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TWI446590B - 發光二極體封裝結構及其製作方法 - Google Patents

發光二極體封裝結構及其製作方法 Download PDF

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TWI446590B
TWI446590B TW99133380A TW99133380A TWI446590B TW I446590 B TWI446590 B TW I446590B TW 99133380 A TW99133380 A TW 99133380A TW 99133380 A TW99133380 A TW 99133380A TW I446590 B TWI446590 B TW I446590B
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Hsien Chia Lin
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Everlight Electronics Co Ltd
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Description

發光二極體封裝結構及其製作方法
本發明是有關於一種半導體封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種發光二極體封裝結構及其製作方法。
發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
在目前市場上被廣泛使用的白光發光二極體封裝結構中，其中一種白光發光二極體是由藍光發光二極體晶片與黃色螢光粉組合而成。習知的白光發光二極體封裝結構的製作方法通常是先將藍光發光二極體晶片配置於基座並打線接合藍光發光二極體晶片與基座，之後，在基座上以旋轉塗佈(spin-coating)、點膠(dispensing)、噴塗(spray coating)、壓模(Molding)或是其他適合的方式，在藍光發光二極體晶片上形成一黃色螢光膠層，其中部分黃色螢光膠層經由藍色發光二極體晶片所發射出的光線激發產生黃光，並混合藍光發光二極體晶片所發出的藍光而獲得白光。然而，以旋轉塗佈、點膠、噴塗等方式所形成的黃色 螢光膠層，容易有螢光粉用料過多而產生螢光膠層厚度分布不均勻的問題，亦即當藍光發光二極體晶片所發出的藍光穿過厚度較大之黃色螢光膠體時，白光發光二極體封裝結構會產生黃暈現象(yellowish halo)，因此，造成白光發光二極體封裝結構所整體發出的光顏色不均勻。
為解決上述螢光膠層塗佈不均勻所造成的問題，US6395564及US2009/261358揭露將螢光膠層直接塗佈形成在晶圓(wafer)上，並在切割後形成白光發光二極體封裝結構的技術。然而，在此習知技術中，黃色螢光粉經由藍光激發並轉換成黃光的過程中，會遇到光散射轉換效率(Scattering efficiency)降低的問題。並且，由於在晶圓上長晶時會有波長上的差異，藉由螢光膠層塗佈於晶圓對波長的差異進行校正，會使得製造成本增加。
為解決光散射轉換效率的問題，US6630691揭露一種螢光粉層的製作方式，結合陶瓷玻璃與螢光粉材料於高溫下進行共熔製程形成螢光粉基板，並貼附於發光二極體晶片上，因此可避免光散射轉換的問題，並提升發光二極體封裝結構所產生的光的均勻度。然而，上述習知技術中，在螢光粉基板上沒有相關的電極設計，因此上述習知技術僅能使用在覆晶發光二極體晶片上。
本發明提供一種發光二極體封裝結構及其製作方法，可有助於提高發光二極體晶片所產生的光的顏色均勻 度。
本發明提出一種發光二極體封裝結構，其包括一螢光基板、一第一導電圖案、一第二導電圖案、至少一導電元件以及一發光二極體晶片。螢光基板具有彼此相對之一第一表面以及一第二表面。螢光基板是由一螢光材料混合一玻璃材料所構成。第一導電圖案位於螢光基板的第一表面上。第二導電圖案位於螢光基板的第二表面上。導電元件貫穿螢光基板且連接第一導電圖案以及第二導電圖案。發光二極體晶片配置於螢光基板的第二表面上且具有一光取出面，其中光取出面連接第二導電圖案，且發光二極體晶片透過導電元件與第一導電圖案電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構更包括一底膠，其配置於發光二極體晶片的光取出面與螢光基板的第二表面之間，其中底膠覆蓋發光二極體晶片的光取出面。
