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JP2008504745A - Rfフロントエンド集積回路 - Google Patents

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Abstract

携帯型通信装置用の全てのRFフロントエンド又は送受信機素子を有するモノリシック集積回路(IC)及びその製造方法に関する。RFフロントエンドは、電力増幅器(PA)と、マッチング、カップリング及びフィルタリング回路と、調整されたPA出力信号をアンテナ結合するアンテナスイッチとを有する。出力信号センサは、アンテナスイッチにより切り替えられた信号の少なくとも電圧振幅を検知して、検知された出力の過度な値に応答してPA出力電力を制限するようPA制御回路に指示する。好ましい製造技術は、スイッチングデバイスを形成するよう複数のFETをスタックする。PA出力信号の不要な高調波を散逸的に終端するi級PAアーキテクチャについて記載される。RF送受信機ICの好ましい実施例は、2つの区別可能なPA回路と、2つの区別可能な受信信号増幅器回路と、4つの回路のうちの何れか1つへ単一のアンテナ接続を選択的に結合する4方向アンテナスイッチとを有する。

Description

本発明は、幅広くは集積電子回路に関し、更に具体的には、RF送受信機回路に関する。
無線通信装置、特に携帯型の装置は、持続的発展をし続けている。おそらくは、他の要素の何よりも、携帯電話の極度の大衆性は、携帯型装置におけるRF送信回路の効率、速度、大きさ及び費用効果での改善の動機付けとなってきた。このような回路の効率を高めることは、必要とされるバッテリーの大きさが小さくなるとともに、バッテリー寿命が延びるので極めて望ましい。費用効果は、特にこのような製品が技術の変化に遅れないよう周期的な交換を必要とする場合に、消費者製品にとって、明らかに常に望ましい。携帯電話の機能における安定した発展は、軽くて小さい装置に対する消費者嗜好と結びついており、RF送信回路に必要とされる容量を小さくすることを重要視する。更に、送受信機は、最小電力レベルでの高い通信密度を容易にするために定められた厳しい放射限度を満足しなければならない。
例えば携帯電話などのほとんどの無線通信ユニットは、少なくとも1つのRF送受信機を有する。例えば携帯電話などの通信装置は、本願での主な関心であるところの多様なRF(無線周波数)フロントエンド回路を有しうる。RFフロントエンド回路(又はサブ回路)は、通常、RF送信信号増幅器と、電力増幅器(PA)と、マッチング及びフィルタリング部と、アンテナスイッチとを有しており、更に、受信信号増幅器を有しても良い。完全な送受信機は、一般に、また、受信信号用の低雑音増幅器を有する。これらの回路の中で、PAサブ回路は、通常、このような送信機の最大の電力消費部であり、また、通常、最も多くの意図されない又は誤った放射の供給源である。バッテリー寿命を延ばし、厳しい誤放射規格を満足し、これらの高容量な消費財の費用を最低限とするために、このようなPAサブ回路には、誤放射及び製造費用を低減しながら速度及び効率を改善する必要性がある。高い電力を扱うそれらの必要性に起因して、PA及びアンテナスイッチのサブ回路は、ほとんどの集積回路面積を占有する。集積回路の製造費用は、夫々の回路に必要とされるデバイス面積の量に極めて依存する。結果として、様々なRF送受信機サブ回路に必要な面積の実質的な低減は、概して、送受信機回路の製造費用の相応の低減をもたらす。
PAトポロジーの範囲は、夫々が異なる利点を伴いながら発展してきた。例えば、A、B、C、D、E及びF級のPAは、当該術分野においてよく知られる。A〜C級のPAにおける増幅デバイスは、それらの動作範囲の作動領域で動作するよう設計されており、電圧がデバイス両端にある間は意図的に導通する。
D、E及びF級のPAは、線形増幅器としてよりもむしろ、作動領域での動作を最小限とするスイッチとして増幅器デバイスを用いることによって、このような線形な動作により引き起こされた電力損失を低減しようとする。しかし、このような増幅器からのパルス状出力は、概して、通常必要とされるように、狭帯域正弦波出力を生成するために広範囲に及ぶフィルタ処理を必要とする。D〜F級のPAの通常動作は、電圧がデバイス両端に存在している間は意図的に駆動素子デバイスを導通させない。一方、まさに切り替えられたデバイスは、有限なスイッチング期間中に電圧が存在している間流れている電流に起因して実際の電力を消費する。更に、同じ送信中心周波数で動作するアナログPAにおける駆動デバイスと比較して、D〜F級のスイッチング回路における駆動デバイスは、しばしば、より一層高い周波数で動作しなければならない。より高い周波数の信号は、好ましくない周波数で著しいエネルギーを有し、このような好ましくない信号エネルギーは回路電力を消費するのみならず、放射限度を満足するためにフィルタ処理をも必要とする。
デバイスの集積は、一般的に、例えば動作周波数及び信頼度といった、結果として得られる製品の様々な特性を改善するために望ましく、また、回路によって占有される容量を低減するとともに、製造費用全体を下げることができる。電界効果トランジスタ(FET)は、集積回路において線形増幅及びスイッチングの両目的のために極めてよく知られる。しかし、集積回路(IC)FETは、ゲート−ソース、ゲート−ドレイン、及びドレイン−ソースのノード対を含むいずれかの2つのノードの間の電圧に耐える能力が制限される。このような耐圧限界は、特に、高電力スイッチング回路におけるICFETの実用性を損なうことがある。高電力スイッチング回路では、誘導電圧は、供給電圧をはるかに超えることがある。具体例として、RF電力増幅器の送信出力電力性能は、出力電圧の振幅に極めて依存する。既存のPA技術に伴う困難の1つは、多数の他の望ましく高速なデバイスが、比較的低い故障電圧を有するFETをもたらす傾向がある工程を用いて作られることである。この問題を解決して、他の好ましい集積デバイスの特性を残したまま、より広い電圧レンジを提供することが非常に望ましい。このような解決法は、例えばPA機能及びRFスイッチ機能などの、別々の工程を予め必要とした電力及び制御機能のモノリシック集積回路上での集積を可能にする。もともと別個であった集積回路の集積は、モノリシック集積において特有であるプロセス整合に起因して、歩留まり及び予測可能性を高めうる。
米国特許番号5,663,570号 米国特許番号6,804,502号 米国特許公開番号10/658,154号
単一の集積回路上へのデュアルバンド送受信機の送受信機RF回路の全ての製造を容易にし、それによって上記問題を解決して、上記利点を得る方法及び回路が、本願で記載される。その利点の多くは、必ずしもデュアルバンド動作を有さない送受信機のフロントエンド部でさえ集積することにより達成される。1又はそれ以上の代替案は、多数のサブ回路(又は対応する方法)の夫々に関して記載され、完全に集積されたRFフロントエンド、即ち、集積RF送受信機は、送受信機の夫々の部位に関してこのような代替案の中のいずれかの互換性のあるものを用いることにより作られうる。更に、集積RF送受信機が実現されることを可能にするサブ回路(又は対応する方法)の幾つかは、また、しばしば他のRF送受信機サブ回路とは無関係に、他の状況で有用である。従って、本願で記載される機能の様々な小結合は、独立して有用な発明を構成する。これらの小結合の組み合わされた様々な態様は、同時に、上記利点の全てを有する集積デュアルバンドRF送受信機を実現する。独立して有用なサブ回路の中でも特に注目に値すべきは、積層FET無線周波数スイッチ及び特定のPA回路トポロジーである。最後に、あるRF送受信機の小部分の集積は、最終製品の安全性及び信頼性を妥協することなく、製造の際の能率性を可能にする。
通信送受信機のRFフロントエンド部の全てを含む自己保護型モノリシック集積回路の製造を可能にする方法及び/又は回路の組み合わせが記載される。このような自己保護型RFフロントエンド回路は、具体的に、不適切な、欠落した、あるいは損傷を受けたアンテナによる過負荷からの効果的な内部保護を可能にする、電力増幅器(PA)からアンテナ接続部までの部分を有する。
自己保護型モノリシック集積RFフロントエンド回路の幾つかの小結合は、独立した重要性を有する。1つのこのような小結合は、集積された積層FETスイッチである。この小結合の一実施例は、回路においてノード間の導通を制御するよう直列に結合されたドレイン−ソース間チャネルを有するスタックで非常に多数のFETを有する回路である。制御信号は、第1のFETの導通を変化させるよう前記第1のFETへ結合され、残りのFETの導通は、前記第1のFETの導通にスレーブ化される。FETスタックの直列結合の両端における耐圧性能は、そのスタックの個々のFETのドレイン−ソース間耐圧性能の合計に実質的に等しくなりうる。前記第1のFET以外の夫々のFETのゲートは、共通電圧へ容量的に結合されうる。
他の小結合は、集積i級PAと呼ばれうるRF電力増幅器(PA)である。この小結合の一実施例は、RFスイッチを制御する入力を有する。RFスイッチは、その出力をRFチョークを介して電源へ結合され、動作周波数fでの特性駆動出力インピーダンスを伴って動作する。駆動出力は、駆動出力インピーダンスを期待されるアンテナインピーダンスに整合させる回路を有するカップリング回路を介して、期待されるアンテナインピーダンスを有するアンテナ接続へ結合され、また、動作周波数fの1又はそれ以上の高調波にある信号を散逸的に終端する。i級RF電力増幅器は、fの偶数高調波とfの1ではない奇数高調波とを含む複数の周波数で、駆動出力と基準との間に極小インピーダンスを提供するよう構成されたシャントフィルタを更に有する。これらの最小インピーダンスは、特性駆動インピーダンスにほぼ等しくなりうる。
自己保護型フロントエンド回路の一実施例は、出力制限制御器により制御される出力振幅レギュレータ回路を有するPAを含む集積回路である。この実施例は、アンテナ接続を、マッチング及びカップリング回路を介してPAへ、あるいは受信信号増幅器へ選択的に結合するアンテナスイッチを更に有する。この実施例は、また、前記アンテナ接続を流れる電流及び/または前記アンテナ接続での電圧を検知するよう構成されたアンテナ接続センサと、該アンテナ接続センサを前記出力制限制御器へ結合する回路とを有する。前記回路は、前記アンテナ接続で設計限度を超える電流または電圧の存在を防ぐよう前記出力振幅レギュレータ回路に影響を及ぼすよう構成される。
関連する実施例は、不適切なアンテナインピーダンスに起因する高電圧定在波比率(VSWR)によって引き起こされた過度な出力値からの保護を伴うモノリシック構造で集積されたPAを作る方法である。この実施例は、送信信号を受信するよう集積回路チップ上にRF電力増幅器(PA)を作るステップと、前記PAに出力電力制限回路を設けるステップとを有する。それは、また、PA出力インピーダンスを有するPA出力信号を、前記集積回路へ接続された接続素子に求められる異なるインピーダンスへと調整して、調整された信号をアンテナへ結合するよう同じ集積回路上にカップリング、マッチング及びフィルタリング回路を作るステップを更に有する。この実施例は、前記PAと前記接続素子との間の前記集積回路上にアンテナスイッチを配置して、前記接続素子が前記PAからの調整信号又は前記集積回路上に配置された受信増幅回路のいずれか一方へ制御可能なように結合されうるようにするステップを更に有する。この実施例は、前記接続素子へ送られる信号のパラメータを検知する検知回路と、過剰であると見なされる検知されたパラメータの値に応答して、PA出力信号の電力を低減するPA制御回路とを設けるステップを有する。
更なる小結合の実施例は、RF信号を増幅する方法であり、出力駆動ノードと基準ノードとの間の導通を制御して、動作周波数fで特性インピーダンスを生じるよう複数のFETスタックを設けるステップを有する。この実施例は、前記出力駆動ノードと前記基準ノードとの間に、前記動作周波数fの高調波を散逸的に終端するよう構成されたシャントフィルタを配置するステップを更に有する。前記シャントフィルタは、fの偶数高調波及び1ではない奇数高調波で極小インピーダンスを有し、該極小インピーダンスは、前記FETスタックの特性インピーダンスにほぼ等しくなりうる。
本発明の実施例については、添付の図面を参照して更に容易に理解されるであろう。図面において、同じ参照番号及び符号は同じ要素を示す。
[1.電流増幅器の概説]
図1は、RF電力増幅器(PA)のブロック図である。表されたRF電力増幅器は、ドライバ素子ブロック200でデバイスのバイアスを変化させること、及び/又は他のブロックの細部を変更することにより、図1に表されたRF電力増幅器がA、B、C、E、F級のいずれかのクラスの増幅器、即ち、i級増幅器としてここで更に説明される増幅器で動作することを可能にする点で、極めて一般的である。図2〜5は、夫々、図1で示されるブロックの1つを実施するための例となる回路を示す。
入力102は、回路基準、即ち共通電位104に対してPAへ供給される。入力102は、一般的に、中心駆動周波数fで適切にバイアスをかけられた信号を有する。入力102に応答して、ドライバ素子ブロック200は、駆動出力ノード106と回路共通電位104との間の導通を制御する。ドライバ素子ブロック200は、VDDからRFチョーク(RFC)LS108を介する電流と連動して、特定のインピーダンスZdriveを有する信号を供給する。Zdriveは周波数と共に変化しうるが、他に指示がない限り、中心動作周波数fでの駆動インピーダンスと呼ぶ。シャントフィルタ400は、駆動出力ノード106と回路共通電位104との間に結合されうる。多種多様なフィルタリング配置が用いられても良く、以下、それらのうちの幾つかについて説明する。
アンテナ110は、(他に指示がない限り、中心周波数fで)一般的に50Ωである特性インピーダンスZOUTを有する。ブロック300は、通常、(Zdriveにある)駆動ノード106とZOUTにある出力部との間のマッチング及びカップリングを提供するために必要とされる。マッチング及びカップリングの後に、例えばL116及びC118の組み合わせ等の出力フィルタ部が、通常、RFスイッチSRF120の前の信号経路に配置される。RFスイッチSRF120は、出力部をアンテナ110へ適切に結合する。PA回路は、半導体デバイス上に集積されるので、アンテナ110は、通常、PAを有するICの外部であり、アンテナ110は、しばしば、異なる基準電圧、例えば筐体接地112により動作する。筐体接地112は、回路共通電位104に対して零以外のインピーダンスを有する。従って、マッチング/カップリングブロック300は、フィルタ部116〜118と同じく、筐体接地112を基準とする出力部を有する。
電力制御は、随意的に提供されても良い。一例は、シャント電力制御ブロック500を用いる。シャント電力制御ブロック500は、筐体接地112と回路共通電位104との間の電圧オフセットを供給して、アンテナ110により受信された信号の振幅を低減しうる。例えば図12の項目1400〜1401のような直列レギュレータ回路は、高い確実性で、更に一般的に使用される。
ここで説明されるようなモノリシック構造で集積されたRF電力増幅器、RFフロントエンド、及びRF送受信機は、少なくとも900MHz及び/又は2.4GHzの比較的高い周波数並びに中電力レベルで動作するよう作られても良い。これらの設計は、送受信機が整合されたアンテナへ適切に結合されている場合に、アンテナ接続へ導かれるRF出力電力の少なくとも0.5W、1W、又は1.5WRMSの送信電力最大値を有する送受信機に関して有用である。
[2.積層FETドライバ]
図2は、駆動出力ノード106と回路共通電位104との間の導通を制御するために、図1のRF電力増幅器内のドライバ素子ブロック200に使用されうる積層FET(スタックされたFET)回路の簡単化された回路図である。スタックは、同じ極性の2又はそれ以上のFETを有する。即ち、1つのスタック内の全てのFETはNチャネルFETであり、又は全てのFETはPチャネルFETであり、即ち、1つのスタック内の少なくとも全てのFETは互いに実質的に同じように動作する。
図2のFETスタック200は、集積回路の2つのノード間の導通を制御するよう構成される。端子VdriveREF202は、2つのノードのうちの1つ(例えば、図1の回路共通電位104)へ接続され、一方、端子Vdrive224は、他のノード(例えば、図1のVdrive106)へ接続される。図2に表されるようなNチャネルFET(N−FET)に関して、VdriveREF202は、2つのノードのうちのより陰性であるノードへ、例えば、図1の回路共通電位104へ接続されうる。端子VdriveREF202は、スタック200の第1のFETM204へ結合されている。
FETスタック200は、端子VdriveREF202に対して、入力端子206を介して単入力FETM204のゲートへ結合されている入力信号により制御される。M204のドレインは、第2のFETM208のソースへ結合されている。M208のゲートは、バイアスレジスタRB212を介してバイアス電圧VB210を供給され、CG214を介してVdriveREF202にデカップリングされている。ある実施例では、何れか1つのデバイスの故障限界を超えることを回避するように印加電圧を分割して、例えばPA又は4重化混合器等の回路で増大する電圧を扱うように導通制御回路として働くよう適切に構成される場合には、これら2つのFETで十分である。
しかし、他の実施例では、同じ極性の1又はそれ以上のFETが、M204及びM208に直列に接続される。このような更なるFETは、N番目のFETであるM216により図2中に表されている。スタックの夫々の更なるFETに関して、M216のソースは、スタックの前のFETのドレインへ、即ち、FETMN−1のドレイン(図示せず。N=3ならば、MN−1はM208である。)へ結合されている。スタックの最後のFETであるM216のドレインは、出力端子Vdrive204へ結合されている。バイアス電圧VB218は夫々の更なるFETに結合されている。バイアス電圧VB218は、RB220のようなバイアスインピーダンスを介してFETのゲートへ、及び、FETが単入力FET(ここでは、M204)による導通にスレーブさせるような電圧へゲートを結合するためにキャパシタCG222へ結合されている。明らかなように、上記スレーブ化は、夫々の更なるFETのゲートをVdriveREF202へ結合することにより実行される。
直列に少なくとも9個のFETを有するFETスタックが製造又はシミュレーションされており、より一層多くの直列なFETから成るスタックが確実に可能である。留意すべきは、物理的な回路カップリングは、一般的に、有限なキャパシタンス、インダクタンス、及び抵抗を有することである。多数の目的のために、FETスタック200のFETが最低限のインピーダンスで直列にドレインをソースへ結合されることが望ましい。しかし、インピーダンスは、このようなカップリングへ意図的に加えられても良い。例えば、より詳しく駆動インピーダンスを制御すること、及び、FET自体の内部よりむしろ特定の抵抗性直列カップリング素子で熱を消散させることが望ましい。また、駆動回路の導通を調整するようにFETスタック200のFET間にインピーダンスを加えることも望ましい。
[2−A.FETスタックバイアス]
ある実施例で、FETスタックのFETは、全て、例えば、故障電圧VGS(br)、VDS(br)、及びVDG(br)等の実質的に同様の耐圧容量を有しても良い。ある集積回路製造工程に関して、これらの値は、全てのFETで同様である。更に、ある集積回路製造工程に関して、故障電圧VGS(br)、VDS(br)、及びVDG(br)は、互いにほぼ等しくても良い。適切なバイアスは、これらの故障電圧のいずれも回路の通常動作中に超えられないことを有効に確実にしうる。ある実施例では、適切なバイアスにより、VdriveREF202とVdrive204との間の電圧偏位は、スタックの夫々の構成要素であるFETに関してVDS故障電圧の合計に近づくことを可能にされても良い。
後述されるようなFETスタックのFETに対するバイアス及びカップリングは、Vdrive224からVdriveREF202へと印加される総電圧がスタックの個々のFETの最大許容電圧VDSの合計にほぼ等しい場合でさえ、電圧がスタックの如何なるFETに関しても如何なる最大許容ノード間電圧をも超えることを防ぎうる。特に断りのない限り、FETのいずれか2つのノード間の最大許容電圧(即ち、VGS、VDS、及びVDG)は、一般的に、夫々のFETの様々なノード及び全てのノードに関して、実質的に等しいと仮定される。これは、例となる半導体製造工程と一致する。しかし、当業者は、これらの最大許容電圧が等しくない状況を包含するよう、以下で挙げられた原理を容易に拡張しうる。また、NチャネルFETスタックに関して以下で挙げられた計算は、極性及び符号を適切に反転させることによりPチャネルFETに適用されうる。
のゲート駆動のインピーダンスは、普通のトランジスタ駆動原理に従って選択されても良い。この実施例では、VDS(max)は、スタックの全てのFETに関して同じである。従って、MのVDSは、(Vdrive−VdriveREF)/Nに近似しうる。夫々のFETM“X”に関して、Xの値が2〜Nである場合に、夫々のバイアス抵抗RBの実効値は、ゲートカップリングの時定数τGXを制御するよう選択される。τGXは、おおよそ、ゲートカップリングキャパシタCGXと寄生ゲートキャパシタンスCGPXとを足した実効容量の合計に、バイアス電圧に対する直列インピーダンスを掛け合わせたものである。このような直列インピーダンスは、通常、抵抗性であり、RBX(equiv)で示される。τGXが、中心駆動周波数の周期1/fとよりもずっと長く、望ましくは5〜20の時間長さであることが望ましい。従って、良好な設計センター目標は:
RBX(equiv)(CGX+CGPX)=10/f (式1)
である。
VdriveREFに対して、且つVdriveの最大期待値であるVpeakに関して、1つの適切なバイアス電圧値は、単純にVpeakの1/2の比例部分:
VB=X(Vpeak)/2N (式2)
である。従って、N=4である場合には、VB=Vpeal/4、VB=3(Vpeak)/8、及びVB=Vpeak/2が得られる。
[2−B.FETスタックゲート信号結合]
図2及び7で、夫々のゲートノード(VGX)は、キャパシタCGXを介して基準電圧VdriveREFへ結合されている。夫々のゲートノードは、また、バイアス抵抗を介して直流バイアス電圧へ結合されている。この構成で、FETスタックの夫々のFETMの実効駆動電圧VGSXは、ソースからゲートノードへの、及びゲートノードから交流接地へのインピーダンスとともに、そのソースの電圧偏位VSXに依存する。これらのインピーダンスは、ゲート−ソース間容量とカップリングキャパシタCGとによって決定づけられる。CGの適切な値は、以下で決定されうる。
実施例で、夫々のEFTの夫々のノード対の間の最大電圧は同じである。従って、FETMのソースの電圧偏位は、Mの最大電圧VDSを超えるべきではない。そのようなものとして、CGの値は、Mのゲートの交流接地を実行して、最大共通ゲート駆動信号をMへ供給するために、制限されず、望ましく大きい。VGS(max)は、ゲートの(直流)電圧がソース電圧偏位の範囲内に保持される場合に、Mに関しては超えられない。しかし、(上記仮定と反対に)最大電圧VDS1が最大電圧VGS2を超えるならば、CGは、Xが2からNであるところのCGに関して以下で記述された方法と同様の方法で制限される必要がある。
VdriveREFに対する夫々のFETMのソースの電圧偏位ΔVSXは、M(X−1)のドレイン電圧偏位ΔVD(X−1)に等しくなりうる。この電圧は、様々なFETの間で等しく分割されるとすると、X(Vpeak−Vmin)/Nである。Vmin=0では、これは、単純にX(Vpeak)/Nであり、更にΔVSX=(X−1)(Vpeak)/Nである。
FETの寄生ゲート−ソース容量CGSは、VGS=VGS(on)である場合に、酸化物キャパシタンスCOXまで増大する。特定のFETMのCOXは、COXXで示される。CGは基準電圧VdriveREFへ結合されているから、正味のVGSXは、CGとCOXXとの間で容量的に分けられうる。従って、ゲート−ソース間偏位は、ΔVGSX=(ΔVSX)/(1+COXX/CGSX)である。VGSの最大値とVDSの最大値とが等しいとすると、ΔVGSX≦Vpeak/Nと制限することが望まれる。従って、ΔVGSX及びΔVSXに代わって、Vpeak/N≧[(X−1)(Vpeak)/N]/[1+COXX/CGSX]となる。適切な演算により:
GX≦COXX/(X−2) (式3)
が得られる。X=2では、期待されるようにCGX≦無限大となる。また、期待されるように、CGXの過度な値は、過度なゲート−ソース間電圧偏位(ΔVGSX)を引き起こす傾向を有する。式3の不等式は、デバイスのノード間の過電圧を防ぎうる。しかし、CGXは、望ましくは、故障電圧を超えない範囲で最大許容駆動レベルを供給するように可能な限り大きくあるべきである。従って、式3の不等式は、近似等式として扱われても良い。
上記の結果は、スタックの異なるFET間で違うように電圧を分割することが望まれる場合、又は最大ゲート−ソース間電圧が最大ドレイン−ソース間電圧とは異なる場合には適用され得ない。しかし、当業者は、適切に変形された仮定により、上記に対応する計算によってこのような様々な環境でもCGXの好ましい値を難なく決定することができるであろう。キャパシタCGXは、対応するFETMのバイアス電圧を超える電圧を保持すべきであるから、金属−絶縁―金属(MIM)キャパシタが適している。更に、(寄生)酸化物キャパシタとMIMキャパシタの両方のキャパシタンスは、幾何学の一次関数である。従って、例えばリソグラフ変数のような、ある製造変数は、どちらの種類のキャパシタンスでも同様の効果を有し、このような変数に夫々影響されないこのようなキャパシタンスの比率を残しうる。
図3は、例となるマッチング、カップリング及びフィルタリングブロック300を示す。このブロック300は、図1で示されるように、駆動出力ノード106とアンテナ110との間に配置されうる。マッチング機能は、当業者に周知である方法で、通常は50Ωであるアンテナの特性インピーダンスZOUTを駆動出力ノード106の特性インピーダンスへ変換する(両インピーダンスとも動作周波数fでのインピーダンスである。)。カップリングキャパシタC302は、駆動出力ノード106から直流を遮断し、キャパシタ302のいずれか一方の側から筐体接地112又は回路共通部104に対するインピーダンスよも少ない、望ましくはずっと少ないfでのインピーダンスを有するよう選択されうる。マッチング回路300は、インダクタL304及びキャパシタCを有するAフィルタ素子を有する。Aフィルタ素子は、集積回路の一部として製造されても良い。マッチング回路300は、また、(図1のアンテナ110の基準である)筐体接地112に対してインダクタL308及びキャパシタC310を有するBフィルタ素子を有する。カップリングキャパシタC302、並びにインダクタL308及びキャパシタC310は、PAとともに集積回路上に製造されても良いが、これらのデバイスの幾つかは、通常、集積回路の外部である。
[3.シャントフィルタ]
図4は、図1で表されるようなi級PAで用いられうるシャントフィルタ400を表す。シャントフィルタ400のノード402は、図1の駆動出力ノード106へ接続され、反対のノード404は、図1の回路共通電位104へ接続されうる。シャントフィルタ400は、1又はそれ以上の特定の周波数の夫々で極小インピーダンスを供給しうる。最小インピーダンスは、(例えば、駆動素子200及びRFチョークL108によって生成される)駆動回路インピーダンスと整合されうる。シャントフィルタ素子は、駆動素子200を有する集積回路の一部として製造されても良く、シャントフィルタ400の素子を流れる電流のループ領域を低減する。
図1のシャントフィルタ400は、例えばfで1/4波長等の適切な長さに亘って実質的に分布したリアクタンス素子から製造された伝送線路フィルタであっても良い。このような伝送ラインは、例えば図6で表され、以下で更に詳細に説明されるフィルタ600等のfで最大インピーダンスを有する共振回路を介して回路共通部へ結合されても良い。シャントフィルタ400のこのような構成は、fの夫々の偶数高調波での極小インピーダンス最小値(約0)と、fの夫々の奇数高調波での極大インピーダンスとを供給する。更に簡潔に述べると、このような構成は、通常、全ての奇数高調波を反射し、全ての偶数高調波を短絡して、F級PAのような動作を実行すると考えられても良い。
しかし、i級PAでの使用のための図4で表されたシャントフィルタ400は、一般に、このような伝送線路フィルタとは異なる。第1に、シャントフィルタ400は、分割されるよりもむしろ、ひとまとめにされた素子を用いる。結果として、極小インピーダンスは、共振周波数(例えばf)の全ての奇数高調波又は全ての偶数高調波でよりもむしろ、選択された周波数で生じうる。第2に、フィルタは、極小インピーダンスの零以外の値を意図的に生じさせるよう直列抵抗素子を用いても良い。例えば、対応する周波数(又は、代替的にf)での駆動回路のインピーダンスを整合させるように極小インピーダンスの最小値を制御することが有効でありうる。図4に表された回路と、従来の伝送線路フィルタとの間のこのような相異の結果として、電流ループを流れる電流の大きさは減少しうる。更に、駆動素子の電力消費は、選択された最小インピーダンスに対応する周波数で減少しうる。
図4で、第1のシャントフィルタ素子は、LSF1406と、RSF1408と、CSF1410とを有する。これらの構成要素は、特定の周波数で極小インピーダンスを生じさせ、このとき、インピーダンスは、より高い及びより低いいずれの周波数でも増大する。スイッチS412は、更なるキャパシタCSF3414とともに、第1のフィルタ素子の最小インピーダンスの周波数を調整するための随意的な回路を表す。明らかなように、第1のフィルタ素子の直列キャパシタの実効値は、Sが閉じられて、CSF3414がCSF1410と並列配置される場合に増大する。
当然、このような周波数調整は、多種多様な方法で実行されうる。例えば、S412は、電子的に周波数を切り替えるFETであっても良い。更に、又は代替的に、CSF1410及び随意的なCSF3414は、(バラクタでの直流電圧のための適切な制御回路の対応する追加部分を有する)バラクタであっても良い。更に、キャパシタCSF3414は、スイッチSがキャパシタC414をバイパスするよう構成されうる場合に、CSF1410に対して、並列接続ではなく、直列接続で配置されても良い。また更に、同様の技術は、キャパシタンスよりもむしろ、インダクタンスを変更するために用いられても良い。例えば、スイッチS412は、第1のシャントフィルタ素子の実効インダクタンスを変更するように、第2の誘導性素子を選択的にバイパスしても良い。
