JP3803132B2 - ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング法によって透明導電膜を製膜する際に使用されるスパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」という。）およびその製造方法に係り、特に、酸化物焼結体からなるターゲットおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータ，ワードプロセッサ，電子手帳等のコンピュータ本体（主記憶装置）へのデータ入力を行うための入力装置として、タッチパネル（タッチスクリーンを含む。以下同じ。）、タブレット、デジタイザ等の座標入力装置が使用されてる。
【０００３】
この座標入力装置には種々の原理のものがあるが、例えばアナログ式といわれる方式のタッチパネルでは、透明基材とこの透明基材上に平膜状に形成された透明電極膜（抵抗膜）とを備えた透明電極基板が２枚、前記の透明電極膜同士が対向するようにしてスペーサ等によって所定間隔に保たれつつ配置されており、２枚の透明電極基板のうちの一方が入力面側に位置している。そして、入力面側に位置している透明電極基板の外部から荷重が加えられて透明電極膜同士が導通したときに、一方の透明電極膜における所定の端部から前記の導通が生じた箇所を経て他方の透明電極膜における所定の端部へ電流が流れるように回路が組まれている。この回路における電気抵抗値は、前記の導通が生じた箇所、すなわち前記の荷重が加えられた箇所の位置座標に応じて変化することから、この電気抵抗値の変化に基づいて、前記の荷重が加えられた箇所の位置座標が座標検出手段によって検出される。
【０００４】
このため、アナログ式のタッチパネルに使用される透明電極膜については、他の方式による座標入力装置に使用される透明電極膜よりも高電気抵抗で、かつ、シート抵抗の均一性に優れていることが要求される。そして、入力精度の向上や低消費電力化に対する近年の要望の高まりに伴い、アナログ式のタッチパネルに用いる透明電極膜については、透明性に優れていることはもとより、シート抵抗が８００Ω／□〜１０ｋΩ／□程度と高電気抵抗であることが要求されるに至っている。
【０００５】
透明電極膜としては従来より物理的蒸着法によって形成されたＩＴＯ膜が多用されているが、物理的蒸着法によって形成されたＩＴＯ膜の比抵抗は一般に５×１０-4Ω・ｃｍ未満となる。したがって、このようなＩＴＯ膜を用いて例えばシート抵抗が８００Ω／□の透明電極膜を得るためには、当該ＩＴＯ膜の膜厚を６ｎｍ程度と非常に薄くする必要がある。しかしながら、このように極めて薄い薄膜は、島状構造の域を脱していない（『薄膜の基本技術』（東京大学出版会）第９０〜９１頁参照）ため、実用に耐え得るものではない。このため、特にアナログ式のタッチパネルに使用する透明電極膜については、ＩＴＯ膜に代わる新たな高電気抵抗膜の開発が望まれている。
【０００６】
ＩＴＯ膜よりも高電気抵抗の膜としては、酸化インジウムに酸化錫と共に酸化ケイ素および／または酸化アルミニウムを所定量ドープした透明導電膜が知られている（特開平４−２０６４０３号公報参照）。この透明導電膜は、前記公報によれば、電子ビーム蒸着法、スパッタ蒸着法、イオンプレーティング法等によって作製することができ、均一性という点からはスパッタ蒸着法によって作製することが最も好ましい透明導電膜である。この透明導電膜は、シート抵抗、光透過性および耐環境性の点で、アナログ式のタッチパネルの透明電極膜として好適なものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の公報に開示されている透明導電膜をスパッタリング法によって形成する場合に酸化物からなるターゲットを使用すると、酸化ケイ素および酸化アルミニウムが共に電気絶縁物であることから、当該ターゲットの体積抵抗率が高くなる。体積抵抗率が高いターゲットを用いて直流スパッタリングを行うと、製膜時に異常放電が誘発されることから、目的とする膜を再現性よく得ることが困難である。また、体積抵抗率が高いターゲットを用いると、当該ターゲットに割れが発生し易い。ターゲットの体積抵抗率が高いことに起因する異常放電の誘発は、高周波スパッタリング法によって製膜を行うことにより防ぐことが可能であるが、高周波スパッタリング法では直流スパッタリング法に比べて製膜速度が遅くなる。
【０００８】
合金ターゲットを用いて反応性スパッタリングを行うことにより、直流スパッタリング法によっても製膜時における異常放電の誘発やターゲットの割れを防止しつつ目的とする透明導電膜を製膜することが可能である。しかしながら、合金ターゲットを用いた反応性スパッタリング法では、通常のスパッタリング法や酸化物ターゲットを用いた反応性スパッタリング法と比較して成膜時に導入する酸素量の制御を極めて精密に行う必要があるため、目的とする透明導電膜を再現性よく得るための手法としては不適当である。
【０００９】
本発明の目的は、シート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□である透明導電膜を直流スパッタリング法によって安定に製膜することが可能なターゲットおよびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、特定の組成および電気的特性を有する酸化物焼結体をターゲットとして用いることにより、直流スパッタリング法によってもシート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□である透明導電膜を安定に製膜することができることを見い出した。
【００１１】
本発明は上記の知見に基づいて完成されたものであり、本発明のターゲットは、インジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が１６．９〜４０at％である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が０．５×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍであることを要旨とする（以下このターゲットを「ターゲットＴ１」という。）。
【００１２】
また、本発明の他のターゲットは、インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が１１．２〜３７．２at％である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が１．３×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍであることを要旨とする（以下このターゲットを「ターゲットＴ２」という。）。
【００１３】
一方、本発明のターゲットの製造方法は、インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含み、インジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が１６．９〜４０at％で、体積抵抗率が０．５×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍである酸化物焼結体からなるターゲットを得ることを要旨とする（以下この方法を「方法Ｉ」という。）。
【００１４】
また、本発明の他のターゲットの製造方法は、インジウム（Ｉｎ）酸化物および錫（Ｓｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含み、インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が１１．２〜３７．２at％で、体積抵抗率が１．３×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍである酸化物焼結体からなるターゲットを得ることを要旨とする（以下この方法を「方法II」という。）。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明のターゲットＴ１について説明すると、このターゲットＴ１は、上述したようにインジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記の群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が２．０〜４０at％である酸化物焼結体からなる。
【００１６】
ここで、酸化物焼結体において上記の群より選択された金属元素の総量の原子比を上述のように限定する理由は、この原子比が上記の範囲から外れると、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いたスパッタリング法によって得られる透明導電膜の比抵抗が９．６×１０-4Ω・ｃｍ未満になり易くなるか、または、当該酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にすることが困難になるからである。
【００１７】
得られる透明導電膜の比抵抗が９．６×１０-4Ω・ｃｍ未満では、当該透明導電膜の膜厚を実用に耐え得る最小膜厚（約１２ｎｍ）としてもそのシート抵抗が８００Ω／□未満となり、シート抵抗が８００Ω／□未満では入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための高抵抗電極膜に要求される電気的特性を満足し得なくなる。また、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超える酸化物焼結体では、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いて直流スパッタリングを行ったときに異常放電が誘発される，ターゲットに割れが生じる等の不具合が発生し易くなる。
なお、上述した原子比を表す式中の「全金属原子」とは、上記の群より選ばれた金属元素についての原子数（相対値）の総和を意味する（後述するターゲットＴ２、方法Ｉおよび方法IIにおいても同じ。）。
【００１８】
上記の酸化物焼結体をターゲットとして用いた場合には、当該ターゲットの組成や製膜条件等を調整することによって、概ね９．６×１０-4〜２．０×１０-1Ω・ｃｍの範囲内で、種々の比抵抗の透明導電膜を製膜することが可能である。したがって、酸化物焼結体の組成は、当該酸化物焼結体が後述する体積抵抗率についての条件を満たしさえすれば、目的とする透明導電膜の電気的特性に応じて適宜選択可能である。
【００１９】
例えば、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るためには、シート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□、好ましくは８００〜５０００Ω／□、より好ましくは１０００〜３０００Ω／□、更に好ましくは２０００〜３０００Ω／□で、比抵抗が９．６×１０-4〜２×１０-1Ω・ｃｍ、より好ましくは３×１０-3〜９×１０-3Ω・ｃｍ、更に好ましくは６×１０-3〜９×１０-3Ω・ｃｍである透明電極膜を得ることが望ましいので、このような透明電極膜（透明導電膜）が得られるよう、各成分のスパッタ率や製膜条件等を勘案して、酸化物焼結体の組成を適宜調整する。また、電気抵抗の経時安定性の高い透明導電膜を得るうえからは、上記の酸化物焼結体における前記金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）を２．５〜３０at％とすることが好ましく、３．０〜１５at％とすることが特に好ましい。
【００２０】
本発明では、上記の酸化物焼結体の体積抵抗率を前述のように５×１０-2Ω・ｃｍ以下に限定する。その理由は、酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えると、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いて直流スパッタリングを行ったときに、異常放電が誘発されたりターゲットに割れが発生したりし易くなるからである。酸化物焼結体の体積抵抗率は２×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
【００２１】
酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にするうえからは、純度が９９％以上の素原料を用いて相対密度が８０％以上である酸化物焼結体を得ることが好ましい。前記素原料の純度は９９．９％以上であることがより好ましく、９９．９９％以上であることが更に好ましい。また、酸化物焼結体の相対密度は９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。焼結後の酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超える場合には、焼結後に真空中または還元雰囲気中でアニーリング処理を行って前記の酸化物焼結体を還元することにより、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。