在本發明之一實施例中，上述之底膠更延伸覆蓋於發光二極體晶片的多個側表面上。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體晶片具有一藍寶石基底。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構更包括一線路基板，其中發光二極體晶片相對於光取出面的一背表面配置於線路基板上。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構更包括至少一銲線，其中線路基板透過銲線與第一導電圖 案電性連接。
本發明提出一種發光二極體封裝結構的製作方法，其中製作方法包括下述步驟。提供一螢光基板。螢光基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，且螢光基板內已形成有多個導電元件。導電元件貫穿第一表面與第二表面，且螢光基板是由至少一螢光材料混合一玻璃材料所構成。於第一表面上形成一第一導電圖案以及於第二表面上形成一第二導電圖案，其中導電元件連接第一導電圖案以及第二導電圖案。接合多個發光二極體晶片於螢光基板的第二表面上，其中每一發光二極體晶片具有一連接第二導電圖案的光取出面，且每一發光二極體晶片透過對應的導電元件與第一導電圖案電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之形成導電元件的步驟，包括：形成多個貫孔於螢光基板上，其中貫孔貫穿第一表面與第二表面。於貫孔內進行一電鍍製程，以形成多個突出於螢光基板之第一表面的導電柱。對導電柱進行一研磨製程，以形成與螢光基板之第一表面實質上切齊的導電元件。
在本發明之一實施例中，上述之形成導電元件的步驟，包括：形成多個導電凸塊於一承載基座上。填充螢光材料以及玻璃材料於承載基座上，其中螢光材料與玻璃材料覆蓋導電凸塊。共燒導電凸塊、螢光材料以及玻璃材料，以形成螢光基板以及內埋於螢光基板內的導電凸塊。對螢光基板以及導電凸塊進行一研磨製程，以形成與螢光基板 之第一表面實質上切齊的導電元件。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：形成第二導電圖案之後，於第二表面上形成多條連接第二導電圖案的線路。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：於接合發光二極體晶片於螢光基板的第二表面上之後，形成一底膠於發光二極體晶片的光取出面與螢光基板的第二表面之間，其中底膠覆蓋發光二極體晶片的光取出面。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：於形成底膠之後，進行一切割製程，以形成多個發光二極體封裝結構。
在本發明之一實施例中，上述之底膠更延伸覆蓋於每一發光二極體晶片的多個側表面上。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：於形成底膠之後，進行一切割製程，以形成多個發光二極體封裝結構。
基於上述，由於本發明是採用螢光材料混合玻璃材料所構成之螢光基板，且可直接於此螢光基板上形成導電圖案與導電元件。因此，當發光二極體晶片以覆晶的方式配置於螢光基板上時，發光二極體晶片所發出的光穿過螢光基板後可轉換成顏色均勻度較高的光。再者，本發明相對於習知螢光粉層的製作方法而言，可有效減少螢光材料的使用量，且可有效提高發光二極體封裝結構的發光效率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參考圖1A，在本實施例中，發光二極體封裝結構100a包括一螢光基板110、一第一導電圖案120、一第二導電圖案130、至少一導電元件140a(圖1A中僅示意地繪示一個)以及一發光二極體晶片150。
詳細來說，螢光基板110具有彼此相對之一第一表面112以及一第二表面114。特別是，本實施例之螢光基板110例如是由一螢光材料混合一玻璃材料所構成，螢光基板110具有大致上均一的厚度，而第一導電圖案120位於螢光基板110的第一表面112上。要說明的是，本實施例之螢光基板10的螢光材料例如是黃色螢光材料，當然，螢光材料的種類不限於一種，可以搭配兩種以上具有不同發光顏色的螢光材料，例如是黃色螢光粉及紅色螢光粉、綠色螢光粉及紅色螢光粉。此外，第二導電圖案130位於螢光基板110的第二表面114上，導電元件140a貫穿螢光基板110且連接第一導電圖案120以及第二導電圖案130。發光二極體晶片150配置於螢光基板110的第二表面114的一側且具有一光取出面152，其中光取出面152與第二導電圖案130連接，發光二極體晶片150可以透過第二導電圖案130、導電元件140a及第一導電圖案120所形成的 一導電路徑與一外部元件(圖未繪示)電性連接。在此要說明的是，本實施例之發光二極體晶片150例如是垂直式發光二極體晶片，當然，其他可以產生相同發光特性之發光二極體晶片也包括在本發明的範疇內，例如是高壓晶片(High voltage LED)或交流式發光二極體晶片(AC LED)。
