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TW202102449A - 離子交換方法及由彼得到之化學強化玻璃基板 - Google Patents

離子交換方法及由彼得到之化學強化玻璃基板 Download PDF

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TW202102449A
TW202102449A TW109110923A TW109110923A TW202102449A TW 202102449 A TW202102449 A TW 202102449A TW 109110923 A TW109110923 A TW 109110923A TW 109110923 A TW109110923 A TW 109110923A TW 202102449 A TW202102449 A TW 202102449A
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glass substrate
dol
mol
compressive stress
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TW109110923A
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尚恩馬修 卡諾
米其耳雷斯里 藍森
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美商康寧公司
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Abstract

揭示一種對具有等於或小於約0.3 mm之平均厚度之薄可撓性玻璃基板執行離子交換以化學強化該玻璃基板之方法。該化學強化玻璃基板包含第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層具有第一層深度；及第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層具有第二層深度，該第一應力層及該第二應力層由拉伸應力層隔開。亦描述包含該化學強化玻璃基板之積層物件。

Description

離子交換方法及由彼得到之化學強化玻璃基板
本發明大體上係關於可撓性玻璃領域，且詳言之係關於具有高機械可靠性之化學強化薄可撓性玻璃基板之生產。
一種最小化薄可撓性玻璃片或帶中之缺陷水準以實現機械可靠性之方法依賴在整個使用壽命中不引起將限制強度的額外損害或缺陷之玻璃。因為如此，可撓性玻璃基板在此情況下可能不能夠用作外表面。最近，已證實可撓性玻璃至聚合物及金屬基板之積層。儘管可能存在至厚聚合物或金屬基板之積層與整體應用要求不相容的情況。可能存在表面處要求增加之壓縮應力的額外情況。關注以新的及替代方式提高可撓性玻璃基板之表面強度以滿足新興應用需求之能力。
提高玻璃基板之強度及耐久性之一種方法為例如藉由離子交換製程化學強化玻璃基板之至少一個主表面。主表面中之一者或兩者可自玻璃基板之表面經化學強化至一深度，其中與各別主表面相關聯之經強化部分稱為主表面之化學強化之層深度（DOL）。
一旦化學強化製程完成，玻璃基板就可包括對稱應力剖面或不對稱玻璃剖面。對稱應力剖面在玻璃基板之兩個主表面經對稱地化學強化時存在，其中第一主表面之DOL實質上等於第二主表面之DOL。不對稱應力剖面例如在玻璃基板之僅一個主表面經化學強化時存在。在另一實例中，不對稱應力剖面在玻璃基板之兩個主表面經不對稱地化學強化時存在，其中第一主表面之DOL實質上不同於第二主表面之DOL。
化學強化（例如，藉由離子交換製程）亦可用於在玻璃基板之一或兩個主表面上產生任何厚度之DOL。在整個說明書中，DOL之厚度係指玻璃基板在主表面下方之強化深度，該深度藉由化學強化製程實現。本揭示案之化學強化製程允許將玻璃基板之主表面中之一者或兩者作為目標以定製玻璃基板用於預期應用。在一個實例中，比玻璃基板之平均厚度的25%大之DOL可在玻璃基板之一或兩個主表面上產生以產生對稱應力剖面或不對稱應力剖面。對稱應力剖面可在兩個表面上提供具有相等耐久性之可撓性玻璃基板。或者，不對稱應力剖面可提供可撓性玻璃基板，該可撓性玻璃基板具有相對於另一主表面具有增強耐久性之一個主表面。化學強化之對稱及不對稱玻璃基板可經進一步整合至具有聚合物、金屬或其他基板之積層結構中，該等結構包括額外玻璃結構以形成用於增加之耐久性之更複雜應力剖面。
在一個態樣中，揭示一種化學強化玻璃物件，該玻璃物件包含玻璃基板，該玻璃基板包括第一表面及與第一表面相對之第二表面，且其中第一表面與第二表面之間的玻璃基板之平均厚度等於或小於約0.3 mm；第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第一壓縮應力層包含第一層深度DOL1 ；第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含第二層深度DOL2 ；且其中DOL1 大於DOL2 。DOL1 可比DOL2 大至少2%。舉例而言，DOL1 可比DOL2 大至少6%，且在一些實施例中，DOL1 可比DOL2 大至少10%。DOL1 可等於或大於10 μm。玻璃基板之第一表面處之壓縮應力可為至少500 MPa，而玻璃基板之第二表面處之壓縮應力小於第一表面處之壓縮應力。
在另一態樣中，描述一種用於形成化學強化玻璃之方法，該方法包含以下步驟：以彎曲配置定位玻璃基板，該玻璃基板包含第一表面及與第一表面相對之第二表面，且該玻璃基板具有第一表面與第二表面之間的等於或小於0.3 mm之平均厚度，彎曲配置之玻璃基板之曲率半徑的範圍為約10 mm至約300 mm；將彎曲配置之玻璃基板浸入熔融鹼金屬鹽中，以使得第一表面及第二表面藉由熔融鹼金屬鹽接觸以產生化學強化玻璃基板；且其中化學強化玻璃基板包含第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層自玻璃基板之第一表面向內延伸至第一層深度DOL1 ；第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層自玻璃基板之第二表面向內延伸至第二層深度DOL2 ；且其中DOL1 大於DOL2 。DOL1 可比DOL2 大至少2%、比DOL2 大至少6%或比DOL2 大至少10%。化學強化玻璃基板之第一表面處之壓縮應力可為至少500 MPa，諸如，等於或大於950 MPa。化學強化玻璃基板之第二表面處之壓縮應力小於第一表面處之壓縮應力。玻璃基板可固定於裝置中，該裝置在浸入期間產生玻璃基板之彎曲配置。玻璃基板可為玻璃帶，且浸入步驟可包含以下步驟：將玻璃帶自供應捲盤移動至收緊捲盤，且其中在浸入步驟期間，至少一部分移動之玻璃帶行進穿過熔融鹼金屬鹽浴。在一些實施例中，至少一部分移動之玻璃帶可經由熔融鹼金屬鹽浴內之輥子傳送，其中輥子給予至少一部分移動之玻璃帶彎曲半徑，該彎曲半徑之範圍為約10 mm至約300 mm，諸如，範圍為約20 mm至約300 mm。DOL1 可等於或大於10 μm。