【００２２】
なお、酸化物焼結体の相対密度を８０％以上にすることは、十分な製膜速度を確保するうえからも、また、光透過性の高い透明導電膜を得るうえからも好適である。ここに相対密度とは、酸化物の組成から計算した理論密度に対する焼結体の実際の密度を面分率で示したものである（後述するターゲットＴ２においても同じ。）。
【００２３】
前述した組成および上述した体積抵抗率を有する酸化物焼結体からなる本発明のターゲットＴ１は、当該ターゲットＴ１の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって透明導電膜を製膜するためのターゲットとして用いた場合でも、製膜時に異常放電が誘発されたりターゲットに割れが発生したりすることが起こりにくく、安定した製膜が可能である。また、直流スパッタリング法以外のスパッタリング法、例えば高周波スパッタリング法等によって透明導電膜を製膜する場合でも、安定した製膜が可能である。
【００２４】
本発明のターゲットＴ１を用いたスパッタリング法によって得られる膜は、インジウム（Ｉｎ）と、前述した群より選択された金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が概ね２．２〜４０at％である酸化物膜である。この酸化物膜における可視光の透過率はその膜厚が２００ｎｍのときに概ね８５％以上であるので、当該酸化物膜は、その膜厚を２００ｎｍ以下にすることにより透明導電膜として好適に使用することが可能になる。
【００２５】
そして、この透明導電膜の比抵抗は、酸素も含めてその組成を適宜調整することにより、換言すれば上記本発明のターゲットＴ１の組成および製膜条件を適宜調整することにより、膜厚が１２ｎｍのときに概ね９．６×１０-4〜１．２×１０-2Ω・ｃｍ、膜厚が２００ｎｍのときに概ね１．６×１０-2〜２．０×１０-1Ω・ｃｍとすることが可能であるので、その膜厚が１２〜２００ｎｍのときのシート抵抗を概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□とすることが可能である。このように高い電気抵抗を有する透明導電膜は、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための透明電極膜として特に好適である他、電磁波シールド材等としても好適である。
本発明のターゲットＴ１は種々の方法により製造することが可能であるが、後述する本発明の方法Ｉにより製造することが好ましい。
【００２６】
次に、本発明のターゲットＴ２について説明する。
本発明のターゲットＴ２は、前述したようにインジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記の群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が２．０〜３７．２at％である酸化物焼結体からなる。
【００２７】
ここで、酸化物焼結体におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比、錫（Ｓｎ）の原子比、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）との合量の原子比、および上記の群より選択された金属元素の総量の原子比をそれぞれ上述のように限定する理由は、これらの原子比が上記の範囲から外れると、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いたスパッタリング法によって得られる透明導電膜の比抵抗が９．６×１０-4Ω・ｃｍ未満になり易くなるか、または、当該酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にすることが困難になるからである。
【００２８】
上記の酸化物焼結体をターゲットとして用いた場合にも、当該ターゲットの組成や製膜条件等を調整することによって、概ね９．６×１０-4〜２．０×１０-1Ω・ｃｍの範囲内で、種々の比抵抗の透明導電膜を製膜することが可能である。したがって、上記の酸化物焼結体の組成は、当該酸化物焼結体が後述する体積抵抗率についての条件を満たしさえすれば、ターゲットＴ１についての説明の中で述べたように、目的とする透明導電膜の電気的特性に応じて適宜選択可能である。電気抵抗の経時安定性の高い透明導電膜を得るうえからは、上記の酸化物焼結体におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）を６０〜９５at％、錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）を２．８〜２０at％とすることが特に好ましい。
【００２９】
本発明のターゲットＴ２は、組成的には上記の酸化物焼結体からなり、その体積抵抗率は、前述したターゲットＴ１におけると同じ理由から５×１０-2Ω・ｃｍ以下に限定され、当該体積抵抗率は２×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
【００３０】
酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にするうえからは、前述したターゲットＴ１におけると同様に、純度が９９％以上の素原料を用いて相対密度が８０％以上である酸化物焼結体を得ることが好ましい。前記素原料の純度は９９．９％以上であることがより好ましく、９９．９９％以上であることが更に好ましい。また、酸化物焼結体の相対密度は９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。焼結後の酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超える場合には、前述したターゲットＴ１を得る場合と同様に、焼結後に真空中または還元雰囲気中でアニーリング処理を行って前記の酸化物焼結体を還元することにより、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。なお、酸化物焼結体の相対密度を８０％以上にすることは、十分な製膜速度を確保するうえからも、また、光透過性の高い透明導電膜を得るうえからも好適である。
【００３１】
前述した組成および上述した体積抵抗率を有する酸化物焼結体からなる本発明のターゲットＴ２も、当該ターゲットＴ２の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって透明導電膜を製膜するためのターゲットとして用いた場合でも、製膜時に異常放電が誘発されたりターゲットに割れが発生したりすることが起こりにくく、安定した製膜が可能である。また、直流スパッタリング法以外のスパッタリング法、例えば高周波スパッタリング法等によって透明導電膜を製膜する場合でも、安定した製膜が可能である。
【００３２】
本発明のターゲットＴ２を用いたスパッタリング法によって得られる膜は、インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、前述した群より選択された金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が概ね６０〜９５at％、錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が概ね２．５〜２０at％、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が概ね６２．５〜９８．２at％、前記の群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が概ね１．８〜３７．５at％である酸化物膜である。この酸化物膜における可視光の透過率はその膜厚が２００ｎｍのときに概ね８５％以上であるので、当該酸化物膜は、その膜厚を２００ｎｍ以下にすることにより透明導電膜として好適に使用することが可能になる。
【００３３】
そして、この透明導電膜の比抵抗は、酸素も含めてその組成を適宜調整することにより、換言すれば上記本発明のターゲットＴ２の組成および製膜条件を適宜調整することにより、膜厚が１２ｎｍのときに概ね９．６×１０-4〜１．２×１０-2Ω・ｃｍ、膜厚が２００ｎｍのときに概ね１．６×１０-2〜２．０×１０-1Ω・ｃｍとすることが可能であるので、その膜厚が１２〜２００ｎｍのときのシート抵抗を概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□とすることが可能である。このように高い電気抵抗を有する透明導電膜は、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための透明電極膜として特に好適である他、電磁波シールド材等としても好適である。
本発明のターゲットＴ２は種々の方法により製造することが可能であるが、後述する本発明の方法IIにより製造することが好ましい。
【００３４】
次に、本発明の方法Ｉについて説明する。
本発明の方法Ｉは、前述したように、インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含んでいる。
以下、原料調製工程、成形工程および焼結工程の順で説明する。
【００３５】
(1) 原料調製工程
この工程では、インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る。この混合酸化物の平均粒径は、後述する造粒処理を行わない場合には０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．１〜５μｍであることがより好ましい。後述する造粒処理を行わない場合、混合酸化物の平均粒径が０．０１μｍ未満では凝集が起こり易く、１０μｍを超えると混合性が低下し、また、緻密な焼結体を得ることが困難になる。
【００３６】
上記の混合酸化物を得るにあたっては、酸素を除いた各成分（インジウム（Ｉｎ）と上記の群より選択された金属元素）についての酸化物，塩化物，無機酸塩，水酸化物等を素原料として用いることができる。各素原料の純度は９９％以上であることが好ましく、より好ましくは９９．９％以上、特に好ましくは９９．９９％以上である。素原料の純度が９９％未満では、緻密な酸化物焼結体を得ることが困難になったり、目的とする体積抵抗率を有する酸化物焼結体を得ることが困難になる。
【００３７】
各成分の素原料として酸化物を用いる場合には、目的とする組成のターゲットＴ１が得られるように各酸化物（素原料）の粉末を所定量づつボールミル，ジェットミル，パールミル等の混合器に入れ、これらを粉砕・混合することにより目的とする混合酸化物を得ることができる。このとき、粉砕・混合の時間は１〜１００時間が好ましく、より好ましくは５〜５０時間、特に好ましくは１０〜５０時間である。１時間未満では混合が不十分になり易く、１００時間を超えると経済的でない。粉砕・混合時の温度について特別な制限はないが、室温が好ましい。
【００３８】
また、各成分の素原料として酸化物以外の物質を用いる場合には、目的とする組成のターゲットＴ１が得られるように前記の素原料を所定量づつボールミル，ジェットミル，パールミル等の混合器に入れて粉砕・混合して混合物を得た後に当該混合物を仮焼し、得られた仮焼物を前記の混合器等によって粉砕することにより目的とする混合酸化物を得ることができる。このときの仮焼温度および仮焼時間は素原料の種類にもよるが、概ね８００〜１６００℃で１〜１００時間が好ましい。８００℃未満または１時間未満では素原料の熱分解が不十分となり易く、１６００℃を超えるかまたは１００時間を超えた場合には素原料が焼結して粒子の粗大化が起こり易くなる。より好ましい仮焼温度および仮焼時間は１０００〜１３００℃で２〜５０時間である。
【００３９】
上述した仮焼・粉砕処理は１回でもよいし、仮焼物を粉砕して得た混合酸化物について更に仮焼・粉砕を行うという操作を所望回数行ってもよい。また、各成分の素原料として酸化物を用いて上述した仮焼・粉砕処理を行うことによって、目的とする混合酸化物を得てもよい。
【００４０】
仮焼の対象物が一旦得た混合酸化物である場合や素原料としての酸化物である場合の仮焼温度および仮焼時間も概ね８００〜１６００℃で１〜１００時間が好ましい。８００℃未満または１時間未満では素原料の熱分解が不十分となり易く、１６００℃を超えるかまたは１００時間を超えた場合には素原料が焼結して粒子の粗大化が起こり易くなる。より好ましい仮焼温度および仮焼時間は１０００〜１３００℃で２〜５０時間である。
【００４１】
