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KR20150076828A - 고주파 스위치 - Google Patents

고주파 스위치 Download PDF

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Publication number
KR20150076828A
KR20150076828A KR1020130165455A KR20130165455A KR20150076828A KR 20150076828 A KR20150076828 A KR 20150076828A KR 1020130165455 A KR1020130165455 A KR 1020130165455A KR 20130165455 A KR20130165455 A KR 20130165455A KR 20150076828 A KR20150076828 A KR 20150076828A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
port
signal
high frequency
unit
Prior art date
Application number
KR1020130165455A
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English (en)
Inventor
강석찬
최규진
최재혁
김정훈
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
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Priority to US14/316,505 priority patent/US9312909B2/en
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    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
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    • H04B1/44Transmit/receive switching
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Abstract

본 발명에 따른 고주파 스위치는, 고주파 신호를 송수신하는 공통 포트; 서로 직렬 연결되는 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 고주파 신호를 입출력하는 제1 포트와 상기 공통 포트 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 스위치부, 서로 직렬 연결되는 제2 스위치 소자를 갖고, 상기 고주파 신호를 입출력하는 제2 포트와 상기 공통 포트 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 스위치부, 상기 공통 포트로부터의 상기 고주파 신호를 감지하고, 상기 감지된 고주파 신호를 정류하여 부전압을 생성하는 부전압 생성부 및 상기 부전압 생성부로부터 제공받은 상기 부전압과 외부로부터 제공받은 양전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 스위치부의 스위칭 동작을 제어하는 논리 회로부를 포함할 수 있다.

Description

고주파 스위치{HIGH FREQUENCY SWITCH}
본 발명은 고주파 스위치에 관한 것이다.
무선통신 기술의 발달에 따라, 다양한 통신 표준이 동시적으로 사용되고 있다. 또한, 무선 통신 모듈의 소형화 및 휴대 단말의 고성능화에 따라, 하나의 휴대 단말에 복수의 통신 표준을 적용하는 것이 요구되고 있다. 따라서, 하나의 휴대폰에서 지원해야 할 주파수 대역이 많아지고 있다.
즉, 셀룰러(Cellular) 영역에서는 기존의 2G 및 3G 통신 기술을 추가하여, LTE와 같은 4G 통신 방식이 널리 확대되어 적용되고 있는 추세이다. 또한, 와이파이(wifi)영역에서는 기존의 802.11b/g/n에 11ac 규격이 추가되어 새롭게 시장을 형성해나가고 있다.
이러한 동향에 따라, 알에프 프론트 엔드(RF Front-End) 분야에서도 다양한 주파수 대역의 지원이 요구되고 있다. 예컨대, 안테나와 알에프 칩셋 간의 신호 경로상에 위치하는 고주파 스위치에 대해서도, 다양한 주파수 대역을 지원하는 것이 요구되고 있으며, 이에 따라, 단극(SINGLE POLE) 쌍투(DOUBLE THROW)형 에스피디티(SPDT) 스위치가 다양한 부분에서 사용되고 있다.
이러한 고주파 스위치는, 신호의 손실을 줄이기 위해서 삽입 손실(Insertion Loss)을 최소화해야 하고, 다양한 주파수 대역 간의 간섭을 최소화하기 위해서 아이솔레이션(Isolation) 특성이 우수해야 한다.
또한, 근래에 CMOS 스위치 등 전계 효과 트랜지스터(FET)에 기반한 공정 기술이 발달하고 있으나, 고선형을 유지하거나 하이 파워(High power)를 감당하기 위해서는 소스-드레인(source-drain)과 게이트(gate)간의 전압이 0보다 작은 부전압이 요구되고 있다.
하기의 선행기술문헌인 특허문헌 1은 스위치 회로 및 고주파 신호의 스위칭 방법에 관한 발명으로써, 상기의 부전압을 생성하기 위해 별도의 오실레이터(oscillator)등을 이용하여 사인 웨이브(sine wave)를 만들어 낸 이후 차지 펌프 등을 이용하여 부전압을 생성하는 내용을 개시하고 있다. 다만, 특허문헌 1은 별도의 오실레이터와 차지 펌프가 필요하며, 이를 이용하여 부전압을 생성하는데 있어 딜레이(delay)되는 문제가 발생할 수 있다.