在又一實施例中，揭示一種積層物件，該積層物件包含：第一基板；第二基板，該第二基板包含第一表面及與第一表面相對之第二表面，其中第一表面與第二表面之間的第二基板之平均厚度等於或小於約0.3 mm，第二表面經黏結至第一基板，第二基板包含：玻璃基板，該玻璃基板包含：第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層自第一表面朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第一壓縮應力層包含第一層深度DOL1 ；第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層自第二表面朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含第二層深度DOL2 ；且其中DOL1 大於DOL2 。玻璃基板可包括DOL1 ，該DOL1 比DOL2 大至少10%。第一基板可包含聚合物、金屬或其他玻璃結構。在一些實施例中，第一基板包含金屬。DOL1 可比DOL2 大至少2%、比DOL2 大至少6%或比DOL2 大至少10%。第二基板之第一表面處之壓縮應力可等於或大於500 MPa，且在某些情況下等於或大於950 MPa，而第二基板之第二表面處之壓縮應力可小於第一表面處之壓縮應力。
在又一態樣中，揭示一種用於形成化學強化玻璃之方法，該方法包含以下步驟：將具有等於或小於0.3 mm之平均厚度之玻璃基板浸入熔融鹼金屬鹽浴中，以使得玻璃基板之第一表面與熔融鹼金屬鹽接觸，且玻璃基板之第二表面由整個第二表面上方之遮罩接觸以化學強化玻璃基板之至少第一表面；且其中化學強化玻璃片包含壓縮應力層，該壓縮應力層自玻璃基板之第一表面向內延伸，該壓縮應力層大於第二表面處之壓縮應力層。遮罩可包括例如金屬或載體基板中之至少一者。在一些實施例中，自玻璃基板之第一表面向內延伸之壓縮應力層可比玻璃基板之平均厚度的25%大。
在又一態樣中，揭示一種化學強化玻璃物件，該玻璃物件包含玻璃基板，該玻璃基板包括第一表面及與第一表面相對之第二表面，且其中第一表面與第二表面之間的玻璃基板之平均厚度等於或小於約0.3 mm；第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第一壓縮應力層包含第一層深度DOL1 ；且其中DOL1 比玻璃基板之平均厚度的25%大。化學強化玻璃物件可進一步包含第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含第二層深度DOL2 。在一個實例中，DOL2 可比玻璃基板之平均厚度的25%大。在另一實例中，DOL1 可等於DOL2 。
在又一態樣中，描述一種用於形成化學強化玻璃之方法，該方法包含以下步驟：將玻璃基板（該玻璃基板包含第一表面、與第一表面相對之第二表面及第一表面與第二表面之間的等於或小於0.3 mm之平均厚度）浸入熔融鹼金屬鹽中，以使得第一表面及第二表面藉由熔融鹼金屬鹽接觸以產生化學強化玻璃基板；其中化學強化玻璃基板包含第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層自玻璃基板之第一表面向內延伸至第一層深度DOL1 ；且其中DOL1 比玻璃基板之平均厚度的25%大。化學強化玻璃物件可進一步包含第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含第二層深度DOL2 。在一個實例中，DOL2 可比玻璃基板之平均厚度的25%大。在另一實例中，DOL1 可等於DOL2 。在一些實施例中，玻璃基板可為玻璃帶，且浸入步驟可包含以下步驟：將玻璃帶自供應捲盤移動至收緊捲盤，且其中在浸入步驟期間，至少一部分移動之玻璃帶行進穿過熔融鹼金屬鹽。
在又一態樣中，描述一種用於形成化學強化玻璃之方法，該方法包含以下步驟：以彎曲配置定位玻璃基板，該玻璃基板包含第一表面、與第一表面相對之第二表面及第一表面與第二表面之間的等於或小於0.3 mm之平均厚度，彎曲配置之玻璃基板之曲率半徑的範圍為約10 mm至約300 mm；將彎曲配置之玻璃基板浸入熔融鹼金屬鹽中，以使得第一表面及第二表面藉由熔融鹼金屬鹽接觸以產生化學強化玻璃基板；其中化學強化玻璃基板包含第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層自玻璃基板之第一表面向內延伸至第一層深度DOL1 ；且其中DOL1 可比玻璃基板之平均厚度的25%大。化學強化玻璃物件可進一步包含第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含第二層深度DOL2 。在一個實例中，DOL2 可比玻璃基板之平均厚度的25%大。在一些實施例中，玻璃基板可固定於裝置中，該裝置在浸入期間產生玻璃基板之彎曲配置。在其他實施例中，玻璃基板可為玻璃帶，且浸入步驟可包含以下步驟：將玻璃帶自供應捲盤移動至收緊捲盤，且其中在浸入步驟期間，至少一部分移動之玻璃帶行進穿過熔融鹼金屬鹽。至少一部分移動之玻璃帶可經由熔融鹼金屬鹽內的輥子行進，且輥子可給予至少一部分移動之玻璃帶彎曲半徑，該彎曲半徑之範圍為約10 mm至約300 mm。
在又一實施例中，揭示一種積層物件，該積層物件包含：第一基板及第二基板。第二基板包含第一表面及與該第一表面相對之第二表面，其中第一表面與第二表面之間的第二基板之平均厚度等於或小於約0.3 mm，第二表面經黏結至第一基板，第二基板包含：玻璃基板，該玻璃基板包括：第一壓縮應力層，該第一壓縮應力層自第一表面朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第一壓縮應力包含第一層深度DOL1 ；且其中DOL1 比玻璃基板之平均厚度的25%大。玻璃基板可進一步包含第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層朝向玻璃基板之中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含第二層深度DOL2 。在一個實例中，DOL2 可比玻璃基板之平均厚度的25%大。在另一實例中，DOL1 可等於DOL2 。在積層物件之又一實例中，第一基板可包括金屬及聚合物中之至少一者，或其他材料。
將在隨後之詳細描述中闡述本文中揭示之實施例的額外特徵及優點，並且對於熟習此項技術者而言，額外之特徵及優點將部分地自彼描述、隨後之申請專利範圍以及隨附圖式顯而易見或藉由實踐實施例來認識到。
應理解，前文一般描述和下文詳細描述皆呈現實施例，該等實施例意在提供用於理解實施例之性質及特性的概述或框架。包括隨附圖式以提供對實施例之進一步理解，且隨附圖式併入本說明書中並構成本說明書的一部分。圖式與描述一起用以解釋本文中揭示之實施例之原理及操作。
現將詳細參考各種實施例，在隨附圖式中圖示該等實施例之實例。在可能的情況下，將在整個圖式中使用相同元件符號指示相同或相似零件。