また、目的とする混合酸化物は、上述のようにして得た混合酸化物を造粒することによっても、あるいは各成分の素原料を造粒することによっても、調製することができる。この造粒は、スプレードライ法等の常法により行うことができる。造粒をスプレードライ法で行う場合には、前記の混合酸化物もしくは素原料についての水溶液またはアルコール溶液等にポリビニルアルコール等のバインダーを添加した溶液を用いる。造粒条件は溶液濃度、バインダーの添加量によっても異なるが、造粒物の平均粒径が１〜１００μｍ、好ましくは５〜１００μｍ、特に好ましくは１０〜１００μｍになるように調節する。この造粒を行うことにより成形時の流動性や充填性を改善することが可能であるが、造粒物の平均粒径が１００μｍを超えると成形時の流動性や充填性が悪く、造粒の効果がない。
【００４２】
(2) 成形工程
この工程では、上記の原料調製工程で得た混合酸化物を、焼結に先立って所望形状に成形する。成形は金型成形，鋳込み成形，射出成形，加圧成形等により行うことができるが、相対密度の高い焼結体を得るうえからはＣＩＰ（冷間静水圧），ＨＩＰ（熱間静水圧）等の方法で加圧成形することが好ましい。
成形体の形状はターゲットとして好適な各種形状とすることができる。また、成形助剤にポリビニルアルコール、メチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等を用いてもよい。成形圧力は１０ｋｇ／ｃｍ2 〜１００ｔ／ｃｍ2 が好ましく、より好ましくは１００ｋｇ／ｃｍ2 〜１００ｔ／ｃｍ2 である。また成形時間は１０分〜１０時間が好ましい。成形圧力が１０ｋｇ／ｃｍ2 未満である場合や成形時間が１０分未満である場合には、相対密度の高い焼結体を得ることが困難になる。
【００４３】
(3)焼結工程
この工程では、上記の成形工程で得た成形物を焼結して酸化物焼結体を得る。焼結方法としてはＨＩＰ焼結，ホットプレス焼結，常圧焼結等を適用することができるが、経済性の面からは常圧焼結が好ましい。
焼結温度は１２００〜１６００℃が好ましく、より好ましくは１２５０〜１５５０℃、更に好ましくは１３００〜１５００℃である。１２００℃未満では十分な相対密度を有する酸化物焼結体を得ることが困難なため、後述するアニーリングを施しても目的とする体積抵抗率を有する酸化物焼結を得ることが困難である。また、１６００℃を超えると組成のずれが生じ易くなる。
焼結時間は焼結温度にもよるが、１〜５０時間が好ましく、より好ましくは２〜３０時間、特に好ましくは３〜２０時間である。１時間未満では焼結が十分に行われず、５０時間を超えると経済的でない。焼結時の雰囲気は空気または還元雰囲気である。還元雰囲気としては、Ｈ2 ，メタン，ＣＯ等の還元性ガス雰囲気、Ａｒ，Ｎ2 等の不活性ガス雰囲気が挙げられる。
【００４４】
以上説明した原料調製工程、成形工程および焼結工程を経て得た酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えている場合には、以下に述べるアニーリング工程を行うことにより、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。
【００４５】
・アニーリング工程
この工程では、上記の焼結工程で得られた酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えている場合に、当該酸化物焼結体を還元することによってその体積抵抗率を低下させて、目的とする体積抵抗率を有する酸化物焼結体を得る。アニーリングは、焼結炉，ホットプレス還元炉等の炉中で真空下または還元雰囲気下に行われる。還元雰囲気としては、Ｈ2 ，メタン，ＣＯ等の還元性ガス、Ａｒ，Ｎ2 等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。
【００４６】
真空下にアニーリングを行う場合のアニーリング温度は２００〜１０００℃が好ましく、より好ましくは２００〜７００℃、更に好ましくは２００〜５００℃である。２００℃未満では十分な還元が行われず、１０００℃を超えると焼結体中のインジウム酸化物あるいは亜鉛酸化物の昇華が起り、組成のずれを生じる。アニーリング時間は１〜５０時間が好ましく、より好ましくは２〜３０時間、更に好ましくは３〜２０時間である。１時間未満では十分な還元が行われず、５０時間を超えると経済的でない。
【００４７】
また、還元雰囲気下にアニーリングを行う場合のアニーリング温度は２００〜１０００℃が好ましく、より好ましくは３００〜１０００℃、更に好ましくは４００〜１０００℃である。２００℃未満では十分な還元が行われず、１０００℃を超えると経済的でない。アニーリング時間は上記と同様に１〜５０時間が好ましく、より好ましくは２〜３０時間、更に好ましくは３〜２０時間である。
上述のようにしてアニーリングした後の焼結体は、アニーリング前に比べてその色が黒色化する。
【００４８】
前述した原料調製工程、成形工程および焼結工程を行うことにより、または、前述した焼結工程まで行った後に必要に応じて上記のアニーリング工程を行うことにより、目的とする本発明のターゲットＴ１を得ることができる。このターゲットＴ１は、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって製膜を行う際のターゲットとして用いた場合にも異常放電が誘発されたり割れが生じたりしにくいものである。また、当該ターゲットＴ１は、シート抵抗が８００Ω／□〜１０ｋΩ／□の透明導電膜を直流スパッタリング法や高周波スパッタリング法等のスパッタリング法によって安定して製膜することが可能なターゲットである。
【００４９】
次に、本発明の方法IIについて説明する。
本発明の方法IIは、前述したように、インジウム（Ｉｎ）酸化物および錫（Ｓｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含んでいる。
【００５０】
方法IIは、原料調製工程で得る混合酸化物が、インジウム（Ｉｎ）酸化物と上記の群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との他に錫（Ｓｎ）酸化物を含んでいる点で前述した方法Ｉと異なるが、この点を除けば、原料調製工程、成形工程および焼結工程はそれぞれ前述した方法Ｉと同様にして行われる。したがって、新たに加わった錫（Ｓｎ）酸化物についてのみここでは詳しく説明し、原料調製工程における他の点ならびに成形工程、焼結工程および必要に応じて行うアニーリング工程の詳細については省略する。
【００５１】
方法IIでは、原料調製工程において上記の錫（Ｓｎ）酸化物を含んでいる混合酸化物を得るわけであるが、当該混合酸化物を得るにあたっては、インジウム（Ｉｎ）酸化物についての素原料および上記の群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物の素原料の他に、錫（Ｓｎ）についての酸化物，塩化物，無機酸塩，水酸化物等を前記錫（Ｓｎ）酸化物の素原料として用い、目的とする組成のターゲットＴ２が得られるようにこれらの素原料をそれぞれ所定量づつ使用する。方法IIにおいて使用する各素原料の純度は、前述した方法Ｉにおけると同じ理由から９９％以上であることが好ましく、より好ましくは９９．９％以上、特に好ましくは９９．９９％以上である。
【００５２】
原料調製工程、成形工程および焼結工程を経て得た酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えている場合には、前述した方法Ｉにおけると同様に、アニーリング工程を行うことにより体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。このアニーリング工程は、方法Ｉにおけると同様にして行うことができる。
【００５３】
原料調製工程、成形工程および焼結工程を行うことにより、または、焼結工程まで行った後に必要に応じて上記のアニーリング工程を行うことにより、目的とする本発明のターゲットＴ２を得ることができる。このターゲットＴ２は、前述したターゲットＴ１と同様に体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって製膜を行う際のターゲットとして用いた場合にも異常放電が誘発されたり割れが生じたりしにくいものである。また、当該ターゲットＴ２は、シート抵抗が８００Ω／□〜１０ｋΩ／□の透明導電膜を直流スパッタリング法や高周波スパッタリング法等のスパッタリング法によって安定して製膜することが可能なターゲットである。
【００５４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
（１）原料の調製
表１に示すように、純度９９．８％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末（平均粒径１μｍ）２６８ｇと純度９９．５％の酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末（平均粒 径１μｍ）３２ｇとを素原料として用い、これらをエタノールおよびアルミナボールと共にポリイミド製ポットに入れ、遊星ボールミルで２時間混合した。
得られた混合粉末を空気雰囲気中、１０００℃で５時間仮焼した後、得られた焼成物を再びエタノールおよびアルミナボールと共にポリイミド製ポットに入れ、遊星ボールミルで２時間粉砕した。
上述のようにして得られた粉末に水とポリビニルアルコールを添加し、混合した後、スプレードライヤーで造粒して、インジウム酸化物とチタン酸化物とからなる平均粒径１０μｍの混合酸化物を得た。
【００５５】
（２）成形
上記の混合酸化物粉末を金型に入れ、金型プレス成形機により１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で予備成形を行った後、冷間静水圧プレス成型機で４ｔ／ｃｍ2 の圧力で圧密化して、直径４．１インチ，厚さ５．３ｍｍの円板状を呈する成形物を得た。
【００５６】
（３）焼結
上記の成形物を焼結炉に入れ、空気雰囲気中１５００℃で４時間常圧焼結して、酸化物焼結体を得た。
次に、この酸化物焼結体の表面研磨を行ってその大きさを直径４インチ，厚さ５ｍｍとし、これによって目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（相対密度９５％；ターゲットＴ１の１つ）を得た。
上記のターゲットから２０ｍｍ×４０ｍｍ×５ｍｍのテストピースを切り出し、その体積抵抗率を四端子法により測定した。また、このテストピースを用いて、セイコー電子工業（株）製のＳＰＳ−１５００ＶＲを用いたＩＣＰ分析（誘導結合プラズマ発光分光分析）によりその組成分析を行い、この結果に基づいてインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）およびチタン（Ｔｉ）の原子比Ｔｉ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）を求めた。これらの結果を表２に示す。
【００５７】
（４）ターゲットの寿命試験
上記（１）〜（３）と同様にして直径４インチ，厚さ５ｍｍの円板状を呈する酸化物焼結体からなるターゲットを作製し、このターゲットを用いての直流マグネトロンスパッタリングをターゲット印加電力５Ｗ／ｃｍ2 の条件で連続１００時間行い、この間における異常放電の誘発の有無およびターゲットの割れの有無を観察した。
このとき、ターゲットのバッキングプレートとしては銅製のものを用い、ボンディング材としてはインジウム金属を用いた。なお、異常放電の誘発の有無はチャンバーのビューポートから目視により観察した。また、ターゲットの割れの有無は、異常放電が誘発された場合にはその直後にターゲットを目視検査し、異常放電が誘発されなかった場合には寿命試験後にターゲットを目視検査して、確認するものとした。これらの結果を表３に示す。
【００５８】
（５）透明導電膜の製膜
上記（１）〜（３）と同様にして直径４インチ，厚さ５ｍｍの円板状を呈する酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を作製し、このターゲットを用いて下記条件の直流マグネトロンスパッタリングにより、５ｃｍ（縦）×５ｃｍ（横）×１ｍｍ（厚さ）の大きさの無アルカリガラス（コーニング社製の＃７０５９）上に膜厚１５ｎｍの透明導電膜を製膜した。
【００５９】
スパッタリング装置 ：ＨＳＭ５５２（島津製作所（株）製）
ターゲットサイズ ：直径４インチ，厚さ５ｍｍ
放電形式 ：直流マグネトロン
放電電流 ：０．２Ａ
バックグラウンド圧力 ：５×１０-4Ｐａ
導入ガス（雰囲気ガス）：９７vol％Ａｒ＋３vol％Ｏ2 混合ガス
ガス流量 ：１０ＳＣＣＭ
プレスパッタ圧力 ：２×１０-1Ｐａ
プレスパッタ時間 ：５分
スパッタリング圧力 ：２×１０-1Ｐａ
スパッタリング時間 ：１０秒
基板温度 ：室温
【００６０】
上述の条件で得られた透明導電膜について、そのシート抵抗および比抵抗を求めた。これらの結果を表３に併記する。なお、透明導電膜の膜厚はスローン社製のＤＥＫＴＡＫ３０３０を用いた触針法により測定し、そのシート抵抗は三菱油化社製のロレスタＦＰを用いた四端子法により測定し、その比抵抗はシート抵抗に膜厚を乗じることにより算出した。
