JP2001284576A - 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
高電子移動度トランジスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001284576A JP2001284576A JP2000094574A JP2000094574A JP2001284576A JP 2001284576 A JP2001284576 A JP 2001284576A JP 2000094574 A JP2000094574 A JP 2000094574A JP 2000094574 A JP2000094574 A JP 2000094574A JP 2001284576 A JP2001284576 A JP 2001284576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- electrode
- layer
- mobility transistor
- storage layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 32
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 8
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 6
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 Nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 キンク現象を抑制した窒素化合物系高電子移
動度トランジスタを提供する。 【解決手段】 基板（１５）上に形成された電子蓄積層
（１１）と、前記電子蓄積層上に形成された電子供給層
（１３）と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極
（１６）、ソース電極（１７）及びドレイン電極（１
８）と、前記電子蓄積層上に形成された正孔吸収用電極
（１９）を備えることを特徴とする高電子移動度トラン
ジスタ。
動度トランジスタを提供する。 【解決手段】 基板（１５）上に形成された電子蓄積層
（１１）と、前記電子蓄積層上に形成された電子供給層
（１３）と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極
（１６）、ソース電極（１７）及びドレイン電極（１
８）と、前記電子蓄積層上に形成された正孔吸収用電極
（１９）を備えることを特徴とする高電子移動度トラン
ジスタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高電子移動度トラ
ンジスタ（ＨＥＭＴ）に関し、特にＧａＮ系ＨＥＭＴに
関する。
ンジスタ（ＨＥＭＴ）に関し、特にＧａＮ系ＨＥＭＴに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮを用いた窒素化合物系電界効果ト
ランジスタは、高出力かつ高周波で動作するパワー素子
としての期待が高く、ショットキーゲート電界効果トラ
ンジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、 ＨＥＭＴ（ ＭＯＤＦＥ
Ｔ）、ＭＩＳＦＥＴなどが提案されている。なかでもＡ
ｌxＧａ(1―x)Ｎを電子供給層とするＧａＮ系ＨＥＭＴ
は、２次元電子ガス濃度がＧａＡｓ系ＨＥＭＴよりも高
くできるため、高出力素子として、きわめて有望とされ
ている。しかし、従来のＧａＮ系ＨＥＭＴは、ドレイン
電流−電圧特性にしばしば、キンク現象が発生するた
め、高周波の大信号動作では、電力付加効率を低下さ
せ、歪み特性を大きくし、線形性が劣化する問題があ
る。
ランジスタは、高出力かつ高周波で動作するパワー素子
としての期待が高く、ショットキーゲート電界効果トラ
ンジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、 ＨＥＭＴ（ ＭＯＤＦＥ
Ｔ）、ＭＩＳＦＥＴなどが提案されている。なかでもＡ
ｌxＧａ(1―x)Ｎを電子供給層とするＧａＮ系ＨＥＭＴ
は、２次元電子ガス濃度がＧａＡｓ系ＨＥＭＴよりも高
くできるため、高出力素子として、きわめて有望とされ
ている。しかし、従来のＧａＮ系ＨＥＭＴは、ドレイン
電流−電圧特性にしばしば、キンク現象が発生するた
め、高周波の大信号動作では、電力付加効率を低下さ
せ、歪み特性を大きくし、線形性が劣化する問題があ
る。
【０００３】以下、ＧａＮ系ＨＥＭＴでキンク現象が発
生する理由について説明する。
生する理由について説明する。
【０００４】（従来例１）図４は、従来例１のＧａＮ系
ＨＥＭＴの断面概略図である。図中の１１はＧａＮ電子
蓄積層、１２はＡｌxＧａ(1―x)Ｎスペーサ層、１３は
ｎ型ＡｌxＧａ(1―x)Ｎ電子供給層、 １４はＡｌxＧａ
(1―x)Ｎキャップ層、１５がサファイア基板である。ま
た、キャップ層１４の上にゲート電極１６、電子供給層
１３の上にソース電極１７、ドレイン電極１８が形成さ
れる。
ＨＥＭＴの断面概略図である。図中の１１はＧａＮ電子
蓄積層、１２はＡｌxＧａ(1―x)Ｎスペーサ層、１３は
ｎ型ＡｌxＧａ(1―x)Ｎ電子供給層、 １４はＡｌxＧａ
(1―x)Ｎキャップ層、１５がサファイア基板である。ま
た、キャップ層１４の上にゲート電極１６、電子供給層
１３の上にソース電極１７、ドレイン電極１８が形成さ
れる。
【０００５】この従来例１のＧａＮ系ＨＥＭＴでは、ド
レイン電圧が増大し、電子蓄積層１１内の電界強度が増
加すると、電子電流がゲート電極１６とドレイン電極１
８間の強電界領域を流れる。このため、電子蓄積層１１
内では、インパクトイオン化による電子と正孔（ホー
ル）が発生する。発生した電子は、ドレイン電極１８に
流れ込み、ドレイン電流が少し増大するが、この影響は
ごく僅かである。一方、発生した正孔は吸収される電極
が無いために、図示されているように電子蓄積層１１の
下部に蓄積される。このため、電子蓄積層のポテンシャ
ルが低下し、ドレイン電流が大幅に増大する。この大幅
に増大したドレイン電流が、ドレイン電流−電圧特性の
飽和領域においてステップ上にドレイン電流が増大する
というキンク現象の原因である。
レイン電圧が増大し、電子蓄積層１１内の電界強度が増
加すると、電子電流がゲート電極１６とドレイン電極１
８間の強電界領域を流れる。このため、電子蓄積層１１
内では、インパクトイオン化による電子と正孔（ホー
ル）が発生する。発生した電子は、ドレイン電極１８に
流れ込み、ドレイン電流が少し増大するが、この影響は
ごく僅かである。一方、発生した正孔は吸収される電極
が無いために、図示されているように電子蓄積層１１の
下部に蓄積される。このため、電子蓄積層のポテンシャ
ルが低下し、ドレイン電流が大幅に増大する。この大幅
に増大したドレイン電流が、ドレイン電流−電圧特性の
飽和領域においてステップ上にドレイン電流が増大する
というキンク現象の原因である。
【０００６】（従来例２）図５は、従来例２のＧａＡｓ
系ＨＥＭＴの断面概略図である。図中の１１’はＧａＡ
ｓ電子蓄積層、１２’はＡｌxＧａ(1-x)Ａｓスペーサ
層、１３’はｎ型ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ電子供給層、１
４’はＡｌxＧａ(1-x)Ａｓキャップ層、１５’がＧａＡ
ｓ基板である。また、キャップ層１４’の上にゲート電
極１６’、電子供給層１３’の上にソース電極１７、ド
レイン電極１８が形成される。
系ＨＥＭＴの断面概略図である。図中の１１’はＧａＡ
