[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2005033172A - 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス - Google Patents

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2005033172A
JP2005033172A JP2004079273A JP2004079273A JP2005033172A JP 2005033172 A JP2005033172 A JP 2005033172A JP 2004079273 A JP2004079273 A JP 2004079273A JP 2004079273 A JP2004079273 A JP 2004079273A JP 2005033172 A JP2005033172 A JP 2005033172A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
active layer
semiconductor device
isolation
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004079273A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4108633B2 (ja
Inventor
Toshinori Sugihara
利典 杉原
Hideo Ono
英男 大野
Masashi Kawasaki
雅司 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2004079273A priority Critical patent/JP4108633B2/ja
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US10/560,907 priority patent/US8093589B2/en
Priority to CN201010239835.4A priority patent/CN101916785B/zh
Priority to PCT/JP2004/008322 priority patent/WO2004114391A1/ja
Priority to KR1020057024366A priority patent/KR100745254B1/ko
Priority to TW093117707A priority patent/TWI243480B/zh
Publication of JP2005033172A publication Critical patent/JP2005033172A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4108633B2 publication Critical patent/JP4108633B2/ja
Priority to US13/072,910 priority patent/US20110175090A1/en
Priority to US13/365,389 priority patent/US20120132908A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

【課題】 酸化亜鉛を活性層に用い、かつ活性層を雰囲気と隔絶する保護層の付与された半導体装置の実使用を可能にする。
【解決手段】 薄膜トランジスタ１において、絶縁性基板２上のゲート電極３の上に、ゲート絶縁層４を介して半導体層５が積層され、その上にソース電極６とドレイン電極７とが形成され、さらにその上を覆う保護層８が形成されて、半導体層５を雰囲気から隔絶している。半導体層５（活性層）は、例えばＶ族元素が添加されたＺｎＯの多結晶状態の半導体を用いて形成される。ＺｎＯは、保護層８により表面準位が減少し、内部への空乏層が拡がりが解消されるので、本来の抵抗値を示すｎ型半導体となり、自由電子が過剰な状態になる。添加された元素はＺｎＯに対してアクセプタ不純物として働くので、過剰な自由電子が減少する。これにより、過剰な自由電子を排除するためのゲート電圧が低下するので、しきい値電圧が０Ｖ付近となる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、酸化亜鉛系の活性層を有する半導体装置に係り、電子デバイスに用いられるスイッチング素子に好適な半導体装置およびそれを用いた電子デバイスに関するものである。
従来、酸化亜鉛（ＺｎＯ）は可視光領域において透明であり、また低温での作製においても比較的良い物性を示す半導体である。そのため、近年盛んに研究が行われ、種々の技術が報告されている。
例えば、学術的には、非特許文献１ないし３の論文が発表されている。これらの論文は、いずれもＺｎＯを活性層とした薄膜トランジスタが性能良く動作すること示している。
また、特許出願においては、特許文献１ないし３にＺｎＯを半導体に利用した技術が開示されている。
特許文献１には、トランジスタのチャネル層に酸化亜鉛等の透明半導体を使用し、ゲート絶縁層にも透明絶縁性酸化物を使用して、トランジスタを透明にすることが記載されている。
特許文献２には、酸化亜鉛と下地膜との格子不整合を下地膜の材料を選択することで解消し、酸化亜鉛を用いた薄膜トランジスタを含む半導体デバイスの高性能化が可能であることが記載されている。
特許文献３には、酸化亜鉛等の透明チャネル層を有するトランジスタのオン・オフ比特性や移動度特性を改善するために、酸化亜鉛に３ｄ遷移金属をドープする等の方法が記載されている。
以上に記した論文および特許文献により酸化亜鉛を用いたトランジスタの有効性が示されている。
しかしながら、特許文献４に開示されたように、酸化亜鉛は雰囲気に対して感受性が高く、酸化亜鉛を用いたデバイスの特性が大きく変化するため、実用性においては保護層（絶縁物）により酸化亜鉛を雰囲気から隔絶する必要がある。特許文献４は、酸化亜鉛をチャネル層に用いた縦型電界効果トランジスタをガスセンサーとして利用することが記載されている。
上記の非特許文献１、２および３では、構造において保護層の付与は無く、保護層付与による影響に関しては論じられてはいない。また、特許文献１、２および３では、構造において雰囲気からの隔絶の例示もされているが、保護層（ここではゲート絶縁層がそれに対応する）の付与の影響に関して論じられていない。
特開２０００−１５０９００号公報（公開日：２０００年５月３０日） 特開２０００−２７７５３４号公報（公開日：２０００年１０月６日） 特開２００２−７６３５６号公報（公開日：２００２年３月１５日） 特開昭６３−１０１７４０号公報（公開日：１９８８年５月６日） R.L.Hoffman, B.J.Norris and J.F.Wager, "ZnO-based transparent thin-film transistors"APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 82, NUMBER 5, 3 FEBRUARY 2003, pp733-735 P.F.Carcia, R.S.McLean, M.H.Reilly and G.Nunes,Jr."Transparent ZnO thin-film transistor fabricated by rf magnetron suputtering"APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 82, NUMBER 7, 17 FEBRUARY pp1117-1119 Junya NISHII et al.,"High Performance Thin Film Transistors with Transparent ZnO Channels"Jpn. Appl. Phys. Vol. 42. (2003) pp L1-L3
酸化亜鉛を活性層に用いたトランジスタにおいて、実用上、その特性には安定性が求められ、雰囲気に対して感受性が高い酸化亜鉛を用いる場合、雰囲気からの隔絶が絶対条件となる。この意味において、保護層の付与による影響に関しては論じる必要があり、そのことについて以下に説明する。
図１４（ａ）は、保護層が付与されないトランジスタ５０を示している。このトランジスタ５０は、逆スタガ構造を成しており、ガラス基板５２上にＴａで形成されるゲート電極５３の上に、Ａｌ２Ｏ３で形成されるゲート絶縁層５４を介して意図的にドーピングを行っていない酸化亜鉛が半導体層５５として積層され、この半導体層５５の上にＡｌで構成されるソース電極５６とドレイン電極５７とが形成されている。
図１４（ｂ）は、保護層が付与されたトランジスタ５１を示している。このトランジスタ５１は、上記のトランジスタ５０において、さらに半導体層５５、ソース電極５６およびドレイン電極５７の一部を覆うように、保護層５８がＡｌ２Ｏ３で形成される構造を成している。
図１５は、酸化亜鉛を活性層（半導体層５５）に用いた同一の電界効果トランジスタで保護層の有無についてのＩｄ−Ｖｇ特性を示す。
図１５からわかるように、保護層の有無により、しきい値電圧が大幅に変化している。保護層が付与されたトランジスタのしきい値電圧は、保護層が付与されていないトランジスタのしきい値に比べて大きくマイナス側にシフトしており、実用不可能な大きな負の値となっている。
このような現象が起こることは、以下のように説明できる。酸化亜鉛は、もともと酸素空孔を生じやすく、その酸素空孔から自由電子が生成され、ｎ型の伝導性を示す半導体である。しかし、酸化亜鉛がその表面に有する表面準位により、酸化亜鉛表面のフェルミ準位は押し下げられると、その結果、空乏層が、酸化亜鉛内部に拡がってチャネル層を形成するゲート絶縁層界面まで達し、自由電子を排除するため、酸化亜鉛が高抵抗化する。高抵抗な酸化亜鉛では可動電荷である自由電子が少なく、この自由電子を排除するために必要なゲート電圧は小さくなるため、しきい値電圧の絶対値が小さくなる。この状態が、保護層の無い状態である。
酸化亜鉛に保護層としてＡｌ２Ｏ３を付与すると、酸化亜鉛の表面準位が減少する。このことは、第５０回応用物理学会関係連合講演会、２９ｐ−Ｆ−８（２００３／３）で、酸化亜鉛とＡｌ２Ｏ３の整合性が良く、欠陥準位が少ないという報告から理解できる。この表面準位の減少のため、酸化亜鉛表面のフェルミ準位は酸化亜鉛が本来持っている自由電子の濃度により決まる位置に復元し、その結果、酸化亜鉛内部への空乏層の拡がりが無くなる。このため、酸化亜鉛が本来のｎ型伝導性を示し、低抵抗化、つまり自由電子の多い状態になる。この多数存在する自由電子を排除するためには、大きなマイナスのゲート電圧が必要となり、その結果、しきい値電圧が負の大きな値となる。
図１６は、Ａｌ２Ｏ３保護層の有無による酸化亜鉛の抵抗率の変化を示しており、Ａｌ２Ｏ３保護層付与により、酸化亜鉛の抵抗率が約１／６４００に減少することを示している。このことからも、上記の機構が裏付けられる。
上記のように、酸化亜鉛を活性層に用いた電界効果トランジスタにおいて、保護層の付与によってトランジスタとしての特性が大きく変化することを発見し、論じたのは初めてである。
酸化亜鉛を活性層に使用した電界効果トランジスタにおいては、酸化亜鉛の雰囲気に対する敏感性から、保護層が必要不可欠である。しかし、上記のように、保護層の付与された電界効果トランジスタは、しきい値電圧がマイナスの大きな電圧となるため、実使用が不可能となる。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、酸化亜鉛を活性層に用い、かつ活性層を雰囲気と隔絶する保護層の付与された、実使用が可能である半導体装置およびそれを備えた電子デバイスを提供することを目的としている。
本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体から成り、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族の元素が添加されている活性層と、前記活性層を、前記活性層において可動電荷が移動する領域が雰囲気の影響を受けない範囲で雰囲気から隔絶する隔絶体とを備えていることを特徴としている。
上記の構成において、隔絶体は、活性層を雰囲気から隔絶できれば良く、保護層や絶縁層だけでなく電極等を含んでいても良い。また、活性層のすべてが隔絶体によって隔絶されていても良いが、少なくとも活性層において可動電荷が移動する領域（例えば、薄膜トランジスタのチャネル部分）が雰囲気の影響を受けない範囲で雰囲気から隔絶されておれば良く、これを満たせば活性層の一部が隔絶層から雰囲気に露出していても構わない。
このように、雰囲気に対して敏感なＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯからなる活性層を隔絶体によって雰囲気から隔絶することにより、半導体装置の素子特性を安定化させることが可能である。また、保護層等の隔絶体によって結果的に発生する活性層の可動電荷を、活性層にＩ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族の元素が添加されることにより減少させることができる。これは、保護層等を形成することで例えばＺｎＯの表面準位が減少し、ＺｎＯ内部への空乏層の拡がりが解消され、ＺｎＯは本来の抵抗値を示すｎ型半導体となり、自由電子が過剰な状態になる。例えばＶ族元素の窒素はＺｎＯに対してアクセプタ不純物として働くので、窒素の添加により過剰な自由電子が減少する。また、Ｉ族元素である水素は、ＺｎＯ中に存在する状態では、自由電子の源となるダングリングボンドに対してターミネータとして働くので、水素を添加によっても過剰な自由電子が減少する。このような自由電子の減少により、フェルミ準位がバンドギャップ中央付近に押し下げられる。これにより、過剰な自由電子を排除するためのゲート電圧が低下するので、しきい値電圧が高まる。このように、トランジスタの重要な特性の１つであるしきい値電圧を実使用可能な電圧に制御することが可能となる。
前記半導体装置においては、前記元素が、窒素、リン、砒素、アンチモンまたはこれらのうち２種類以上であることが好ましい。これらの元素が活性層に添加されることにより、添加量に応じてしきい値電圧を比較的大きい範囲で精度良く制御することができる。
あるいは、前記半導体装置においては、前記元素が、窒素、リン、砒素、アンチモンまたはこれらのうち２種類以上と水素とであることが好ましい。これらの元素が活性層に添加されることによっても、添加量に応じてしきい値電圧を比較的大きい範囲で精度良く制御することができる。また、このような半導体装置の製造においては、前記活性層を、例えば、窒素、一酸化二窒素、一酸化窒素または二酸化窒素のうち１種類以上と、水蒸気、過酸化水素、アンモニアまたはこれらのうち１種類以上とを含む雰囲気中で形成する。これにより、窒素と水素とが、形成された活性層に添加される。
前記半導体装置においては、前記隔絶体が異なる隔絶層から成ることが好ましい。例えば、隔絶体は、前述のように活性層を雰囲気から隔絶できれば良く、複数の隔絶層から成ることにより、絶縁層、電極、保護層等を隔絶層として含む薄膜トランジスタなどを本発明に容易に適用することができる。
前記半導体装置においては、前記隔絶層のうち少なくとも１つが、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体により形成されていることが好ましい。これらの材料は、ＺｎＯおよびＭｇｘＺｎ１−ｘＯとの整合性が良好であるため、活性層と直接界面を形成する隔絶層に適している。
この半導体装置においては、前記活性層に接続される２つの電極以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層のうち、前記活性層における可動電荷の移動を制御する制御電極と前記活性層との間を絶縁する隔絶層と界面を形成する領域以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体により形成されていることが好ましい。例えば、薄膜トランジスタにおいては、活性層に接続される２つの電極は、ソース電極およびドレイン電極に相当し、制御電極はゲート電極に相当する。逆スタガ型の薄膜トランジスタでは、基板上にゲート電極が形成され、さらにゲート絶縁層（隔絶層）を介したその上に活性層が形成される。ここでは、ゲート絶縁層と界面を形成する領域以外で活性層と界面を形成する隔絶層は、活性層における、ソース電極およびドレイン電極間に現れる上端面ならびに一部の側端面と界面を形成する隔絶層である（図１（ａ）ないし（ｃ）の保護層８に相当）。このような半導体装置に必須の電極や絶縁層以外で活性層を雰囲気から隔絶する保護層としての役割を果たす隔絶層が設けられている構成においては、前記のようにＺｎＯおよびＭｇｘＺｎ１−ｘＯとの整合性が良好な上記の材料により、活性層の上記の領域と直接界面を形成する隔絶層を形成することにより、半導体装置の素子特性を安定させることができる。
前記半導体装置においては、前記隔絶層のうち少なくとも１つが樹脂により形成されていることが好ましい。隔絶層として樹脂を用いることで、樹脂による隔絶層の形成に既存の樹脂形成装置を用いることが可能である。それゆえ、隔絶層を形成するために複雑な成膜プロセスを用いることなく、半導体装置の製造をより容易にすることができることから、半導体装置の製造コストを低減することが可能である。また、樹脂を用いることにより、半導体装置の柔軟性を高めることができ、半導体装置の基板としてフレキシブル基板を用いた場合には特に好適である。
この半導体装置においては、前記活性層に接続される２つの電極以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層のうち、前記活性層における可動電荷の移動を制御する制御電極と前記活性層との間を絶縁する隔絶層と界面を形成する領域以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層が樹脂により形成されていることが好ましい。例えば、薄膜トランジスタにおいては、活性層に接続される２つの電極は、ソース電極およびドレイン電極に相当し、制御電極はゲート電極に相当する。逆スタガ型の薄膜トランジスタでは、前述のように、ゲート絶縁層と界面を形成する領域以外で活性層と界面を形成する隔絶層は、活性層における、ソース電極およびドレイン電極間に現れる上端面ならびに一部の側端面と界面を形成する隔絶層である（図１（ａ）ないし（ｃ）の保護層８に相当）。このような半導体装置に必須の電極や絶縁層以外で活性層を雰囲気から隔絶する保護層としての役割を果たす隔絶層が設けられている構成においては、活性層の上記の領域と直接界面を形成する隔絶層に樹脂を使用することが可能であるので、前記のように半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
本発明の電子デバイスは、前記のいずれかの半導体装置をスイッチング素子として備えている。このように、透明なＺｎＯおよびＭｇｘＺｎ１−ｘＯを活性層に用いた性能の良い半導体装置をスイッチング素子として備えることにより、電子デバイスの性能を容易に向上させることができる。
前記電子デバイスにおいては、前記スイッチング素子が、絵素電極への画像信号の書き込みまたは読み出しのために絵素電極に接続されていることが好ましい。電子デバイスとしてのアクティブマトリクス型の表示装置（例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置）では、駆動回路から絵素電極に画像信号を書き込む際にスイッチング素子をＯＮさせる。また、電子デバイスとしてのイメージセンサのような画像読取装置では、絵素電極に取り込まれた画素信号を読み出す際にスイッチング素子をＯＮさせる。このように、画像表示や画像読み取りのための電子デバイスに半導体装置をスイッチング素子として用いることにより、これらの電子デバイスの高性能化を容易に図ることができる。
以上のように、本発明の半導体装置は、ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体から成り、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族の元素が添加されている活性層と、前記活性層を、前記活性層において可動電荷が移動する領域が雰囲気の影響を受けない範囲で雰囲気から隔絶する隔絶体とを備えている構成である。
このように、雰囲気に対して敏感なＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯを隔絶体によって雰囲気から隔絶し、かつＩ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族の元素をＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯに添加することで、隔絶体によって活性層に発生する可動電荷を減少させることができる。これにより、素子特性が雰囲気により左右されず安定し、かつ実用可能な範囲にしきい値電圧を制御可能となるＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯを用いた半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
〔実施形態１〕
本発明の第１の実施形態について、図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図１（ａ）は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１の平面図を示している。また、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図を示し、および図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図を示している。なお、図１（ａ）においては、図の単純化のため、図１（ｂ）および（ｃ）に示す保護層８の表面中央部分の凹凸については、その記載を省略している。
図１（ａ）ないし（ｃ）に示すように、半導体装置としての薄膜トランジスタ１は、絶縁性基板２上に形成されたゲート電極３の上に、ゲート絶縁層４を介して半導体層５が積層され、この半導体層５の上に電極部としてのソース電極６とドレイン電極７とが形成され、さらに半導体層５、ソース電極６およびドレイン電極７の一部を覆う保護層８が形成され、逆スタガ型の構造を成している。
また、この薄膜トランジスタ１が表示装置（例えば、実施形態４のアクティブマトリクス型液晶表示装置）に用いられる場合は、ドレイン電極７が絵素電極に接続されるか、もしくはドレイン電極７と絵素電極とが透明導電膜で一体的に形成される。このため、ドレイン電極７の一部は保護層８から引き出されている。
ゲート絶縁層４は、絶縁物として、ＺｎＯおよびＭｇｘＺｎ１−ｘＯとの整合性の良好なＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。また、ゲート絶縁層４は前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図２に示すように、ゲート絶縁層４は、第１絶縁層４ａおよび第２絶縁層４ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１絶縁層４ａを半導体層５との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成し、第２絶縁層４ｂを絶縁性の良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成することにより、絶縁性基板２上で信頼性の高いゲート絶縁層４を得ることができる。
活性層としての半導体層５は、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている。添加される元素しては、Ｉ族およびＶ族の元素が好ましい。例えば、半導体層５は、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）またはこれらの元素の２種類以上を含むＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体により形成されている。
