ｉｎ透明導電膜のみが記載されている。この酸化亜
鉛系導電膜は安価でありそして抵抗率も比較的低く、太
陽電池用透明電極としての使用に期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
ＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜を例にとると、これは低抵抗で
はあるものの、近赤外領域（波長：８００〜１８００ｎ
ｍ）においての透過率が悪く、近赤外領域にも感度のあ
る太陽電池用透明電極としては機能上充分ではない。こ
のような太陽電池用透明電極においては、電池の変換効
率を向上するために、低抵抗で且つ３００〜１８００ｎ
ｍ波長範囲全般にわたって透過率が高い透明導電膜が必
要とされる。
ＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜を例にとると、これは低抵抗で
はあるものの、近赤外領域（波長：８００〜１８００ｎ
ｍ）においての透過率が悪く、近赤外領域にも感度のあ
る太陽電池用透明電極としては機能上充分ではない。こ
のような太陽電池用透明電極においては、電池の変換効
率を向上するために、低抵抗で且つ３００〜１８００ｎ
ｍ波長範囲全般にわたって透過率が高い透明導電膜が必
要とされる。
【０００５】本発明の課題は、酸化亜鉛系の低抵抗の利
点を生かしつつ可視光領域から近赤外領域においての透
過率が良好であり、従って太陽電池用透明窓材及び電極
として使用可能な透明導電膜を得る技術を開発すること
である。
点を生かしつつ可視光領域から近赤外領域においての透
過率が良好であり、従って太陽電池用透明窓材及び電極
として使用可能な透明導電膜を得る技術を開発すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、酸化亜鉛系
透明導電膜について研究を重ねた結果、アルミニウム及
び硼素を同時にドープした酸化亜鉛から成る透明導電膜
が上記課題を満足しうるとの知見を得た。その作製方法
として、ＺｎＯ：Ａｌターゲットを用いて、硼素源とし
てＢ2 Ｈ6 ガスをスパッタリング室内に導入することが
考慮しうるが、Ｂ2 Ｈ6 ガスは毒性が強く、法令により
危険物として指定されている。そこで、アルミニウムと
硼素を同時にドープした酸化亜鉛スパッタリングターゲ
ットを用いて直流マグネトロンスパッタ法等の方法によ
りスパッタリングすることにより、低抵抗で且つ近赤外
領域においての透過率が良好である透明導電膜がＢ2 Ｈ
6ガスを使用せずに作製可能であることを見出したもの
である。
透明導電膜について研究を重ねた結果、アルミニウム及
び硼素を同時にドープした酸化亜鉛から成る透明導電膜
が上記課題を満足しうるとの知見を得た。その作製方法
として、ＺｎＯ：Ａｌターゲットを用いて、硼素源とし
てＢ2 Ｈ6 ガスをスパッタリング室内に導入することが
考慮しうるが、Ｂ2 Ｈ6 ガスは毒性が強く、法令により
危険物として指定されている。そこで、アルミニウムと
硼素を同時にドープした酸化亜鉛スパッタリングターゲ
ットを用いて直流マグネトロンスパッタ法等の方法によ
りスパッタリングすることにより、低抵抗で且つ近赤外
領域においての透過率が良好である透明導電膜がＢ2 Ｈ
6ガスを使用せずに作製可能であることを見出したもの
である。
【０００７】この知見に基づいて、本発明は、（１）
０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び０．１〜１０ａｔ
％硼素をドープした酸化亜鉛から成る透明導電膜を提供
する。この導電膜は太陽電池窓材及び電極として有用で
ある。本発明はまた、（２）０．１〜１０ａｔ％アルミ
ニウム及び０．１〜１０ａｔ％硼素をドープした酸化亜
鉛から成るスパッタリングターゲットを使用してスパッ
タ法により基材上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の作製法並びに
（３）０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び０．１〜１
０ａｔ％硼素をドープした酸化亜鉛焼結体から成るスパ
ッタリングターゲットをも提供するものである。
０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び０．１〜１０ａｔ
％硼素をドープした酸化亜鉛から成る透明導電膜を提供
する。この導電膜は太陽電池窓材及び電極として有用で
ある。本発明はまた、（２）０．１〜１０ａｔ％アルミ
ニウム及び０．１〜１０ａｔ％硼素をドープした酸化亜
鉛から成るスパッタリングターゲットを使用してスパッ
タ法により基材上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の作製法並びに
（３）０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び０．１〜１
０ａｔ％硼素をドープした酸化亜鉛焼結体から成るスパ
ッタリングターゲットをも提供するものである。
【０００８】
【作用】アルミニウム及び硼素を各０．１〜１０ａｔ％
ドープした酸化亜鉛から成るスパッタリングターゲット
を使用することにより、スパッタ法により簡便にＺｎ
Ｏ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜を作製することができ、比較的
低温で低抵抗で且つ近赤外領域においての透過率が良好
である透明導電膜の作製を可能とする。アルミニウムが
０．１％未満では、透明導電膜の抵抗値が高く、硼素が
０．１％未満では近赤外領域においての透過率が向上し
