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WO1998012689A1 - Ecran matriciel et son procede de fabrication - Google Patents

Ecran matriciel et son procede de fabrication Download PDF

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WO1998012689A1
WO1998012689A1 PCT/JP1997/003297 JP9703297W WO9812689A1 WO 1998012689 A1 WO1998012689 A1 WO 1998012689A1 JP 9703297 W JP9703297 W JP 9703297W WO 9812689 A1 WO9812689 A1 WO 9812689A1
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WO
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predetermined position
matrix
display element
liquid
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Application number
PCT/JP1997/003297
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English (en)
French (fr)
Inventor
Mutsumi Kimura
Hiroshi Kiguchi
Original Assignee
Seiko Epson Corporation
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    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques

Definitions

  • the invention according to claim 5 has a configuration in which an optical material is selectively disposed at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is at least the predetermined position.
  • a process for forming a plurality of first bus wirings on the display substrate comprising: applying a liquid optical material on the display substrate. Forming a step at the boundary between the predetermined position on the display substrate and the periphery thereof; applying the liquid optical material to the predetermined position using the step; and the first bus Forming a plurality of second bus lines intersecting with the wiring so as to cover the optical material.
  • the invention according to claim 7 has a configuration in which an optical material is selectively disposed at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is at least the predetermined position.
  • the display substrate includes a wiring including a plurality of scanning lines and a signal line; a pixel electrode corresponding to the predetermined position; Forming a switching element for controlling the state of the pixel electrode according to the state; and forming a step for applying the liquid optical material to the predetermined position on the display substrate and its periphery. Forming a liquid optical material at the predetermined position by using the step.
  • the liquid-repellent liquid is formed along the wiring on the display substrate.
  • part or all of the step of forming the interlayer insulating film also serves as a step of making the lyophilic property of the predetermined position relatively stronger than the lyophilic property of the surrounding area. An increase in the number of steps can be suppressed.
  • the invention according to claim 32 is the method for manufacturing a matrix-type display element according to claims 2 to 19, wherein the lyophilic property of the predetermined position on the display substrate is To make it relatively stronger than the lyophilicity around it.
  • the switching element is made of amorphous silicon, polycrystalline silicon formed by a high-temperature process of 600 ° C. or more, or 600 ° C. Then, it was formed from polycrystalline silicon formed by the following low-temperature process.
  • the solvent of the liquid precursor I 14 A is evaporated by heating or light irradiation, and a solid thin hole injection layer 14 4 is formed on the pixel electrode 14 1.
  • Form 0a Here, only a thin hole injection layer 140a is formed, a force depending on the concentration of the liquid precursor 114A. So, yo
  • the height d, of the step 111 is the initial height. It is necessary to subtract the amount of the hole injection layer 140 A from the above.
  • the luminous efficiency may be slightly lowered, but the hole injection layer 14 OA may be omitted.
  • an electron injection layer may be formed between the organic semiconductor film 140B and the reflective electrode 154 instead of the hole injection layer 140A, or the hole injection layer and the electron injection may be formed. Form both layers
  • a liquid (solution in a solvent) optical material for forming a hole injection layer corresponding to the lower layer of the light emitting element 140 by an inkjet head method.
  • the ultraviolet irradiation may be performed before or after exposing the surface of the pixel electrode i41, and may be performed according to the material for forming the interlayer insulating film 240, the material for forming the pixel electrode 141, or the like. It is only necessary to select appropriately. By the way, when ultraviolet rays are irradiated before the surface of the pixel electrode 141 is exposed, the inner wall surface of the step i 11 is surrounded by the step 1 1 1 because the liquid repellency does not become strong.
  • the pixel electrode 141 or the negative potential is turned off.
  • the method may include a step of transferring the structure formed on the separation substrate 121 via the separation layer 152 to the display substrate 121.
  • an organic or inorganic material E is used as the optical material.
  • the present invention is not limited to this, and the optical material may be a liquid crystal.

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Description

明 細 書 マト リクス型表示素子及びその製造方法
技術分野
本発明は、 マトリクス型表示素子及びその製造方法に関し、 特に、 表 示基板上の所定位置に選択的に蛍光材料 (発光材料) や光変調材料等の 光学材料を配置した構成を有し、 光学材料は少なく とも塗布される際に は液状であるマトリクス型表示素子及びその製造方法において、 光学材 料を所定位置に正確に配置できるようにしたものである。 背景技術
L C D (Liquid Crystal Di splay) や E L (Electroluminescense ) 表示素子等のマトリタス型表示素子は、 軽量、 薄型、 高画質および高精 钿を実現する表示素子として、 多種かつ多数用いられている。 マトリク ス型表示素子は、 マトリクス状のバス配線と、 光学材料 (発光材料また は光変調材料) と、 必要に応じて他の構造とにより構成される。
ここで、 単色のマトリクス型表示素子であれば、 配線や電極は表示基 板上にマトリ クス状に配置する必要はあるが、 光学材料は、 表示基板全 面に一様に塗布することも可能である。
これに対し、 例えば自己が発光するタイプである E L表示素子でいわ ゆるカラーのマトリクス型表示素子を実現しょうとする場合、 一画素毎 に、 R G Bという光の三原色に対応して三つの画素電極を配置する と もに、 各画素電極毎に R G Bいずれかに対応した光学材料を塗布しなけ ればならない。 つまり、 光学材料を所定の位置に選択的に配置する必要
差替え用紙 (規則 26) 力ある。
そこで、 光学材料をパターニングする方法の開発が望まれるのである が、 有効なパターニング方法の候補としては、 エッチングと塗布とが挙 げられる。
エッチングによる場合の工程は、 次のようになる。
先ず、 表示基板上の全面に、 光学材料の層を形成する。 次に、 光学材 料の層の上にレジスト膜を形成し、 そのレジスト膜をマスクを介して露 光した後にパターニングする。 そして、 エッチングを行い、 レジストの パターンに応じて、 光学材料の層のパターニングを行う。
しかしながら、 この場合は、 工程数が多く、 各材料、 装置か高価であ ることにより、 コストが高くなる。 また、 工程数が多く、 各工程が複雑 であることにより、 スループッ トも悪い。 さらに、 光学材料の化学的性 質によっては、 レジストやエッチング液に対する耐性が低く、 これらの 工程が不可能な場合もある。
一方、 塗布による場合の工程は、 次のようになる。
先ず、 光学材料を溶媒に溶かして液状にし、 この液状の光学材料を、 表示基板上の所定位置に、 インクジニッ ト方式等により選択的に塗布す る。 そして、 必要に応じて、 加熱や光照射等により、 光学材料を固形化 する。 この場合は、 工程数が少なく、 各材料、 装置か安価であることに より、 コストが安くなる。 また、 工程数が少なく、 各工程が簡略である ことにより、 スループッ トも良い。 さらに、 光学材料の化学的性質に関 係なく、 液状化ができれば、 これらの工程が可能である。
上記のような塗布によるパターニングの方法は、 一見容易に実行可能 なようにも思える。 しかし、 本発明者等が実験等を行ってみたところ、 インクジュッ ト方式により光学材料を塗布する際には、 その光学材料を 溶媒により数十倍以上希釈しなければならないため、 その流動性が高く、
差替え用紙 (規則 26) 塗布した後にそれの固形化が完了するまで塗布位置に保持しておく こと が困難であることが判った。
つまり、 液状の光学材料の流動性に起因して、 パターニングの精度が 悪いことである。 例えば、 ある画素に塗布した光学材料か、 隣接する画 素に流出することにより、 画素の光学特性が劣化する。 また、 各画素毎 に、 塗布面積にバラツキが生じることにより、 塗布厚さにバラツキが生 じ、 光学材料の光学特性にバラツキが生じる。
かかる問題点は、 塗布する際には液状で、 後に固形化される E L表示 素子用の発光材料等で顕著であるが、 塗布した際及びその後も液状であ る液晶を、 表示基板上に選択的に塗布する場合にも同様に生じる問題点 である。
本発明は、 このような従来の技術か有する未解決の課題に着目してな されたものであって、 低コスト、 高スループッ トおよび光学材料の自由 度が高いこと等の特徴を維持しつつ、 液状の光学材料を所定位置に確実 に配置することができるマトリ クス型表示素子及びその製造方法を提供 することを目的としている。 発明の開示
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 1項に係る発明は、 表示基 板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材 料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマ卜 リ クス 型表示素子において、 前記所定位置とその周囲との境界部分に、 前記光 学材料を選択的に塗布するための段差を有するものである。