さらに、上記の透明導電膜について、大気中において１３０℃，４００時間の条件の耐熱試験を行い、試験前のシート抵抗Ｒ0 に対する試験後のシート抵抗Ｒの値Ｒ／Ｒ0 を求めた。この結果を表３に併記する。
【００６１】
実施例２〜実施例１４
素原料として表１に示すものを用いた以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、実施例毎に目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を計２枚ずつ得た。◎
これらのターゲットについて、実施例毎に２枚のターゲットうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、各透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６２】
実施例１５
仮焼・粉砕処理とスプレードライヤーでの造粒処理をそれぞれ省いたこと以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６３】
実施例１６
焼結温度を１２００℃とした以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行い、焼結後さらに真空焼結炉を用いて真空中９５０℃で２時間熱処理することによりアニーリングを行って、目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６４】
実施例１７
表１に示すように、純度９９．８％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末（平均粒径１μｍ）２５０ｇと純度９９．５％の酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末（平均粒 径１μｍ）２０ｇと純度９９．５％の酸化錫（ＳｎＯ2）粉末（平均粒径１μｍ）３０ｇとを素原料として用い、他は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ２の１つ）を計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６５】
比較例１
表１に示すように酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末として純度が９０．５％のものを用い、他は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、表２に示すように体積抵抗率が本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６６】
比較例２
焼結温度を８００℃とした以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、上記のようにして得たターゲットはその相対密度が７５％（表２参照）と低いことから、表２に示すように体積抵抗率が本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６７】
比較例３
表１に示すように酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末の使用量を２９８ｇとし、かつ、酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末の使用量を２ｇとし、他は実施例１（１）〜 （３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、表２に示すように、上記のようにして得たターゲットは体積抵抗率およびチタン（Ｔｉ）の原子比が共に本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６８】
比較例４
表１に示すように酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末の使用量を１９１ｇとし、かつ、酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末の使用量を１０９ｇとし、他は実施例１（１ ）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、表２に示すように、上記のようにして得たターゲットはチタン（Ｔｉ）の原子比が本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】
【表２】
【００７１】
【表３】
【００７２】
表３に示したように、実施例１〜実施例１７で作製した各ターゲットは、直流マグネトロンスパッタリングによって透明導電膜を製膜するためのターゲットして用いた場合でも、異常放電の誘発やターゲットの割れを起こしにくいものである。これは、各ターゲットの体積抵抗率が０．８×１０-2〜３．９×１０-2Ω・ｃｍと低い（表２参照）からである。
【００７３】
また、実施例１〜実施例１７で製膜した各透明導電膜は、表３に示したように比抵抗が１．０×１０-3〜９．４×１０-3Ω・ｃｍと高く、そのシート抵抗も０．８ｋΩ／□〜８．２ｋΩ／□と高い。このような電気的特性を有する実施例１〜実施例１７の各透明導電膜は、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0 が１．１〜１．３と低い（表３参照）ことと相俟って、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための透明電極膜またはその材料等として好適なものである。
【００７４】
一方、表３に示したように、比較例１および比較例３で作製した各ターゲットは、直流マグネトロンスパッタリング用のターゲットとして用いた場合には連続１８時間または５０時間スパッタリングを行った後に異常放電の誘発およびターゲットの割れが起こり、長時間の製膜には耐えられない。したがって、これらのターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリングによって透明導電膜を製膜する場合には、ターゲットを頻繁に交換する必要が生じ、生産上、非効率的である。
【００７５】
比較例１および比較例３で作製した各ターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリングにおいて異常放電の誘発およびターゲットの割れが起こるのは、これらのターゲットの体積抵抗率が２０．０×１０-2Ω・ｃｍまたは７．３×１０-2Ω・ｃｍと高いことに起因している。そして、比較例１で作製したターゲットの体積抵抗率が２０．０×１０-2Ω・ｃｍと高いのは、素原料として用いた酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末の純度が９０．５％と低いことに起因しているものと推察され、比較例３で作製したターゲットの体積抵抗率が７．３×１０-2Ω・ｃｍと高いのは、チタン（Ｔｉ）の原子比が１．２at％と低かったことに起因しているものと推察される。
【００７６】
また、比較例２で作製したターゲットは体積抵抗率が６１．３×１０-2Ω・ｃｍと極めて高く、ＤＣ放電そのものが起こらなかった。比較例２で作製したターゲットの体積抵抗率が６１．３×１０-2Ω・ｃｍと高いのは、焼結温度が８００℃と低かったことからその相対密度が７５％という低い値にとどまったことに起因しているものと推察される。
【００７７】
比較例４で作製したターゲットは体積抵抗率が０．２×１０-2Ω・ｃｍと低く、直流マグネトロンスパッタリングのターゲットとして用いた場合でも異常放電の誘発およびターゲットの割れが起こりにくいものであるが、このターゲットを用いたときに得られる透明導電膜の比抵抗は０．６×１０-3Ω・ｃｍと低い。したがって、シート抵抗が８００Ω／□以上の透明導電膜を得るためにはその膜厚を８ｎｍ以下にする必要があり、このように薄い膜は島状構造の域を脱しないため、実用的でない。また、表３に示した抵抗変化率Ｒ／Ｒ0 の値から明らかなように、当該透明導電膜は耐熱性の低い膜であり、この点からも実用的でない。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればシート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□と高い透明導電膜を生産上有利な直流スパッタリング法によって安定して製膜することが可能になる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング法によって透明導電膜を製膜する際に使用されるスパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」という。）およびその製造方法に係り、特に、酸化物焼結体からなるターゲットおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータ，ワードプロセッサ，電子手帳等のコンピュータ本体（主記憶装置）へのデータ入力を行うための入力装置として、タッチパネル（タッチスクリーンを含む。以下同じ。）、タブレット、デジタイザ等の座標入力装置が使用されてる。
【０００３】
この座標入力装置には種々の原理のものがあるが、例えばアナログ式といわれる方式のタッチパネルでは、透明基材とこの透明基材上に平膜状に形成された透明電極膜（抵抗膜）とを備えた透明電極基板が２枚、前記の透明電極膜同士が対向するようにしてスペーサ等によって所定間隔に保たれつつ配置されており、２枚の透明電極基板のうちの一方が入力面側に位置している。そして、入力面側に位置している透明電極基板の外部から荷重が加えられて透明電極膜同士が導通したときに、一方の透明電極膜における所定の端部から前記の導通が生じた箇所を経て他方の透明電極膜における所定の端部へ電流が流れるように回路が組まれている。この回路における電気抵抗値は、前記の導通が生じた箇所、すなわち前記の荷重が加えられた箇所の位置座標に応じて変化することから、この電気抵抗値の変化に基づいて、前記の荷重が加えられた箇所の位置座標が座標検出手段によって検出される。
【０００４】
このため、アナログ式のタッチパネルに使用される透明電極膜については、他の方式による座標入力装置に使用される透明電極膜よりも高電気抵抗で、かつ、シート抵抗の均一性に優れていることが要求される。そして、入力精度の向上や低消費電力化に対する近年の要望の高まりに伴い、アナログ式のタッチパネルに用いる透明電極膜については、透明性に優れていることはもとより、シート抵抗が８００Ω／□〜１０ｋΩ／□程度と高電気抵抗であることが要求されるに至っている。
【０００５】
透明電極膜としては従来より物理的蒸着法によって形成されたＩＴＯ膜が多用されているが、物理的蒸着法によって形成されたＩＴＯ膜の比抵抗は一般に５×１０-4Ω・ｃｍ未満となる。したがって、このようなＩＴＯ膜を用いて例えばシート抵抗が８００Ω／□の透明電極膜を得るためには、当該ＩＴＯ膜の膜厚を６ｎｍ程度と非常に薄くする必要がある。しかしながら、このように極めて薄い薄膜は、島状構造の域を脱していない（『薄膜の基本技術』（東京大学出版会）第９０〜９１頁参照）ため、実用に耐え得るものではない。このため、特にアナログ式のタッチパネルに使用する透明電極膜については、ＩＴＯ膜に代わる新たな高電気抵抗膜の開発が望まれている。
【０００６】
ＩＴＯ膜よりも高電気抵抗の膜としては、酸化インジウムに酸化錫と共に酸化ケイ素および／または酸化アルミニウムを所定量ドープした透明導電膜が知られている（特開平４−２０６４０３号公報参照）。この透明導電膜は、前記公報によれば、電子ビーム蒸着法、スパッタ蒸着法、イオンプレーティング法等によって作製することができ、均一性という点からはスパッタ蒸着法によって作製することが最も好ましい透明導電膜である。この透明導電膜は、シート抵抗、光透過性および耐環境性の点で、アナログ式のタッチパネルの透明電極膜として好適なものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の公報に開示されている透明導電膜をスパッタリング法によって形成する場合に酸化物からなるターゲットを使用すると、酸化ケイ素および酸化アルミニウムが共に電気絶縁物であることから、当該ターゲットの体積抵抗率が高くなる。体積抵抗率が高いターゲットを用いて直流スパッタリングを行うと、製膜時に異常放電が誘発されることから、目的とする膜を再現性よく得ることが困難である。また、体積抵抗率が高いターゲットを用いると、当該ターゲットに割れが発生し易い。ターゲットの体積抵抗率が高いことに起因する異常放電の誘発は、高周波スパッタリング法によって製膜を行うことにより防ぐことが可能であるが、高周波スパッタリング法では直流スパッタリング法に比べて製膜速度が遅くなる。