第2のシャントフィルタは、インダクタLSF2416と、抵抗素子RSF2418と、キャパシタCSF2420とを有する。シャントフィルタ400の第2のフィルタ素子(又は、実際には、いずれかの更なるフィルタ素子)の共振周波数は、第1のフィルタ素子に対して上述されたのと同様の技術によって変更されうる。実質的に抵抗性であり、且つ/あるいは零以外である最小インピーダンスを有することが有利であり得る。一実施例で、第1及び第2のフィルタ素子は、動作周波数fの二次高調波及び三次高調波の夫々で、極小インピーダンスを供給するよう設計されている。この極小インピーダンスは、駆動回路インピーダンスにほぼ等しい。2つのフィルタ素子のみが表されているが、更なる高調波が、望ましくは、更なるフィルタ素子(図示せず。)により扱われうる。
図11は、マッチング及びカップリング回路300並びにシャントフィルタ400に関する代替回路の回路図である。図11のZdrive及びZOUTは、図1で示されたように接続されている。C302は、図3と実質的に同じであり、アンテナ出力部からのPAの直流分離を提供する。シャントフィルタは、主としてCSF980及びLSF982から成る並列共振回路を有し、CSF980及びLSF982は、ともに、fで共振するタンク回路として機能する。fの全ての整数高調波周波数は、Rdrive984を介して結合されている。Rdrive984は、望ましくは、PAスイッチング回路の特性駆動インピーダンスにほぼ等しいように選択される。それによって、fの全ての高調波は、駆動インピーダンスで終端される。ある実施例で、例えばf近辺で夫々共振する2個の並列なタンク回路のような、代替のフィルタ処理がRdrive984の上流に直列に配置されても良い。二重タンク回路は、実質的に同一の周波数で共振して、fでのインピーダンスを増大させ、一方fでの電力損失を低減させるよう、又は僅かに異なる周波数で共振して、回路が製造公差を緩和するほど高いインピーダンスを有するところの周波数の範囲を広くするよう構成されうる。シャントフィルタの後に、マッチング及びフィルタリング回路990が、2つの相違点を除いて、図3で表された回路と同じように配置されうる。第1の相違点は、カップリングキャパシタC302が削除されている点であり、第2の相違点は、C306がカップリングキャパシタC302のアンテナ側にあって、回路共通電位104ではなく接地112へ結合されている点である。2つの共通電位は、ある集積回路レイアウトで効果的に同じにされても良い。
[4.電力増幅器の出力電力制御]
図5は、図1の1つの可能なシャント電力制御回路500の素子を表す。電力制御入力部502は、筐体接地112に対してバイアスを生じうる。(例えば、ボンドワイヤのインダクタンスを反映しうる)誘導性インピーダンスLg1504は、筐体接地112と、電力制御FETMPC506のソースとの間に表されている。接続部508は、図1の回路共通電位104へ結合されても良い。インダクタンスLg2510は、通常、電力制御回路のバイパスキャパシタCPC512に直列に存在する。直流電圧VDDが筐体接地112に対するとすると、CPC512の両端に発生した十分に直流である電圧は、回路共通電位104に対して実効供給電圧を減らしうる。
他の技術は、また、特にF級構成で動作する場合に、図1に示された回路の出力電力を制御するために使用されても良い(矩形波入力制御)。このような他の技術は、図5に関して上述されたシャント電力制御に加えて、又はそれに代わって、使用されても良い。
第1の例として、同じく図2を参照すると、FETM208...M216のバイアス電圧は調整されても良い。効率は下がるが、電力出力は更に急速に減少しうる。上述されたように、バイアスは、通常、VB=X(Vpeak)/2Nであるように設定されうる。しかし、VBが計算値を相当に下回るまで減少する場合には、(高調波終端を有するi級動作での)出力電圧Vdriveはまた下降する。従って、例えば、回路は、M208のゲートでの実効平均電圧が制御可能なように減少しうる点を除いて、図7に示されるように構成されても良い。これは、RB708の値を可変とすることによって(例えば、並列FETを用いて)実現されうる。代替的に、RB708の値は減少し、RB708は、基準202よりもむしろ、可変な電圧源へ結合されうる。バイアス電圧が減少することにより、駆動出力でも相応の減少が生ずる。以下で更に詳細に記述されるように、図7の自己調整バイアス供給回路は、RBでのバイアスが、Mのゲートでの電圧を変化させることによって引き起こされるVdrive(peak)の減少に徐々に追随することを可能にする。
PA出力電力は、また、駆動信号の振幅を変化させることにより制御されても良い。駆動素子の導通インピーダンスは、より低い振幅の矩形波により駆動される場合に、より高くなり、より小さな実効駆動電圧をもたらす。この技術の効率は、通常、変化するバイアス電圧の効率に相当する。
図12及び14に関して後述されるように、直列レギュレータ回路は、単独で、あるいは1又はそれ以上の他の電力制御技術とともに、PAの出力電力を制御するために使用されても良い。
[5.代替の電力増幅器の実施例]
図6は、多目的なPAアーキテクチャを形成するよう図1のシャントフィルタ400と同様の方法で用いられうるフィルタ回路600の簡単化された回路図である。図1の駆動出力ノード106は、1/4波長伝送線路602と、カップリングCC1612とを介して出力フィルタ部へ結合されても良い。出力フィルタ部は、動作周波数fで共振するLOF1610及びCOF1608の並列結合を有しうる。シャントフィルタ400の幾つかの実施例とは異なり、図6の出力フィルタ部は、通常、PA集積回路の一部ではなく、従って、回路共通部よりもむしろ筐体接地112を基準とする。接地112に対するこのバイパスフィルタのインピーダンスは、周波数がfから逸脱するにつれて急速に低下し、従って、動作周波数の高調波は、伝送線路602の出力フィルタ端部へ効果的に短絡される。従って、適切に調整された1/4波長伝送線路の定在波は、Zdriveノードで見られるように、夫々の奇数高調波では高いインピーダンスを、夫々の偶数高調波では低いインピーダンスを供給する。ZOUTノード604は、図1に示されるように、更なる出力フィルタ部116〜118と、RFスイッチ120と、アンテナ110とへ結合されても良い。マッチング回路(図示せず。)が、また、必要とされても良く、これは、カップリングキャパシタC302が削除される以外は図3で表される回路と同様である。このような更なるフィルタリング及びマッチング回路、又はそれに結合された伝送線路は、動作周波数fでの抵抗インピーダンスROUTequiv606としてフィルタ回路600に理想的に現れる。
上述されたように変形されると、図1の回路は、A級、B級、C級、E級又はF級のRF電力増幅器として動作しうる。A級動作では、入力信号102は正弦波であり、図2のM202を流れる電流を零にさせない。B級動作では、入力信号102は正弦波であるが、M202はその周期の50%しか導通しない(導通角180度)。C級動作では、180度よりも少ない導通角を有し、これによりB級動作と比べてある程度の効率改善がもたらされる。いずれの場合にも、FETMからMはMにスレーブし、図2のFETスタックは、実質的に単一デバイスとして機能する。図1の回路は、また、F級に関する構造においてi級PAとして動作しても良いが、動作周波数の高調波に対して散逸的な終端を有する。
図1の回路は、上述されたように構成されており、更にF級のRF電力増幅器として動作しても良い。F級動作では、入力信号は、望ましくは、回路200を正確に50%のデューティーサイクルで導通させるデューティーサイクルを有する矩形波である。F級動作より得られる出力電圧は、一般に、導通デューティーサイクルが50%から外れる場合に大幅に増大する。残念ながら、従来の製造部品のばらつきは、デューティーサイクルを50%から逸脱させる傾向を有しており、結果として、回路は、駆動素子の全耐圧容量を安全且つ確実に利用することができない。
[6.代替のバイアス及びスレーブ]
ここで記述されるようなFETスタックの実施例は、そのソースへ結合された基準電圧に対してそのゲートへ結合された駆動信号を受信する単入力FETを有しうる。スタックの残りのFETは、それらが単入力FETでの導通の制御下で導通するように、単入力FETへスレーブされうる。FETスタックの他のFETが単入力FETにスレーブされるところの方法は、FETに適切にバイアスをかけるために用いられる方法と協働する。従って、スレーブ化及びバイアスは、同時に扱われる。
一般に図1に従うRF電力増幅器では、(回路共通電位104に対する)駆動出力ノードのピーク電圧は、しばしば、利用可能な供給電圧VDDの2倍を超えうる。そのようなものとして、図2のドライバ素子に必要とされるバイアス電圧は、容易には利用可能ではない。この欠点は、例えば、電荷ポンプへの償還により改善されうる。最小限の雑音発生の観点から望ましい電荷ポンプについては、周知且つ同時継続の米国特許出願10/658,154「低雑音電荷ポンプ方法及び装置(Low−Noise Charge Pump Method and Apparatus)」で記載されている。この文献は、本願にその全体を参照することにより援用される。そこで詳細に記載されるように、低電流電圧源は、如何なる所望の電圧でも容易に発生させられる。このような電圧源は、必要に応じ、図2のバイアス電圧入力VB210からVB218のいずれかへ供給されうる。
図7は、FETスタックのFETにバイアスをかけるために使用されうる自己調整バイアス供給源を表す。図2と同じく、単一入力206は、単入力FETM1204のゲートへ結合されている。FETM204のソースは、VdREF202へ結合されており、一方、そのドレインは、M208...M216を含むスタックの夫々の次のFETに直列に結合されている。スタックの最後のFETM216のドレインは、Vdrive224へ結合されている。Vdrive224を反映するバイアス電圧を供給するよう、ダイオード(又は等価なもの)DB702は、バイアス供給キャパシタC704をVbias706へと充電する。Vbiasは、VdREF202に対するVdrive224のピーク値であるVpeakまでほぼ充電しうる。C704に関連する時定数が十分に長いならば、Vbiasは、実質的にこの値のままである。時定数は、RB708,RB710,...,RB712を含むN個の抵抗を有する抵抗分圧器の、VdREF202への抵抗を掛け合わされたC704のキャパシタンスの積である。この分圧器の総抵抗は、Rsumで表される。
上記の式1、2及び3に関して、“X”はスタック内の特定のFETの部分を表し、Nはこのようなスタック内のFETの総数を表す。全てのFETがほぼ同一であるとすると、以下:
RB=RB=...=RB(N−1) (式4)
が得られ、従って:
RB=(N−1)RB (式5)
となる。
式1〜5を考慮して、スタックの最後のFET(X=N)に関して:
(CGX+COXX)=COX(N−1)/(N−2) (式6)
RBX(equiv)=RB(N−1)/2 (式7)
RB≧20(N−2)/[COX((N−1)] (式8)
が得られる。従って、N=3に関して、RB≧5/COX/fとなり、RBは、(COX及びfの所定の値に関して)Nが大きくなるにつれて単調に減少する。
上述された抵抗分圧器の総抵抗Rsumは、より低い(N−1)の抵抗がRBであって、最端部(即ち、N番目)の抵抗がより低い抵抗の和である場合に、単純に2(N−1)RBである。Vbias706でのリップルは、時定数C(Rsum)が10/f以下であるならば、容認できるほどに低くなりうる。その基準を式8と結び付けると:
≧COX(N−1)/(N−2)/4 (式9)
が得られる。従って、N=3に関して、C≧COX/2となる。Nが大きくなるにつれて、同じリップル電圧を実現するために必要とされる(COXに対する)Cの値は小さくなる。
大きなリップル電圧は必ずしも問題ではなく、Cは、高速な自己調整応答が必要とされる場合に、望ましく、更に一層小さな値を取り得る。実際には、RBX(equiv)とともに夫々のゲートバイパスキャパシタCGXにより達成されるフィルタリングを考慮すると、平均値は、Vbiasの主な考慮すべき事項である。しかし、Vbiasの平均値が、Cでの十分なリップルの存在を含め、如何なる理由でもVpeakを極めて下回って低下することが許容されるならば、当業者には明らかであるように、抵抗分圧器が然るべく調整されるべきである。
図8は、FETM及びその上のFET(X≧3)にバイアス及びカップリングを供給するための代替案を表す。基準802は、単入力FETM804のソースへ結合されており、M804のゲートは、入力信号806へ結合されている。M804のドレインは、第2のFETM808のソースへ結合されている。バイアス電圧は、バイアス入力部810へ印加されている。バイアス入力部810は、バイアス抵抗RB812を介してM808のゲートへ、及び比較的大きなキャパシタンスCG814へ結合されている。M808のドレインは、スタックの第3のFETM816のソースへ結合されている。M816のドレインは、存在するならば、更なるFET段へ結合されうる。しかし、最終段のFETM816のドレインは、図8で示されるように、出力ノードVdrive818へ結合されている。
FETM816のゲートは、ツェナーダイオードDZ822を介して前段のFETM808のゲートへ結合されている。DZ822は、MのVDSのほぼ所望の最大値で導通閾値を有しても良い(ツェナーダイオードと同じように動作する回路がDZ822の代わりに用いられても良い。)。下付き文字“Y”によって示される更なるFET段が加えられても良い。このような更なる段に関して、対応する更なるツェナーダイオードは、DZ822と同じ方法で使用されうる。即ち、更なるツェナーダイオードは、そのアノードを更なるFETMのゲートへ、且つそのカソードをM(Y−1)のゲートへ結合される。
[6−A.代替の積層FETスイッチ構成及び拡張]
図1〜8に関して先に説明されたFETスタックは、NチャネルFET(N−FET)を用いる。PチャネルFET(P−FET)スタックは、夫々の電圧と、スタックに結合された有極部品の極性を反転させることにより、同様に製造されうる。P−FETスタックの基準電圧は、一般的に、第1の単入力FETMP1のソースへ結合されうる。このような逆回路は、上述されたN−FETスタック回路と実質的に同じ原理に従って動作する。例えば、Vdrive818は、全てのFETがPチャネルであって、且つツェナーDZ822接続が反転される(アノードとカソードとが交換される)ならば、図8の基準802に対して負となりうる。
図9は、NチャネルFETMN1902、MN2904及びMN3906を有するNチャネルFETスタック、並びにPチャネルFETMP1908、MP2910及びMP3912を有するPチャネルFETスタックの両方を用いる、例となる回路である。D級動作では、入力矩形波は、N−FETスタックへ入力部916において共通電位914に対して供給され、且つキャパシタCGP1918を介してMP1908のゲートでP−FETスタックの入力へ結合されている。バイアス電圧は、例えばP−FETスタックの基準VDD930を下回るVGS(on)の2分の1に設定されており、バイアス抵抗RBP1を介してMP1908に供給されうる。代替的に、キャパシタCGP1918及びバイアス抵抗RBP1920は削除され、入力部916及びMP1908のゲートは、夫々、代わりに、非オーバーラップクロック発生器(図示せず。)によって駆動されても良い。
N−FETのMN2904及びMN3906の制御は、(N=3の場合に)図2に関して説明された制御と実質的に同じである。MN2904のゲートは、比較的大きな値を有するキャパシタCGN2922を介して共通電位へ結合(即ち、デカップリング)されており、バイアス抵抗RBN2924を介して約(VDD/3)の電圧にバイアスされうる。MN3906のゲートは、図2に関して説明されたように計算された値を有するキャパシタCGN3926を介して共通電位とデカップリングされており、バイアス抵抗RBN3928を介して(VDD/2)の電圧にバイアスされうる。
P−FETスタックは、N−FETスタックと同様に制御される。バイアス電圧の極性は反転され、この場合にはVDD930であるP−FETスタックの基準電圧を基準とする。P−FETのゲートを容量的にデカップリングするために、P−FETの基準電圧がVDD930であるという事項は、VDDが、通常は、N−FETの基準である回路共通電位914に密に結合されるので、僅かにしか相違を生じないと見込まれる。従って、キャパシタ932及び936のデカップリングは、代替的に、回路共通電位914へ接続されても良い。しかし、示されるように、MP2910のゲートは、比較的大きなキャパシタCGP2932を介してVDDへデカップリングされており、バイアス抵抗RBP2932を介して約2VDD/3へバイアスされている。MP3912のゲートは、キャパシタCGP3936を介してVDDへデカップリングされている。CGP3936の値は、X=3及びN=3の場合に図2に関して説明されたように計算されうる。MP3912のゲートは、バイアス抵抗RBP3938を介して約VDD/2へバイアスされている。
出力電圧Vdrive940は、導通しているのがN−FETスタックかP−FETスタックかどうかに従って、共通電位とVDDとの間で駆動されうる。出力電圧Vdrive940は、図10を参照して更に詳細に以下で説明されるように、シャントフィルタ950によってシャントフィルタをかけられ、マッチング及びカップリング回路960によって処理されうる。マッチング及びカップリング回路960から、信号は、通常、伝送線路、1又はそれ以上の更なるフィルタ部、及びRFスイッチ(図示せず。)を介して、アンテナ942へ送られうる。
図9のシャントフィルタ950は、図4又は図6に示されたものに同様であっても良い。図9のマッチング及びカップリング回路960は、例えば、図3に示されたものと同様であっても良い。しかし、図10は、図9の回路のブロック950及び960の両方に用いられ得るフィルタリングを表わす。キャパシタC952は、シャントフィルタ950として働きうる。図10の残りの構成要素は、図9のマッチング及びカップリング回路960として機能しうる。インダクタL954は、物理的なカップリング接続を有しうる。カップリングキャパシタC962は、直流を遮断する働きをする。L964、C966、L968及びC970は、出力インピーダンスZOUTに整合するために構成されうる。出力インピーダンスZOUTは、通常、50Ωである。
[7.モノリシック構造で集積された中電力デュアルバンドRF送信機]
RF送受信機は、例えば図12に表わされたデュアルバンドRF送受信機のように、通常、図12の項目1226又は1256のような受信信号増幅器を有する。このような受信信号増幅器は、通常、低雑音増幅器(LNA)であり、アンテナから受信された信号を調整するために用いられる。RFフロントエンドは、LNAを必ずしも含まないRF送受信機回路と考えられることがある。
ほとんどのRF送受信機で、ディスクリート集積回路(IC)は、完全なRFフロントエンド部を作るためにモジュールと一体化されるべきである。通常は、少なくともアンテナスイッチは、PAとは異なる別々のIC上に作られ、しばしば、多数の更なるディスクリートICが、RFフロントエンドモジュールを作るために外部配線を介して接続されなければならない。夫々のこのようなディスクリートICは、それに含まれるディスクリートICが異なるロットから提供される場合、又は同じタスクを実行する他のICとは違うふうに設計され、作られた場合でさえ、適切にそのモジュール機能を確実にする特定の性能要件によって決定されるべきである。このような性能要件は、種々様々なものを組み合わせて作った柔軟性及び信頼性を達成するためにこのように作成されており、これらのデバイスと一体化されるディスクリートICのための費用を相当に必要とする。
多重IC送受信機モジュールにおけるPAは、通常、要求に応じて十分な電力の信号を生成する。アンテナスイッチユニットは、期待されるアンテナインピーダンス(例えば、50Ω)に整合された送信信号、又は受信信号入力のいずれか一方へアンテナ(より正確には、アンテナ接続部)を結合する。しかし、アンテナ接続部又はアンテナへのダメージは、アンテナ接続線路からアンテナ接続点へ反射されたインピーダンスを、その期待値から大幅に変化させうる。このような場合に、大きな電圧定在波(VSW)は、その反射インピーダンスと、送信信号が整合される期待値との間で結果として得られる不整合によって引き起こされうる。通常動作中に期待されるよりもずっと大きい電圧偏位が、このような不整合により誘引されたVSWの結果として発生しうる。アンテナスイッチの耐圧要求は、通常、このような不整合状態の下でのダメージを回避するよう、通常のピーク動作電圧よりもずっと高く設定される。
例えばアンテナスイッチのような電力切替え回路におけるスイッチングデバイス(例えばFET)によって占有されるIC面積は、それらが耐えることができる電圧の2乗で増大しうる。従って、所要の耐圧を半分にすると、スイッチデバイス面積は1/4まで低減される。更に、これらのデバイスは、アンテナ切替え回路によって使用されるIC面積の大半を占めるから、IC面積(ひいては製造費用)の非常に大幅な節約が、それらの所要の耐圧を下げることにより実現されうる。このような低減は、ディスクリートICが送受信機全体を作るために結合されるべき場合には現実的ではない。しかし、PAから、アンテナスイッチを介して、更にアンテナ接続部まで全てのデバイスを含む単一ICは、高い不整合により誘引されたVSWに対して保護するよう、信頼性のある内部カップリング及び密なデバイス整合を活用しうる。集積に関するこれらの利点に起因して、デバイス面積の大幅な節約が、同等に機能する送受信機を作るようディスクリートICを一体化することに比べて、達成可能である。
図12は、このような集積保護の利益を享受するよう構成されたデュアルバンド送受信機の主要なRF部の簡単なブロック図である。第1の動作周波数FO1での低レベル信号は、同じICチップ上にある(しかし、必ずしもその必要はない。)供給源から入力ノード1202へ結合される。信号は、増幅器1204により示されるような、如何なる適切な増幅器によっても増幅される。増幅器1204により生成された信号は、パルス調整回路1500が矩形性を改善するよう、更に、望ましくは、最終的に電力増幅器(PA)1206に結合される波形のデューティーサイクルを調整するよう設けられる場合には、好ましい矩形形状から著しく外れても良い。
パルス調整回路1500の出力は、PA1206への入力である。PA1206は、電源114から、直列レギュレータ1400及びRFチョーク(RFC)L108を有する電源調整素子を介して電力を引き込んで、PA出力信号を発生させる。PA出力信号は、入力信号、PA回路素子、及び電源調整素子から生ずる特性インピーダンスを有しており、一般的に、アンテナノード1214で期待されるインピーダンスとは異なる。カップリング、マッチング及びフィルタリング回路は、例えばブロック1210によって表されるように、必要とされても良い。このような回路は、直流を遮断しながら、PA出力信号をアンテナスイッチへ結合し、更に、所望のアンテナノードインピーダンス(例えば50Ω)へとPA出力インピーダンスを変換しうる。それは、また、PA出力信号をアンテナスイッチ1700のA入力部へ結合する前に、PA出力信号から、例えばFO1の高調波などの不要な信号成分をフィルタ処理しうる。別々の接地が設計優先の問題として保持される場合には、カップリング、マッチング及びフィルタリングブロック1210の出力は、接地基準112を基準としても良い。接地基準112は、回路内の他の場所で使用される回路共通基準104とは区別されても良い。アンテナスイッチ1700は、ICチップから分離されうるアンテナへ、例えば伝送線路によって、結合されるアンテナノード1214へ信号を選択的に結合する。
PA(及び全ての介在する回路)と同じICチップ上でのアンテナスイッチのアンテナ接続の有効性は、アンテナスイッチ回路によって、PAによって、又はカップリング、マッチング若しくはフィルタリング素子によって耐えられるべき最大の電気的ストレスを確実に制限する機会を提供する。出力センサ1600は、電気的ストレスを検知して、電気的ストレスが過度である場合にPAにその出力を下げさせる信号を供給するよう、アンテナノード1214へ結合されても良い。この目的のために、出力センサ1600の出力部1220は、PA制御ブロック1300の入力部Bへ結合されている。PA制御ブロック1300へのA入力部1224は、PA出力信号の包絡線振幅を調整するよう振幅制御信号を受信しても良い。この入力部は、また、PAからの出力を制限する、あるいは終端するために使用されても良い。A及びBの両入力部は、PA制御ブロック1300から直列レギュレータブロック1400へ結合された出力Dに影響を及ぼしうる。PA制御ブロック1300へのC入力部1222は、ブロック1300からのE出力を制御する情報又は信号を供給しても良い。E出力部は、PA1206へ入力される矩形波のデューティーサイクルを制御するようパルス調整回路1500へ結合されても良い。デューティーサイクル制御は、例えば、PA出力信号の電力レベルを下げるよう他の手段を設けても良い。入力部1202からの信号経路は、fO1を含む動作周波数の第1の帯域に関して調整されても良い。
アンテナスイッチ1700は、入力部Aでの第1の帯域送信信号からアンテナノード1214を選択的に切り離し、第1の受信帯域に関してアンテナから受信前置増幅器1226へと受信された信号を伝送するように代わりに出力部Bへアンテナノード1214を結合する。望ましくは、受信前置増幅器1226(及び1256)は、低雑音増幅器(LNA)である。LNAは、ここで説明されるような集積されたフロントエンドに必ずしも含まれないが、それらは、通常、完全な送受信機回路に含まれる。受信前置増幅器1226からの出力は、存在するならば、同じICチップ上又はその外部の更なる第1の受信帯域回路へ伝送されても良い。アンテナスイッチ1700は、同様に、アンテナノード1214を第2の受信帯域前置増幅器1256へ選択的に結合して、アンテナから第2の受信帯域出力ノード1258への信号を増幅する。その出力は、ICチップ上又はその外部の更なる第2の受信帯域回路へ伝送されても良い。
同様に、第1の送信帯域回路に関して先に説明されたように、第2の動作周波数帯域内の第2の動作周波数fO2にある送信信号は、入力部1232へ供給されて、増幅器1234により増幅されても良い。増幅器1234から出力される信号のデューティーサイクル及び波形は、PA制御ブロック1301の制御下にあるパルス調整回路1501によって調整されて、第2の帯域PA1207への入力として送られる。第2の帯域PA1207は、RFチョーク109を介して、PA制御ブロック1301の制御下にある直列レギュレータ1401によって制限されるように、VDD114から供給される電力を用いて第2の帯域PA出力信号を発生させうる。第2の帯域PA出力は、特性インピーダンスを有しており、ブロック1211を介してアンテナスイッチ1700のD入力部へ結合される。ブロック1211は、信号を結合し、PA出力とアンテナノードインピーダンスとを整合させ、出力信号をフィルタ処理する。アンテナスイッチ1700は、アンテナノード1214へD入力部を結合するよう制御される。信号は、アンテナノード1214からアンテナ1216へ伝送される。出力センサ1600の出力部1220は、また、第2の帯域PA制御ブロック1301へのB入力部へ結合されても良い。これによって、過度の出力電圧は、第2の帯域PA出力信号を安全なレベルまで低減させられる。第2の帯域PA制御ブロック1301は、また、C入力部1252でのデューティーサイクル制御信号はもちろん、A入力部1254での包絡線制御信号を受け取っても良い。
示されないが、望ましくは、制御回路は、関連するPAが作動する場合にのみ有効とされる。例えば1300又は1301等のPA制御ブロックの例となる回路は図13に示される。例えば1400又は1401等の直列レギュレータの例となる回路は図14に示される。例えば1500又は1501等のパルス調整回路の例となる回路は図15に示される。PA1206又は1207は、図1のブロック400などのシャントフィルタ、又は図11の適切な素子とともに、図1のドライバ素子ブロック200に関して説明されたように作られても良い。カップリング、マッチング及びフィルタリング回路1210及び1211は、図3又は図10に関して先で説明されたように、あるいは同様のカップリング、マッチング及びフィルタリング効果を得られる如何なる他の方法で作られても良い。留意すべきは、図11に示されるような回路が用いられるべき場合には、カップリングキャパシタ302はシャントフィルタの前に配置され、マッチング及びフィルタリングはブロック990と同じく、その後に設けられることである。
図13は、PA制御ブロック1300の回路例を表す。イネーブル入力部A1302は、入力部1302がほぼ接地電位である場合に、出力部D1306が電流を引き込まないように、FET1304へ直接的に結合されても良い。出力部D1306への導通は、出力部1306が電流を導かない場合に、電流がPAへ供給されずに、図14に関して以下で説明されるように出力電力を零まで低下させるように、図14に示されるような直列レギュレータを介してPA出力電力を制御しうる。FET1308は、抵抗1310及び1312によってバイアスされる。抵抗1310及び1312は等しい値を有し、例えば30〜50Ωといった公称値は工学上の便宜のために選択される。この構成は、低電圧FETを保護して、FET1304、1308及び1314の全てのVGD、VGS及びVDSが著しくVDD/2を超えないことを確実にする。