この請求の範囲第 1項に係る発明によれば、 上記のような段差を有し ているため、 塗布する際に光学材料が液状であっても、 それを所定位置 に選択的に配置することができる。 つまり、 この請求の範囲第 1項に係
差替え用紙 (規貝 U26) るマトリ クス型表示素子は、 光学材料か所定位置に正確に配置された高 性能のマ 卜リ クス型表示素子である。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 2項に係る発明は、 表示基 板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材 料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ タス 型表示素子の製造方法において、 前記液状の光学材料を塗布するための 段差を、 前記表示基板上の前記所定位置とその周囲との境界部分に形成 する工程と、 前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を 塗布する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 2項に係る発明によれば、 液状の光学材料を塗布す る前に段差を形成するため、 所定位置に塗市された液状の光学材料が周 囲に広がることを、 その段差により阻止することができる。 この結果、 低コスト、 高スループッ トおよび光学材料の自由度が高いこと等の特徵 を維持しつつ、 パターニングの精度を向上させることが可能となる。 請求の範囲第 3項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2項に係る発明で あるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記段差は、 前記所定 位置の方がその周囲よりも低くなっている凹型の段差であり、 前記表示 基板の前記液状の光学材料が塗布される面を上に向けて、 前記所定位置 に前記液状の光学材料を塗布するようにした。
この請求の範面第 3項に係る発明によれば、 表示基板の光学材料が塗 布される面を上に向けると、 段差によって形成される凹部も上向きとな る。 そして、 その凹部の内側に液状の光学材料が塗布されると、 重力に より凹部内に光学材料が溜まるようになり、 塗布された液状の光学材料 は、 それが極端に大量でない限り重力や表面張力等によって凹部内に溜 まっていることができるから、 この状態で例えば乾燥させて光学材料を 固形化しても問題はなく、 高精度のパターユングが行える。
差替え用紙 (規貝 IJ26) これに対し、 請求の範囲第 4項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2項 に係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記段差 は、 前記所定位置の方がその周囲よりも高くなつている凸型の段差であ り、 前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布される面を下に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するようにした。
この請求の範囲第 4項に係る発明によれば、 表示基板の光学材料が塗 布される面を下に向けると、 段差によって形成される凸部も下向きとな る。 そして、 その凸部に液状の光学材料が塗布されると、 表面張力によ り凸部上に光学材料が集まるようになり、 塗布された液状の光学材料は、 それが極端に大量でない限り表面張力によって凸部上に溜まっているこ とができるから、 この状態で例えば乾燥させて光学材料を固形化しても 問題はなく、 高精度のパターニングが行える。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 5項に係る発明は、 表示基 板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材 料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマ トリ クス 型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の第 1のバス 配線を形成する工程と、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 表示基扳上の前記所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、 前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程 と、 前記第 1のバス配線と交差する複数の第 2のバス配線を、 前記光学 材料を覆うように形成する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 5項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマトリ タス型表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2項に係る発明 と同様の作用効果を奏することができる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 6項に係る発明は、 表示基 板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材
差替え用紙 (規則 26) 料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ クス 型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の第 1のバス 配線を形成する工程と、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の前記所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程 と、 前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する 工程と、 剝離用基板上に、 剝離層を介して複数の第 2のバス配線を形成 する工程と、 前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剝離用基板 上の前記剝離層から剥離された構造を、 前記第 1のバス配線と前記第 2 のバス配線とが交差するように転写する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 6項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマトリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2項に ί系る発明と 同様の作用効果を奏することができるとともに、 光学材料が配置された 後に、 その上面に第 2のバス配線用の層を形成しこれをエツチングする ような工程は行われない分、 光学材料等の下地材料へのその後の工程に よるダメージを軽減することが可能となる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 7項に係る発明は、 表示基 板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材 料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状てあるマト リクス 型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の走査線及び 信号線を含む配線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線の 状態に応じて前記画素電極の状態を制御するためのスィッチング素子と、 を形成する工程と、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記 表示基板上の前記所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、 前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程 と、 を備えた。
この請求の範囲第 7項に係る発明によれば、 いわゆるァクティブマト
差替え用紙 (規則 26) リ クス型表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2項に係る発 明と同様の作用効果を奏することができる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 S項に係る発明は、 表示基 板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材 料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ クス 型表示素子の製造方法において、 前記液状の光学材料を塗布するための 段差を、 前記表示基板上の前記所定位置とその周囲との境界部分に形成 する工程と、 前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を 塗布する工程と、 剝離用基板上に、 剝離層を介して、 複数の走査線及び 信号線を含む配線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線の 状態に応じて前記画素電極の状態を制御するためのスィ ッチング素子と、 を形成する工程と、 前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剝離 用基板上の前記剝離層から剥離された構造を転写する工程と、 を備えた この請求の範囲第 8項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマト リ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2項に係る発明 と同様の作用効果を奏することができるとともに、 光学材料が配置され た後に、 その上面に配線用の層や画素電極用の層を形成しこれらをエツ チング'するような工程は行われない分、 光学材料等の下地材料へのその 後の工程によるダメージや、 走査線、 信号線、 画素電極またはスィッチ ング素子等への、 光学材料の塗布等によるダメージを、 軽減することが 可能となる。
請求の範囲第 9項に係る発明は、 上記請求の範囲第 5又は 6項に係る 発明てあるマトリクス型表示素子の製造方法において、 前記段差は、 前 記第 1のバス配線を利用して形成され、 前記所定位置の方がその周囲よ りも低くなつている凹型の段差であり、 前記液状の光学材料を塗布する 工程ては、 前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布される而を上に向
差替え用紙 (規則 26) けて、 前記所定位置に前記液状の光学材料を塗市するようになっている c この請求の範囲第 9項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマトリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3項に係る発明と 同様の作用効果を奏することかできるとともに、 第 1のバス配線を利用 して段差を形成する結果、 第 1のバス配線を形成する工程の一部又は全 部が、 段差を形成する工程を兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制 でさ o。
請求の範囲第 1 0項に係る発明は、 上記請求の範囲第 7項に係る発明 であるマ ト リ クス型表示素子の製造方法において、 前記段差は、 前記配 線を利用して形成され、 前記所定位置の方がその周囲よりも低くなつて いる凹型の段差であり、 前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記 表示基板の前記液状の光学材料が塗布される面を上に向けて、 前記所定 位置に前記液状の光学材料を塗布するようになっている。
この請求の範囲第 1 0項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマ トリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3項に係る発 明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 配線を利用して段 差を形成する結果、 配線を形成する工程の一部又は全部か、 段差を形成 する工程を兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 1 1項に係る発明は、 上記請求の範囲第 7項に係る発明 であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記段差は、 前記画 素電極を利用して形成され、 前記所定位置の方がその周囲よりも高くな つている凸型の段差であり、 前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布される面を下に向けて、 前記 所定位置に前記液状の光学材料を塗布するようになっている。
この請求の範囲第 1 1項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマ トリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 4項に係る発
差替え用紙 (規則 26) 明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 画素電極を利用し て段差を形成する結果、 画素電極を形成する工程の一部又は全部が、 段 差を形成する工程を兼ねるようになるから、 工程の增加を抑制できる。 請求の範囲第 1 2項に係る発明は、 上記請求の範囲第 5〜8項に係る 発明であるマトリクス型表示素子の製造方法において、 層間絶縁膜を形 成する工程を備え、 前記段差は、 前記層間絶縁膜を利用して形成され、 前記所定位置の方がその周囲よりも低くなつている凹型の段差であり、 前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の光 学材料が塗布される面を上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学材 料を塗布するようになっている。
この請求の範囲第 I 2項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法並びにいわゆるァクティブマトリ クス表示素 子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3項に係る発明と同様の作用 効果を奏することができるとともに、 層間絶縁膜を利用して段差を形成 する結果、 層間絶縁膜を形成する工程の一部又は全部が、 段差を形成す る工程を兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 1 3項に係る発明は、 上記請求の範囲第 5〜8項に係る 発明てあるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 遮光層を形成す る工程を備え、 前記段差は、 前記遮光層を利用して形成され、 前記所定 位置の方がその周囲よりも低くなつている凹型の段差であり、 前記液状 の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の光学材料か 塗布される面を上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布
'9 よつになつ " レヽる。
この請求の範囲第 1 3項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法並びにいわゆるァクティブマ卜リタス表示素 子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3項に係る発明と同様の作用