保護層８は、半導体層５における、ソース電極６およびドレイン電極７が形成される部分（両電極６，７により覆われる部分）以外の部分で、かつゲート絶縁層４と界面を形成していない部分（両電極６，７間の部分および半導体層５の周辺の側端面）を覆っている。この保護層８は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。
あるいは、保護層８は、アクリル等の樹脂により形成されていても良い。保護層８を樹脂で形成することにより、既存の樹脂形成装置を用いることが可能である。それゆえ、保護層８を形成するために複雑な成膜プロセスを用いることなく、薄膜トランジスタ１の製造をより容易にすることができることから、薄膜トランジスタ１の製造コストを低減することが可能である。また、樹脂を用いることにより、薄膜トランジスタ１の柔軟性を高めることができ、絶縁性基板２としてフレキシブル基板を用いた場合には特に好適である。
また、保護層８も、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図２に示すように、保護層８は、第１保護層８ａおよび第２保護層８ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１保護層８ａを半導体層５との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成し、第２保護層８ｂを雰囲気との隔絶性の良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成することにより、信頼性の高い保護層８を得ることができる。
薄膜トランジスタ１においては、ゲート絶縁層４、ソース電極６、ドレイン電極７および保護層８により隔絶体が形成され、それぞれが隔絶層を形成している。
ここで、上記のように構成される薄膜トランジスタ１の製造方法を、図３（ａ）ないし（ｅ）の製造工程図を用いて以下に説明する。
まず、絶縁性基板２に、ゲート電極３となるゲート電極材としてＴａを３００ｎｍ程度の厚さでスパッタリングによって積層し、この上にフォトリソグラフィ工程にて所定の形状にレジストパターンを作製する。このレジストパターンを用いてゲート電極材にＣＦ４＋Ｏ２ガスによってドライエッチングを施し、その形状にパターニングされたゲート電極３およびこれに接続されるゲート配線（図示せず）を形成する（図３（ａ））。絶縁性基板２としては、ガラス基板、石英、プラスチック等が用いられ、ゲート電極材にはＴａのほかにＡｌ、Ｃｒなどが用いられる。
次に、ゲート絶縁層４として、例えば、Ａｌ２Ｏ３をパルスレーザー堆積法によって５００ｎｍ程度積層する。Ａｌ２Ｏ３薄膜の成膜時の基板温度は３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである（図３（ｂ））。ここでは、ゲート絶縁膜４の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。
Ａｌ２Ｏ３を堆積後、連続して半導体層５を形成するために、例えば、窒素がドーピングされた多結晶状態のＺｎＯをパルスレーザー堆積法により５０ｎｍ程度積層する。このときの堆積条件は、基板温度は３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素と一酸化窒素との混合雰囲気で、レーザーパワーが１．１Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。この方法により、ＺｎＯに窒素がドーピングされる。ここでは、窒素源に一酸化窒素を用いたが、他に、一酸化二窒素、二酸化窒素、アンモニアなどの窒素を含むガスを用いても良い。また、ここでは、半導体層５の材料としてＺｎＯを用いたが、Ｍｇを含むＺｎＯ（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）を用いても良い。また、ＺｎＯまたはＭｇを含むＺｎＯは、アモルファス状態でも良く、または多結晶状態とアモルファス状態とが混在した状態でも良い。
半導体層５となるＺｎＯの積層後、フォトリソグラフィ工程にて所定の形状にレジストパターンを形成する。このレジストパターンを用いて、硝酸、酢酸等によるウェットエッチングを行うことにより、所望の形状の半導体層５を得る（図３（ｃ））。
続いて、スパッタリング法によりＡｌを２００ｎｍ程度成膜する。そして、そのＡｌの層をフォトリソグラフィおよびＣｌ２ガスを用いてドライエッチングによりパターンニングすることによりソース電極６およびドレイン電極７を形成する（図３（ｄ））。
さらに、パルスレーザー堆積法によりＡｌ２Ｏ３を２００ｎｍ程度成膜する。そのＡｌ２Ｏ３の層を、フォトリソグラフィにより作製した所定のレジストパターンを用いて、イオンミリング等により不要部のＡｌ２Ｏ３を除去することで、保護層８を形成し、薄膜トランジスタ１が完成する（図３（ｅ））。ここでは、保護層８のための材料（絶縁物）としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。また、保護層８として、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。
図４は、上記のようにして得られた薄膜トランジスタ１のＩｄ−Ｖｇ特性を示している。図４から、窒素がドープされていないＺｎＯを用いた薄膜トランジスタにおいて、保護層を形成した場合のＩｄ−Ｖｇ特性（図１５に実線にて示す）と比較して、そのしきい値電圧Ｖｔｈが０Ｖ付近にあることがわかる。このように窒素をＺｎＯにドープすることで、保護層８が設けられた薄膜トランジスタ１において、しきい値電圧Ｖｔｈを実用上問題のない電圧に制御することが可能であることがわかる。特に、ドーピング量により、しきい値電圧をマイナス側から＋１０Ｖ程度まで制御することが可能である。
ＺｎＯに窒素をドープすることでしきい値電圧Ｖｔｈが制御されることは、以下のように理解される。保護層の形成でＺｎＯの表面準位が減少し、ＺｎＯ内部に空乏層が拡がるバンドベンディングが解消され、ＺｎＯは本来持っている抵抗値を示すｎ型半導体となり、自由電子が過剰な状態になる。Ｖ族元素の窒素はＺｎＯに対してアクセプタ不純物として働くので、窒素をドープすることで過剰な自由電子が減少し、フェルミ準位がバンドギャップ中央付近に押し下げられる。これにより、過剰な自由電子を排除するためのゲート電圧が低下するので、しきい値電圧が０Ｖ付近となる。
さらに他のＶ族元素のＰ、ＡｓまたはＳｂについても、例えば、上記の半導体層５を形成する場合において、基板温度３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワー１．１Ｊ／ｃｍ２の条件で、Ｚｎ２Ｐ３、Ｚｎ２Ａｓ３、Ｚｎ２Ｓｂ３などのＶ族の元素を含むＺｎ化合物をターゲットに用いてドーピングを行い、同様にしきい値電圧Ｖｔｈを０Ｖ付近に制御でき、またドーピング量により、しきい値電圧をマイナス側から＋１０Ｖ程度まで制御することもできる。勿論、この方法でＺｎ２Ｎ３をターゲットに用いてドーピングしても、しきい値電圧Ｖｔｈを上記と同様に制御できる。
また、ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体にＩ族、III族、IV族またはVII族元素をドープしても、同様にしきい値電圧Ｖｔｈを制御することができる。
なお、図１（ａ）に示す構造では、半導体層５がすべて保護層８の下に覆われているが、薄膜トランジスタ１の半導体層５におけるチャネル部分（キャリア(可動電荷)が移動する領域）に雰囲気による影響が及ばなければ、半導体層５がすべて保護層８に覆われる必要はない。例えば、図５に示すように、半導体層５がチャネル幅方向に長く延びてその両端部が保護層８から雰囲気に露出している構造では、その両端部は雰囲気の影響を受けるが、チャネル部分がその影響の及ばない程度に両端部から離間していれば、図１（ａ）ないし（ｃ）に示すように、半導体層５のすべてが保護層８やゲート絶縁膜４に覆われていなくても良い。
〔実施形態２〕
本発明の第２の実施形態について、図６ないし図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図６（ａ）は、それぞれ本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１１の平面図を示している。また、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図を示し、図６（ｃ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線矢視断面図を示している。なお、図６（ａ）においては、図の単純化のため、図６（ｂ）および（ｃ）に示す保護層１９の表面中央部分の凹凸については、その記載を省略している。
図６（ａ）ないし（ｃ）に示すように、半導体装置としての薄膜トランジスタ１１は、絶縁性基板１２上に形成された下地絶縁層１３上にソース電極１４とドレイン電極１５が間隔をおいて形成され、それらの上に半導体層１６、ゲート絶縁層１７、ゲート電極１８が順次積層され、さらに半導体層１６、ゲート絶縁層１７およびゲート電極１８を覆う保護層１９が形成され、スタガ型の構造を成している。この薄膜トランジスタ１１において、半導体層１６、ゲート絶縁層１７およびゲート電極１８は、同じ形状（図６（ａ）に示す半導体層１６の形状）にパターンニングされて積層されている。
この薄膜トランジスタ１１が表示装置（例えば、実施形態４のアクティブマトリクス型液晶表示装置）に用いられる場合は、ドレイン電極１５が絵素電極に接続されるか、もしくはドレイン電極１５と絵素電極とが透明導電膜で一体的に形成される。
下地絶縁層１３は、絶縁物としてのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。この下地絶縁層１３は、半導体層１６の下端面におけるソース電極１４およびドレイン電極１５と界面を形成する領域以外の領域と界面を形成している。
あるいは、下地絶縁層１３は、アクリル等の樹脂により形成されていても良い。下地絶縁層１３を樹脂で形成することにより、既存の樹脂形成装置を用いることが可能である。それゆえ、下地絶縁層１３を形成するために複雑な成膜プロセスを用いることなく、薄膜トランジスタ１１の製造をより容易にすることができることから、薄膜トランジスタ１１の製造コストを低減することが可能である。また、樹脂を用いることにより薄膜トランジスタ１１の柔軟性を高めることができ、絶縁性基板１２としてフレキシブル基板を用いた場合には、特に好適である。
また、下地絶縁層１３は、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図７に示すように、下地絶縁層１３は、第１絶縁層１３ａおよび第２絶縁層１３ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１絶縁層１３ａを絶縁性基板１２との界面特性が良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成し、第２絶縁層１３ｂを半導体層１６との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成することにより、絶縁性基板１２上で信頼性の高い下地絶縁層１３を得ることができる。
なお、絶縁性基板１２がガラスまたは石英から成る場合には、下地絶縁層１３を形成しなくても、半導体層１６は、ガラスまたは石英の成分であるＳｉＯ２あるいはＳｉＯ２を含む絶縁物により覆われ、雰囲気と隔絶される。
活性層としての半導体層１６は、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている。添加される元素としては、Ｉ族およびＶ族元素が好ましい。例えば、半導体層１６は、窒素、リン、砒素、アンチモンまたはこれらの元素の２種類以上を含むＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体により形成されている。
ゲート絶縁層１７は、半導体層１６と界面を形成し、絶縁物としてのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。また、ゲート絶縁層１７は前記絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図７に示すように、ゲート絶縁層１７は、第１絶縁層１７ａおよび第２絶縁層１７ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１絶縁層１７ａを半導体層１６との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成し、第２絶縁層１７ｂを絶縁性の良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成することにより、半導体層１６とゲート電極１８との間で信頼性の高いゲート絶縁層１７を得ることができる。
保護層１９は、積層された半導体層１６、ゲート絶縁層１７およびゲート電極１８を覆うように、絶縁物としてのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。
あるいは、保護層１９も下地絶縁層１３と同様、アクリル等の樹脂により形成されていても良い。これにより、下地絶縁層１３を樹脂で形成する場合と同様の利点がある。
保護層１９の側壁部は、特に、下地絶縁層１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５と界面を形成する半導体層１６の下端面、およびゲート絶縁層１７と界面を形成する半導体層１６の上端面以外の側端面を覆っている。また、保護層１９は、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図７に示すように、保護層１９は、第１保護層１９ａおよび第２保護層１９ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１保護層１９ａを半導体層１６との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成し、第２保護層１９ｂを雰囲気との隔絶性の良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成することにより、信頼性の高い保護層１９を得ることができる。
薄膜トランジスタ１１においては、下地絶縁層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５、ゲート絶縁層１７および保護層１９により隔絶体が形成され、それぞれが隔絶層を形成している。
ここで、上記のように構成される薄膜トランジスタ１１の製造方法を、図８（ａ）ないし（ｄ）の製造工程図を用いて以下に説明する。
まず、絶縁性基板１２に下地絶縁層１３として、Ａｌ２Ｏ３を１００ｎｍ程度の厚さでパルスレーザー堆積法により堆積する（図８（ａ））。堆積の条件は、堆積時の基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。ここでは、下地絶縁層１３の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。
続いて、下地絶縁層１３上にスパッタリング法等によりＡｌを１５０ｎｍ程度堆積する。そして、フォトリソグラフィにより、所定の形状にパターニングしたレジストを用いてドライエッチングでＡｌ層の不要部を除去する。これにより、ソース電極１４およびドレイン電極１５が形成される（図８（ｂ））。
続いて、半導体層１６を形成するために、例えば、窒素がドーピングされた多結晶状態のＺｎＯをパルスレーザー堆積法により５０ｎｍ程度積層する。このときの堆積条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素と一酸化窒素との混合雰囲気で、レーザーパワーが１.１Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。この方法により、ＺｎＯに窒素がドーピングされる。ここでは、窒素源に一酸化窒素を用いたが、他に、一酸化二窒素、二酸化窒素、アンモニアなどの窒素を含むガスを用いても良い。また、ここでは、ＺｎＯにドープする不純物としてＮを用いたが、他に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂを用いても良い。さらに、ここでは、半導体層１６の材料としてＺｎＯを用いたが、Ｍｇを含むＺｎＯ（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）を用いても良い。また、ＺｎＯまたはＭｇを含むＺｎＯは、アモルファス状態でも良く、または多結晶状態とアモルファス状態とが混在した状態であっても良い。
半導体層１６の堆積後、連続してゲート絶縁層１７を形成する。ゲート絶縁層１７として、例えば、Ａｌ２Ｏ３をパルスレーザー堆積法によって５００ｎｍ程度積層する。Ａｌ２Ｏ３薄膜の成膜時の条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。ここでは、ゲート絶縁層１７の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。
その後、ゲート電極１８としてＡｌ等をスパッタリング法等により２００ｎｍ程度積層する。そして、フォトリソグラフィにより、所定の形状にパターニングしたレジストを用いてイオンミリング等でＡｌ層、ゲート絶縁層１７、半導体層１６の不要部を除去することで、半導体層１６およびゲート絶縁層１７上にゲート電極１８を形成する（図８（ｃ））。ここで、ゲート電極１８、ゲート絶縁層１７および半導体層１６の側端面は絶縁性基板１２の上端面に対して垂直であるが、保護層１９のカバレージを良くするため、ゲート電極１８から半導体層１６側に拡がっていく順テーパー形状であっても良い。
最後に、保護層１９を積層する。保護層１９としては、例えば、パルスレーザー堆積法によりＡｌ２Ｏ３を２００ｎｍ程度成膜する。成膜条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。その後、フォトリソグラフィにより、所定のレジストパターンを用いてイオンミリング等で不要部のＡｌ２Ｏ３を除去することで、保護層１９が形成され、薄膜トランジスタ１１が完成する（図８（ｄ））。ここでは、保護層１９の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５またはＡｌ２Ｏ３を加えたこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いても良い。
上記のようにして得られた薄膜トランジスタ１１のＩｄ−Ｖｇ特性は、図４に示す特性と同様であり、そのしきい値電圧Ｖｔｈが０Ｖ付近に制御される。このように、薄膜トランジスタ１１においては、半導体層１６をＺｎＯに窒素をドープした半導体により形成することで、しきい値電圧Ｖｔｈを実用上問題のない電圧に制御できる。
さらに他のＶ族元素のＰ、ＡｓまたはＳｂについても、実施形態１で述べたようにドーピングを行うことにより、同様にしきい値電圧Ｖｔｈを０Ｖ付近に制御できる。
また、ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体にＩ族、III族、IV族またはVII族元素をドープしても、同様にしきい値電圧Ｖｔｈを制御することができる。
なお、図６（ａ）ないし（ｃ）に示す構造では、半導体層１６がすべて、下地絶縁層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５、ゲート絶縁膜１７および保護層１９に覆われているが、薄膜トランジスタ１１の半導体層１６におけるチャネル部分（キャリアが移動する領域）に雰囲気による影響が及ばなければ、半導体層１６がすべて覆われる必要はない。例えば、図６（ａ）に二点鎖線で示すように、半導体層１６と、半導体層１６と同一形状を成すゲート絶縁層１７およびゲート電極１８とがチャネル幅方向に長く伸びてその両端部が保護層１９から雰囲気に露出している構造では、その両端にある半導体層１６の側端面は雰囲気の影響を受けるが、チャネル部分がその影響の及ばない程度に両端部から離間していれば、半導体層１６のすべてが覆われていなくても良い。
〔実施形態３〕
本発明の第３の実施形態について、図９ないし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図９（ａ）は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ２１の平面図を示している。また、図９（ｂ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ線矢視断面図を示し、図９（ｃ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線矢視断面図を示している。
図９（ａ）ないし（ｃ）に示すように、半導体装置としての薄膜トランジスタ２１は、絶縁性基板２２上に形成された下地絶縁層２３上にソース電極２４とドレイン電極２５が形成され、その上に半導体層２６、第１のゲート絶縁層２７を形成する。この半導体層２６と第１のゲート絶縁層２７は第２のゲート絶縁層２８で覆われ、第２のゲート絶縁層２８は半導体層２６の保護層も兼ねている。第２のゲート絶縁層２８の上にゲート電極２９が形成され、薄膜トランジスタ２１を成している。
また、この薄膜トランジスタ２１が表示装置（例えば、実施形態４のアクティブマトリクス型液晶表示装置）に用いられる場合は、ドレイン電極２５が絵素電極に接続されるか、もしくはドレイン電極２５と絵素電極とが透明導電膜で一体的に形成される。
下地絶縁層２３は、絶縁物としてのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。
あるいは、下地絶縁層２３は、アクリル等の樹脂により形成されていても良い。下地絶縁層２３を樹脂で形成することにより、既存の樹脂形成装置を用いることが可能である。それゆえ、下地絶縁層２３を形成するために複雑な成膜プロセスを用いることなく、薄膜トランジスタ２１の製造をより容易にすることができることから、薄膜トランジスタ２１の製造コストを低減することが可能である。また、樹脂を用いることにより薄膜トランジスタ２１の柔軟性を高めることができ、絶縁性基板２２としてフレキシブル基板を用いた場合には特に好適である。
この下地絶縁層２３は、半導体層２６の下端面におけるソース電極２４およびドレイン電極２５と界面を形成する領域以外の領域と界面を形成している。また、下地絶縁層２３は、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図１０に示すように、下地絶縁層２３は、第１絶縁層２３ａおよび第２絶縁層２３ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１絶縁層２３ａを絶縁性基板２２との界面特性が良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成し、第２絶縁層２３ｂを半導体層２６との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成することにより、絶縁性基板２２上で信頼性の高い下地絶縁層２３を得ることができる。
なお、絶縁性基板２２がガラス基板、石英から成る場合には、下地絶縁層２３を形成しなくても、半導体層２６は、ガラスまたは石英の成分であるＳｉＯ２あるいはＳｉＯ２を含む絶縁物により覆われ、雰囲気と隔絶される。
半導体層２６は、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている。添加される元素としては、Ｉ族およびＶ族元素が好ましい。例えば、半導体層２６は、窒素、リン、砒素、アンチモンまたはこれらの２種類以上を含むＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体により形成されている。