電力検知入力部B1316は、抵抗1318へ結合されうる。抵抗1318は、約30〜50Ωであって、演算増幅器1322の利得1を確立するよう抵抗1320に十分に等しい。電力設定入力部C1324は、一実施例において、0Vから2*Vth(FETの閾値電圧)までに設定される。なお、Vthは、0.4〜0.7Vであって、通常は約0.5Vであり、回路内で一貫している。演算増幅器1322の非反転入力は、ダイオード接続FET1328及び1330とともに抵抗1326(例えば30〜50Ω)を用いて、この電圧範囲を超えることを防止され、このようにして、選択されうる最大電力を制限する。当業者は、選択可能な出力電力を不変な回路設計最大値とするように、回路値及び回路設計を変更することができる。具体的には、ダイオード接続FET1328及び1330の一方又は両方は、例えば電力設定及び出力電圧制限の精度を向上させるよう、バンドギャップ基準を含む回路により置換されても良い。多数の他の技術、同様の効果を達成するために用いられても良い。電力検知入力B1316が電力設定入力電圧により定められた値を超える場合に、FET1314は、導通を中断して、出力部D1306への導通を妨げる。
PA制御ブロック1300は、また、図12のパルス調整回路1500によって実行されるデューティーサイクル調整を制御するよう出力部E1512を設ける。基準電圧は、製造工程パラメータなどの要素に従って調整可能であって、入力部1332に供給される。この電圧は、等分抵抗1336及び1338の制御下で演算増幅器1334によって2倍にされる。当然、他の実施例では、図13に示されるような回路の利得は、異なることが考えられ、例えば、1336及び1338などの、このような利得を設定する抵抗は、然るべく値が異なる。幾らかデューティーサイクルを低減することにより、PA出力電力は対応して低下し、それを零まで低減することにより、PA出力は全体的に抑制されうる。抵抗1336及び抵抗1338により従来の方法でその利得を制御されうる増幅器1334の入力部1338へ供給される基準電圧は、ブロック1500の出力デューティーサイクルを制御するよう、出力部Eで電圧を発生させる働きをする。
図14は、PAへ供給される実効電圧を制限して、ひいてはPA出力振幅を制限するための例となる直列レギュレータ回路1400を表す。入力部1306へ供給される電圧は、VDDと比較して、PチャネルFET1402を制御し、更に、いずれか2つのノード間の過電圧からFET1402を保護するよう、抵抗1406及び1404を介して分割されている。PチャネルFET1408は、FET1402と1408との間でほぼ同様に、VDDと出力部1414との間で発生した最大電圧を分割するように、抵抗1410及び1412によってバイアスをかけられている。出力部1414は、RFチョークを介してPAへ電力を供給する。FET1402及び1408は、例えば、−0.4Vから−0.7Vの間のVGS閾値電圧を有する。抵抗1404、1406、1410及び1412は、全て実質的に等しく、例えば30〜50Ωであるよう工学上の便宜のために選択された大きさを有しても良い。これらの例となる値及び相対的値は、工学上の便宜のために変更されても良い。
図15は、例となる信号調整回路1500の回路図である。入力信号は、入力ノード1502で供給されて、ダイオード接続FET1504を介してインバータ1506の入力部へ結合されうる。FET1504のVDS閾値を加えた入力信号電圧がインバータ1506の閾値よりも低い場合には、インバータ1508の出力は低電位(low)となる。しかし、入力信号の電圧がこの値を上回る場合には、FET1504は導通を中断する。その後、入力部1502の電圧が極めて高い(例えばVDD)場合でさえ、入力部からの電流は、入力電圧1512の制御下でPチャネルFET1510によって制限される。FET1510を流れるこのような電流は、インバータ1506への入力がそのスイッチング閾値を上回るまで、(約0.25〜0.5pFの金属−絶縁−金属、即ちMIMキャパシタでありうる)キャパシタ1514を充電すべきである。その時点で、インバータ1506及び1508がキャパシタ1514を介する正のフィードバックにより急速に状態を変化させて、出力ノード1516で矩形端を生じさせる。立ち上がり及び立ち下がり時間は、主にインバータ1506及び1508による遅延により制限される。入力部1502での信号が、おおよそ、約50%デューティーサイクルの矩形波である場合には、制御入力部1512での電圧は、出力デューティーサイクルが50%から、零に達するほど任意により低い値へと低減される。入力信号は、出力デューティーサイクルの幅がより広いことが望まれる場合に、50%を超えるデューティーサイクルを有するよう構成されても良い。
図16は、検知ノード1602でピーク電圧を検知するための例となる回路1600の回路図である。検知ノード1602は、例えば、図12のアンテナノード1214へ直接的に接続されても良い。入力分割器は、比較的高い電圧を検知するために、示されるように使用されうる。例えば1kΩといった比較的低い抵抗値を有する4つのほぼ等しい抵抗1604、1606、1608及び1610が使用されても良い。ダイオード接続FET1612は、この電圧が高い場合に導通して、約24kΩの抵抗1614を介して約1pFのキャパシタ1616へ電流を供給する。抵抗1614及びキャパシタ1616によって決定される時定数が、(PA出力信号の所定のレベルに関して)出力電圧を上昇させうる如何なる事象の存続期間よりもずっと小さい限りは、多数の他の値が用いられても良い。例えば、アンテナインピーダンスを設計値から大幅に変化させて、高電圧定在波を発生させるアンテナの機械的事象は、発生するのに少なくとも数ミリ秒を要する。例となる回路1600の約24nsの時定数は、このような事象存続期間を十分に下回る。しかし、それらの要素に起因するコーナー周波数は、回路発振を回避するために、一般的に、第1及び第2の帯域動作周波数fO1及びfO2の両方を十分に下回るべきである。事象存続期間が1/fに近づく場合に、他の共通の回路設計配慮は、過電圧を防ぐほど十分に応答が速いことを確実にしながら発振を回避するよう、更に複雑な回路を必要としうる。
図17は、アンテナスイッチの例となる回路1700の簡単化された図である。このようなRFスイッチの設計及び製造に関する更なる詳細は、2004年10月12日に出願され、「無線周波数信号を切り替えるスイッチ回路及び方法(Switch Circuit and Method of Switching Radio Frequency Signals)」と題された米国特許番号6,804,502号で知られる。制御信号を供給する回路は、図示されない。更に、制御電圧は、望ましくは、VDDに近い高電位(high)又は−VDDに近い低電位(low)のいずれか一方であるべきである。−VDD制御電圧を発生させるよう、負電圧発生器が有用であり、望ましくは、例えば、2003年9月8日に出願され、「低雑音電荷ポンプの方法及び装置(Low Noise Charge Pump Method and Apparatus)」と題された米国特許公開番号10/658,154号に記載されるような低雑音回路が用いられる。このような低雑音電荷ポンプは、アンテナからの意図されない放射を回避するために重要である。
ポートノード1780は、スイッチ1700の共通接続部である。図12において、スイッチ1700の共通接続部は、アンテナノード1214へ結合されている。共通接続部は、一般的に、1度に1つのRFポート(ポートA1710、ポートB1730、ポートC1750、又はポートD1770)のみへ結合される。夫々のRFポートは、対応する“+”制御ノードと、対応する“−”制御ノードとを有する。ポートA、B、C及びDに関して、“+”制御ノードは、夫々、ノード1708、1728、1748及び1768であり、一方、“−”制御ノードは、夫々、ノード1718、1738、1758及び1778である。
共通接続部へRFポートを結合するよう、“高”電圧(〜VDD)はポートの対応する“+”制御ノードへ印加され、一方、“低”電圧(〜−VDD)はポートの対応する“−”制御ノードへ印加される。その間に、“低”電圧は、他のRFポートに対応する夫々の“+”制御ノードへ印加され、“高”電圧は、他のRFポートに対応する夫々の“−”制御ノードへ印加される。それによって、選択されたRFポートは、共通接続部へ結合され、一方、全ての他のRFポートは、接地へ結合されうる。従って、共通接続部1780へRFポートA1710を結合するよう、“高”電圧は制御ノード1708、1738、1758及び1778へ印加され、一方、“低”電圧は全ての他の制御ノード(1718、1728、1748及び1768)へ印加される。
全ての抵抗は、通常、同じ値を有する。ある実施例では、その値はおよそ30〜50Ωである。抵抗は、FET(例えばM11701)の寄生ゲート容量の時定数が、その対応するゲート抵抗(例えば1704)の値とともに、fが制御されるRF信号の最小周波数である場合に、1/fよりもずっと大きくなるように選択される。表される構成は、FETスタック(例えば、FETM11701、M11702及びM11703から成るスタック、FETM21704、M21705及びM21706から成るスタックなど)の両端に現れる電圧を均一に分割する働きをして、圧縮効果を低減する。スイッチング機能を提供するFETスタック(例えば、FET1701、1702及び1703)は、説明のために示された3よりも多い又は少ないデバイスを有しても良い。少なくとも9個のデバイスから成るスタックが、うまく作られている。電圧ストレス分布一様性に起因して、幅広い信号電圧及び製造工程パラメータが適合されうる。
[集積回路の製造及び設計]
集積回路製造の詳細は、上記で示されていない。約2.4GHzで1Wより過度に出力電力を有するものも含め、幾つかの好ましい実施例で、集積回路は、1997年9月2日に公報が発行され、「サファイヤチップ上の単一極薄シリコンにおける高周波無線通信システム(High−Frequency Wireless Communication System on a Single Ultrathin Silicon On Sapphire Chip)」と題された米国特許番号5,663,570号に記載されるようなサファイヤ処理における極薄シリコンに従って作られても良い。他のセミコンダクタ・オン・インシュレータ(SIO)技術は、少なくとも幾つかの周波数帯域及び電力レベルに関して、上述されたデュアルバンド送受信機集積回路を作るために使用されても良い。
上記の好ましい集積回路製造技術は、むしろ低い最大値VDSを有するFETを容易に作る。従って、様々な技術は、一貫性のある工程を維持しながらより高い電圧の制御を実現するよう、FETをスタックすることについて説明される。他の製造技術又はより低い電圧及びインピーダンスを用いると、カスコード又は多重積層FETに対する必要性は回避可能となりうる。
[結び]
上記は、集積回路における一対のノード間の導通を制御するよう積層トランジスタを用いる方法及び装置の実施例及び新規な特徴について説明する。当業者には明らかであるように、表される方法及び装置の形状及び詳細に対する様々な削除、置換及び変更は、本発明の適用範囲から逸脱することなく行われる。多数の代わりの実施例が考えられるが、全ての実施例を明示的に列挙することは実際的ではない。このようにして、先に挙げられ、且つ/あるいは示された装置又は方法の代替案の夫々の実際的な組み合わせは、主たる装置又は方法の明確な代替実施例を構成する。このような装置又は方法の代替案の均等に係る夫々の組み合わせは、また、主たる装置又は方法の明確な代替実施例を構成する。従って、本発明の適用範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ決定されるべきであり、このような制限が添付の特許請求の範囲で挙げられる又は意図的に関係する限りにおいて、先に示された特徴によって制限されるべきではない。
明らかなように、集積に係る同様の利点が、他の機能ブロックを有する回路のものとなりうる。例えば、混合器は、このような装置に組み込まれても良く、送信信号処理の更なる部分の集積を可能となる。位相ロックループは、RFフロントエンド又は送受信機と同じモノリシックIC上で送信信号を発生させるよう能力を更に高めうる。更なる形式のフィルタは、受信及び送信の処理のいずれか一方又は両方に対して有用となりうる。
様々な請求要素の均等の意味及び範囲内で生ずる全ての変形は、対応する請求項の適用範囲内に包含される。夫々の請求項は、このようなシステム又は方法が従来技術の実施例でない場合に、このような請求項の文言としか非現実的には異ならない如何なるシステム又は方法をも包含する。この目的のために、夫々の請求項で記載される夫々の要素は、可能な限り幅広く解釈されるべきであり、更に、従来技術を包含せずに可能な程度にこのような要素と等価な如何なるものをも包含すると理解されるべきである。
本願は、2004年6月23日に出願され、「積層トランジスタに係る方法及び装置(Stacked Transistor Method and Apparatus)」と題された、同時継続中であって、通例譲渡された米国特許出願番号10/875,405に対する優先権の主張を伴うものであり、以下の公知の米国特許文献、即ち、1997年9月2日に公報が発行され、「サファイヤチップ上の単一極薄シリコンにおける高周波無線通信システム(High−Frequency Wireless Communication System on a Single Ultrathin Silicon On Sapphire Chip)」と題された米国特許番号5,663,570号と、2004年10月12日に出願され、「無線周波数信号を切り替えるスイッチ回路及び方法(Switch Circuit and Method of Switching Radio Frequency Signals)」と題された米国特許番号6,804,502号と、2003年9月8日に出願され、「低雑音電荷ポンプの方法及び装置(Low Noise Charge Pump Method and Apparatus)」と題された同時継続中の米国特許公開番号10/658,154号とに関連しており、これら4つの米国特許文献の夫々の内容は、参照することによりその全体を本願に援用される。
ある形式のRF電力増幅器(PA)回路を表すブロック図である。 図1に示されたPAとともに利用可能な積層FET制御回路の一般化された回路図である。 図1に示されたPAで利用可能なインピーダンスマッチング及びカップリング帯域通過フィルタの簡単化された回路図である。 図1に示されたPAで利用可能なシャントフィルタの簡単化された回路図である。 図1に示されたPAで利用可能なシャント電力制御回路の簡単化された回路図である。 図1に示されたPAのF級動作に係る出力フィルタの簡単化された回路図である。 積層FET増幅回路の代替のバイアス特性を表す回路図である。 FETスタックのFETにバイアスをかける代替方法を表す簡単化された回路図である。 相補形積層FET駆動素子を用いるD級PAの簡単化された回路図である。 図9に表されたD級PAの例となる出力フィルタリングの回路図である。 図1に示されたPAで利用可能な高調波終端シャントフィルタの簡単化された回路図である。 集積デュアルバンドRF送受信機の簡単化された回路図である。 図12の送受信機において出力電力レベルを指示するための例となるPA出力監督装置の回路図である。 図12の送受信機用の例となる直列出力レギュレータの回路図である。 図12の送受信機用の例となるパルス幅制御器の回路図である。 図12の送受信機用の例となる出力電圧検出器の回路図である。 図12の送受信機用の例となるデュアルバンドアンテナスイッチの回路図である。

Claims (16)

  1. モノリシック集積回路上のRFフロントエンド集積回路であって、
    a)実質的に送信に適した周波数成分及び位相を有する送信信号を受信し、前記送信信号を増幅して、増幅送信信号を発生させるよう構成されたRF信号増幅器と、
    b)前記増幅送信信号から抽出された入力信号へ結合された入力ノードを有し、前記入力信号を増幅して、電力増幅器出力特性インピーダンスを有する電力増幅送信信号を発生させるよう構成され、前記電力増幅送信信号の振幅を制御可能なように抑制するよう構成されたレギュレータ回路を有するRF電力増幅器(PA)と、
    c)直流成分を遮断し、前記信号の特性インピーダンスを変更し、不要な周波数を受け入れないことによって前記電力増幅送信信号を調整して、アンテナ整合送信信号を発生させるよう構成されたマッチング、カップリング及びフィルタリング回路と、
    d)前記アンテナ整合送信信号をアンテナ接続ノードへ制御可能なように結合するよう、又は前記アンテナ接続ノードを前記送信ノードから切り離し、代わりに前記アンテナ接続ノードを受信信号増幅経路へ結合するよう構成されたアンテナスイッチと、
    e)前記アンテナスイッチを介して結合された前記送信信号の少なくとも振幅を反映する送信電力信号を発生させるよう構成された送信信号検知回路と、
    f)前記アンテナスイッチにより結合された前記送信信号の振幅が所定の制限を超えることを実質的に防ぐように、前記レギュレータ回路に前記送信電力信号に応答して前記電力増幅送信信号を抑制させるよう構成された制御回路とを有することを特徴とする集積回路。
  2. 前記増幅送信信号へ結合された入力と、前記RF電力増幅器の前記入力ノードへ結合された出力とを有し、前記増幅送信信号の波形及びデューティーサイクルを調整して、前記入力ノードに実質的に適したデューティーサイクルを有する矩形波を発生させるよう構成された矩形波調整器を更に有する、ことを特徴とする請求項1記載の集積回路。
  3. 前記矩形波調整器は、前記矩形波調整器へ結合されたデューティーサイクル制御信号の制御下で前記RF電力増幅器へ結合された前記矩形波のデューティーサイクルを調整するよう構成された制御部を有する、ことを特徴とする請求項2記載の集積回路。
  4. 前記RF電力増幅器は、出力駆動ノードと回路共通部との間に配置され、線形動作を回避して、最小インピーダンス又は最大インピーダンスでのみ実質的に動作するよう構成されたスイッチング回路と、前記出力駆動ノードと前記レギュレータ回路との間に結合された無線周波数チョーク(RFC)とを有する、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の集積回路。
  5. 前記RF電力増幅器の前記スイッチング回路は、共通極性の複数の直列接続されたFETを有し、前記複数の直列接続されたFETは、それらの間でほぼ等しく前記スイッチング回路へ印加された最大電圧ストレスを分割するよう構成される、ことを特徴とする請求項4記載の集積回路。
  6. 前記複数の直列接続されたFETは、互いに実質的に同時にオン及びオフを切り替えるよう構成された非常に多数の直列接続されたFETである、ことを特徴とする請求項5記載の集積回路。
  7. 前記RF電力増幅器は、全て実質的に同時に導通する1又はそれ以上のFETから成るスイッチング装置の唯1つのみを有し、前記出力駆動ノード及び回路共通部との間に配置されたシャントフィルタを更に有し、
    前記シャントフィルタは、著しい抵抗性を有するインピーダンスを介して動作周波数fの1又はそれ以上の高調波での前記電力増幅送信信号の信号成分を導き、一方、前記動作周波数fでの信号成分を実質的に受け入れないよう構成される、ことを特徴とする請求項4記載の集積回路。
  8. 前記シャントフィルタは、周波数の関数であって、2×f及び3×fの周波数で前記電力増幅器出力特性インピーダンスにほぼ等しい極小値を有するインピーダンスを有する、ことを特徴とする請求項7記載の集積回路。
  9. 前記アンテナ整合送信信号は、少なくとも約900MHzの動作周波数fを有し、当該RFフロントエンド集積回路は、前記動作周波数fで前記アンテナ接続ノードへ少なくとも約1Wの電力を供給するよう構成される、ことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか一項記載の集積回路。
  10. 請求項1の前記項目(b)に従うが、第2の動作周波数fでの入力信号を受け入れ、前記送信信号検知回路からの信号により制御されるレギュレータ回路を有する第2のRF電力増幅器と、
    請求項1の前記項目(c)に従うが、第2のアンテナ整合送信信号を生成するよう構成される第2のマッチング、カップリング及びフィルタリング回路とを更に有し、
    前記アンテナスイッチは、更に、前記第2のアンテナ整合送信信号へだけ、又は第2の受信信号増幅経路へだけ前記アンテナ接続ノードを制御可能なように結合するよう構成される、ことを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか一項記載の集積回路。
  11. 出力駆動ノードで出力信号を生成するよう構成されたRF電力増幅器(PA)であって、
    a)動作周波数fでRF入力信号を受信するよう構成された入力ノードと、
    b)線形動作を回避するために、前記RF入力信号の制御下で、オンインピーダンスを介して回路共通部へ前記出力駆動ノードを結合するよう、又は前記回路共通部から前記出力駆動ノードを実質的に切り離すよう構成されたスイッチング回路と、
    c)電源VDDと前記出力駆動ノードとの間に結合され、前記スイッチング回路動作の制御下で前記動作周波数fにおいて実質的に正弦波である波形を有する電流を伝送するよう構成されたRFチョーク(RFC)と、
    d)前記出力駆動ノードと前記回路共通部との間に配置され、前記動作周波数fの整数高調波である周波数を有する出力駆動信号の成分に関して、前記RF電力増幅器の特性出力インピーダンスZの抵抗成分にほぼ等しい抵抗成分を有する終端インピーダンスZTを介して電流を導くよう構成されたシャントフィルタとを有する、ことを特徴とするRF電力増幅器。
  12. 前記シャントフィルタは、前記動作周波数fでの整数高調波である周波数で極小インピーダンスを有する、ことを特徴とする請求項11記載のRF電力増幅器。
  13. 前記シャントフィルタは、2×f及び3×fで極小インピーダンスを有する、ことを特徴とする請求項12記載のRF電力増幅器。
  14. 前記シャントフィルタの前記極小インピーダンスは、前記出力駆動ノードで前記特性出力インピーダンスZ0にほぼ等しい、ことを特徴とする請求項12又は13記載のRF電力増幅器。
  15. 前記入力ノードへ結合され、前記RF入力信号から抽出された信号を供給して、前記スイッチング回路を制御するよう構成された入力調整回路を更に有し、
    前記抽出された信号は、前記入力調整回路により制御されるデューティーサイクルを有する実質的に矩形である波形を有する、ことを特徴とする請求項11乃至14のうちいずれか一項記載のRF電力増幅器。
  16. 単一モノリシック集積回路チップ上にRFフロントエンド回路を作る方法であって、
    a)前記チップから離れたアンテナへ前記RFフロントエンドを結合するための1つの単独アンテナ接続ノードを設け、
    i)送信信号振幅を反映する信号を発生させるよう構成された送信信号検知回路と、
    ii)前記チップ上に配置されたアンテナスイッチの共通接続と
    へ前記アンテナ接続ノードを結合するステップと、
    b)受信送信信号を増幅するよう構成された送信信号増幅器へ入力信号ノードを結合するステップと、
    c)実質的に線形な動作でなければ、出力駆動ノードを回路共通へ切り替えるように、又は実質的に線形な動作であれば、前記増幅された受信送信信号から得られた制御下で、前記出力駆動ノードが動作周波数fで特性インピーダンスZdriveを有するように、スイッチングモードで動作するよう構成されたスイッチング回路を有する電力増幅器(PA)をレイアウトするステップと、
    d)RFチョーク(RFC)の第1の接続へ前記電力増幅器出力駆動ノードを結合し、前記RFCの第2の接続をレギュレータ回路を介して電源へ結合するステップと、
    e)前記アンテナ接続ノードへ切替え可能なように結合された送信信号が前記アンテナへの接続の予想インピーダンスに実質的に等しい特性インピーダンスを有するように、マッチング、カップリング及びフィルタリング回路を介して前記アンテナスイッチの入力へ前記電力増幅器出力駆動ノードを結合するステップと、
    f)前記アンテナ接続へ、前記アンテナ接続での過電圧を反映する信号を発生させるよう構成された出力信号検知回路を結合するステップと、
    g)前記出力駆動信号の振幅が前記アンテナ接続での著しい過電圧の存在を除外するよう制御されるところの前記レギュレータ回路へ前記アンテナ接続での過電圧を反映する前記信号を結合ステップとを有する、ことを特徴とする方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011182403A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 改善された高調波特性を有する高周波送信モジュール
JP2012182558A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Toshiba Corp Ab級増幅器
JP2013542700A (ja) * 2010-09-02 2013-11-21 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 共振電力送信システムの電力変換器及び共振電力送信装置
JP2016028458A (ja) * 2008-02-28 2016-02-25 ペレグリン セミコンダクター コーポレーション 集積回路素子内でキャパシタをデジタル処理で同調するときに用いられる方法及び装置
WO2016047323A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 株式会社村田製作所 フロントエンド回路および通信装置
US10476535B2 (en) 2015-09-09 2019-11-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency front end circuit and communication apparatus
JP7416345B1 (ja) 2023-05-17 2024-01-17 三菱電機株式会社 電力増幅器およびバイアス回路

Families Citing this family (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
EP3570374B1 (en) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Integrated rf front end
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US9653601B2 (en) 2005-07-11 2017-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
WO2007106443A2 (en) 2006-03-10 2007-09-20 Tlc Precision Wafer Technology, Inc. Monolithic integrated transceiver
KR100822844B1 (ko) * 2006-11-14 2008-04-17 주식회사 네오펄스 능동형 무선 모듈
US7616934B2 (en) * 2006-12-11 2009-11-10 Sige Semiconductor (Europe) Limited Switched impedance transformer for semiconductor circuits
US7960772B2 (en) 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand
EP2171873B1 (en) * 2007-06-28 2019-05-22 Nokia Technologies Oy Radiated power optimization for a mobile radio transmitter/receiver having an antenna
TWI364919B (en) * 2008-05-16 2012-05-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Radio signal transceiver and communication system employing the same
EP2385616A2 (en) 2008-07-18 2011-11-09 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US9660590B2 (en) 2008-07-18 2017-05-23 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US7868683B2 (en) * 2008-08-12 2011-01-11 Infineon Technologies Ag Switch using an accelerating element
CN104953965B (zh) * 2008-09-01 2018-07-24 艾利森电话股份有限公司 混合类放大器
US8350627B2 (en) * 2008-09-01 2013-01-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Hybrid class amplifier
US8175541B2 (en) * 2009-02-06 2012-05-08 Rfaxis, Inc. Radio frequency transceiver front end circuit
US8073400B2 (en) * 2009-02-17 2011-12-06 Rfaxis, Inc. Multi mode radio frequency transceiver front end circuit
US9231680B2 (en) * 2009-03-03 2016-01-05 Rfaxis, Inc. Multi-channel radio frequency front end circuit
US20100244981A1 (en) * 2009-03-30 2010-09-30 Oleksandr Gorbachov Radio frequency power divider and combiner circuit
US8467738B2 (en) * 2009-05-04 2013-06-18 Rfaxis, Inc. Multi-mode radio frequency front end module
US7872533B2 (en) * 2009-06-03 2011-01-18 Peregrine Semiconductor Corporation Leakage current reduction in a power regulator