ｓ電子蓄積層、１２’はＡｌxＧａ(1-x)Ａｓスペーサ
層、１３’はｎ型ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ電子供給層、１
４’はＡｌxＧａ(1-x)Ａｓキャップ層、１５’がＧａＡ
ｓ基板である。また、キャップ層１４’の上にゲート電
極１６’、電子供給層１３’の上にソース電極１７、ド
レイン電極１８が形成される。
【０００７】この従来例２のＧａＡｓ系ＨＥＭＴでは、
従来例１で述べたインパクトイオン化による正孔が電子
蓄積層１１’内で発生すると、図に示すように、正孔の
大部分はゲート電極に吸収され、電子蓄積層１１’に蓄
積されない。このため、従来例２のＧａＡｓ系ＨＥＭＴ
では、従来例１のＧａＮ系ＨＥＭＴで問題になっていた
キンク現象が起こらない。
従来例１で述べたインパクトイオン化による正孔が電子
蓄積層１１’内で発生すると、図に示すように、正孔の
大部分はゲート電極に吸収され、電子蓄積層１１’に蓄
積されない。このため、従来例２のＧａＡｓ系ＨＥＭＴ
では、従来例１のＧａＮ系ＨＥＭＴで問題になっていた
キンク現象が起こらない。
【０００８】従来例１のＧａＮ系ＨＥＭＴが従来例２の
ＧａＡｓ系ＨＥＭＴと大きく異なる点は、ヘテロ接合界
面に大きなピエゾ電荷が発生する点である。これは、Ｇ
ａＮとＡｌxＧａ(1-x)Ｎの格子定数の違いは、ＧａＡｓ
とＡｌxＧａ(1-x)Ａｓの違いより１桁以上大きいためで
ある。
ＧａＡｓ系ＨＥＭＴと大きく異なる点は、ヘテロ接合界
面に大きなピエゾ電荷が発生する点である。これは、Ｇ
ａＮとＡｌxＧａ(1-x)Ｎの格子定数の違いは、ＧａＡｓ
とＡｌxＧａ(1-x)Ａｓの違いより１桁以上大きいためで
ある。
【０００９】ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合を
形成すると、図４に示されるように、ピエゾ効果によっ
て、ＡｌＧａＮ層のＧａＮ層側の界面に正の電荷が、ま
た、ＡｌＧａＮ層のゲート電極側に負の電荷が蓄積され
る。この結果、インパクトイオン化によって発生した正
孔の大部分は、ＡｌＧａＮ層のＧａＮ層側の界面に蓄積
されたピエゾ電荷（正の電荷）によって、ゲート電極へ
の流れ込みが妨げられて、ＧａＮ電子蓄積層に蓄積さ
れ、キンク現象を発生させる。
形成すると、図４に示されるように、ピエゾ効果によっ
て、ＡｌＧａＮ層のＧａＮ層側の界面に正の電荷が、ま
た、ＡｌＧａＮ層のゲート電極側に負の電荷が蓄積され
る。この結果、インパクトイオン化によって発生した正
孔の大部分は、ＡｌＧａＮ層のＧａＮ層側の界面に蓄積
されたピエゾ電荷（正の電荷）によって、ゲート電極へ
の流れ込みが妨げられて、ＧａＮ電子蓄積層に蓄積さ
れ、キンク現象を発生させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はキンク
現象を抑制した窒素化合物系高電子移動度トランジスタ
を提供することを目的とする。
現象を抑制した窒素化合物系高電子移動度トランジスタ
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、基板
上に形成された電子蓄積層と、前記電子蓄積層上に形成
された電子供給層と、前記電子供給層上に形成されたゲ
ート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記電子蓄
積層上に形成された正孔吸収用電極を備えることを特徴
とする高電子移動度トランジスタである。
上に形成された電子蓄積層と、前記電子蓄積層上に形成
された電子供給層と、前記電子供給層上に形成されたゲ
ート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記電子蓄
積層上に形成された正孔吸収用電極を備えることを特徴
とする高電子移動度トランジスタである。
【００１２】本願第２の発明は、前記電子蓄積層の組成
はＧａＮであり、前記電子供給層の組成はＡｌＧａＮで
あることを特徴とする本願第１の発明に記載の高電子移
動度トランジスタである。
はＧａＮであり、前記電子供給層の組成はＡｌＧａＮで
あることを特徴とする本願第１の発明に記載の高電子移
動度トランジスタである。
【００１３】本願第３の発明は、前記ソース電極は前記
正孔吸収用電極と前記ゲート電極の間に設けられている
ことを特徴とする本願第１の発明に記載の高電子移動度
トランジスタである。
正孔吸収用電極と前記ゲート電極の間に設けられている
ことを特徴とする本願第１の発明に記載の高電子移動度
トランジスタである。
【００１４】本願第４の発明は、前記正孔吸収用電極
は、前記ゲート電極のゲート幅方向に平行に設けられ、
かつ、前記ソース電極とゲート幅方向に実質的に同じ長
さであることを特徴とする本願第３の発明に記載の高電
子移動度トランジスタである。
は、前記ゲート電極のゲート幅方向に平行に設けられ、
かつ、前記ソース電極とゲート幅方向に実質的に同じ長
さであることを特徴とする本願第３の発明に記載の高電
子移動度トランジスタである。
【００１５】本願第５の発明は、基板上に電子蓄積層及
び電子供給層を順次積層構造する工程と、前記積層構造
を素子分離する工程と、前記素子分離された積層構造の
電子供給層上にソース及びドレイン電極を形成する工程
と、前記素子分離された積層構造の電子供給層上にゲー
ト電極を、前記素子分離によって露出した電子蓄積層上
に正孔吸収用電極を同時に形成する工程を備えることを
特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法であ
る。
び電子供給層を順次積層構造する工程と、前記積層構造
を素子分離する工程と、前記素子分離された積層構造の
電子供給層上にソース及びドレイン電極を形成する工程
と、前記素子分離された積層構造の電子供給層上にゲー
ト電極を、前記素子分離によって露出した電子蓄積層上
に正孔吸収用電極を同時に形成する工程を備えることを
特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法であ
る。
【００１６】本発明によれば、インパクトイオン化によ
り発生した正孔が電子蓄積層に蓄積するのを防止するた
めの正孔吸収用電極が電子蓄積層に設けられているの
で、キンク現象が抑制され、良好なドレイン電流−電圧
特性が得られるため、線形性が良く、電力付加効率が高
い高出力の高電子移動度トランジスタを提供することが
できる。
り発生した正孔が電子蓄積層に蓄積するのを防止するた
めの正孔吸収用電極が電子蓄積層に設けられているの
で、キンク現象が抑制され、良好なドレイン電流−電圧
特性が得られるため、線形性が良く、電力付加効率が高
い高出力の高電子移動度トランジスタを提供することが
できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施形態について説明する。
明の実施形態について説明する。
【００１８】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）の断面概略図である。１１はＧａＮ電子蓄積層、１
２はＡｌxＧａ(1―x)Ｎスペーサ層、１３はｎ型ＡｌxＧ
ａ(1―x)Ｎ電子供給層、 １４はＡｌxＧａ(1―x)Ｎキャ
ップ層、１５はサファイア基板である。また、キャップ
層１４上にゲート電極１６、電子供給層１３上にソース
電極１７及びドレイン電極１８が形成される。そして、
素子分離のために素子間に設けられた凹部（素子分離領
域；図１の左端）に正孔を吸収するための正孔吸収用電
極１９が形成される。
の実施形態に係る高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）の断面概略図である。１１はＧａＮ電子蓄積層、１
