JP6151530B2 - イメージセンサ、カメラ、及び監視システム - Google Patents
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Description
図1−図6を用いて、本実施の形態では、半導体装置の一例としてイメージセンサを説明する。
画素アレイ10は、複数の画素20、行ごとに設けられた選択信号線21、および列ごとに設けられた垂直信号線22を有する。画素20の配置は、2次元の行列となっている。同じ行にある画素20は、共通の選択信号線21により垂直シフトレジスタ11に電気的に接続され、同じ列にある画素20は、共通の垂直信号線22により読み出し回路13に接続されている。垂直シフトレジスタ11は画素アレイ10の行走査の制御を行う回路であり、選択信号線21は、画素20の選択を制御する信号(画素選択信号PSLCT)を画素20に入力する配線である。画素選択信号PSLCT(以下『信号PSLCT』と呼ぶ。)に従って、画素20で検出された光信号は、垂直信号線22を経て読み出し回路13に読み出される。読み出し回路13は、画素アレイ10の出力信号をデジタル信号に変換する信号処理回路を有する。水平シフトレジスタ12の制御信号により、読み出し回路13からデジタル信号が、水平転送線23を介してイメージセンサ1の外部回路へ出力される。
画素20は、フォトダイオード100、トランジスタ110、容量素子111、容量素子112、トランジスタ120、およびトランジスタ121を有する。また、画素20は、選択信号線21、垂直信号線22の他に、配線40−43に電気的に接続されている。なお、図2の例では、トランジスタ110、120、121はnチャネル型トランジスタである。
次に、図3を用いて、画素20の動作について説明する。
まず、撮像モード1について説明する。撮像モード1では、フォトダイオード100および電位記憶回路の電位のリセット動作(期間T11)、フォトダイオード100の出力電位の検出、読み出し動作(期間T12)が行われる。
次に、撮像モード2について説明する。撮像モード2では、フォトダイオード100および電位記憶回路のリセット動作(期間T21)、フォトダイオード100の出力電位の記憶(期間T22)が行われる。
最後に、撮像モード3について説明する。撮像モード3では、フォトダイオード100の出力電位のリセット動作(期間T31)、フォトダイオード100の出力電位とノードNMemに記憶されている電位との差分電位の検出、および読み出し(期間T32)が行われる。
次に、図4、図5を用いて、読み出し回路13でのA−D変換処理について説明する。図4、図5は、読み出し回路13のADC30の動作の一例を示すタイミングチャートである。
図4を用いてADCモード1を説明する。ADCモード1は通常のA−D変換モードであり、画素アレイ10で撮像したアナログデータをNビットの階調データに変換するモードである。ADCモード1は、撮像モード1、撮像モード3での画素20の信号VsigをNビットのデジタル信号に変換するモードである。
次に、図5を用いて、ADCモード2を説明する。ADCモード2は、動き検出結果をデジタル値に変換するためのモードであり、画素20の出力信号をNビットの下位2ビットのデジタル信号に変換するモードである。ADCモード2は、撮像モード3の画素20の信号Vsigをデジタル値に変換するモードである。ここでは、ADCモード2では、アナログ信号を2ビットのデジタル信号に変換するモードとして説明するが、デジタル信号のビット数は2に特段限定されるものではなく、ADCモード2では、画素20の出力信号をNビットよりも低いビット数のデジタル信号に変換するモードである。
また、本実施の形態のイメージセンサは、監視カメラに非常に好適である。このような監視カメラは、撮像領域が同じであれば被写体に変化がない限り、同じ画像を撮像している。その一方で、記録用、表示用の画像データを得るには、画素アレイで検出したアナログ信号をNビットのデジタル信号にする必要がある。従来のイメージセンサでは、たとえ同じ画像を撮像している場合でも、1フレームごとにイメージセンサでNビットのA−D変換を実行しているため、不必要な電力消費が発生しており、その結果としてイメージセンサの劣化を早めることにもなる。
本実施の形態では、画素20の他の構成例を説明する。図8、図9を用いて、本実施の形態では、グローバルシャッタ方式のイメージセンサを実現するための画素について説明する。