US8471344B2 (en) * 2009-09-21 2013-06-25 International Business Machines Corporation Integrated circuit device with series-connected fin-type field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device
US8232627B2 (en) * 2009-09-21 2012-07-31 International Business Machines Corporation Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device
US8565699B1 (en) * 2009-09-23 2013-10-22 Marvell International Ltd. Setting of power amplifier control voltage
US8417198B1 (en) 2009-10-28 2013-04-09 Marvell International Ltd. Selection of closed-loop/open-loop power control in user equipment
US8260226B1 (en) 2009-10-28 2012-09-04 Marvell International Ltd. High-accuracy transmit power control with high-efficiency power amplifier operation
US8487706B2 (en) * 2010-01-25 2013-07-16 Peregrine Semiconductor Corporation Stacked linear power amplifier with capacitor feedback and resistor isolation
GB2479182B (en) * 2010-03-31 2015-04-01 Sony Europe Ltd Power amplifier
US8350624B2 (en) 2010-09-01 2013-01-08 Peregrine Semiconductor Corporation Amplifiers and related biasing methods and devices
US20130252562A1 (en) * 2010-09-21 2013-09-26 Dsp Group, Ltd. High power high isolation low current cmos rf switch
WO2012038947A1 (en) * 2010-09-21 2012-03-29 Dsp Group Ltd. Rf switch implementation in cmos process
US8368462B2 (en) 2010-10-06 2013-02-05 Peregrine Semiconductor Corporation Method, system, and apparatus for RF switching amplifier
US9444517B2 (en) * 2010-12-01 2016-09-13 Triune Systems, LLC Coupled inductor power transfer system
US9413362B2 (en) 2011-01-18 2016-08-09 Peregrine Semiconductor Corporation Differential charge pump
US9431975B2 (en) 2011-04-04 2016-08-30 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Circuits for providing class-E power amplifiers
US8861407B2 (en) * 2011-07-07 2014-10-14 Provigent Ltd. Multiple connection options for a transceiver
FR2978595A1 (fr) * 2011-07-28 2013-02-01 St Microelectronics Crolles 2 Transformateur du type symetrique-dissymetrique
US9019010B2 (en) * 2012-05-22 2015-04-28 Rf Micro Devices, Inc. Integrated stacked power amplifier and RF switch architecture
US9264077B2 (en) * 2012-05-31 2016-02-16 Blackberry Limited Mobile communications device including an RF transmitter providing impedance fluctuation dampening and related methods
US10147724B2 (en) 2012-07-07 2018-12-04 Skyworks Solutions, Inc. Feed-forward circuit to improve intermodulation distortion performance of radio-frequency switch
US9059702B2 (en) * 2012-07-07 2015-06-16 Skyworks Solutions, Inc. Switch linearization by non-linear compensation of a field-effect transistor
US8779859B2 (en) * 2012-08-08 2014-07-15 Qualcomm Incorporated Multi-cascode amplifier bias techniques
US8933858B2 (en) * 2012-08-09 2015-01-13 Qualcomm Incorporated Front end parallel resonant switch
US9368975B2 (en) * 2012-11-30 2016-06-14 Qualcomm Incorporated High power RF field effect transistor switching using DC biases
KR101452063B1 (ko) * 2012-12-10 2014-10-16 삼성전기주식회사 프론트 엔드 모듈
US20150236748A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
US9537472B2 (en) * 2013-03-15 2017-01-03 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated switch and self-activating adjustable power limiter
US10680590B2 (en) 2013-03-15 2020-06-09 Psemi Corporation Integrated switch and self-activating adjustable power limiter
TWI569590B (zh) * 2013-03-25 2017-02-01 Airoha Tech Corp Radio front end module
CA2814303A1 (en) 2013-04-26 2014-10-26 Cellphone-Mate, Inc. Apparatus and methods for radio frequency signal boosters
US10491209B2 (en) 2013-07-17 2019-11-26 Qualcomm Incorporated Switch linearizer
US9882509B2 (en) * 2013-10-31 2018-01-30 Mitsubishi Electric Engineering Company, Limited Resonant type high frequency power supply device and switching circuit for resonant type high frequency power supply device
KR102100465B1 (ko) 2013-11-14 2020-04-13 삼성전자주식회사 무선 통신 장치 및 그것의 동작 방법
US9391566B2 (en) 2013-11-15 2016-07-12 Peregrine Semiconductor Corporation Methods and devices for testing segmented electronic assemblies
US9438185B2 (en) 2013-11-15 2016-09-06 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and methods for increasing reliability of scalable periphery amplifiers
US9407212B2 (en) 2013-11-15 2016-08-02 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and methods for improving yield of scalable periphery amplifiers
US9705463B2 (en) * 2013-11-26 2017-07-11 Qorvo Us, Inc. High efficiency radio frequency power amplifier circuitry with reduced distortion
US9793788B2 (en) * 2013-12-20 2017-10-17 General Electric Company Energy storage system for renewable energy source
US9653477B2 (en) 2014-01-03 2017-05-16 International Business Machines Corporation Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming
US9865432B1 (en) 2014-01-10 2018-01-09 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9496122B1 (en) 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US9697991B2 (en) 2014-01-10 2017-07-04 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9755641B1 (en) 2014-01-10 2017-09-05 Reno Technologies, Inc. High speed high voltage switching circuit
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9844127B2 (en) 2014-01-10 2017-12-12 Reno Technologies, Inc. High voltage switching circuit
US10455729B2 (en) 2014-01-10 2019-10-22 Reno Technologies, Inc. Enclosure cooling system
US9143124B2 (en) 2014-02-18 2015-09-22 Acco Switch controls
EP2916356B1 (en) * 2014-03-04 2020-12-30 Ampleon Netherlands B.V. Amplifier structure
US10063197B2 (en) 2014-03-05 2018-08-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Circuits for power-combined power amplifier arrays
CN103973291B (zh) 2014-04-22 2017-02-01 华为技术有限公司 射频天线开关
US9438223B2 (en) 2014-05-20 2016-09-06 Qualcomm Incorporated Transistor based switch stack having filters for preserving AC equipotential nodes
US9647703B2 (en) * 2014-09-16 2017-05-09 Skyworks Solutions, Inc. Multi-band device with reduced band loading
US9614541B2 (en) 2014-10-01 2017-04-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Wireless-transmitter circuits including power digital-to-amplitude converters
US9768744B1 (en) * 2014-12-03 2017-09-19 Skyworks Solutions, Inc. Cascode power amplifier stage using HBT and FET
CN105789836B (zh) * 2014-12-24 2019-06-25 联想(北京)有限公司 天线系统和移动终端
CN104883216B (zh) * 2015-02-17 2019-03-26 络达科技股份有限公司 可降低信号损失的天线切换装置
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11017983B2 (en) 2015-02-18 2021-05-25 Reno Technologies, Inc. RF power amplifier
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US12119206B2 (en) 2015-02-18 2024-10-15 Asm America, Inc. Switching circuit
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9831857B2 (en) 2015-03-11 2017-11-28 Peregrine Semiconductor Corporation Power splitter with programmable output phase shift
US11150283B2 (en) 2015-06-29 2021-10-19 Reno Technologies, Inc. Amplitude and phase detection circuit
US11081316B2 (en) 2015-06-29 2021-08-03 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11335540B2 (en) 2015-06-29 2022-05-17 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11342161B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Switching circuit with voltage bias
US10984986B2 (en) 2015-06-29 2021-04-20 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11342160B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Filter for impedance matching
US10692699B2 (en) 2015-06-29 2020-06-23 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with restricted capacitor switching
WO2017040223A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-09 Skyworks Solutions, Inc. Tunable notch filter and contour tuning circuit
WO2017040222A1 (en) 2015-09-02 2017-03-09 Skyworks Solutions, Inc. Contour tuning circuit
US9825597B2 (en) 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
US10141958B2 (en) 2016-02-19 2018-11-27 Psemi Corporation Adaptive tuning network for combinable filters
CN105700853B (zh) * 2016-03-07 2019-02-05 联想(北京)有限公司 一种控制方法及电子设备
WO2017173119A1 (en) 2016-04-01 2017-10-05 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode stacked amplifier
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
US9787256B1 (en) 2016-06-16 2017-10-10 Peregrine Semiconductor Corporation Coupled coils inter-stage matching network
JP6621715B2 (ja) * 2016-07-08 2019-12-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 無線通信装置及びそれを備えた電力量計測装置
US9948281B2 (en) 2016-09-02 2018-04-17 Peregrine Semiconductor Corporation Positive logic digitally tunable capacitor
US10236863B2 (en) 2016-10-12 2019-03-19 Psemi Corporation Programmable voltage variable attenuator
US10454432B2 (en) 2016-12-29 2019-10-22 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage
TWI800014B (zh) 2016-12-29 2023-04-21 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
KR102624466B1 (ko) 2017-01-12 2024-01-15 삼성전자주식회사 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치 및 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치에서 스위칭 방법
US11374567B2 (en) * 2017-02-11 2022-06-28 Klas Olof Lilja Circuit for low power, radiation hard logic cell
US10564291B1 (en) * 2017-03-02 2020-02-18 Rockwell Collins, Inc. Global positioning system (GPS) receivers for munitions
US9960737B1 (en) 2017-03-06 2018-05-01 Psemi Corporation Stacked PA power control
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10103696B1 (en) 2017-04-13 2018-10-16 Tagore Technology, Inc. Integrated gallium nitride power amplifier and switch
US10483921B2 (en) * 2017-05-26 2019-11-19 Psemi Corporation Clockless frequency detector
US11315758B2 (en) 2017-07-10 2022-04-26 Reno Technologies, Inc. Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations
US11476091B2 (en) 2017-07-10 2022-10-18 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network for diagnosing plasma chamber
US10727029B2 (en) 2017-07-10 2020-07-28 Reno Technologies, Inc Impedance matching using independent capacitance and frequency control
US11289307B2 (en) 2017-07-10 2022-03-29 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10483090B2 (en) 2017-07-10 2019-11-19 Reno Technologies, Inc. Restricted capacitor switching
US11101110B2 (en) 2017-07-10 2021-08-24 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11114280B2 (en) 2017-07-10 2021-09-07 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with multi-level power setpoint
US11393659B2 (en) 2017-07-10 2022-07-19 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11398370B2 (en) 2017-07-10 2022-07-26 Reno Technologies, Inc. Semiconductor manufacturing using artificial intelligence
US11521833B2 (en) 2017-07-10 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Combined RF generator and RF solid-state matching network
US10714314B1 (en) 2017-07-10 2020-07-14 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
CN108023168A (zh) * 2017-11-28 2018-05-11 广东欧珀移动通信有限公司 移动终端
US11088720B2 (en) 2017-12-20 2021-08-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
US10326018B1 (en) 2018-02-28 2019-06-18 Nxp Usa, Inc. RF switches, integrated circuits, and devices with multi-gate field effect transistors and voltage leveling circuits, and methods of their fabrication
CN108551333B (zh) * 2018-03-29 2021-09-14 广州慧智微电子有限公司 射频功率放大电路
US10924164B2 (en) 2018-05-29 2021-02-16 Skyworks Solutions, Inc. Beamforming communication systems with power control based on antenna pattern configuration
CN112352405B (zh) * 2018-05-30 2024-10-11 Macom技术解决方案控股公司 基于集成电路的交流耦合拓扑
CN108683411B (zh) * 2018-06-15 2023-10-27 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于晶体管堆叠技术的高效率连续f类功率放大器
CN109245735B (zh) * 2018-10-18 2023-10-27 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于二次谐波注入技术的高效率j类堆叠功率放大器
US10756772B1 (en) * 2019-05-21 2020-08-25 Qualcomm Incorporated Multi-mode mixer
US11521831B2 (en) 2019-05-21 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method with reduced memory requirements
US10784862B1 (en) 2019-09-10 2020-09-22 Nxp Usa, Inc. High speed switching radio frequency switches
US11496167B2 (en) * 2019-09-24 2022-11-08 Skyworks Solutions, Inc. RF signal switch
US10972091B1 (en) * 2019-12-03 2021-04-06 Nxp Usa, Inc. Radio frequency switches with voltage equalization
US11316550B2 (en) * 2020-01-15 2022-04-26 Skyworks Solutions, Inc. Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains
US11368180B2 (en) 2020-07-31 2022-06-21 Nxp Usa, Inc. Switch circuits with parallel transistor stacks and methods of their operation
JP2022046289A (ja) * 2020-09-10 2022-03-23 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
RU2746303C1 (ru) * 2020-09-10 2021-04-12 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Невтех" Автоматический каскадируемый коммутатор антенн и способ автоматической коммутации антенн
CN112910417B (zh) * 2021-01-15 2022-08-05 青海民族大学 一种宽带高效率微波功率放大器
US11683028B2 (en) * 2021-03-03 2023-06-20 Nxp Usa, Inc. Radio frequency switches with voltage equalization
US20230412130A1 (en) * 2022-06-21 2023-12-21 Qualcomm Incorporated Front-end circuitry with amplifier protection

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01254014A (ja) * 1988-04-04 1989-10-11 Toshiba Corp 電力増幅器
JPH02291704A (ja) * 1989-02-28 1990-12-03 American Teleph & Telegr Co <Att> 高効率uhf線形電力増幅器回路
JPH04183008A (ja) * 1990-11-16 1992-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高周波増幅器
JPH0879035A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Origin Electric Co Ltd 高電圧スイッチ回路
JPH08148949A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Fujitsu Ltd 高周波増幅器
JPH0969731A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Mitsubishi Electric Corp 周波数変換回路