第１のゲート絶縁層２７は、半導体層２６と界面を形成し、絶縁物としてのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。また、第１のゲート絶縁層２７は、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図１０に示すように、ゲート絶縁層２７は、第１絶縁層２７ａおよび第２絶縁層２７ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１絶縁層２７ａを半導体層２６との界面特性が良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成し、第２絶縁層２７ｂを絶縁性の良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成することにより、半導体層２６と第２のゲート絶縁層２８との間で信頼性の高いゲート絶縁層２７を得ることができる。
第２のゲート絶縁層２８は、積層された半導体層２６および第１のゲート絶縁層２７を覆うように、絶縁物としてのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体を用いて形成されている。
あるいは、第２のゲート絶縁層２８も下地絶縁層２３と同様、アクリル等の樹脂により形成されていても良い。これにより、下地絶縁層２３を樹脂で形成する場合と同様の利点がある。
第２のゲート絶縁層２８の側壁部は、特に、下地絶縁層２３、ソース電極２４およびドレイン電極２５と界面を形成する半導体層２６の下端面、および第１のゲート絶縁層２７と界面を形成する半導体層２６の上端面以外の側端面を覆っている。このように、第２のゲート絶縁層２８は、ゲート電極２９の下側で半導体層２６の側端面を覆う保護層の役割を果たし、かつ第１のゲート絶縁層２７とでゲート絶縁層としての十分な厚さを確保するために設けられている。
また、第２のゲート絶縁層２８は、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。例えば、図１０に示すように、第２のゲート絶縁層２８は、下部絶縁層２８ａおよび上部絶縁層２８ｂの２層の積層により構成される。このような構造では、第１絶縁層２８ａを半導体層２６との界面特性の良好な絶縁物（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ）で形成し、第２絶縁層２８ｂを隔絶性が良好な絶縁物（ＳｉＯ２）で形成することにより、第１のゲート絶縁層２７とゲート電極２９との間で信頼性の高い第２のゲート絶縁層２８を得ることができる。
薄膜トランジスタ２１においては、下地絶縁層２３、ソース電極２４、ドレイン電極２５、第１のゲート絶縁層２７および第２のゲート絶縁層２９により隔絶体が形成され、それぞれが隔絶層を形成している。
ここで、上記のように構成される薄膜トランジスタ２１の製造方法を、図１１（ａ）ないし（ｄ）の製造工程図を用いて以下に説明する。
まず、絶縁性基板１２に下地絶縁層２３として、例えば、Ａｌ２Ｏ３を１００ｎｍ程度の厚さでパルスレーザー堆積法により堆積する（図１１（ａ））。堆積の条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。ここでは、下地絶縁層２３の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。
続いて、下地絶縁層２３上にスパッタリング法等によりＡｌを１５０ｎｍ程度堆積し、フォトリソグラフィで所定の形状にレジストをパターニングし、ドライエッチングにより不要部を除去し、ソース電極２４およびドレイン電極２５を形成する（図１１（ｂ））。
続いて、半導体層２６を形成するために、例えば、窒素がドーピングされた多結晶状態のＺｎＯをパルスレーザー堆積法により５０ｎｍ程度積層する。このときの堆積条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素と一酸化窒素との混合雰囲気で、レーザーパワーが１．１Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。この方法により、ＺｎＯに窒素がドーピングされる。ここでは、窒素源に一酸化窒素を用いたが、他に、一酸化二窒素、二酸化窒素、アンモニアなどの窒素を含むガスを用いても良い。また、ここでは、ＺｎＯにドープする不純物としてＮを用いたが、他に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂを用いても良い。さらに、ここでは、半導体層２６の材料としてＺｎＯを用いたが、Ｍｇを含むＺｎＯ（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）を用いても良い。また、ＺｎＯまたはＭｇを含むＺｎＯは、アモルファス状態でも良く、または多結晶状態とアモルファス状態とが混在した状態であっても良い。
半導体層２６の堆積後、連続して第１のゲート絶縁層２７を積層する。第１のゲート絶縁層２７として、例えば、Ａｌ２Ｏ３をパルスレーザー堆積法によって５０ｎｍ程度積層する。Ａｌ２Ｏ３薄膜の成膜時の条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。ここでは、第１のゲート絶縁膜２７の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。また、第１のゲート絶縁膜２７として、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。
その後、フォトリソグラフィにより、所定の形状にパターニングしたレジストを用いてイオンミリング等で不要部を除去することで、第１のゲート絶縁層２７および半導体層２６を形成する（図１１（ｃ））。ここで、第１のゲート絶縁層２７および半導体層２６の側端面は絶縁性基板２２の上端面に対して垂直であるが、第２のゲート絶縁層２８のカバレージを良くするため、第１のゲート絶縁膜２７から半導体層２６側に拡がっていく順テーパー形状であっても良い。
続いて、第２のゲート絶縁膜２８を積層する。第２のゲート絶縁層２８としては、例えば、パルスレーザー堆積法によりＡｌ２Ｏ３を４５０ｎｍ程度成膜する。成膜条件は、基板温度が３００℃、成膜雰囲気が減圧の酸素雰囲気で、レーザーパワーが３．０Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。ここでは、第２ゲート絶縁膜２８の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたが、それ以外に前述の絶縁物を用いても良い。また、第２のゲート絶縁膜２８として、前記の絶縁物が複数積層されていても良い。
その後、ゲート電極２９を形成するために、Ａｌ等をスパッタリング法等により２００ｎｍ程度積層する。そして、フォトリソグラフィにより、所定の形状にパターニングしたレジストを用いてイオンミリング等でゲート電極２９および第２のゲート絶縁膜２８の不要部を除去することで、薄膜トランジスタ２１が完成する（図１１（ｄ））。
上記のようにして得られた薄膜トランジスタ１１のＩｄ−Ｖｇ特性は、図４に示す特性と同様であり、そのしきい値電圧Ｖｔｈが０Ｖ付近に制御される。このように、薄膜トランジスタ２１においては、半導体層２６をＺｎＯに窒素をドープした半導体により形成することで、しきい値電圧Ｖｔｈを実用上問題のない電圧に制御できる。
さらに他のＶ族元素のＰ、ＡｓまたはＳｂについても、実施形態１で述べたようにドーピングを行うことにより、同様にしきい値電圧Ｖｔｈを０Ｖ付近に制御できる。
また、ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体にＩ族、III族、IV族またはVII族元素をドープしても、同様にしきい値電圧Ｖｔｈを制御することができる。
なお、図９（ａ）ないし（ｃ）に示す構造では、半導体層２６がすべて、下地絶縁層２３、ソース電極２４、ドレイン電極２５、第１のゲート絶縁膜２７および第２のゲート絶縁層２８に覆われているが、薄膜トランジスタ２１の半導体層２６におけるチャネル部分（キャリアが移動する領域）に雰囲気による影響が及ばなければ、半導体層２６がすべて覆われる必要はない。例えば、図９（ａ）に二点鎖線で示すように、半導体層２６と第１のゲート絶縁層２７とがチャネル幅方向に長く伸びてその両端部が第２のゲート絶縁層２８から雰囲気に露出している構造では、その両端部にある半導体層２６の側端面は雰囲気の影響を受けるが、チャネル部分がその影響の及ばない程度に両端部から離間していれば、半導体層２６のすべてが覆われていなくても良い。
〔実施形態４〕
本発明の第４の実施形態について図１、図２、図３、図５、図６、図７、図１０、図１７および図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において、前述の実施の形態１ないし３における構成要素と同等の機能を有する構成要素については、同じ符号を付記してその説明を省略する。
図１（ａ）ないし（ｃ）に示すように、薄膜トランジスタ１において、半導体層５の代わりに半導体層１０５が形成されている。活性層としての半導体層１０５は、半導体層５と同様に、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族の元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている。添加される元素としては、Ｉ族およびＶ族の元素が好ましい。例えば、半導体層１０５は、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）またはこれらの２種類以上と水素（Ｈ）とを含むＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体により形成されている。
このように構成される薄膜トランジスタ１の製造においては、以下に説明するように、半導体層１０５の製造工程が半導体層５の前述の製造構成と異なる。図３（ｂ）に示すようにゲート絶縁層４としてＡｌ２Ｏ３を堆積後、連続して半導体層１０５を形成するために、例えば、窒素と水素とがドーピングされた多結晶状態のＺｎＯをパルスレーザー堆積法により５０ｎｍ程度積層する。このときの堆積条件は、基板温度は２００℃、成膜雰囲気が窒素ガスと水蒸気との混合雰囲気で、レーザーパワーが１．１Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数が１０Ｈｚである。この方法により、ＺｎＯに窒素と水素とがドーピングされる。
ここでは、窒素源に窒素ガスを用いたが、他に一酸化二窒素、一酸化窒素、二酸化窒素などの窒素を含むガスを用いても良い。また、ここでは、水素源として水蒸気を用いたが、他に過酸化水素などの水素を含むガスを用いても良い。さらには、アンモニアなどの窒素と水素から成るガスを用いても良い。このようなガスを用いた場合、窒素源を不要にすることができる。あるいは、水素源として、水蒸気、過酸化水素またはアンモニウムのうち複数種のガスを使用しても良い。また、ここでは、半導体層１０５にＺｎＯを例として用いたが、Ｍｇを含むＺｎＯ（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）を用いても良い。また、ＺｎＯまたはＭｇを含むＺｎＯは、アモルファス状態でも良く、または多結晶状態とアモルファス状態とが混在した状態でも良い。
上記のようにして得られた薄膜トランジスタ１のＩｄ−Ｖｇ特性を図１７に示す。図１７から、窒素と水素とがドーピングされていないＺｎＯを用いた薄膜トランジスタにおいて、保護層を形成した場合のＩｄ−Ｖｇ特性（図１５に実線にて示す）と比較して、そのしきい値電圧Ｖｔｈが０Ｖ付近にあることがわかる。このように窒素と水素をＺｎＯにドープすることで，保護層８が設けられた薄膜トランジスタ１において、しきい値電圧Ｖｔｈが実用上問題のない電圧に制御が可能であることがわかる。
ＺｎＯに窒素と水素とをドープすることでしきい値電圧Ｖｔｈが制御されることは、以下のように理解される。保護層の形成で表面空乏層が解消され、ＺｎＯは自由電子が過剰な状態となる。Ｖ族元素の窒素はＺｎＯに対してアクセプタ不純物として働くので、窒素をドープすることで過剰な自由電子が減少する。Ｉ族元素である水素は、ＺｎＯ中に存在する状態では、自由電子の源となるダングリングボンドに対してターミネータとして働くので、水素をドープすることでも過剰な自由電子が減少する。窒素と水素とをドーピングすることで、フェルミ準位がバンドギャップ中央付近に押し下げられることになり、これにより、過剰な自由電子を排除するためのゲート電圧が小さくなり、しきい値電圧が０Ｖ付近となる。
また、水素をドープすることにより、図１８に示すように、正のゲート電圧に対するＴＦＴ特性の経時劣化（しきい値電圧のプラスシフトΔＶｔｈ）を抑制することができる。具体的には、ソースおよびドレイン電極の電位をグランド電位とし、ゲート電極に３０Ｖの電圧を印加することで、しきい値電圧の経時変化を観測すると、Ｈ２Ｏ＋Ｎ２雰囲気で成膜されたＴＦＴが、Ｏ２＋ＮＯ雰囲気で成膜されたＴＦＴに比べ、しきい値電圧のシフト量を抑制できることが確認された。
さらに他のＶ族元素Ｐ、ＡｓまたはＳｂについても、例えば、上記の半導体層１０５を積層する場合において、基板温度２００℃、成膜雰囲気が減圧の水蒸気雰囲気で、レーザーパワー１．１Ｊ／ｃｍ２の条件で、Ｚｎ２Ｐ３、Ｚｎ２Ａｓ３、Ｚｎ２Ｓｂ３などのＶ族を含むＺｎ化合物をターゲットに用いてドーピングを行い、同様にしきい値電圧Ｖｔｈが０Ｖ付近に制御できる。勿論、この方法でＺｎ２Ｎ３をターゲットに用いてドーピングしても、しきい値電圧Ｖｔｈを上記と同様に制御できる。
なお、図５の半導体層５、図６に示す薄膜トランジスタ１１の半導体層１６、図７の半導体層１６、図９に示す薄膜トランジスタ２１の半導体層２６、図１０の半導体層２６に、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）またはこれらの２種類以上と水素（Ｈ）とを含むＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いても、同様の効果から、しきい値電圧Ｖｔｈを０Ｖ付近に制御できる。
〔実施形態５〕
本発明の第５の実施形態について、図１２および図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において、前述の実施の形態１ないし４における構成要素と同等の機能を有する構成要素については、同じ符号を付記してその説明を省略する。
図１２に示すように、本実施の形態に係る表示装置は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置であって、絵素アレイ３１と、ソースドライバ３２と、ゲートドライバ３３と、制御回路３４と、電源回路３５とを備えている。
絵素アレイ３１、ソースドライバ３２およびゲートドライバ３３は、基板３６上に形成されている。基板３６は、ガラスのような絶縁性かつ透光性を有する材料により形成されている。絵素アレイ３１は、ソースラインＳＬ…と、ゲートラインＧＬ…と、絵素３７…とを有している。
絵素アレイ３１においては、多数のゲートラインＧＬｊ，ＧＬｊ＋１…と多数のソースラインＳＬｉ，ＳＬｉ＋１…とが交差する状態で配されており、隣接する２本のゲートラインＧＬ，ＧＬと隣接する２本のソースラインＳＬ，ＳＬとで包囲された部分に絵素（図中、ＰＩＸにて示す）３７が設けられている。このように、絵素３７…は、絵素アレイ３１内でマトリクス状に配列されており、１列当たりに１本のソースラインＳＬが割り当てられ、１行当たりに１本のゲートラインＧＬが割り当てられている。
液晶ディスプレイの場合、各絵素３１は、図１３に示すように、スイッチング素子であるトランジスタＴと、液晶容量ＣＬを有する絵素容量ＣＰとによって構成されている。一般に、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイにおける絵素容量ＣＰは、表示を安定させるために、液晶容量ＣＬと並行に付加された補助容量ＣＳを有している。補助容量ＣＳは、液晶容量ＣＬやトランジスタＴのリーク電流、トランジスタＴのゲート・ソース間容量、絵素電極・信号線間容量等の寄生容量による絵素電位の変動、液晶容量ＣＬの表示データ依存性等の影響を最小限に抑えるために必要となる。
トランジスタＴのゲートは、ゲートラインＧＬｊに接続されている。また、液晶容量ＣＬおよび補助容量ＣS の一方の電極は、トランジスタＴのドレインおよびソースを介してソースラインＳＬｊに接続されている。ドレインに接続される液晶容量ＣＬの電極は、絵素電極３７ａを形成している。液晶容量ＣＬの他方の電極は、液晶セルを挟んで対向電極に接続され、補助容量ＣＳの他方の電極は、全絵素に共通の図示しない共通電極線（Cs on Common構造の場合）、または隣接するゲートラインＧＬ（Cs on Gate構造の場合）に接続されている。
多数のゲートラインＧＬｊ，ＧＬｊ＋１…は、ゲートドライバ３３に接続され、多数のデータ信号線ＳＬｉ，ＳＬｉ＋１…は、ソースドライバ３２に接続されている。また、ゲートドライバ３３およびソースドライバ３２は、それぞれ異なる電源電圧ＶＧＨ，ＶＧＬと電源電圧ＶＳＨ，ＶＳＬとにより駆動されている。
ソースドライバ３２は、制御回路３４により与えられた画像信号ＤＡＴを制御回路３４からの同期信号ＣＫＳおよびスタートパルスＳＰＳに基づいてサンプリングして各列の画素に接続されたソースラインＳＬｉ，ＳＬｉ＋１…に出力するようになっている。ゲートドライバ３３は、制御回路３４からの同期信号ＣＫＧ・ＧＰＳおよびスタートパルスＳＰＧに基づいて各行の絵素３７…に接続されたゲートラインＧＬｊ，ＧＬｊ＋１…に与えるゲート信号を発生するようになっている。
電源回路３５は、電源電圧ＶＳＨ，ＶＳＬ，ＶＧＨ，ＶＧＬ、接地電位ＣＯＭおよび電圧ＶＢＢを発生する回路である。電源電圧ＶＳＨ，ＶＳＬは、それぞれレベルの異なる電圧であり、ソースドライバ３２に与えられる。電源電圧ＶＧＨ，ＶＧＬは、それぞれレベルの異なる電圧であり、ゲートドライバ３３に与えられる。接地電位ＣＯＭは、基板３６に設けられる図示しない共通電極線に与えられる。
トランジスタＴは、ゲートドライバ３３からゲートラインＧＬｊを介して与えられるゲート信号によってＯＮすると、ソースドライバ３２からソースラインＳＬｉ＋１を介して与えられる画像信号を絵素３７（絵素電極３７ａ）に書き込む。また、トランジスタＴは、前述の実施形態１ないし４における薄膜トランジスタ１，１１，２１（図１（ａ）、図６（ａ）、図９（ａ）参照）である。薄膜トランジスタ１，１１，２１は、前述のように、しきい値電圧Ｖｔｈを実用上問題のない電圧に制御が可能であることから、上記のような液晶表示装置に適用する場合、適切なしきい値電圧が０〜３Ｖ程度であるので、ドーピング量により、最適なしきい値電圧を設定することができる。したがって、この薄膜トランジスタ１，１１，２１を絵素３７を駆動するトランジスタＴに実用上問題なく用いることができる。
また、ソースドライバ３２およびゲートドライバ３３を構成する回路素子のうち、トランジスタで構成される回路において、各トランジスタとして前述の薄膜トランジスタ１，１１，２１を、実用上問題なく用いることができる。
また、絵素３７のトランジスタＴと駆動回路のトランジスタとを同じトランジスタ１，１１，２１で構成することによって、これらのトランジスタを同一の基板３６上に同じプロセスを用いて同時に作製することが可能になる。それゆえ、マトリクス表示装置の製造工程が削減されるので、マトリクス表示装置の低コストかを図ることができる。
以上のように、絵素３７用のトランジスタＴおよび駆動回路用のトランジスタとして薄膜トランジスタ１，１１，２１を用いても、しきい値が適正に制御されるので、動作の安定したマトリクス表示装置を提供することが可能になる。
以上、本実施の形態および前記の他の実施の形態において、幾つかの例を示したが、本発明は、上記の各実施の形態に限定されることなく、同様の概念に基づく全ての構成に適用される。
例えば、実施形態１ないし４では、薄膜トランジスタ１，１１，２１について例示したが、ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯを活性層に用い、かつ保護層の付与された構造において、同様にＺｎＯに窒素等がドープされた構成であれば、ｐｎ接合ダイオード、ショットキーダイオード、バイポーラトランジスタ、ショットキー障壁電界効果トランジスタ、接合型電界効果トランジスタ等にも本発明が適用可能である。
また、実施形態５では、電子デバイスとしてアクティブマトリクス型の液晶表示装置について例示したが、他の表示装置、例えば有機ＥＬ表示装置やフレキシブル表示装置についても、同様に薄膜トランジスタ１，１１，２１をスイッチング素子として用いていれば、本発明の適用が可能である。
さらに、本発明が適用可能な表示装置以外の電子デバイスとしては、薄膜トランジスタ１，１１，２１をイメージ読み出し用のスイッチング素子として用いた、ライン型イメージスキャナ、マトリクス型イメージスキャナ、Ｘ線イメージセンサ等が挙げられる。このようなスキャナやセンサでは、電荷蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すために絵素電極とソースラインとの間に接続されたスイッチング素子をゲートラインに付与されたゲート電圧（走査信号）でＯＮする。図１２に示す液晶表示装置の絵素３７における液晶容量ＣＬおよび補助容量ＣＳを電荷蓄積容量に置き換えることにより、トランジスタＴをスイッチング素子として備えるスキャナやセンサにおける画像信号を読み出す部分を構成することができる。この構成では、ソースドライバ３２が、絵素から読み出された画像信号の入力回路に置き換えられる。また、ライン型のスキャナでは絵素を１ライン分用いればよい。
（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る薄膜トランジスタの構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。 第１の実施形態に係る薄膜トランジスタの他の構成を示す断面図である。 （ａ）ないし（ｅ）は図１の薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。 第１ないし第３の実施形態に係わる薄膜トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図である。 第１の実施形態に係る薄膜トランジスタのさらに他の構成を示す平面図である。 （ａ）は本発明の第２の実施形態に係る薄膜トランジスタの構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線矢視断面図である。 第２の実施形態に係る薄膜トランジスタの他の構成を示す断面図である。 （ａ）ないし（ｄ）は図６の薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。 （ａ）は本発明の第３の実施形態に係る薄膜トランジスタの構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＦ−Ｆ線矢視断面図である。 第３の実施形態に係る薄膜トランジスタの他の構成を示す断面図である。 （ａ）ないし（ｄ）は図９の薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置の概略構成を示すブロック図である。 図１２の液晶表示装置における絵素の構成を示す回路図である。 （ａ）従来の保護層を有していない薄膜トランジスタの構成を示す断面図であり、（ｂ）従来の保護層を有している薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。 保護層の有無による薄膜トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図である。 保護層の有無による酸化亜鉛薄膜の電圧−抵抗率の特性を示す図である。 第４の実施形態に係わる薄膜トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図である。 第４の実施形態に係わる薄膜トランジスタにおける正のゲート電圧に対するＴＦＴ特性の経時劣化を示す図である。
符号の説明
１，１１，２１ 薄膜トランジスタ（半導体装置）
２，１２，２２ 絶縁性基板
３，１８，２９ ゲート電極
４，１７ ゲート絶縁層（隔絶層）
５，１６，２６ 半導体層（活性層）
６，１４，２４ ソース電極（隔絶層）
７，１５，２５ ドレイン電極（隔絶層）
８，１９ 保護層（隔絶層）
１３，２３ 下地絶縁層（隔絶層）
２７ 第１のゲート絶縁層（隔絶層）
２８ 第２のゲート絶縁層（隔絶層）
３７ 絵素
３７ａ 絵素電極
１０５ 半導体層（活性層）
ＳＬｊ ソースライン
ＧＬｉ ゲートライン
Ｔ トランジスタ（スイッチング素子）