差替え用紙 (規則 26) 効果を奏することかできるとともに、 遮光層を利用して段差を形成する 結果、 遮光層を形成する工程の一部又は全部が、 段差を形成する工程を 兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 1 4項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2、 3、 5〜8 項に係る発明であるマ卜リクス型表示素子の製造方法において、 前記段 差を形成する工程は、 液状の材料を塗布した後にこれを選択的に除去す ることにより段差を形成するようになっている。 液状の材料としてはレ ジスト等が適用でき、 レジストを適用した場合には、 表示基板全面にレ ジストをスピンコートして適当な厚さのレジスト膜を形成し、 そのレジ スト膜を露光 'エッチングして所定位置に対応して凹部を形成し、 これ により段差を形成することができる。
この請求の範囲第 1 4項に係る発明によれば、 上記請求の範囲第 2、 3、 5〜 8項に係る発明の作用効果に加えて、 段差を形成する工程の簡 略化が可能となると同時に、 下地材料へのダメージを軽減しつつ、 高低 差の大きい段差も容易に形成することか可能となる。
請求の範囲第 i 5項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2、 3、 5、 7 項に ί系る発明であるマ 卜リ クス型表示素子の製造方法において、 前記段 差を形成する工程は、 剝離用基板上に剥離層を介して段差を形成し、 そ の剝離用基板上の剝離層から剝離された構造を表示基板上に転写するよ うになつている。
この請求の範囲第 1 5項に係る発明によれば、 上記請求の範囲第 2、 3、 5、 7項に係る発明の作用効果に加えて、 剝離基板上に別途形成し た段差を転写するようになっているから、 段差を形成する工程の簡略化 が可能となると同時に、 下地材料へのダメージを軽減しつつ、 高低差の 大きい段差も容易に形成することが可能となる。
請求の範囲第 1 6項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2、 3、 5〜 1
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差替え用紙 (規則 26) 0、 1 2〜 1 5項に係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法に おいて、 前記段差の高さ d r は、 下記 ( 1 ) 式を満たすようにした。
d a < d , …… ( 1 )
ただし、 d a は前記液状の光学材料の一回当たりの塗布厚さである。 この請求の範囲第 I 6項に係る発明によれば、 液状の光学材料の表面 張力に頼らなくても、 凹型の段差を越えて、 所定位置の周囲に光学材料 が流出することを抑制することが可能となる。
請求の範囲第 1 7項に係る発明は、 上記請求の範囲第 1 6項に係る発 明であるマト リ クス型表示素子の製造方法において、 下記 ( 2) 式を満 たすようにした。
Vd 7 (d b · r ) > E , …… ( 2)
ただし、 Vd は前記光学材料に印加される駆動電圧、 d b は前記液状 の光学材料の各塗布厚さの和、 rは前記液状の光学材料の濃度、 E , は 前記光学材料の光学特性変化が現れる最少の電界強度 (しきレ、電界強度 ) である。
この請求の範囲第 1 7項に係る発明によれば、 上記請求の範囲第 1 6 項に係る発明の作用効果に加えて、 塗布厚さと駆動電圧との関係が明確 化され、 光学材料の電気光学効果が発現することが補償される。
請求の範囲第 1 8項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2、 3、 5〜 1 0、 1 2〜 1 5項に係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法に おいて、 前記段差の高さ d r は、 下記 ( 3) 式を満たすようにした。
d r = d r …… ( 3 )
ただし、 d f は前記光学材料の完成時の厚さである。
この請求の範囲第 1 8項に係る発明によれば、 段差と完成時の光学材 料との平坦性が確保され、 光学材料の光学特性変化のー樣性と、 短絡の 防止が可能となる。
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差替え用紙 (規則 26) 請求の範囲第 1 9項に係る発明は、 上記請求の範囲第 1 8項に^る発 明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記完成時の厚さ d ( は、 下記 ( 4 ) 式を満たすようにした。
V d / d , > Ε , …… ( 4 )
ただし、 V d は前記光学材料に印加される駆動電圧、 E , は前記光学 材料の光学特性変化が現れる最少の電界強度 (しきい電界強度) である c この請求の範囲第 1 9項に係る発明によれば、 上記請求の範囲第 1 8 項に係る発明の作用効果に加えて、 塗布厚さと駆動電圧との関係が明確 化され、 光学材料の電気光学効果が発現することが補償される。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 2 0項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上の前記所定位置の親 液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、 前記所定位置 に前記液状の光学材料を塗布する工程と、 を備えた。
二の請求の範囲第 2 0項に係る発明によれば、 液状の光学材料を塗布 する前に所定位置の親液性を強くするようになつているため、 所定位置 に塗布された液状の光学材料は、 その周囲よりも所定位置に溜まり易く なっており、 所定位置とその周囲との親液性の差を十分に大きく してお けば、 所定位置に塗布された液状の光学材料はその周囲には広からない c この結果、 低コスト、 高スループッ トおよび光学材料の自由度が高いこ と等の特徴を維持しつつ、 パターニングの精度を向上させることが可能 となる。
なお、 表示基板上の所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対 的に強くする工程としては、 所定位置の親液性を強くするか、 所定位置 の周囲の撥液性を強くするか、 若しくはその両方を行うことが考えられ
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差替え用紙 (規則 26) る
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 2 1項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の第 1のバ ス配線を形成する工程と、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をそ の周囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、 前記所定位置に前記液 状の光学材料を塗布する工程と、 前記第 1のバス配線と交差する複数の 第 2のバス配線を、 前記光学材料を覆うように形成する工程と、 を備え た。
この請求の範囲第 2 1項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス型表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る 発明と同様の作用効果を奏することができる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 2 2項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の第 Iのバ ス配線を形成する工程と、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をそ の周囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、 前記所定位置に前記液 状の光学材料を塗布する工程と、 剝離用基板上に、 剝離層を介して複数 の第 2のバス配線を形成する工程と、 前記光学材料か塗布された表示基 板上に、 前記剝離用基板上の前記剥離層から剥離された構造を、 前記第 1のバス配線と前記第 2のバス配線とか交差するように転写する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 2 2項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る発
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差替え用紙 (規則 26) 明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 光学材料が配置さ れた後に、 その上面に第 2のバス配線用の層を形成しこれをエッチング するような工程は行われない分、 光学材料等の下地材料へのその後のェ 程によるダメージを軽減することが可能となる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 2 3項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマ卜リク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の走査線及 び信号線を含む配線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線 の状態に応じて前記画素電極の状態を制御するためのスィツチング素子 と、 を形成する工程と、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその 周囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、 前記所定位置に前記液状 の光学材料を塗布する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 2 3項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマ トリ クス型表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係 る発明と同様の作用効果を奏することができる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 2 4項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状てあるマトリ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上の前記所定位置の親 液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、 前記所定位置 に前記液状の光学材料を塗布する工程と、 剝離用基板上に、 剝離層を介 して、 複数の走査線及び信号線を含む配線と、 前記所定位置に対応した 画素電極と、 前記配線の状態に応じて前記画素電極の状態を制御するた めのスイッチング素子と、 を形成する工程と、 前記光学材料が塗布され た表示基板上に、 前記剥離用基板上の前記剝離層から剝離された構造を
差替え用紙 (規則 26) 転写する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 2 4項に係る発明によれば、 いわゆるァクティブマ 卜リ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る 発明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 光学材料が配置 された後に、 その上面に配線用の曆ゃ画素電極用の層を形成しこれらを エツチングするような工程は行われない分、 光学材料等の下地材料への その後の工程によるダメージや、 走査線、 信号線、 画素電極またはスィ ツチング素子等への、 光学材料の塗布等によるダメージを、 軽減するこ とが可能となる。
請求の範囲第 2 5項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 1又は 2 2項 に係る発明であるマトリ タス型表示素子の製造方法において、 前記表示 基板上の前記第 1のバス配線に沿って撥液性の強い分布を形成すること により、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よ りも相対的に強くするようになつている。
この請求の範囲第 2 5項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る発 明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 第 1のバス配線に 沿って親液性の強い分市を形成する結果、 第 iのバス配線を形成するェ 程の一部又は全部が、 前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも 相対的に強くする工程を兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制でき る o
請求の範囲第 2 6項に係る発明によれば、 上記請求の範囲第 2 3項に 係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記表示基 板上の前記配線に沿って撥液性の強い分布を形成することにより、 前記 表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に 強くするようになっている。
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差替え用紙 (規則 26) この請求の範囲第 2 6項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマ トリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る 発明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 配線に沿つて親 液性の強い分布を形成する結果、 配線を形成する工程の一部又は全部が、 前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程 を兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 2 7項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 3項に係る発 明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上の 前記画素電極表面の親液性を強くすることにより、 前記表示基板上の前 記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くするように なっている。
この請求の範囲第 2 7項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマ トリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る 発明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 画素電極表面の 親液性を強くする結果、 画素電極を形成する工程の一部又は全部が、 前 記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程を 兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 2 8項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 1〜2 4項に 係る発明であるマトリクス型表示素子の製造方法において、 層間絶縁膜 を形成する工程を備え、 前記表示基板上の前記層間絶縁膜に沿って撥液 性の強い分布を形成することにより、 前記表示基板上の前記所定位置の 親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くするようになつている。