【０００８】
合金ターゲットを用いて反応性スパッタリングを行うことにより、直流スパッタリング法によっても製膜時における異常放電の誘発やターゲットの割れを防止しつつ目的とする透明導電膜を製膜することが可能である。しかしながら、合金ターゲットを用いた反応性スパッタリング法では、通常のスパッタリング法や酸化物ターゲットを用いた反応性スパッタリング法と比較して成膜時に導入する酸素量の制御を極めて精密に行う必要があるため、目的とする透明導電膜を再現性よく得るための手法としては不適当である。
【０００９】
本発明の目的は、シート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□である透明導電膜を直流スパッタリング法によって安定に製膜することが可能なターゲットおよびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、特定の組成および電気的特性を有する酸化物焼結体をターゲットとして用いることにより、直流スパッタリング法によってもシート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□である透明導電膜を安定に製膜することができることを見い出した。
【００１１】
本発明は上記の知見に基づいて完成されたものであり、本発明のターゲットは、インジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が１６．９〜４０at％である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が０．５×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍであることを要旨とする（以下このターゲットを「ターゲットＴ１」という。）。
【００１２】
また、本発明の他のターゲットは、インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が１１．２〜３７．２at％である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が１．３×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍであることを要旨とする（以下このターゲットを「ターゲットＴ２」という。）。
【００１３】
一方、本発明のターゲットの製造方法は、インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含み、インジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が１６．９〜４０at％で、体積抵抗率が０．５×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍである酸化物焼結体からなるターゲットを得ることを要旨とする（以下この方法を「方法Ｉ」という。）。
【００１４】
また、本発明の他のターゲットの製造方法は、インジウム（Ｉｎ）酸化物および錫（Ｓｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含み、インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が１１．２〜３７．２at％で、体積抵抗率が１．３×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍである酸化物焼結体からなるターゲットを得ることを要旨とする（以下この方法を「方法II」という。）。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明のターゲットＴ１について説明すると、このターゲットＴ１は、上述したようにインジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記の群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が２．０〜４０at％である酸化物焼結体からなる。
【００１６】
ここで、酸化物焼結体において上記の群より選択された金属元素の総量の原子比を上述のように限定する理由は、この原子比が上記の範囲から外れると、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いたスパッタリング法によって得られる透明導電膜の比抵抗が９．６×１０-4Ω・ｃｍ未満になり易くなるか、または、当該酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にすることが困難になるからである。
【００１７】
得られる透明導電膜の比抵抗が９．６×１０-4Ω・ｃｍ未満では、当該透明導電膜の膜厚を実用に耐え得る最小膜厚（約１２ｎｍ）としてもそのシート抵抗が８００Ω／□未満となり、シート抵抗が８００Ω／□未満では入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための高抵抗電極膜に要求される電気的特性を満足し得なくなる。また、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超える酸化物焼結体では、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いて直流スパッタリングを行ったときに異常放電が誘発される，ターゲットに割れが生じる等の不具合が発生し易くなる。
なお、上述した原子比を表す式中の「全金属原子」とは、上記の群より選ばれた金属元素についての原子数（相対値）の総和を意味する（後述するターゲットＴ２、方法Ｉおよび方法IIにおいても同じ。）。
【００１８】
上記の酸化物焼結体をターゲットとして用いた場合には、当該ターゲットの組成や製膜条件等を調整することによって、概ね９．６×１０-4〜２．０×１０-1Ω・ｃｍの範囲内で、種々の比抵抗の透明導電膜を製膜することが可能である。したがって、酸化物焼結体の組成は、当該酸化物焼結体が後述する体積抵抗率についての条件を満たしさえすれば、目的とする透明導電膜の電気的特性に応じて適宜選択可能である。
【００１９】
例えば、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るためには、シート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□、好ましくは８００〜５０００Ω／□、より好ましくは１０００〜３０００Ω／□、更に好ましくは２０００〜３０００Ω／□で、比抵抗が９．６×１０-4〜２×１０-1Ω・ｃｍ、より好ましくは３×１０-3〜９×１０-3Ω・ｃｍ、更に好ましくは６×１０-3〜９×１０-3Ω・ｃｍである透明電極膜を得ることが望ましいので、このような透明電極膜（透明導電膜）が得られるよう、各成分のスパッタ率や製膜条件等を勘案して、酸化物焼結体の組成を適宜調整する。また、電気抵抗の経時安定性の高い透明導電膜を得るうえからは、上記の酸化物焼結体における前記金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）を２．５〜３０at％とすることが好ましく、３．０〜１５at％とすることが特に好ましい。
【００２０】
本発明では、上記の酸化物焼結体の体積抵抗率を前述のように５×１０-2Ω・ｃｍ以下に限定する。その理由は、酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えると、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いて直流スパッタリングを行ったときに、異常放電が誘発されたりターゲットに割れが発生したりし易くなるからである。酸化物焼結体の体積抵抗率は２×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
【００２１】
酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にするうえからは、純度が９９％以上の素原料を用いて相対密度が８０％以上である酸化物焼結体を得ることが好ましい。前記素原料の純度は９９．９％以上であることがより好ましく、９９．９９％以上であることが更に好ましい。また、酸化物焼結体の相対密度は９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。焼結後の酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超える場合には、焼結後に真空中または還元雰囲気中でアニーリング処理を行って前記の酸化物焼結体を還元することにより、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。
【００２２】
なお、酸化物焼結体の相対密度を８０％以上にすることは、十分な製膜速度を確保するうえからも、また、光透過性の高い透明導電膜を得るうえからも好適である。ここに相対密度とは、酸化物の組成から計算した理論密度に対する焼結体の実際の密度を面分率で示したものである（後述するターゲットＴ２においても同じ。）。
【００２３】
前述した組成および上述した体積抵抗率を有する酸化物焼結体からなる本発明のターゲットＴ１は、当該ターゲットＴ１の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって透明導電膜を製膜するためのターゲットとして用いた場合でも、製膜時に異常放電が誘発されたりターゲットに割れが発生したりすることが起こりにくく、安定した製膜が可能である。また、直流スパッタリング法以外のスパッタリング法、例えば高周波スパッタリング法等によって透明導電膜を製膜する場合でも、安定した製膜が可能である。
【００２４】
本発明のターゲットＴ１を用いたスパッタリング法によって得られる膜は、インジウム（Ｉｎ）と、前述した群より選択された金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が概ね２．２〜４０at％である酸化物膜である。この酸化物膜における可視光の透過率はその膜厚が２００ｎｍのときに概ね８５％以上であるので、当該酸化物膜は、その膜厚を２００ｎｍ以下にすることにより透明導電膜として好適に使用することが可能になる。
【００２５】
そして、この透明導電膜の比抵抗は、酸素も含めてその組成を適宜調整することにより、換言すれば上記本発明のターゲットＴ１の組成および製膜条件を適宜調整することにより、膜厚が１２ｎｍのときに概ね９．６×１０-4〜１．２×１０-2Ω・ｃｍ、膜厚が２００ｎｍのときに概ね１．６×１０-2〜２．０×１０-1Ω・ｃｍとすることが可能であるので、その膜厚が１２〜２００ｎｍのときのシート抵抗を概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□とすることが可能である。このように高い電気抵抗を有する透明導電膜は、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための透明電極膜として特に好適である他、電磁波シールド材等としても好適である。
本発明のターゲットＴ１は種々の方法により製造することが可能であるが、後述する本発明の方法Ｉにより製造することが好ましい。
【００２６】
次に、本発明のターゲットＴ２について説明する。
本発明のターゲットＴ２は、前述したようにインジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記の群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が２．０〜３７．２at％である酸化物焼結体からなる。
【００２７】
ここで、酸化物焼結体におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比、錫（Ｓｎ）の原子比、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）との合量の原子比、および上記の群より選択された金属元素の総量の原子比をそれぞれ上述のように限定する理由は、これらの原子比が上記の範囲から外れると、当該酸化物焼結体をターゲットとして用いたスパッタリング法によって得られる透明導電膜の比抵抗が９．６×１０-4Ω・ｃｍ未満になり易くなるか、または、当該酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にすることが困難になるからである。
【００２８】