Claims (16)

  1. ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態、アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体から成り、Ｉ族、III族、IV族、Ｖ族またはVII族の元素が添加されている活性層と、
    前記活性層を、前記活性層において可動電荷が移動する領域が雰囲気の影響を受けない範囲で雰囲気から隔絶する隔絶体とを備えていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記元素が、窒素、リン、砒素、アンチモンまたはこれらのうち２種類以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記元素が、窒素、リン、砒素、アンチモンまたはこれらのうち２種類以上と水素とであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記活性層は、窒素、一酸化二窒素、一酸化窒素または二酸化窒素のうち１種類以上と、水蒸気、過酸化水素、アンモニアまたはこれらのうち１種類以上とを含む雰囲気中で形成されたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
  5. 請求項３に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
    前記活性層を、窒素、一酸化二窒素、一酸化窒素または二酸化窒素のうち１種類以上と、水蒸気、過酸化水素、アンモニアまたはこれらのうち１種類以上とを含む雰囲気中で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 前記隔絶体が異なる隔絶層から成ることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の半導体装置。
  7. 前記隔絶層のうち少なくとも１つが、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体により形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記活性層に接続される２つの電極以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層のうち、前記活性層における可動電荷の移動を制御する制御電極と前記活性層との間を絶縁する隔絶層と界面を形成する領域以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体により形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
  9. 前記隔絶層のうち少なくとも１つが樹脂により形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  10. 前記活性層に接続される２つの電極以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層のうち、前記活性層における可動電荷の移動を制御する制御電極と前記活性層との間を絶縁する隔絶層と界面を形成する領域以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層が樹脂により形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
  11. 前記活性層における可動電荷の移動を制御するゲート電極と、
    前記活性層と前記ゲート電極との間を絶縁する前記隔絶層としてのゲート絶縁層と、
    前記活性層に接続されるソース電極およびドレイン電極とを備え、
    前記隔絶層のうち少なくとも１つが、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体により形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  12. 前記ゲート電極および前記ドレイン電極以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層のうち、前記ゲート絶縁層と界面を形成する領域以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ｓｔａｂ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴａＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣｄＳｎＯ３、ＳｒＨｆＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳｃＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＭｇＣｅＯ３、ＳｒＣｅＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＬｉＧａＯ２の混晶系（Ｌｉ１−（ｘ＋ｙ）ＮａｘＫｙ）（Ｇａ１−ｚＡｌｚ）Ｏ２またはこれらのうち少なくとも２つを含む固溶体により形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 前記活性層における可動電荷の移動を制御するゲート電極と、
    前記活性層と前記ゲート電極との間を絶縁する前記隔絶層としてのゲート絶縁層と、
    前記活性層に接続されるソース電極およびドレイン電極とを備え、
    前記隔絶層のうち少なくとも１つが樹脂により形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  14. 前記ゲート電極および前記ドレイン電極以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層のうち、前記ゲート絶縁層と界面を形成する領域以外で前記活性層と界面を形成する前記隔絶層が樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 請求項１ないし４および６ないし１４のいずれか１項に記載の半導体装置をスイッチング素子として備えた電子デバイス。
  16. 前記スイッチング素子が、絵素電極への画像信号の書き込みまたは読み出しのために絵素電極に接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイス。
JP2004079273A 2003-06-20 2004-03-18 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス Expired - Lifetime JP4108633B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004079273A JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2004-03-18 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
CN201010239835.4A CN101916785B (zh) 2003-06-20 2004-06-14 半导体装置及其制造方法以及电子设备
PCT/JP2004/008322 WO2004114391A1 (ja) 2003-06-20 2004-06-14 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
KR1020057024366A KR100745254B1 (ko) 2003-06-20 2004-06-14 반도체 장치 및 그 제조 방법 및 전자 디바이스
US10/560,907 US8093589B2 (en) 2003-06-20 2004-06-14 Semiconductor device with an active layer containing zinc oxide, manufacturing method, and electronic device
TW093117707A TWI243480B (en) 2003-06-20 2004-06-18 Semiconductor device, fabrication method thereof, and electronic device
US13/072,910 US20110175090A1 (en) 2003-06-20 2011-03-28 Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US13/365,389 US20120132908A1 (en) 2003-06-20 2012-02-03 Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003177272 2003-06-20
JP2004079273A JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2004-03-18 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005033172A true JP2005033172A (ja) 2005-02-03
JP4108633B2 JP4108633B2 (ja) 2008-06-25

