[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2010512004A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010512004A5
JP2010512004A5 JP2009539352A JP2009539352A JP2010512004A5 JP 2010512004 A5 JP2010512004 A5 JP 2010512004A5 JP 2009539352 A JP2009539352 A JP 2009539352A JP 2009539352 A JP2009539352 A JP 2009539352A JP 2010512004 A5 JP2010512004 A5 JP 2010512004A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type material
conductive type
doped region
transfer gate
work function
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009539352A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010512004A (ja
JP5096483B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/565,801 external-priority patent/US7675097B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2010512004A publication Critical patent/JP2010512004A/ja
Publication of JP2010512004A5 publication Critical patent/JP2010512004A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5096483B2 publication Critical patent/JP5096483B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (3)

  1. 第１導電性タイプ材料から成る基板；
    該基板上に形成されたゲート誘電体層と、該ゲート誘電体層上に形成されたデュアル仕事関数ゲート導体層とを含むトランスファゲートデバイス、
    該デュアル仕事関数ゲート導体層は、第１導電性タイプ材料から成る第１ドープ領域及び第２導電性タイプ材料から成る第２ドープ領域を含む；
    入射する光に応答して電荷キャリヤを捕集するための、前記トランスファゲートデバイスの前記第１ドープ領域に隣接する基板表面に又は該基板表面の下側に形成されたフォトセンシングデバイス；
    前記トランスファゲートデバイスの前記第２ドープ領域に隣接する前記基板表面に形成された、第２導電性タイプ材料から成る拡散領域、
    該トランスファゲートデバイスは、前記フォトセンシングデバイスと前記拡散領域との間の電荷移動を可能にするチャネル領域を形成している；及び
    前記トランスファゲートデバイスの第１導電性タイプ材料から成る前記第１ドープ領域と、前記トランスファゲートデバイスの第２導電性タイプ材料から成る前記第２ドープ領域とを電気的にカップリングするための、前記デュアル仕事関数ゲート導体層の最上部に形成されたシリサイド構造
    を含んで成るアクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）セル構造であって、
    前記シリサイド構造が、面積寸法で、前記デュアル仕事関数ゲート導体層の面積寸法よりも小さいアクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）セル構造。
  2. 前記ＡＰＳセル構造が、アクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）セル構造をそれぞれ含んでいる各ピクセルを有するＣＭＯＳ画像センサのピクセルアレイに含まれ、そして当該ＣＭＯＳ画像センサが、画像捕獲装置に含まれる、請求項１に記載のＡＰＳセル構造。
  3. 第１導電性タイプ材料から成る基板を用意すること；
    該基板上に形成されたゲート誘電体層及び該ゲート誘電体層上に形成されたデュアル仕事関数ゲート導体層を含むトランスファゲートデバイスを形成すること、
    該デュアル仕事関数ゲート導体層は、第１導電性タイプ材料から成る第１ドープ領域及び第２導電性タイプ材料から成る第２ドープ領域を含む；
    前記トランスファゲートデバイスの前記第１ドープ領域に隣接する基板表面に又は該基板表面の下側に形成された、入射する光に応答して電荷キャリヤを捕集するための、フォトセンシングデバイスを形成すること；
    前記トランスファゲートデバイスの前記第２ドープ領域に隣接する前記基板表面ところに、第２導電性タイプ材料から成る拡散領域を形成すること、
    前記トランスファゲートデバイスは、前記フォトセンシングデバイスと前記拡散領域との間の電荷移動を可能にするチャネル領域を形成する；そして
    前記トランスファゲートデバイスの第１導電性タイプ材料から成る前記第１ドープ領域と、前記トランスファゲートデバイスの第２導電性タイプ材料から成る前記第２ドープ領域とを電気的にカップリングするための、前記デュアル仕事関数ゲート導体層の最上部にシリサイド構造を形成すること
    を含んで成るアクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）セル構造を形成する方法であって、
    前記シリサイド構造が、面積寸法で、前記デュアル仕事関数ゲート導体層の面積寸法よりも小さいアクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）セル構造を形成する方法。
JP2009539352A 2006-12-01 2007-11-30 撮像素子トランスファゲートデバイスにおけるシリサイドストラップ Active JP5096483B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/565,801 US7675097B2 (en) 2006-12-01 2006-12-01 Silicide strapping in imager transfer gate device
US11/565,801 2006-12-01
PCT/US2007/024684 WO2008069994A2 (en) 2006-12-01 2007-11-30 Silicide strapping in imager transfer gate device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010512004A JP2010512004A (ja) 2010-04-15
JP2010512004A5 true JP2010512004A5 (ja) 2011-01-20
JP5096483B2 JP5096483B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=39434223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009539352A Active JP5096483B2 (ja) 2006-12-01 2007-11-30 撮像素子トランスファゲートデバイスにおけるシリサイドストラップ

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7675097B2 (ja)
EP (1) EP2089905B1 (ja)
JP (1) JP5096483B2 (ja)
KR (1) KR101437194B1 (ja)
CN (1) CN101281918B (ja)
TW (1) TWI420659B (ja)
WO (1) WO2008069994A2 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2089898A1 (en) * 2006-11-06 2009-08-19 Nxp B.V. Method of manufacturing a fet gate