ない。他方、いずれも１０％を超えると、酸化亜鉛の基
本的透明導電性を損なう。
ドープした酸化亜鉛から成るスパッタリングターゲット
を使用することにより、スパッタ法により簡便にＺｎ
Ｏ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜を作製することができ、比較的
低温で低抵抗で且つ近赤外領域においての透過率が良好
である透明導電膜の作製を可能とする。アルミニウムが
０．１％未満では、透明導電膜の抵抗値が高く、硼素が
０．１％未満では近赤外領域においての透過率が向上し
ない。他方、いずれも１０％を超えると、酸化亜鉛の基
本的透明導電性を損なう。
【０００９】ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂスパッタリングターゲッ
トは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に、酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）及び酸化硼素（Ｂ2 Ｏ3 ）の粉末を個別に添加
するか或いは化合物の形で添加した混合粉末をボールミ
ルや振動ミル等の乾式及び湿式粉砕・混合装置を使用し
て粉砕・混合し、プレス成形した後６００〜１４５０℃
の温度で焼結することにより作製することができる。こ
の他、熱分解により酸化物となる亜鉛、アルミニウム及
び硼素の水酸化物、塩等の各化合物をも使用することが
できる。
トは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に、酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）及び酸化硼素（Ｂ2 Ｏ3 ）の粉末を個別に添加
するか或いは化合物の形で添加した混合粉末をボールミ
ルや振動ミル等の乾式及び湿式粉砕・混合装置を使用し
て粉砕・混合し、プレス成形した後６００〜１４５０℃
の温度で焼結することにより作製することができる。こ
の他、熱分解により酸化物となる亜鉛、アルミニウム及
び硼素の水酸化物、塩等の各化合物をも使用することが
できる。
【００１０】混合粉末の粒径は、成形性、焼結密度等を
勘案して支障のない範囲であればよく、通常０．１〜数
ミクロン範囲とされる。混合粉末を６００〜１４５０℃
の温度で熱処理することにより粒径を管理することもで
きる。
勘案して支障のない範囲であればよく、通常０．１〜数
ミクロン範囲とされる。混合粉末を６００〜１４５０℃
の温度で熱処理することにより粒径を管理することもで
きる。
【００１１】得られたＺｎＯ：Ａｌ，Ｂスパッタリング
ターゲットはスパッタ装置を使用してスパッタリングさ
れる。中でも、直流マグネトロンスパッタ装置は、高周
波スパッタ装置に代わって近時工業的に普及している有
用なスパッタ装置である。従って、直流マグネトロンス
パッタ装置を使用して透明導電膜を作製しうることは工
業的に非常に有利である。
ターゲットはスパッタ装置を使用してスパッタリングさ
れる。中でも、直流マグネトロンスパッタ装置は、高周
波スパッタ装置に代わって近時工業的に普及している有
用なスパッタ装置である。従って、直流マグネトロンス
パッタ装置を使用して透明導電膜を作製しうることは工
業的に非常に有利である。
【００１２】スパッタリング雰囲気は通常アルゴンのよ
うな不活性雰囲気とされるが、アルゴンと共に水をスパ
ッタ室内に導入することにより生成する透明導電膜の表
面のテクスチャ化を図ることができる。表面のテクスチ
ャ化は表面に微細なピラミッド状の突起を形成すること
により表面を粗化したものであり、平坦な表面による乱
反射を防止して透過率の改善に有用である。
うな不活性雰囲気とされるが、アルゴンと共に水をスパ
ッタ室内に導入することにより生成する透明導電膜の表
面のテクスチャ化を図ることができる。表面のテクスチ
ャ化は表面に微細なピラミッド状の突起を形成すること
により表面を粗化したものであり、平坦な表面による乱
反射を防止して透過率の改善に有用である。
【００１３】
【実施例】図１は、直流マグネトロンスパッタ装置の概
要を示し、ホルダに支持されたＺｎＯ：Ａｌ，Ｂスパッ
タリングターゲット１の背後にマグネット（永久磁石）
３が設置され、そして基板５がヒーター７上にターゲッ
トと対面して支持されている。基板とターゲットの間に
はシャッター９が置かれている。ターゲット及びマグネ
ットは水冷されている。この装置を使用して、いずれも
４インチ直径のＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ焼結体ターゲット、Ｚ
ｎＯ焼結体ターゲット、及びＺｎＯ：Ａｌ焼結体ターゲ
ットを使用して、Ａｒ雰囲気中で本発明のＺｎＯ：Ａ
ｌ，Ｂ透明導電膜と比較例としてのＺｎＯ透明導電膜及
びＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜の作製を行った。ターゲット
は、所要比率の酸化亜鉛、酸化アルミニウム及び酸化硼
素の粉末を混合し、プレス成形した後１３００℃の温度
で焼結することにより作製した。成膜条件は次の通りと
した： （ａ）ターゲット：ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ（１ａｔ％）、Ｚ
ｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ（２ａｔ％） （ｂ）基板：スライドガラス （ｃ）ターゲット−基板間距離：５０ｍｍ （ｄ）アルゴンガス圧：２．０×１０-4Ｔｏｒｒ （ｅ）スパッタガス圧：２．０×１０-2Ｔｏｒｒ （ｆ）直流電流：０．３〜１．０Ａ （ｇ）直流電圧：３３０〜４１０Ｖ （ｈ）スパッタ時間：２５〜８５分 （ｉ）基板温度：室温〜４００℃