在玻璃之離子交換製程中，玻璃物件之表層中之離子由較大離子替換或交換，該等較大離子具有與玻璃中存在之離子相同的價態或氧化態。較大離子通常為單價金屬陽離子，諸如（但不限於）Li+ 、Na+ 、K+ 、Rb+ 、Cs+ 、Ag+ 、Tl+ 、Cu+ 等等。離子大小之失配在玻璃表面處產生壓縮應力，該壓縮應力抑制裂紋形成及裂紋傳播兩者。對於玻璃破裂，施加之應力必須將機械缺陷置於充分拉力下以傳播現有裂痕。若該等裂痕存在於離子交換層深度內，則施加之應力必須首先克服玻璃表面處之壓縮應力。玻璃中之離子交換亦可用於改變光學折射率。
離子交換製程通常包含以下步驟：將玻璃或玻璃陶瓷物件或基板浸入熔融鹽浴，該熔融鹽浴含有待由玻璃中之較小離子交換之較大離子。除了使用浴之外的其他製程係可能的，該等製程使玻璃或玻璃陶瓷物件與熔融鹽接觸以引起離子交換。在一些實施例中，離子交換浴包含、實質上由以下各物組成或由以下各物組成：至少一種鹼金屬鹽，諸如（但不限於）鈉及鉀或其他鹼金屬元素之硝酸鹽、硫酸鹽及鹵化物。在一些實施例中，離子交換浴亦可包括其他單價金屬（例如，Ag+ 、Tl、Cu等）之鹽。在一些實施例中，離子交換浴為該等鹽之共晶混合物或一種鹽在第二種鹽中的熔融溶液。熔融鹽溶液之一個非限制性實例為硝酸鉀在硝酸銨中之溶液。
熟習此項技術者將理解，用於離子交換製程之參數（包括（但不限於）浴組成物及溫度、浸入時間或交互時間、玻璃浸入一或多個鹽浴之次數、多個鹽浴之使用、額外步驟（諸如退火、洗滌）等等）通常由玻璃之組成物、玻璃表面處之壓縮應力及期望由強化製程實現之玻璃或玻璃陶瓷之壓縮層深度決定。舉例而言，含鹼金屬之玻璃之離子交換可藉由將玻璃物件浸入至少一種熔融鹼金屬鹽浴中而實現。該等KNO3 熔融鹽浴之溫度之範圍例如通常為自約380℃高達約450℃，且浸入時間之範圍可為自數分鐘高達約16小時。然而，亦可使用不同於本文中描述之彼等溫度及浸入時間的溫度及浸入時間。該等離子交換處理通常導致強化玻璃或玻璃陶瓷，該等強化玻璃或玻璃陶瓷具有處於壓縮應力（CS）下之外表層。
由離子交換產生之壓縮應力層通常在物件表面處具有最大值且隨深度而減小。為保持物件內之力均衡，存在於表面處之壓縮應力由物件之中心區域中之拉伸應力（在本文中稱為中心拉力（CT））均衡。表面與總應力為零或改變記號（例如，自壓縮應力改變為拉伸應力）之位置之間的距離稱為層深度（DOL）。對於利用單一溫度、時間、厚度及浴濃度之傳統離子交換製程，該等變量之間的關係經明確界定。
離子交換應力場之該等量度可與玻璃物件之機械效能有關。舉例而言，磨損或處理後之殘留強度藉由DOL直接改進。壓縮應力旨在控制表面裂痕行為，如由環對環或落球測試測定。低中心拉力對於控制切割期間之破壞且用於脆度控制更理想。
離子交換製程可為對稱的，由於整個玻璃物件（例如，玻璃片）浸入熔融鹽浴中，且對於玻璃片，玻璃片之兩個表面經同等離子交換。結果為具有壓縮應力層及兩個主表面處界定之層深度之化學強化玻璃片，該層深度在玻璃片之一側上與在另一側上實質上相同。第1圖圖示藉由該習知製程離子交換之玻璃基板10。所得化學強化玻璃片10包含第一壓縮應力層12、第二壓縮應力層14及安置在第一壓縮應力層12與第二壓縮應力層14之間的拉伸應力區域16。每一壓縮應力層12及14包括層深度DOL（亦即，分別為DOL1 及DOL2 ）。在第1圖之實例中，DOL1 等於DOL2 ，且DOL1 及DOL2 皆圖示為比玻璃片10之厚度「T」的25%小。壓縮應力層12之表面處的壓縮應力等於壓縮應力層14之表面處的壓縮應力。
在一些應用中，諸如，在玻璃片之兩個表面可暴露於惡劣物理環境的情況下，對稱或不對稱地化學強化兩個表面可為有利的。在其他應用中，可能需要僅強化玻璃之一個表面。仍在其他應用中，可能需要至少部分基於玻璃片之厚度控制DOL在玻璃之一或兩個表面上的厚度。經離子交換之玻璃物件可為平面基板或先前經成形為3D輪廓之基板。
在一個實例中，以對稱方式在足夠深度處提供適當壓縮應力用於所需強度效益可留下極少玻璃片之總厚度用於均衡拉伸應力。在另一實例中，極薄玻璃之應用可不需要化學強化玻璃片之兩個表面，或僅需要玻璃片之一個表面比玻璃片之另一表面強化更多。舉例而言，該等玻璃片可用作用於電子顯示裝置（諸如，電腦、手機及平板電腦）之蓋玻璃，其中強化玻璃貼附至或部署於顯示面板前面，且因此，僅強化玻璃之單一表面暴露於周圍環境。在其他例子下，玻璃片可經積層至其他表面，諸如，家用或辦公器具或家具的聚合物或金屬表面。仍在其他例子中，僅一個表面需要經離子交換或至少需要離子交換至比另一側高之程度，此係由於積層至聚合物或金屬或其他基板材料之相對表面將不暴露於外部環境。因此，本揭示案係針對生產對稱及不對稱離子交換玻璃基板之方法及所得基板。
第2圖圖示經不對稱離子交換之玻璃基板20之橫截面邊視圖。玻璃基板20包含第一壓縮應力層22，該第一壓縮應力層22自玻璃基板20之第一表面24朝向玻璃基板之中心向內延伸。玻璃基板20進一步包含第二壓縮應力層26，該第二壓縮應力層26自玻璃基板20之第二表面28朝向玻璃基板之中心向內延伸。層深度分別與第一壓縮應力層及第二壓縮應力層中之每一者相關聯，亦即，DOL1 及DOL2 。玻璃基板具有總厚度「T」。如圖所示，DOL1 不同於DOL2 ，且如第2圖中所示，DOL1 大於DOL2 ，其中DOL1 圖示為比玻璃基板20之厚度「T」的25%大，且DOL2 圖示為比玻璃基板20之厚度「T」的25%小，從而產生玻璃片之不對稱應力剖面。拉伸區域30安置在第一壓縮應力層與第二壓縮應力層之間且導致玻璃基板之剩餘厚度。亦即，拉伸區域30之厚度為T-（DOL1 +DOL2 ）。對於第2圖中所示之玻璃片，表面24（與較大層深度相關聯之表面）為理想地將暴露於外部環境之表面。
在一些實施例中，僅一個表面（表面24）可經離子交換，且DOL2 為零。第10圖中圖示此實施例。如第10圖中進一步所示，DOL1 可比玻璃基板20之厚度「T」的25%大。如圖所示，DOL1 為玻璃基板20之厚度「T」之30%。在其他實例中，DOL1 之範圍可為玻璃基板20之厚度「T」之25% ＜DOL1 ≦90%（例如，26%、30%、35%、40%、45%、50%、60%、70%、80%、90%）。如所述，在一些實例中，基板可具有等於或小於0.3 mm、等於或小於約0.2 mm、等於或小於0.1 mm或等於或小於0.05 mm之厚度。另外，基板可由多個不同組成物層製成，其中至少一個基板表面上之外層可離子交換。
在另一實例中，如同第2圖之實施例，第11圖圖示其中玻璃基板20可經不對稱離子交換以產生比玻璃基板20之厚度「T」的25%大之DOL1 及比玻璃基板20之厚度「T」的25%小之DOL2 。在第11圖中，DOL1 圖示為玻璃基板20之厚度「T」之30%，且DOL2 圖示為玻璃基板20之厚度「T」之20%。在第12圖中所示之又一實例中，玻璃基板20可經不對稱離子交換以產生比玻璃基板20之厚度「T」的25%大之DOL1 及亦比玻璃基板20之厚度「T」的25%大之DOL2 。在第12圖中，DOL1 圖示為玻璃基板20之厚度「T」之50%，且DOL2 圖示為玻璃基板20之厚度「T」之30%。