２はＡｌxＧａ(1―x)Ｎスペーサ層、１３はｎ型ＡｌxＧ
ａ(1―x)Ｎ電子供給層、 １４はＡｌxＧａ(1―x)Ｎキャ
ップ層、１５はサファイア基板である。また、キャップ
層１４上にゲート電極１６、電子供給層１３上にソース
電極１７及びドレイン電極１８が形成される。そして、
素子分離のために素子間に設けられた凹部（素子分離領
域；図１の左端）に正孔を吸収するための正孔吸収用電
極１９が形成される。
【００１９】本実施形態のＨＥＭＴは以下のように作成
した。まず、（０００１）サファイア基板１５上に有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）でアンドープＧａＮ電
子蓄積層１１を２μｍ成長させ、次にアンドープＡｌ
0.3Ｇａ0.7Ｎスペーサ層１２を１００Å、その上にｎ型
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ電子供給層１３を１００Å同じくＭＯ
ＣＶＤ法で形成した。この電子供給層はドナー濃度が４
×１０18ｃｍ-3となるようＳｉを不純物として含む層と
した。さらに、この上にアンドープのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ
キャップ層１４を５０Åの厚さで形成した。次に、素子
分離のために、素子をメサ形状にする第１エッチングを
行い、素子分離領域に相当する領域の電子蓄積層を露出
させる。さらに、キャップ層１４も第２エッチングを行
い、電子供給層のうちオーミック電極を接触させる部分
を露出させる。
した。まず、（０００１）サファイア基板１５上に有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）でアンドープＧａＮ電
子蓄積層１１を２μｍ成長させ、次にアンドープＡｌ
0.3Ｇａ0.7Ｎスペーサ層１２を１００Å、その上にｎ型
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ電子供給層１３を１００Å同じくＭＯ
ＣＶＤ法で形成した。この電子供給層はドナー濃度が４
×１０18ｃｍ-3となるようＳｉを不純物として含む層と
した。さらに、この上にアンドープのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ
キャップ層１４を５０Åの厚さで形成した。次に、素子
分離のために、素子をメサ形状にする第１エッチングを
行い、素子分離領域に相当する領域の電子蓄積層を露出
させる。さらに、キャップ層１４も第２エッチングを行
い、電子供給層のうちオーミック電極を接触させる部分
を露出させる。
【００２０】そして、オーミック電極であるソース及び
ドレイン電極として、Ｔｉ（下）／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ
（上）の積層の電極１７，１８を前記第２エッチングに
よって露出された電子供給層１３に蒸着形成し、９００
℃で３０秒間の熱処理を行う。次に、ショットキー電極
であるゲート電極として、Ｐｔ（下）／Ｔｉ／Ａｕ
（上）の積層の電極１６をキャップ層１４に蒸着形成
し、前記露出した電子蓄積層すなわち素子分離のために
素子間に設けられた凹部（素子分離領域；リセス領域）
に、正孔吸収用電極としてＮｉ（下）／Ａｕ（上）また
はＰｔ（下）／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ（上）の積層構造を蒸
着形成した。
ドレイン電極として、Ｔｉ（下）／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ
（上）の積層の電極１７，１８を前記第２エッチングに
よって露出された電子供給層１３に蒸着形成し、９００
℃で３０秒間の熱処理を行う。次に、ショットキー電極
であるゲート電極として、Ｐｔ（下）／Ｔｉ／Ａｕ
（上）の積層の電極１６をキャップ層１４に蒸着形成
し、前記露出した電子蓄積層すなわち素子分離のために
素子間に設けられた凹部（素子分離領域；リセス領域）
に、正孔吸収用電極としてＮｉ（下）／Ａｕ（上）また
はＰｔ（下）／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ（上）の積層構造を蒸
着形成した。
【００２１】ここでは、正孔吸収用電極として、アンド
ープＧａＮ電子蓄積層に、ｐ型半導体層とオーミック接
触する電極を形成したが、ショットキー接合電極を用い
ても、正孔を吸収することができる。さらに、正孔吸収
用電極として、ショットキー接合電極を用いた場合は、
オーミックソース及びドレイン電極形成後に、ショット
キーゲート電極と同じ電極を同時に蒸着形成することが
できる。
ープＧａＮ電子蓄積層に、ｐ型半導体層とオーミック接
触する電極を形成したが、ショットキー接合電極を用い
ても、正孔を吸収することができる。さらに、正孔吸収
用電極として、ショットキー接合電極を用いた場合は、
オーミックソース及びドレイン電極形成後に、ショット
キーゲート電極と同じ電極を同時に蒸着形成することが
できる。
【００２２】このような構造を持つ、ゲート長１μｍの
電界構造トランジスタを作成し、正孔吸収用電極の電圧
を０Ｖとして、パワー特性を測定したところ、従来の構
造よりも、電力付加効率の最大値が５％増加した。ま
た、同じ出力電力における３次の相互変調歪みは、従来
構造よりも１０ｄＢｃ低減し、線形性のよい特性である
ことが確認できた。
電界構造トランジスタを作成し、正孔吸収用電極の電圧
を０Ｖとして、パワー特性を測定したところ、従来の構
造よりも、電力付加効率の最大値が５％増加した。ま
た、同じ出力電力における３次の相互変調歪みは、従来
構造よりも１０ｄＢｃ低減し、線形性のよい特性である
ことが確認できた。
【００２３】このように、パワー特性が向上した理由
は、従来例１で説明したドレイン電流−電圧特性のキン
ク現象が、正孔吸収用電極により、低減できたからであ
る。
は、従来例１で説明したドレイン電流−電圧特性のキン
ク現象が、正孔吸収用電極により、低減できたからであ
る。
【００２４】本実施形態に係る素子構造では、インパク
トイオン化によって発生した正孔が、すみやかに正孔吸
収用電極に吸収され、電子蓄積層に蓄積しないので、電
子蓄積層のポテンシャルが安定し、キンク現象を低減す
ることができる。その結果、歪みが小さく、電力付加効
率が高い高性能な素子を提供することができる。
トイオン化によって発生した正孔が、すみやかに正孔吸
収用電極に吸収され、電子蓄積層に蓄積しないので、電
子蓄積層のポテンシャルが安定し、キンク現象を低減す
ることができる。その結果、歪みが小さく、電力付加効
率が高い高性能な素子を提供することができる。
【００２５】また、正孔に対するポテンシャルは、ソー
ス電極側の方が低いため、インパクトイオン化によって
発生した正孔は電子蓄積層のソース電極側に蓄積する。
従って、図１のように、正孔吸収用電極１９をソース電
極側に設けることによって、効果的に正孔を吸収するこ
とができる。
ス電極側の方が低いため、インパクトイオン化によって
発生した正孔は電子蓄積層のソース電極側に蓄積する。
従って、図１のように、正孔吸収用電極１９をソース電
極側に設けることによって、効果的に正孔を吸収するこ
とができる。
【００２６】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る高電子移動度トランジスタの断面概略
図である。本実施形態の特徴は、アンドープＧａＮ電子
蓄積層１１上に、この電子蓄積層よりも禁制帯値の小さ
い半導体層またはｐ型半導体層２０、例えばｐ型ＧａＮ
層を形成した後に、この半導体層２０上に、正孔吸収用