Family

ID=33543492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004079273A Expired - Lifetime JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2004-03-18 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8093589B2 (ja)
JP (1) JP4108633B2 (ja)
KR (1) KR100745254B1 (ja)
CN (1) CN101916785B (ja)
TW (1) TWI243480B (ja)
WO (1) WO2004114391A1 (ja)

Cited By (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269469A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2006132439A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Casio Computer Co., Ltd Thin film transistor having channel comprising zinc oxide and manufacturing method thereof
JP2006344926A (ja) * 2006-02-23 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2007073561A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ
JP2007073563A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ
JP2007081362A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Samsung Sdi Co Ltd 透明薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2007096126A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Sharp Corp トランジスタおよび電子デバイス
JP2007115807A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007115808A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007115735A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007123861A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2007134687A (ja) * 2005-10-14 2007-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2007158307A (ja) * 2005-11-08 2007-06-21 Canon Inc 電界効果型トランジスタ
JP2007194594A (ja) * 2005-12-19 2007-08-02 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ
WO2007120010A1 (en) * 2006-04-17 2007-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100787464B1 (ko) * 2007-01-08 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
JP2008028141A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008166716A (ja) * 2006-12-05 2008-07-17 Canon Inc ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
JP2008535205A (ja) * 2006-02-02 2008-08-28 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2008537631A (ja) * 2005-03-31 2008-09-18 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ディスプレイの製造方法
JP2009010362A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP2009021612A (ja) * 2005-09-29 2009-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2009099953A (ja) * 2007-09-26 2009-05-07 Canon Inc 電界効果型トランジスタの製造方法
JP2009237005A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 画素回路および表示装置並びに画素回路の駆動制御方法
JP2009237006A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 画素回路および表示装置並びに画素回路の駆動制御方法
WO2009150886A1 (ja) * 2008-06-13 2009-12-17 ブラザー工業株式会社 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法
JP2010016347A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
JP2010016348A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
JP2010021520A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置
WO2010041686A1 (ja) * 2008-10-08 2010-04-15 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2010053060A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7768008B2 (en) 2007-11-13 2010-08-03 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same and display using the same
WO2010089981A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 シャープ株式会社 半導体装置
US7791074B2 (en) 2005-09-06 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2010541237A (ja) * 2007-09-26 2010-12-24 イーストマン コダック カンパニー 原子層堆積による薄膜トランジスタの製造方法
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010541A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7884360B2 (en) 2006-08-09 2011-02-08 Nec Lcd Technologies, Ltd. Thin-film device and method of fabricating the same
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
JP2011129865A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Korea Electronics Telecommun 薄膜トランジスター、及びその形成方法
JP2011135066A (ja) * 2009-11-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法
KR101064402B1 (ko) * 2009-01-12 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치
KR20110112030A (ko) * 2010-04-06 2011-10-12 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2011228689A (ja) * 2010-04-02 2011-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012033908A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8134156B2 (en) 2005-11-15 2012-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including zinc oxide containing semiconductor film
JP2012099757A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2012073918A1 (en) * 2010-11-30 2012-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2012090974A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012134469A (ja) * 2010-11-30 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2012216796A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2012227521A (ja) * 2011-04-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2012231100A (ja) * 2010-06-11 2012-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012238763A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2013008407A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8384076B2 (en) 2008-05-15 2013-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Transistors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same
JP2013042150A (ja) * 2009-03-12 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8450732B2 (en) 2007-06-19 2013-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
JP2013118401A (ja) * 2013-02-22 2013-06-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013128127A (ja) * 2005-09-06 2013-06-27 Canon Inc ディスプレイ
JP2013140989A (ja) * 2010-04-23 2013-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8502217B2 (en) 2007-12-04 2013-08-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxide semiconductor device including insulating layer and display apparatus using the same
JP2013153178A (ja) * 2013-03-01 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8552423B2 (en) 2009-07-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8570456B2 (en) 2005-08-12 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device equipped with the semiconductor device
JP2013232619A (ja) * 2012-04-28 2013-11-14 Boe Technology Group Co Ltd 表示装置、アレイ基板、薄膜トランジスタ及びその製造方法
US8604469B2 (en) 2008-06-05 2013-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel
US8618543B2 (en) 2007-04-20 2013-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor including selectively crystallized channel layer and method of manufacturing the thin film transistor
US8686972B2 (en) 2009-11-20 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8730186B2 (en) 2009-05-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
JP2014099628A (ja) * 2010-04-02 2014-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8743030B2 (en) 2005-09-16 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
US8785990B2 (en) 2005-10-14 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first and second or drain electrodes and manufacturing method thereof
US8797142B2 (en) 2009-04-06 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device, IC card and communication system
US8829512B2 (en) 2010-12-28 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014524666A (ja) * 2011-08-22 2014-09-22 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 酸化物ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法並びに電子デバイス
JP2014179636A (ja) * 2014-05-01 2014-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8853697B2 (en) 2012-03-01 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8854191B2 (en) 2006-03-10 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the same
JP2014196495A (ja) * 2009-12-24 2014-10-16 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置の製造方法
US8936963B2 (en) 2009-03-13 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
JP2015028635A (ja) * 2005-06-30 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015043441A (ja) * 2010-03-26 2015-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015079986A (ja) * 2009-05-01 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9064853B2 (en) 2011-08-19 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015164220A (ja) * 2010-02-19 2015-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015181166A (ja) * 2015-04-14 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015233147A (ja) * 2010-05-21 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016034027A (ja) * 2010-04-02 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9318053B2 (en) 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20160102363A (ko) * 2016-08-16 2016-08-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2016184748A (ja) * 2011-04-29 2016-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016195279A (ja) * 2011-01-12 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2017022315A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US9577108B2 (en) 2010-05-21 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017055120A (ja) * 2010-09-13 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9647137B2 (en) 2008-10-24 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
JP2017085080A (ja) * 2015-10-23 2017-05-18 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2017163118A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2017224860A (ja) * 2009-05-29 2017-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018046286A (ja) * 2011-12-23 2018-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018056596A (ja) * 2018-01-04 2018-04-05 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US9972274B2 (en) 2013-10-30 2018-05-15 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
JP2018113459A (ja) * 2010-04-02 2018-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018128696A (ja) * 2009-02-13 2018-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20180100042A (ko) * 2010-07-26 2018-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2018186308A (ja) * 2013-10-30 2018-11-22 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR20190006092A (ko) * 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2019054284A (ja) * 2018-12-12 2019-04-04 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2019179861A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2019186567A (ja) * 2009-09-04 2019-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022033795A (ja) * 2009-10-09 2022-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Families Citing this family (1923)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7316942B2 (en) * 2005-02-14 2008-01-08 Honeywell International, Inc. Flexible active matrix display backplane and method
US8030643B2 (en) 2005-03-28 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and manufacturing method the same
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
WO2007034935A1 (en) 2005-09-21 2007-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and semiconductor device having the cyclic redundancy check circuit
US7314801B2 (en) 2005-12-20 2008-01-01 Palo Alto Research Center Incorporated Semiconductor device having a surface conducting channel and method of forming
JP5110803B2 (ja) * 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US7692223B2 (en) 2006-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8222076B2 (en) * 2006-08-02 2012-07-17 Xerox Corporation Fabricating amorphous zinc oxide semiconductor layer
KR101257928B1 (ko) * 2006-08-18 2013-04-24 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR100829570B1 (ko) * 2006-10-20 2008-05-14 삼성전자주식회사 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US7646015B2 (en) 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
WO2008069255A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
JP5320746B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ
JP5215589B2 (ja) * 2007-05-11 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101345378B1 (ko) * 2007-05-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP5294651B2 (ja) * 2007-05-18 2013-09-18 キヤノン株式会社 インバータの作製方法及びインバータ
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
KR101402189B1 (ko) * 2007-06-22 2014-06-02 삼성전자주식회사 Ｚｎ 산화물계 박막 트랜지스터 및 Ｚｎ 산화물의 식각용액
US8354674B2 (en) 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7972898B2 (en) * 2007-09-26 2011-07-05 Eastman Kodak Company Process for making doped zinc oxide
US20090079328A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Thin film encapsulation containing zinc oxide
US20090081356A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
US7858144B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-28 Eastman Kodak Company Process for depositing organic materials
JP4759598B2 (ja) * 2007-09-28 2011-08-31 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
US8258021B2 (en) 2007-10-26 2012-09-04 Palo Alto Research Center Incorporated Protecting semiconducting oxides
JP5213421B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタ
JP5213458B2 (ja) 2008-01-08 2013-06-19 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
WO2009113475A1 (ja) * 2008-03-13 2009-09-17 株式会社村田製作所 ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品
US7879698B2 (en) * 2008-03-24 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
EP2291856A4 (en) * 2008-06-27 2015-09-23 Semiconductor Energy Lab THIN FILM TRANSISTOR
KR101656843B1 (ko) 2008-07-10 2016-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
CN101625977B (zh) * 2008-07-11 2011-08-31 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 薄膜晶体管的制造方法
TWI476921B (zh) 2008-07-31 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI622175B (zh) 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI500159B (zh) 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5608347B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5525778B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI424506B (zh) 2008-08-08 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20100023151A (ko) * 2008-08-21 2010-03-04 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI511299B (zh) * 2008-09-01 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5339825B2 (ja) * 2008-09-09 2013-11-13 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
KR101545460B1 (ko) 2008-09-12 2015-08-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
KR101812935B1 (ko) 2008-09-12 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
KR101722913B1 (ko) * 2008-09-12 2017-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101657957B1 (ko) 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2010032638A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102160105B (zh) 2008-09-19 2014-06-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR102187427B1 (ko) 2008-09-19 2020-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
CN102160103B (zh) * 2008-09-19 2013-09-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN102160184B (zh) 2008-09-19 2014-07-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2010038599A1 (en) 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101273972B1 (ko) 2008-10-03 2013-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR20210135349A (ko) 2008-10-03 2021-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기
CN101714546B (zh) 2008-10-03 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010044478A1 (en) 2008-10-16 2010-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101612147B1 (ko) * 2008-10-23 2016-04-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5616012B2 (ja) * 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
KR101259727B1 (ko) 2008-10-24 2013-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
WO2010050419A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
TWI633605B (zh) 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI535037B (zh) 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI467663B (zh) 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
TWI574423B (zh) 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI536577B (zh) 2008-11-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101432764B1 (ko) 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101671660B1 (ko) 2008-11-21 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기
TWI571684B (zh) 2008-11-28 2017-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI585955B (zh) 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
US8344387B2 (en) 2008-11-28 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101472771B1 (ko) 2008-12-01 2014-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101515468B1 (ko) * 2008-12-12 2015-05-06 삼성전자주식회사 표시장치 및 그 동작방법
CN102257621B (zh) 2008-12-19 2013-08-21 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
JP5615540B2 (ja) 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI476915B (zh) 2008-12-25 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI501319B (zh) * 2008-12-26 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5590877B2 (ja) 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TW202503729A (zh) 2009-01-16 2025-01-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101671210B1 (ko) 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8450144B2 (en) 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI529942B (zh) 2009-03-27 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
US8927981B2 (en) 2009-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8338226B2 (en) 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101578694B1 (ko) * 2009-06-02 2015-12-21 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR20120031026A (ko) 2009-06-30 2012-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
EP3573108A1 (en) 2009-06-30 2019-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102473728B (zh) 2009-06-30 2014-11-26 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
WO2011001822A1 (en) 2009-07-03 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101791370B1 (ko) 2009-07-10 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102174908B1 (ko) 2009-07-10 2020-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 제작 방법
KR101900653B1 (ko) 2009-07-10 2018-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007682A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR101739154B1 (ko) * 2009-07-17 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010544A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011010542A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101904811B1 (ko) 2009-07-24 2018-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102057299B1 (ko) 2009-07-31 2019-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR101913995B1 (ko) 2009-07-31 2018-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN105097946B (zh) 2009-07-31 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011013502A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI596741B (zh) 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI650848B (zh) 2009-08-07 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI528527B (zh) 2009-08-07 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5663231B2 (ja) 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI559501B (zh) 2009-08-07 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
WO2011027715A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011027702A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR102221207B1 (ko) 2009-09-04 2021-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
US9805641B2 (en) 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN102891181B (zh) 2009-09-16 2016-06-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管及显示设备
KR20250053962A (ko) 2009-09-16 2025-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011034012A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
KR101700470B1 (ko) 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
KR101927922B1 (ko) * 2009-09-16 2018-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR101342343B1 (ko) 2009-09-24 2013-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제작 방법
KR20220127372A (ko) 2009-09-24 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
WO2011037008A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
CN105161543A (zh) 2009-09-24 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR102219095B1 (ko) 2009-09-24 2021-02-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102474256B (zh) 2009-09-24 2016-03-02 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
KR101707260B1 (ko) * 2009-09-24 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101740943B1 (ko) * 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101883330B1 (ko) 2009-09-30 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레독스 커패시터 및 그 제작 방법
KR101767035B1 (ko) * 2009-10-01 2017-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011043163A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR101877149B1 (ko) 2009-10-08 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102108943B1 (ko) 2009-10-08 2020-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101949670B1 (ko) 2009-10-09 2019-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043162A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101759504B1 (ko) 2009-10-09 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043170A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103984176B (zh) 2009-10-09 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备
KR102070268B1 (ko) 2009-10-09 2020-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102000410B1 (ko) 2009-10-09 2019-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011046003A1 (en) 2009-10-14 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN110824800B (zh) * 2009-10-16 2022-07-26 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR101801540B1 (ko) 2009-10-16 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR102577885B1 (ko) 2009-10-16 2023-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011046025A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
KR101915251B1 (ko) 2009-10-16 2018-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20170143023A (ko) 2009-10-21 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR20220038542A (ko) 2009-10-21 2022-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101892430B1 (ko) 2009-10-21 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101291488B1 (ko) 2009-10-21 2013-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105702688B (zh) 2009-10-21 2020-09-08 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
EP2491594A4 (en) 2009-10-21 2015-09-16 Semiconductor Energy Lab DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE WITH THE DISPLAY DEVICE
WO2011049230A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR101969279B1 (ko) 2009-10-29 2019-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102458764B1 (ko) 2009-10-29 2022-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101629194B1 (ko) 2009-10-30 2016-06-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101837102B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052411A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
EP2494601A4 (en) 2009-10-30 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2011052366A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
CN102576708B (zh) 2009-10-30 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011052409A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052413A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
KR101835155B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
CN102484471B (zh) 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
WO2011052410A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
CN104282691B (zh) 2009-10-30 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101299255B1 (ko) 2009-11-06 2013-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP3051588A1 (en) 2009-11-06 2016-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101932407B1 (ko) 2009-11-06 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
WO2011055668A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
WO2011055644A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011055669A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120116403A (ko) * 2009-11-06 2012-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 터치 패널의 구동 방법
WO2011055660A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102009305B1 (ko) 2009-11-06 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011055638A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101810254B1 (ko) 2009-11-06 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102705608B1 (ko) 2009-11-13 2024-09-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
KR101738996B1 (ko) * 2009-11-13 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
WO2011058866A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011058882A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011058865A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devi ce
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
WO2011062041A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011062042A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011062068A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102668077B (zh) 2009-11-20 2015-05-13 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101370301B1 (ko) 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101448908B1 (ko) 2009-11-20 2014-10-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101811999B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120107079A (ko) 2009-11-20 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
WO2011065209A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011065198A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102007134B1 (ko) 2009-11-27 2019-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR101911382B1 (ko) * 2009-11-27 2018-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065244A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101329849B1 (ko) 2009-11-28 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105739209B (zh) * 2009-11-30 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法
KR101623961B1 (ko) * 2009-12-02 2016-05-26 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
WO2011068032A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
KR20120103676A (ko) 2009-12-04 2012-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102450889B1 (ko) 2009-12-04 2022-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101840623B1 (ko) * 2009-12-04 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
CN104795323B (zh) 2009-12-04 2017-12-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011068017A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR101800038B1 (ko) 2009-12-04 2017-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20120107107A (ko) 2009-12-04 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101943109B1 (ko) 2009-12-04 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101945171B1 (ko) 2009-12-08 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101511076B1 (ko) 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101742777B1 (ko) 2009-12-10 2017-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR20120102748A (ko) * 2009-12-11 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
KR101804589B1 (ko) 2009-12-11 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2510541A4 (en) 2009-12-11 2016-04-13 Semiconductor Energy Lab NON-VOLTAGE SHUTTER AND LOGIC SWITCHING AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH
KR101770976B1 (ko) 2009-12-11 2017-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5185357B2 (ja) 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011074409A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102640207A (zh) 2009-12-18 2012-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其驱动方法
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
EP2513966B1 (en) 2009-12-18 2020-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011074407A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102329671B1 (ko) 2009-12-18 2021-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011074408A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
KR101282383B1 (ko) 2009-12-18 2013-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
CN102725784B (zh) 2009-12-18 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 具有光学传感器的显示设备及其驱动方法
KR20120115318A (ko) 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR101971851B1 (ko) 2009-12-25 2019-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
KR101301463B1 (ko) 2009-12-25 2013-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제작하기 위한 방법
WO2011077946A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101473684B1 (ko) 2009-12-25 2014-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101541474B1 (ko) 2009-12-25 2015-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8441009B2 (en) 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN109390215B (zh) 2009-12-28 2023-08-15 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR101762316B1 (ko) 2009-12-28 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI409957B (zh) * 2009-12-28 2013-09-21 Prime View Int Co Ltd 含氧半導體薄膜電晶體之製作方法及顯示裝置之製作方法
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
IN2012DN05057A (ja) 2009-12-28 2015-10-09 Semiconductor Energy Lab
KR101872678B1 (ko) 2009-12-28 2018-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
WO2011080999A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8759917B2 (en) * 2010-01-04 2014-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin-film transistor having etch stop multi-layer and method of manufacturing the same
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101798367B1 (ko) 2010-01-15 2017-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120099483A (ko) 2010-01-15 2012-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
WO2011086812A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101748763B1 (ko) * 2010-01-15 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
CN102742003B (zh) * 2010-01-15 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR102542681B1 (ko) 2010-01-20 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
KR20180102702A (ko) 2010-01-20 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102714023B (zh) 2010-01-20 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备的驱动方法
US8415731B2 (en) 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
CN102713999B (zh) * 2010-01-20 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 电子设备和电子系统
KR101861991B1 (ko) 2010-01-20 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호 처리 회로 및 신호 처리 회로를 구동하기 위한 방법
KR101816505B1 (ko) 2010-01-20 2018-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 표시 방법
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
WO2011089832A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
IN2012DN05920A (ja) 2010-01-20 2015-09-18 Semiconductor Energy Lab
KR101844085B1 (ko) * 2010-01-22 2018-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101773641B1 (ko) 2010-01-22 2017-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011089852A1 (en) 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR20200088506A (ko) 2010-01-24 2020-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101878224B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101893904B1 (ko) 2010-01-29 2018-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
CN102714001B (zh) 2010-01-29 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置与包含半导体装置的电子装置