上記の酸化物焼結体をターゲットとして用いた場合にも、当該ターゲットの組成や製膜条件等を調整することによって、概ね９．６×１０-4〜２．０×１０-1Ω・ｃｍの範囲内で、種々の比抵抗の透明導電膜を製膜することが可能である。したがって、上記の酸化物焼結体の組成は、当該酸化物焼結体が後述する体積抵抗率についての条件を満たしさえすれば、ターゲットＴ１についての説明の中で述べたように、目的とする透明導電膜の電気的特性に応じて適宜選択可能である。電気抵抗の経時安定性の高い透明導電膜を得るうえからは、上記の酸化物焼結体におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）を６０〜９５at％、錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）を２．８〜２０at％とすることが特に好ましい。
【００２９】
本発明のターゲットＴ２は、組成的には上記の酸化物焼結体からなり、その体積抵抗率は、前述したターゲットＴ１におけると同じ理由から５×１０-2Ω・ｃｍ以下に限定され、当該体積抵抗率は２×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
【００３０】
酸化物焼結体の体積抵抗率を５×１０-2Ω・ｃｍ以下にするうえからは、前述したターゲットＴ１におけると同様に、純度が９９％以上の素原料を用いて相対密度が８０％以上である酸化物焼結体を得ることが好ましい。前記素原料の純度は９９．９％以上であることがより好ましく、９９．９９％以上であることが更に好ましい。また、酸化物焼結体の相対密度は９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。焼結後の酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超える場合には、前述したターゲットＴ１を得る場合と同様に、焼結後に真空中または還元雰囲気中でアニーリング処理を行って前記の酸化物焼結体を還元することにより、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。なお、酸化物焼結体の相対密度を８０％以上にすることは、十分な製膜速度を確保するうえからも、また、光透過性の高い透明導電膜を得るうえからも好適である。
【００３１】
前述した組成および上述した体積抵抗率を有する酸化物焼結体からなる本発明のターゲットＴ２も、当該ターゲットＴ２の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって透明導電膜を製膜するためのターゲットとして用いた場合でも、製膜時に異常放電が誘発されたりターゲットに割れが発生したりすることが起こりにくく、安定した製膜が可能である。また、直流スパッタリング法以外のスパッタリング法、例えば高周波スパッタリング法等によって透明導電膜を製膜する場合でも、安定した製膜が可能である。
【００３２】
本発明のターゲットＴ２を用いたスパッタリング法によって得られる膜は、インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、前述した群より選択された金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が概ね６０〜９５at％、錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が概ね２．５〜２０at％、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が概ね６２．５〜９８．２at％、前記の群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が概ね１．８〜３７．５at％である酸化物膜である。この酸化物膜における可視光の透過率はその膜厚が２００ｎｍのときに概ね８５％以上であるので、当該酸化物膜は、その膜厚を２００ｎｍ以下にすることにより透明導電膜として好適に使用することが可能になる。
【００３３】
そして、この透明導電膜の比抵抗は、酸素も含めてその組成を適宜調整することにより、換言すれば上記本発明のターゲットＴ２の組成および製膜条件を適宜調整することにより、膜厚が１２ｎｍのときに概ね９．６×１０-4〜１．２×１０-2Ω・ｃｍ、膜厚が２００ｎｍのときに概ね１．６×１０-2〜２．０×１０-1Ω・ｃｍとすることが可能であるので、その膜厚が１２〜２００ｎｍのときのシート抵抗を概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□とすることが可能である。このように高い電気抵抗を有する透明導電膜は、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための透明電極膜として特に好適である他、電磁波シールド材等としても好適である。
本発明のターゲットＴ２は種々の方法により製造することが可能であるが、後述する本発明の方法IIにより製造することが好ましい。
【００３４】
次に、本発明の方法Ｉについて説明する。
本発明の方法Ｉは、前述したように、インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含んでいる。
以下、原料調製工程、成形工程および焼結工程の順で説明する。
【００３５】
(1) 原料調製工程
この工程では、インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る。この混合酸化物の平均粒径は、後述する造粒処理を行わない場合には０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．１〜５μｍであることがより好ましい。後述する造粒処理を行わない場合、混合酸化物の平均粒径が０．０１μｍ未満では凝集が起こり易く、１０μｍを超えると混合性が低下し、また、緻密な焼結体を得ることが困難になる。
【００３６】
上記の混合酸化物を得るにあたっては、酸素を除いた各成分（インジウム（Ｉｎ）と上記の群より選択された金属元素）についての酸化物，塩化物，無機酸塩，水酸化物等を素原料として用いることができる。各素原料の純度は９９％以上であることが好ましく、より好ましくは９９．９％以上、特に好ましくは９９．９９％以上である。素原料の純度が９９％未満では、緻密な酸化物焼結体を得ることが困難になったり、目的とする体積抵抗率を有する酸化物焼結体を得ることが困難になる。
【００３７】
各成分の素原料として酸化物を用いる場合には、目的とする組成のターゲットＴ１が得られるように各酸化物（素原料）の粉末を所定量づつボールミル，ジェットミル，パールミル等の混合器に入れ、これらを粉砕・混合することにより目的とする混合酸化物を得ることができる。このとき、粉砕・混合の時間は１〜１００時間が好ましく、より好ましくは５〜５０時間、特に好ましくは１０〜５０時間である。１時間未満では混合が不十分になり易く、１００時間を超えると経済的でない。粉砕・混合時の温度について特別な制限はないが、室温が好ましい。
【００３８】
また、各成分の素原料として酸化物以外の物質を用いる場合には、目的とする組成のターゲットＴ１が得られるように前記の素原料を所定量づつボールミル，ジェットミル，パールミル等の混合器に入れて粉砕・混合して混合物を得た後に当該混合物を仮焼し、得られた仮焼物を前記の混合器等によって粉砕することにより目的とする混合酸化物を得ることができる。このときの仮焼温度および仮焼時間は素原料の種類にもよるが、概ね８００〜１６００℃で１〜１００時間が好ましい。８００℃未満または１時間未満では素原料の熱分解が不十分となり易く、１６００℃を超えるかまたは１００時間を超えた場合には素原料が焼結して粒子の粗大化が起こり易くなる。より好ましい仮焼温度および仮焼時間は１０００〜１３００℃で２〜５０時間である。
【００３９】
上述した仮焼・粉砕処理は１回でもよいし、仮焼物を粉砕して得た混合酸化物について更に仮焼・粉砕を行うという操作を所望回数行ってもよい。また、各成分の素原料として酸化物を用いて上述した仮焼・粉砕処理を行うことによって、目的とする混合酸化物を得てもよい。
【００４０】
仮焼の対象物が一旦得た混合酸化物である場合や素原料としての酸化物である場合の仮焼温度および仮焼時間も概ね８００〜１６００℃で１〜１００時間が好ましい。８００℃未満または１時間未満では素原料の熱分解が不十分となり易く、１６００℃を超えるかまたは１００時間を超えた場合には素原料が焼結して粒子の粗大化が起こり易くなる。より好ましい仮焼温度および仮焼時間は１０００〜１３００℃で２〜５０時間である。
【００４１】
また、目的とする混合酸化物は、上述のようにして得た混合酸化物を造粒することによっても、あるいは各成分の素原料を造粒することによっても、調製することができる。この造粒は、スプレードライ法等の常法により行うことができる。造粒をスプレードライ法で行う場合には、前記の混合酸化物もしくは素原料についての水溶液またはアルコール溶液等にポリビニルアルコール等のバインダーを添加した溶液を用いる。造粒条件は溶液濃度、バインダーの添加量によっても異なるが、造粒物の平均粒径が１〜１００μｍ、好ましくは５〜１００μｍ、特に好ましくは１０〜１００μｍになるように調節する。この造粒を行うことにより成形時の流動性や充填性を改善することが可能であるが、造粒物の平均粒径が１００μｍを超えると成形時の流動性や充填性が悪く、造粒の効果がない。
【００４２】
(2) 成形工程
この工程では、上記の原料調製工程で得た混合酸化物を、焼結に先立って所望形状に成形する。成形は金型成形，鋳込み成形，射出成形，加圧成形等により行うことができるが、相対密度の高い焼結体を得るうえからはＣＩＰ（冷間静水圧），ＨＩＰ（熱間静水圧）等の方法で加圧成形することが好ましい。
成形体の形状はターゲットとして好適な各種形状とすることができる。また、成形助剤にポリビニルアルコール、メチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等を用いてもよい。成形圧力は１０ｋｇ／ｃｍ2 〜１００ｔ／ｃｍ2 が好ましく、より好ましくは１００ｋｇ／ｃｍ2 〜１００ｔ／ｃｍ2 である。また成形時間は１０分〜１０時間が好ましい。成形圧力が１０ｋｇ／ｃｍ2 未満である場合や成形時間が１０分未満である場合には、相対密度の高い焼結体を得ることが困難になる。
【００４３】
(3)焼結工程
この工程では、上記の成形工程で得た成形物を焼結して酸化物焼結体を得る。焼結方法としてはＨＩＰ焼結，ホットプレス焼結，常圧焼結等を適用することができるが、経済性の面からは常圧焼結が好ましい。
焼結温度は１２００〜１６００℃が好ましく、より好ましくは１２５０〜１５５０℃、更に好ましくは１３００〜１５００℃である。１２００℃未満では十分な相対密度を有する酸化物焼結体を得ることが困難なため、後述するアニーリングを施しても目的とする体積抵抗率を有する酸化物焼結を得ることが困難である。また、１６００℃を超えると組成のずれが生じ易くなる。
焼結時間は焼結温度にもよるが、１〜５０時間が好ましく、より好ましくは２〜３０時間、特に好ましくは３〜２０時間である。１時間未満では焼結が十分に行われず、５０時間を超えると経済的でない。焼結時の雰囲気は空気または還元雰囲気である。還元雰囲気としては、Ｈ2 ，メタン，ＣＯ等の還元性ガス雰囲気、Ａｒ，Ｎ2 等の不活性ガス雰囲気が挙げられる。
【００４４】
以上説明した原料調製工程、成形工程および焼結工程を経て得た酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えている場合には、以下に述べるアニーリング工程を行うことにより、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。
【００４５】
・アニーリング工程
この工程では、上記の焼結工程で得られた酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えている場合に、当該酸化物焼結体を還元することによってその体積抵抗率を低下させて、目的とする体積抵抗率を有する酸化物焼結体を得る。アニーリングは、焼結炉，ホットプレス還元炉等の炉中で真空下または還元雰囲気下に行われる。還元雰囲気としては、Ｈ2 ，メタン，ＣＯ等の還元性ガス、Ａｒ，Ｎ2 等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。
【００４６】
真空下にアニーリングを行う場合のアニーリング温度は２００〜１０００℃が好ましく、より好ましくは２００〜７００℃、更に好ましくは２００〜５００℃である。２００℃未満では十分な還元が行われず、１０００℃を超えると焼結体中のインジウム酸化物あるいは亜鉛酸化物の昇華が起り、組成のずれを生じる。アニーリング時間は１〜５０時間が好ましく、より好ましくは２〜３０時間、更に好ましくは３〜２０時間である。１時間未満では十分な還元が行われず、５０時間を超えると経済的でない。
【００４７】
また、還元雰囲気下にアニーリングを行う場合のアニーリング温度は２００〜１０００℃が好ましく、より好ましくは３００〜１０００℃、更に好ましくは４００〜１０００℃である。２００℃未満では十分な還元が行われず、１０００℃を超えると経済的でない。アニーリング時間は上記と同様に１〜５０時間が好ましく、より好ましくは２〜３０時間、更に好ましくは３〜２０時間である。
