[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2000208254A - 有機el素子の製造方法および有機el表示装置 - Google Patents

有機el素子の製造方法および有機el表示装置

Info

Publication number
JP2000208254A
JP2000208254A JP11004682A JP468299A JP2000208254A JP 2000208254 A JP2000208254 A JP 2000208254A JP 11004682 A JP11004682 A JP 11004682A JP 468299 A JP468299 A JP 468299A JP 2000208254 A JP2000208254 A JP 2000208254A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
light emitting
emitting layer
layer
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11004682A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3900724B2 (ja
Inventor
Satoru Miyashita
悟 宮下
Tatsuya Shimoda
達也 下田
Hiroshi Kiguchi
浩史 木口
Hidekazu Kobayashi
英和 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP00468299A priority Critical patent/JP3900724B2/ja
Publication of JP2000208254A publication Critical patent/JP2000208254A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3900724B2 publication Critical patent/JP3900724B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の塗布法を用いる有機EL素子の製造方法
においては、有機層を積層する際相溶解が起こり、有機
EL表示装置として発光効率が悪い、発色の色純度が悪
い、パターン精度が悪いなどが問題であった。 【解決手段】正孔注入層にシランカップリング剤を入れ
架橋した後、赤と緑の発光層はPPV前駆体溶液をイン
クジェットを用いてパターン形成した後加熱して共役化
させる。その上全面に、青色発光層を塗布法で形成す
る。陰極も全面に形成し、TFTで駆動する表示装置と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はテレビ、コンピュー
タなど情報機器、電気電子製品のディスプレイ部に使用
する有機EL素子の製造方法および有機EL表示装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる発光型デ
ィスプレイとして有機物を用いた電界発光素子の開発が
加速している。有機物を用いた有機EL素子としては、
Appl.Phys.Lett.51(12),21
September 1987の913ページに示され
ているように低分子を蒸着法で製膜する方法と、 Ap
pl.Phys.Lett.71(1),7 July
1997の34ページから示されているように高分子を
塗布する方法が主に開発されている。特に高分子系では
カラー化する際にインクジェット法を用いる事により、
パターニングが容易に出来る事から注目されている。こ
の高分子を用いる場合には、正孔注入層または正孔輸送
層を陽極と発光層の間に形成する事が多い。従来、前記
バッファ層や正孔注入層としては導電性高分子、例えば
ポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いる事
が多かった。低分子系においては、正孔注入層または正
孔輸送層として、フェニルアミン誘導体を用いる事が多
かった。
【0003】また特開平10−153967に示されて
いるように、発光層を高分子系材料のインクジェット方
式によるパターン形成と、低分子系材料 の蒸着法によ
る積層構造で形成する方式も提言されている。
【0004】高分子層形成において、インクジェット法
では塗布とパターニングが一度に出来る。また用いる材
料が必要最小限で済む。一方その外の塗布法では、用い
る機械がスピンコーターなどの簡単なもので済む。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の塗布法
を用いてパターニング及び積層する場合、塗布液の溶媒
が既に形成された有機膜を溶解する、いわゆる相溶性が
問題となっている。発光効率を上げるための多層構造を
とれず、不均一な連続膜となり、発光効率の著しい低下
や場合によっては発光しない現象が起こっている。具体
的には正孔注入層または正孔輸送層と赤色または緑色の
発光層、赤色または緑色の発光層と青色の発光層。更に
は正孔注入層または正孔輸送層と青色の発光層の間で相
溶解が発生する。
【0006】また、発光波長をシフトさせるために添加
したドーパントが、膜が混ざり合ったために有効に機能
せず、せっかく2種類以上の液体をパターン形成しても
発光色が変わらないなどの課題があった。
【0007】そこで本発明の目的とするところは、全て
の有機層を塗布法を用いて形成する際、有機層同士で相
溶解することなく、設計通りの多層構造をパターン形成
することにより、より効率の高い、より色純度の高い、
より高精細の有機EL表示装置を提供するところにあ
り、またその生産性が高く大画面化が可能な製造方法を
提供するところにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】課題を解決するための手
段1.本発明の有機EL素子の製造方法は、孔注入層ま
たは正孔輸送層と、発光層を、陽極および陰極で挟持し
た構造の有機EL素子の製造方法において、透明基板上
に陽極として作用する画素電極を形成する工程と、有機
化合物からなる正孔注入層または正孔輸送層を形成する
工程と、有機化合物からなる赤色、緑色の発光層をイン
クジェット方式によりパターン形成する工程と、有機化
合物からなる青色の発光層を塗布法により形成する工程
と、陰極を形成する工程とからなることを特徴とする。
本構成により、全ての有機層を塗布法で形成できる。
【0009】課題を解決するための手段2.前記課題を
解決するための手段1において、前記基板上に画素以外
を覆う分離膜を設ける事を特徴とする。本構成により、
多色の高精細を容易に達成できる。
【0010】課題を解決するための手段3.前記課題を
解決するための手段1または2において、少なくともポ
リチオフェン誘導体とシランカップリング剤を含有する
液体を塗布法により成膜し、熱硬化させて前記正孔注入
層または正孔輸送層を形成することを特徴とする。本構
成により、発光層と相溶しない、適切なイオン化ポテン
シャルを持つ正孔注入層または正孔輸送層を容易に形成
できる。
【0011】課題を解決するための手段4.前記課題を
解決するための手段1または2において、画素部分の陽
極上に、少なくともポリチオフェン誘導体とシランカッ
プリング剤を含有する液体をインクジェット方式により
成膜し、熱硬化させて前記正孔注入層または正孔輸送層
を形成することを特徴とする。本構成により、画素部分
にのみ、発光層と相溶しない、適切なイオン化ポテンシ
ャルを持つ正孔注入層または正孔輸送層を、膜厚を正確
に制御して容易に形成できる。
【0012】課題を解決するための手段5.前記課題を
解決するための手段1から4において、少なくともポリ
パラフェニレンおよびその誘導体の前駆体を含有する液
体を、インクジェット方式により成膜し、加熱して共役
化させ前記赤色、緑色の発光層を形成することを特徴と
する。本構成により、正孔注入層または正孔輸送層およ
び、青色発光層と相溶しない、効率の良く色純度の高い
赤色、緑色の発光層を容易に形成できる。
【0013】課題を解決するための手段6.前記課題を
解決するための手段1から5において、青色発光層を、
少なくともポリフルオレン誘導体を溶解させた液体を塗
布し、乾燥させて形成することを特徴とする。本構成に
より、正孔注入層または正孔輸送層および、赤色または
緑色発光層と相溶しない、効率の良く色純度の高い青色
の発光層を容易に形成できる。
【0014】課題を解決するための手段7.前記課題を
解決するための手段1から6において、陽極上に正孔注
入層または正孔輸送層を形成した後に、フロロカーボン
ガスのプラズマを照射し、その後発光層を形成すること
を特徴とする。本構成により、容易に正孔注入層または
正孔輸送層上にフッ素化物層を形成する事が出来る。正
孔注入層または正孔輸送層と発光層の界面のエネルギー
レベルのマッチングを取ることができ、発光効率の向
上、および駆動電圧の低減を実現できる。
【0015】課題を解決するための手段8.前記課題を
解決するための手段1から6において、陽極上に正孔注
入層または正孔輸送層を形成し、赤色、緑色の発光層を
形成した後に、フロロカーボンガスのプラズマを照射
し、その後発光層を形成することを特徴とする。本構成
により、容易に正孔注入層または正孔輸送層および赤
色、緑色の発光層上にフッ素化物層を形成する事が出来
る。
【0016】課題を解決するための手段9.前記課題を
解決するための手段7または8において、フロロカーボ
ンガスがCF4であることを特徴とする。本構成によ
り、より効率的に正孔注入層または正孔輸送層および赤
色、緑色の発光層上にフッ素化物層を形成する事が出来
る。
【0017】課題を解決するための手段10.前記課題
を解決するための手段7または8において、フロロカー
ボンガスのプラズマを照射する前に酸素プラズマを照射
することを特徴とする。本構成により、より効率的に正
孔注入層または正孔輸送層および赤色、緑色の発光層上
にフッ素化物層を形成する事が出来る。
【0018】課題を解決するための手段11.本発明の
有機EL表示装置は、手段1から10いずれかにの製造
方法で作成した有機EL素子を有することを特徴とす
る。本構成により、効率が高く色純度の高い、高精細の
有機EL表示装置を提供出来る。
【0019】課題を解決するための手段12.前記課題
を解決するための手段11において、透明基板上に各画
素を駆動するためのTFT素子が形成されていることを
特徴とする。本構成により、大画面化が可能で、効率が
高く色純度の高い、高精細の有機EL表示装置を提供出
来る。
【0020】課題を解決するための手段13.前記課題
を解決するための手段11において、陰極上に保護膜が
形成されていることを特徴とする。本構成により、信頼
性の高い有機EL表示装置を提供出来る。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機EL素子の製
造方法、および有機EL素子を添付図面に示す好適実施
例に基づいて詳細に説明する。
【0022】(実施例1)図1は本発明の有機EL素子
の製造方法の第1実施例を示す。同図は3色のフルカラ