JP2000269831A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Sharp Corp 送信電力制御方式無線機端末
US20030002452A1 (en) * 2001-06-26 2003-01-02 Sahota Gurkanwal Singh System and method for power control calibration and a wireless communication device
JP2003060451A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 相補型プッシュプル増幅器
JP2003087069A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Kenwood Corp オートパワーコントロール回路
JP2003198248A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Sharp Corp アンテナ一体型パッケージ
JP2004515937A (ja) * 2000-09-28 2004-05-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ カスコード・ブートストラップ・アナログ電力増幅回路

Family Cites Families (637)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1071858A (en) 1912-01-11 1913-09-02 Frank H Ball Carbureter.
US3190902A (en) 1963-07-02 1965-06-22 Ethyl Corp Preparation of aromatic iron subgroup metal coordination compounds
GB1104885A (en) 1964-12-18 1968-03-06 May & Baker Ltd Method for the treatment of helminth infestations
SE330560B (ja) 1965-11-23 1970-11-23 Ericsson Telefon Ab L M
US3470443A (en) 1967-12-07 1969-09-30 Nasa Positive dc to negative dc converter
US3878450A (en) 1970-04-29 1975-04-15 Greatbatch W Ltd Controlled voltage multiplier providing pulse output
US3646361A (en) 1970-10-16 1972-02-29 Hughes Aircraft Co High-speed sample and hold signal level comparator
US3699359A (en) 1971-04-20 1972-10-17 Philco Ford Corp Electronic latching device
US3731112A (en) 1971-12-15 1973-05-01 A Smith Regulated power supply with diode capacitor matrix
US3943428A (en) 1973-11-23 1976-03-09 General Electric Company DC to DC Voltage converter
US3942047A (en) 1974-06-03 1976-03-02 Motorola, Inc. MOS DC Voltage booster circuit
US3988727A (en) 1974-06-24 1976-10-26 P. R. Mallory & Co., Inc. Timed switching circuit
US3955353A (en) 1974-07-10 1976-05-11 Optel Corporation Direct current power converters employing digital techniques used in electronic timekeeping apparatus
US4016643A (en) 1974-10-29 1977-04-12 Raytheon Company Overlay metallization field effect transistor
US3975671A (en) 1975-02-24 1976-08-17 Intel Corporation Capacitive voltage converter employing CMOS switches
CH593510B5 (ja) 1975-08-14 1977-12-15 Ebauches Sa
JPS5855685B2 (ja) 1975-09-03 1983-12-10 株式会社日立製作所 ゾウフクカイロ
US4053916A (en) 1975-09-04 1977-10-11 Westinghouse Electric Corporation Silicon on sapphire MOS transistor
IT1073440B (it) 1975-09-22 1985-04-17 Seiko Instr & Electronics Circuito elevatore di tensione realizzato in mos-fet
US4047091A (en) 1976-07-21 1977-09-06 National Semiconductor Corporation Capacitive voltage multiplier
US4079336A (en) * 1976-12-22 1978-03-14 National Semiconductor Corporation Stacked transistor output amplifier
US4106086A (en) 1976-12-29 1978-08-08 Rca Corporation Voltage multiplier circuit
JPS5393350A (en) 1977-01-27 1978-08-16 Canon Inc Booster circuit
US4145719A (en) 1977-09-28 1979-03-20 Gte Sylvania Incorporated Multi-channel video switch using dual-gate MOS-FETS
JPS54152845A (en) 1978-05-24 1979-12-01 Hitachi Ltd High dielectric strength mosfet circuit
US4244016A (en) 1978-11-20 1981-01-06 Rockwell International Corporation Sine-wave static converter
JPS5575348U (ja) 1978-11-20 1980-05-24
JPS5574168A (en) 1978-11-28 1980-06-04 Oki Electric Ind Co Ltd Pnpn switch
DE2851789C2 (de) 1978-11-30 1981-10-01 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schaltung zum Schalten und Übertragen von Wechselspannungen
US4256977A (en) 1978-12-26 1981-03-17 Honeywell Inc. Alternating polarity power supply control apparatus
US4241316A (en) * 1979-01-18 1980-12-23 Lawrence Kavanau Field effect transconductance amplifiers
JPS6033314B2 (ja) 1979-11-22 1985-08-02 富士通株式会社 基板バイアス電圧発生回路
US4367421A (en) 1980-04-21 1983-01-04 Reliance Electric Company Biasing methods and circuits for series connected transistor switches
US4321661A (en) 1980-12-23 1982-03-23 Gte Laboratories Incorporated Apparatus for charging a capacitor
US4739191A (en) 1981-04-27 1988-04-19 Signetics Corporation Depletion-mode FET for the regulation of the on-chip generated substrate bias voltage
US4460952A (en) 1982-05-13 1984-07-17 Texas Instruments Incorporated Electronic rectifier/multiplier/level shifter
US4485433A (en) 1982-12-22 1984-11-27 Ncr Corporation Integrated circuit dual polarity high voltage multiplier for extended operating temperature range
US4528517A (en) 1983-02-07 1985-07-09 Tektronix, Inc. Overdrive thermal distortion compensation for a Quinn cascomp amplifier
DE3371961D1 (en) 1983-05-27 1987-07-09 Itt Ind Gmbh Deutsche Mos push-pull bootstrap driver
JPS6066504A (ja) 1983-09-22 1985-04-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
JPS6148197A (ja) 1984-08-13 1986-03-08 Fujitsu Ltd チヤ−ジアツプ回路
US4748485A (en) 1985-03-21 1988-05-31 Hughes Aircraft Company Opposed dual-gate hybrid structure for three-dimensional integrated circuits
US4621315A (en) 1985-09-03 1986-11-04 Motorola, Inc. Recirculating MOS charge pump
US4679134A (en) 1985-10-01 1987-07-07 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated dual charge pump power supply and RS-232 transmitter/receiver
US4777577A (en) 1985-10-01 1988-10-11 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated dual charge pump power supply and RS-232 transmitter/receiver
US4897774A (en) 1985-10-01 1990-01-30 Maxim Integrated Products Integrated dual charge pump power supply and RS-232 transmitter/receiver
JPS62104173A (ja) 1985-10-31 1987-05-14 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62158419A (ja) 1985-12-28 1987-07-14 阿部 寿人 移植機
JPH0434980Y2 (ja) 1986-06-30 1992-08-19
US4769784A (en) 1986-08-19 1988-09-06 Advanced Micro Devices, Inc. Capacitor-plate bias generator for CMOS DRAM memories
US4736169A (en) 1986-09-29 1988-04-05 Hughes Aircraft Company Voltage controlled oscillator with frequency sensitivity control
JPS63238716A (ja) 1986-11-14 1988-10-04 Nec Corp スイッチ回路
US4797899A (en) 1986-12-15 1989-01-10 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated dual charge pump power supply including power down feature and rs-232 transmitter/receiver
US4752699A (en) 1986-12-19 1988-06-21 International Business Machines Corp. On chip multiple voltage generation using a charge pump and plural feedback sense circuits
US4825145A (en) 1987-01-14 1989-04-25 Hitachi, Ltd. Constant current circuit
JPS63290159A (ja) 1987-05-20 1988-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 昇圧回路
US4746960A (en) 1987-07-27 1988-05-24 General Motors Corporation Vertical depletion-mode j-MOSFET
US5081706A (en) 1987-07-30 1992-01-14 Texas Instruments Incorporated Broadband merged switch
DE3726067A1 (de) * 1987-08-06 1989-02-16 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von 1-olefinpolymeren
US4847519A (en) 1987-10-14 1989-07-11 Vtc Incorporated Integrated, high speed, zero hold current and delay compensated charge pump
US4883976A (en) 1987-12-02 1989-11-28 Xicor, Inc. Low power dual-mode CMOS bias voltage generator
GB2214017A (en) 1987-12-22 1989-08-23 Philips Electronic Associated Ring oscillator
US4849651A (en) 1988-02-24 1989-07-18 Hughes Aircraft Company Two-state, bilateral, single-pole, double-throw, half-bridge power-switching apparatus and power supply means for such electronic power switching apparatus
JPH024011A (ja) 1988-06-21 1990-01-09 Nec Corp アナログスイッチ回路
JP2584831B2 (ja) 1988-06-27 1997-02-26 松下電工株式会社 温水床暖房装置
JPH0666443B2 (ja) 1988-07-07 1994-08-24 株式会社東芝 半導体メモリセルおよび半導体メモリ
US4906587A (en) 1988-07-29 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Making a silicon-on-insulator transistor with selectable body node to source node connection
JPH0241275A (ja) 1988-08-02 1990-02-09 Alps Electric Co Ltd プリンタのプラテン支持機構
JPH0255682A (ja) 1988-08-23 1990-02-26 Nkk Corp 異材継手
JPH077912B2 (ja) 1988-09-13 1995-01-30 株式会社東芝 昇圧回路
JPH0292785A (ja) 1988-09-29 1990-04-03 Mazda Motor Corp 車両のピラー取付構造
JPH0381641A (ja) 1988-11-02 1991-04-08 Sadao Omata 物質の硬さ特性測定方法及び装置
US4929855A (en) 1988-12-09 1990-05-29 Grumman Corporation High frequency switching device
JPH07105447B2 (ja) 1988-12-15 1995-11-13 株式会社東芝 伝送ゲート
US5313083A (en) 1988-12-16 1994-05-17 Raytheon Company R.F. switching circuits
US5001528A (en) 1989-01-31 1991-03-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Radiation hardened CMOS on SOI or SOS devices
JPH02215154A (ja) 1989-02-16 1990-08-28 Toshiba Corp 電圧制御回路
US4890077A (en) 1989-03-28 1989-12-26 Teledyne Mec FET monolithic microwave integrated circuit variable attenuator
US5012123A (en) 1989-03-29 1991-04-30 Hittite Microwave, Inc. High-power rf switching system
US4984040A (en) 1989-06-15 1991-01-08 Xerox Corporation High voltage thin film transistor with second gate
JP2879763B2 (ja) 1989-06-27 1999-04-05 ソニー株式会社 Pllのチャージポンプ回路
JP2779212B2 (ja) 1989-07-17 1998-07-23 株式会社日立製作所 ワイド画面/標準画面テレビジョン信号受信装置
JPH0363721A (ja) 1989-07-31 1991-03-19 Fuji Xerox Co Ltd データ編集装置
JP2727470B2 (ja) 1989-08-30 1998-03-11 松下電器産業株式会社 セラミックシートの製造方法
US5283457A (en) 1989-10-02 1994-02-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor on insulator transistor
US5095348A (en) 1989-10-02 1992-03-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor on insulator transistor
US5032799A (en) * 1989-10-04 1991-07-16 Westinghouse Electric Corp. Multistage cascode radio frequency amplifier
US5023494A (en) 1989-10-20 1991-06-11 Raytheon Company High isolation passive switch
US5350957A (en) 1989-10-20 1994-09-27 Texas Instrument Incorporated Electronic switch controlled by plural inputs
US4999585A (en) 1989-11-06 1991-03-12 Burr-Brown Corporation Circuit technique for cancelling non-linear capacitor-induced harmonic distortion
US5038325A (en) 1990-03-26 1991-08-06 Micron Technology Inc. High efficiency charge pump circuit
US5061911A (en) 1990-04-03 1991-10-29 Motorola, Inc. Single fault/tolerant MMIC switches
JPH0474A (ja) 1990-04-17 1992-01-06 Nippon Ferrofluidics Kk 磁性流体シール用シール体の製造方法
JP3147395B2 (ja) 1990-05-07 2001-03-19 セイコーエプソン株式会社 集積回路及び電子機器
JPH087436B2 (ja) 1990-07-06 1996-01-29 住友ベークライト株式会社 感光性ジアゾキノン化合物及びそれを用いたポジ型感光性樹脂組成物
JPH0434980A (ja) 1990-05-30 1992-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0438059A (ja) 1990-06-04 1992-02-07 Mitsubishi Electric Corp 透過原稿読取装置
JP2758697B2 (ja) 1990-06-08 1998-05-28 日本電気株式会社 多段接続スイッチ装置
JPH0484170A (ja) 1990-07-26 1992-03-17 Konica Corp 画像形成装置
JPH0484114A (ja) 1990-07-27 1992-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像形成装置
US5345422A (en) 1990-07-31 1994-09-06 Texas Instruments Incorporated Power up detection circuit
JPH0498493A (ja) 1990-08-13 1992-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子式キャッシュレジスタ
US5081371A (en) 1990-11-07 1992-01-14 U.S. Philips Corp. Integrated charge pump circuit with back bias voltage reduction
US5041797A (en) * 1990-11-19 1991-08-20 Harris Corporation Micro-power gain lattice
US5111375A (en) 1990-12-20 1992-05-05 Texas Instruments Incorporated Charge pump
US5124762A (en) 1990-12-31 1992-06-23 Honeywell Inc. Gaas heterostructure metal-insulator-semiconductor integrated circuit technology
US5061907A (en) 1991-01-17 1991-10-29 National Semiconductor Corporation High frequency CMOS VCO with gain constant and duty cycle compensation
JPH06505375A (ja) 1991-02-12 1994-06-16 アナログ・ディバイセス・インコーポレーテッド Mos回路に対する利得線形性補正回路
US6064872A (en) 1991-03-12 2000-05-16 Watkins-Johnson Company Totem pole mixer having grounded serially connected stacked FET pair
KR940006998B1 (ko) 1991-05-28 1994-08-03 삼성전자 주식회사 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버
US5126590A (en) 1991-06-17 1992-06-30 Micron Technology, Inc. High efficiency charge pump
JP2993772B2 (ja) 1991-07-24 1999-12-27 大日本印刷株式会社 カラーフィルタの共通欠陥検査方式
US5274343A (en) 1991-08-06 1993-12-28 Raytheon Company Plural switch circuits having RF propagation networks and RF terminations
US5212456A (en) 1991-09-03 1993-05-18 Allegro Microsystems, Inc. Wide-dynamic-range amplifier with a charge-pump load and energizing circuit
US5375256A (en) * 1991-09-04 1994-12-20 Nec Corporation Broadband radio transceiver
US5392186A (en) 1992-10-19 1995-02-21 Intel Corporation Providing various electrical protections to a CMOS integrated circuit
US5392205A (en) 1991-11-07 1995-02-21 Motorola, Inc. Regulated charge pump and method therefor
US5285367A (en) 1992-02-07 1994-02-08 Power Integrations, Inc. Linear load circuit to control switching power supplies under minimum load conditions
US5208557A (en) 1992-02-18 1993-05-04 Texas Instruments Incorporated Multiple frequency ring oscillator
US5182529A (en) 1992-03-06 1993-01-26 Micron Technology, Inc. Zero crossing-current ring oscillator for substrate charge pump
US5272457A (en) 1992-03-10 1993-12-21 Harris Corporation High isolation integrated switch circuit
JPH07106937B2 (ja) 1992-03-16 1995-11-15 日本碍子株式会社 β−アルミナ固体電解質
US5477184A (en) 1992-04-15 1995-12-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Fet switching circuit for switching between a high power transmitting signal and a lower power receiving signal
JP2848502B2 (ja) 1992-04-24 1999-01-20 日本電信電話株式会社 マイクロ波半導体スイッチ
US5306954A (en) 1992-06-04 1994-04-26 Sipex Corporation Charge pump with symmetrical +V and -V outputs
US5807772A (en) 1992-06-09 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor device with bottom gate connected to source or drain
JPH06112795A (ja) 1992-07-31 1994-04-22 Hewlett Packard Co <Hp> 信号切換回路および信号生成回路
US5317181A (en) 1992-09-10 1994-05-31 United Technologies Corporation Alternative body contact for fully-depleted silicon-on-insulator transistors
FR2696598B1 (fr) 1992-10-01 1994-11-04 Sgs Thomson Microelectronics Circuit élévateur de tension de type pompe de charge avec oscillateur bootstrapé.