この請求の範囲第 2 8項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法並びにいわゆるァクティブマト リ クス表示素 子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る発明と同様の作 用効果を奏することができるとともに、 層間絶縁膜に沿って親液性の強
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差替え用紙 (規則 26) い分布を形成する結果、 層間絶縁膜を形成する工程の一部又は全部が、 前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程 を兼ねるようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 2 9項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 3項に係る発 明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記画素電極の表 面は露出するように層間絶縁膜を形成する工程を備え、 前記層間絶緣膜 を形成する際には、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記 画素電極の表面が露出する部分とその周囲との境界部分に形成し、 前記 層間絶縁膜の表面の撥液性を強くすることにより、 前記表示基板上の前 記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くするように なっている。
この請求の範囲第 2 9項に係る発明によれば、 液状の光学材料が塗布 される前に、 曆間絶縁膜によって上記請求の範囲第 3項に係る発明のよ うな凹型の段差が形成されるとともに、 その層間絶縁膜の表面の撥液性 が強くなることにより所定位置の親液性がその周囲の親液性よりも相対 的に強くなつている。 このため、 上記請求の範囲第 3項に係る発明の作 用と、 上記請求の範囲第 2 0項に係る発明の作用との両方が発揮される 二とになるから、 所定位置に塗布された液状の光学材料か周囲に広がる ことを、 より確実に阻止することができる。 この結果、 低コスト、 高ス ループッ トおよび光学材料の自由度が高いこと等の特徴を維持しつつ、 ノ、'ターニングの精度をさらに向上させることが可能となる。
請求の範囲第 3 0項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 1〜2 4項に 係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 遮光層を形 成する工程を備え、 前記表示基板上の前記遮光層に沿って撥液性の強い 分布を形成することにより、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性を その周囲の親液性よりも相対的に強くするようになつている。
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差替え用紙 (規貝リ 26) この請求の範囲第 3 0項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法並びにいわゆるアクティブマ卜リ クス表示素 子の製造方法において、 上記請求の範囲第 2 0項に係る発明と同様の作 用効果を奏することができるとともに、 遮光層に沿って親液性の強い分 布を形成する結果、 遮光層を形成する工程の一部又は全部が、 前記所定 位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程を兼ねる ようになるから、 工程の増加を抑制できる。
請求の範囲第 3 1項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 0〜 3 0項に 係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 紫外線を照 射する若しくは〇2 , C F 3 , A r等のプラズマを照射することにより 、 前記所定位置とその周囲との親液性の差を大きくするようになってい 0
この請求の範囲第 3 1項に係る発明によれば、 例えば層間絶縁膜表面 等の撥液性を容易に強くすることかできる。
請求の範囲第 3 2項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2〜 1 9項に係 る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板 上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする 工程を備えた。
また、 請求の範囲第 3 3項に係る発明は、 上記請求の範囲第 2 0〜2 8、 3 1項に係る発明であるマトリクス型表示素子の製造方法において、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の前記所 定位置とその周囲との境界部分に形成する工程を備えた。
そして、 これら請求の範囲第 3 2又は 3 3項に係る発明によれば、 上 記請求の範囲第 2 9項に係る発明と同様に、 液状の光学材料が塗布され る前に、 所定の段差が形成されるとともに、 所定位置の親液性がその周 囲の親液性よりも相対的に強くなる。 このため、 上記請求の範囲第 3項
1 8 差替え用紙 (規則 26) に係る発明の作用と、 上記請求の範囲第 2 0項に係る発明の作用との両 方が発揮されることになるから、 所定位置に塗布された液状の光学材料 が周囲に広がることを、 より確実に阻止することかできる。 この結果、 低コスト、 高スループッ トおよび光学材料の自由度が高いこと等の特徵 を維持しつつ、 パターニングの精度をさらに向上させることが可能とな 上記目的を達成するために、 請求の範囲第 3 4項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマト リ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 前記所定位置と その周囲とが異なる電位となるように電位分布を形成する工程と、 前記 電位分布を利用して前記液伏の光学材料を前記所定位置に選択的に塗布 する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 3 4項に係る発明によれば、 液状の光学材料を塗布 する前に電位分布を形成するため、 所定位置に塗布された液状の光学材 料が周囲に f がることを、 その電位分布により阻止することができる。 この結果、 低コス ト、 高スループッ トおよび光学材料の自由度が高いこ と等の特徴を維持しつつ、 パターニング 'の精度を向上させることが可能 となる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 3 5項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマ 卜リク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 前記所定位置と その周囲とか異なる電位となるように電位分布を形成する工程と、 前記 液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に 帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、 を備えた。
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差替え用紙 (規則 26) この請求の範囲第 3 5項に係る発明によれば、 塗布された液状の光学 材料と所定位置の周囲との間に斥力が生じるから、 所定位置に塗布され た液状の光学材料が周囲に広がることを、 阻止することかできる。 この 結果、 低コスト、 高スループッ トおよび光学材料の自由度が高いこと等 の特徵を維持しつつ、 パターニングの精度を向上させることが可能とな る
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 3 6項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の第 1のバ ス配線を形成する工程と、 前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲 とが異なる電位となるように電位分布を形成する工程と、 前記液状の光 学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させ てから、 前記所定位置に塗布する工程と、 前記第 1のバス配線と交差す る複数の第 2のバス配線を、 前記光学材料を覆うように形成する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 3 6項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマ卜 リ クス型表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3 5項に係る 発明と同様の作用効果を奏することができる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 3 7項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマト リ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の第 1のバ ス配線を形成する工程と、 前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲 とが異なる電位となるように電位分市を形成する工程と、 前記液状の光 学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させ
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差替え用紙 (規則 26) てから、 前記所定位置に塗布する工程と、 剥離用基板上に、 剝離層を介 して複数の第 2のバス配線を形成する工程と、 前記光学材料が塗布され た表示基板上に、 前記剝離用基板上の前記剝離層から剥離された構造を、 前記第 1のバス配線と前記第 2のバス配線とが交差するように転写する 工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 3 7項に係る発明によれば、 いわゆるパッシブマト リ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3 5項に係る発 明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 光学材料が配置さ れた後に、 その上面に第 2のバス配線用の層を形成しこれをエツチング するような工程は行われない分、 光学材料等の下地材料へのその後のェ 程によるダメージを蛏減することが可能となる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 3 8項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学 材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状であるマト リ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 複数の走査線及 び信号線を含む配線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線 の状態に応じて前記画素電極の状態を制御するためのスィツチング素子 と、 を形成する工程と、 前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲と が異なる電位となるように電位分布を形成する工程と、 前記液状の光学 材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させて から、 前記所定位置に塗布する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 3 8項に係る発明によれば、 いわゆるアクティブマ トリクス型表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3 5項に係 る発明と同様の作用効果を奏することができる。
上記目的を達成するために、 請求の範囲第 3 9項に係る発明は、 表示 基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学
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差替え用紙 (規則 26) 材料は少なく とも前記所定位置に塗市される際には液状であるマ卜 リ ク ス型表示素子の製造方法において、 前記表示基板上に、 前記所定位置と その周囲とが異なる電位となるように電位分市を形成する工程と、 前記 液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に 帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、 剝離用基板上に、 剝 離層を介して、 複数の走査線及び信号線を含む配線と、 前記所定位置に 対応した画素電極と、 前記配線の状態に応じて前記画素電極の状態を制 御するためのスイッチング素子と、 を形成する工程と、 前記光学材料が 塗布された表示基板上に、 前記剝離用基板上の前記剥離層から剝離され た構造を転写する工程と、 を備えた。
この請求の範囲第 3 9項に係る発明によれば、 いわゆるァクティブマ トリ クス表示素子の製造方法において、 上記請求の範囲第 3 5項に係る 発明と同様の作用効果を奏することができるとともに、 光学材料が配置 された後に、 その上面に配線用の層や画素電極用の層を形成しこれらを エッチングするような工程は行われない分、 光学材料等の下地材料への その後の工程によるダメージや、 走査線、 信号線、 画素電極またはスィ ツチン グ'素子等への、 光学材料の塗布等によるダメージを、 軽減するこ とが可能となる。
請求の範囲第 4 0項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 5〜 3 9項に 係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記電位分 布は、 少なく とも前記表示基板上の前記所定位置の周囲が帯電するよう に形成するようにした。
この請求の範囲第 4 0項に係る発明によれば、 液状の光学材料を帯電 させることにより確実に斥力を発生させることができるようになる。 請求の範囲第 4 1項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 6又は 3 7項 に係る発明であるマ卜リ クス型表示素子の製造方法において、 前記電位
つ 差替え用紙 (規則 26) 分布は、 前記第 1のバス配線に電圧を印加することにより形成するよう にした。
また、 請求の範囲第 4 2項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 8項に 係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記電位分 布は、 前記配線に電圧を印加することにより形成するようにした。
そして、 請求の範囲第 4 3項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 8項 に係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記電位 分布は、 前記画素電極に電圧を印加することにより形成するようにした c さらに、 請求の範囲第 4 4項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 8項 に係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記電位 分布は、 前記走査線に順次電圧を印加し、 同時に前記信号線に電位を印 加し、 前記画素電極に前記スィ ッチング素子を介して電圧を印加する二 とにより形成するようにした。