미국 공개특허공보 US 2003-0090313 호
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 별도의 오실레이터나 차지 펌프를 사용하지 않고, 고주파 출력 신호를 이용하여 부전압을 생성하여 이를 통해 복수의 스위치 소자를 제어하는 고주파 스위치를 제안한다.
본 발명의 제1 기술적인 측면에 따른 고주파 스위치는, 고주파 신호를 송수신하는 공통 포트; 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 고주파 신호를 입출력하는 제1 포트와 상기 공통 포트 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 스위치부; 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖고, 상기 고주파 신호를 입출력하는 제2 포트와 상기 공통 포트 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 스위치부; 상기 공통 포트로부터의 상기 고주파 신호를 감지하고, 상기 감지된 고주파 신호를 정류하여 부전압을 생성하는 부전압 생성부; 및 상기 부전압 생성부로부터 제공받은 상기 부전압과 외부로부터 제공받은 양전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 스위치부의 스위칭 동작을 제어하는 논리 회로부; 를 포함할 수 있다.
또한, 제1항에 있어서, 상기 부전압 생성부는, 상기 공통 포트로부터의 상기 고주파 신호를 감지하는 감지 회로부; 상기 감지된 고주파 신호의 레벨을 사전에 설정된 레벨로 증폭하는 증폭 회로부; 및 상기 증폭된 고주파 신호를 정류하는 정류 회로부; 를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 부전압 생성부는, 상기 정류된 고주파 신호의 리플을 제거하는 필터 회로부; 를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 포트와 상기 제2 스위치부 사이에 접속되어 상기 제2 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 션트부; 및 상기 제1 포트와 상기 제1 스위치부 사이에 접속되어 상기 제1 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 션트부; 를 더 포함하고, 상기 제1 션트부는 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 제2 션트부는 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 가질 수 있다.
또한, 상기 논리 회로부는, 상기 제1 스위치부 및 제1 션트부에 포함되는 각각의 제1 스위치 소자의 제어단에 제1 게이트 신호를 인가하여 스위칭 동작을 제어하며, 상기 제2 스위치부 및 제2 션트부에 포함되는 각각의 제2 스위치 소자의 제어단에 제2 게이트 신호를 인가하여 스위칭 동작을 제어할 수 있다.
또한, 상기 복수의 제1 및 제2 스위치 소자는, 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)일 수 있다.
본 발명의 제2 기술적인 측면에 따른 고주파 스위치는, 안테나와 접속하는 공통 포트; 상기 공통 포트와 제1 포트 사이에서 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖는 제1 스위치부; 상기 공통 포트와 제2 포트 사이에서 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖는 제2 스위치부; 상기 제1 스위치부에 포함되는 복수의 제1 스위치 소자의 제어단에 제1 게이트 신호를 인가하고, 상기 제2 스위치부에 포함되는 복수의 제2 스위치 소자의 제어단에 제2 게이트 신호를 인가하여, 상기 제1 스위치부가 도통되는 경우 상기 제2 스위치부가 차단되고, 상기 제1 스위치부가 차단되는 경우 상기 제2 스위치부가 도통되도록 제어하는 논리 회로부; 및 상기 공통 포트와 직렬 연결되는 적어도 하나의 저항 소자 및 상기 적어도 하나의 저항 소자와 상기 논리 회로부 사이에 직렬 연결되는 정류 회로부를 포함하는 부전압 생성부; 를 포함하고, 상기 부전압 생성부는, 상기 적어도 하나의 저항 소자를 이용하여 상기 공통 포트의 출력 신호를 감지하고, 상기 정류 회로부에서 상기 감지된 출력 신호를 정류하여 생성된 부전압을 상기 논리 회로부로 제공하며, 상기 논리 회로부는 상기 부전압 및 외부로부터 제공받은 양전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 게이트 신호를 생성할 수 있다.