電極１９を形成したことである。このようにすれば、第
１の実施形態よりも効果的に正孔を吸収することができ
る。尚、図１と同じ符号については、第１の実施形態と
同じであるので、説明を省略する。
の実施形態に係る高電子移動度トランジスタの断面概略
図である。本実施形態の特徴は、アンドープＧａＮ電子
蓄積層１１上に、この電子蓄積層よりも禁制帯値の小さ
い半導体層またはｐ型半導体層２０、例えばｐ型ＧａＮ
層を形成した後に、この半導体層２０上に、正孔吸収用
電極１９を形成したことである。このようにすれば、第
１の実施形態よりも効果的に正孔を吸収することができ
る。尚、図１と同じ符号については、第１の実施形態と
同じであるので、説明を省略する。
【００２７】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）の上面概略図である。第１のＨＥＭＴの電極は、ゲ
ート電極１６−１、ソース電極１７−１及びドレイン電
極１８−１である。第２のＨＥＭＴの電極は、ゲート電
極１６−２、ソース電極１７−２及びドレイン電極１８
−２である。本実施形態の特徴は、正孔吸収用電極１９
は、ゲート電極１６−１のゲート幅方向に平行に設けら
れ、かつ、ソース電極１８−１とゲート幅方向に実質的
に同じ長さであることである。このように同じ長さであ
ることによって、正孔吸収用電極がソース電極に比べて
短い場合よりも、ポテンシャルが傾かず、効果的に正孔
を吸収することができる。また、一つの正孔吸収用電極
１９によって、二つのＨＥＭＴの正孔を吸収できるの
で、素子のレイアウト面積の縮小化にも効果的である。
の実施形態に係る高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）の上面概略図である。第１のＨＥＭＴの電極は、ゲ
ート電極１６−１、ソース電極１７−１及びドレイン電
極１８−１である。第２のＨＥＭＴの電極は、ゲート電
極１６−２、ソース電極１７−２及びドレイン電極１８
−２である。本実施形態の特徴は、正孔吸収用電極１９
は、ゲート電極１６−１のゲート幅方向に平行に設けら
れ、かつ、ソース電極１８−１とゲート幅方向に実質的
に同じ長さであることである。このように同じ長さであ
ることによって、正孔吸収用電極がソース電極に比べて
短い場合よりも、ポテンシャルが傾かず、効果的に正孔
を吸収することができる。また、一つの正孔吸収用電極
１９によって、二つのＨＥＭＴの正孔を吸収できるの
で、素子のレイアウト面積の縮小化にも効果的である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＮ系高電子移動度
トランジスタ特有のキンク現象を抑制することができ
る。
トランジスタ特有のキンク現象を抑制することができ
る。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る高電子移動度
トランジスタの断面概略図。
トランジスタの断面概略図。
【図２】 本発明の第２の実施形態に係る高電子移動度
トランジスタの断面概略図。
トランジスタの断面概略図。
【図３】 本発明の第３の実施形態に係る高電子移動度
トランジスタの上面概略図。
トランジスタの上面概略図。
【図４】 従来例１に係るＧａＮ系高電子移動度トラン
ジスタの断面概略図。
ジスタの断面概略図。
【図５】 従来例２に係るＧａＡｓ系高電子移動度トラ
ンジスタの断面概略図。
ンジスタの断面概略図。
１１、１１’ 電子蓄積層 １２、１２’ スペーサ層 １３、１３’ 電子供給層 １４、１４’ キャップ層 １５、１５’ 基板 １６、１６’ ゲート電極 １７、１７’ ソース電極 １８、１８’ ドレイン電極 １９ 正孔吸収用電極 ２０ 電子蓄積層よりも禁制帯値の小さい半導体層また
はｐ型半導体層 ２１ ピエゾ電荷 ２２ インパクトイオン化で発生した電子正孔対 ２３ 蓄積した正孔
はｐ型半導体層 ２１ ピエゾ電荷 ２２ インパクトイオン化で発生した電子正孔対 ２３ 蓄積した正孔
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成された電子蓄積層と、 前記電子蓄積層上に形成された電子供給層と、 前記電子供給層上に形成されたゲート電極、ソース電極
及びドレイン電極と、 前記電子蓄積層上に形成された正孔吸収用電極を備える
ことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。 - 【請求項２】 前記電子蓄積層の組成はＧａＮであり、
前記電子供給層の組成はＡｌＧａＮであることを特徴と
する請求項１記載の高電子移動度トランジスタ。 - 【請求項３】 前記ソース電極は前記正孔吸収用電極と
前記ゲート電極の間に設けられていることを特徴とする
請求項１記載の高電子移動度トランジスタ。 - 【請求項４】 前記正孔吸収用電極は、前記ゲート電極
のゲート幅方向に平行に設けられ、かつ、前記ソース電
極とゲート幅方向に実質的に同じ長さであることを特徴
とする請求項３記載の高電子移動度トランジスタ。 - 【請求項５】 基板上に電子蓄積層及び電子供給層を順
次積層構造する工程と、 前記積層構造を素子分離する工程と、 前記素子分離された積層構造の電子供給層上にソース及
びドレイン電極を形成する工程と、 前記素子分離された積層構造の電子供給層上にゲート電
極を、前記素子分離によって露出した電子蓄積層上に正
孔吸収用電極を同時に形成する工程を備えることを特徴
とする高電子移動度トランジスタの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000094574A JP2001284576A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
| US09/778,823 US6555851B2 (en) | 2000-03-30 | 2001-02-08 | High electron mobility transistor |
| KR1020010014579A KR100359714B1 (ko) | 2000-03-30 | 2001-03-21 | 전자 고 이동성 트랜지스터와 이것의 제조 방법 |
| US10/375,084 US6689652B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-02-28 | Method of manufacturing a high electron mobility transistor |
| US10/673,319 US6908799B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-09-30 | High electron mobility transistor and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000094574A JP2001284576A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284576A true JP2001284576A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18609604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000094574A Pending JP2001284576A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6555851B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001284576A (ja) |