US5530722A (en) 1992-10-27 1996-06-25 Ericsson Ge Mobile Communications Inc. Quadrature modulator with integrated distributed RC filters
JPH06152334A (ja) 1992-11-06 1994-05-31 Mitsubishi Electric Corp リングオシレータおよび定電圧発生回路
JP3321899B2 (ja) 1992-12-04 2002-09-09 株式会社デンソー 半導体装置
JPH0799251A (ja) 1992-12-10 1995-04-11 Sony Corp 半導体メモリセル
JP3662263B2 (ja) 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
FR2702317A1 (fr) 1993-03-03 1994-09-09 Philips Composants Circuit pompe de charge à faible consommation, faible bruit et synthétiseur de fréquence équipé d'un tel circuit.
JPH07118666B2 (ja) 1993-04-28 1995-12-18 日本電気株式会社 携帯無線装置
GB9308944D0 (en) 1993-04-30 1993-06-16 Inmos Ltd Ring oscillator
JP3243892B2 (ja) 1993-05-21 2002-01-07 ソニー株式会社 信号切り替え用スイッチ
KR0132641B1 (ko) 1993-05-25 1998-04-16 세끼모또 타다히로 기판 바이어스 회로
US5446367A (en) 1993-05-25 1995-08-29 Micron Semiconductor, Inc. Reducing current supplied to an integrated circuit
JPH0721790A (ja) 1993-07-05 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US5973363A (en) 1993-07-12 1999-10-26 Peregrine Semiconductor Corp. CMOS circuitry with shortened P-channel length on ultrathin silicon on insulator
US5572040A (en) 1993-07-12 1996-11-05 Peregrine Semiconductor Corporation High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip
US5973382A (en) 1993-07-12 1999-10-26 Peregrine Semiconductor Corporation Capacitor on ultrathin semiconductor on insulator
US5930638A (en) 1993-07-12 1999-07-27 Peregrine Semiconductor Corp. Method of making a low parasitic resistor on ultrathin silicon on insulator
US5864162A (en) 1993-07-12 1999-01-26 Peregrine Seimconductor Corporation Apparatus and method of making a self-aligned integrated resistor load on ultrathin silicon on sapphire
US5416043A (en) 1993-07-12 1995-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Minimum charge FET fabricated on an ultrathin silicon on sapphire wafer
US5863823A (en) 1993-07-12 1999-01-26 Peregrine Semiconductor Corporation Self-aligned edge control in silicon on insulator
JP3068985B2 (ja) 1993-07-29 2000-07-24 株式会社東芝 半導体リレー
US5442586A (en) 1993-09-10 1995-08-15 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output current provided by a charge pump circuit
US5422586A (en) 1993-09-10 1995-06-06 Intel Corporation Apparatus for a two phase bootstrap charge pump
JP3362931B2 (ja) 1993-09-30 2003-01-07 ソニー株式会社 アツテネータ回路
JP3263798B2 (ja) 1993-09-30 2002-03-11 ソニー株式会社 半導体スイツチ
US5349306A (en) 1993-10-25 1994-09-20 Teledyne Monolithic Microwave Apparatus and method for high performance wide-band power amplifier monolithic microwave integrated circuits
KR0169157B1 (ko) 1993-11-29 1999-02-01 기다오까 다까시 반도체 회로 및 mos-dram
US5493249A (en) 1993-12-06 1996-02-20 Micron Technology, Inc. System powered with inter-coupled charge pumps
US5375257A (en) 1993-12-06 1994-12-20 Raytheon Company Microwave switch
JP3417630B2 (ja) 1993-12-17 2003-06-16 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置とフラッシュメモリ及び不揮発性記憶装置
JPH07211916A (ja) 1994-01-19 1995-08-11 Sony Corp トランジスタ素子及びその作製方法
JP3085073B2 (ja) 1994-01-24 2000-09-04 富士通株式会社 スタティックram
US5452473A (en) * 1994-02-28 1995-09-19 Qualcomm Incorporated Reverse link, transmit power correction and limitation in a radiotelephone system
US5553295A (en) 1994-03-23 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for regulating the output voltage of negative charge pumps
US5475335A (en) 1994-04-01 1995-12-12 National Semiconductor Corporation High voltage cascaded charge pump
CN1136529C (zh) * 1994-05-31 2004-01-28 夏普株式会社 信号放大器和图像显示装置
US5442327A (en) 1994-06-21 1995-08-15 Motorola, Inc. MMIC tunable biphase modulator
DE69502350T2 (de) 1994-06-28 1998-10-29 Nippon Telegraph & Telephone SOI (Silizium auf Isolator)-Logikschaltung mit niedriger Spannung
US5405795A (en) 1994-06-29 1995-04-11 International Business Machines Corporation Method of forming a SOI transistor having a self-aligned body contact
JPH0823270A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高周波スイッチ
US5677649A (en) 1994-08-17 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Frequency-variable oscillator controlled high efficiency charge pump
JP3169775B2 (ja) 1994-08-29 2001-05-28 株式会社日立製作所 半導体回路、スイッチ及びそれを用いた通信機
US5559368A (en) 1994-08-30 1996-09-24 The Regents Of The University Of California Dynamic threshold voltage mosfet having gate to body connection for ultra-low voltage operation
EP0700169B1 (en) 1994-08-30 2003-03-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transmit-receive switch circuit for radiocommunication apparatus
JP2801563B2 (ja) 1994-08-30 1998-09-21 松下電器産業株式会社 通信用無線機の送受信回路、半導体集積回路装置および通信用無線機
US5903178A (en) 1994-12-16 1999-05-11 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit
CN1134693C (zh) 1995-01-11 2004-01-14 精工爱普生株式会社 电源电路、液晶显示装置和电子设备
JPH08204530A (ja) 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp スイツチ回路
JPH08204528A (ja) 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp スイツチ回路及び複合スイツチ回路
JP3175521B2 (ja) 1995-01-27 2001-06-11 日本電気株式会社 シリコン・オン・インシュレータ半導体装置及びバイアス電圧発生回路
US5670907A (en) 1995-03-14 1997-09-23 Lattice Semiconductor Corporation VBB reference for pumped substrates
JP3085130B2 (ja) 1995-03-22 2000-09-04 日本電気株式会社 ドライバ回路
US5672992A (en) 1995-04-11 1997-09-30 International Rectifier Corporation Charge pump circuit for high side switch
US5821769A (en) 1995-04-21 1998-10-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Low voltage CMOS logic circuit with threshold voltage control
JP3441236B2 (ja) 1995-04-24 2003-08-25 ソニー株式会社 半導体集積回路装置
DE69615914T2 (de) 1995-05-16 2002-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Funkübertragungsvorrichtung für Zeitmultiplex-Vielfachzugriffssystem
JP3215292B2 (ja) 1995-06-05 2001-10-02 松下電器産業株式会社 半導体装置
US5889428A (en) 1995-06-06 1999-03-30 Ramtron International Corporation Low loss, regulated charge pump with integrated ferroelectric capacitors
US5591650A (en) 1995-06-08 1997-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method of making a body contacted SOI MOSFET
US5694308A (en) 1995-07-03 1997-12-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for regulated low voltage charge pump
JPH0927736A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Japan Radio Co Ltd Fetスイッチ
US5519360A (en) 1995-07-24 1996-05-21 Micron Technology, Inc. Ring oscillator enable circuit with immediate shutdown
JP3332194B2 (ja) 1995-08-10 2002-10-07 ソニー株式会社 スイツチ半導体集積回路及び通信端末装置
JP3568644B2 (ja) * 1995-09-01 2004-09-22 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
JP3249393B2 (ja) 1995-09-28 2002-01-21 株式会社東芝 スイッチ回路
US5698877A (en) 1995-10-31 1997-12-16 Gonzalez; Fernando Charge-pumping to increase electron collection efficiency
US5793246A (en) 1995-11-08 1998-08-11 Altera Corporation High voltage pump scheme incorporating an overlapping clock
JP3561060B2 (ja) 1995-12-08 2004-09-02 三菱電機株式会社 負電圧発生回路
US5892400A (en) 1995-12-15 1999-04-06 Anadigics, Inc. Amplifier using a single polarity power supply and including depletion mode FET and negative voltage generator
FR2742942B1 (fr) 1995-12-26 1998-01-16 Sgs Thomson Microelectronics Generateur de creneaux de haute tension
JP3031227B2 (ja) 1995-12-27 2000-04-10 日本電気株式会社 半導体スイッチ
US5681761A (en) 1995-12-28 1997-10-28 Philips Electronics North America Corporation Microwave power SOI-MOSFET with high conductivity metal gate
JPH09200021A (ja) 1996-01-22 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp 集積回路
US5917362A (en) 1996-01-29 1999-06-29 Sony Corporation Switching circuit
US5777530A (en) 1996-01-31 1998-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Switch attenuator
JP3759648B2 (ja) 1996-03-04 2006-03-29 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US5734291A (en) 1996-03-11 1998-03-31 Telcom Semiconductor, Inc. Power saving technique for battery powered devices
JP3347571B2 (ja) 1996-03-12 2002-11-20 富士通株式会社 レーダ装置
JP3484462B2 (ja) 1996-04-11 2004-01-06 株式会社ルネサステクノロジ フローティングsoi−mosfetの寿命を予測する方法
JPH09284114A (ja) 1996-04-19 1997-10-31 Toshiba Microelectron Corp アナログ入力回路
JP3732884B2 (ja) 1996-04-22 2006-01-11 株式会社ルネサステクノロジ 内部電源電圧発生回路、内部電圧発生回路および半導体装置
US5689144A (en) 1996-05-15 1997-11-18 Siliconix Incorporated Four-terminal power MOSFET switch having reduced threshold voltage and on-resistance
US5821575A (en) 1996-05-20 1998-10-13 Digital Equipment Corporation Compact self-aligned body contact silicon-on-insulator transistor
JPH09326642A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Mitsubishi Electric Corp 集積回路装置
JP3082671B2 (ja) 1996-06-26 2000-08-28 日本電気株式会社 トランジスタ素子及びその製造方法
US5767549A (en) 1996-07-03 1998-06-16 International Business Machines Corporation SOI CMOS structure
JPH1022756A (ja) 1996-07-04 1998-01-23 Mitsubishi Electric Corp 無線送信機およびその送信制御方法
US5818289A (en) 1996-07-18 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
US5874849A (en) 1996-07-19 1999-02-23 Texas Instruments Incorporated Low voltage, high current pump for flash memory
JP3391637B2 (ja) 1996-07-22 2003-03-31 千代田工業株式会社 パイプ曲げ装置用ボールマンドレル
GB2331879B (en) * 1996-08-05 2001-03-28 Mitsubishi Electric Corp Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage
JPH1079467A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5874836A (en) 1996-09-06 1999-02-23 International Business Machines Corporation High reliability I/O stacked fets
JP3689197B2 (ja) 1996-09-06 2005-08-31 三菱電機株式会社 レベルシフト回路
JPH1093471A (ja) 1996-09-11 1998-04-10 Murata Mfg Co Ltd 信号切換えスイッチ
US5774411A (en) 1996-09-12 1998-06-30 International Business Machines Corporation Methods to enhance SOI SRAM cell stability
JPH10150204A (ja) 1996-09-19 1998-06-02 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US5818099A (en) 1996-10-03 1998-10-06 International Business Machines Corporation MOS high frequency switch circuit using a variable well bias
JP3195256B2 (ja) 1996-10-24 2001-08-06 株式会社東芝 半導体集積回路
US5920233A (en) 1996-11-18 1999-07-06 Peregrine Semiconductor Corp. Phase locked loop including a sampling circuit for reducing spurious side bands
US6188590B1 (en) 1996-12-18 2001-02-13 Macronix International Co., Ltd. Regulator system for charge pump circuits
US5753955A (en) 1996-12-19 1998-05-19 Honeywell Inc. MOS device having a gate to body connection with a body injection current limiting feature for use on silicon on insulator substrates
JP3545583B2 (ja) 1996-12-26 2004-07-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
JPH10201222A (ja) 1996-12-27 1998-07-31 Fujitsu Ltd 昇圧回路及びこれを用いた半導体装置
JP3357807B2 (ja) 1997-01-13 2002-12-16 株式会社東芝 受信装置および移相器
EP0855788B1 (en) 1997-01-23 2005-06-22 STMicroelectronics S.r.l. NMOS negative charge pump
US5821800A (en) 1997-02-11 1998-10-13 Advanced Micro Devices, Inc. High-voltage CMOS level shifter
JPH10242829A (ja) 1997-02-24 1998-09-11 Sanyo Electric Co Ltd スイッチ回路装置
US5912560A (en) 1997-02-25 1999-06-15 Waferscale Integration Inc. Charge pump circuit for voltage boosting in integrated semiconductor circuits
JP3378457B2 (ja) 1997-02-26 2003-02-17 株式会社東芝 半導体装置
JP2964975B2 (ja) 1997-02-26 1999-10-18 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
JP3441330B2 (ja) 1997-02-28 2003-09-02 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5818766A (en) 1997-03-05 1998-10-06 Integrated Silicon Solution Inc. Drain voltage pump circuit for nonvolatile memory device
US5883541A (en) 1997-03-05 1999-03-16 Nec Corporation High frequency switching circuit
JP3655040B2 (ja) 1997-03-06 2005-06-02 株式会社東芝 有機性廃棄物の発酵装置
EP0966851B1 (de) 1997-03-14 2002-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur übermittlung von informationen an ein mobilteil eines satelliten-telekommunikationssystems
JP3715066B2 (ja) 1997-03-25 2005-11-09 三菱電機株式会社 電流モードロジック回路
US6160292A (en) 1997-04-23 2000-12-12 International Business Machines Corporation Circuit and methods to improve the operation of SOI devices
JP3258930B2 (ja) 1997-04-24 2002-02-18 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 トランスミッション・ゲート
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US5985742A (en) 1997-05-12 1999-11-16 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films
JPH10335901A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体スイッチ
JPH10334247A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Sanyo Electric Co Ltd 意図判定装置
US5784311A (en) 1997-06-13 1998-07-21 International Business Machines Corporation Two-device memory cell on SOI for merged logic and memory applications
US6218892B1 (en) 1997-06-20 2001-04-17 Intel Corporation Differential circuits employing forward body bias
JPH1126776A (ja) 1997-07-02 1999-01-29 Mitsubishi Electric Corp デュアルゲートfet及びデュアルゲートfetを使用した高周波回路
US5909618A (en) 1997-07-08 1999-06-01 Micron Technology, Inc. Method of making memory cell with vertical transistor and buried word and body lines
US6122185A (en) 1997-07-22 2000-09-19 Seiko Instruments R&D Center Inc. Electronic apparatus
US6081165A (en) 1997-07-25 2000-06-27 Texas Instruments Incorporated Ring oscillator
US6180496B1 (en) 1997-08-29 2001-01-30 Silicon Genesis Corporation In situ plasma wafer bonding method
JP3144477B2 (ja) 1997-09-01 2001-03-12 日本電気株式会社 スイッチ回路及び半導体装置
US6130570A (en) 1997-09-18 2000-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. MESFET circuit utilizing only positive power supplies
JPH1196761A (ja) 1997-09-25 1999-04-09 Oki Micro Design Miyazaki Co Ltd 半導体集積回路装置
JP3811557B2 (ja) 1997-10-21 2006-08-23 松下電器産業株式会社 複数周波数帯域高効率線形電力増幅器
JPH11136111A (ja) 1997-10-30 1999-05-21 Sony Corp 高周波回路
JPH11163704A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Sharp Corp 高周波スイッチ回路
JP3657412B2 (ja) 1997-12-01 2005-06-08 日本電信電話株式会社 高周波回路
JP3542476B2 (ja) 1997-12-01 2004-07-14 三菱電機株式会社 Soi構造のcmos回路
DE19800647C1 (de) 1998-01-09 1999-05-27 Siemens Ag SOI-Hochspannungsschalter
JP3711193B2 (ja) 1998-01-16 2005-10-26 三菱電機株式会社 送受信切り換え回路
US6020848A (en) 1998-01-27 2000-02-01 The Boeing Company Monolithic microwave integrated circuits for use in low-cost dual polarization phased-array antennas
JPH11214662A (ja) 1998-01-29 1999-08-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5945879A (en) * 1998-02-05 1999-08-31 The Regents Of The University Of California Series-connected microwave power amplifiers with voltage feedback and method of operation for the same
US5969571A (en) 1998-02-17 1999-10-19 Harris Corporation Pulse duration amplifier system
US6215360B1 (en) 1998-02-23 2001-04-10 Motorola, Inc. Semiconductor chip for RF transceiver and power output circuit therefor
US5990580A (en) 1998-03-05 1999-11-23 The Whitaker Corporation Single pole double throw switch
US6365488B1 (en) 1998-03-05 2002-04-02 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing SOI wafer with buried layer
JPH11274804A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Sharp Corp 高周波スイッチ
US6137367A (en) * 1998-03-24 2000-10-24 Amcom Communications, Inc. High power high impedance microwave devices for power applications
US6239657B1 (en) * 1998-03-27 2001-05-29 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Method and device for measuring the distortion of a high-frequency power amplifier and method and means for automatically equalizing a high-frequency power amplifier
KR100259097B1 (ko) 1998-04-02 2000-06-15 김영환 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US6064253A (en) 1998-04-20 2000-05-16 Endgate Corporation Multiple stage self-biasing RF transistor circuit
JP3534624B2 (ja) 1998-05-01 2004-06-07 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
EP1086531B1 (de) 1998-06-04 2003-02-26 Infineon Technologies AG Logikgatter
US6249027B1 (en) 1998-06-08 2001-06-19 Sun Microsystems, Inc. Partially depleted SOI device having a dedicated single body bias means
JPH11355123A (ja) 1998-06-11 1999-12-24 Mitsubishi Electric Corp 動的しきい値mosトランジスタを用いたバッファ
KR100268887B1 (ko) 1998-06-17 2000-10-16 김영환 차아지 펌프 회로
JP2000022160A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路及びその製造方法
AU4397699A (en) 1998-07-07 2000-01-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor amplifier circuit and system
US6218890B1 (en) 1998-07-14 2001-04-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Switching circuit device and semiconductor device
JP4360702B2 (ja) 1998-08-07 2009-11-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6387739B1 (en) 1998-08-07 2002-05-14 International Business Machines Corporation Method and improved SOI body contact structure for transistors
JP3280623B2 (ja) 1998-08-11 2002-05-13 沖電気工業株式会社 チャージポンプ回路の駆動制御回路
DE69925078T2 (de) 1998-08-29 2006-03-09 International Business Machines Corp. SOI-Transistor mit einem Substrat-Kontakt und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3487581B2 (ja) 1998-09-22 2004-01-19 シャープ株式会社 電源回路それを用いた表示装置及び電子機器
US5959335A (en) 1998-09-23 1999-09-28 International Business Machines Corporation Device design for enhanced avalanche SOI CMOS
US6061267A (en) 1998-09-28 2000-05-09 Texas Instruments Incorporated Memory circuits, systems, and methods with cells using back bias to control the threshold voltage of one or more corresponding cell transistors
US6100564A (en) 1998-09-30 2000-08-08 International Business Machines Corporation SOI pass-gate disturb solution
US6356536B1 (en) 1998-09-30 2002-03-12 Ericsson Inc. Protective and decoupling shunt switch at LNA input for TDMA/TDD transceivers
US6111462A (en) 1998-11-18 2000-08-29 Mucenieks; Lance T. RF power amplifier linearization using parallel RF power amplifiers having intermod-complementing predistortion paths
US6191653B1 (en) * 1998-11-18 2001-02-20 Ericsson Inc. Circuit and method for linearizing amplitude modulation in a power amplifier
US6281737B1 (en) 1998-11-20 2001-08-28 International Business Machines Corporation Method and apparatus for reducing parasitic bipolar current in a silicon-on-insulator transistor
JP3408762B2 (ja) 1998-12-03 2003-05-19 シャープ株式会社 Soi構造の半導体装置及びその製造方法
JP3642460B2 (ja) 1998-12-07 2005-04-27 松下電器産業株式会社 デジタル式送受話器
JP2000183353A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
JP2000188501A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体スイッチ
JP4540146B2 (ja) 1998-12-24 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000208614A (ja) 1999-01-14 2000-07-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US6107885A (en) * 1999-01-25 2000-08-22 General Instrument Corporation Wideband linear GaAsFET ternate cascode amplifier
US6188247B1 (en) 1999-01-29 2001-02-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for elimination of parasitic bipolar action in logic circuits for history removal under stack contention including complementary oxide semiconductor (CMOS) silicon on insulator (SOI) elements
JP2000223713A (ja) 1999-02-02 2000-08-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
US6300796B1 (en) 1999-02-19 2001-10-09 Zilog, Inc. High voltage PMOS level shifter
JP2000277703A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd スイッチ回路装置
JP2000294786A (ja) 1999-04-05 2000-10-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高周波スイッチ
AUPP964499A0 (en) 1999-04-08 1999-04-29 Bhp Steel (Jla) Pty Limited Casting strip
US6239649B1 (en) 1999-04-20 2001-05-29 International Business Machines Corporation Switched body SOI (silicon on insulator) circuits and fabrication method therefor
US6171965B1 (en) 1999-04-21 2001-01-09 Silicon Genesis Corporation Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates
JP2000311986A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Mitsubishi Electric Corp ディジタル・高周波アナログ混載icチップ、icパッケージ並びにディジタル・高周波アナログ混載ic
US6172378B1 (en) 1999-05-03 2001-01-09 Silicon Wave, Inc. Integrated circuit varactor having a wide capacitance range