또한, 상기 부전압 생성부는, 상기 적어도 하나의 소자와 상기 정류 회로부 사이에 접속되는 적어도 하나의 증폭기를 포함하고, 상기 증폭기는 상기 감지된 출력 신호의 레벨을 사전에 설정된 레벨로 증폭하여 상기 정류 회로부로 제공할 수 있다.
또한, 상기 부전압 생성부는, 상기 정류 회로부와 상기 논리 회로부 사이에서, 접지와 직렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터 소자를 포함하고, 상기 적어도 하나의 커패시터 소자는, 상기 정류된 출력 신호의 리플을 제거하여 상기 논리 회로부로 제공할 수 있다.
또한, 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 제2 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 션트부; 및 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖고, 상기 제1 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 션트부; 를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 논리 회로부는, 상기 제1 게이트 신호를 상기 제1 션트부에 포함되는 복수의 제2 스위치 소자의 제어단에 인가하고, 상기 제2 게이트 신호를 상기 제2 션트부에 포함되는 복수의 제1 스위치 소자의 제어단에 인가할 수 있다.
또한, 상기 복수의 제1 및 제2 스위치 소자는, 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)일 수 있다.
본 발명에 따르면, 별도의 부전압 생성을 위해 차지 펌프 또는 오실레이터를 사용하지 않아도 되며, 이에 따라, 딜레이(delay)가 생기는 문제도 해결할 수 있다. 또한, 수신쪽 스위치에서의 노이즈 인가가 최소화될 수 있고 별도의 DC 블락을 위한 커패시터를 사용할 필요가 없으므로, 스위치 크기가 상대적으로 적은 장점이 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타낸 블록도이다.
도2는 도1에 도시한 고주파 스위치를 보다 상세히 나타낸 블록도이다.
도3은 도1에 도시한 고주파 스위치에서 제1 및 제2 션트부를 추가한 블록도이다.
도4는 도3에 도시한 고주파 스위치를 보다 구체적으로 나타낸 회로도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타낸 블록도이다.
도1을 참조하면, 본 발명에 따른 고주파 스위치는 고주파 신호를 송수신하는 공통 포트(10), 상기 고주파 신호를 입출력하는 제1 및 제2 포트(11, 12), 제1 스위치부(100) 및 제2 스위치부(200)를 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치부(100)는 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 스위치부(100)는 제1 고주파 신호를 송수신하는 공통 포트(10)와 상기 제1 고주파 신호를 입출력하는 제1 포트(11) 사이를 도통 또는 차단할 수 있다.
상기 제2 스위치부(200)는 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 스위치부(200)는 제2 고주파 신호를 송수신하는 공통 포트(10)와 상기 제2 고주파 신호를 입출력하는 제2 포트(12) 사이를 도통 또는 차단할 수 있다.
한편, 상기 제1 스위치부(100)에 포함되는 복수의 제1 스위치 소자 및 상기 제2 스위치부(200)에 포함되는 복수의 제2 스위치 소자는 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)일 수 있다.
상기 부전압 생성부(300)는 상기 공통 포트로부터의 상기 고주파 신호를 감지하고, 상기 감지된 고주파 신호를 정류하여 부전압(-V)을 생성할 수 있다.
상기 논리 회로부(400)는 상기 부전압 생성부(300)로부터 제공받은 부전압(-V)과, 외부로부터 제공받은 양전압(+V)을 이용하여 상기 제1 및 제2 스위치부의 스위칭 동작을 제어할 수 있다. 이에 관해서는 도3을 참조하여 보다 상세하게 후술하기로 한다.
도2를 참조하여 상기 부전압 생성부(300)에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도2는 도1에 도시한 고주파 스위치를 보다 상세히 나타낸 블록도이다.
도2를 참조하면, 상기 부전압 생성부(300)는 감지 회로부(310), 증폭 회로부(315), 정류 회로부(320) 및 필터 회로부(325)를 포함할 수 있다.