ー有機EL素子の製造方法を示すものである。図に示す
ように、透明基板104上に画素電極101、102、
103を形成する工程と、該各画素電極上に有機化合物
からなる正孔注入層または正孔輸送層120を形成する
工程と、有機化合物からなる赤色発光層106、緑色発
光層107をパターン形成する工程と、有機化合物から
なる青色発光層108を形成する工程と、陰極113を
形成する工程とを有する有機EL素子の製造方法であっ
て、赤色と緑色の発光層の形成をインクジェット方式に
より行うことを特徴とする。
【0023】透明基板104は、支持体であると同時に
光を取り出す面として機能する。したがって、透明基板
104は、光の透過特性や熱的安定性等を考慮して選択
される。透明基板材料としては、例えばガラス基板、透
明プラスチック等が挙げられるが、耐熱性に優れること
からガラス基板が好ましい。
【0024】まず、透明基板104上に、画素電極10
1、102、103を形成する。形成方法としては、例
えばフォトリソグラフィー、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、パイロゾル法等が挙げられるが、フォトリソグラ
フィーによることが好ましい。画素電極としては透明画
素電極が好ましく、透明画素電極を構成する材料として
は、酸化スズ膜、ITO膜、酸化インジウムと酸化亜鉛
との複合酸化物膜等が挙げられる。
【0025】次に、隔壁(バンク)105を形成し、上
記の各透明画素電極間を埋める。これにより、コントラ
ストの向上、発光材料の混色の防止、画素と画素との間
からの光洩れ等を防止することができる。
【0026】隔壁105を構成する材料としては、EL
材料の溶媒に対し耐久性を有するものであれば特に限定
されず、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、感光性ポ
リイミド等の有機材料、液状ガラス等の無機材料等が挙
げられる。また、隔壁105は、上記材料にカーボンブ
ラック等を混入してブラックレジストとしてもよい。こ
の隔壁105の形成方法としては、例えばフォトリソグ
ラフィー等が挙げられる。
【0027】さらに該各画素電極上に、有機化合物から
なる正孔注入層または正孔輸送層120を形成する。ま
ず、パターニングした透明な陽極付き透明基板1上に、
酸素プラズマまたはUV照射処理した後に、正孔注入層
または正孔輸送層となりうる物質を製膜した。正孔注入
層または正孔輸送層として、ポリチオフェン誘導体を含
有する例を示した。ポリチオフェン誘導体として、バイ
エル社から発売されているバイトロンPを用い、必要に
応じPSS(ポリスチレンスルフォン酸)を添加した。
架橋させるシランカップリング剤としては、γク゛リシジ
ルオキシプロピルトリメトキシシランを用いた。溶媒と
してメタノールとエトキシエタノールを適当量加え、こ
れを透明電極を形成したガラス基板上にスピンコートし
た。さらに200℃真空状態で1時間過熱した。硬化し
た正孔注入層または正孔輸送層は、一般的な溶媒に不溶
となった。膜厚は200nmであった。
【0028】さらに、各画素電極上に、所定のパターン
で有機発光層を形成する。有機発光層は3色設けること
が好ましく、このうち、赤色と緑色をインクジェット方
式により形成することが好ましい。
【0029】図1の実施例では、画素電極101、10
2の上に、硬化した正孔注入層または正孔輸送層120
を介して、各々インクジェット方式により赤色発光層1
06および緑色発光層107を形成した後、さらに20
0℃真空状態で1時間過熱した。膜厚は100nmであ
った。
【0030】ここで、インクジェット方式とは、発光材
料を溶媒に溶解または分散させ吐出液としてインクジェ
ットプリント装置109のヘッド110から吐出し、赤
色、緑色、青色のような3原色またはその中間色のうち
少なくとも1色の画素を形成することをいう。
【0031】かかるインクジェット方式によれば、微細
なパターニングを簡便にかつ短時間で行うことができ
る。また、吐出量の増減による膜厚の調整、またはイン
クの濃度調整による発色バランス、輝度等の発光能を容
易かつ自由に制御することができる。
【0032】なお、有機発光材料が後述する共役高分子
前駆体である場合には、インクジェット方式により各発
光材料を吐出してパターニングした後、加熱または光照
射等によって前駆体成分を共役化(成膜)し、一般的な
溶剤に不溶な発光層を形成できる。
【0033】発光層は有機化合物からなるものが好まし
く、高分子有機化合物からなるものがより好ましい。有
機化合物からなる発光層を設けることにより、低電圧で
高輝度の面発光を可能にすることができる。また、発光
材料の幅広い選択によりEL発光素子の合理的設計が可
能となる。
【0034】特に高分子有機化合物は成膜性に優れ、ま
た高分子有機化合物からなる発光層の耐久性は極めて良
好である。また、可視領域の禁止帯幅と比較的高い導電
性を有しており、なかでも共役系高分子はこのような傾
向が顕著である。有機発光層材料としては、高分子有機
化合物そのもの、または加熱等により共役化(成膜)す
る共役高分子有機化合物の前駆体等が用いられる。
【0035】共役化(成膜)する前の前駆体を発光材料
として用いる場合には、インクジェットの吐出液として
表面張力や粘度等の調整が容易であり、精密なパターニ
ングが可能で、発光層の発光特性や膜性状を容易に制御
することができる。
【0036】発光層を形成し得る有機化合物としては、
例えばPPV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))ま
たはその誘導体、PTV(ポリ(2,5-チエニレンビニレ
ン))等のポリアルキルチオフェン、PFV(ポリ(2,
5-フリレンビニレン))、ポリパラフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン等のポリアリレンビニレン、ピラゾリ
ンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウム
パークロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、
フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられ、これ
らを1種または2種以上を混合して用いることができ
る。
【0037】これらのなかでも共役高分子有機化合物で
あるPPVまたはその誘導体が好ましい。PPVまたは
その誘導体の共役化(成膜)前の前駆体は、水あるいは
極性有機溶媒に可溶であり、インクジェット方式による
パターン形成に適している。また、高分子であるため光
学的にも高品質で耐久性に優れた薄膜を得ることができ
る。さらに、PPVまたはその誘導体は強い蛍光を持
ち、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化してい
る導電性高分子でもあるためPPVの薄膜は正孔注入輸
送層としても機能し、高性能の有機EL素子を得ること
ができる。
【0038】さらに、高分子有機発光層材料を用いる場
合の有機EL素子用組成物は、少なくとも1種の蛍光色
素を含むことも可能である。これにより、発光層の発光
特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効
率の向上、または光吸収極大波長(発光色)を変える手
段として有効である。
【0039】すなわち、蛍光色素は単に発光層材料とし
てではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利
用することができる。例えば、PPV等のような共役系
高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエ
キシトンのエネルギーをほとんど蛍光色素分子上に移す
ことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍
光色素分子からのみ起こるため、EL素子の電流量子効
率も増加する。したがって、有機EL素子用組成物中に
蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペ
クトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるた
めの手段としても有効となる。
【0040】なお、ここでいう電流量子効率とは、発光
機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であっ
て、下記式により定義される。
【0041】ηE=放出されるフォトンのエネルギー/
入力電気エネルギー そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換
によって、色純度の高い赤色、緑色を発光させることが
でき、その結果フルカラー表示装置を得ることが可能と
なる。さらに蛍光色素をドーピングすることにより、E
L素子の発光効率を大幅に向上させることができる。
【0042】赤色発光層に用いられる蛍光色素として
は、レーザー色素のDCMあるいはローダミンまたはロ
ーダミン誘導体、ペリレン等を用いることができる。こ
れらの蛍光色素は、低分子であるため溶媒に可溶であ
り、またPPV等と相溶性がよく、均一で安定した発光
層の形成が容易である。ローダミン誘導体蛍光色素とし
ては、例えばローダミンB、ローダミンBベース、ロー
ダミン6G、ローダミン101過塩素酸塩等が挙げら
れ、これらを2種以上混合したものであってもよい。
【0043】また、緑色発光層に用いられる蛍光色素と
しては、キナクリドン、ルブレン、DCJTおよびそれ
らの誘導体が挙げられる。これらの蛍光色素は上記赤色
蛍光色素と同様、低分子であるため溶媒に可溶であり、
またPPV等と相溶性がよく発光層の形成が容易であ
る。
【0044】次いで、図1に示すように青色発光層10
8を赤色発光層106、緑色発光層107および画素電
極103の上に形成する。これにより、赤、緑、青の3
原色を形成するのみならず、赤色発光層106および緑
色発光層107と隔壁105との段差を埋めて平坦化す
ることができる。これにより、上下電極間のショートを
確実に防ぐことができる。青色発光層の膜厚を調整する
ことで、青色発光層は赤色発光層および緑色発光層との
積層構造において、電子注入輸送層として作用し、青色
には発光しない。
【0045】かかる青色発光層108の形成方法として
は特に限定されず、湿式法として一般的なスピンコート
法またはインクジェット法でも形成可能である。本実施
例では青色発光層108として、ポリジオクチルフルオ
レンのキシレン溶液をスピンコートして、80℃で1時
間乾燥し100nmの膜厚とした。
【0046】青色発光層としては他にポリフルオレン誘
導体であるポリジへキシルフルオレンや、その他の重合
基との共重合体が挙げられ、青色蛍光色素や電子注入輸
送機能を持つ有機化合物を添加してもよい。
【0047】電子注入輸送層を形成し得る有機化合物と
しては、PBD、OXD−8等のオキサジアゾール誘導
体、DSA、アルミキノリノール錯体、Bebq、トリ
アゾール誘導体、アゾメチン錯体、ポルフィン錯体、ベ
ンゾオイキジアゾール錯体等が挙げられる。
【0048】本実施例のように、有機発光層のうち2色