在第13圖中所示之又一實例中，玻璃基板20可經對稱離子交換以產生DOL1 ，該DOL1 等於DOL2 ，其中DOL1 及DOL2 中之每一者比玻璃基板20之厚度「T」的25%大。在第13圖中，DOL1 及DOL2 中之每一者圖示為玻璃基板20之厚度「T」之35%。
根據本揭示案之實施例，適用於離子交換之玻璃基板可包含鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃且包含如下所列之各種玻璃組成物。在一個此實施例中，玻璃實質上不含鋰。根據本揭示案，除以下所列之彼等組成物之外，各種其他鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物可用作蓋玻璃。
在一個實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含：氧化鋁與氧化硼中之至少一者及鹼金屬氧化物與鹼土金屬氧化物中之一者，其中-15莫耳%≦（R2 O+R’O-Al2 O3 -ZrO2 ）-B2 O3 ≦4莫耳%，其中R為Li、Na、K、Rb及Cs中之一者，且R’為Mg、Ca、Sr及Ba中之一者。在一些實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含：約62莫耳%至約70莫耳%之SiO2 、0莫耳%至約18莫耳%之Al2 O3 、0莫耳%至約10莫耳%之B2 O3 、0莫耳%至約15莫耳%之Li2 O、0莫耳%至約20莫耳%之Na2 O、0莫耳%至約18莫耳%之K2 O、0莫耳%至約17莫耳%之MgO、0莫耳%至約18莫耳%之CaO及0莫耳%至約5莫耳%之ZrO2 。玻璃在Matthew J. Dejneka等人於2008年11月25日申請之名為「Glasses Having Improved Toughness and Scratch Resistance」且主張2007年11月29日申請之美國臨時專利申請案第61/004,677號之優先權的美國專利申請案第12/277,573號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在另一實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含：約60莫耳%至約70莫耳%之SiO2 、約6莫耳%至約14莫耳%之Al2 O3 、0莫耳%至約15莫耳%之B2 O3 、0莫耳%至約15莫耳%之Li2 O、0莫耳%至約20莫耳%之Na2 O、0莫耳%至約10莫耳%之K2 O、0莫耳%至約8莫耳%之MgO、0莫耳%至約10莫耳%之CaO、0莫耳%至約5莫耳%之ZrO2 、0莫耳%至約1莫耳%之SnO2 、0莫耳%至約1莫耳%之CeO2 、小於約50 ppm之As2 O3 及小於約50 ppm之Sb2 O3 ，其中12莫耳%≦Li2 O+Na2 O+K2 O≦20莫耳%，及0莫耳%≦MgO+CaO≦10莫耳%。玻璃在Sinue Gomez等人於2012年4月17日發佈之名為「Fining Agents for Silicate Glasses」且主張2008年2月26日申請之美國臨時專利申請案第61/067,130號之優先權的美國專利案第8,158,543號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在另一實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃具有小於約1晶種/cm3 之晶種濃度且包含：60莫耳%至72莫耳%之SiO2 、6莫耳%至14莫耳%之Al2 O3 、0莫耳%至15莫耳%之B2 O3 、0莫耳%至1莫耳%之Li2 O、0莫耳%至20莫耳%之Na2 O、0莫耳%至10莫耳%之K2 O、0莫耳%至2.5莫耳%之CaO、0莫耳%至5莫耳%之ZrO2 、0莫耳%至1莫耳%之SnO2 及0莫耳%至1莫耳%之CeO2 ，其中12莫耳%≦Li2 O+Na2 O+K2 O≦20莫耳%，且其中矽酸鹽玻璃包含小於50 ppm之As2 O3 。在其他實施例中，矽酸鹽玻璃包含：60莫耳%至72莫耳%之SiO2 、6莫耳%至14莫耳%之Al2 O3 、0.63莫耳%至15莫耳%之B2 O3 、0莫耳%至1莫耳%之Li2 O、0莫耳%至20莫耳%之Na2 O、0莫耳%至10莫耳%之K2 O、0莫耳%至10莫耳%之CaO、0莫耳%至5莫耳%之ZrO2 、0莫耳%至1莫耳%之SnO2 及0莫耳%至1莫耳%之CeO2 ，其中12莫耳%≦Li2 O+Na2 O+K2 O≦20莫耳%。在進一步實施例中，矽酸鹽玻璃包含：60莫耳%至72莫耳%之SiO2 、6莫耳%至14莫耳%之Al2 O3 、0莫耳%至15莫耳%之B2 O3 、0莫耳%至1莫耳%之Li2 O、0莫耳%至20莫耳%之Na2 O、0莫耳%至10莫耳%之K2 O、0莫耳%至10莫耳%之CaO、0莫耳%至5莫耳%之ZrO2 、0莫耳%至1莫耳%之SnO2 及0莫耳%至1莫耳%之CeO2 ，其中12莫耳%≦Li2 O+Na2 O+K2 O≦20莫耳%，其中0.1莫耳%≦SnO2 +CeO2 ≦2莫耳%，且其中矽酸鹽玻璃由批料或原料形成，該等材料包括至少一種氧化劑澄清劑。玻璃在Sinue Gomez等人於2013年4月30日申請之名為「Silicate Glasses Having Low Seed Concentration」且主張2008年2月26日申請之美國臨時專利申請案第61/067,130號之優先權的美國專利案第8,431,502號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在另一實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含SiO2 及Na2 O，其中玻璃具有溫度T35kp ，在該溫度T35kp 處，玻璃具有35千泊（kpoise）之黏度，且其中鋯石分解形成ZrO2 及SiO2 之溫度Tbreakdown 大於T35kp 。在一些實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含：約61莫耳%至約75莫耳%之SiO2 、約7莫耳%至約15莫耳%之Al2 O3 、0莫耳%至約12莫耳%之B2 O3 、約9莫耳%至約21莫耳%之Na2 O、0莫耳%至約4莫耳%之K2 O、0莫耳%至約7莫耳%之MgO及0莫耳%至約3莫耳%之CaO。玻璃在Matthew J. Dejneka等人於2010年8月10日申請之名為「Zircon Compatible Glasses for Down Draw」且主張2009年8月29日申請之美國臨時專利申請案第61/235,762號之優先權的美國專利申請案第12/856,840號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在另一實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含至少50莫耳%之SiO2 及至少一種改質劑，該改質劑係選自由以下組成之群組：鹼金屬氧化物及鹼土金屬氧化物，其中[（Al2 O3 （莫耳%）+B2 O3 （莫耳%））/（Σ鹼金屬改質劑（莫耳%）]＞1。