상기 감지 회로부(310)는 공통 포트(10)와 제1 및 제2 스위치부(100, 200) 사이의 제1 노드(N1)와 접속될 수 있다. 상기 감지 회로부(310)는 공통 포트(10)로부터의 고주파 출력 신호를 감지할 수 있으며, 일 실시예로써 적어도 하나의 저항 소자를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 증폭 회로부(315)는 상기 감지 회로부(310)와 정류 회로부(320) 사이에 접속될 수 있다. 상기 증폭 회로부(315)는 상기 감지 회로부(310)에 의해 감지된 고주파 신호의 레벨을 사전에 설정된 레벨로 증폭할 수 있다. 이를 이용하는 경우 삽입 손실의 열화가 적거나 없을 수 있으며, 또한, 제1 및 제2 스위치부(100, 200) 중 수신 스위치부에서의 노이즈(noise)인가를 최소화할 수 있다. 상기 증폭 회로부(315)의 일 실시예로써 적어도 하나의 증폭기가 사용될 수 있다.
상기 정류 회로부(320)는 상기 증폭 회로부(315)로부터 제공된 고주파 신호를 정류하는 정류 회로부(320)를 포함할 수 있다. 상기 정류 회로부(320)는 적어도 하나의 다이오드 소자를 포함할 수 있으며, 상기 증폭 회로부(315)와 후술하는 필터 회로부(325) 사이에서 접속될 수 있다. 즉, 상기 정류 회로부(320)는 적어도 하나의 다이오드 소자를 이용하여 증폭 회로부(315)로부터 제공된 고주파 신호를 제공받아, 정류하여 부전압(-V)을 생성할 수 있다. 이후, 상기 정류 회로부(320)는 생성된 부전압을 상기 필터 회로부(325)로 제공할 수 있다.
상기 필터 회로부(325)는 적어도 하나의 커패시터 소자를 포함할 수 있으며, 상기 정류 회로부(320)와 상기 논리 회로부(400) 사이에서 접속될 수 있다. 상기 필터 회로부(325)는 적어도 하나의 커패시터 소자를 포함하는 로우 패스 필터(low pass filter)일 수 있으며, 상기 생성된 부전압(-V)의 리플(ripple)을 제거하여 상기 논리 회로부(400)로 제공할 수 있다.
상기 논리 회로부(400)는 상기 부전압 생성부(300)로부터 제공받은 부전압(-V)과 외부로부터 제공받은 양전압(+V)을 이용하여 제1 및 제2 게이트 신호를 생성할 수 있다. 생성된 제1 및 제2 게이트 신호를 각각 제1 및 제2 스위치부(100, 200) 각각에 포함되는 복수의 제1 및 제2 스위치 소자의 제어단에 제공할 수 있다. 스위칭 동작에 대해서는 도3을 참조하여 후술하기로 한다.
도3은 도1에 도시한 고주파 스위치에서 제1 및 제2 션트부(500, 600)를 추가한 블록도이다.
도2 및 도3을 참조하면, 본 발명에 따른 고주파 스위치는, 제1 션트부(500) 및 제2 션트부(600)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 션트부(500)는, 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 포트(12)와 상기 제2 스위치부(200) 사이에 접속되어 상기 제2 포트(12)와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단할 수 있다.
상기 제2 션트부(600)는, 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 포트(11)와 상기 제1 스위치부(100) 사이에 접속되어 상기 제2 포트(11)와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단할 수 있다.
한편, 상기 제1 션트부(500)에 포함되는 복수의 제1 스위치 소자 및 상기 제2 션트부(600)에 포함되는 복수의 제2 스위치 소자 각각은 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)일 수 있다.
이때, 상기 논리 회로부(400)는 상술한 바와 같이, 부전압 생성부(300)로부터 제공받은 부전압(-V)과 외부로부터 제공받은 양전압(+V)을 이용하여 제1 및 제2 게이트 신호를 생성할 수 있다.
상기 제1 게이트 신호는 상기 제1 스위치부(100) 및 제1 션트부(500)에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 게이트 신호는 상기 제2 스위치부(200) 및 제2 션트부(600)에 제공될 수 있다.