值得一提的是，由於本實施例之螢光基板110可透過導電元件140a來與發光二極體晶片150電性連接，其中導電元件140a能使發光二極體晶片150在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，因此螢光基板110與發光二極體晶片150之間的訊號便可以透過導電元件140a來上下傳遞，可提升元件速度、減少信號延遲及功率消耗。
此外，本實施例之發光二極體封裝結構100a更包括一底膠(underfill)160a，其中底膠160a配置於發光二極體晶片150的光取出面152與螢光基板110的第二表面114之間，較佳的情況是底膠160a覆蓋發光二極體晶片150的光取出面152。在本實施例之中，底膠160a的功用除了為了保護發光二極體晶片150的出光面152，避免受到外界溫度、濕氣與雜訊的影響之外，並且可以避免發光二極體晶片150所發出的光在螢光基板110與發光二極體晶片150之間的空隙產生全反射，進而提升發光二極體封裝結構100a的發光效率。另外，本實施例之底膠160a的材料為樹脂，例如是但不限制於矽膠(silicone or silica gel)、環氧樹脂(epoxy resin)或其混合物。在此必須說明的是，於其他實施例中，底膠160a可添加至少一螢光材料，所添加的 螢光材料與螢光基板110中的螢光材料不同，舉例來說，若是螢光基板110所使用的是黃色螢光材料，底膠160a所使用的螢光材料可以例如是紅色螢光粉，或是當螢光基板所使用的是綠色/紅色螢光材料，底膠160a所使用的螢光材料可以是紅色螢光粉/綠色螢光粉，如此一來，這樣的搭配方式可以提升發光二極體封裝結構的色彩飽和度。
由於本實施例是在發光二極體晶片150上配置採用螢光材料混合玻璃材料所構成之螢光基板110，且於此螢光基板110上配置第一導電圖案120、第二導電圖案130以及導電元件140a，而發光二極體晶片150係先經過篩選挑選出所需要的波長區段，因此，各發光二極體晶片具有相同範圍的發射波長，此外，由於本實施例之發光二極體封裝結構的螢光基板具有均一的厚度，如此一來，當發光二極體晶片150所發出的光穿過螢光基板110後可轉換成顏色均勻度較高的光，且各發光二極體封裝結構所產生的白光可以具有大致上相同的發射波長範圍。換言之，本實施例之發光二極體封裝結構100a可具有較佳的出光均勻度。
以下實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例將不再重複贅述。
圖1B為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請同時參考圖1A與圖1B，圖1B之發光二極體封裝結構100a’與圖1A之發光二極體封裝結構 100a相似，惟二者主要差異之處在於：圖1B之發光二極體封裝結構100a’更包括多個線路135，其中線路135配置於螢光基板110的第二表面114上。本實施例之發光二極體封裝結構100a’具有多個第一導電圖案120、多個第二導電圖案130、多個導電元件140a以及多個發光二極體晶片150。
詳細來說，在本實施例中，螢光基板110的第二表面114上具有線路135，各發光二極體晶片150上的第二導電圖案130可藉由線路135相互連接，並且可以藉由不同的需求而設計成不同電路迴路。也就是說，本實施例之發光二極體封裝結構100a’可因應使用者不同需求，而於螢光基板110上產生不同之電路迴路的設計，可讓使用者更有效率地來達成發光二極體晶片150之間串聯或並聯選擇的效果。
圖1C為本發明之又一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請同時參考圖1B與圖1C，圖1C之發光二極體封裝結構100a”與圖1B之發光二極體封裝結構100a’相似，惟二者主要差異之處在於：圖1C之發光二極體封裝結構100a”更包括一線路基板170以及至少一銲線180，其中焊線的數量不限於如圖1C所繪示，其係依據在螢光基板上所形成的導電圖案而定。本實施例之發光二極體封裝結構100a”配置於線路基板170上，且發光二極體晶片150係以相對於光取出面152的一背表面154配置於線路基板170上，發光二極體封裝結構100a”藉由銲線 180電性連接發光二極體晶片之第一導電圖案120與線路基板110。因此，本實施例之發光二極體晶片150可透過線路基板170與一外部電路(未繪示)電性連接，進而增加發光二極體封裝結構100a”的應用性。