US6118343A (en) 1999-05-10 2000-09-12 Tyco Electronics Logistics Ag Power Amplifier incorporating single drain switch and single negative voltage generator
US6111778A (en) 1999-05-10 2000-08-29 International Business Machines Corporation Body contacted dynamic memory
US6871059B1 (en) 1999-06-16 2005-03-22 Skyworks Solutions, Inc. Passive balun FET mixer
JP4138158B2 (ja) 1999-06-21 2008-08-20 セイコーエプソン株式会社 Soi構造のmos電界効果トランジスタ及びその製造方法
US7202734B1 (en) 1999-07-06 2007-04-10 Frederick Herbert Raab Electronically tuned power amplifier
JP4163818B2 (ja) 1999-07-07 2008-10-08 三菱電機株式会社 内部整合型トランジスタ
US6320225B1 (en) 1999-07-13 2001-11-20 International Business Machines Corporation SOI CMOS body contact through gate, self-aligned to source- drain diffusions
US6169444B1 (en) 1999-07-15 2001-01-02 Maxim Integrated Products, Inc. Pulse frequency operation of regulated charge pumps
JP3589102B2 (ja) 1999-07-27 2004-11-17 セイコーエプソン株式会社 Soi構造のmos電界効果トランジスタ及びその製造方法
EP1939932A1 (en) 1999-08-10 2008-07-02 Silicon Genesis Corporation A substrate comprising a stressed silicon germanium cleave layer
US6396352B1 (en) * 1999-08-27 2002-05-28 Texas Instruments Incorporated CMOS power amplifier for driving low impedance loads
JP4207328B2 (ja) 1999-09-14 2009-01-14 ソニー株式会社 アンテナ切り換え回路及びそれを用いた通信装置
JP3926975B2 (ja) 1999-09-22 2007-06-06 株式会社東芝 スタック型mosトランジスタ保護回路
JP2001089448A (ja) 1999-09-24 2001-04-03 Yamanouchi Pharmaceut Co Ltd アミド誘導体
US6288458B1 (en) 1999-09-30 2001-09-11 Honeywell International Inc. Power stealing solid state switch
JP3587443B2 (ja) 1999-10-19 2004-11-10 日本電信電話株式会社 選択回路およびそれを用いた論理回路
US7548726B1 (en) 1999-10-21 2009-06-16 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with a bandpass filter
KR100343288B1 (ko) 1999-10-25 2002-07-15 윤종용 에스오아이 모스 트랜지스터의 플로팅 바디 효과를제거하기 위한 에스오아이 반도체 집적회로 및 그 제조방법
US6521959B2 (en) 1999-10-25 2003-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. SOI semiconductor integrated circuit for eliminating floating body effects in SOI MOSFETs and method of fabricating the same
FR2800532B1 (fr) 1999-10-28 2002-01-04 Pixtech Sa Commutateur tres haute tension
JP3770008B2 (ja) 1999-11-05 2006-04-26 株式会社日立製作所 半導体電力変換装置
KR100350575B1 (ko) 1999-11-05 2002-08-28 주식회사 하이닉스반도체 소오스-바디-기판이 접촉된 이중막 실리콘 소자 및 제조방법
US6429723B1 (en) 1999-11-18 2002-08-06 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with charge pump and method
JP2001157487A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Nissan Motor Co Ltd 回転電機の制御装置
JP3520973B2 (ja) 1999-11-30 2004-04-19 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6396325B2 (en) 1999-12-03 2002-05-28 Fairchild Semiconductor Corporation High frequency MOSFET switch
JP3608456B2 (ja) 1999-12-08 2005-01-12 セイコーエプソン株式会社 Soi構造のmis電界効果トランジスタの製造方法
US6449465B1 (en) * 1999-12-20 2002-09-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for linear amplification of a radio frequency signal
JP2001186007A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Sharp Corp 金属酸化膜半導体トランジスタ回路およびそれを用いた半導体集積回路
US6201761B1 (en) 2000-01-26 2001-03-13 Advanced Micro Devices, Inc. Field effect transistor with controlled body bias
US6504212B1 (en) 2000-02-03 2003-01-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for enhanced SOI passgate operations
US6222394B1 (en) 2000-02-03 2001-04-24 International Business Machines Corporation SOI CMOS sense amplifier with enhanced matching characteristics and sense point tolerance
US6429632B1 (en) 2000-02-11 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Efficient CMOS DC-DC converters based on switched capacitor power supplies with inductive current limiters
JP3637830B2 (ja) 2000-02-22 2005-04-13 株式会社村田製作所 Spdtスイッチおよびそれを用いた通信機
US6242979B1 (en) 2000-02-23 2001-06-05 Motorola, Inc. Linearization using parallel cancellation in linear power amplifier
US6630867B2 (en) * 2000-02-24 2003-10-07 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier with provisions for varying operating voltage based upon power amplifier output power
US20010040479A1 (en) 2000-03-03 2001-11-15 Shuyun Zhang Electronic switch
US6433587B1 (en) 2000-03-17 2002-08-13 International Business Machines Corporation SOI CMOS dynamic circuits having threshold voltage control
JP2001274264A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2001274265A (ja) 2000-03-28 2001-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6625238B2 (en) * 2000-03-29 2003-09-23 Sony Corporation Low power and high linearity receivers with reactively biased front ends
JP2001284576A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法
JP3504212B2 (ja) 2000-04-04 2004-03-08 シャープ株式会社 Soi構造の半導体装置
US6658265B1 (en) 2000-04-25 2003-12-02 Rf Micro Devices, Inc. Matching network for a dual mode RF amplifier
US6801076B1 (en) 2000-04-28 2004-10-05 Micron Technology, Inc. High output high efficiency low voltage charge pump
US6466082B1 (en) 2000-05-17 2002-10-15 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit technique to deal with floating body effects
JP3696125B2 (ja) 2000-05-24 2005-09-14 株式会社東芝 電位検出回路及び半導体集積回路
US6297696B1 (en) * 2000-06-15 2001-10-02 International Business Machines Corporation Optimized power amplifier
JP2002033399A (ja) 2000-07-13 2002-01-31 Toshiba Corp 半導体集積回路及びその製造方法
US6461902B1 (en) 2000-07-18 2002-10-08 Institute Of Microelectronics RF LDMOS on partial SOI substrate
JP2002033484A (ja) 2000-07-18 2002-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002043862A (ja) 2000-07-26 2002-02-08 Yrp Kokino Idotai Tsushin Kenkyusho:Kk プリディストーション回路
JP4212791B2 (ja) 2000-08-09 2009-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置ならびに携帯電子機器
US6816016B2 (en) * 2000-08-10 2004-11-09 Tropian, Inc. High-efficiency modulating RF amplifier
KR100381262B1 (ko) 2000-08-10 2003-04-26 엘지전자 주식회사 디지털 미세 미러소자를 이용한 전반사 프리즘계
WO2002015400A1 (en) * 2000-08-10 2002-02-21 University Of Southern California Multiphase resonant pulse generators
TW501227B (en) 2000-08-11 2002-09-01 Samsung Electronics Co Ltd SOI MOSFET having body contact for preventing floating body effect and method of fabricating the same
US6816000B2 (en) 2000-08-18 2004-11-09 Texas Instruments Incorporated Booster circuit
US6249446B1 (en) * 2000-08-23 2001-06-19 Intersil Americas Inc. Cascadable, high efficiency charge pump circuit and related methods
US6310508B1 (en) 2000-08-24 2001-10-30 Agilent Technologies, Inc. High frequency switch
US6512269B1 (en) 2000-09-07 2003-01-28 International Business Machines Corporation High-voltage high-speed SOI MOSFET
JP3895532B2 (ja) 2000-09-11 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅装置及び無線通信機
JP3666805B2 (ja) 2000-09-19 2005-06-29 ローム株式会社 Dc/dcコンバータ
JP2002111449A (ja) 2000-09-29 2002-04-12 Mitsubishi Electric Corp 電圧制御発振回路およびそれを備える位相同期ループ回路
US6559689B1 (en) 2000-10-02 2003-05-06 Allegro Microsystems, Inc. Circuit providing a control voltage to a switch and including a capacitor
US6978437B1 (en) 2000-10-10 2005-12-20 Toppan Photomasks, Inc. Photomask for eliminating antenna effects in an integrated circuit and integrated circuit manufacture with same
US6947720B2 (en) 2000-10-17 2005-09-20 Rf Micro Devices, Inc. Low noise mixer circuit with improved gain
US6509799B1 (en) * 2000-11-09 2003-01-21 Intel Corporation Electrically tuned integrated amplifier for wireless communications
US6831847B2 (en) 2000-11-20 2004-12-14 Artesyn Technologies, Inc. Synchronous rectifier drive circuit and power supply including same
US6711397B1 (en) 2000-11-20 2004-03-23 Ami Semiconductor, Inc. Structures and methods for direct conversion from radio frequency modulated signals to baseband signals
US6411531B1 (en) 2000-11-21 2002-06-25 Linear Technology Corporation Charge pump DC/DC converters with reduced input noise
JP2002164441A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路装置
JP4434474B2 (ja) 2000-11-29 2010-03-17 Necエレクトロニクス株式会社 Mosトランジスタの模擬試験方法
US6518829B2 (en) 2000-12-04 2003-02-11 United Memories, Inc. Driver timing and circuit technique for a low noise charge pump circuit
JP4138229B2 (ja) 2000-12-07 2008-08-27 新日本無線株式会社 スイッチ半導体集積回路
US6636119B2 (en) * 2000-12-21 2003-10-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact cascode radio frequency CMOS power amplifier
US6380802B1 (en) * 2000-12-29 2002-04-30 Ericsson Inc. Transmitter using input modulation for envelope restoration scheme for linear high-efficiency power amplification
US6856796B2 (en) 2001-01-25 2005-02-15 Regents Of The University Of Minnesota High linearity circuits and methods regarding same
US6677641B2 (en) 2001-10-17 2004-01-13 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability
JP2002246942A (ja) 2001-02-19 2002-08-30 Sony Corp スイッチ装置および携帯通信端末装置
US6525608B2 (en) 2001-03-27 2003-02-25 Intel Corporation High gain, high bandwidth, fully differential amplifier
JP3616343B2 (ja) 2001-03-27 2005-02-02 松下電器産業株式会社 高周波スイッチ回路およびそれを用いた通信端末装置
KR100363554B1 (ko) 2001-03-30 2002-12-05 삼성전자 주식회사 소이형 반도체 장치 및 그 형성 방법
US6501139B1 (en) 2001-03-30 2002-12-31 Matrix Semiconductor, Inc. High-voltage transistor and fabrication process
US6531739B2 (en) 2001-04-05 2003-03-11 Peregrine Semiconductor Corporation Radiation-hardened silicon-on-insulator CMOS device, and method of making the same
US6433589B1 (en) 2001-04-12 2002-08-13 International Business Machines Corporation Sense amplifier and method for sensing signals in a silicon-on-insulator integrated circuit
TW530455B (en) 2001-04-19 2003-05-01 Sanyo Electric Co Switch circuit device of compound semiconductor
EP1261130B1 (en) 2001-05-25 2008-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency switching device incorporating an inverter circuit
TWI230392B (en) 2001-06-18 2005-04-01 Innovative Silicon Sa Semiconductor device
US6515547B2 (en) 2001-06-26 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Self-biased cascode RF power amplifier in sub-micron technical field
JP4751002B2 (ja) 2001-07-11 2011-08-17 富士通株式会社 カスコード型分布増幅器
US6646305B2 (en) 2001-07-25 2003-11-11 International Business Machines Corporation Grounded body SOI SRAM cell
JP2003051751A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Hitachi Ltd 電子部品および無線通信機
KR100902296B1 (ko) 2001-08-10 2009-06-10 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 멀티 밴드 안테나 스위치 회로 및 이들을 사용한 적층 모듈 복합 부품과 통신 기기
US6661683B2 (en) 2002-03-18 2003-12-09 Texas Instruments Incorporated Charge pump having very low voltage ripple
US6698082B2 (en) 2001-08-28 2004-03-02 Texas Instruments Incorporated Micro-electromechanical switch fabricated by simultaneous formation of a resistor and bottom electrode
JP4204210B2 (ja) 2001-08-29 2009-01-07 株式会社リコー Pll回路
US7071792B2 (en) * 2001-08-29 2006-07-04 Tropian, Inc. Method and apparatus for impedance matching in an amplifier using lumped and distributed inductance
US6486511B1 (en) 2001-08-30 2002-11-26 Northrop Grumman Corporation Solid state RF switch with high cutoff frequency
US6414863B1 (en) 2001-08-30 2002-07-02 Texas Instruments Incorporated Frequency control circuit for unregulated inductorless DC/DC converters
JP3877558B2 (ja) 2001-09-11 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅器、高周波電力増幅器モジュール及び携帯電話機
JP2003101407A (ja) 2001-09-21 2003-04-04 Sharp Corp 半導体集積回路
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US7796969B2 (en) 2001-10-10 2010-09-14 Peregrine Semiconductor Corporation Symmetrically and asymmetrically stacked transistor group RF switch
US6714065B2 (en) 2001-10-26 2004-03-30 Renesas Technology Corp. Semiconductor device including power supply circuit conducting charge pumping operation
JP2003143004A (ja) 2001-11-06 2003-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd レベルシフタ回路
DE60134477D1 (de) 2001-11-09 2008-07-31 St Microelectronics Srl Ladungspumpeschaltung mit niedriger Leistung
JP2003167615A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Toyota Motor Corp 生産計画立案装置および方法
JP2003168735A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US6717458B1 (en) 2001-12-03 2004-04-06 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for a DC-DC charge pump voltage converter-regulator circuit
JP3813869B2 (ja) 2001-12-20 2006-08-23 松下電器産業株式会社 電界効果トランジスタスイッチ回路
US6608789B2 (en) 2001-12-21 2003-08-19 Motorola, Inc. Hysteresis reduced sense amplifier and method of operation
US6608785B2 (en) 2002-01-07 2003-08-19 International Business Machines Corporation Method and apparatus to ensure functionality and timing robustness in SOI circuits
US20030160515A1 (en) 2002-01-15 2003-08-28 Luke Yu Controllable broad-spectrum harmonic filter (cbf) for electrical power systems
JP3865689B2 (ja) 2002-01-15 2007-01-10 松下電器産業株式会社 レベルシフト回路
US6677645B2 (en) 2002-01-31 2004-01-13 International Business Machines Corporation Body contact MOSFET
JP2003243954A (ja) 2002-02-19 2003-08-29 Hitachi Ltd 利得可変増幅器
US6934520B2 (en) * 2002-02-21 2005-08-23 Semiconductor Components Industries, L.L.C. CMOS current mode RF detector and method
US6794938B2 (en) 2002-03-19 2004-09-21 The University Of North Carolina At Charlotte Method and apparatus for cancellation of third order intermodulation distortion and other nonlinearities
JP2003318405A (ja) 2002-04-25 2003-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100470997B1 (ko) 2002-04-26 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 번인 테스트에 사용하기 적합한 전압 발생기제어방법 및 전압 발생기의 동작제어를 위한 제어회로를갖는 반도체 메모리 장치
DE10219371B4 (de) 2002-04-30 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Signalerzeugungsvorrichtung für eine Ladungspumpe sowie damit versehener integrierter Schaltkreis
JP2003332583A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4009553B2 (ja) 2002-05-17 2007-11-14 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
JP4262933B2 (ja) 2002-05-30 2009-05-13 Necエレクトロニクス株式会社 高周波回路素子
US6960810B2 (en) 2002-05-30 2005-11-01 Honeywell International Inc. Self-aligned body tie for a partially depleted SOI device structure
GB2412513B (en) * 2002-05-31 2006-03-08 Renesas Tech Corp Apparatus for radio telecommunication system and method of building up output power
JP4050096B2 (ja) 2002-05-31 2008-02-20 松下電器産業株式会社 高周波スイッチ回路および移動体通信端末装置
US6933744B2 (en) 2002-06-11 2005-08-23 The Regents Of The University Of Michigan Low-leakage integrated circuits and dynamic logic circuits
JP4137528B2 (ja) 2002-06-13 2008-08-20 セイコーインスツル株式会社 電源変換回路
TW535353B (en) 2002-06-20 2003-06-01 Faraday Tech Corp High frequency amplifier
US6642578B1 (en) 2002-07-22 2003-11-04 Anadigics, Inc. Linearity radio frequency switch with low control voltage
US6891234B1 (en) 2004-01-07 2005-05-10 Acorn Technologies, Inc. Transistor with workfunction-induced charge layer
US7212788B2 (en) 2002-08-13 2007-05-01 Atheros Communications, Inc. Method and apparatus for signal power loss reduction in RF communication systems
US6677803B1 (en) 2002-08-21 2004-01-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US6754131B2 (en) 2002-08-29 2004-06-22 Micron Technology, Inc. Word line driver for negative voltage
US7608927B2 (en) 2002-08-29 2009-10-27 Micron Technology, Inc. Localized biasing for silicon on insulator structures
US7092677B1 (en) 2002-09-05 2006-08-15 Analog Devices, Inc. 2V SPDT switch for high power RF wireless applications
US6803680B2 (en) 2002-09-13 2004-10-12 Mia-Com, Inc. Apparatus, methods, and articles of manufacture for a switch having sharpened control voltage
US6788130B2 (en) 2002-09-25 2004-09-07 Texas Instruments Incorporated Efficient charge pump capable of high voltage operation
US7187237B1 (en) 2002-10-08 2007-03-06 Impinj, Inc. Use of analog-valued floating-gate transistors for parallel and serial signal processing
JP2004147045A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ
JP4052923B2 (ja) 2002-10-25 2008-02-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3445608B2 (ja) 2002-10-25 2003-09-08 株式会社東芝 映像情報を含むデジタル情報の管理システム
JP2004166470A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Hitachi Lighting Ltd インバータ装置
US6894565B1 (en) * 2002-12-03 2005-05-17 Silicon Laboratories, Inc. Fast settling power amplifier regulator
JP4154578B2 (ja) 2002-12-06 2008-09-24 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2004199950A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 鉛蓄電池用正極板の製造方法
US7515882B2 (en) 2002-12-17 2009-04-07 Kelcourse Mark F Apparatus, methods and articles of manufacture for a multi-band switch
US20040204013A1 (en) 2002-12-23 2004-10-14 Qing Ma Communication unit and switch unit
JP2004205301A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nec Corp 評価装置及びそれに用いる回路設計方法
US7161422B2 (en) 2003-01-03 2007-01-09 Junghyun Kim Multiple power mode amplifier with bias modulation option and without bypass switches
US7023270B2 (en) 2003-01-03 2006-04-04 Junghyun Kim High efficiency power amplifier
US7132873B2 (en) 2003-01-08 2006-11-07 Emosyn America, Inc. Method and apparatus for avoiding gated diode breakdown in transistor circuits
US6774701B1 (en) 2003-02-19 2004-08-10 Raytheon Company Method and apparatus for electronic switching with low insertion loss and high isolation
US6975271B2 (en) 2003-02-26 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna switch module, all-in-one communication module, communication apparatus and method for manufacturing antenna switch module
US6897730B2 (en) * 2003-03-04 2005-05-24 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for controlling the output power of a power amplifier
US6903596B2 (en) 2003-03-17 2005-06-07 Mitsubishi Electric & Electronics U.S.A., Inc. Method and system for impedance matched switching
US6954623B2 (en) * 2003-03-18 2005-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Load variation tolerant radio frequency (RF) amplifier
US6784747B1 (en) 2003-03-20 2004-08-31 Analog Devices, Inc. Amplifier circuit
JP2004288978A (ja) 2003-03-24 2004-10-14 Seiko Epson Corp 半導体集積装置
CN1256521C (zh) 2003-03-26 2006-05-17 浙江大学 变频容积调速闭式液压控制系统
US6816015B2 (en) 2003-03-27 2004-11-09 Analog Devices, Inc. Amplifier circuit having a plurality of first and second base resistors
US6825730B1 (en) 2003-03-31 2004-11-30 Applied Micro Circuits Corporation High-performance low-noise charge-pump for voltage controlled oscillator applications
US7135929B1 (en) 2003-04-22 2006-11-14 Sequoia Communications Bias voltage circuit with ultra low output impedance
US8624678B2 (en) * 2010-12-05 2014-01-07 Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. Output stage of a power amplifier having a switched-bulk biasing and adaptive biasing
US6897701B2 (en) 2003-05-13 2005-05-24 Texas Instruments Incorporated Method and structure for improving the linearity of MOS switches
US7638841B2 (en) 2003-05-20 2009-12-29 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
JP2005006072A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
JP2005006143A (ja) 2003-06-13 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路および半導体装置
US6853244B2 (en) 2003-06-24 2005-02-08 Northrop Grumman Corproation Multi-mode multi-amplifier architecture
US7023260B2 (en) 2003-06-30 2006-04-04 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit incorporating corresponding parallel charge pump stages and method therefor
JP4262545B2 (ja) 2003-07-09 2009-05-13 三菱電機株式会社 カスコード接続回路及びその集積回路
JP4202852B2 (ja) 2003-08-27 2008-12-24 株式会社ルネサステクノロジ 通信用電子部品および送受信切替え用半導体装置
DE10340846A1 (de) 2003-09-04 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Transistor-Anordnung zum Verringern von Rauschen, integrierter Schaltkreis und Verfahren zum Verringern des Rauschens von Feldeffekttransistoren
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