즉, 상기 제1 스위치부(100) 및 제1 션트부(500)에 포함되는 각각의 복수의 스위치 소자는 제어단에 제1 게이트 신호를 제공받을 수 있으며, 상기 제2 스위치부(200) 및 제2 션트부(600)에 포함되는 각각의 복수의 스위치 소자는 제어단에 제2 게이트 신호를 제공받을 수 있다. 이에 따라, 제1 게이트 신호에 따라, 제1 스위치부(100) 및 제1 션트부(500)가 동시에 턴 온(turn-on)되는 경우라면, 제2 스위치부(200) 및 제2 션트부(600)는 제2 게이트 신호에 따라, 동시에 턴 오프(turn-off)될 수 있다.
반대로, 제1 게이트 신호에 따라, 제1 스위치부(100) 및 제1 션트부(500)가 동시에 턴 오프(turn-off)되는 경우라면, 제2 스위치부(200) 및 제2 션트부(600)는 제2 게이트 신호에 따라, 동시에 턴 오프(turn-on)될 수 있다.
도4는 도3에 도시한 고주파 스위치를 보다 구체적으로 나타낸 회로도이다.
도4를 참조하면, 본 발명에 따른 고주파 스위치는, 부전압 생성부(300)를 포함할 수 있으며, 상기 부전압 생성부(300)는 감지 회로부(310)의 일 실시예로써 저항 소자, 증폭 회로부(315)의 일 실시예로써 증폭기, 정류 회로부(320)의 일 실시예로써, 다이오드 소자 및 필터 회로부(325)의 일 실시예로써, 커패시터 소자를 포함할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 고주파 스위치는 N1과 접속되는 부전압 생성부(300)를 이용하여 공통 포트(10)로의 고주파 출력 신호를 통해 부전압을 생성함에 따라, 딜레이가 없어져 스위칭 스피드(switching speed)도 향상될 수 있고, 별도의 오실레이터나 차지 펌프 없이도 안정적으로 부전압을 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 공통 포트
11: 제1 포트
12: 제2 포트
100: 제1 스위치부
200: 제2 스위치부
300: 부전압 생성부
310: 감지 회로부
315: 증폭 회로부
320: 정류 회로부
325: 필터 회로부
400: 논리 회로부

Claims (12)

  1. 고주파 신호를 송수신하는 공통 포트;
    서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 고주파 신호를 입출력하는 제1 포트와 상기 공통 포트 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 스위치부;
    서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖고, 상기 고주파 신호를 입출력하는 제2 포트와 상기 공통 포트 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 스위치부;
    상기 공통 포트로부터의 상기 고주파 신호를 감지하고, 상기 감지된 고주파 신호를 정류하여 부전압을 생성하는 부전압 생성부; 및
    상기 부전압 생성부로부터 제공받은 상기 부전압과 외부로부터 제공받은 양전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 스위치부의 스위칭 동작을 제어하는 논리 회로부; 를 포함하는 고주파 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부전압 생성부는,
    상기 공통 포트로부터의 상기 고주파 신호를 감지하는 감지 회로부;
    상기 감지된 고주파 신호의 레벨을 사전에 설정된 레벨로 증폭하는 증폭 회로부; 및
    상기 증폭된 고주파 신호를 정류하는 정류 회로부; 를 더 포함하는 고주파 스위치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부전압 생성부는,
    상기 정류된 고주파 신호의 리플을 제거하는 필터 회로부; 를 더 포함하는 고주파 스위치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 포트와 상기 제2 스위치부 사이에 접속되어 상기 제2 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 션트부; 및
    상기 제1 포트와 상기 제1 스위치부 사이에 접속되어 상기 제1 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 션트부; 를 더 포함하고,
    상기 제1 션트부는 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 제2 션트부는 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖는 고주파 스위치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 논리 회로부는,
    상기 제1 스위치부 및 제1 션트부에 포함되는 각각의 제1 스위치 소자의 제어단에 제1 게이트 신호를 인가하여 스위칭 동작을 제어하며,
    상기 제2 스위치부 및 제2 션트부에 포함되는 각각의 제2 스위치 소자의 제어단에 제2 게이트 신호를 인가하여 스위칭 동작을 제어하는 고주파 스위치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 제1 및 제2 스위치 소자는,
    전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)인 고주파 스위치.
