[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2006344916A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006344916A5
JP2006344916A5 JP2005171659A JP2005171659A JP2006344916A5 JP 2006344916 A5 JP2006344916 A5 JP 2006344916A5 JP 2005171659 A JP2005171659 A JP 2005171659A JP 2005171659 A JP2005171659 A JP 2005171659A JP 2006344916 A5 JP2006344916 A5 JP 2006344916A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
gate electrode
floating diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005171659A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006344916A (ja
JP4785433B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2005171659A external-priority patent/JP4785433B2/ja
Priority to JP2005171659A priority Critical patent/JP4785433B2/ja
Priority to EP06115090A priority patent/EP1732135B1/en
Priority to US11/448,020 priority patent/US7456453B2/en
Priority to EP10184077A priority patent/EP2267777A3/en
Priority to DE602006019663T priority patent/DE602006019663D1/de
Publication of JP2006344916A publication Critical patent/JP2006344916A/ja
Publication of JP2006344916A5 publication Critical patent/JP2006344916A5/ja
Priority to US12/259,350 priority patent/US7642581B2/en
Publication of JP4785433B2 publication Critical patent/JP4785433B2/ja
Application granted granted Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (11)

  1. 入射光量に応じて電荷を発生する光電変換部と、
    電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョン部と、
    前記光電変換部から前記フローティングディフュージョン部に電荷を転送する電荷転送トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路と、
    を有する画素を有する固体撮像装置であって、
    前記電荷転送トランジスタのゲート電極の、前記光電変換部側の側壁上を覆って配置された遮光部材を有し、
    前記遮光部材は、前記ゲート電極の前記フローティングディフュージョン部側の側壁上に配置されていないことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記遮光部材は、前記電荷転送トランジスタのゲート電極側面から前記光電変換部の上に延在していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記遮光部材は、複数の金属層を有することを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記複数の金属層のうち、前記ゲート電極側に配された金属層は、バリアメタルにより構成されていることを特徴とする請求項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記遮光部材と前記ゲート電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記遮光部材と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有することを特徴とする請求項乃至のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記絶縁膜に、前記遮光部材と前記ゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールを設けたことを特徴とする請求項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記コンタクトホールを前記電荷転送トランジスタのアクティブ領域外の上に開口したことを特徴とする請求項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記フローティングディフュージョン部から直接電極を引き出した構成を有することを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  10. それぞれ配線を含む複数の配線層を有し、該複数の配線層の内、前記光電変換部に最も近接した配線層の配線が前記フローティングディフュージョン部の上部に配されていることを特徴とする請求項9に記載の固体撮像装置。
  11. 前記電荷転送トランジスタのゲート電極の下部であって、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョン部との間に、前記電荷に対してポテンシャル障壁となる領域が配されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
JP2005171659A 2005-06-10 2005-06-10 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP4785433B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005171659A JP4785433B2 (ja) 2005-06-10 2005-06-10 固体撮像装置
DE602006019663T DE602006019663D1 (de) 2005-06-10 2006-06-07 Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung
US11/448,020 US7456453B2 (en) 2005-06-10 2006-06-07 Solid-state image sensing device
EP10184077A EP2267777A3 (en) 2005-06-10 2006-06-07 Solid-state image sensing device
EP06115090A EP1732135B1 (en) 2005-06-10 2006-06-07 Solid-state image sensing device
US12/259,350 US7642581B2 (en) 2005-06-10 2008-10-28 Solid-state image sensing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005171659A JP4785433B2 (ja) 2005-06-10 2005-06-10 固体撮像装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011137717A Division JP5441960B2 (ja) 2011-06-21 2011-06-21 固体撮像装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006344916A JP2006344916A (ja) 2006-12-21
JP2006344916A5 true JP2006344916A5 (ja) 2008-07-24
JP4785433B2 JP4785433B2 (ja) 2011-10-05