をインクジェット方式により形成し、他の1色を従来の
塗布方法により形成することにより、インクジェット方
式にあまり適さない発色材料であっても、インクジェッ
ト方式に用いられる他の有機発光材料と組合せることに
よりフルカラー有機EL素子を形成することができるた
め、設計の幅が拡がる。インクジェット方式以外の従来
の塗布方法としては、印刷法、転写法、ディッピング
法、スピンコート法、キャスト法、キャピラリー法、ロ
ールコート法、バーコート法等が挙げられる。
【0049】最後に、陰極(対向電極)113を形成
し、本発明の有機EL素子が作製される。陰極113と
しては金属薄膜電極が好ましく、陰極を構成する金属と
しては、例えばMg、Ag、Al、Li等が挙げられ
る。また、これらの他に仕事関数の小さい材料を用いる
ことができ、例えばアルカリ金属や、Ca等のアルカリ
土類金属およびこれらを含む合金を用いることができ
る。また金属のフッ素化物も適応できる。このような陰
極113は蒸着法およびスパッタ法等により設けること
ができる。
【0050】さらに、図4に示すように陰極113の上
に保護膜401が形成されていてもよい。保護膜401
を形成することにより、陰極113および各発光層10
6、107、108の劣化、損傷および剥離等を防止す
ることができる。
【0051】このような保護膜401の構成材料として
は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等が挙げ
られる。また、保護膜401の形成方法としては、例え
ばスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法、キャピラリー
法等が挙げられる。
【0052】本発明の有機EL素子の製造方法において
使用されるインクジェット用ヘッドの構造を第6図およ
び第7図に示す。当該インクジェット用ヘッド10は、
例えばステンレス製のノズルプレート11と振動板13
とを備え、両者は仕切部材(リザーバプレート)15を
介して接合されている。
【0053】ノズルプレート11と振動板13との間に
は、仕切部材15によって複数のインク室19と液溜り
21とが形成されている。インク室19および液溜り2
1の内部は本発明の組成物で満たされており、インク室
19と液溜り21とは供給口23を介して連通してい
る。さらに、ノズルプレート11には、インク室19か
ら組成物をジェット状に噴射するためのノズル孔25が
設けられている。一方、インクジェット用ヘッド10
には、液溜り21に組成物を供給するためのインク導入
孔27が形成されている。また、振動板13のインク室
19に対向する面と反対側の面上には、前記空間19の
位置に対応させて圧電素子29が接合されている。
【0054】この圧電素子29は1対の電極31の間に
位置し、通電すると圧電素子29が外側に突出するよう
に撓曲し、同時に圧電素子29が接合している振動板1
3も一体となって外側に撓曲する。これによってインク
室19の容積が増大する。したがって、インク室19内
に増大した容積分に相当する組成物が液溜り21から供
給口23を介して流入する。
【0055】次に、圧電素子29への通電を解除する
と、該圧電素子29と振動板13はともに元の形状に戻
る。これにより空間19も元の容積に戻るためインク室
19内部の組成物の圧力が上昇し、ノズル孔25から基
板に向けて組成物が噴出する。
【0056】なお、ノズル孔25の周辺部には、組成物
の飛行曲がり・孔詰まりを防止するために撥インク層2
6が設けられている。すなわち、ノズル孔25の周辺部
は、第7図に示すように例えばNi−テトラフルオロエ
チレン共析メッキ層からなる撥インク層26が設けられ
ている。
【0057】このようなヘッドを用いて、例えば赤色、
緑色に対応する組成物を所定のパターンで吐出すること
により各有機発光層を設け、画素を形成することができ
る。
【0058】本発明の有機EL素子の製造方法におい
て、インクジェット方式に用いられる有機発光材料組成
物は、以下のような特性を有するものを用いることがで
きる。
【0059】前記組成物は、インクジェット用ヘッドに
設けられた該組成物を吐出するノズルのノズル面33を
構成する材料に対する接触角が30度〜170度である
ことが好ましく、35度〜65度がより好ましい。組成
物がこの範囲の接触角を有することにより組成物の飛行
曲がりを抑制することができ、精密なパターニングが可
能となる。
【0060】すなわち、この接触角が30度未満である
場合、組成物のノズル面の構成材料に対する濡れ性が増
大するため、組成物を吐出する際、組成物がノズル孔の
周囲に非対称に付着することがある。この場合、ノズル
孔に付着した組成物と吐出しようとする付着物との相互
間に引力が働くため、組成物は不均一な力により吐出さ
れることになり目標位置に到達できない所謂飛行曲がり
が生じ、また飛行曲がり頻度も高くなる。また、170
度を超えると、組成物とノズル孔との相互作用が極小と
なり、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないた
め組成物の吐出量、吐出タイミングの制御が困難にな
る。
【0061】ここで飛行曲がりとは、組成物を前記ノズ
ルから吐出させたとき、ドットの着弾した位置が、目標
位置に対し50μm以上のずれを生じることをいう。ま
た、飛行曲がり頻度とは、周波数7200Hzで連続吐
出したとき上記の飛行曲がりが生じるまでの時間をい
う。飛行曲がりは、主にノズル孔の濡れ性が不均一であ
る場合や組成物の固型成分の付着による目詰り等によっ
て発生し、ヘッドをクリーニングすることにより解消す
ることができる。この飛行曲がり頻度が高いほど頻繁な
ヘッドクリーニングが必要となり、インクジェット方式
によるEL素子の製造効率を低下させる組成物であると
いえる。実用レベルでは飛行曲がり頻度は1000秒以
上であることが必要である。このような飛行曲がりが防
止されることにより、高精細なパターニングも可能であ
り、しかも精度よく行うことができる。
【0062】また、前記組成物の粘度は1cp〜20cpで
あることが好ましく、2cp〜4cpであることがより好ま
しい。組成物の粘度が1cp未満である場合、前記前駆体
および蛍光色素の材料中の含有量が過小となり、形成さ
れた発光層が十分な発色能を発揮し得なくなる。一方、
20cpを超える場合、ノズル孔から組成物を円滑に吐出
させることができず、ノズル孔径を大きくする等の装置
の仕様を変更しない限りパターニングが困難となる。さ
らに、粘度が大きい場合、組成物中の固型分が析出し易
く、ノズル孔の目詰りの発生頻度が高くなる。
【0063】また、前記組成物は表面張力が20dyne/
cm〜70dyne/cmであることが好ましく、25dyne/cm
〜40dyne/cmがより好ましい。この範囲の表面張力に
することにより、上述した接触角の場合と同様、飛行曲
がりを抑制し、飛行曲がり頻度を低く抑えることができ
る。表面張力が20dyne/cm未満であると、組成物のノ
ズル面の構成材料に対する濡れ性が増大するため、上記
接触角の場合と同様飛行曲がりが生じ、飛行曲がり頻度
が高くなる。また、70dyne/cmを超えるとノズル先端
でのメニスカス形状が安定しないため、組成物の吐出
量、吐出タイミングの制御が困難になる。
【0064】また、本発明の有機EL素子の製造方法に
適する有機発色材料組成物は、上述した接触角、粘度お
よび表面張力について少なくとも1つについて数値範囲
を満足するものであればよく、2以上の任意の組合せの
特性について条件を満足するもの、さらにはすべての特
性について満足するものがさらに好ましい。
【0065】(実施例2)図2は、本発明の有機EL素
子の製造方法の第2実施例を示す図である。
【0066】本実施例では、第1実施例と同様に透明基
材104上に画素電極101、102、103、および
隔壁105を設けた後、インクジェット方式により有機
化合物からなる正孔注入層または正孔輸送層120を形
成した。200℃窒素雰囲気中で2時間加熱した後の膜
厚は50nmであった。
【0067】正孔注入層または正孔輸送層を構成する材
料、および液組成は実施例1と同じであるが、インクジ
ェット方式で形成する点で上記第1実施例と相異なる。
このように正孔注入輸送層または正孔輸送層を形成する
ことにより、高精細なパターンであっても、確実に膜厚
の制御性良く、有機薄膜を形成できる。
【0068】さらに、上記実施例1と同様にインクジェ
ット方式により赤色発光層106、緑色発光層107を
設け、その上に青色発光層108を積層した。陰極11
3を形成することにより本発明の有機EL素子を得るこ
とができた。赤色発光層106、緑色発光層107、青
色発光層108、陰極113の構成材料、および形成方
法は実施例1と同様である。
【0069】(実施例3)本実施例では、陽極上に正孔
注入層または正孔輸送層を形成した後に、酸素プラズマ
を照射し、更にフロロカーボンガスのプラズマを照射し
た例を示す。プラズマ発生装置としては、真空中でプラ
ズマを発生する装置でも、大気圧中でプラズマを発生す
る装置でも同様に用いる事が出来る。
【0070】まず、画素間にポリイミドから成る有機膜
を形成し、次に画素部のITO電極極上にインクジェッ
ト法にてバイエル社製バイトロンPを吐出し成膜し20
0℃にて1時間焼成した。次にこの上に酸素プラズマお
よびCF4プラズマ処理を施して、次にこれら画素の
内、緑色画素となる画素上に、PPV前駆体をDMIを
主成分とする溶媒に溶解させてインクとし、インクジェ
ット法にて吐出しパターン形成した。次に赤色画素とな
る画素上に、ローダミン1を混合したPPV前駆体を、
DMIを主成分とする溶媒に溶解させてインクとし、イ
ンクジェット法にて吐出しパターン形成した。150℃
で加熱硬化させた後、全面にポリジオクチルフルオレン
のキシレン溶液をインクジェット法にて吐出乾燥した。
【0071】その上にCaを200nmの膜厚で真空加
熱蒸着により積層し、さらにAlを800nmの膜厚で
スパッタ法により積層して陰極とした。最後に陰極から
電線を引きだし、さらに陰極上にエポキシ樹脂からなる
保護膜により封止を施し、有機EL素子を完成した。
【0072】通常ITOの仕事関数は4.8eV程度で
あり、正孔注入層または正孔輸送層は4.8〜5.4e
V程度である。この上にフッ素化物層を形成する事でこ
の表面でのイオン化ポテンシャルを5.7eV程度まで
高められた。このため発光材料とほぼ同等のイオン化ポ
テンシャルとなり、発光層と正孔輸送層とのエネルギー
ギャップが小さくなり、正孔注入がスムースに行われ
た。その結果エネルギー効率の高い有機EL素子を提供
できた。
【0073】(実施例4) まず、画素間にポリイミドか
ら成る有機膜を形成し、次に画素部のITO電極極上に
スピンコート法にてバイエル社製バイトロンPを吐出し
成膜し200℃にて1時間焼成した。次に、緑色画素と
なる画素上に、PPV前駆体をDMIを主成分とする溶
媒に溶解させてインクとし、インクジェット法にて吐出
しパターン形成した。次に赤色画素となる画素上に、ロ
ーダミン1を混合したPPV前駆体を、DMIを主成分
とする溶媒に溶解させてインクとし、インクジェット法
にて吐出しパターン形成した。
【0074】窒素中200℃で2時間加熱し、共役化さ
せた後、この上にCF4プラズマ処理を施した。次に、