在一些實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含：50莫耳%至約72莫耳%之SiO2 、約9莫耳%至約17莫耳%之Al2 O3 、約2莫耳%至約12莫耳%之B2 O3 、約8莫耳%至約16莫耳%之Na2 O及0莫耳%至約4莫耳%之K2 O。玻璃在Kristen L. Barefoot等人於2010年8月18日申請之名為「Crack And Scratch Resistant Glass and Enclosures Made Therefrom」且主張2009年8月21日申請之美國臨時專利申請案第61/235,767號之優先權的美國專利申請案第12/858,490號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在另一實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含SiO2 、Al2 O3 、P2 O5 及至少一種鹼金屬氧化物（R2 O），其中0.75≦[（P2 O5 （莫耳%）+R2 O（莫耳%））/M2 O3 （莫耳%）]≦1.2，其中M2 O3 =Al2 O3 +B2 O3 。在一些實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含：約40莫耳%至約70莫耳%之SiO2 、0莫耳%至約28莫耳%之B2 O3 、0莫耳%至約28莫耳%之Al2 O3 、約1莫耳%至約14莫耳%之P2 O5 及約12莫耳%至約16莫耳%之R2 O，且在某些實施例中，約40莫耳%至約64莫耳%之SiO2 、0莫耳%至約8莫耳%之B2 O3 、約16莫耳%至約28莫耳%之Al2 O3 、約2莫耳%至約12莫耳%之P2 O5 及約12莫耳%至約16莫耳%之R2 O。玻璃在Dana C. Bookbinder等人於2011年11月28日申請之名為「Ion Exchangeable Glass with Deep Compressive Layer and High Damage Threshold」且主張2010年11月30日申請之美國臨時專利申請案第61/417,941號之優先權的美國專利申請案第13/305,271號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
仍在其他實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含至少約4莫耳%之P2 O5 ，其中（M2 O3 （莫耳%）/Rx O（莫耳%））＜1，其中M2 O3 =Al2 O3 +B2 O3 ，且其中Rx O為鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃中存在之單價陽離子氧化物及二價陽離子氧化物的總和。在一些實施例中，單價陽離子氧化物及二價陽離子氧化物係選自由以下組成之群組：Li2 O、Na2 O、K2 O、Rb2 O、Cs2 O、MgO、CaO、SrO、BaO及ZnO。在一些實施例中，玻璃包含0莫耳%之B2 O3 。玻璃在Timothy M. Gross於2012年11月15日申請之名為「Ion Exchangeable Glass with High Crack Initiation Threshold」且主張2011年11月16日申請之美國臨時專利申請案第61/560,434號之優先權的美國專利申請案第13/678,013號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在其他實施例中，鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃包含至少約50莫耳%之SiO2 及至少約11莫耳%之Na2 O，且壓縮應力為至少約900 MPa。在一些實施例中，玻璃進一步包含Al2 O3 以及B2 O3 、K2 O、MgO及ZnO中之至少一者，其中-340+27.1之Al2 O3 -28.7之B2 O3 +15.6之Na2 O-61.4之K2 O+8.1之（MgO+ZnO）≧0莫耳%。在特定實施例中，玻璃包含：約7莫耳%至約26莫耳%之Al2 O3 、0莫耳%至約9莫耳%之B2 O3 、約11莫耳%至約25莫耳%之Na2 O、0莫耳%至約2.5莫耳%之K2 O、0莫耳%至約8.5莫耳%之MgO及0莫耳%至約1.5莫耳%之CaO。玻璃在Matthew J. Dejneka等人於2012年6月26日申請之名為「Ion Exchangeable Glass with High Compressive Stress」且主張2011年7月1日申請之美國臨時專利申請案第61/503,734號之優先權的美國專利申請案第13/533,298號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在一些實施例中，玻璃包含：至少約50莫耳%之SiO2 ；至少約10莫耳%之R2 O，其中R2 O包含Na2 O；Al2 O3 及B2 O3 ，其中B2 O3 -（R2 O-Al2 O3 ）≧3莫耳%。在某些實施例中，玻璃包含：至少約50莫耳%之SiO2 ；約9莫耳%至約22莫耳%之Al2 O3 ；約3莫耳%至約10莫耳%之B2 O3 ；約9莫耳%至約20莫耳%之Na2 O；0莫耳%至約5莫耳%之K2 O；至少約0.1莫耳%之MgO、ZnO或MgO及ZnO之組合，其中0莫耳%≦MgO≦6莫耳%及0莫耳%≦ZnO≦6莫耳%；及視情況CaO、BaO及SrO中之至少一者，其中0莫耳%≦CaO+SrO+BaO≦2莫耳%。在一些實施例中，當經離子交換時，玻璃具有至少約10 kgf之維氏裂紋形成閾值。該等玻璃在Matthew J. Dejneka等人於2013年5月28日申請之名為「Zircon Compatible, Ion Exchangeable Glass with High Damage Resistance」且主張2012年5月31日申請之美國臨時專利申請案第61/653,489號之優先權的美國專利申請案第13/903,433號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在一些實施例中，玻璃包含：至少約50莫耳%之SiO2 ；至少約10莫耳%之R2 O，其中R2 O包含Na2 O；Al2 O3 ，其中-0.5莫耳%≦Al2 O3 （莫耳%）-R2 O（莫耳%）≦2莫耳%；及B2 O3 ，且其中B2 O3 （莫耳%）-（R2 O（莫耳%）-Al2 O3 （莫耳%））≧4.5莫耳%。在其他實施例中，玻璃具有與玻璃具有大於約40千泊之黏度的溫度相等之鋯石分解溫度且包含：至少約50莫耳%之SiO2 ；至少約10莫耳%之R2 O，其中R2 O包含Na2 O；Al2 O3 ；及B2 O3 ，其中B2 O3 （莫耳%）-（R2 O（莫耳%）-Al2 O3 （莫耳%））≧4.5莫耳%。仍在其他實施例中，玻璃經離子交換、具有至少約30 kgf之維氏裂紋形成閾值且包含：至少約50莫耳%之SiO2 ；至少約10莫耳%之R2 O，其中R2 O包含Na2 O；Al2 O3 ，其中-0.5莫耳%≦Al2 O3 （莫耳%）-R2 O（莫耳%）≦2莫耳%；及B2 O3 ，其中B2 O3 （莫耳%）-（R2 O（莫耳%）-Al2 O3 （莫耳%））≧4.5莫耳%。該等玻璃在Matthew J. Dejneka等人於2013年5月28日申請之名為「Zircon Compatible, Ion Exchangeable Glass with High Damage Resistance」且主張2012年5月31日申請之美國臨時專利申請案第61/653,485號之優先權的美國專利申請案第13/903,398號中描述，該等申請案之內容全文以引用之方式併入本文中。