  7. 안테나와 접속하는 공통 포트;
    상기 공통 포트와 제1 포트 사이에서 서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖는 제1 스위치부;
    상기 공통 포트와 제2 포트 사이에서 서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖는 제2 스위치부;
    상기 제1 스위치부에 포함되는 복수의 제1 스위치 소자의 제어단에 제1 게이트 신호를 인가하고, 상기 제2 스위치부에 포함되는 복수의 제2 스위치 소자의 제어단에 제2 게이트 신호를 인가하여, 상기 제1 스위치부가 도통되는 경우 상기 제2 스위치부가 차단되고, 상기 제1 스위치부가 차단되는 경우 상기 제2 스위치부가 도통되도록 제어하는 논리 회로부; 및
    상기 공통 포트와 직렬 연결되는 적어도 하나의 저항 소자 및 상기 적어도 하나의 저항 소자와 상기 논리 회로부 사이에 직렬 연결되는 정류 회로부를 포함하는 부전압 생성부; 를 포함하고,
    상기 부전압 생성부는, 상기 적어도 하나의 저항 소자를 이용하여 상기 공통 포트의 출력 신호를 감지하고, 상기 정류 회로부에서 상기 감지된 출력 신호를 정류하여 생성된 부전압을 상기 논리 회로부로 제공하며, 상기 논리 회로부는 상기 부전압 및 외부로부터 제공받은 양전압을 이용하여 상기 제1 및 제2 게이트 신호를 생성하는 고주파 스위치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 부전압 생성부는,
    상기 적어도 하나의 소자와 상기 정류 회로부 사이에 접속되는 적어도 하나의 증폭기를 포함하고,
    상기 증폭기는 상기 감지된 출력 신호의 레벨을 사전에 설정된 레벨로 증폭하여 상기 정류 회로부로 제공하는 고주파 스위치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 부전압 생성부는,
    상기 정류 회로부와 상기 논리 회로부 사이에서, 접지와 직렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터 소자를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 커패시터 소자는, 상기 정류된 출력 신호의 리플을 제거하여 상기 논리 회로부로 제공하는 고주파 스위치.
  10. 제7항에 있어서,
    서로 직렬 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 갖고, 상기 제2 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제1 션트부; 및
    서로 직렬 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 갖고, 상기 제1 포트와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단하는 제2 션트부; 를 더 포함하는 고주파 스위치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 논리 회로부는,
    상기 제1 게이트 신호를 상기 제1 션트부에 포함되는 복수의 제2 스위치 소자의 제어단에 인가하고, 상기 제2 게이트 신호를 상기 제2 션트부에 포함되는 복수의 제1 스위치 소자의 제어단에 인가하는 고주파 스위치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 복수의 제1 및 제2 스위치 소자는,
    전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)인 고주파 스위치.

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
EP3570374B1 (en) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Integrated rf front end
US9667244B1 (en) 2015-11-16 2017-05-30 Analog Devices Global Method of and apparatus for biasing switches
US9712158B1 (en) * 2016-04-07 2017-07-18 Analog Devices Global Apparatus and methods for biasing radio frequency switches

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804502B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP5467979B2 (ja) * 2010-09-14 2014-04-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波モジュール
JP2012134697A (ja) 2010-12-21 2012-07-12 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高周波スイッチ回路および高周波スイッチ回路の制御方法
US8963618B2 (en) * 2013-05-14 2015-02-24 Ferfics Limited Radio frequency switch with improved switching time
KR101616608B1 (ko) * 2014-01-28 2016-04-28 삼성전기주식회사 고주파 스위치 회로 및 전자기기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180033451A (ko) * 2015-07-28 2018-04-03 페레그린 세미컨덕터 코포레이션 바이패스 토폴로지를 갖는 rf 스위치

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