| KR (1) | KR100359714B1 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526384A (ja) * | 2002-03-25 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | ドープｉｉｉ−ｖ族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造 |
| JP2006173582A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| US7157748B2 (en) | 2004-09-16 | 2007-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor device |
| JP2007059589A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
| KR100770132B1 (ko) | 2006-10-30 | 2007-10-24 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
| JP2008177515A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2010287725A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| KR101050228B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2011-07-19 | 전자부품연구원 | 질화물 반도체 소자 및 이의 형성 방법 |
| US8704273B2 (en) | 2009-06-17 | 2014-04-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same, and amplifier |
| JP2014093305A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014146705A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US8937337B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-01-20 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device, method of manufacturing the same, power supply device and high-frequency amplifier |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284576A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
| US7436839B1 (en) * | 2001-10-09 | 2008-10-14 | At&T Delaware Intellectual Property, Inc. | Systems and methods for providing services through an integrated digital network |
| US6804502B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-10-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| KR100466543B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-01-15 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US6933544B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
| JP3940699B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
| US7719343B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-05-18 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low noise charge pump method and apparatus |
| JP4417677B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-02-17 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
| JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8174048B2 (en) * | 2004-01-23 | 2012-05-08 | International Rectifier Corporation | III-nitride current control device and method of manufacture |
| JP4041075B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| EP3570374B1 (en) | 2004-06-23 | 2022-04-20 | pSemi Corporation | Integrated rf front end |
| JP2006032552A (ja) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 窒化物含有半導体装置 |
| US20080139717A1 (en) * | 2004-08-18 | 2008-06-12 | Basell Poliolefine Italia S.R.L. | Stretch Blow-Molded Containers From Ziegler Natta Propylene Polymer Compositions |
| JP4002918B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2007-11-07 | 株式会社東芝 | 窒化物含有半導体装置 |
| JP4474292B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2010-06-02 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| JP4542912B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2010-09-15 | 株式会社東芝 | 窒素化合物半導体素子 |
| US20060226442A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | An-Ping Zhang | GaN-based high electron mobility transistor and method for making the same |