在一些實施例中，上文中描述之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃實質上不含（亦即，含有0莫耳%）以下至少一者：鋰、硼、鋇、鍶、鉍、銻及砷。此外，在許多實施例中，鋁矽酸鹽玻璃組成物可包含≧12莫耳%之Na2 O。
壓縮應力層之形成可藉由使玻璃基板藉由浸漬、浸入、噴塗等等與先前描述之熔融鹽浴接觸來完成，在接觸期間，玻璃基板之外區域或外部區域中之較小陽離子由來自熔融鹽浴之等價（通常1+ ）之較大陽離子取代或交換，以使外區域或外部區域置於壓力下，而玻璃之內部區域（其中未發生離子交換）處於拉力下。使基板表面與熔融鹽接觸以產生離子交換之其他方法亦係可能的。條件（諸如，接觸時間、熔融鹽溫度及熔融鹽浴中之鹽濃度）可經調節以實現壓縮應力層（發生離子交換之外部區域）中之所需DOL及CS。
舉例而言，形成壓縮應力層之方法之一種實施需要使玻璃基板浸入約380攝氏度（℃）至約460℃之溫度之含KNO3 之熔融鹽浴達範圍為約30分鐘至約24小時之時間週期以經由離子交換給予壓縮應力。在該等實施中，含KNO3 之熔融鹽浴可完全由KNO3 形成；含KNO3 之熔融鹽浴可包括作為經受離子交換之唯一活性組分之KNO3 ，以及額外組分，該等額外組分在離子交換製程中失活，但例如幫助熔融鹽浴穩定性、pH控制、黏度控制等等；或含KNO3 之熔融鹽浴可包括KNO3 及第二或其他活性組分，該組分經受離子交換，且含KNO3 之熔融鹽浴可視情況包括額外組分，該等額外組分在離子交換製程中失活，但例如幫助熔融鹽浴穩定性、pH控制、黏度控制等等。
自前文應顯而易見的是，離子交換製程之化學變量及製程變量將由玻璃組成物及由所需強化程度決定。更重要的是實現對稱及不對稱離子交換之方式。在一些實施例中，如第3圖中所示，遮罩材料32（「遮罩」）可塗覆至玻璃片之一個表面上，例如，第二表面28。遮罩材料可為金屬膜，諸如，鋁膜，該膜經氣相沉積於玻璃片上且黏結至並覆蓋玻璃片之整個表面。遮罩防止或視材料及接觸方式而定減少玻璃片之第二表面28與熔融金屬浴之間的交互作用，且導致玻璃片之第一表面24為離子交換表面，而玻璃片之第二表面28經離子交換至比第一表面24小之程度，或根本不經離子交換。在其他實施例中，玻璃片之表面可接觸但不黏結至遮罩材料。舉例而言，第二表面28可接觸但不黏結或接近板（諸如，金屬板）置放，該板阻礙接觸表面與熔融金屬浴之間的接觸。當與非接觸表面處之層深度DOL1 相比時，該配置導致接觸表面28處之降低之層深度DOL2 。除了金屬板之外，此舉亦可由接近接觸表面28之輥子或圓弧表面實現。在另一實例中，玻璃片可暫時黏結至充當遮罩之材料，諸如，載體。雖然基板暫時黏結至載體，但可實質上減少或抑制對第二表面之離子交換。在離子交換製程執行之後，玻璃片可自載體脫結。
參看第4圖，在又一實施例中，具有實質上自然平面形狀之玻璃基板20可以彎曲配置置放，在玻璃片接觸熔融金屬浴之週期期間，該配置包含曲率半徑r。合適之曲率半徑範圍可為約10 mm至約40 mm，例如，範圍為約20 mm至約40 mm，視所需DOL之間的差異程度而定。可根據需要使用其他半徑。如本文中所使用，玻璃片之自然形狀旨在意謂在不有意施加將改變玻璃片之形狀的外力的情況下玻璃片之形狀。
玻璃片之曲率引起一個表面處之壓縮應力及相對表面處之拉伸應力。關於第4圖，第一表面24為凸面且包括拉伸應力，而第二表面28為凹面，該凹面包括壓縮應力。玻璃片之硬度（亦即，彎曲玻璃片所需之力）視厚度之三次方而定，但藉由彎曲形成於玻璃片中之彎曲應力線性地取決於玻璃厚度。隨著玻璃厚度減小，需要更少力來彎曲玻璃且形成給定彎曲應力。
由彎曲引起之不同應力控制離子交換製程可進行之程度，其中壓縮應力阻礙離子交換進度，且拉伸應力可提高離子交換速率。由拉伸應力及壓縮應力產生之不同離子交換速率導致第一表面24與第二表面28之間的不對稱層深度。可例如藉由控制曲率半徑（例如，藉由將玻璃片安裝於裝置（諸如，第4圖中所示之夾具34）中）來控制曲率，該裝置維持玻璃片在玻璃片暴露至熔融金屬浴期間（視所需應力剖面及層深度而定，在整個暴露週期期間或整個暴露週期之一部分期間）之彎曲配置。如第4圖中所示，夾具可經設計，以使得基板之曲率半徑可用調節螺絲組合件35或此項技術中已知之相似機械方法而改變。使用遮罩層控制交換製程之不對稱性亦可與使用彎曲應力組合。例如，300 mm或更大之彎曲半徑可與遮罩層組合使用以提供所得不對稱交換之物體的較佳彎曲方向。
在一個實例中，鋁矽酸鈉玻璃片（Corning®編碼2319玻璃）重拉成100 μm之厚度。100 μm厚之玻璃片經雷射切割成50 mm×50 mm之件。切割件接著在置放於爐中之熔融KNO3 浴中經離子交換。彎曲半徑、離子交換時間及爐溫度之參數經改變以識別對離子交換製程之影響。在評估期間，在自然發生之平坦、通常無應力狀態下或藉由將切割件置放於具有範圍為20 mm至40 mm之彎曲半徑之夾具34中及將夾具及玻璃基板之切割件浸入熔融KNO3 浴中來離子交換切割件。爐溫度在三個溫度（亦即，380℃、410℃及440℃）內改變。離子交換時間自1小時變化至1.5小時。使用用於量測表面應力之市售儀器（Luceo有限公司（日本東京）製造之FSM-6000）量測離子交換樣本之所得DOL及CS。
第5圖及第6圖圖示切割玻璃樣本之彎曲形狀如何影響離子交換製程。在此情況下，第5圖中繪製CS之百分數差，其中橫軸（X）表示彎曲半徑（mm），且縱軸（Y）表示壓縮應力之百分數差（凸對凹）。另外，第6圖中繪製DOL之百分數差，其中橫軸（X）表示彎曲半徑（mm），且縱軸（Y）表示層深度之百分數差（凸對凹）。CS及DOL之百分數差展示CS及DOL在彎曲玻璃基板之凸（拉伸）側對內凹（壓縮）側之增長。資料展示彎曲玻璃使用相應誘發之彎曲應力可控制發生之離子交換水準。實現CS中大於10%之差及DOL中大於20%之差，從而確定不對稱離子交換可經由彎曲應力實現及控制。
第7圖圖示100 μm厚之離子交換樣本之凸面（線40）及凹面（線42）相比於保持平坦之參考樣本（線44）之實際壓縮應力值。橫軸（X）表示彎曲半徑（mm），且縱軸表示壓縮應力（MPa）。該等樣本在380℃的溫度下經離子交換1.5小時。資料展示玻璃之凸面不僅實現比凹面高之壓縮應力值，且低應力凸面亦具有比參考平坦樣本高之壓縮應力。相應地，凹面具有相比於參考面降低之壓縮應力值。此情況同樣適用於以20 mm之曲率半徑以及以40 mm曲率半徑彎曲之玻璃部分。資料進一步指示不僅可產生不對稱應力剖面，且離子交換製程之速度可實質上藉由利用彎曲應力提高。
