JP2005197674A5 - - Google Patents
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- 第一導電型の不純物領域と複数の第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記複数の第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、少なくとも第1の不純物領域と、該第1の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第2の不純物領域と、該第2の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第3の不純物領域と、を含み、
前記第1の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C1と、前記第2の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C2と、前記第3の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C3とが、
C2<C3<C1
の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。 - 前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の第4の不純物領域を有することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第1の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C1と前記第2の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C2との関係が、3×C2≦C1であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記第1の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C1と前記第2の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C2との関係が、5×C2≦C1であることを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
- 前記第1、第2、第3の不純物領域の間の少なくとも一つに第一導電型の不純物領域が配され、
該第一導電型の不純物領域は、ビルトインポテンシャルにより空乏化していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C1が1×10 16 cm -3 <C1<1×10 18 cm -3 であり、
前記第2の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C2が1×10 15 cm -3 <C2<5×10 16 cm -3 であり、
前記第3の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C3が2×10 15 cm -3 <C3<2×10 17 cm -3 であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 第一導電型の不純物領域と、
前記第一導電型の不純物領域の下に配された、複数の第二導電型の不純物領域と、を備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記複数の第二導電型の不純物領域のそれぞれは、前記第一導電型の下部から前記光電変換素子に隣接した素子分離部の下部まで連続して配されていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の不純物領域を有することを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。
- 第一導電型の不純物領域と、第二導電型の不純物領域と、を含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、前記第一導電型の不純物領域の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に位置する第1の不純物濃度ピークと、第2の不純物濃度ピークと、第3の不純物濃度ピークとを少なくとも有し、
前記第1の不純物濃度ピークの濃度C1と、前記第2の不純物濃度ピークの濃度C2と、前記第3の不純物濃度ピークの濃度C3とが、
C2<C3<C1
の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
該光電変換装置へ光を結像する光学系と、
該光電変換装置からの信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
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