全面にポリジオクチルフルオレンのキシレン溶液をスピ
ンコート法にて塗布し、乾燥させた。その上にフッ化リ
チウムを20nmの膜厚で真空加熱蒸着により積層し、
さらにAlを800nmの膜厚で真空加熱蒸着法により
積層して陰極とした。最後に陰極から電線を引きだし、
さらに陰極上にエポキシ樹脂からなる保護膜により封止
を施し、有機EL素子を完成した。
【0075】通常ITOの仕事関数は4.8eV程度で
あり、正孔注入層または正孔輸送層は4.8〜5.4e
V程度である。エネルギーギャップが一番大きい発光層
は青色発光材料である。正孔注入層または正孔輸送層上
にフッ素化物層を形成する事でこの表面でのイオン化ポ
テンシャルを5.7eV程度まで高められた。このため
青色発光材料とほぼ同等のイオン化ポテンシャルとな
り、青色発光層と正孔輸送層とのエネルギーギャップが
小さくなり、正孔注入がスムースに行われた。
【0076】また、インクジェット法を用いてパターン
形成する際、表面がフッ素化されていると、インクによ
る成膜が均質にできない状況が発生する場合がある。本
実施例においては、緑色画素と赤色画素が大変制御性よ
く、パターン形成できた。また、青色発光材料はスピン
コートで形成したため、全面均質に成膜できた。
【0077】その結果、製造歩留まりが高く、エネルギ
ー効率の高い有機EL素子を提供できた。
【0078】(実施例5)図3は、本発明の有機EL素
子の製造方法の第5実施例を示す図である。
【0079】本実施例では、第1実施例と同様に透明基
材104上に画素電極101、102、103、をパタ
ーン形成した後、隔壁を設けずに、スピンコート法を用
いて有機化合物からなる正孔注入層または正孔輸送層1
20を形成した。200℃窒素雰囲気中で2時間加熱し
た後の膜厚は100nmであった。
【0080】正孔注入層または正孔輸送層を構成する材
料、および液組成は実施例1と同じであるが、形成方法
はこれに限定されず、例えばインクジェット方式、ディ
ッピング法、スピンコート法、キャスト法、キャピラリ
ー法、ロールコート法、バーコート法等であってもよ
い。
【0081】さらに、上記実施例1と同様にインクジェ
ット方式により赤色発光層106、緑色発光層107を
設け、その上に青色発光層108を積層した。陰極11
3を形成することにより本発明の有機EL素子を得るこ
とができた。赤色発光層106、緑色発光層107、青
色発光層108、陰極113の構成材料、および形成方
法は実施例1と同様である。
【0082】本実施例は、画素以外を覆う分離層を設け
ない点で上記第1実施例と相異なる。分離層を設けない
ため、製造効率が格段に向上する。精細度を余り必要と
しないディスプレイであれば、この方法で十分製造可能
であり、低コスト化や大面積化に優れている。
【0083】(実施例6)図5は、本発明の有機EL表
示装置の実施例を示す図である。
【0084】本実施例では、ガラス基板104上にAl
製のバスライン(ゲート線)501をフォトリソパター
ニングにより設け、その上に図示しない薄膜トランジス
タを形成し、101(赤)、102(緑)、103
(青)のITO透明画素電極を形成した。隔壁105を
設けた後、スピンコート法により有機化合物からなる正
孔注入層または正孔輸送層120を形成した。発光層1
06(赤)、107(緑)をインクジェット方式により
形成し、青色発光層108をスピンコート法により形成
した。次に、陰極113を真空蒸着法により設け、前述
の第1実施例と同様の有機EL素子を製造した。
【0085】さらに、保護基材502をガラス基板10
4に周辺シール503を介して固定するように貼り合わ
せた。次に、これをアルゴンガス等のような不活性ガス
雰囲気中で、封孔504から不活性ガス506を導入
し、最後に封孔504を封孔材505でシールする。不
活性ガス506を封入しシールすることにより、水分等
の外部からの汚染や環境変化から有機EL素子を防護す
ることができ、有機EL表示装置の発光特性を維持する
ことができる。封孔材505は、不活性ガス506を透
過しない材料で構成されていることが好ましい。
【0086】陰極113を形成する際、ゲート線501
とのコンタクトが取れるよう配置した。ゲート線501
は、表示画素の選択のために該表示画素毎に設けられた
TFTのオン・オフを行単位で制御する役割を果たす。
書き込み時には、1つの行のゲート線501の電位を選
択レベルにし、この行のTFTを導通状態にする。この
とき、各列のソース電極配線(図示せず)から対応する
画素の映像信号電圧を供給すれば、映像信号電圧はTF
Tを通って画素電極に到達し、信号電圧レベルにまで画
素に溜まった電荷を充電または放電することができる。
【0087】陰極をパターン形成する必要が無いため、
高精細化が可能であった。また、各画素は5V以下の低
電圧でも100Cd/m以上の輝度が得られた。デュ
ーティー駆動ではないため、画素数や画面サイズに拘束
されず、対角10インチ以上の大画面の有機EL表示装
置でも、低消費電力で駆動可能である。
【0088】本発明のアクティブマトリクス型有機EL
表示装置の上記実施例では、スイッチング素子として薄
膜トランジスタが用いられているが、これに限定される
ものではなく、他の種類のスイッチング素子、二端子素
子、例えばMIM等のスイッチング素子を用いることも
可能である。さらにパッシブ駆動、スタティック駆動
(静止画、セグメント表示)も可能である。
【0089】また、1画素につきスイッチング素子は1
つに限られず、1画素に複数のスイッチング素子を備え
るものであってもよい。図8に、1画素にスイッチング
素子を複数個有する有機EL表示装置の一例を示す。こ
こで、スイッチング薄膜トランジスタ142は、走査電
極131の電位に応じて信号電極132の電位をカレン
ト薄膜トランジスタ143に伝達し、カレント薄膜トラ
ンジスタ143は、共通電極133と画素電極141と
の導通を制御する役割を果たしている。
【0090】次に、本発明の有機EL素子を用いたパッ
シブマトリクス(単純マトリクス)型有機EL表示装置
の一例を図に基づいて説明する。
【0091】図9は、本発明の有機EL表示装置の概略
部分拡大断面図である。図に示すように、本実施例の有
機EL表示装置は、有機EL素子を製造する際に、短冊
状に形成された走査電極53と信号電極54とが、有機
EL素子52を介して互いに直交するよう配置されてい
る。
【0092】このようなパッシブマトリクス型の駆動
は、パルス的に走査電極53を順番に選択し、その走査
電極53を選択する際、各画素に対応する信号電極54
を選んで電圧を印加することにより行われる。そのよう
な選択はコントローラ55により制御される。
【0093】なお、パッシブ駆動型の場合には、カソー
ド(陰極)がパターニングされ、各ラインごとにセパレ
ートしていることが必要である。陰極は、例えばマスク
蒸着法、レーザーカッティング法によりパターン形成さ
れる。
【0094】図10に走査電極13および信号電極14
に印加される電圧の駆動波形の一例を示す。図に示す駆
動波形において、選択された画素には発光するのに十分
な電圧Vsを印加する。また、表示する階調に合わせた
パルス幅の波形により、画素の表示濃度を制御する。一
方、選択されない画素には発光閾値電圧以下の電圧Vn
を印加する。
【0095】図10において、Tfは1操作時間を示し
ている。ここではデューティー比1/100で駆動した
場合について述べる。実施例2の有機EL素子からなる
有機EL表示装置を前記条件で駆動したところ、全点灯
の白色発光は、駆動電圧20Vで100Cd/m
0.であった。
【0096】
【発明の効果】以上本発明によれば、全ての有機層を塗
布法特にインクジェット法を用いて形成でき、生産性が
高く大画面化が可能な製造方法で、従来より効率の高
い、色純度の高い、高精細な有機EL表示装置を提供で
きた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の製造方法を示す断面図
である。
【図2】本発明の有機EL素子の製造方法を示す断面図
である。
【図3】本発明の有機EL素子の製造方法を示す断面図
である。
【図4】本発明の有機EL表示装置の簡単な断面図であ
る。
【図5】本発明の有機EL表示装置の簡単な断面図であ
る。
【図6】本発明の有機EL素子の製造に用いられるイン
クジェット用プリンタヘッドの構成例を示す平面斜視図
である。
【図7】本発明の有機EL素子の製造に用いられるイン
クジェット用プリンタヘッドのノズル部分の断面図であ
る。
【図8】本発明の有機EL表示装置の一部を示す図であ
る。
【図9】本発明の有機EL表示装置の概容を示す斜視図
である。
【図10】本発明の有機EL表示装置の電極に印可され
る電圧の駆動波形の一例を示す図である。
【符号の説明】
10…インクジェット用ヘッド 11…ノズルプレート 13…振動板 15…仕切部材 19…インク室 21…液溜り 23…供給口 25…ノズル孔 26…撥インク層 27…インク導入孔 29…圧電素子 31…電極 33…ノズル面 52…有機EL素子 53…走査電極 54…信号電極 55…コントローラ 101…画素電極(赤) 102…画素電極(緑) 103…画素電極(青) 104…透明基板 105…隔壁 106…発光層(赤) 107…発光層(緑) 108…発光層(青) 109…インクジェットプリント装置 110…インクジェットヘッド 113…陰極 131…走査電極 132…信号電極 133…共通電極 141…画素電極 142…スイッチングTFT 143…カレントTFT 120…正孔注入層または正孔輸送層 401…保護膜 501…バスライン 502…保護基材 503…シール 504…封孔 505…封孔材 506…不活性ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木口 浩史 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 小林 英和 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB04 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】正孔注入層または正孔輸送層と、発光層
    を、陽極および陰極で挟持した構造の有機EL素子の製
    造方法において、透明基板上に陽極として作用する画素
    電極を形成する工程と、有機化合物からなる正孔注入層
    または正孔輸送層を形成する工程と、有機化合物からな
    る赤色、緑色の発光層をインクジェット方式によりパタ
    ーン形成する工程と、有機化合物からなる青色の発光層
    を塗布法により形成する工程と、陰極を形成する工程と
    からなることを特徴とする有機EL素子の製造方法。
  2. 【請求項2】前記基板上に画素以外を覆う分離膜を設け
    る事を特徴とする請求項1記載の有機EL素子の製造方
    法。
  3. 【請求項3】少なくともポリチオフェン誘導体とシラン
    カップリング剤を含有する液体を塗布法により成膜し、
    熱硬化させて前記正孔注入層または正孔輸送層を形成す
    ることを特徴とする請求項1または2記載の有機EL素
    子の製造方法。
  4. 【請求項4】画素部分の陽極上に、少なくともポリチオ
    フェン誘導体とシランカップリング剤を含有する液体を