在另一實例中，鋁矽酸鈉玻璃片（Corning®編碼2319玻璃）重拉成50 μm之厚度。50 μm厚之玻璃片使用雷射切割成100 mm×20 mm之件，以減少沿玻璃片之邊緣的缺陷，該等缺陷可另外作為機械切割之結果發生。產生各種樣本，包括不對稱離子交換樣本、不具有離子交換表面之樣本及對稱離子交換樣本。每一樣本接著以10 mm/s之恆定速度經受兩點彎曲強度測試。不對稱樣本包括玻璃片之一個表面上之中心區域，該中心區域使用75 nm之鋁塗層遮蔽以防止長度為約30 mm之區域在一個表面上經離子交換。為限制該片中之捲曲程度，鄰近中心區域之末端區域未經遮蔽。該片在420℃下經離子交換1小時。該片之每一末端具有對稱離子交換表面，該等表面具有約15 μm之層深度（例如，玻璃片之厚度之30%）。中心區域在一個表面上具有約15 μm之離子交換DOL（例如，玻璃片之厚度之30%）且在遮蔽表面上不具有DOL。離子交換表面具有約850 MPa之壓縮應力。仍進一步地，產生兩個類型之對稱樣本。一種類型之對稱樣本經離子交換1小時以在玻璃片之兩個表面上產生約15 μm之對稱層深度（例如，玻璃片之厚度之30%）。另一類型之對稱樣本經離子交換較少時間以在玻璃片之兩個表面上產生低於9 μm（例如，5 μm至7 μm）之對稱層深度。強度分佈對破裂機率在各種樣本之所有離子交換表面及所有非離子交換表面之間進行比較。關於離子交換表面，經觀察，該等表面（無論玻璃片是以對稱方式還是不對稱方式經離子交換）以10%之破裂機率展現約1000 MPa之可比較強度分佈。類似地，關於未經離子交換之表面，經觀察，該等表面（無論是玻璃片未經離子交換還是表面經遮蔽）亦以10%之破裂機率展現範圍為300 MPa至600 MPa之可比較強度分佈。
在第14圖中所示之進一步比較中，不對稱樣本之離子交換表面之強度與用鋁塗層遮蔽之表面（例如，未經離子交換）之強度進行比較。在第14圖中，橫軸（X）表示強度（MPa），且縱軸（Y）表示破裂機率（%）。如曲線圖中所示，適應對應於離子交換表面70之資料點之線說明針對可比較破裂機率比適應對應於非離子交換或遮蔽之表面72之資料點的線高之強度。舉例而言，以10%之破裂機率，非離子交換表面具有小於500 MPa之平均強度，而離子交換表面具有大於1000 MPa之平均強度。此舉展示在一個實例中，離子交換表面之強度可為非離子交換表面之彼強度的兩倍。在其他實例中，離子交換表面之強度可為大於非離子交換表面之強度之任何值（例如，大2倍、5倍或10倍）。
可推論可實現具有降低之厚度之玻璃基板中的有意義DOL值及CS值。若離子交換條件受CT及脆度限制，先前「未使用」之DOL及CS自背面轉移至要求提高之耐久性之表面可用於最大化對極薄可撓性玻璃基板之保護。以此方式，不對稱離子交換玻璃物體之單一側上之較大DOL可大於對稱交換物體中可實現之DOL。此外，相比可使用對稱方法實現DOL，用於形成不對稱離子交換剖面之方法可在一個表面上更快地實現所需DOL。由於離子在不需要該等離子之表面上未經交換，故通常用於離子交換製程之鹽浴在替換前可具有延長之使用壽命。另外，具有等於或小於0.3 mm之厚度之玻璃基板的降低之硬度可在玻璃基板中產生以非預定型樣彎曲及偏轉之趨勢。在諸如封裝層之一些應用中，要求使基板以可預期且預定之方式偏轉。形成不對稱離子交換剖面可用於在可撓性玻璃基板中產生可用於預測及控制應力型樣之較佳彎曲狀態。
如第8圖中所示，在離子交換製程中使用彎曲應力用於可撓性玻璃可在所謂的捲盤至捲盤（RTR）製程期間使用，其中薄可撓性玻璃帶50可在處理期間自源捲盤52傳送至收緊捲盤54。處理玻璃帶（諸如，磨邊、拋光、膜沉積或任何其他已知或未知製程步驟）可在源捲盤與收緊捲盤之間的一或多個位置處執行。雖然條件可改變以適應典型捲盤至捲盤橫移速度，但玻璃帶可經傳送，以使得玻璃帶浸入容器58內之熔融鹽浴56中。玻璃帶50可經由一或多個輥子59傳送，該一或多個輥子59可用於在一個玻璃表面之玻璃帶或遮罩中形成彎曲應力，而玻璃帶經由熔融鹽浴及可撓性玻璃之後續加速離子交換傳送。或者藉由最小化差分彎曲應力，RTR傳送製程亦可用於實現具有大於總基板厚度之25%之DOL的對稱離子交換剖面。不對稱交換製程亦可藉由在經由鹽浴之RTR傳送期間在玻璃帶中使用迴路而實現。亦可藉由在鹽浴之表面上傳送玻璃帶實現不對稱交換製程，其中玻璃帶之一個側與鹽之交互作用比另一側少。不對稱交換製程藉由使玻璃帶之一個表面用遮罩層塗佈亦在捲盤至捲盤製程中為可能的。除了連續捲盤至捲盤製程之外，該等一般製程對用輥子系統傳送之可撓性玻璃基板之離散片亦為可能的。
本文中揭示之技術可用於其他可撓性玻璃應用之離子交換中，該等應用包括強化玻璃片、生產抗菌表面及光學波導。
如前所述，離子交換可撓性玻璃基板可與整體積層結構組合以在玻璃中形成複雜壓縮應力剖面。該可撓性玻璃基板可經對稱或不對稱離子交換，且一或兩個主基板表面處之DOL可比總基板厚度的25%大。舉例而言，可撓性玻璃片可經不對稱離子交換以在玻璃基板之表面處形成等於或大於500 MPa（兆帕），且在一些實施例中，等於或大於950 MPa之壓縮應力，且在積層堆疊之朝外表面（亦即，表面24）上形成等於或大於10 μm之層深度。將可撓性玻璃積層至底層聚合物或金屬堆疊之製程可形成附加壓縮應力剖面，且組合剖面可為應用提供整體完全可靠性解決方案。此情況可例如因為不對稱層深度且因而不對稱應力剖面可導致離子交換玻璃基板展現出自然彎曲狀態而發生。若玻璃在將玻璃應用於底層物件期間經平坦化，則平坦化可引起玻璃表面中之額外壓縮應力。複雜壓縮應力剖面亦可由附加離子交換壓縮應力與交換基板與層壓層之任何差分膨脹或收縮組合（諸如，由於差分熱膨脹或其他機制）而形成。第9圖中圖示積層結構60，該積層結構60包含化學強化玻璃基板20，該玻璃基板20黏結至底層基板62。玻璃基板20可例如使用黏著劑層64黏結至基板62。底層基板62可包含任何合適聚合物或金屬，且可例如包含器具，諸如，冰箱、爐、桌子或可得益於抗損壞玻璃層之任何其他裝置、設備或結構。在一些實施例中，基板62可包含除聚合物或金屬之外的材料。在不同應用中，使具有較高DOL之表面與層壓層相對可為有利的。在其他應用中，若在使用期間將經受較高拉伸應力，則使較高DOL表面積層至堆疊內部可為有利的。另外，積層結構不必為平面設計，如第9圖中所示。包括不對稱離子交換玻璃之積層結構可為凸狀、凹狀或複雜曲率形狀。積層結構不必為靜態形狀，但亦可在該積層結構使用期間經動態彎曲。積層結構可藉由使用黏著劑或將層黏結在一起之其他方法而形成。為滿足不同應用要求，不對稱離子交換可撓性玻璃可黏結至薄聚合物膜或塗層、金屬箔或其他層。舉例而言，可撓性玻璃不必比整體積層結構中之該可撓性玻璃黏結之其他層薄。