要を示し、ホルダに支持されたＺｎＯ：Ａｌ，Ｂスパッ
タリングターゲット１の背後にマグネット（永久磁石）
３が設置され、そして基板５がヒーター７上にターゲッ
トと対面して支持されている。基板とターゲットの間に
はシャッター９が置かれている。ターゲット及びマグネ
ットは水冷されている。この装置を使用して、いずれも
４インチ直径のＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ焼結体ターゲット、Ｚ
ｎＯ焼結体ターゲット、及びＺｎＯ：Ａｌ焼結体ターゲ
ットを使用して、Ａｒ雰囲気中で本発明のＺｎＯ：Ａ
ｌ，Ｂ透明導電膜と比較例としてのＺｎＯ透明導電膜及
びＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜の作製を行った。ターゲット
は、所要比率の酸化亜鉛、酸化アルミニウム及び酸化硼
素の粉末を混合し、プレス成形した後１３００℃の温度
で焼結することにより作製した。成膜条件は次の通りと
した： （ａ）ターゲット：ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ（１ａｔ％）、Ｚ
ｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ（２ａｔ％） （ｂ）基板：スライドガラス （ｃ）ターゲット−基板間距離：５０ｍｍ （ｄ）アルゴンガス圧：２．０×１０-4Ｔｏｒｒ （ｅ）スパッタガス圧：２．０×１０-2Ｔｏｒｒ （ｆ）直流電流：０．３〜１．０Ａ （ｇ）直流電圧：３３０〜４１０Ｖ （ｈ）スパッタ時間：２５〜８５分 （ｉ）基板温度：室温〜４００℃
【００１４】得られた３種の透明導電膜（膜厚２μｍ）
の抵抗値を次に示す。 ＺｎＯ透明導電膜： １．２×１０-2Ω・ｃｍ（成膜温度：４００℃） ＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜： ３．６×１０-4Ω・ｃｍ（成膜温度：４００℃） ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜： ６．４×１０-4Ω・ｃｍ（成膜温度：１５０℃） このようにＺｎＯにＡｌをドープすることによりノンド
ープＺｎＯ薄膜の抵抗値のほぼ２桁の低減を図ることが
できる。
の抵抗値を次に示す。 ＺｎＯ透明導電膜： １．２×１０-2Ω・ｃｍ（成膜温度：４００℃） ＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜： ３．６×１０-4Ω・ｃｍ（成膜温度：４００℃） ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜： ６．４×１０-4Ω・ｃｍ（成膜温度：１５０℃） このようにＺｎＯにＡｌをドープすることによりノンド
ープＺｎＯ薄膜の抵抗値のほぼ２桁の低減を図ることが
できる。
【００１５】図２は、膜厚２μｍの場合のＺｎＯ：Ａ
ｌ，Ｂ透明導電膜と比較例としてのＺｎＯ透明導電膜及
びＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜の３００〜１８００ｎｍ範囲
の波長に対する透過率を示す。ＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜
は、１０００〜１８００ｎｍの近赤外領域の透過率が非
常に悪い。これに対してＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜は
全波長領域において良好な透過率を示している。ＺｎＯ
にＡｌに加えてＢをドープしても抵抗率はほとんど悪化
しない。また、このＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜の移動
度は３３．５ｃｍ2/Ｖ・ｓであり、良好である。
ｌ，Ｂ透明導電膜と比較例としてのＺｎＯ透明導電膜及
びＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜の３００〜１８００ｎｍ範囲
の波長に対する透過率を示す。ＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜
は、１０００〜１８００ｎｍの近赤外領域の透過率が非
常に悪い。これに対してＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜は
全波長領域において良好な透過率を示している。ＺｎＯ
にＡｌに加えてＢをドープしても抵抗率はほとんど悪化
しない。また、このＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜の移動
度は３３．５ｃｍ2/Ｖ・ｓであり、良好である。
【００１６】図３は、ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ（１、２、５ａ
ｔ％）透明導電膜のシート抵抗の基板温度依存性を示す
グラフである。１ａｔ％及び２ａｔ％のもでは基板温度
が２００℃以下で１０Ω／□以下の低いシート抵抗値が
得られることがわかる。５ａｔ％の導電膜においても、
室温で１０Ω／□以下のシート抵抗値が得られる。
ｔ％）透明導電膜のシート抵抗の基板温度依存性を示す
グラフである。１ａｔ％及び２ａｔ％のもでは基板温度
が２００℃以下で１０Ω／□以下の低いシート抵抗値が
得られることがわかる。５ａｔ％の導電膜においても、