| US20080076371A1 (en) | 2005-07-11 | 2008-03-27 | Alexander Dribinsky | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
| US7910993B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink |
| US8742502B2 (en) | 2005-07-11 | 2014-06-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| US9653601B2 (en) | 2005-07-11 | 2017-05-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US7890891B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US7586245B2 (en) * | 2005-08-29 | 2009-09-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Using prismatic microstructured films for image blending in OLEDS |
| US7321193B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer |
| JP5050364B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2012-10-17 | サンケン電気株式会社 | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007294769A (ja) | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
| JP5147197B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | トランジスタ |
| JP2008130655A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
| JP4712683B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | トランジスタおよびその製造方法 |
| US7960772B2 (en) | 2007-04-26 | 2011-06-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
| EP2040299A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-25 | Forschungsverbund Berlin e.V. | Electrical devices having improved transfer characteristics and method for tailoring the transfer characteristics of such an electrical device |
| EP2255443B1 (en) | 2008-02-28 | 2012-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device |
| US9030248B2 (en) * | 2008-07-18 | 2015-05-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Level shifter with output spike reduction |
| US9660590B2 (en) | 2008-07-18 | 2017-05-23 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
| EP2385616A2 (en) | 2008-07-18 | 2011-11-09 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
| KR101774933B1 (ko) | 2010-03-02 | 2017-09-06 | 삼성전자 주식회사 | 듀얼 디플리션을 나타내는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US9413362B2 (en) | 2011-01-18 | 2016-08-09 | Peregrine Semiconductor Corporation | Differential charge pump |
| US8785944B2 (en) | 2011-12-07 | 2014-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High electron mobility transistor |
| US9590674B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-03-07 | Peregrine Semiconductor Corporation | Semiconductor devices with switchable ground-body connection |
| US20150236748A1 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-20 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction |
| US9406695B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-08-02 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed |
| US9831857B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Power splitter with programmable output phase shift |
| US9666683B2 (en) | 2015-10-09 | 2017-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors |
| US9948281B2 (en) | 2016-09-02 | 2018-04-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Positive logic digitally tunable capacitor |
| CN107742643B (zh) * | 2017-10-09 | 2020-04-17 | 山东大学 | 提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法 |
| US10505530B2 (en) | 2018-03-28 | 2019-12-10 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
| US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
| US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