また、 請求の範囲第 4 5項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 5〜 3 9項に係る発明であるマトリクス型表示素子の製造方法において、 遮光 層を形成する工程を備え、 前記電位分布は、 前記遮光層に電圧を印加す る二とにより形成されるようにした。
これら請求の範囲第 4 〜 4 5項に係る発明によれば、 マトリ クス型 表示素子が備える構成を利用して電位分布を形成するため、 工程の増加 が抑制できる。
請求の範囲第 4 6項に係る発明は、 上記請求の範囲第 3 4〜4 5項に 係る発明であるマトリクス型表示素子の製造方法において、 前記電位分 布は、 前記所定位置とその周囲とか逆極性となるように形成するように した。
この請求の範囲第 4 6項に係る発明によれば、 液状の光学材料と所定 位置との間には引力か発生し、 液状の光学材料と所定位置の周囲との間
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差替え用紙 (規則 26) には斥力が発生するため、 光学材料が所定位置により溜まり易くなり、 パターニングの锖度がさらに向上する。
なお、 上記請求の範囲第 2〜4 6項に係る発明であるマトリ クス型表 示素子の製造方法における前記光学材料としては、 例えば請求の範囲第 4 7項に係る発明のように、 無機又は有機の蛍光材料 (発光材料) を適 用することができる。 蛍光材料 (発光材料) としては、 E L (Electrol uminescense ) が好適である。 液状の光学材料とするためには、 適当な 溶媒に溶かして溶液とすればよい。
また、 上記請求の範囲第 2、 3、 5〜 1 0、 1 2〜3 1、 3 3〜4 6 項に係る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法における前記光学 材料としては、 例えば請求の範囲第 4 8項に係る発明のように、 液晶を 適用することもできる。
請求の範囲第 4 9項に係る発明は、 上記請求の範囲第 7、 8、 1 0、 1 し 1 3、 2 3、 2 4、 2 6、 2 7、 3 8、 3 9、 4 2 - 4 4項に係 る発明であるマトリ クス型表示素子の製造方法において、 前記スィッチ ング素子は、 非晶質シリコン、 6 0 0 °C以上の高温プロセスで形成され た多結晶シリコン又は 6 0 0て以下の低温プロセスで形成された多結晶 シリコンにより形成するようにした。
この請求の範囲第 4 9項に係る発明によっても、 光学材料のパター二 ングの精度を向上させることが可能となる。 特に低温プロセスで形成さ れた多結晶シリコンを用いた場合には、 ガラス基板の使用による低コス ト化と、 高移動度による高性能化が両立できる。
図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明の第 1の実施の形態における表示装置の一部を示す 回路図である。 第 2図は、 画素領域の平面構造を示す拡大平面図である c 第 3〜5図は、 第 1の実施の形態における製造工程の流れを示す断面図
2 4 差替え用紙 (規則 26) である。 第 6図は、 第 1の実施の形態の変形例を示す断面図である。 第 7図は、 第 2の実施の形態を示す平面図及び断面図である。 第 8図は、 第 3の実施の形態の製造工程の一部を示す断面図である。 第 9図は、 第 4の実施の形態の製造工程の一部を示す断面図である。 第 1 0図は、 第 5の実施の形態の製造工程の一部を示す断面図である。 第 1 1図は、 第 6の実施の形態の製造工程の一部を示す断面図である。 第 1 2図は、 第 8の実施の形態の製造工程の一部を示す断面図である。 第 1 3図は、 第 8の実施の形態の変形例を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好ましい実施の形態を、 図面に基づいて説明する。 ( 1 ) 第 1 O実施の形態
第 1図乃至第 5図は、 本発明の第 1の実施の形態を示す図であって、 この実施の形態は、 本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方 法を、 E L表示素子を用いたアクティブマトリ クス型の表示装置に適用 したものである。 より具体的には、 配線としての走査線、 信号線及び共 通給電線を利用して、 光学材料としての発光材料の塗布を行う例を示し てい 。
第 1図は、 本実施の形態における表示装置 1の一部を示す回路図であ つて、 この表示装置 1は、 透明の表示基板上に、 複数の走査線 1 3 1 と、 これら走査線 1 3 1に対して交差する方向に延びる複数の信号線 I 3 2 と、 これら ί言号線 I 3 2に並列に延びる複数の共通給電線 1 3 3と、 力、 それぞれ配線された構成を有するとともに、 走査線 1 3 1及び信号線 1 3 2の各交点毎に、 画素領域素 1 Αが設けられている。
信号線 1 3 2に対しては、 シフ トレジス夕、 レベルシフ夕、 ビデオラ ィン、 アナログスィツチを備えるデータ側駆動回路 3が設けられている。
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差替え用紙 (規貝 IJ26) また、 走査線 1 3 1 に対しては、 シフ ト レジスタおよびレベルシフ夕を 備える走査側駆動回路 4が設けられている。 さらに、 また、 画素領域 1 Aの各々には、 走査線 1 3 1を介して走査信号がゲ— 卜電極に供給され るスィ ツチング薄膜トランジスタ 1 4 2 と、 このスィ ツチング薄膜トラ ンジス夕 1 4 2を介して信号線線 1 3 2から供給される画像信号を保持 する保持容量 c a pと、 該保持容量 c a pによって保持された画像信号 がゲート電極に供給されるカレン ト薄膜トランジスタ 1 4 3と、 この力 レ ン ト薄膜トランジスタ 1 4 3を介して共通給電線 1 3 3に電気的に接 続したときに共通給電線 1 3 3から駆動電流か流れ込む画素電極 1 4 1 と、 この画素電極 1 4 1 と反射電極 1 5 4 との間に挟み込まれる発光素 子 1 4 0 と、 が設けられている。
かかる構成であれば、 走査線 1 3 iが駆動されてスイ ッチング薄膜ト ランジス夕 1 4 2がオンとなると、 その時の信号線 1 3 2の電位が保持 容量 c a pに保持され、 該保持容量 c a pの状態に応じて、 カレ ン ト薄 膜トランジスタ 1 4 3のオン 'オフ伏態が決まる。 そして、 カレン ト薄 膜トランジスタ 1 4 3のチャネルを介して、 共通給電線 1 3 3から画素 電極 1 4 1 に電流が流れ、 さらに発光素子 1 4 0を通じて反射電極 1 5 4に電流が流れるから、 発光素子 1 4 0は、 これを流れる電流量に応じ て発光する。
ここで、 各画素領域 1 Aの平面構造は、 反射電極や発光素子を取り除 いた状態での拡大平面図である第 2図に示すように、 平面形伏が長方形 の画素電極 1 4 1 の四辺が、 信号線 1 3 2、 共通給電線 1 3 3、 走査線 1 3 1及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置と なっている。
第 3図〜第 5図は、 画素領域 1 Aの製造過程を順次示す断面図であつ て、 第 2図の A— A線断面に相当する。 以下、 第 3図〜第 5図に従って、
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差替え用紙 (規則 26) 画素領域 1 Aの製造工程を説明する。
先ず、 第 3図 (a ) に示すように、 透明の表示基板 1 2 1に対して、 必要に応じて、 TE O S (テトラエトキシシラン) や酸素ガスなどを原 料ガスとしてプラズマ CVD法により厚さが約 2 0 0 0〜 5 0 0 0オン グス トロームのシリ コン酸化膜からなる下地保護膜 (図示せず。 ) を形 成する。 次いで、 表示基板 1 2 1の温度を約 3 5 0 °Cに設定して、 下地 保護膜の表面にプラズマ CVD法により厚さか約 3 0 0〜7 0 0オング ストロームのァモルファスのシリコン膜からなる半導体膜 2 0 0を形成 する。 次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜 2 0 0に対して、 レーザァニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、 半導体膜 2 0 0をポリシリ コン膜に結晶化する。 レーザァニール法では、 例えば、 エキシマレ一ザでビームの長寸が 4 0 0 mmのラインビームを用い、 そ の出力強度はたとえば 2 0 0 m J/c m2 である。 ラインビームについ てはその短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の 9 0 %に相当する部 分が各領域毎に重なるようにラインビ一厶を走査する。
次いで、 第 3図 (b) に示すように、 半導体膜 2 0 0をパターニング' して島状の半導体膜 2 1 0 とし、 その表面に対して、 TE O S (テトラ エトキンシラン) や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマ C VD法に より厚さが約 6 0 0〜 1 5 0 0オングストロ一ムのシリコン酸化膜また は窒化膜からなるゲート絶縁膜 2 2 0を形成する。 なお、 半導体膜 2 1 0は、 カレン ト薄膜トランジスタ 1 4 3のチャネル領域及びソース · ド レィン領域となるものである力 異なる断面位置においてはスィッチン グ薄膜トランジス夕 1 4 2のチャネル領域及びソース ' ドレイ ン領域と なる半導体膜も形成されている。 つまり、 第 3図〜第 5図に示す製造ェ 程では二種類のトランジスタ 1 4 2、 1 4 3が同時に作られるのである 力べ、 同じ手順で作られるため、 以下の説明では、 トランジスタに関して
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差替え用紙 (規則 26) は、 カレン ト薄膜トランジスタ 1 4 3についてのみ説明し、 スィッチン グ薄膜トランジスタ 1 4 2については説明を省略する。
次いで、 第 3図 ( c ) に示すように、 アルミニウム、 タンタ凡、 モリ ブデン、 チタン、 タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ 法により形成した後、 パ夕一ニングし、 ゲート電極 1 4 3 Aを形成する c この状態で、 高濃度のリ ンイオンを打ち込んで、 シリコン薄膜 2 1 0 に、 ゲ一ト電極 1 4 3 Aに対して自己整合的にソース · ドレイン領域 1 4 3 a , 1 4 3 bを形成する。 なお、 不純物か導入されなかった部分が チャネル領域 I 4 3 cとなる。
次いで、 第 3図 (d ) に示すように、 層間絶縁膜 2 3 0を形成した後、 コンタク トホール 2 3 2、 2 3 4を形成し、 それらコンタク トホール 2 3 2、 2 3 4内に中継電極 2 3 6、 2 3 8を埋め込む。
次いで、 第 3図 ( e ) に示すように、 層間絶縁膜 2 3 0上に、 信号線 1 3 2、 共通給電線 I 3 3及び走査線 (第 3図には図示せず。 ) を形成 する。 このとき、 信号線 1 3 2、 共通給電線 1 3 3及び走査線の各配線 は、 配線として必要な厚さに捕らわれることなく、 十分に厚く形成する c 具体的には、 各配線を 1〜 2 / m程度の厚さに形成する。 ここで中継電 極 2 3 8 と各配線とは、 同一工程で形成されていてもよい。 この時、 中 継電極 2 3 6は、 後述する I T O膜により形成されることになる。
そして、 各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜 2 4 0を形成し、 中 継電極 2 3 6に対応する位置にコンタク トホール 2 4 2を形成し、 その コンタク トホール 2 4 2内にも埋め込まれるように I T O膜を形成し、 その I T O膜をパターニングして、 信号線 1 3 2、 共通給電線 1 3 3及 び走査線に囲まれた所定位置に、 ソース ' ドレイン領域 1 4 3 aに電気 的に接続する画素電極 1 4 1 を形成する。
ここで、 第 3図 ( e ) では、 信号線 1 3 2及び共通袷電線 1 3 3に挟
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差替え用紙 (規則 26) まれた部分が、 光学材料が選択的に配置される所定位置に相当するもの である。 そして、 その所定位置とその周囲との間には、 信号線 1 3 2や 共通給電線 1 3 3によって段差 1 1 1が形成されている。 具体的には、 所定位置の方がその周囲よりも低くなつている凹型の段差 1 1 1か形成 されている。
次いで、 第 4図 (a ) に示すように、 表示基板 1 2 1 の上面を上に向 けた状態で、 インクジェッ トへッ ド方式により、 発光素子 1 4 0の下層 部分に当たる正孔注入層を形成するための液状 (溶媒に溶かされた溶液 状) の光学材料 (前駆体) I 1 4 Aを吐出し、 これを段差 1 1 1で囲ま れた領域内 (所定位置) に選択的に塗布する。 なお、 インクジェ ッ ト方 式の具体的な内容は、 本発明の要旨ではないため、 省略する (かかる方 式については、 例えば、 特開昭 5 6 - 1 3 1 8 4号公報ゃ特開平 2 - 1
6 7 7 5 1号公報を参照) 。
正孔注入層を形成するための材料としては、 ポリマー前駆体がポリテ トラヒ ドロチォフエニルフエ二レンであるポリ フエ二レンビニレン、 1,
1—ビス一 ( 4— N, N—ジ ト リルァミ ノフエ二ル) シクロへキサン、 卜 リス ( 8 — ヒ ドロキシキノ リ ノール) アルミニゥム等か挙げられる。 このとき、 液状の前駆体 1 1 4 Aは、 流動性が高いため、 水平方向に 広がろうとするが、 塗布された位置を取り囲むように段差 1 1 1が形成 されているため、 その液状の前駆体 1 1 4 Aの 1回当たりの塗布量を極 端に大量にしなければ、 液状の前駆体 1 1 4 Aが段差 1 1 1を越えて所 定位置の外側に広がることは防止される。
次いで、 第 4図 (b ) に示すように、 加熱或いは光照射により液状の 前駆体 I 1 4 Aの溶媒を蒸発させて、 画素電極 1 4 1上に、 固形の薄い 正孔注入層 1 4 0 aを形成する。 ここでは、 液状の前駆体 1 1 4 Aの濃 度にもよる力、、 薄い正孔注入層 1 4 0 aしか形成されない。 そこで、 よ
2 9 差替え用紙 (規貝 IJ26) り厚い正孔注入層 1 4 0 aを必要とする場合には、 第 4図 (a) 及び (b) の工程を必要回数繰り返し実行し、 第 4図 ( c ) に示すように、 十分な厚さの正孔注入層 1 4 O Aを形成する。
次いで、 第 5図 (a) に示すように、 表示基板 1 2 1の上面を上に向 けた状態で、 インクジェッ トヘッ ド方式により、 発光素子 1 4 0の上層 部分に当たる有機半導体膜を形成するための液状 (溶媒に溶かされた溶 液状) の光学材料 (有機蛍光材料) 1 1 4 Bを吐出し、 これを段差 1 1 1で囲まれた領域内 (所定位置) に選択的に塗布する。