    インクジェット方式により成膜し、熱硬化させて前記正
    孔注入層または正孔輸送層を形成することを特徴とする
    請求項1または2記載の有機EL素子の製造方法。
  5. 【請求項5】少なくともポリパラフェニレンおよびその
    誘導体の前駆体を含有する液体を、インクジェット方式
    により成膜し、加熱して共役化させ前記赤色、緑色の発
    光層を形成することを特徴とする請求項1から4いずれ
    か記載の有機EL素子の製造方法。
  6. 【請求項6】前記青色発光層を、少なくともポリフルオ
    レン誘導体を溶解させた液体を塗布し、乾燥させて形成
    することを特徴とする請求項1から5いずれか記載の有
    機EL素子の製造方法。
  7. 【請求項7】陽極上に正孔注入層または正孔輸送層を形
    成した後に、フロロカーボンガスのプラズマを照射し、
    その後発光層を形成することを特徴とする請求項1から
    6いずれか記載の有機EL素子の製造方法。
  8. 【請求項8】陽極上に正孔注入層または正孔輸送層を形
    成し、赤色、緑色の発光層を形成した後に、フロロカー
    ボンガスのプラズマを照射し、その後発光層を形成する
    ことを特徴とする請求項1から6いずれか記載の有機E
    L素子の製造方法。
  9. 【請求項9】前記フロロカーボンガスがCF4であるこ
    とを特徴とする請求項7または8記載の有機EL素子の
    製造方法。
  10. 【請求項10】前記フロロカーボンガスのプラズマを照
    射する前に酸素プラズマを照射することを特徴とする請
    求項7または8記載の有機EL素子の製造方法。
  11. 【請求項11】請求項1から10いずれかに記載の製造
    方法で作成した有機EL素子を有することを特徴とする
    有機EL表示装置。
  12. 【請求項12】前記透明基板上に各画素を駆動するため
    のTFT素子が形成されていることを特徴とする請求項
    11記載の有機EL表示装置。
  13. 【請求項13】前記陰極上に保護膜が形成されているこ
    とを特徴とする請求項11または12記載の有機EL表
    示装置。
JP00468299A 1999-01-11 1999-01-11 有機el素子の製造方法および有機el表示装置 Expired - Lifetime JP3900724B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00468299A JP3900724B2 (ja) 1999-01-11 1999-01-11 有機el素子の製造方法および有機el表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00468299A JP3900724B2 (ja) 1999-01-11 1999-01-11 有機el素子の製造方法および有機el表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000208254A true JP2000208254A (ja) 2000-07-28
JP3900724B2 JP3900724B2 (ja) 2007-04-04

Family

ID=11590675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00468299A Expired - Lifetime JP3900724B2 (ja) 1999-01-11 1999-01-11 有機el素子の製造方法および有機el表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3900724B2 (ja)

Cited By (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158089A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
WO2002087287A1 (fr) * 2001-04-19 2002-10-31 Hitachi,Ltd. Panneau electroluminescent, visualiseur d'image et procede permettant de les produire
JP2002324662A (ja) * 2001-04-23 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2002370352A (ja) * 2001-06-15 2002-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 印刷装置及び発光装置の作製方法
JP2004105948A (ja) * 2000-11-21 2004-04-08 Seiko Epson Corp 材料の吐出方法、及び吐出装置、カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、el装置の製造方法及び製造装置、並びに電子機器
JP2004127607A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法、電子機器
JP2004146244A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
WO2004047196A2 (en) 2002-11-15 2004-06-03 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
JP2005251768A (ja) * 2005-06-01 2005-09-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2005251769A (ja) * 2005-06-01 2005-09-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JPWO2004054325A1 (ja) * 2002-12-12 2006-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法
JP2006140434A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子
US7071486B2 (en) 2003-01-28 2006-07-04 Seiko Epson Corporation Emitter, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
JP2007103381A (ja) * 2006-12-08 2007-04-19 Seiko Epson Corp 有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物
JP2007520858A (ja) * 2003-12-19 2007-07-26 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光学装置
JP2008010251A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Seiko Epson Corp 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置
JP2008098583A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7459849B2 (en) 2000-09-18 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US7500895B2 (en) 2004-12-15 2009-03-10 Seiko Epson Corporation Patterned substrate, electro-optical device, and method for manufacturing an electro-optical device
US7659043B2 (en) 2004-10-18 2010-02-09 Seiko Epson Corporation Composition for conductive materials, conductive material, conductive layer, electronic device, and electronic equipment
JP2010062161A (ja) * 2009-12-14 2010-03-18 Seiko Epson Corp 有機el装置及び電子機器
JP2010509729A (ja) * 2006-11-14 2010-03-25 エスアールアイ インターナショナル キャビティエレクトロルミネセント素子およびその製造方法
JP2010157751A (ja) * 1999-03-29 2010-07-15 Seiko Epson Corp 有機elデバイスの製造方法
JP2010232696A (ja) * 2010-07-16 2010-10-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7829639B2 (en) 2004-09-02 2010-11-09 Seiko Epson Corporation Composition for conductive layers in electronic devices
JP2011009093A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Seiko Epson Corp 有機el装置及び電子機器
US7879970B2 (en) 2005-01-11 2011-02-01 Seiko Epson Corporation Conductive polymer, conductive layer, electronic device, and electronic equipment
US7910226B2 (en) 2005-04-15 2011-03-22 Seiko Epson Corporation Porous semiconductor layer formation material
JP2011066008A (ja) * 2010-11-19 2011-03-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8012528B2 (en) 2004-08-26 2011-09-06 Seiko Epson Corporation Composition for conductive materials comprising tetra acrylate functionalised arylamines, conductive material and layer, electronic device and equipment
JP2011198665A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜形成基材の製造方法