JP2005136948A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Renesas Technology Corp アンテナスイッチ回路
US6830963B1 (en) 2003-10-09 2004-12-14 Micron Technology, Inc. Fully depleted silicon-on-insulator CMOS logic
US7045873B2 (en) 2003-12-08 2006-05-16 International Business Machines Corporation Dynamic threshold voltage MOSFET on SOI
US7068096B2 (en) 2003-12-08 2006-06-27 Northrop Grumman Corporation EER modulator with power amplifier having feedback loop providing soft output impedance
US6953738B2 (en) 2003-12-12 2005-10-11 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for forming an SOI body-contacted transistor
DE10358713A1 (de) 2003-12-15 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Transistor-Anordnung zum Verringern von Rauschen, integrierter Schaltkreis und Verfahren zum Verringern des Rauschens von Feldeffekttransistoren
US7161429B2 (en) 2003-12-18 2007-01-09 International Business Machines Corporation Multi-port cross-connected multi-level cascode differential amplifier
US7109532B1 (en) 2003-12-23 2006-09-19 Lee Zachary K High Ion/Ioff SOI MOSFET using body voltage control
JP4024762B2 (ja) 2004-01-16 2007-12-19 ユーディナデバイス株式会社 高周波スイッチ
JP4342970B2 (ja) 2004-02-02 2009-10-14 株式会社東芝 半導体メモリ装置及びその製造方法
SE528052C2 (sv) * 2004-02-05 2006-08-22 Infineon Technologies Ag Radiofrekvenseffektförstärkare med kaskadkopplade MOS-transistorer
US7042044B2 (en) 2004-02-18 2006-05-09 Koucheng Wu Nor-type channel-program channel-erase contactless flash memory on SOI
US7072217B2 (en) 2004-02-24 2006-07-04 Micron Technology, Inc. Multi-state memory cell with asymmetric charge trapping
JP4321359B2 (ja) 2004-05-31 2009-08-26 パナソニック株式会社 半導体スイッチ
JP4559772B2 (ja) 2004-05-31 2010-10-13 パナソニック株式会社 スイッチ回路
US7248120B2 (en) 2004-06-23 2007-07-24 Peregrine Semiconductor Corporation Stacked transistor method and apparatus
EP3570374B1 (en) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Integrated rf front end
JP2006025062A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路
US7109791B1 (en) 2004-07-09 2006-09-19 Rf Micro Devices, Inc. Tailored collector voltage to minimize variation in AM to PM distortion in a power amplifier
US7248845B2 (en) 2004-07-09 2007-07-24 Kyocera Wireless Corp. Variable-loss transmitter and method of operation
US7738877B2 (en) * 2004-07-19 2010-06-15 Cisco Technology, Inc. Wireless network management with antenna control
JP2006101054A (ja) 2004-09-29 2006-04-13 Oki Electric Ind Co Ltd 増幅回路
US7071858B2 (en) 2004-10-29 2006-07-04 Broadcom Corporation Method and system for a glitch-free differential current steering switch circuit for high speed, high resolution digital-to-analog conversion
DE102005049247B4 (de) 2004-11-05 2018-06-07 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzschalttransistor und Hochfrequenzschaltung
US7391282B2 (en) 2004-11-17 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio-frequency switch circuit and semiconductor device
DE102004056435A1 (de) * 2004-11-23 2006-06-01 Universität Stuttgart Leistungsverstärker zum Verstärken von Hochfrequenz(HF)-Signalen
US7276976B2 (en) 2004-12-02 2007-10-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Triple cascode power amplifier of inner parallel configuration with dynamic gate bias technique
US7546089B2 (en) 2004-12-23 2009-06-09 Triquint Semiconductor, Inc. Switchable directional coupler for use with RF devices
US20060161520A1 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Microsoft Corporation System and method for generating alternative search terms
US8081928B2 (en) 2005-02-03 2011-12-20 Peregrine Semiconductor Corporation Canceling harmonics in semiconductor RF switches
US7619462B2 (en) 2005-02-09 2009-11-17 Peregrine Semiconductor Corporation Unpowered switch and bleeder circuit
JP2006332416A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Nec Electronics Corp 半導体装置
US7359677B2 (en) * 2005-06-10 2008-04-15 Sige Semiconductor Inc. Device and methods for high isolation and interference suppression switch-filter
US20070018718A1 (en) 2005-06-20 2007-01-25 National Sun Yat-Sen University Microwave transmitter and the method for increasing envelope bandwidth
US7402850B2 (en) 2005-06-21 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Back-side trapped non-volatile memory device
US20080076371A1 (en) * 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US8742502B2 (en) * 2005-07-11 2014-06-03 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US20070023833A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 Serguei Okhonin Method for reading a memory cell having an electrically floating body transistor, and memory cell and array implementing same
US7704907B2 (en) 2005-08-25 2010-04-27 Ceramext, Llc Synthesized hybrid rock composition, method, and article formed by the method
US20070045697A1 (en) 2005-08-31 2007-03-01 International Business Machines Corporation Body-contacted semiconductor structures and methods of fabricating such body-contacted semiconductor structures
WO2007033045A2 (en) 2005-09-12 2007-03-22 Idaho Research Foundation, Inc. Stacked mosfets
US7586376B2 (en) 2005-12-01 2009-09-08 Texas Instruments Incorporated Pre-power amplifier of load, switch array, and impedance compensation
US8195103B2 (en) * 2006-02-15 2012-06-05 Texas Instruments Incorporated Linearization of a transmit amplifier
US7593702B1 (en) 2006-03-16 2009-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Open-loop RF transmitter output power control for increased power efficiency
GB2438457B (en) 2006-03-17 2011-09-14 Nujira Ltd Joint optimisation of supply and bias modulation
US7411451B2 (en) 2006-04-03 2008-08-12 Texas Instruments Incorporated Class AB folded cascode stage and method for low noise, low power, low-offset operational amplifier
US7492209B2 (en) 2006-04-17 2009-02-17 Skyworks Solutions, Inc. High-frequency switching device with reduced harmonics
EP1855379B1 (en) * 2006-05-12 2011-02-09 STMicroelectronics Srl Output power control of an RF amplifier
JP2008011503A (ja) 2006-05-31 2008-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路、高周波スイッチ装置、及び送信モジュール装置
JP4956059B2 (ja) 2006-06-12 2012-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 可変利得増幅器
JP2008035487A (ja) * 2006-06-19 2008-02-14 Renesas Technology Corp Rf電力増幅器
US7808342B2 (en) 2006-10-02 2010-10-05 Skyworks Solutions, Inc. Harmonic phase tuning filter for RF switches
US7545216B2 (en) 2006-12-12 2009-06-09 James Pearce Hamley Amplifier with current mirror bias adjust
US7616054B2 (en) 2007-01-09 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiple output power mode amplifier
US7679433B1 (en) * 2007-02-02 2010-03-16 National Semiconductor Corporation Circuit and method for RF power amplifier power regulation and modulation envelope tracking
US20080191788A1 (en) 2007-02-08 2008-08-14 International Business Machines Corporation Soi mosfet device with adjustable threshold voltage
JP4183008B2 (ja) 2007-02-28 2008-11-19 松下電工株式会社 マイクロリレー
JP2008236683A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅回路
US7592867B2 (en) 2007-04-03 2009-09-22 Texas Instruments Incorporated Common mode feedback for large output swing and low differential error
US7554392B2 (en) 2007-04-24 2009-06-30 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiple output power mode amplifier
US7960772B2 (en) 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand
US7817966B2 (en) * 2007-07-13 2010-10-19 Skyworks Solutions, Inc. Switching device with reduced intermodulation distortion
KR100882103B1 (ko) 2007-09-28 2009-02-06 삼성전기주식회사 수동 소자로 이루어진 다중대역 출력 임피던스 정합 회로,수동 소자로 이루어진 다중대역 입력 임피던스 정합 회로를갖는 증폭기 및 수동 소자로 이루어진 다중대역 입출력임피던스 정합 회로를 갖는 증폭기
US7795968B1 (en) 2008-01-12 2010-09-14 Peregrine Semiconductor Corporation Power ranging transmit RF power amplifier
US20090181630A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Radio frequency switch circuit
EP2255443B1 (en) 2008-02-28 2012-11-28 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
US20100330938A1 (en) 2008-03-13 2010-12-30 Freescale Semiconductor, Inc. Power detector
JP5239451B2 (ja) 2008-03-28 2013-07-17 富士通株式会社 差動単相変換回路
US7868683B2 (en) * 2008-08-12 2011-01-11 Infineon Technologies Ag Switch using an accelerating element
JP5299995B2 (ja) 2008-08-26 2013-09-25 アルパイン株式会社 地図表示装置
KR100905948B1 (ko) * 2008-08-28 2009-07-06 (주)카이로넷 도허티 증폭기 및 이를 포함하는 신호 증폭 시스템, 신호 증폭 방법
US8103226B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-24 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier saturation detection
US8131225B2 (en) 2008-12-23 2012-03-06 International Business Machines Corporation BIAS voltage generation circuit for an SOI radio frequency switch
US7944307B2 (en) 2009-03-19 2011-05-17 Analog Devices, Inc. Wideband RF amplifiers
US7786807B1 (en) * 2009-04-23 2010-08-31 Broadcom Corporation Cascode CMOS RF power amplifier with programmable feedback cascode bias under multiple supply voltages
US8130042B2 (en) 2009-06-03 2012-03-06 Peregrine Semiconductor Corporation Methods and devices for leakage current reduction
US7872533B2 (en) 2009-06-03 2011-01-18 Peregrine Semiconductor Corporation Leakage current reduction in a power regulator
US8451044B2 (en) 2009-06-29 2013-05-28 Sige Semiconductor, Inc. Switching circuit
US8232627B2 (en) 2009-09-21 2012-07-31 International Business Machines Corporation Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device
US7961052B2 (en) * 2009-10-28 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation RF power amplifier integrated circuit and unit cell
US8106711B2 (en) 2009-11-12 2012-01-31 Peregrine Semiconductor Coporation Stacked pre-driver amplifier
EP2339746B1 (en) * 2009-12-15 2013-02-20 Nxp B.V. Doherty amplifier with composed transfer characteristic having multiple peak amplifiers
US8111104B2 (en) 2010-01-25 2012-02-07 Peregrine Semiconductor Corporation Biasing methods and devices for power amplifiers
US8487706B2 (en) 2010-01-25 2013-07-16 Peregrine Semiconductor Corporation Stacked linear power amplifier with capacitor feedback and resistor isolation
US8792836B2 (en) * 2010-06-03 2014-07-29 Broadcom Corporation Front end module with compensating duplexer
US8350624B2 (en) 2010-09-01 2013-01-08 Peregrine Semiconductor Corporation Amplifiers and related biasing methods and devices
JP5467979B2 (ja) 2010-09-14 2014-04-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波モジュール
WO2012038947A1 (en) * 2010-09-21 2012-03-29 Dsp Group Ltd. Rf switch implementation in cmos process
US8368462B2 (en) 2010-10-06 2013-02-05 Peregrine Semiconductor Corporation Method, system, and apparatus for RF switching amplifier
DE112011103554T5 (de) 2010-10-20 2013-09-05 Peregrine Semiconductor Corp. Verfahren und Vorrichtung zur Verwendung bei der Verbesserung einer Linearität von Mosfets unter Verwendung einer Ladungsakkumulationssenke - Reduktion harmonischer Falten
US8373490B2 (en) 2010-10-27 2013-02-12 Peregrine Semiconductor Corporation Method, system, and apparatus for RF and DC switching
US8749309B2 (en) * 2010-12-05 2014-06-10 Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. Gate-based output power level control power amplifier
US8803605B2 (en) 2011-02-01 2014-08-12 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Integrated circuit, wireless communication unit and method for providing a power supply
US8330504B2 (en) * 2011-02-04 2012-12-11 Peregrine Semiconductor Corporation Dynamic biasing systems and methods
EP2521258A1 (en) * 2011-05-02 2012-11-07 ST-Ericsson SA Power amplifier circuit based on a cascode structure
US8427241B2 (en) 2011-05-24 2013-04-23 Amcom Communications, Inc. High efficiency, high frequency amplifiers
WO2013003116A2 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Synaptics Incorporated High voltage driver using medium voltage devices
US9124265B2 (en) 2011-07-13 2015-09-01 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for transistor switch isolation
DE102011083912B4 (de) * 2011-09-30 2017-10-19 Intel Deutschland Gmbh Schaltung und leistungsverstärker
US8680928B2 (en) * 2012-03-29 2014-03-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Power amplifier including variable capacitor circuit
US9088248B2 (en) * 2012-05-16 2015-07-21 Intel Mobile Communications GmbH Amplifier and mobile communication device
US9019010B2 (en) * 2012-05-22 2015-04-28 Rf Micro Devices, Inc. Integrated stacked power amplifier and RF switch architecture
US9059702B2 (en) * 2012-07-07 2015-06-16 Skyworks Solutions, Inc. Switch linearization by non-linear compensation of a field-effect transistor
US10147724B2 (en) * 2012-07-07 2018-12-04 Skyworks Solutions, Inc. Feed-forward circuit to improve intermodulation distortion performance of radio-frequency switch
JP6112795B2 (ja) 2012-07-13 2017-04-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ワイヤ接続器
US20140028521A1 (en) 2012-07-27 2014-01-30 Rf Micro Devices, Inc. Tuner topology for wide bandwidth
US8779859B2 (en) * 2012-08-08 2014-07-15 Qualcomm Incorporated Multi-cascode amplifier bias techniques
US9425749B2 (en) * 2012-09-23 2016-08-23 Dsp Group Ltd. DC-DC converter incorporating trim cell
KR101452063B1 (ko) * 2012-12-10 2014-10-16 삼성전기주식회사 프론트 엔드 모듈
US9106072B2 (en) * 2012-12-19 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Electrostatic discharge protection of amplifier cascode devices
US11128261B2 (en) * 2012-12-28 2021-09-21 Psemi Corporation Constant Vds1 bias control for stacked transistor configuration
US9287829B2 (en) * 2012-12-28 2016-03-15 Peregrine Semiconductor Corporation Control systems and methods for power amplifiers operating in envelope tracking mode
US10243519B2 (en) * 2012-12-28 2019-03-26 Psemi Corporation Bias control for stacked transistor configuration
US20150236748A1 (en) * 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
US9276527B2 (en) * 2013-09-30 2016-03-01 Peregrine Semiconductor Corporation Methods and devices for impedance matching in power amplifier circuits
US9276526B2 (en) * 2013-09-27 2016-03-01 Peregrine Semiconductor Corporation Amplifier with variable feedback impedance
US9160292B2 (en) * 2013-10-08 2015-10-13 Peregrine Semiconductor Corporation Load compensation in RF amplifiers
US9184709B2 (en) * 2013-10-08 2015-11-10 Peregrine Semiconductor Corporation Resonant pre-driver for switching amplifier
KR20150076828A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 삼성전기주식회사 고주파 스위치
US9673155B2 (en) * 2014-02-14 2017-06-06 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated tunable filter architecture
US9143124B2 (en) * 2014-02-18 2015-09-22 Acco Switch controls
US9654094B2 (en) * 2014-03-12 2017-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor switch circuit and semiconductor substrate
US9584097B2 (en) * 2014-04-29 2017-02-28 Infineon Technologies Ag System and method for a switchable capacitance
US9438223B2 (en) * 2014-05-20 2016-09-06 Qualcomm Incorporated Transistor based switch stack having filters for preserving AC equipotential nodes
US9419560B2 (en) * 2014-05-23 2016-08-16 Qualcomm Incorporated Low power multi-stacked power amplifier
US9385669B2 (en) * 2014-06-23 2016-07-05 Texas Instruments Incorporated Class-E outphasing power amplifier with efficiency and output power enhancement circuits and method
US10097171B2 (en) * 2014-07-25 2018-10-09 Rfaxis, Inc. Radio frequency switch with low oxide stress
US9577626B2 (en) * 2014-08-07 2017-02-21 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for controlling radio frequency switches
US9871512B2 (en) * 2014-08-29 2018-01-16 Skyworks Solutions, Inc. Switch stand-by mode isolation improvement
US9647703B2 (en) * 2014-09-16 2017-05-09 Skyworks Solutions, Inc. Multi-band device with reduced band loading
US10298186B2 (en) * 2014-11-03 2019-05-21 Qorvo Us, Inc. Diversity receive modules using one or more shared tunable notch filters for transmit blocker rejection
US10250263B2 (en) * 2015-05-12 2019-04-02 Lattice Semiconductor Corporation Replica cascode bias voltage-controlled oscillators
WO2017173119A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode stacked amplifier
US9882531B1 (en) * 2016-09-16 2018-01-30 Peregrine Semiconductor Corporation Body tie optimization for stacked transistor amplifier
US10236863B2 (en) * 2016-10-12 2019-03-19 Psemi Corporation Programmable voltage variable attenuator
US10454432B2 (en) * 2016-12-29 2019-10-22 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage
KR102624466B1 (ko) * 2017-01-12 2024-01-15 삼성전자주식회사 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치 및 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치에서 스위칭 방법
US11374567B2 (en) * 2017-02-11 2022-06-28 Klas Olof Lilja Circuit for low power, radiation hard logic cell
US9960737B1 (en) * 2017-03-06 2018-05-01 Psemi Corporation Stacked PA power control
US9948252B1 (en) * 2017-04-06 2018-04-17 Psemi Corporation Device stack with novel gate capacitor topology
US10236872B1 (en) * 2018-03-28 2019-03-19 Psemi Corporation AC coupling modules for bias ladders
US10587229B1 (en) * 2018-12-11 2020-03-10 Psemi Corporation Multi-stage stacked power amplifier feedback circuit for improved performance

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01254014A (ja) * 1988-04-04 1989-10-11 Toshiba Corp 電力増幅器
JPH02291704A (ja) * 1989-02-28 1990-12-03 American Teleph & Telegr Co <Att> 高効率uhf線形電力増幅器回路
JPH04183008A (ja) * 1990-11-16 1992-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高周波増幅器
JPH0879035A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Origin Electric Co Ltd 高電圧スイッチ回路
JPH08148949A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Fujitsu Ltd 高周波増幅器
JPH0969731A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Mitsubishi Electric Corp 周波数変換回路
JP2000269831A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Sharp Corp 送信電力制御方式無線機端末
JP2004515937A (ja) * 2000-09-28 2004-05-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ カスコード・ブートストラップ・アナログ電力増幅回路
US20030002452A1 (en) * 2001-06-26 2003-01-02 Sahota Gurkanwal Singh System and method for power control calibration and a wireless communication device
JP2003060451A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 相補型プッシュプル増幅器
JP2003087069A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Kenwood Corp オートパワーコントロール回路
JP2003198248A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Sharp Corp アンテナ一体型パッケージ

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016028458A (ja) * 2008-02-28 2016-02-25 ペレグリン セミコンダクター コーポレーション 集積回路素子内でキャパシタをデジタル処理で同調するときに用いられる方法及び装置
JP2011182403A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 改善された高調波特性を有する高周波送信モジュール
JP2013542700A (ja) * 2010-09-02 2013-11-21 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 共振電力送信システムの電力変換器及び共振電力送信装置
US9553456B2 (en) 2010-09-02 2017-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Power converter in resonance power transmission system, and resonance power transmission apparatus
JP2012182558A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Toshiba Corp Ab級増幅器
US8653896B2 (en) 2011-02-28 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Class-AB power amplifier
WO2016047323A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 株式会社村田製作所 フロントエンド回路および通信装置
US10056936B2 (en) 2014-09-25 2018-08-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Front end circuit and communication apparatus
US10476535B2 (en) 2015-09-09 2019-11-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency front end circuit and communication apparatus
JP7416345B1 (ja) 2023-05-17 2024-01-17 三菱電機株式会社 電力増幅器およびバイアス回路

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