Family

ID=36843203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005171659A Expired - Fee Related JP4785433B2 (ja) 2005-06-10 2005-06-10 固体撮像装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7456453B2 (ja)
EP (2) EP2267777A3 (ja)
JP (1) JP4785433B2 (ja)
DE (1) DE602006019663D1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8035183B2 (en) * 2003-05-05 2011-10-11 Udt Sensors, Inc. Photodiodes with PN junction on both front and back sides
US8686529B2 (en) 2010-01-19 2014-04-01 Osi Optoelectronics, Inc. Wavelength sensitive sensor photodiodes
US7279731B1 (en) * 2006-05-15 2007-10-09 Udt Sensors, Inc. Edge illuminated photodiodes
US8519503B2 (en) * 2006-06-05 2013-08-27 Osi Optoelectronics, Inc. High speed backside illuminated, front side contact photodiode array
US7709921B2 (en) 2008-08-27 2010-05-04 Udt Sensors, Inc. Photodiode and photodiode array with improved performance characteristics
US7655999B2 (en) * 2006-09-15 2010-02-02 Udt Sensors, Inc. High density photodiodes
US8120023B2 (en) 2006-06-05 2012-02-21 Udt Sensors, Inc. Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array
JP4680552B2 (ja) * 2004-09-02 2011-05-11 富士フイルム株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2008021875A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Toshiba Corp 固体撮像装置
US9178092B2 (en) 2006-11-01 2015-11-03 Osi Optoelectronics, Inc. Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays
US7696546B2 (en) * 2007-01-19 2010-04-13 Panasonic Corporation Solid-state imaging device having wiring layer which includes lamination of silicide layer in order to reduce wiring resistance, and manufacturing method for the same
JP4110192B1 (ja) * 2007-02-23 2008-07-02 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム
US7833819B2 (en) * 2008-07-23 2010-11-16 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus for decreasing storage node parasitic charge in active pixel image sensors
US8604521B2 (en) * 2008-08-21 2013-12-10 United Microelectronics Corp. Optically controlled read only memory
WO2010031011A2 (en) 2008-09-15 2010-03-18 Udt Sensors, Inc. Thin active layer fishbone photodiode with a shallow n+ layer and method of manufacturing the same
JP5406537B2 (ja) * 2009-01-13 2014-02-05 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法
JP5476745B2 (ja) * 2009-03-05 2014-04-23 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
KR101087997B1 (ko) * 2009-04-17 2011-12-01 (주)실리콘화일 광도파관을 구비하는 이미지센서 및 그 제조방법
US8399909B2 (en) 2009-05-12 2013-03-19 Osi Optoelectronics, Inc. Tetra-lateral position sensing detector
JP5471174B2 (ja) * 2009-08-28 2014-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5546198B2 (ja) 2009-10-09 2014-07-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5641287B2 (ja) * 2010-03-31 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器
JP2012049431A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器
JP6095258B2 (ja) * 2011-05-27 2017-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び固体撮像装置を用いた撮像システム
CN104081527B (zh) * 2012-02-03 2017-12-01 索尼公司 半导体器件和电子设备
JP5971106B2 (ja) * 2012-12-17 2016-08-17 株式会社デンソー 光センサ
US8912615B2 (en) 2013-01-24 2014-12-16 Osi Optoelectronics, Inc. Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light
JP2015012126A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
KR102154184B1 (ko) 2014-03-10 2020-09-09 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법
KR102290502B1 (ko) 2014-07-31 2021-08-19 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
WO2017159362A1 (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP6633746B2 (ja) * 2016-05-17 2020-01-22 富士フイルム株式会社 撮像装置、撮像方法、プログラム、及び非一時的記録媒体
JP6407227B2 (ja) * 2016-10-05 2018-10-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び固体撮像装置を用いた撮像システム
JP7079739B2 (ja) 2017-02-17 2022-06-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
US10756129B2 (en) * 2019-01-10 2020-08-25 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors having imaging pixels with ring-shaped gates
KR102657686B1 (ko) * 2019-05-13 2024-04-15 주식회사 디비하이텍 이미지 센서 및 제조방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204544A (en) * 1987-07-03 1993-04-20 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device with stabilizing electrode
JP2827327B2 (ja) 1989-09-29 1998-11-25 ソニー株式会社 電荷転送装置
JPH03165063A (ja) * 1989-11-24 1991-07-17 Nec Corp 固体撮像素子
US5287903A (en) 1992-07-01 1994-02-22 Emilio Ambasz Carrying bags
JP3219036B2 (ja) * 1997-11-11 2001-10-15 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP2000124438A (ja) 1998-10-19 2000-04-28 Toshiba Corp 固体撮像装置
US6333205B1 (en) * 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
JP2002252341A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像装置
JP2003209230A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP4541666B2 (ja) * 2002-06-20 2010-09-08 三星電子株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
KR100508086B1 (ko) * 2002-09-11 2005-08-17 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4470364B2 (ja) * 2002-10-17 2010-06-02 ソニー株式会社 固体撮像素子及びカメラ装置
JP3840214B2 (ja) * 2003-01-06 2006-11-01 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法及び同光電変換装置を用いたカメラ
US6812539B1 (en) 2003-04-10 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Imager light shield
US7250647B2 (en) * 2003-07-03 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Asymmetrical transistor for imager device
JP2005086186A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
JP4578792B2 (ja) * 2003-09-26 2010-11-10 富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像装置
JP2005109618A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Renesas Technology Corp 通信用半導体集積回路および携帯端末システム
JP4794821B2 (ja) * 2004-02-19 2011-10-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006344916A5 (ja)
TWI433308B (zh) 固態成像裝置及其製造方法、和電子設備
JP2023014076A (ja) 撮像装置
JP2010067774A5 (ja)
JP2021119615A5 (ja) 固体撮像装置、モジュール、携帯情報端末
JP6095258B2 (ja) 固体撮像装置、及び固体撮像装置を用いた撮像システム
JP2021121028A5 (ja) カメラモジュール、及び、電子機器
JP2009176777A5 (ja)
JP2007189696A5 (ja)
JP2008283113A5 (ja)
JP2006261595A5 (ja)
JP2016138935A5 (ja)
KR102473154B1 (ko) 이미지 센서
JP2007294486A5 (ja)
JP2006262358A5 (ja)
JP2006073735A5 (ja)
JP2011199816A5 (ja)
WO2013051451A1 (ja) 固体撮像素子および電子機器
JP2008118142A5 (ja)
JP2008060195A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2013247182A5 (ja)
JP2011124451A5 (ja)
JP2013175582A5 (ja)
JP2016018963A5 (ja)
JP2011082426A5 (ja)