| US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155971A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シヨツトキ−ゲ−ト電界効果トランジスタ |
| JPH084138B2 (ja) * | 1986-05-23 | 1996-01-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US5223724A (en) * | 1990-07-31 | 1993-06-29 | At & T Bell Laboratories | Multiple channel high electron mobility transistor |
| US5412224A (en) * | 1992-06-08 | 1995-05-02 | Motorola, Inc. | Field effect transistor with non-linear transfer characteristic |
| US5436474A (en) * | 1993-05-07 | 1995-07-25 | Board Of Regents Of The University Of Texas System | Modulation doped field effect transistor having built-in drift field |
| JP3216354B2 (ja) * | 1993-08-11 | 2001-10-09 | ソニー株式会社 | オーミック電極およびその形成方法ならびに半導体装置 |
| US5689124A (en) * | 1994-05-31 | 1997-11-18 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device |
| US5693963A (en) * | 1994-09-19 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device with nitride |
| GB2295488B (en) * | 1994-11-24 | 1996-11-20 | Toshiba Cambridge Res Center | Semiconductor device |
| JPH1168105A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US6207976B1 (en) * | 1997-12-17 | 2001-03-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with ohmic contacts on compound semiconductor and manufacture thereof |
| JP3372470B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-02-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置 |
| US6100549A (en) * | 1998-08-12 | 2000-08-08 | Motorola, Inc. | High breakdown voltage resurf HFET |
| JP2000208874A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Sony Corp | 窒化物半導体と、窒化物半導体発光装置と、窒化物半導体の製造方法と、半導体発光装置の製造方法 |
| JP3393602B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2003-04-07 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| US20010015437A1 (en) * | 2000-01-25 | 2001-08-23 | Hirotatsu Ishii | GaN field-effect transistor, inverter device, and production processes therefor |
| US6586781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2003-07-01 | Cree Lighting Company | Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same |
| JP2001284576A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000094574A patent/JP2001284576A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-08 US US09/778,823 patent/US6555851B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-21 KR KR1020010014579A patent/KR100359714B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-28 US US10/375,084 patent/US6689652B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 US US10/673,319 patent/US6908799B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526384A (ja) * | 2002-03-25 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | ドープｉｉｉ−ｖ族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造 |
| JP4916090B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2012-04-11 | クリー インコーポレイテッド | ドープｉｉｉ−ｖ族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造 |
| US7919791B2 (en) | 2002-03-25 | 2011-04-05 | Cree, Inc. | Doped group III-V nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same |
| US7157748B2 (en) | 2004-09-16 | 2007-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor device |
| JP4650224B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP2006173582A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2007059589A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
| KR100770132B1 (ko) | 2006-10-30 | 2007-10-24 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