上述のようにしてアニーリングした後の焼結体は、アニーリング前に比べてその色が黒色化する。
【００４８】
前述した原料調製工程、成形工程および焼結工程を行うことにより、または、前述した焼結工程まで行った後に必要に応じて上記のアニーリング工程を行うことにより、目的とする本発明のターゲットＴ１を得ることができる。このターゲットＴ１は、体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって製膜を行う際のターゲットとして用いた場合にも異常放電が誘発されたり割れが生じたりしにくいものである。また、当該ターゲットＴ１は、シート抵抗が８００Ω／□〜１０ｋΩ／□の透明導電膜を直流スパッタリング法や高周波スパッタリング法等のスパッタリング法によって安定して製膜することが可能なターゲットである。
【００４９】
次に、本発明の方法IIについて説明する。
本発明の方法IIは、前述したように、インジウム（Ｉｎ）酸化物および錫（Ｓｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程とを含んでいる。
【００５０】
方法IIは、原料調製工程で得る混合酸化物が、インジウム（Ｉｎ）酸化物と上記の群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との他に錫（Ｓｎ）酸化物を含んでいる点で前述した方法Ｉと異なるが、この点を除けば、原料調製工程、成形工程および焼結工程はそれぞれ前述した方法Ｉと同様にして行われる。したがって、新たに加わった錫（Ｓｎ）酸化物についてのみここでは詳しく説明し、原料調製工程における他の点ならびに成形工程、焼結工程および必要に応じて行うアニーリング工程の詳細については省略する。
【００５１】
方法IIでは、原料調製工程において上記の錫（Ｓｎ）酸化物を含んでいる混合酸化物を得るわけであるが、当該混合酸化物を得るにあたっては、インジウム（Ｉｎ）酸化物についての素原料および上記の群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物の素原料の他に、錫（Ｓｎ）についての酸化物，塩化物，無機酸塩，水酸化物等を前記錫（Ｓｎ）酸化物の素原料として用い、目的とする組成のターゲットＴ２が得られるようにこれらの素原料をそれぞれ所定量づつ使用する。方法IIにおいて使用する各素原料の純度は、前述した方法Ｉにおけると同じ理由から９９％以上であることが好ましく、より好ましくは９９．９％以上、特に好ましくは９９．９９％以上である。
【００５２】
原料調製工程、成形工程および焼結工程を経て得た酸化物焼結体の体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍを超えている場合には、前述した方法Ｉにおけると同様に、アニーリング工程を行うことにより体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下の酸化物焼結体を得ることができる。このアニーリング工程は、方法Ｉにおけると同様にして行うことができる。
【００５３】
原料調製工程、成形工程および焼結工程を行うことにより、または、焼結工程まで行った後に必要に応じて上記のアニーリング工程を行うことにより、目的とする本発明のターゲットＴ２を得ることができる。このターゲットＴ２は、前述したターゲットＴ１と同様に体積抵抗率が５×１０-2Ω・ｃｍ以下であることから、直流スパッタリング法によって製膜を行う際のターゲットとして用いた場合にも異常放電が誘発されたり割れが生じたりしにくいものである。また、当該ターゲットＴ２は、シート抵抗が８００Ω／□〜１０ｋΩ／□の透明導電膜を直流スパッタリング法や高周波スパッタリング法等のスパッタリング法によって安定して製膜することが可能なターゲットである。
【００５４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
（１）原料の調製
表１に示すように、純度９９．８％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末（平均粒径１μｍ）２６８ｇと純度９９．５％の酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末（平均粒 径１μｍ）３２ｇとを素原料として用い、これらをエタノールおよびアルミナボールと共にポリイミド製ポットに入れ、遊星ボールミルで２時間混合した。
得られた混合粉末を空気雰囲気中、１０００℃で５時間仮焼した後、得られた焼成物を再びエタノールおよびアルミナボールと共にポリイミド製ポットに入れ、遊星ボールミルで２時間粉砕した。
上述のようにして得られた粉末に水とポリビニルアルコールを添加し、混合した後、スプレードライヤーで造粒して、インジウム酸化物とチタン酸化物とからなる平均粒径１０μｍの混合酸化物を得た。
【００５５】
（２）成形
上記の混合酸化物粉末を金型に入れ、金型プレス成形機により１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で予備成形を行った後、冷間静水圧プレス成型機で４ｔ／ｃｍ2 の圧力で圧密化して、直径４．１インチ，厚さ５．３ｍｍの円板状を呈する成形物を得た。
【００５６】
（３）焼結
上記の成形物を焼結炉に入れ、空気雰囲気中１５００℃で４時間常圧焼結して、酸化物焼結体を得た。
次に、この酸化物焼結体の表面研磨を行ってその大きさを直径４インチ，厚さ５ｍｍとし、これによって目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（相対密度９５％；ターゲットＴ１の１つ）を得た。
上記のターゲットから２０ｍｍ×４０ｍｍ×５ｍｍのテストピースを切り出し、その体積抵抗率を四端子法により測定した。また、このテストピースを用いて、セイコー電子工業（株）製のＳＰＳ−１５００ＶＲを用いたＩＣＰ分析（誘導結合プラズマ発光分光分析）によりその組成分析を行い、この結果に基づいてインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）およびチタン（Ｔｉ）の原子比Ｔｉ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）を求めた。これらの結果を表２に示す。
【００５７】
（４）ターゲットの寿命試験
上記（１）〜（３）と同様にして直径４インチ，厚さ５ｍｍの円板状を呈する酸化物焼結体からなるターゲットを作製し、このターゲットを用いての直流マグネトロンスパッタリングをターゲット印加電力５Ｗ／ｃｍ2 の条件で連続１００時間行い、この間における異常放電の誘発の有無およびターゲットの割れの有無を観察した。
このとき、ターゲットのバッキングプレートとしては銅製のものを用い、ボンディング材としてはインジウム金属を用いた。なお、異常放電の誘発の有無はチャンバーのビューポートから目視により観察した。また、ターゲットの割れの有無は、異常放電が誘発された場合にはその直後にターゲットを目視検査し、異常放電が誘発されなかった場合には寿命試験後にターゲットを目視検査して、確認するものとした。これらの結果を表３に示す。
【００５８】
（５）透明導電膜の製膜
上記（１）〜（３）と同様にして直径４インチ，厚さ５ｍｍの円板状を呈する酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を作製し、このターゲットを用いて下記条件の直流マグネトロンスパッタリングにより、５ｃｍ（縦）×５ｃｍ（横）×１ｍｍ（厚さ）の大きさの無アルカリガラス（コーニング社製の＃７０５９）上に膜厚１５ｎｍの透明導電膜を製膜した。
【００５９】
スパッタリング装置 ：ＨＳＭ５５２（島津製作所（株）製）
ターゲットサイズ ：直径４インチ，厚さ５ｍｍ
放電形式 ：直流マグネトロン
放電電流 ：０．２Ａ
バックグラウンド圧力 ：５×１０-4Ｐａ
導入ガス（雰囲気ガス）：９７vol％Ａｒ＋３vol％Ｏ2 混合ガス
ガス流量 ：１０ＳＣＣＭ
プレスパッタ圧力 ：２×１０-1Ｐａ
プレスパッタ時間 ：５分
スパッタリング圧力 ：２×１０-1Ｐａ
スパッタリング時間 ：１０秒
基板温度 ：室温
【００６０】
上述の条件で得られた透明導電膜について、そのシート抵抗および比抵抗を求めた。これらの結果を表３に併記する。なお、透明導電膜の膜厚はスローン社製のＤＥＫＴＡＫ３０３０を用いた触針法により測定し、そのシート抵抗は三菱油化社製のロレスタＦＰを用いた四端子法により測定し、その比抵抗はシート抵抗に膜厚を乗じることにより算出した。
さらに、上記の透明導電膜について、大気中において１３０℃，４００時間の条件の耐熱試験を行い、試験前のシート抵抗Ｒ0 に対する試験後のシート抵抗Ｒの値Ｒ／Ｒ0 を求めた。この結果を表３に併記する。
【００６１】
実施例２〜実施例１４
素原料として表１に示すものを用いた以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、実施例毎に目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を計２枚ずつ得た。◎
これらのターゲットについて、実施例毎に２枚のターゲットうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、各透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６２】
実施例１５
仮焼・粉砕処理とスプレードライヤーでの造粒処理をそれぞれ省いたこと以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６３】
実施例１６
焼結温度を１２００℃とした以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行い、焼結後さらに真空焼結炉を用いて真空中９５０℃で２時間熱処理することによりアニーリングを行って、目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ１の１つ）を計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６４】
実施例１７
表１に示すように、純度９９．８％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末（平均粒径１μｍ）２５０ｇと純度９９．５％の酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末（平均粒 径１μｍ）２０ｇと純度９９．５％の酸化錫（ＳｎＯ2）粉末（平均粒径１μｍ）３０ｇとを素原料として用い、他は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、目的とする酸化物焼結体からなるターゲット（ターゲットＴ２の１つ）を計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行い、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、更に、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表２または表３に示す。
【００６５】
比較例１
表１に示すように酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末として純度が９０．５％のものを用い、他は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、表２に示すように体積抵抗率が本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６６】
比較例２
焼結温度を８００℃とした以外は実施例１（１）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、上記のようにして得たターゲットはその相対密度が７５％（表２参照）と低いことから、表２に示すように体積抵抗率が本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６７】
比較例３
表１に示すように酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末の使用量を２９８ｇとし、かつ、酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末の使用量を２ｇとし、他は実施例１（１）〜 （３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、表２に示すように、上記のようにして得たターゲットは体積抵抗率およびチタン（Ｔｉ）の原子比が共に本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６８】