有機蛍光材料としては、 シァノポリフエ二レンビニレ ン、 ポリ フエ二 レ ンビニレ ン、 ポリアルキルフエ二レ ン、 2, 3, 6, 7— トラヒ ド □— 1 1 —ォキソ一 1 H, 5 H, 1 1 H ( 1 ) ベンゾピラノ [ 6, 7, 8 - i j ] 一キノ リ ジン一 i 0—カルボン酸、 1, 1 一ビス一 ( 4一 N, N—ジ ト リルァ ミ ノフエニル) シクロへキサン、 2— 1 3 ' , 4 ' —ジ ヒ ドロキシフエニル) 一 3, 5 , 7— ト リ ヒ ドロキン— 1 一べ:' ゾピリ リウムパーク口レート、 ト リス ( 8—ヒ ドロキシキノ リ ノ一几) アルミ 二ゥ厶、 2, 3, 6 , 7—テ トラヒ ドロ一 9—メチルー 1 1 —ォキツー 1 H, 5 H, 1 1 H ( 1 ) ベンゾピラノ [ 6, 7, 8— i j ] ーキノ リ ジン、 ァロマティ ッ クジァ ミ ン誘導体 ( T D P ) 、 ォキシジアブ一ルダ イマ一 (OXD) 、 ォキシジァブール誘導体 (P BD) 、 ジスチルァリ ―レン誘導体 (DS A) 、 キノ リ ノール系金属錯体、 ベリ リウ厶ーベン ゾキノ リ ノ一ル錯体 (B e b q) 、 ト リ フエニルァ ミ ン誘導体 (MTD ATA) 、 ジスチリル誘導体、 ピラゾリ ンダイマ一、 ルブレン、 キナク リ ドン、 ト リァゾ一ル誘導体、 ポリ フエ二レン、 ポリアルキ儿フルォレ ン、 ポリアルキルチオフェン、 ァゾメチン亜鉛錯体、 ポリ フィ リ ン亜鉛 錯体、 ベンゾォキサブール亜鉛錯体、 フ ナン ト口 リ ンユウ口ピウ厶錯 体等が挙げられる。
3 0 差替え用紙 (規則 26) このとき、 液状の有機蛍光材料 1 1 4 Bは、 流動性が高いため、 やは り水平方向に広かろうとするが、 塗布された位置を取り囲むように段差 1 1 1が形成されているため、 その液状の有機蛍光材料 1 1 4 8の 1回 当たりの塗布量を極端に大量にしなければ、 液状の有機蛍光材料 1 1 4 Bが段差 1 1 1 を越えて所定位置の外側に広がることは防止される。 次いで、 第 5図 (b ) に示すように、 加熱或いは光照射により液状の 有機蛍光材料 1 1 4 Bの溶媒を蒸発させて、 正孔注入層 1 4 0 A上に、 固形の薄い有機半導体膜 1 4 O bを形成する。 ここでは、 液状の有機蛍 光材料 1 1 4 Bの濃度にもよるが、 薄い有機半導体膜 1 4 0 bしか形成 されない。 そこで、 より厚い有機半導体膜 1 4 0 bを必要とする場合に は、 第 5図 ( a ) 及び (b ) の工程を必要回数繰り返し実行し、 第 5図 ( c ) に示すように、 十分な厚さの有機半導体膜 1 4 0 Bを形成する。 正孔注入層 1 4 0 A及び有機半導体膜 1 4 0 Bによって、 発光素子 1 4 0が構成される。 最後に、 第 5図 (d ) に示すように、 表示基板 1 2 1 の表面全体に若しくはストライプ状に反射電極 1 5 4を形成する。
このように、 本実施の形態にあっては、 発光素子 1 4 0が配置される 処置位置を四方から取り囲むように信号線 1 3 2、 共通配線 1 3 3等の 配線を形成するとともに、 それら配線を通常よりも厚く形成して段差 i 1 1を形成し、 そして、 液状の前駆体 1 1 4 Aや液状の有機蛍光材料 i 1 Bを選択的に塗布するようにしているため、 発光素子 1 4 0のパ夕 一ニング精度が高いという利点がある。
そして、 段差 1 1 1を形成すると、 反射電極 1 5 4は比較的凹凸の大 きな面に形成されることになるが、 その反射電極 1 5 4の厚さをある程 度厚く しておけば、 断線等の不具合が発生する可能性は極めて小さくな る。
しかも、 信号線 1 3 2や共通配線 1 3 3等の配線を利用して段差 1 1
差替え用紙 (規則 26) 1を形成するため、 特に新たな工程が増加する訳ではないから、 製造ェ 程の大幅な複雑化等を招く こともない。
なお、 液状の前駆体 1 1 4 Aや液状の有機蛍光材料 i 1 4 B力、、 段差 1 1 1の内側から外側に流れ出すことをより確実に防止するためには、 液状の前駆体 1 1 4 Aや液状の有機蛍光材料 i 1 4 Bの塗布厚さ d a と、 段差 1 1 1の高さ d r との間に、
d e < d r …… ( 1 )
という関係が成立するようにしておく ことが望ましい。
ただし、 液状の有機蛍光材料 1 1 4 Bを塗布する際には、 既に正孔注 入層 1 4 0 Aが形成されているため、 段差 1 1 1の高さ d , は、 当初の 高さからその正孔注入層 1 4 0 Aの分を差し引いて考えることが必要で める。
また、 上記 ( 1 ) 式を満足するとともに、 さらに、 有機半導体膜 1 4 0 Bに印加される駆動電圧 V d と、 液状の有機蛍光材料 1 1 4 Bの各塗 布厚さの和 d b と、 液状の有機蛍光材料 1 1 4 8の濃度!" と、 有機半導 体膜 1 4 0 Bに光学特性変化が現れる最少の電界強度 (しきい電界強度) E , との間に、
V d ( d b · r ) > E , …… ( 2 )
という関係が成立するようにすれば、 塗布厚さと駆動電圧との関係が明 確化され、 有機半導体膜 1 4 0 Βの電気光学効果が癸現することが補償 される。
一方、 段差 1 1 1 と発光素子 1 4 0との平坦性か確保でき、 有機半導 体膜 1 4 0 Βの光学特性変化の一様性と、 短絡の防止を可能とするため には、 発光素子 1 4 0の完成時の厚さ d f と、 段差 1 1 1の高さ d r と の間に、
d f = d ,· · · ·… ( 3 )
3 2
差替え用紙 (規則 26) という関係を成立させればよい。
さらに、 上記 ( 3 ) 式を満足するとともに、 下記の ( 4 ) 式を満足す れば、 発光素子 1 4 0の完成時の厚さと駆動電圧との関係が明確化され、 有機蛍光材料の電気光学効果が発現することが補償される。
V d / d , > E , …… ( 4 )
ただし、 この場合の d f は、 発光素子 1 4 0全体ではなく、 有機半導 体膜 1 4 0 Bの完成時の厚さである。
なお、 発光素子 1 4 0の上層部を形成する光学材料は、 有機蛍光材料 1 1 4 Bに限定されるものではなく、 無機の蛍光材料であってもよい。 また、 スイッチング素子としての各トランジスタ 1 4 2、 1 4 3は、 6 0 0 °C以下の低温プロセスで形成された多結晶シリ コンにより形成す ることが望ましく、 これにより、 ガラス基板の使用による低コスト化と、 高移動度による高性能化が両立できる。 なお、 スイッチング素子は、 非 晶質シリ コンまたは 6 0 0 °C以上の高温プロセスで形成された多結晶シ リコンにより形成されてもよい。
そして、 スィ ツチング薄膜トランジスタ 1 4 2および力 レ ン ト薄膜ト ランジス夕 1 4 3の他にトランジス夕を設ける形式であってもよいし、 或いは、 一つのトランジス夕で駆動する形式であってもよい。
また、 段差 1 1 1は、 パッシブマトリクス型表示素子の第 1のバス配 線、 アクティブマトリ タス型表示素子の走査線 1 3 1および、 遮光層に よって形成してもよレ、。
なお、 発光素子 i 4 0 としては、 発光効率 (正孔注入率) かやや低下 するものの、 正孔注入層 1 4 O Aを省略してもよい。 また、 正孔注入層 1 4 0 Aに代えて電子注入層を有機半導体膜 1 4 0 Bと反射電極 1 5 4 との間に形成してもよいし、 或いは、 正孔注入層及び電子注入層の双方 を形成
3 3
差替え用紙 (規貝 6) また、 上記実施の形態では、 特にカラー表示を念頭において、 各発光 素子 1 4 0全体を選択的に配置した場合について説明したが、 例えば単 色表示の表示装置 1の場合には、 第 6図に示すように、 有機半導体膜 1 4 0 Bは、 表示基板 1 2 1全面に一様に形成してもよい。 ただし、 この 場合でも、 クロストークを防止するために正孔注入層 1 4 0 Aは各所定 位置毎に選択的に配置しなければならないため、 段差 1 1 1を利用した 塗布が極めて有効である。
( 2 ) 第 2の実施の形態
第 7図は本発明の第 2の実施の形態を示す図であって、 この実施の形 態は、 本発明に係るマトリ クス型表示素子及びその製造方法を、 E L表 示素子を用いたパッシブマ 卜リ クス型の表示装置に適用したものである なお、 第 7図 ( a ) は、 複数の第 1のバス配線 3 0 0と、 これに直交す る方向に配設された複数の第 2のバス配線 3 1 0 と、 の配置関係を示す 平面図であり、 第 7図 (b ) は、 同 (a ) の B - B線断面図である。 な お、 上記第 1 の実施の形態と同様の構成には、 同じ符号を付し、 その重 複する説明は省略する。 また、 細かな製造工程等も上記第 1の実施の形 態と同様であるため、 その図示及び説明は省略する。
即ち、 本実施の形態にあっては、 発光素子 i 4 0が配置される所定位 置を取り囲むように、 例えば S i 〇2 等の絶緣膜 3 2 0が配設されてい て、 これにより、 所定位置とその周囲との間に、 段差 1 1 1が形成され ている。
このような構成であっても、 上記第 1の実施の形態と同様に、 液状の 前駆体 1 1 4 Aや液状の有機蛍光材料 1 1 4 Bを選択的に塗布する際に、 それらが周囲に流れ出ることが防止でき、 高精度のパターニングが行え る等の利点がある。
( 3 ) 第 3の実施の形態
3 4 差替え用紙 (規貝リ 26) 第 8図は本発明の第 3の実施の形態を示す図であつて、 この実施の形 態も、 上記第 1 の実施の形態と同様に、 本発明に係るマトリ クス型表示 素子及びその製造方法を、 E L表示素子を用いたアクティブマトリ クス 型の表示装置に適用したものである。 より具体的には、 画素電極 1 4 1 を利用して段差 1 1 1を形成することにより、 高精度のバタ一ニングが 行えるようにしたものである。 なお、 上記実施の形態と同様の構成には、 同じ符号を付しておく。 また、 第 8図は製造工程の途中を示す断面図で あり、 その前後は上記第 1の実施の形態と略同様であるためその図示及 び説明は省略する。
即ち、 本実施の形態では、 画素電極 i 4 1を通常よりも厚く形成し、 これにより、 その周囲と間に段差 1 1 1を形成している。 つまり、 本実 施の形態では、 後に光学材料が塗布される画素電極 1 4 1の方かその周 囲よりも高くなつている凸型の段差か形成されている。
そして、 上記第 1の実施の形態と同様に、 インクジェッ トヘッ ド方式 により、 発光素子 1 4 0の下層部分に当たる正孔注入層を形成するため の液状 (溶媒に溶かされた溶液状) の光学材料 (前駆体) 1 1 4 Aを吐 出し、 画素電極 1 4 1上面に塗布する。
ただし、 上記第 1の実施の形態の場合とは異なり、. 表示基板 1 2 1を 上下逆にした状態、 つまり液伏の前駆体 1 1 4 Aが塗布される画素電極 1 4 1上面を下方に向けた状態で、 液状の前駆体 1 1 4 Aの塗布を行う。 すると、 液状の前駆体 1 1 4 Aは、 重力と表面張力とによって、 画素 電極 1 4 1上面に溜まり、 その周囲には広がらない。 よって、 加熱や光 照射等を行って固形化すれば、 第 4図 (b ) と同様の薄い正孔注入層を 形成でき、 これを繰り返せば正孔注入層が形成される。 同様の手法で、 有機半導体膜も形成される。
このように、 本実施の形態では、 凸型の段差 1 1 1 を利用して液状の
3 5
差替え用紙 (規則 26) 光学材料を塗布して発光素子のパターニング精度を向上することができ る
なお、 遠心力等の慣性力を利用して、 画素電極 1 4 1上面に溜まる液 状の光学材料の量を調整するようにしてもよい。
( 4 ) 第 4の実施の形態
第 9図は本発明の第 4の実施の形態を示す図であつて、 この実施の形 態も、 上記第 1の実施の形態と同様に、 本発明に係るマ ト リ クス型表示 素子及びその製造方法を、 E L表示素子を用いたァクティプマ卜リクス 型の表示装置に適用したものである。 なお、 上記実施の形態と同様の構 成には、 同じ符号を付しておく。 また、 第 9図は製造工程の途中を示す 断面図であり、 その前後は上記第 1の実施の形態と略同様であるためそ の図示及び説明は省略する。
即ち、 本実施の形態では、 先ず、 表示基板 1 2 1上に、 反射電極 1 5 4を形成し、 次いで、 反射電極 1 5 4上に、 後に発光素子 1 4 0が配置 される所定位置を取り囲むように絶縁膜 3 2 0を形成し、 これにより所 定位置の方がその周囲よりも低くなつている凹型の段差 1 1 1 を形成す る。
そして、 上記第 1 の実施の形態と同様に、 段差 1 1 1で囲まれた領域 内に、 インクジエツ ト方式により液状の光学材料を選択的に塗布するこ とにより、 発光素子 1 4 0を形成する。
一方、 剝離用基板 1 2 2上に、 剥離層 1 5 2を介して、 走査線 1 3 し 信号線 1 3 2、 画素電極 1 4 〖、 スィ ッチング薄膜トランジスタ 1 4 2 , カレン ト薄膜トランジスタ 1 4 3および絶縁膜 2 4 0を形成する。
最後に、 表示基板 1 2 1上に、 剥離用基板 1 2 2上の剥離層 1 2 2か ら剝離された構造を転写する。
このように、 本実施の形態であっても、 段差 1 1 1 を利用して液状の
3 6 差替え用紙 (規則 26) 光学材料を塗布するようにしたから、 高精度のパターニングが行える。 さらに、 本実施の形態では、 発光素子 1 4 0等の下地材料への、 その 後の工程によるダメージ、 あるいは、 走査線 1 3 1、 信号線 1 3 2、 画 素電極 1 4 1、 スイッチング薄膜トランジスタ 1 4 2、 カレン ト薄膜ト ランジスタ 1 4 3または絶縁膜 2 4 0への、 光学材料の塗布等によるダ メ一ジを、 軽減することが可能となる。
本実施の形態では、 アクティブマトリ クス型表示素子として説明した 力べ、 パッシブマトリクス型表示素子であってもよい。
( 5 ) 第 5の実施の形態
第 1 0図は本発明の第 6の実施の形態を示す図であって、 この実施の 形態も、 上記第 1の実施の形態と同様に、 本発明に係るマ ト リ クス型表 示素子及びその製造方法を、 E L表示素子を用いたアクティブマトリク ス型の表示装置に適用したものである。 なお、 上記実施の形態と同様の 構成には、 同じ符号を付しておく。 また、 第 1 0図は製造工程の途中を 示す断面図であり、 その前後は上記第 1の実施の形態と略同様であるた めその図示及び説明は省略する。
即ち、 本実施の形態では、 層間絶縁膜 2 4 0を利用して凹型の段差 i 1 1 を形成していて、 これにより、 上記第 1の実施の形態と同様の作用 効果を得るようにしている。
また、 層間絶縁膜 2 4 0を利用して段差 i 1 1を形成するため、 特に 新たな工程が増加する訳ではないから、 製造工程の大幅な複雑化等を招 く こともない。
( 6 ) 第 6の実施の形態
第 1 1図は本発明の第 6の実施の形態を示す図であって、 この実施の 形態も、 上記第 1の実施の形態と同様に、 本発明に係るマ ト リ クス型表 示素子及びその製造方法を、 E L表示素子を用いたアクティブマト リ ク
3 7 差替え用紙 (規貝 IJ26) ス型の表示装置に適用したものである。 なお、 上記実施の形態と同様の 構成には、 同じ符号を付しておく。 また、 第 1 1図は製造工程の途中を 示す断面図であり、 その前後は上記第 1の実施の形態と略同様であるた めその図示及び説明は省略する。
即ち、 本実施の形態では、 段差を利用してパターニング精度を向上さ せるのではなく、 液状の光学材料が塗布される所定位置の親水性を、 そ の周囲の親水性よりも相対的に強くすることにより、 塗布された液状の 光学材料が周囲に広がらないようにしたものである。
具体的には、 第 1 1図に示すように、 層間絶縁膜 2 4 0を形成した後 に、 その上面に非晶質シリ コン層 1 5 5を形成している。 非晶質シリコ ン層 1 5 5は、 画素電極〖 4 1を形成する I T Oよりも相対的に撥水性 が強いので、 ここに、 画素電極 1 4 1表面の親水性がその周囲の親水性 よりも相対的に強い撥水性 ·親水性の分布が形成される。
そして、 上記第 1の実施の形態と同様に、 画素電極 1 4 1の上面に向 けて、 インクジェッ ト方式により液状の光学材料を選択的に塗布する二 とにより、 発光素子 1 4 0を形成し、 最後に反射電極を形成する。
このように、 本実施の形態であっても、 所望の撥水性■親液性の分市 を形成してから液状の光学材料を塗布するようにしているから、 パター ニング'の精度を向上させることができる。
なお、 本実施の形態の場合も、 パッシブマト リ クス型表示素子に適用 できることは勿論である。
また、 剥離用基板 1 2 1上に剥離層 1 5 2を介して形成された構造を、 表示基板 1 2 1 に転写する工程を含んでいてもよい。
さらに、 本実施の形態では、 所望の撥水性 ·親水性の分布を、 非晶質 シリ コン層 1 5 5によって形成している力 <、 撥水性 ·親水性の分布は、 金属や、 陽極酸化膜、 ポリイ ミ ドまたは酸化シリ コン等の絶縁膜や、 他