KR102628681B1 (ko) 2010-02-05 2024-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011096277A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011096263A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102742001B (zh) * 2010-02-05 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN105590964B (zh) 2010-02-05 2019-01-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011096270A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101921618B1 (ko) 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102129413B1 (ko) 2010-02-12 2020-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
CN102742002B (zh) 2010-02-12 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099376A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011099368A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
CN102754209B (zh) 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR102139209B1 (ko) 2010-02-18 2020-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
US8928644B2 (en) 2010-02-19 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
KR101832119B1 (ko) 2010-02-19 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102190A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit
KR101848684B1 (ko) 2010-02-19 2018-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
CN102754162B (zh) 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
JP5740169B2 (ja) 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
WO2011102206A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device, driving method thereof, and method for manufacturing semiconductor device
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011102233A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102318235B1 (ko) 2010-02-23 2021-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102770903B (zh) 2010-02-26 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置及具备该显示装置的电子书阅读器
KR20130025871A (ko) * 2010-02-26 2013-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101733765B1 (ko) 2010-02-26 2017-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
KR101913657B1 (ko) 2010-02-26 2018-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR20130009978A (ko) 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
KR102204162B1 (ko) 2010-02-26 2021-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011105198A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105245218B (zh) 2010-03-02 2019-01-22 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
KR101838628B1 (ko) 2010-03-02 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101817926B1 (ko) 2010-03-02 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
CN105553462B (zh) 2010-03-02 2019-12-13 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
KR101932909B1 (ko) * 2010-03-04 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102341927B1 (ko) 2010-03-05 2021-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20130008037A (ko) * 2010-03-05 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011108346A1 (en) 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor
WO2011111522A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101898297B1 (ko) 2010-03-08 2018-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN104979369B (zh) 2010-03-08 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011111504A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
KR20130007597A (ko) 2010-03-08 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
KR102192753B1 (ko) 2010-03-08 2020-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
KR101761558B1 (ko) * 2010-03-12 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법
CN102782622B (zh) * 2010-03-12 2016-11-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
WO2011111507A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102804380B (zh) 2010-03-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2011216864A (ja) * 2010-03-15 2011-10-27 Canon Inc 半導体装置とその製造方法
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101840797B1 (ko) 2010-03-19 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치
KR101891065B1 (ko) 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
CN102812547B (zh) 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011118351A1 (en) 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011118364A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130062919A (ko) 2010-03-26 2013-06-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011122312A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
KR20130069583A (ko) 2010-03-31 2013-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 필드 시퀀셜 구동형 표시 장치
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
WO2011122280A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011125453A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102834861B (zh) 2010-04-09 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和驱动该液晶显示设备的方法
WO2011125454A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130036739A (ko) 2010-04-09 2013-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
WO2011129456A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing semiconductor device
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011132556A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20130045418A (ko) 2010-04-23 2013-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE112011101396T5 (de) 2010-04-23 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und Treiberverfahren für dieselbe
KR101754380B1 (ko) 2010-04-23 2017-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011132548A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
KR20190110632A (ko) 2010-04-28 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011142467A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US9490368B2 (en) * 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
CN102906882B (zh) 2010-05-21 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011145706A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152233A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20110133251A (ko) 2010-06-04 2011-12-12 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102870221B (zh) * 2010-06-08 2014-03-26 夏普株式会社 薄膜晶体管基板、具有它的液晶显示装置和薄膜晶体管基板的制造方法
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR101746197B1 (ko) 2010-06-25 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
US9437454B2 (en) 2010-06-29 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012002040A1 (en) 2010-07-01 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
WO2012002197A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR102354354B1 (ko) 2010-07-02 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101850567B1 (ko) 2010-07-16 2018-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5735872B2 (ja) 2010-07-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5836680B2 (ja) 2010-07-27 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8582348B2 (en) 2010-08-06 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
CN107947763B (zh) 2010-08-06 2021-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
CN103026416B (zh) 2010-08-06 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8748224B2 (en) 2010-08-16 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
US8592261B2 (en) 2010-08-27 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for designing semiconductor device
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
CN103081092B (zh) 2010-08-27 2016-11-09 株式会社半导体能源研究所 存储器件及半导体器件
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012029674A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20130099074A (ko) 2010-09-03 2013-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101856722B1 (ko) * 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI691960B (zh) 2010-10-05 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
TWI556317B (zh) 2010-10-07 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜元件、半導體裝置以及它們的製造方法
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
CN105732401A (zh) 2010-11-02 2016-07-06 宇部兴产株式会社 (酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI654764B (zh) 2010-11-11 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI541981B (zh) 2010-11-12 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5723262B2 (ja) * 2010-12-02 2015-05-27 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
KR20240025046A (ko) 2010-12-03 2024-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
US8957462B2 (en) 2010-12-09 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5784479B2 (ja) 2010-12-28 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI621121B (zh) 2011-01-05 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5977523B2 (ja) 2011-01-12 2016-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI657565B (zh) 2011-01-14 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8916867B2 (en) 2011-01-20 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor element and semiconductor device
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102183A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW202320146A (zh) 2011-01-26 2023-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI614747B (zh) 2011-01-26 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TWI602303B (zh) 2011-01-26 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
WO2012102181A1 (en) 2011-01-27 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101899375B1 (ko) 2011-01-28 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20210034703A (ko) 2011-01-28 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
JP6000560B2 (ja) 2011-02-02 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101995682B1 (ko) 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI565078B (zh) 2011-03-25 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8797788B2 (en) 2011-04-22 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
CN102760697B (zh) 2011-04-27 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
TWI654762B (zh) 2011-05-05 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8564331B2 (en) 2011-05-13 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397222B2 (en) 2011-05-13 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012157463A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5959296B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその製造方法
US8897049B2 (en) 2011-05-13 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Semiconductor device and memory device including semiconductor device
JP6109489B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
KR101946360B1 (ko) 2011-05-16 2019-02-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
CN102789808B (zh) 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI616873B (zh) 2011-05-20 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI534956B (zh) 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
WO2012169449A1 (en) 2011-06-08 2012-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI575751B (zh) 2011-06-16 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
SG11201504734VA (en) 2011-06-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI565067B (zh) 2011-07-08 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112012003074T5 (de) 2011-07-22 2014-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemissionsvorrichtung
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8878176B2 (en) 2011-08-11 2014-11-04 The Hong Kong University Of Science And Technology Metal-oxide based thin-film transistors with fluorinated active layer
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI805306B (zh) 2011-08-29 2023-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
TWI605590B (zh) 2011-09-29 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102447866B1 (ko) 2011-09-29 2022-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2013047631A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
IN2014DN03274A (ja) 2011-10-14 2015-05-22 Semiconductor Energy Lab
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102067051B1 (ko) 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102012981B1 (ko) 2011-11-09 2019-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
KR101984739B1 (ko) 2011-11-11 2019-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
KR20130055521A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6125211B2 (ja) 2011-11-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN102496631B (zh) * 2011-11-25 2014-05-21 中山大学 背电极结构的ZnO基全透明非挥发存储器及制备方法
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
TWI669760B (zh) 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20140101817A (ko) 2011-12-02 2014-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR102084274B1 (ko) 2011-12-15 2020-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
TWI580047B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102147870B1 (ko) 2012-01-23 2020-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2013111756A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TW201901972A (zh) 2012-01-26 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
JP6220526B2 (ja) 2012-02-29 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107340509B (zh) 2012-03-09 2020-04-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
WO2013137014A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for driving the same
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8947155B2 (en) 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
US9276121B2 (en) 2012-04-12 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20230157542A (ko) 2012-04-13 2023-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9035364B2 (en) 2012-04-13 2015-05-19 Au Optronics Corporation Active device and fabricating method thereof
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
DE112013002281T5 (de) 2012-05-02 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmierbare Logikvorrichtung
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6100076B2 (ja) 2012-05-02 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プロセッサ
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102295737B1 (ko) 2012-05-10 2021-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20250009548A (ko) 2012-05-10 2025-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
TWI670553B (zh) 2012-05-16 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及觸控面板
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8785928B2 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN104380473B (zh) 2012-05-31 2017-10-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
US9343120B2 (en) 2012-06-01 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High speed processing unit with non-volatile register
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
KR102113160B1 (ko) 2012-06-15 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US10134852B2 (en) 2012-06-29 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6310194B2 (ja) 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
WO2014013958A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102738382B1 (ko) 2012-07-20 2024-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102505680B1 (ko) 2012-07-20 2023-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN108054175A (zh) 2012-08-03 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2014021442A1 (en) 2012-08-03 2014-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
CN108305895B (zh) 2012-08-10 2021-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102099261B1 (ko) 2012-08-10 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
TWI575663B (zh) 2012-08-31 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US20140061869A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Shelby F. Nelson Electronic element including dielectric stack
KR102088865B1 (ko) 2012-09-03 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로 컨트롤러
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
WO2014042102A1 (en) 2012-09-13 2014-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TW202422663A (zh) 2012-09-14 2024-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
TWI821777B (zh) 2012-09-24 2023-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
WO2014061535A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102168987B1 (ko) 2012-10-17 2020-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로컨트롤러 및 그 제조 방법
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9287411B2 (en) 2012-10-24 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102130184B1 (ko) 2012-10-24 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI637517B (zh) 2012-10-24 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
CN102931091A (zh) * 2012-10-25 2013-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI649794B (zh) 2012-11-08 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 金屬氧化物膜及形成金屬氧化物膜的方法
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
TWI613759B (zh) 2012-11-28 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR102148549B1 (ko) 2012-11-28 2020-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102248765B1 (ko) 2012-11-30 2021-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
DE112013006219T5 (de) 2012-12-25 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
CN104885230B (zh) 2012-12-25 2018-02-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2014104267A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR20250028503A (ko) 2012-12-28 2025-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
WO2014125979A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
KR101796812B1 (ko) * 2013-02-15 2017-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611567B (zh) 2013-02-27 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9647152B2 (en) 2013-03-01 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199708A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
TWI677193B (zh) 2013-03-15 2019-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6395409B2 (ja) 2013-03-27 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI639235B (zh) 2013-05-16 2018-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI690085B (zh) 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9454923B2 (en) 2013-05-17 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN105264668B (zh) 2013-05-20 2019-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102358739B1 (ko) * 2013-05-20 2022-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN104241389B (zh) * 2013-06-21 2017-09-01 上海和辉光电有限公司 薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法
JP6357363B2 (ja) 2013-06-26 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6402713B2 (ja) * 2013-06-27 2018-10-10 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法、画像表示装置及び表示方法
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6352070B2 (ja) 2013-07-05 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
TWI654614B (zh) 2013-07-10 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
CN104345934A (zh) * 2013-07-30 2015-02-11 宸鸿科技(厦门)有限公司 压电式触控面板
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) * 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI663820B (zh) 2013-08-21 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
TWI667520B (zh) 2013-08-28 2019-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9716003B2 (en) 2013-09-13 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP6429540B2 (ja) 2013-09-13 2018-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102643577B1 (ko) 2013-09-13 2024-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9397153B2 (en) 2013-09-23 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102213515B1 (ko) 2013-09-26 2021-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위치 회로, 반도체 장치, 및 시스템
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI688102B (zh) 2013-10-10 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102183763B1 (ko) 2013-10-11 2020-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6591739B2 (ja) 2013-10-16 2019-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 演算処理装置の駆動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
CN110571278A (zh) 2013-10-22 2019-12-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN105659370A (zh) 2013-10-22 2016-06-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015109424A (ja) 2013-10-22 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20180132181A (ko) 2013-12-02 2018-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
KR102705567B1 (ko) 2013-12-02 2024-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627413B2 (en) 2013-12-12 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI721409B (zh) 2013-12-19 2021-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102283814B1 (ko) 2013-12-25 2021-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097589A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR102309629B1 (ko) 2013-12-27 2021-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6446258B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR102320576B1 (ko) 2013-12-27 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9472678B2 (en) 2013-12-27 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6473626B2 (ja) 2014-02-06 2019-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6534530B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
JP6420165B2 (ja) 2014-02-07 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR20240093961A (ko) 2014-02-11 2024-06-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102317297B1 (ko) 2014-02-19 2021-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
TWI702187B (zh) 2014-02-21 2020-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
WO2015128774A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015136413A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
KR102450562B1 (ko) 2014-03-13 2022-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR102414469B1 (ko) 2014-03-14 2022-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
WO2015140656A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
KR102400212B1 (ko) 2014-03-28 2022-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
TWI767772B (zh) 2014-04-10 2022-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
KR20160144492A (ko) 2014-04-18 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
WO2015181679A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
KR102373263B1 (ko) 2014-05-30 2022-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
DE112014006711B4 (de) 2014-05-30 2021-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronische Vorrichtung
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
CN112038410A (zh) 2014-07-15 2020-12-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法以及包括半导体装置的显示装置
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102352633B1 (ko) 2014-07-25 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치
US10115830B2 (en) 2014-07-29 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
KR102533396B1 (ko) 2014-07-31 2023-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9595955B2 (en) 2014-08-08 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including power storage elements and switches
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
WO2016030801A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102441803B1 (ko) 2014-09-02 2022-09-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201614626A (en) 2014-09-05 2016-04-16 Semiconductor Energy Lab Display device and electronic device
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
KR20240161234A (ko) 2014-10-10 2024-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 전자 기기, 및 반도체 장치
KR20170069207A (ko) 2014-10-10 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 회로 기판, 및 전자 기기
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
CN107111970B (zh) 2014-10-28 2021-08-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
US9793905B2 (en) 2014-10-31 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI699897B (zh) 2014-11-21 2020-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
TWI669819B (zh) 2014-11-28 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組以及電子裝置
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
US20160155849A1 (en) 2014-12-02 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device
US9768317B2 (en) 2014-12-08 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN107004722A (zh) 2014-12-10 2017-08-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI791952B (zh) 2014-12-18 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
CN111933668A (zh) 2014-12-29 2020-11-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
CN107207252B (zh) 2015-02-02 2021-04-30 株式会社半导体能源研究所 氧化物及其制造方法
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
WO2016125051A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI732383B (zh) 2015-02-06 2021-07-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US10439068B2 (en) 2015-02-12 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9722092B2 (en) 2015-02-25 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a stacked metal oxide
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9685560B2 (en) 2015-03-02 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device
KR102653836B1 (ko) 2015-03-03 2024-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
CN107406966B (zh) 2015-03-03 2020-11-20 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6705663B2 (ja) * 2015-03-06 2020-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6681117B2 (ja) 2015-03-13 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
CN114546158A (zh) 2015-03-17 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9634048B2 (en) 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI777164B (zh) 2015-03-30 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
WO2016166628A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
KR20180010205A (ko) 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
KR102556718B1 (ko) 2015-06-19 2023-07-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10019025B2 (en) 2015-07-30 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US9893202B2 (en) 2015-08-19 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9935143B2 (en) 2015-09-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
KR102609997B1 (ko) 2015-10-23 2023-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 모듈 및 전자 기기
US20170118479A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP6887243B2 (ja) 2015-12-11 2021-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
JP2017112374A (ja) 2015-12-16 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、および電子機器
CN108475491B (zh) 2015-12-18 2021-04-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102687427B1 (ko) 2015-12-28 2024-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
CN108473334B (zh) 2015-12-29 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜以及半导体装置
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US10865470B2 (en) 2016-01-18 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film, semiconductor device, and display device
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR102655935B1 (ko) 2016-02-12 2024-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
US11302717B2 (en) * 2016-04-08 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the same
CN109074296B (zh) 2016-04-15 2023-09-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电子构件及电子设备
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
KR102492209B1 (ko) 2016-05-19 2023-01-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
CN109196656B (zh) 2016-06-03 2022-04-19 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物及场效应晶体管
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
CN108109592B (zh) 2016-11-25 2022-01-25 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
JP6168253B1 (ja) 2017-05-01 2017-07-26 富士電機株式会社 駆動装置およびスイッチ装置
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
CN107331698B (zh) * 2017-07-19 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
WO2019025893A1 (ja) 2017-07-31 2019-02-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
KR102605008B1 (ko) 2018-01-24 2023-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11209877B2 (en) 2018-03-16 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrical module, display panel, display device, input/output device, data processing device, and method of manufacturing electrical module
US11362215B2 (en) * 2018-03-30 2022-06-14 Intel Corporation Top-gate doped thin film transistor
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
WO2020012276A1 (ja) 2018-07-09 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7399857B2 (ja) 2018-07-10 2023-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の保護回路
US10818770B2 (en) 2018-07-23 2020-10-27 Ricoh Company, Ltd. Metal oxide, field-effect transistor, and method for producing the same
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
JP7475282B2 (ja) 2018-11-02 2024-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN113169382B (zh) 2018-11-22 2024-09-24 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电池组
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11988720B2 (en) 2018-12-20 2024-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and battery pack
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7528063B2 (ja) 2019-04-26 2024-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
WO2020229911A1 (ja) 2019-05-10 2020-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
CN110171968B (zh) * 2019-06-05 2021-08-17 内蒙古科技大学 高性能固体电解质及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264794A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Res Dev Corp Of Japan 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003086808A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Masashi Kawasaki 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4204217A (en) * 1976-10-18 1980-05-20 Rca Corporation Transistor using liquid crystal
JPH0682625B2 (ja) * 1985-06-04 1994-10-19 シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． 酸化亜鉛膜の蒸着方法
JPS63101740A (ja) 1986-10-17 1988-05-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 縦型電界効果トランジスタ型ガスセンサ
DE68921567T2 (de) * 1988-11-30 1995-07-06 Nippon Electric Co Flüssigkristallanzeigetafel mit verminderten Pixeldefekten.
JPH05313210A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Ricoh Co Ltd 薄膜積層デバイス
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3423896B2 (ja) 1999-03-25 2003-07-07 科学技術振興事業団 半導体デバイス
JP3910341B2 (ja) * 1999-08-04 2007-04-25 シャープ株式会社 二次元画像検出器
KR100342860B1 (ko) * 1999-09-08 2002-07-02 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
US6908782B2 (en) * 2000-08-18 2005-06-21 Midwest Research Instittue High carrier concentration p-type transparent conducting oxide films
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
US6566246B1 (en) * 2001-05-21 2003-05-20 Novellus Systems, Inc. Deposition of conformal copper seed layers by control of barrier layer morphology
JP2003060151A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Fujitsu Ltd 半導体装置
US7023503B2 (en) * 2002-02-20 2006-04-04 Planar Systems, Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264794A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Res Dev Corp Of Japan 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003086808A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Masashi Kawasaki 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置