JP2011204373A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el装置およびその製造方法
WO2011132550A1 (ja) * 2010-04-20 2011-10-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2012011471A1 (ja) * 2010-07-21 2012-01-26 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JP2012060174A (ja) * 2011-12-19 2012-03-22 Sony Corp 表示装置
US8181595B2 (en) 2002-12-24 2012-05-22 Seiko Epson Corporation Liquid droplet ejecting apparatus, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus
JP2012151033A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Sony Corp 有機el表示装置およびその製造方法
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
JP2013038085A (ja) * 2000-11-27 2013-02-21 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP2013140809A (ja) * 2013-03-12 2013-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8581273B2 (en) 2011-05-31 2013-11-12 Seiko Epson Corporation Organic EL device
US8648528B2 (en) 2002-08-29 2014-02-11 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2014160850A (ja) * 2000-12-28 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8835019B2 (en) 2007-05-31 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device having an electron transport-emission layer and method of preparing the same
US8846426B2 (en) 2011-04-18 2014-09-30 Seiko Epson Corporation Organic EL device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US8932666B2 (en) 2002-09-24 2015-01-13 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Method and apparatus for manufacturing active-matrix organic el display, active matrix organic el display, method for manufacturing liquid crystal array, liquid crystal array, method and apparatus for manufacturing color filter substrate, and color filter substrate
JP2015062195A (ja) * 2014-11-26 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2016029672A (ja) * 2015-12-03 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9334556B2 (en) 2011-09-16 2016-05-10 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9583714B2 (en) 2009-10-01 2017-02-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Material for organic electronics, organic electronic element, organic electroluminescent element, display element using organic electroluminescent element, illuminating device, and display device
JP2017063059A (ja) * 2017-01-11 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013138173A (ja) 2011-11-28 2013-07-11 Ricoh Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384892A (ja) * 1989-08-25 1991-04-10 Seiko Epson Corp 発光素子
JPH0633048A (ja) * 1992-07-15 1994-02-08 Showa Denko Kk 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH07509339A (ja) * 1992-07-27 1995-10-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス装置
JPH0848858A (ja) * 1994-05-06 1996-02-20 Bayer Ag 伝導性被覆
JPH09504137A (ja) * 1994-08-08 1997-04-22 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性被膜を有する表示スクリーンを備えた陰極線管
JPH09279135A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
JP2700316B2 (ja) * 1987-06-10 1998-01-21 三菱電機株式会社 有機物質表面の改質方法
WO1998012689A1 (fr) * 1996-09-19 1998-03-26 Seiko Epson Corporation Ecran matriciel et son procede de fabrication
JPH1088030A (ja) * 1996-08-19 1998-04-07 Bayer Ag 引つ掻き抵抗性伝導性コーテイング
JPH1095787A (ja) * 1996-07-17 1998-04-14 Fuji Xerox Co Ltd シラン化合物及びその製造方法
JPH10153967A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Seiko Epson Corp フルカラー有機el表示装置およびその製造方法
JP2000306669A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Canon Inc 有機発光素子

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2700316B2 (ja) * 1987-06-10 1998-01-21 三菱電機株式会社 有機物質表面の改質方法
JPH0384892A (ja) * 1989-08-25 1991-04-10 Seiko Epson Corp 発光素子
JPH0633048A (ja) * 1992-07-15 1994-02-08 Showa Denko Kk 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH07509339A (ja) * 1992-07-27 1995-10-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス装置
JPH0848858A (ja) * 1994-05-06 1996-02-20 Bayer Ag 伝導性被覆
JPH09504137A (ja) * 1994-08-08 1997-04-22 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性被膜を有する表示スクリーンを備えた陰極線管
JPH09279135A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
JPH1095787A (ja) * 1996-07-17 1998-04-14 Fuji Xerox Co Ltd シラン化合物及びその製造方法
JPH1088030A (ja) * 1996-08-19 1998-04-07 Bayer Ag 引つ掻き抵抗性伝導性コーテイング
WO1998012689A1 (fr) * 1996-09-19 1998-03-26 Seiko Epson Corporation Ecran matriciel et son procede de fabrication
JPH10153967A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Seiko Epson Corp フルカラー有機el表示装置およびその製造方法
JP2000306669A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Canon Inc 有機発光素子

Cited By (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157751A (ja) * 1999-03-29 2010-07-15 Seiko Epson Corp 有機elデバイスの製造方法
JP4731629B2 (ja) * 1999-03-29 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 有機elデバイスの製造方法
US9263503B2 (en) 2000-09-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US7514868B2 (en) 2000-09-18 2009-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US7459849B2 (en) 2000-09-18 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US8044588B2 (en) 2000-09-18 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2002158089A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