US7675097B2 (en) 2006-12-01 2010-03-09 International Business Machines Corporation Silicide strapping in imager transfer gate device
KR100810423B1 (ko) * 2006-12-27 2008-03-04 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법
US20080217679A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Macronix International Co., Ltd. Memory unit structure and operation method thereof
KR20090003854A (ko) * 2007-07-05 2009-01-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US8110465B2 (en) 2007-07-30 2012-02-07 International Business Machines Corporation Field effect transistor having an asymmetric gate electrode
US7741217B2 (en) * 2007-10-25 2010-06-22 International Business Machines Corporation Dual workfunction silicide diode
US8227844B2 (en) * 2008-01-14 2012-07-24 International Business Machines Corporation Low lag transfer gate device
US8743247B2 (en) * 2008-01-14 2014-06-03 International Business Machines Corporation Low lag transfer gate device
TWI347009B (en) * 2008-02-04 2011-08-11 Jack Kuo Continuous multigate transistors
US20090261393A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 United Microelectronics Corp. Composite transfer gate and fabrication thereof
JP5091886B2 (ja) 2009-02-13 2012-12-05 浜松ホトニクス株式会社 イメージセンサ
JP5271104B2 (ja) * 2009-02-13 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 リニアイメージセンサ
US20100314667A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Omnivision Technologies, Inc. Cmos pixel with dual-element transfer gate
US9000500B2 (en) 2009-12-30 2015-04-07 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with doped transfer gate
US8299505B2 (en) 2011-02-17 2012-10-30 International Business Machines Corporation Pixel sensor cell with a dual work function gate electode
MX2013013129A (es) 2011-05-12 2014-10-17 Olive Medical Corp Sensor de imagen mejorado para uso endoscopico.
US9070784B2 (en) 2011-07-22 2015-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal gate structure of a CMOS semiconductor device and method of forming the same
JP2013084834A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Sharp Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
US9698185B2 (en) * 2011-10-13 2017-07-04 Omnivision Technologies, Inc. Partial buried channel transfer device for image sensors
US9000527B2 (en) 2012-05-15 2015-04-07 Apple Inc. Gate stack with electrical shunt in end portion of gate stack
WO2014002365A1 (ja) * 2012-06-26 2014-01-03 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
AU2013295565B2 (en) 2012-07-26 2017-06-22 DePuy Synthes Products, Inc. Camera system with minimal area monolithic CMOS image sensor
US8809925B2 (en) * 2012-10-11 2014-08-19 Omnivision Technologies, Inc. Partial buried channel transfer device in image sensors
US8912584B2 (en) * 2012-10-23 2014-12-16 Apple Inc. PFET polysilicon layer with N-type end cap for electrical shunt
CN105228503B (zh) 2013-03-15 2017-11-07 德普伊新特斯产品公司 最小化内窥镜应用中图像传感器输入/输出和导体的数量
EP2967285B1 (en) 2013-03-15 2023-08-16 DePuy Synthes Products, Inc. Image sensor synchronization without input clock and data transmission clock
KR102089682B1 (ko) 2013-07-15 2020-03-16 삼성전자 주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
CN103456756A (zh) * 2013-09-26 2013-12-18 哈尔滨工程大学 一种有源像素结构及其制作方法
US9526468B2 (en) 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers
JP6668600B2 (ja) * 2015-03-19 2020-03-18 セイコーエプソン株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US10254389B2 (en) 2015-11-06 2019-04-09 Artilux Corporation High-speed light sensing apparatus
TWI724164B (zh) * 2017-05-05 2021-04-11 聯華電子股份有限公司 半導體元件及其製作方法
US11393867B2 (en) * 2017-12-06 2022-07-19 Facebook Technologies, Llc Multi-photodiode pixel cell
JP6975341B2 (ja) * 2018-02-23 2021-12-01 アーティラックス・インコーポレイテッド 光検出装置およびその光検出方法