Cited By (303)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269469A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101202515B1 (ko) 2005-03-31 2012-11-16 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 디스플레이 제조 방법
JP2008537631A (ja) * 2005-03-31 2008-09-18 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ディスプレイの製造方法
WO2006132439A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Casio Computer Co., Ltd Thin film transistor having channel comprising zinc oxide and manufacturing method thereof
JP2006344849A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
EP3651209B1 (en) * 2005-06-10 2024-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display comprising thin film transistor having channel comprising zinc oxide
EP3651209A1 (en) * 2005-06-10 2020-05-13 Samsung Display Co., Ltd. Manufacturing method for thin film transistor having channel comprising zinc oxide
US7585698B2 (en) 2005-06-10 2009-09-08 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
US7566904B2 (en) 2005-06-10 2009-07-28 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
US10224347B2 (en) 2005-06-30 2019-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US11444106B2 (en) 2005-06-30 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US8981443B2 (en) 2005-06-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US9640558B2 (en) 2005-06-30 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US10903244B2 (en) 2005-06-30 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
JP2015028635A (ja) * 2005-06-30 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9318053B2 (en) 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8570456B2 (en) 2005-08-12 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device equipped with the semiconductor device
JP2007073563A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ
JP2007073561A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ
JP2013128127A (ja) * 2005-09-06 2013-06-27 Canon Inc ディスプレイ
US7791074B2 (en) 2005-09-06 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film
US7935582B2 (en) 2005-09-06 2011-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film
US7956361B2 (en) 2005-09-06 2011-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film
JP2014160830A (ja) * 2005-09-06 2014-09-04 Canon Inc 液晶表示装置
US8154024B2 (en) 2005-09-06 2012-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film
CN102496577A (zh) * 2005-09-06 2012-06-13 佳能株式会社 非晶氧化物膜的制造方法
JP2007081362A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Samsung Sdi Co Ltd 透明薄膜トランジスタ及びその製造方法
US8743030B2 (en) 2005-09-16 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
JP2009021612A (ja) * 2005-09-29 2009-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2014082503A (ja) * 2005-09-29 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10304962B2 (en) 2005-09-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8669550B2 (en) * 2005-09-29 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9099562B2 (en) 2005-09-29 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6990263B2 (ja) 2005-09-29 2022-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015111680A (ja) * 2005-09-29 2015-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2007096126A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Sharp Corp トランジスタおよび電子デバイス
JP2016131247A (ja) * 2005-09-29 2016-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019087756A (ja) * 2005-09-29 2019-06-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014075591A (ja) * 2005-09-29 2014-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2020074480A (ja) * 2005-09-29 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012248863A (ja) * 2005-09-29 2012-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示モジュール、及び電子機器
JP2010267975A (ja) * 2005-09-29 2010-11-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2007123861A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2022186818A (ja) * 2005-09-29 2022-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8274077B2 (en) * 2005-09-29 2012-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017201717A (ja) * 2005-09-29 2017-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012156521A (ja) * 2005-09-29 2012-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2019201212A (ja) * 2005-09-29 2019-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN102593187A (zh) * 2005-09-29 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
CN105428418A (zh) * 2005-09-29 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP2017073563A (ja) * 2005-09-29 2017-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016195277A (ja) * 2005-09-29 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2011119751A (ja) * 2005-09-29 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US12183832B2 (en) 2005-09-29 2024-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2021073723A (ja) * 2005-09-29 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9312393B2 (en) 2005-10-14 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor having tapered gate electrode
JP2007134687A (ja) * 2005-10-14 2007-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US8785990B2 (en) 2005-10-14 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first and second or drain electrodes and manufacturing method thereof
JP2007115735A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007115807A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007115808A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007158307A (ja) * 2005-11-08 2007-06-21 Canon Inc 電界効果型トランジスタ
US7851792B2 (en) 2005-11-08 2010-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Field-effect transistor
US8158464B2 (en) 2005-11-15 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display device with a semiconductor film including zinc oxide
US8134156B2 (en) 2005-11-15 2012-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including zinc oxide containing semiconductor film
US8368079B2 (en) 2005-11-15 2013-02-05 Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including common potential line
US8525165B2 (en) 2005-11-15 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with bottom gate zinc oxide thin film transistor
JP2007194594A (ja) * 2005-12-19 2007-08-02 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ
US10444564B1 (en) 2005-12-28 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10739637B2 (en) 2005-12-28 2020-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US9703140B2 (en) 2005-12-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US11269214B2 (en) 2005-12-28 2022-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US12189232B2 (en) 2005-12-28 2025-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8634044B2 (en) 2005-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2008535205A (ja) * 2006-02-02 2008-08-28 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
US7981734B2 (en) 2006-02-02 2011-07-19 Kochi Industrial Promotion Center Manufacturing method of thin film transistor including low resistance conductive thin films
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
JP2006344926A (ja) * 2006-02-23 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US8854191B2 (en) 2006-03-10 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the same
KR100785038B1 (ko) 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
US8735882B2 (en) 2006-04-17 2014-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same
WO2007120010A1 (en) * 2006-04-17 2007-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8421070B2 (en) 2006-04-17 2013-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same
JP2008028141A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8889480B2 (en) 2006-08-09 2014-11-18 Nlt Technologies, Ltd. Method of fabricating a thin-film device
US7884360B2 (en) 2006-08-09 2011-02-08 Nec Lcd Technologies, Ltd. Thin-film device and method of fabricating the same
US8420442B2 (en) 2006-08-09 2013-04-16 Nlt Technologies, Ltd. Method of fabricating a thin-film device
US9209026B2 (en) 2006-08-09 2015-12-08 Nlt Technologies, Ltd. Method of fabricating a thin-film device
US9905699B2 (en) 2006-12-05 2018-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus
US10714627B2 (en) 2006-12-05 2020-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Bottom gate type thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus
JP2008166716A (ja) * 2006-12-05 2008-07-17 Canon Inc ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
KR100787464B1 (ko) * 2007-01-08 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
US8698215B2 (en) 2007-01-08 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Transparent thin film transistor, and method of manufacturing the same
US8618543B2 (en) 2007-04-20 2013-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor including selectively crystallized channel layer and method of manufacturing the thin film transistor
JP2009010362A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
US8450732B2 (en) 2007-06-19 2013-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
JP2009099953A (ja) * 2007-09-26 2009-05-07 Canon Inc 電界効果型トランジスタの製造方法
JP2010541237A (ja) * 2007-09-26 2010-12-24 イーストマン コダック カンパニー 原子層堆積による薄膜トランジスタの製造方法
US7768008B2 (en) 2007-11-13 2010-08-03 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same and display using the same
US8502217B2 (en) 2007-12-04 2013-08-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxide semiconductor device including insulating layer and display apparatus using the same
JP2009237005A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 画素回路および表示装置並びに画素回路の駆動制御方法
JP2009237006A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 画素回路および表示装置並びに画素回路の駆動制御方法
US8384076B2 (en) 2008-05-15 2013-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Transistors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US8604469B2 (en) 2008-06-05 2013-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel
WO2009150886A1 (ja) * 2008-06-13 2009-12-17 ブラザー工業株式会社 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法
US9035313B2 (en) 2008-06-30 2015-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
US8541258B2 (en) 2008-06-30 2013-09-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
JP2010016348A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
US8659016B2 (en) 2008-06-30 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
JP2010016347A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
JP2010021520A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置
US8728862B2 (en) 2008-07-08 2014-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
US8742418B2 (en) 2008-10-08 2014-06-03 Sony Corporation Thin film transistor and display device
US8461594B2 (en) 2008-10-08 2013-06-11 Sony Corporation Thin film transistor and display device
JP2010114413A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2010041686A1 (ja) * 2008-10-08 2010-04-15 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
US10978490B2 (en) 2008-10-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10692894B2 (en) 2008-10-24 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9647137B2 (en) 2008-10-24 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10141343B2 (en) 2008-10-24 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US11594555B2 (en) 2008-10-24 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US8502216B2 (en) 2008-11-07 2013-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015133500A (ja) * 2008-11-07 2015-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI552356B (zh) * 2008-11-07 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2010053060A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI614904B (zh) * 2008-11-07 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10158005B2 (en) 2008-11-07 2018-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101064402B1 (ko) * 2009-01-12 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치
US8686528B2 (en) 2009-02-04 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
WO2010089981A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 シャープ株式会社 半導体装置
JP2018128696A (ja) * 2009-02-13 2018-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102391280B1 (ko) 2009-03-12 2022-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102159147B1 (ko) * 2009-03-12 2020-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR102195170B1 (ko) 2009-03-12 2020-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2015029146A (ja) * 2009-03-12 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020191459A (ja) * 2009-03-12 2020-11-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20200145842A (ko) * 2009-03-12 2020-12-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20200110817A (ko) * 2009-03-12 2020-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8993386B2 (en) 2009-03-12 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20200008051A (ko) * 2009-03-12 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9768281B2 (en) 2009-03-12 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2018142731A (ja) * 2009-03-12 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20210157428A (ko) * 2009-03-12 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016006910A (ja) * 2009-03-12 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7335395B2 (ja) 2009-03-12 2023-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20180110235A (ko) * 2009-03-12 2018-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2022159288A (ja) * 2009-03-12 2022-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7108753B2 (ja) 2009-03-12 2022-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2021180319A (ja) * 2009-03-12 2021-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102342672B1 (ko) * 2009-03-12 2021-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102068632B1 (ko) * 2009-03-12 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2013042150A (ja) * 2009-03-12 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8936963B2 (en) 2009-03-13 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US8797142B2 (en) 2009-04-06 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device, IC card and communication system
JP2015079986A (ja) * 2009-05-01 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101842182B1 (ko) * 2009-05-01 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8730186B2 (en) 2009-05-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US9207798B2 (en) 2009-05-28 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
JP2019083345A (ja) * 2009-05-29 2019-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017224860A (ja) * 2009-05-29 2017-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10461098B2 (en) 2009-07-18 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8698143B2 (en) 2009-07-18 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011010541A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011044696A (ja) * 2009-07-18 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US11177289B2 (en) 2009-07-18 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8293594B2 (en) 2009-07-18 2012-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a display device having oxide semiconductor layer
JP2011044698A (ja) * 2009-07-18 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US11715741B2 (en) 2009-07-18 2023-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8994024B2 (en) 2009-07-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8643018B2 (en) 2009-07-18 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a pixel portion and a driver circuit
US8552423B2 (en) 2009-07-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9263472B2 (en) 2009-07-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9190424B2 (en) 2009-07-18 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2019186567A (ja) * 2009-09-04 2019-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12159875B2 (en) 2009-10-09 2024-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
JP2022033795A (ja) * 2009-10-09 2022-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8686972B2 (en) 2009-11-20 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP2012253363A (ja) * 2009-11-28 2012-12-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 部材の作製方法
US10079310B2 (en) 2009-11-28 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including stacked oxide semiconductor material
JP2011135064A (ja) * 2009-11-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法
US9520287B2 (en) 2009-11-28 2016-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having stacked oxide semiconductor layers
JP2011135066A (ja) * 2009-11-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
JP2012235150A (ja) * 2009-11-28 2012-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 部材の作製方法
US10347771B2 (en) 2009-11-28 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
US8748215B2 (en) 2009-11-28 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
US8765522B2 (en) 2009-11-28 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
JP2011129865A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Korea Electronics Telecommun 薄膜トランジスター、及びその形成方法
JP2014196495A (ja) * 2009-12-24 2014-10-16 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置の製造方法
JP2015164220A (ja) * 2010-02-19 2015-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10424582B2 (en) 2010-02-19 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10020309B2 (en) 2010-02-19 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9799666B2 (en) 2010-02-19 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9954084B2 (en) 2010-03-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2015043441A (ja) * 2010-03-26 2015-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9406786B2 (en) 2010-03-26 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9318613B2 (en) 2010-04-02 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor having two metal oxide films and an oxide semiconductor film
JP2016184746A (ja) * 2010-04-02 2016-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US12249653B2 (en) 2010-04-02 2025-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7625025B2 (ja) 2010-04-02 2025-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10608116B2 (en) 2010-04-02 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9842937B2 (en) 2010-04-02 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film
JP2016034027A (ja) * 2010-04-02 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10714626B2 (en) 2010-04-02 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2019153793A (ja) * 2010-04-02 2019-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9059295B2 (en) 2010-04-02 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor having an oxide semiconductor and metal oxide films
CN110620156A (zh) * 2010-04-02 2019-12-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2011228689A (ja) * 2010-04-02 2011-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2017135396A (ja) * 2010-04-02 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12119406B2 (en) 2010-04-02 2024-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2020205453A (ja) * 2010-04-02 2020-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023065478A (ja) * 2010-04-02 2023-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021010009A (ja) * 2010-04-02 2021-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7231696B2 (ja) 2010-04-02 2023-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2014099628A (ja) * 2010-04-02 2014-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US11411121B2 (en) 2010-04-02 2022-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11380800B2 (en) 2010-04-02 2022-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2022043062A (ja) * 2010-04-02 2022-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018113459A (ja) * 2010-04-02 2018-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016028437A (ja) * 2010-04-02 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018152598A (ja) * 2010-04-02 2018-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20110112030A (ko) * 2010-04-06 2011-10-12 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101706081B1 (ko) * 2010-04-06 2017-02-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US9812533B2 (en) 2010-04-23 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013140989A (ja) * 2010-04-23 2013-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9202877B2 (en) 2010-04-23 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2015233147A (ja) * 2010-05-21 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9577108B2 (en) 2010-05-21 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9755082B2 (en) 2010-06-11 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen
JP2016106429A (ja) * 2010-06-11 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012231100A (ja) * 2010-06-11 2012-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR20190006092A (ko) * 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI651856B (zh) * 2010-06-11 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102110724B1 (ko) * 2010-06-11 2020-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101995851B1 (ko) 2010-07-02 2019-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016034038A (ja) * 2010-07-02 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012033908A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2018186279A (ja) * 2010-07-02 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449991B2 (en) 2010-07-02 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having circular light-blocking layer
CN107452630A (zh) * 2010-07-02 2017-12-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20130030296A (ko) * 2010-07-02 2013-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI612672B (zh) * 2010-07-02 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101988178B1 (ko) 2010-07-26 2019-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20180100042A (ko) * 2010-07-26 2018-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2017055120A (ja) * 2010-09-13 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8906738B2 (en) 2010-11-05 2014-12-09 Sony Corporation Oxide semiconductor thin film transistor with an aluminum oxide protective film made using a continuous deposition process of aluminum oxide laminated with an aluminum film
KR101815324B1 (ko) * 2010-11-05 2018-01-04 가부시키가이샤 제이올레드 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2012099757A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8728883B2 (en) 2010-11-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2012073918A1 (en) * 2010-11-30 2012-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2012134469A (ja) * 2010-11-30 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9281358B2 (en) 2010-11-30 2016-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9634082B2 (en) 2010-11-30 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9129997B2 (en) 2010-12-28 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012090974A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8829512B2 (en) 2010-12-28 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10593786B2 (en) 2011-01-12 2020-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
JP2018067724A (ja) * 2011-01-12 2018-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9818850B2 (en) 2011-01-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
JP2016195279A (ja) * 2011-01-12 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008588B2 (en) 2011-03-30 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device
JP2016154261A (ja) * 2011-03-30 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2012216796A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
JP2012227521A (ja) * 2011-04-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US10388670B2 (en) 2011-04-29 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9773810B2 (en) 2011-04-29 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016184748A (ja) * 2011-04-29 2016-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10910404B2 (en) 2011-04-29 2021-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012238763A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2018170516A (ja) * 2011-07-08 2018-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9837548B2 (en) 2011-07-08 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017139494A (ja) * 2011-07-08 2017-08-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US10439072B2 (en) 2011-07-08 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013008407A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9064853B2 (en) 2011-08-19 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014524666A (ja) * 2011-08-22 2014-09-22 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 酸化物ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法並びに電子デバイス
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2018046286A (ja) * 2011-12-23 2018-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8853697B2 (en) 2012-03-01 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013232619A (ja) * 2012-04-28 2013-11-14 Boe Technology Group Co Ltd 表示装置、アレイ基板、薄膜トランジスタ及びその製造方法
US9947757B2 (en) 2012-04-28 2018-04-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device, array substrate, and thin film transistor
JP2013118401A (ja) * 2013-02-22 2013-06-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013153178A (ja) * 2013-03-01 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10565954B2 (en) 2013-10-30 2020-02-18 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
US9972274B2 (en) 2013-10-30 2018-05-15 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
JP2018186308A (ja) * 2013-10-30 2018-11-22 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2014179636A (ja) * 2014-05-01 2014-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015181166A (ja) * 2015-04-14 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017022315A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2017085080A (ja) * 2015-10-23 2017-05-18 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2017163118A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR101706090B1 (ko) * 2016-08-16 2017-02-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR20160102363A (ko) * 2016-08-16 2016-08-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2018056596A (ja) * 2018-01-04 2018-04-05 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2019179861A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2019054284A (ja) * 2018-12-12 2019-04-04 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム

Also Published As

Publication number Publication date
US20110175090A1 (en) 2011-07-21
US20060244107A1 (en) 2006-11-02
KR20060073539A (ko) 2006-06-28
US8093589B2 (en) 2012-01-10
KR100745254B1 (ko) 2007-08-01
CN101916785B (zh) 2015-08-05
CN101916785A (zh) 2010-12-15
TWI243480B (en) 2005-11-11
US20120132908A1 (en) 2012-05-31
WO2004114391A1 (ja) 2004-12-29
JP4108633B2 (ja) 2008-06-25
TW200505016A (en) 2005-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4108633B2 (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
KR100490924B1 (ko) 박막트랜지스터 및 매트릭스표시장치
US8385099B2 (en) Semiconductor memory cell and manufacturing method thereof, and semiconductor memory devices
KR100829570B1 (ko) 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
TWI662345B (zh) 發光裝置
CN100585862C (zh) 半导体器件
KR101512818B1 (ko) 산화물 반도체 트랜지스터 및 그 제조방법
CN102097486B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法以及有机电致发光设备
JP5474372B2 (ja) 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
JP2009016844A (ja) 酸化物半導体並びにこれを有する薄膜トランジスタ及びその製造方法
TW200414818A (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
JP2010016348A (ja) 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
KR20120022614A (ko) 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2007250982A (ja) 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
US20210408294A1 (en) Elevationally-Extending Transistors, Devices Comprising Elevationally-Extending Transistors, And Methods Of Forming A Device Comprising Elevationally-Extending Transistors
KR20150022676A (ko) 용량 소자 및 반도체 장치
KR101638977B1 (ko) 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
CN109698218A (zh) 有机el显示装置和有源矩阵基板
CN105637637B (zh) 半导体装置
KR20230030605A (ko) 발광 장치
CN207009438U (zh) 一种阵列基板及显示面板
JP6273606B2 (ja) 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜
JPH0828512B2 (ja) 薄膜トランジスタ
US20210091226A1 (en) Semiconductor device
JP2024040960A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041115

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050831

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20051024

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20051202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080229

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080402

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4108633

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411

Year of fee payment: 5