室温で１０Ω／□以下のシート抵抗値が得られる。
【００１７】こうして、ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜
は、ＺｎＯ透明導電膜の高抵抗の欠点とＺｎＯ：Ａｌ透
明導電膜の近赤外領域の透過率が非常に悪いという欠点
を解消した優れた透明導電膜であることがわかる。
は、ＺｎＯ透明導電膜の高抵抗の欠点とＺｎＯ：Ａｌ透
明導電膜の近赤外領域の透過率が非常に悪いという欠点
を解消した優れた透明導電膜であることがわかる。
【００１８】
【発明の効果】ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂターゲットを使用した
直流マグネトロンスパッタ法により、 １．簡便にＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜が得られること
が確認され、 ２．比較的低温で（室温〜２００℃）で抵抗率が６×１
０-4のオーダーでありそして移動度が３３．５ｃｍ2/Ｖ
・ｓの薄膜が得られ、そして ３．１０Ω／□以下のシート抵抗値と４００〜１０００
ｎｍの波長領域において８０％水準の良好な透過率が得
られる。太陽電池電極（窓材）として使用するとき、電
池の変換効率を増大する。
直流マグネトロンスパッタ法により、 １．簡便にＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜が得られること
が確認され、 ２．比較的低温で（室温〜２００℃）で抵抗率が６×１
０-4のオーダーでありそして移動度が３３．５ｃｍ2/Ｖ
・ｓの薄膜が得られ、そして ３．１０Ω／□以下のシート抵抗値と４００〜１０００
ｎｍの波長領域において８０％水準の良好な透過率が得
られる。太陽電池電極（窓材）として使用するとき、電
池の変換効率を増大する。
【図１】直流マグネトロンスパッタ装置の概要を示す説
明図である。
明図である。
【図２】ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ透明導電膜と比較例としての
ＺｎＯ透明導電膜及びＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜の波長に
対する透過率を示すグラフである。
ＺｎＯ透明導電膜及びＺｎＯ：Ａｌ透明導電膜の波長に
対する透過率を示すグラフである。
【図３】ＺｎＯ：Ａｌ，Ｂ（１、２、５ａｔ％）透明導
電膜のシート抵抗の基板温度依存性を示すグラフであ
る。
電膜のシート抵抗の基板温度依存性を示すグラフであ
る。
１ ターゲット ３ マグネット ５ 基板 ７ ヒーター ９ シャッター
Claims (4)
- 【請求項１】 ０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び
０．１〜１０ａｔ％硼素をドープした酸化亜鉛から成る
透明導電膜。 - 【請求項２】 請求項１の透明導電膜から成る太陽電池
窓材及び電極。 - 【請求項３】 ０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び
０．１〜１０ａｔ％硼素をドープした酸化亜鉛から成る
スパッタリングターゲットを使用してスパッタ法により
基材上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成することを特徴と
する酸化亜鉛系透明導電膜の作製法。 - 【請求項４】 ０．１〜１０ａｔ％アルミニウム及び
０．１〜１０ａｔ％硼素をドープした酸化亜鉛焼結体か
ら成るスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185593A JPH06293956A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185593A JPH06293956A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293956A true JPH06293956A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=14311651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10185593A Pending JPH06293956A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06293956A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329630B1 (ko) * | 1998-06-08 | 2002-08-21 | 한전건 | 고속전도성세라믹/금속복합재료코팅방법 |
| JP2002528888A (ja) * | 1998-09-17 | 2002-09-03 | シーメンス ソーラー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 透明な電極層をスタラクチャ化するための方法 |
| US6528442B1 (en) * | 1999-01-12 | 2003-03-04 | Nikko Materials Company, Limited | Optical transparent film and sputtering target for forming optical transparent film |
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