US11105928B2 (en) 2018-02-23 2021-08-31 Artilux, Inc. Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof
CN110108919A (zh) * 2019-04-16 2019-08-09 天津大学 一种像素内PPD pinning电压的测量方法
WO2022137864A1 (ja) * 2020-12-21 2022-06-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び電子機器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2817518B2 (ja) * 1991-06-21 1998-10-30 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP0798785B1 (en) 1996-03-29 2003-12-03 STMicroelectronics S.r.l. High-voltage-resistant MOS transistor, and corresponding manufacturing process
EP0936667A1 (en) * 1998-01-20 1999-08-18 Lucent Technologies Inc. Lattice matched barrier for dual doped polysilicon gates
US6333205B1 (en) 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
JP3782297B2 (ja) * 2000-03-28 2006-06-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
JP4398917B2 (ja) 2000-03-28 2010-01-13 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
EP1308032A2 (en) * 2000-08-04 2003-05-07 Foveon, Inc. All-electronic high-resolution digital still camera
US6794252B2 (en) * 2001-09-28 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Method and system for forming dual work function gate electrodes in a semiconductor device
TWI296062B (en) * 2001-12-28 2008-04-21 Sanyo Electric Co Liquid crystal display device
US7335958B2 (en) * 2003-06-25 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Tailoring gate work-function in image sensors
US7064406B2 (en) 2003-09-03 2006-06-20 Micron Technology, Inc. Supression of dark current in a photosensor for imaging
US7205584B2 (en) 2003-12-22 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Image sensor for reduced dark current
US7214575B2 (en) 2004-01-06 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors
JP2005260077A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子ならびにその製造方法およびそれを用いたカメラ
JP4546201B2 (ja) * 2004-03-17 2010-09-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7288788B2 (en) * 2004-12-03 2007-10-30 International Business Machines Corporation Predoped transfer gate for an image sensor
US7217968B2 (en) 2004-12-15 2007-05-15 International Business Machines Corporation Recessed gate for an image sensor
JP4533155B2 (ja) * 2005-01-12 2010-09-01 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7115924B1 (en) * 2005-06-03 2006-10-03 Avago Technologies Sensor Ip Pte. Ltd. Pixel with asymmetric transfer gate channel doping
JP4847828B2 (ja) * 2006-09-22 2011-12-28 旭化成エレクトロニクス株式会社 Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法
US7675097B2 (en) 2006-12-01 2010-03-09 International Business Machines Corporation Silicide strapping in imager transfer gate device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010512004A5 (ja)
KR102553314B1 (ko) 이미지 센서
TWI281253B (en) Solid-state imaging device
KR102095494B1 (ko) 씨모스 이미지 센서
JP2011517509A5 (ja)
TWI295503B (en) Image sensor and pixel having a polysilicon layer over the photodiode
US8710559B2 (en) Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus
TW200901454A (en) Method, apparatus, and system to reduce ground resistance in a pixel array
JP2011124451A5 (ja)
JP2010161236A5 (ja)
WO2008069994A3 (en) Silicide strapping in imager transfer gate device
JP2012129371A5 (ja)
TW201003907A (en) Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus
JP2013080797A5 (ja)
JP2012015274A5 (ja)
JP2008041726A5 (ja)
JP2008166607A5 (ja)
US9577000B2 (en) Image sensors including photoelectric conversion portions with increased area
JP2007294486A5 (ja)
TWI393252B (zh) 固態成像裝置，照相機，及製造固態成像裝置之方法
TW201222802A (en) Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP2007110133A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP2011119543A5 (ja)
CN104347658A (zh) 成像装置、电子设备以及制造成像装置的方法
EP2249384B1 (en) CMOS image sensor