3 8
差替え用紙 (規則 26) の材料により形成されていてもよい。 なお、 ノ、。ッシブマトリ クス型表示 素子であれば第 1のバス配線、 アクティブマトリタス型表示素子であれ ば走査線 1 3 1、 信号線 1 3 2、 画素電極 1 4 1、 絶縁膜 2 4 0或いは 遮光層によって形成してもよい。
また、 本実施の形態では、 液状の光学材料が水溶液であることを前提 に説明したか、 他の液体の溶液を用いた液状の光学材料であってもよく、 その場合は、 その溶液に対して撥液性 ·親液性が得られるようにすれば よい。
( 7 ) 第 7の実施の形態
本発明の第 7の実施の形態は、 断面構造は上記第 5の実施の形態で使 用した第 1 0図と同様であるため、 これを用いて説明する。
即ち、 本実施の形態では、 層間絶縁膜 2 4 0を S i 〇2 で形成すると ともに、 その表面に紫外線を照射し、 その後に、 画素電極 1 4 1表面を 露出させ、 そして液状の光学材料を選択的に塗布するようになっている。
このような製造工程であれば、 段差 1 1 1が形成されるだけでなく、 層間絶縁膜 2 4 0表面に沿って撥液性の強い分布が形成されるため、 塗 布された液状の光学材料は、 段差 1 i 1 と層間絶緣膜 2 4 0の撥液性と の両方の作用によって所定位置に溜まり易くなつている。 つまり、 上記 第 5の実施の形態と、 上記第 6の実施の形態との両方の作用が発揮され るから、 さらに発光素子 1 4 0のパターニング精度を向上させることが できる。
なお、 紫外線を照射するタイ ミ ングは、 画素電極 i 4 1の表面を露出 させる前後いずれでもよく、 層間絶縁膜 2 4 0を形成する材料や、 画素 電極 1 4 1を形成する材料等に応じて適宜選定すればよく。 ちなみに、 画素電極 1 4 1の表面を露出させる前に紫外線を照射する場合には、 段 差 i 1 1の内壁面は撥液性が強くならないから、 段差 1 1 1で囲まれた
3 9
差替え用紙 (規則 26) 領域に液状の光学材料を溜めることにとつて有利である。 これとは逆に、 画素電極 1 4 1の表面を露出させた後に紫外線を照射する場合には、 段 差 1 1 1の内壁面の撥液性が強くならないように垂直に紫外線を照射す る必要があるが、 画素電極 1 4 1の表面を露出する際のエッチング'工程 の後で紫外線を照射するため、 そのエッチング工程によって撥液性が弱 まるような懸念がないという利点がある。
また、 層間絶縁膜 2 4 0を形成する材料としては、 例えばフオ トレジ ストを用いることもできるし、 或いはポリイ ミ ドを用いてもよく、 これ らであればスビンコ一トにより膜を形成できるという利点がある。
そして、 層間絶縁膜 2 4 0を形成する材料によっては、 紫外線を照射 するのではなく、 例えば 0 2 、 C F 3 、 A r等のプラズマを照射するこ とにより撥液性が強くなるようにしてもよい。
( 8 ) 第 8の実施の形態
第 1 2図は本発明の第 8の実施の形態を示す図であって、 この実施の 形態も、 上記第 1の実施の形態と同様に、 本発明に係るマトリ クス型表 示素子及びその製造方法を、 E L表示素子を用いたァクティブマトリ ク ス型の表示装置に適用したものである。 なお、 上記実施の形態と同様の 構成には、 同じ符号を付しておく。 また、 第 1 2図は製造工程の途中を 示す断面図であり、 その前後は上記第 1の実施の形態と略同様であるた めその図示及び説明は省略する。
即ち、 本実施の形態では、 段差や撥液性 ·親液性の分布等を利用して パターニング精度を向上させるのではなく、 電位による引力や斥力を利 用してパターニング精度の向上を図っている。
つまり、 第 1 2図に示すように、 信号線 1 3 2や共通給電線 1 3 3を 駆動するとともに、 図示しない卜ランジス夕を適宜オン · オフすること により、 画素電極 1 4 1かマイナス電位となり、 層間絶縁膜 2 4 0かプ
4 0
差替え用紙 (規則 26) ラス電位となる電位分布を形成する。 そして、 インクジエツ 卜方式によ り、 プラスに帯電した液状の光学材料〖 i 4を所定位置に選択的に塗市 する。
二のように、 本実施の形態であれば、 表示基板 1 2 1上に所望の電位 分布を形成し、 その電位分布と、 プラスに帯電した液状の光学材料 1 1 4 との間の引力及び斥力を利用して、 液状の光学材料を選択的に塗布し ているから、 パターニングの精度を向上させることができる。
特に、 本実施の形態では、 液状の光学材料 1 1 4を帯電させているの で、 自発分極だけでなく帯電電荷も利用することにより、 パ夕一ニング の精度を向上する効果が、 さらに高まる。
本実施の形態では、 アクティブマトリ クス型表示素子に適用した場合 を示しているか、 パッシブマ卜リクス型表示素子であっても適用可能で あ O o
なお、 剥離用基板 1 2 1上に剝離層 1 5 2を介して形成された構造を、 表示基板 1 2 1 に転写する工程を含んでいてもよい。
また、 本実施の形態では、 所望の電位分布は、 走査線 1 3 1 に順次電 位を印加し、 同時に信号線 1 3 2および共通線 1 3 3に電位を印加し、 画素電極 1 4 I にスィッチング薄膜トランジスタ 1 4 2およひカ レ ン ト 薄膜トランジスタ 1 4 3を介して電位を印加することにより形成される c 電位分布を走査線 1 3 1、 信号線 1 3 2、 共通線 1 3 3および画素電極 1 4 1で形成することにより、 工程の増加が抑制できる。 なお、 パッ シ ブマトリ クス型表示素子であれば、 電位分布は、 第 1のバス配線および 遮光層によって形成することができる。
さらに、 本実施の形態では、 画素電極 1 4 1 と、 その周囲の層間絶緣 膜 2 4 0との両方に電位を与えているが、 これに限定されるものではな く、 例えば第 1 3図に示すように、 画素電極 1 4 1 には電位を与えず、
4 1
差替え用紙 (規則 26) 層間絶縁膜 2 4 0にのみプラス電位を与え、 そして、 液状の光学材料 1 1 4をプラスに帯電させてから塗布するようにしてもよい。 このように すれば、 塗布された後にも、 液状の光学材料 1 i 4は確実にプラスに帯 電した状態を維持できるから、 周囲の層間絶緣膜 2 4 0 との間の斥力に よって、 液状の光学材料 1 1 4が周囲に流れ出ることをより確実に防止 することかできるようになる。
なお、 上記各実施の形態で説明したものとは異なり、 例えば、 段差 1 1 1を、 液状の材料を塗布することにより形成してもよいし、 或いは、 段差 1 1 1を、 剝離闬基板上に剝離層を介して材料を形成し、 表示基板 上に剝離用基板上の剥離層から剝離された構造を転写することにより形 成してもよい。
また、 上記各実施の形態では、 光学材料として有機又は無機の E乙が 適用可能であるとして説明したが、 これに限定されるものではなく、 光 学材料は液晶であってもよい。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明によれば、 段差や、 所望の撥液性 ·親液 性の分布や、 所望の電位分布等を利用して液状の光学材料を塗布するよ うにしたから、 光学材料のパター二ング精度を向上することができると いう効果がある。
4 2 差替え用紙 (規貝 IJ26)

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子において、
前記所定位置とその周囲との境界部分に、 前記光学材料を選択的に塗 布するための段差を有することを特徴とするマ卜リクス型表示素子。
2 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マト リ タス型表示素子の製造方法において、
前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の前記 所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、
前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するェ 程と、
を備えたことを特徴とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
3 . 前記段差は、 前記所定位置の方がその周囲よりも低くなつている凹 型の段差であり、 前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布される面を 上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する請求の範囲 第 2項記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
4 . 前記段差は、 前記所定位置の方がその周囲よりも高くなつている凸 型の段差であり、 前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布される面を 下に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する請求の範囲 第 2項記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
5 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マト リ クス型表示素子の製造方法において、
4 3
差替え用紙 (規則 26) 前記表示基板上に、 複数の第 1のバス配線を形成する工程と、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 表示基板上の前記所定 位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、
前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するェ 程と、
前記第 1のバス配線と交差する複数の第 2のバス配線を、 前記光学材 料を覆うように形成する工程と、
を備えたことを特徵とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
6 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状てある マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の第 1のバス配線を形成する工程と、 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の前記 所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、
前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するェ 程と、
剝離用基板上に、 剝離層を介して複数の第 2のバス配線を形成するェ 程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剥離用基板上の前記剝 離層から剝離された構造を、 前記第 1のバス配線と前記第 2のバス配線 とか交差するように転写する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリクス型表示素子の製造方法。
7 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の走査線及び信号線をきむ配線と、 前記所定
4 4
差替え用紙 (規貝 6) 位置に対応した画素電極と、 前記配線の状態に応じて前記画素電極の状 態を制御するためのスィツチング素子と、 を形成する工程と、
前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の前記 所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、
前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するェ 程と、
を備えたことを特徴とするマトリクス型表示素子の製造方法。
8 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリクス型表示素子の製造方法において、
前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の前記 所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、
前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するェ 程と、
剥離用基板上に、 剝離層を介して、 複数の走査線及び信号線を含む配 線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線の状態に応じて前 記画素電極の状態を制御するためのスィツチング素子と、 を形成するェ 程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剝離用基板上の前記剝 離層から剝離された構造を転写する工程と、
を備えたことを特徴とするマ トリ クス型表示素子の製造方法。
9 . 前記段差は、 前記第 1 のバス配線を利用して形成され、 前記所定位 置の方がその周囲よりも低くなっている凹型の段差であり、
前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の 光学材料が塗布される面を上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学 材料を塗布するようになっている請求の範囲第 5又は 6項記載のマトリ
4 5 差替え用紙 (規則 26) タス型表示素子の製造方法。
1 0 . 前記段差は、 前記配線を利用して形成され、 前記所定位置の方か その周囲よりも低くなつている凹型の段差であり、
前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の 光学材料が塗布される面を上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学 材料を塗布するようになっている請求の範囲第 7項記載のマトリ クス型 表示素子の製造方法。
1 1 . 前記段差は、 前記画素電極を利用して形成され、 前記所定位置の 方がその周囲よりも高くなっている凸型の段差であり、
前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の 光学材料が塗市される面を下に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学 材料を塗布するようになっている請求の範囲第 7項記載のマトリ クス型 表示素子の製造方法。
1 2 . 層間絶縁膜を形成する工程を備え、
前記段差は、 前記層間絶縁膜を利用して形成され、 前記所定位置の方 がその周囲よりも低くなっている凹型の段差であり、
前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の 光学材料か塗布される面を上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学 材料を塗布するようになっている請求の範囲第 5〜 8項のいずれかに記 載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
1 3 . 遮光層を形成する工程を備え、
前記段差は、 前記遮光層を利用して形成され、 前記所定位置の方かそ の周囲よりも低くなっている凹型の段差であり、
前記液状の光学材料を塗布する工程では、 前記表示基板の前記液状の 光学材料が塗布される面を上に向けて、 前記所定位置に前記液状の光学 材料を塗布するようになっている請求の範囲第 5〜 8項のいずれかに記
4 6
差替え用紙 (規則 26) 載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
1 4. 前記段差を形成する工程は、 液状の材料を塗布した後にこれを選 択的に除去することにより段差を形成するようになっている請求の IS囲 第 2、 3、 5〜 8項のいずれかに記載のマトリ クス型表示素子の製造方 法。