| JP2008177515A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2010287725A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| US8704273B2 (en) | 2009-06-17 | 2014-04-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same, and amplifier |
| KR101050228B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2011-07-19 | 전자부품연구원 | 질화물 반도체 소자 및 이의 형성 방법 |
| US8937337B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-01-20 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device, method of manufacturing the same, power supply device and high-frequency amplifier |
| US9306031B2 (en) | 2010-08-31 | 2016-04-05 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device, method of manufacturing the same, power supply device and high-frequency amplifier |
| JP2014093305A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9136346B2 (en) | 2012-10-31 | 2015-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High electron mobility transistor (HEMT) capable of absorbing a stored hole more efficiently |
| US9484429B2 (en) | 2012-10-31 | 2016-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High electron mobility transistor (HEMT) capable of absorbing a stored hole more efficiently and method for manufacturing the same |
| JP2014146705A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6555851B2 (en) | 2003-04-29 |
| US20040061130A1 (en) | 2004-04-01 |
| US20010025965A1 (en) | 2001-10-04 |
| US20030162339A1 (en) | 2003-08-28 |
| KR100359714B1 (ko) | 2002-11-11 |
| US6908799B2 (en) | 2005-06-21 |
| KR20010094989A (ko) | 2001-11-03 |
| US6689652B2 (en) | 2004-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001284576A (ja) | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP4385206B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US8692292B2 (en) | Semiconductor device including separated gate electrode and conductive layer | |
| US7956383B2 (en) | Field effect transistor | |
| JP5469098B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP4385205B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| TWI543366B (zh) | 化合物半導體裝置及其製造方法 | |
| TWI521695B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| JP5125512B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP5765171B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP5712583B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4134575B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2013074179A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| US20140084345A1 (en) | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2004200433A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5581601B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP7545044B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 | |
| JP6650867B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| JP5666992B2 (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2020167275A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 | |
| US20230231045A1 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device | |
| US20240006526A1 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device | |
| JP2023019923A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 | |
| JP2022076302A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 | |
| JP6020043B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050301 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070705 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071102 |