JP2004105948A (ja) * 2000-11-21 2004-04-08 Seiko Epson Corp 材料の吐出方法、及び吐出装置、カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、el装置の製造方法及び製造装置、並びに電子機器
JP2014220255A (ja) * 2000-11-27 2014-11-20 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP2013038085A (ja) * 2000-11-27 2013-02-21 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP2016028392A (ja) * 2000-12-28 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2014160850A (ja) * 2000-12-28 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US9362518B2 (en) 2000-12-28 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9209418B2 (en) 2000-12-28 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7633094B2 (en) 2001-04-19 2009-12-15 Hitachi, Ltd. Electroluminescence display panel, image display, and method for manufacturing them
WO2002087287A1 (fr) * 2001-04-19 2002-10-31 Hitachi,Ltd. Panneau electroluminescent, visualiseur d'image et procede permettant de les produire
US8415881B2 (en) 2001-04-23 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US8853940B2 (en) 2001-04-23 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with seal member
JP2002324662A (ja) * 2001-04-23 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP4683772B2 (ja) * 2001-06-15 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2002370352A (ja) * 2001-06-15 2002-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 印刷装置及び発光装置の作製方法
US8632166B2 (en) 2001-06-15 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing device and method of manufacturing a light emitting device
US8648528B2 (en) 2002-08-29 2014-02-11 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
US8932666B2 (en) 2002-09-24 2015-01-13 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Method and apparatus for manufacturing active-matrix organic el display, active matrix organic el display, method for manufacturing liquid crystal array, liquid crystal array, method and apparatus for manufacturing color filter substrate, and color filter substrate
JP4701580B2 (ja) * 2002-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその製造方法、電子機器
JP2004127607A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法、電子機器
US7242375B2 (en) 2002-10-25 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US8779658B2 (en) 2002-10-25 2014-07-15 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US9065074B2 (en) 2002-10-25 2015-06-23 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US9450204B2 (en) 2002-10-25 2016-09-20 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2004146244A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
CN103474577A (zh) * 2002-11-15 2013-12-25 通用显示公司 有机器件结构及其制造方法
US6891326B2 (en) 2002-11-15 2005-05-10 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
WO2004047196A3 (en) * 2002-11-15 2004-12-29 Universal Display Corp Structure and method of fabricating organic devices
WO2004047196A2 (en) 2002-11-15 2004-06-03 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US8709540B2 (en) 2002-12-12 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus
JPWO2004054325A1 (ja) * 2002-12-12 2006-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法
JP5072184B2 (ja) * 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US8181595B2 (en) 2002-12-24 2012-05-22 Seiko Epson Corporation Liquid droplet ejecting apparatus, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus
US7345304B2 (en) 2003-01-28 2008-03-18 Seiko Epson Corporation Emitter, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
US8026114B2 (en) 2003-01-28 2011-09-27 Seiko Epson Corporation Emitter, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
US7071486B2 (en) 2003-01-28 2006-07-04 Seiko Epson Corporation Emitter, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
JP2007520858A (ja) * 2003-12-19 2007-07-26 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光学装置
US8012528B2 (en) 2004-08-26 2011-09-06 Seiko Epson Corporation Composition for conductive materials comprising tetra acrylate functionalised arylamines, conductive material and layer, electronic device and equipment
US7829639B2 (en) 2004-09-02 2010-11-09 Seiko Epson Corporation Composition for conductive layers in electronic devices
US7659043B2 (en) 2004-10-18 2010-02-09 Seiko Epson Corporation Composition for conductive materials, conductive material, conductive layer, electronic device, and electronic equipment
US7776457B2 (en) 2004-11-12 2010-08-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP2006140434A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子
US7500895B2 (en) 2004-12-15 2009-03-10 Seiko Epson Corporation Patterned substrate, electro-optical device, and method for manufacturing an electro-optical device
US7879970B2 (en) 2005-01-11 2011-02-01 Seiko Epson Corporation Conductive polymer, conductive layer, electronic device, and electronic equipment
US7910226B2 (en) 2005-04-15 2011-03-22 Seiko Epson Corporation Porous semiconductor layer formation material