作為經化學強化以實現比總厚度的25%大之DOL之玻璃基板之實例，使用100 μm厚之玻璃基板。在一種情況下，玻璃基板之兩個主表面成實質上相同（例如，對稱地）經離子交換以在每一表面上產生相似DOL值。對於100 μm厚之基板，在兩個主表面上實現之DOL大於30 μm。為證明不對稱離子交換，在100 μm之玻璃基板之一個主表面上形成大於40 μm之DOL，其中另一表面上實質上未發生離子交換。在該等實例中經離子交換之基板能夠彎曲至比非離子交換基板小的半徑。
作為經化學強化以實現比總厚度的25%大之DOL之玻璃基板之另一實例，鋁矽酸鈉玻璃片（Corning®編碼2319玻璃）經重拉至50 μm之厚度。玻璃片在420℃下對稱離子交換1小時35分鐘以在基板之每一表面上產生約20.25 μm（例如，玻璃基板之平均厚度之40.5%）之平均層深度。每一層深度處之壓縮應力平均為642 MPa，且基板在沒有任何明顯脆度的情況下易於操縱。
對熟習此項技術者將顯而易見的是，在不脫離該等實施例之精神及範疇的情況下，可對該等實施例作出各種修改及變化。因此，若該等修改及變化在附隨申請專利範圍及附隨申請專利範圍之等效物的範疇內，則該等實施例旨在涵蓋該等修改及變化。
10:玻璃基板 12:第一壓縮應力層 14:第二壓縮應力層 16:拉伸應力區域 20:玻璃基板 22:第一壓縮應力層 24:第一表面 26:第二壓縮應力層 28:第二表面 30:拉伸區域 32:遮罩材料 34:夾具 35:調節螺絲組合件 40:線 42:線 44:線 50:玻璃帶 52:源捲盤 54:收緊捲盤 56:熔融鹽浴 58:容器 59:輥子 60:積層結構 62:基板 64:黏著劑層 70:離子交換表面 72:非離子交換或遮蔽表面 d:距離 DOL1 :第一層深度 DOL2 :第二層深度 T:厚度 X:橫軸 Y:縱軸
第1圖為習知生產之化學強化玻璃基板之橫截面視圖，該玻璃基板針對基板之相對表面具有對稱層深度，其中每一層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%小。
第2圖為玻璃基板之橫截面視圖，該玻璃基板由本文中揭示之實施例生產且針對基板之相對表面具有不對稱層深度，其中一個層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%大，且另一層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%小。
第3圖為與遮罩接觸之玻璃基板之側視圖，其中一個層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%大，且另一層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%小。
第4圖為定位於夾具內之玻璃基板的側視圖，該夾具給予玻璃基板曲率，夾具及玻璃基板可浸入熔融鹽浴中。
第5圖為圖示玻璃基板之表面（其中表面在離子交換製程期間具有凸面）處之壓縮應力與在離子交換製程期間具有凹曲率之相對表面處之壓縮應力之間的百分比差的圖表。
第6圖為圖示玻璃基板之表面（其中表面在離子交換製程期間具有凸面）處之層深度與在離子交換製程期間具有凹曲率之相對表面處之層深度之間的百分比差的圖表。
第7圖為圖示以彎曲配置經離子交換之玻璃基板之表面處的壓縮應力且相比於在離子交換製程期間保持於平坦配置之玻璃基板的壓縮應力的圖表。
第8圖為用於離子交換玻璃帶之設備的側視圖，其中玻璃越過熔融鹽浴中之輥子。
第9圖為包含不對稱離子交換基板之物件的橫截面側視圖，其中一個層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%大，且另一層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%小。
第10圖為玻璃基板之橫截面視圖，該玻璃基板具有在基板之僅一個表面上的層深度，其中層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%大。
第11圖為玻璃基板之橫截面視圖，該玻璃基板具有在基板之一個表面上之層深度，該層深度圖示為比玻璃基板之厚度的25%大；及在玻璃基板之另一表面上之層深度，該層深度圖示為比基板之厚度的25%小。
第12圖為玻璃基板之橫截面視圖，該玻璃基板具有在玻璃基板之兩個表面上之不對稱層深度，該等層深度各自比玻璃基板之厚度的25%大。
第13圖為玻璃基板之橫截面視圖，該玻璃基板具有在基板之兩個表面上之對稱層深度，該等層深度各自比玻璃基板之厚度的25%大。
第14圖為圖示在給定破裂機率下離子交換表面之強度相比於不對稱玻璃片之非離子交換或遮蔽表面之強度的圖表。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
20:玻璃基板
22:第一壓縮應力層
24:第一表面
26:第二壓縮應力層
28:第二表面
30:拉伸區域
d:距離
DOL1:第一層深度
DOL2:第二層深度

Claims (14)

  1. 一種用於形成一化學強化玻璃物件之方法，該方法包含以下步驟： 將具有等於或小於0.3 mm之一平均厚度之一玻璃基板浸入一熔融鹼金屬鹽浴中，以使得該玻璃基板之一第一表面與該熔融鹼金屬鹽接觸，且該玻璃基板之一第二表面由整個第二表面上方之一遮罩接觸，以化學強化該玻璃基板之至少該第一表面；且 其中該浸入後之該玻璃基板包含一壓縮應力層，該壓縮應力層自該玻璃基板之該第一表面向內延伸，該壓縮應力層大於該第二表面處之一壓縮應力層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該遮罩包含一金屬及一載體基板中之至少一者。
  3. 如請求項1所述之方法，其中自該玻璃基板之該第一表面向內延伸之該壓縮應力層比該玻璃基板之該平均厚度的25%大。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該化學強化玻璃基板進一步包含： 一第二壓縮應力層，該第二壓縮應力層朝向該玻璃基板之該中心向內延伸，該第二壓縮應力層包含一第二層深度DOL2 。
  5. 如請求項4所述之方法，其中DOL2 比該玻璃基板之該平均厚度的25%大。
  6. 如請求項4所述之方法，其中DOL1 等於DOL2 。
  7. 如請求項4所述之方法，其中DOL1 比DOL2 大至少2%。
  8. 如請求項4所述之方法，其中DOL1 比DOL2 大至少6%。
  9. 如請求項4所述之方法，其中DOL1 比DOL2 大至少10%。
  10. 如請求項1～9中任一項所述之方法，其中DOL1 等於或大於10 μm。
  11. 如請求項1～10中任一項所述之方法，其中該化學強化玻璃基板之該第一表面處之該壓縮應力為至少500 MPa。
  12. 如請求項1～10中任一項所述之方法，其中該化學強化玻璃基板之該第一表面處之該壓縮應力為至少950 MPa。
  13. 如請求項1～10中任一項所述之方法，其中該化學強化玻璃基板之該第二表面處之該壓縮應力為至少850 MPa。
  14. 如請求項1～10中任一項所述之方法，其中該玻璃基板被固定於一裝置中，該裝置在該浸入期間產生該玻璃基板之一彎曲配置。
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