図8は、本実施の形態の画素50の構成例を示す回路図である。画素50が、画素20と異なる点は、フォトダイオード100と容量素子111との電気的導通を制御するためスイッチが設けられている点である。画素50には、このスイッチとしてトランジスタ150が設けられている。トランジスタ150は、ゲートが配線51に接続され、ソースがフォトダイオード100の出力(アノード)に接続され、ドレインが容量素子111の一方の電極に接続されている。配線51は、トランジスタ150のオン/オフを制御する電荷転送制御信号PTR(以下『信号PTR』と呼ぶ。)が入力される信号線である。
次に、図9を用いて、画素50の動作を説明する。画素50も、画素20と同様に撮像モード1−3を行うことができる。画素20の動作と異なる点は、各撮像モード1−3において、フォトダイオード100のリセット期間(T11、T21、T31)の直後に、配線51の信号PTRをHレベルにして、トランジスタ150をオン状態にする期間(T13、T23、T33)が設けられていることである。
上述したように、本明細書で開示されるイメージセンサは、各画素において異なる2つのフレーム間の光信号の差分電位を検出することが可能であり、また連続する2つのフレーム間の差分電位だけではなく、2以上前のフレームとの差分電位を検出することが可能である。また、差分電位の検出精度は、電位記憶回路のメモリ本体部であるノード(NMem)の電荷保持能力に影響される。
表1に、作製したイメージセンサ2の主な仕様を示す。
イメージセンサ2の機能を確認するため、ストップウォッチの画面を撮影した。まず、図12Aおよび図12Bを用いて、イメージセンサ2の機能の1つである、差分画像の生成機能(図9の撮像モード3)について説明する。図12Aは、イメージセンサ2で生成された差分画像であり、図12Bは、図12Aの差分画像の生成方法を説明するための模式図である。
画素アレイ10での画像データの保持機能を確認した。図13A−図13Dに、その結果を示す。
10 画素アレイ
11 垂直シフトレジスタ
12 水平シフトレジスタ
13 読み出し回路
20 画素
21 選択信号線
22 垂直信号線
23 水平転送線
25 信号線
26 信号線
30 アナログ−デジタル変換装置
31 比較器
32 カウンタ
40−43 配線
50 画素
51 配線
100 フォトダイオード
110、120、121 トランジスタ
111、112 容量素子
150 トランジスタ
NPd、NMem、N120、N121、NCp ノード
200 カメラ
201 動き判定部
211 記憶装置
212 表示装置
213 管理装置
300 基板
301 絶縁層
302 半導体層
303 n型不純物領域
304 p型不純物領域
305 半導体層
306−308 n型不純物領域
310、311、320−325、330、340−344 導電層
350 半導体層
360−364 絶縁層
Claims (11)
- 画素と、信号処理回路と、を有し、
前記画素は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子とノード間に接続された第1の容量素子と、
前記ノードの電位に応じたアナログ信号を出力する機能を有する増幅回路と、
前記増幅回路と第1の配線との導通・非導通を制御する機能を有する第1のスイッチと、
前記ノードの電位をリセットする機能を有する回路と、を有し、
前記ノードの電位をリセットする機能を有する回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタであり、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であって、c軸配向した結晶を有し、
前記酸化物半導体層は、透過型電子顕微鏡による観察で粒界が確認されない領域を有し、
前記ノードは、前記光電変換素子で発生した電荷量に応じた電位を有し、
前記信号処理回路は、前記第1の配線を介して入力される前記アナログ信号をNビット(Nは3以上の整数)またはMビット(MはNより小さい整数)のデジタル信号に変換する機能を有することを特徴とするイメージセンサ。 - 画素と、信号処理回路と、を有し、
前記画素は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子とノード間に接続された第1の容量素子と、
前記ノードの電位に応じたアナログ信号を出力する機能を有する増幅回路と、
前記増幅回路と第1の配線との導通・非導通を制御する機能を有する第1のスイッチと、
前記ノードと第2の配線との導通・非導通を制御する機能を有する第2のスイッチと、を有し、
前記第2のスイッチは、酸化物半導体層を有するトランジスタであり、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であって、c軸配向した結晶を有し、
前記酸化物半導体層は、透過型電子顕微鏡による観察で粒界が確認されない領域を有し、