JP4613700B2 (ja) * 2005-06-01 2011-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2005251768A (ja) * 2005-06-01 2005-09-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP4736544B2 (ja) * 2005-06-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2005251769A (ja) * 2005-06-01 2005-09-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2008010251A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Seiko Epson Corp 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置
US7775845B2 (en) 2006-06-28 2010-08-17 Seiko Epson Corporation Organic semiconductor device, method for producing organic semiconductor device, organic electroluminescent device, and method for producing organic electroluminescent device
KR101367240B1 (ko) 2006-06-28 2014-02-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 반도체 장치의 제조 방법, 유기 반도체 장치, 유기일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법 및 유기일렉트로루미네선스 장치
JP2008098583A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2010509729A (ja) * 2006-11-14 2010-03-25 エスアールアイ インターナショナル キャビティエレクトロルミネセント素子およびその製造方法
JP2007103381A (ja) * 2006-12-08 2007-04-19 Seiko Epson Corp 有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物
JP4513800B2 (ja) * 2006-12-08 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 有機el素子の製造方法
US8835019B2 (en) 2007-05-31 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device having an electron transport-emission layer and method of preparing the same
JP2011009093A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Seiko Epson Corp 有機el装置及び電子機器
US9583714B2 (en) 2009-10-01 2017-02-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Material for organic electronics, organic electronic element, organic electroluminescent element, display element using organic electroluminescent element, illuminating device, and display device
JP2010062161A (ja) * 2009-12-14 2010-03-18 Seiko Epson Corp 有機el装置及び電子機器
US9054344B2 (en) 2010-01-20 2015-06-09 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
JP2011198665A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜形成基材の製造方法
JP2011204373A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el装置およびその製造方法
US8513656B2 (en) 2010-03-24 2013-08-20 Japan Display Central Inc. Organic EL device and method for manufacturing the same
JPWO2011132550A1 (ja) * 2010-04-20 2013-07-18 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2011132550A1 (ja) * 2010-04-20 2011-10-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2010232696A (ja) * 2010-07-16 2010-10-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2012044160A (ja) * 2010-07-21 2012-03-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
WO2012011471A1 (ja) * 2010-07-21 2012-01-26 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JP2011066008A (ja) * 2010-11-19 2011-03-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2012151033A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Sony Corp 有機el表示装置およびその製造方法
US8846426B2 (en) 2011-04-18 2014-09-30 Seiko Epson Corporation Organic EL device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US8581273B2 (en) 2011-05-31 2013-11-12 Seiko Epson Corporation Organic EL device
US9334556B2 (en) 2011-09-16 2016-05-10 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9555433B2 (en) 2011-09-16 2017-01-31 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9555434B2 (en) 2011-09-16 2017-01-31 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9586225B2 (en) 2011-09-16 2017-03-07 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
JP2012060174A (ja) * 2011-12-19 2012-03-22 Sony Corp 表示装置
JP2013140809A (ja) * 2013-03-12 2013-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015062195A (ja) * 2014-11-26 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2016029672A (ja) * 2015-12-03 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2017063059A (ja) * 2017-01-11 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3900724B2 (ja) 2007-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3900724B2 (ja) 有機el素子の製造方法および有機el表示装置
KR100498852B1 (ko) 유기 el 소자의 제조 방법
US8267735B2 (en) Pattern formation method for electroluminescent element
US6825061B2 (en) Method of manufacturing organic EL device and ink composition for organic EL device
US20020001026A1 (en) Production of organic luminescence device
JP2000323276A (ja) 有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物
JP4226159B2 (ja) 有機ledディスプレイの製造方法
JP3649125B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子
WO2005022959A2 (en) Electroluminescent devices and methods
JP2008243649A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2005056855A (ja) エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2005322437A (ja) 有機el素子の製造方法及び有機el素子並びに電子機器
JP2019106332A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス、その製造方法及び表示装置
GB2416066A (en) Electroluminescent display

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061010

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140112

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term