1 5. 前記段差を形成する工程は、 剝離用基板上に剥離層を介して段差 を形成し、 その剝離用基板上の剝離層から剝離された構造を表示基板上 に転写するようになっている請求の範囲第 2、 3、 5、 7項のいずれか に記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
1 6. 前記段差の高さ d , は、 下記 ( 1 ) 式を満たしている請求の範囲 第 2、 3、 5〜 1 0、 1 2〜 1 5項のいずれかに記載のマトリ クス型表 示素子の製造方法。
d a < d r …… ( 1 )
ただし、
d a :前記液状の光学材料の一回当たりの塗布厚さ
である。
1 7. 下記 ( 2 ) 式を満たしている請求の範囲第 1 6項記載のマ ト リ ク ス型表示素子の製造方法。
V d / ( d b · r ) > Ε, …… ( 2)
ただし、
Vd :前記光学材料に印加される駆動電圧
db :前記液状の光学材料の各塗布厚さの和
r :前記液状の光学材料の濃度
E, :前記光学材料の光学特性変化が現れる最少の電界強度 (しき い電界強度)
である。
差替え用紙 (規則 26)
1 8. 前記段差の高さ d , は、 下記 ( 3) 式を満たしている請求の 囲 第 2、 3、 5〜 1 0、 1 2〜 1 5項のいずれかに記載のマ ト リ クス型表 示素子の製造方法。
d f = d r …… ( 3)
ただし、
d , :前記光学材料の完成時の厚さ
である。
1 9. 前記完成時の厚さ d ( は、 下記 ( 4) 式を満たしている請求の範 囲第 1 8項記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
V. /d r > E , …… ( 4 )
ただし、
Vd :前記光学材料に印加される駆動電圧
E , :前記光学材料の光学特性変化が現れる最少の電界強度 (しき い電界強度)
である。
2 0. 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状てある マトリ タス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相 対的に強くする工程と、
前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
2 1. 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し- 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の第 1のバス配線を形成する工程と、
4 8
差替え用紙 (規則 26) 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相 対的に強くする工程と、
前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、
前記第 1のバス配線と交差する複数の第 2のバス配線を、 前記光学材 料を覆うように形成する工程と、
を備えたことを特徵とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
2 2 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリクス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の第 1のバス配線を形成する工程と、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相 対的に強くする工程と、
前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、
剝離用基板上に、 剥離層を介して複数の第 2のバス配線を形成するェ 程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剝離用基板上の前記剝 離層から剝離された構造を、 前記第 1 のバス配線と前記第 2のバス配線 とか交差するように転写する工程と、
を備えたことを特徵とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
2 3 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マ卜リクス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の走査線及び信号線を含む配線と、 前記所定 位置に対応した画素電極と、 前記配線の伏態に応じて前記画素電極の状 態を制御するためのスイ ッチング素子と、 を形成する工程と、
前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりら相
4 9
差替え用紙 (規則 26) 対的に強くする工程と、
前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
2 4 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリクス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相 対的に強くする工程と、
前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、
剝離用基板上に、 剝離層を介して、 複数の走査線及び信号線を含む配 線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線の状態に応じて前 記画素電極の状態を制御するためのスィツチング素子と、 を形成するェ 程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剥離用基板上の前記剝 離層から剝離された構造を転写する工程と、
を備えた二とを特徴とするマ トリ クス型表示素子の製造方法。
2 5 . 前記表示基板上の前記第 1のバス配線に沿って撥液性の強い分布 を形成することにより、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその 周囲の親液性よりも相対的に強くする請求の範囲第 2 1又は 2 2項記載 のマトリ クス型表示素子の製造方法。
2 6 . 前記表示基板上の前記配線に沿って撥液性の強い分布を形成する ことにより、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液 性よりも相対的に強くする請求の範囲第 2 3項記載のマトリ クス型表示 素子の製造方法。
2 7 . 前記表示基板上の前記画素電極表面の親液性を強くすることによ り、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも
5 0
差替え用紙 (規則 26) 相対的に強くする請求の範囲第 2 3項記載のマトリ クス型表示素子の製 造方法。
2 8 . 層間絶縁膜を形成する工程を備え、
前記表示基板上の前記層間絶縁膜に沿って撥液性の強い分市を形成す ることにより、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親 液性よりも相対的に強くする請求の範囲第 2 1〜2 4項のいずれかに記 載のマトリ タス型表示素子の製造方法。
2 9 . 前記画素電極の表面は露出するように層間絶緣膜を形成する工程 を備え、
前記層間絶縁膜を形成する際には、 前記液伏の光学材料を塗布するた めの段差を、 前記画素電極の表面が露出する部分とその周囲との境界部 分に形成し、
前記層間絶縁膜の表面の撥液性を強くすることにより、 前記表示基板 上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする 請求の範囲第 2 3項記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
3 0 . 遮光層を形成する工程を備え、
前記表示基板上の前記遮光層に沿って撥液性の強い分布を形成するこ とにより、 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性 よりも相対的に強くする請求の範囲第 2 1〜2 4項のいずれかに記載の マトリ クス型表示素子の製造方法。
3 1 . 紫外線を照射する若しくは 0 2 , C F 3 , A r等のプラズマを照 射することにより、 前記所定位置とその周囲との親液性の差を大きくす る請求の範囲第 2 0〜3 0項のいずれかに記載のマトリ タス型表示素子 の製造方法。
3 2 . 前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性より も相対的に強くする工程を備えた請求の範囲第 2〜 1 9項のいずれかに
5 1
差替え用紙 (規貝リ26) 記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
3 3 . 前記液状の光学材料を塗布するための段差を、 前記表示基板上の 前記所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程を備えた請求の範 囲第 2 0〜2 8、 3 1項のいずれかに記載のマトリクス型表示素子の製 造方法。
3 4 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるよ うに電位分布を形成する工程と、
前記電位分布を利用して前記液状の光学材料を前記所定位置に選択的 に塗布する工程と、
を備えたことを特徴とするマ トリタス型表示素子の製造方法。
3 5 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるよ うに電位分布を形成する工程と、
前記液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する 電位に帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
3 6 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状てある マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の第 1のバス配線を形成する工程と、 前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲とか異なる電位 cなるよ
5 2
差替え用紙 (規貝 IJ26) うに電位分布を形成する工程と、
前記液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する 電位に帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、
前記第 1のバス配線と交差する複数の第 2のバス配線を、 前記光学材 料を覆うように形成する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリクス型表示素子の製造方法。
3 7 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マト リ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の第 1のバス配線を形成する工程と、 前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるよ うに電位分布を形成する工程と、
前記液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する 電位に帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、
剝離用基板上に、 剝離層を介して複数の第 2のバス配線を形成するェ 程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剝離用基板上の前記剝 離層から剥離された構造を、 前記第 1 のバス配線と前記第 2のバス配線 とが交差するように転写する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリクス型表示素子の製造方法。
3 8 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 複数の走査線及び信号線を含む配線と、 前記所定 位置に対応した画素電極と、 前記配線の状態に応じて前記画素電極の状 態を制御するためのスィツチング素子と、 を形成する工程と、
5 3
差替え用紙 (規則 26) 前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるよ うに電位分布を形成する工程と、
前記液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する 電位に帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリ クス型表示素子の製造方法。
3 9 . 表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し、 前記光学材料は少なく とも前記所定位置に塗布される際には液状である マトリ クス型表示素子の製造方法において、
前記表示基板上に、 前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるよ うに電位分布を形成する工程と、
前記液状の光学材料を、 前記所定位置の周囲との間で斥力が発生する 電位に帯電させてから、 前記所定位置に塗布する工程と、
剥離用基板上に、 剝離層を介して、 複数の走査線及び信号線を含む配 線と、 前記所定位置に対応した画素電極と、 前記配線の状態に応じて前 記画素電極の状態を制御するためのスイ ッチング素子と、 を形成するェ 程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、 前記剝離用基板上の前記剝 離層から剝離された構造を転写する工程と、
を備えたことを特徴とするマトリクス型表示素子の製造方法。
4 0 . 前記電位分布は、 少なく とも前記表示基板上の前記所定位置の周 囲が帯電するように形成する請求の範囲第 3 5〜 3 9項のいずれかに記 載のマトリ タス型表示素子の製造方法。
4 1 . 前記電位分布は、 前記第 1 のバス配線に電圧を印加する二とによ り形成する請求の範囲第 3 6又は 3 7項記載のマトリ クス型表示素子の 製造方法。
4 2 . 前記電位分布は、 前記配線に電圧を印加することにより形成する
5 4
差替え用紙 (規則 26) 請求の範囲第 3 8項記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
4 3. 前記電位分市は、 前記画素電極に電圧を印加することにより形成 する請求の範囲第 3 8項記載のマ卜リ クス型表示素子の製造方法。
4 4. 前記電位分布は、 前記走査線に順次電圧を印加し、 同時に前記信 号線に電位を印加し、 前記画素電極に前記スイッチング素子を介して電 圧を印加することにより形成する請求の範囲第 3 8項記載のマト リ クス 型表示素子の製造方法。
4 5. 遮光層を形成する工程を備え、
前記電位分布は、 前記遮光層に電圧を印加することにより形成される 請求の範囲第 3 5〜 3 9項のいずれかに記載のマトリ クス型表示素子の 製造方法。
4 6. 前記電位分布は、 前記所定位置とその周囲とが逆極性となるよう に形成する請求の範囲第 3 4〜4 5項のいずれかに記載のマトリ クス型 表示素子の製造方法。
4 7. 前記光学材料は、 無機又は有機の蛍光材料である請求の範囲第 2 〜4 6項のいずれかに記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
4 8. 前記光学材料は、 液晶である請求の範囲第 2、 3、 5〜 1 0、 1 2〜3 1、 3 3〜4 6項のいずれかに記載のマトリタス型表示素子の製 造方法。
4 9. 前記スイッチング素子は、 非晶質シリコン、 6 0 0°C以上の高温 プロセスで形成された多結晶シリ コン又は 6 0 0て以下の低温プロセス で形成された多結晶シリ コンにより形成する請求の範囲第 7、 8、 1 0、 1 し 1 3、 2 3、 24、 2 6、 2 7、 3 8、 3 9、 4 2〜4 4項のい ずれかに記載のマトリ クス型表示素子の製造方法。
5 5 差替え用紙 (規則 26)
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