前記ノードは、前記光電変換素子で発生した電荷量に応じた電位を有し、
前記信号処理回路は、前記第1の配線を介して入力される前記アナログ信号をNビット(Nは3以上の整数)またはMビット(MはNより小さい整数)のデジタル信号に変換する機能を有することを特徴とするイメージセンサ。 - 請求項1または請求項2において、
前記画素は、前記光電変換素子と前記第1の容量素子との導通・非導通を制御する第3のスイッチを有することを特徴とするイメージセンサ。 - 画素と、信号処理回路と、を有し、
前記画素は、
ダイオードと、
前記ダイオードとノード間に接続された第1の容量素子と、
前記ノードの電位に応じたアナログ信号を出力する機能を有する増幅回路と、
前記増幅回路と第1の配線との導通・非導通を制御する機能を有する第1のスイッチと、
前記ノードの電位をリセットする機能を有する回路と、を有し、
前記ノードの電位をリセットする機能を有する回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタであり、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であって、c軸配向した結晶を有し、
前記酸化物半導体層は、透過型電子顕微鏡による観察で粒界が確認されない領域を有し、
前記ノードは、前記ダイオードで発生した電荷量に応じた電位を有し、
前記信号処理回路は、前記第1の配線を介して入力される前記アナログ信号をNビット(Nは3以上の整数)またはMビット(MはNより小さい整数)のデジタル信号に変換する機能を有することを特徴とするイメージセンサ。 - 画素と、信号処理回路と、を有し、
前記画素は、
ダイオードと、
前記ダイオードとノード間に接続された第1の容量素子と、
前記ノードの電位に応じたアナログ信号を出力する機能を有する増幅回路と、
前記増幅回路と第1の配線との導通・非導通を制御する機能を有する第1のスイッチと、
前記ノードと第2の配線との導通・非導通を制御する機能を有する第2のスイッチと、を有し、
前記第2のスイッチは、酸化物半導体層を有するトランジスタであり、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であって、c軸配向した結晶を有し、
前記酸化物半導体層は、透過型電子顕微鏡による観察で粒界が確認されない領域を有し、
前記ノードは、前記ダイオードで発生した電荷量に応じた電位を有し、
前記信号処理回路は、前記第1の配線を介して入力される前記アナログ信号をNビット(Nは3以上の整数)またはMビット(MはNより小さい整数)のデジタル信号に変換する機能を有することを特徴とするイメージセンサ。 - 請求項4または請求項5において、
前記画素は、前記ダイオードと前記第1の容量素子との導通・非導通を制御する第3のスイッチを有することを特徴とするイメージセンサ。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記画素は、一方の電極が前記ノードに接続され、他方の電極が一定電位に固定されている第2の容量素子を有することを特徴とするイメージセンサ。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記信号処理回路は、
第1の参照電位または第2の参照電位が入力され、前記第1の参照電位または前記第2の参照電位と、前記第1の配線を介して入力されるアナログ信号とを比較する機能を有する比較器と、
前記比較器により比較動作が行われている期間を計測し、計測結果をデジタル値として保持する機能を有するカウンタと、を有し、
前記第1の参照電位を用いて前記比較器が比較動作を行う場合は、前記計測結果としてNビット(Nは3以上の整数)のデジタル値が前記カウンタで保持され、
前記第2の参照電位を用いて前記比較器が比較動作を行う場合は、前記計測結果としてMビット(Mは2以上かつNより小さい整数)のデジタル値が前記カウンタで保持されることを特徴とするイメージセンサ。 - 請求項1乃至8のいずれか一に記載のイメージセンサを備えたカメラ。
- 請求項1乃至8のいずれか一に記載のイメージセンサと、
前記Mビットのデジタル信号から、前記イメージセンサで撮像された画像に動きがあるか否かを判定する機能を有する動き判定部と、を備えたカメラ。 - 請求項9または請求項10に記載のカメラと、
前記カメラで撮影された画像を記録する機能を有する記憶装置と、
前記カメラで撮影された画像を表示する機能を有する表示装置と、
前記カメラ、前記記憶装置、及び前記表示装置を管理する機能を有する管理装置と、を備えた監視システム。
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