比較例４
表１に示すように酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末の使用量を１９１ｇとし、かつ、酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末の使用量を１０９ｇとし、他は実施例１（１ ）〜（３）と同様にして原料の調製、成形および焼結を行って、酸化物焼結体からなるターゲットを計２枚得た。
これらのターゲットのうちの一方を用いてその体積抵抗率の測定および組成分析を実施例１と同様にして行ったところ、表２に示すように、上記のようにして得たターゲットはチタン（Ｔｉ）の原子比が本発明の限定範囲外のものであった。体積抵抗率の測定結果および組成分析結果を表２に示す。
また、他方のターゲットを用いてその寿命試験および当該ターゲットを用いての透明導電膜の製膜を実施例１（４）または（５）と同様にして行い、透明導電膜については実施例１で求めたと同じ項目を実施例１と同様にして求めた。これらの結果を表３に示す。
【００６９】
【表１】
【表２】
【表３】
表３に示したように、実施例１〜実施例１７で作製した各ターゲットは、直流マグネトロンスパッタリングによって透明導電膜を製膜するためのターゲットして用いた場合でも、異常放電の誘発やターゲットの割れを起こしにくいものである。これは、各ターゲットの体積抵抗率が０．８×１０-2〜３．９×１０-2Ω・ｃｍと低い（表２参照）からである。
【００７３】
また、実施例１〜実施例１７で製膜した各透明導電膜は、表３に示したように比抵抗が１．０×１０-3〜９．４×１０-3Ω・ｃｍと高く、そのシート抵抗も０．８ｋΩ／□〜８．２ｋΩ／□と高い。このような電気的特性を有する実施例１〜実施例１７の各透明導電膜は、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0 が１．１〜１．３と低い（表３参照）ことと相俟って、入力精度が向上したアナログ式のタッチパネルを得るための透明電極膜またはその材料等として好適なものである。
【００７４】
一方、表３に示したように、比較例１および比較例３で作製した各ターゲットは、直流マグネトロンスパッタリング用のターゲットとして用いた場合には連続１８時間または５０時間スパッタリングを行った後に異常放電の誘発およびターゲットの割れが起こり、長時間の製膜には耐えられない。したがって、これらのターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリングによって透明導電膜を製膜する場合には、ターゲットを頻繁に交換する必要が生じ、生産上、非効率的である。
【００７５】
比較例１および比較例３で作製した各ターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリングにおいて異常放電の誘発およびターゲットの割れが起こるのは、これらのターゲットの体積抵抗率が２０．０×１０-2Ω・ｃｍまたは７．３×１０-2Ω・ｃｍと高いことに起因している。そして、比較例１で作製したターゲットの体積抵抗率が２０．０×１０-2Ω・ｃｍと高いのは、素原料として用いた酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末の純度が９０．５％と低いことに起因しているものと推察され、比較例３で作製したターゲットの体積抵抗率が７．３×１０-2Ω・ｃｍと高いのは、チタン（Ｔｉ）の原子比が１．２at％と低かったことに起因しているものと推察される。
【００７６】
また、比較例２で作製したターゲットは体積抵抗率が６１．３×１０-2Ω・ｃｍと極めて高く、ＤＣ放電そのものが起こらなかった。比較例２で作製したターゲットの体積抵抗率が６１．３×１０-2Ω・ｃｍと高いのは、焼結温度が８００℃と低かったことからその相対密度が７５％という低い値にとどまったことに起因しているものと推察される。
【００７７】
比較例４で作製したターゲットは体積抵抗率が０．２×１０-2Ω・ｃｍと低く、直流マグネトロンスパッタリングのターゲットとして用いた場合でも異常放電の誘発およびターゲットの割れが起こりにくいものであるが、このターゲットを用いたときに得られる透明導電膜の比抵抗は０．６×１０-3Ω・ｃｍと低い。したがって、シート抵抗が８００Ω／□以上の透明導電膜を得るためにはその膜厚を８ｎｍ以下にする必要があり、このように薄い膜は島状構造の域を脱しないため、実用的でない。また、表３に示した抵抗変化率Ｒ／Ｒ0 の値から明らかなように、当該透明導電膜は耐熱性の低い膜であり、この点からも実用的でない。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればシート抵抗が概ね８００Ω／□〜１０ｋΩ／□と高い透明導電膜を生産上有利な直流スパッタリング法によって安定して製膜することが可能になる。
Claims (9)
- インジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が１６．９〜４０at％である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が０．５×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍであることを特徴とするターゲット。
- インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が１１．２〜３７．２at％である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が１．３×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍであることを特徴とするターゲット。
- インジウム（Ｉｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、
前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、
前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程と
を含み、
インジウム（Ｉｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋全金属原子）が１６．９〜４０at％で、体積抵抗率が０．５×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍである酸化物焼結体からなるターゲットを得ることを特徴とするターゲットの製造方法。 - インジウム（Ｉｎ）酸化物および錫（Ｓｎ）酸化物と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素についての酸化物との混合酸化物を得る原料調製工程と、
前記原料調製工程で得られた混合酸化物を成形する成形工程と、
前記成形工程で得られた成形物を焼結する焼結工程と
を含み、
インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）と、チタン（Ｔｉ），イリジウム（Ｉｒ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），コバルト（Ｃｏ），ビスマス（Ｂｉ）およびマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択された少なくとも１種の金属元素と、酸素（Ｏ）とを構成元素とし、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６０〜９５at％、前記錫（Ｓｎ）の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が２．８〜２０at％、前記インジウム（Ｉｎ）と前記錫（Ｓｎ）との合量の原子比（Ｉｎ＋Ｓｎ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が６２．８〜９８at％、前記群より選択された金属元素の総量の原子比（全金属原子）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋全金属原子）が１１．２〜３７．２at％で、体積抵抗率が１．３×１０−２〜５×１０−２Ω・ｃｍである酸化物焼結体からなるターゲットを得ることを特徴とするターゲットの製造方法。 - 原料調製工程において、純度が９９％以上である素原料を用いて混合酸化物を得る、請求項３または請求項４に記載の方法。
- 原料調製工程において、所定の原料組成物を仮焼して仮焼物を得た後に該仮焼物を粉砕して粉末状の混合酸化物を得る仮焼・粉砕処理および／または所定の原料組成物を造粒して粒状の混合酸化物を得る造粒処理を行う、請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の方法。
- 焼結工程での焼結温度が１２００〜１６００℃である、請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載の方法。
- 焼結工程で得た焼結体をアニーリングするアニーリング工程を含む、請求項３〜請求項７のいずれか１項に記載の方法。
- アニーリング工程でのアニーリング温度が２００〜１０００℃である、請求項８に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01502896A JP3803132B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01502896A JP3803132B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09209134A JPH09209134A (ja) | 1997-08-12 |
| JP3803132B2 true JP3803132B2 (ja) | 2006-08-02 |
Family
ID=11877388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01502896A Expired - Fee Related JP3803132B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3803132B2 (ja) |
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| EP3441376A4 (en) * | 2016-02-22 | 2019-11-13 | Tosoh Corporation | SINTERED OXIDE BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM |
| US10815564B2 (en) | 2016-02-22 | 2020-10-27 | Tosoh Corporation | Oxide sintered body and transparent conductive oxide film |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4794757B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-10-19 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
| CN1320155C (zh) * | 2001-06-26 | 2007-06-06 | 三井金属矿业株式会社 | 高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法 |
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| US11377725B2 (en) | 2016-02-22 | 2022-07-05 | Tosoh Corporation | Oxide sintered body and transparent conductive oxide film |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09209134A (ja) | 1997-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060206 |
|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060427 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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