圖2A為本發明之再一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請同時參考圖2A與圖1B，圖2A之發光二極體封裝結構100b與圖1B之發光二極體封裝結構100a’相似，惟二者主要差異之處在於：圖2A之底膠160b延伸覆蓋於發光二極體晶片150的多個側表面156上。在本實施例中，由於發光二極體晶片150例如是具有一藍寶石基底(sapphire substrate)，藉由底膠160b覆蓋發光二極體晶片150的側表面156來避免漏光或產生全反射，進而提升發光二極體封裝結構100b的發光效率。
圖2B為本發明之更一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請同時參考圖2A與圖2B，圖2B之發光二極體封裝結構100b’與圖2A之發光二極體封裝結構100b相似，惟二者主要差異之處在於：圖2B之發光二極體封裝結構100b’更包括一線路基板170以及至少一銲線180(圖2B僅繪示兩個)，其中發光二極體晶片150相對於光取出面152的一背表面154配置於線路基板170上，且線路基板110可透過銲線180與第一導電圖案120電性連接。如此一來，發光二極體晶片150可透過線路基板170與一外部電路(未繪示)電性連接，可增加發光二極體封裝結構100b’的應用性。
以上僅介紹本發明之發光二極體封裝結構100a、100a’、100a”、100b、100b”的介紹本發明之發光二極體封裝結構的製作方法。對此，以下將以圖1A與圖1B中的發光二極體封裝結構100a、100a’為舉例說明，並配合圖3A至圖3I、圖4A至圖4D以及圖5A至圖5D對本發明的發光二極體封裝結構的製作方法進行詳細的說明。
圖3A至圖3I為本發明一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程示意圖。圖4A至圖4D為本發明一實施例之一種導電元件之製作方法的流程示意圖。圖5A至圖5D為本發明一實施例之一種導電元件之製作方法的流程示意圖。在此必須說明的是，為了方便說明起見，圖3D省略繪示承載基座190，圖3F為沿圖3E之線I-I的剖面圖，而圖3H與圖3I為沿圖3G之線II-II的剖面示意圖。
請先參考圖3A，依照本實施例之發光二極體封裝結構的製造方法，首先，提供一螢光基板110以及一承載基座190，其中承載基座190適於承載螢光基板110，且螢光基板110具有彼此相對之一第一表面112與一第二表面114(請參考圖3C)。特別是，在本實施例中，螢光基板110是由至少一螢光材料混合一玻璃材料且經由共燒所構成。要說明的是，進行共燒時，可選擇性地在螢光基板上形成有突出結構，例如凸面、圓錐面或梯型的突出結構，以提升出光效率及進行出光角度之設計。
接著，請同時參考圖3B與圖4A，形成多個貫孔142於螢光基板110內，其中貫孔142貫穿螢光基板110的第 一表面112與第二表面114。在本實施例中，形成貫孔142的方法包括透過一機台10以對螢光基板110進行雷射鑽孔製程或機械鑽孔製程。接著，請參考圖4B，進行一電鍍製程，於貫孔142內形成多個突出於螢光基板110之第一表面112的導電柱144。接著，請同時參考圖4C與圖4D，對螢光基板110進行一研磨製程，在研磨螢光基板110的同時一併研磨導電柱144，因此，在研磨製程完成後會形成與螢光基板110之第一表面112實質上切齊的導電元件140a。在此必須說明的是，在本實施例中，較佳地，進行研磨製程的方法例如是透過一機台20，例如是一鑽石切刀機台，以切削(cutting)的方式，藉由順時針旋轉鑽石切刀並使具螢光基板110的承載基板190朝向一第一方向移動的方式切削螢光基板110，換言之，鑽石切刀在作旋轉切削的同時，承載基板190對鑽石切刀相對地移動。當然，本實施例並不以此限定鑽石切刀的旋轉方向以及承載基板190與螢光基板110的移動方向，鑽石切刀的旋轉方向可以是逆時針旋轉方向。
藉由機台20薄化螢光基板110的厚度並使導電元件140a與薄化後之螢光基板110的第一表面112實質上切齊，將有利於後續進行的線路製程，且由於螢光基板110薄型化具有大致上均一的厚度，因此可以提升發光元件的出光效率。要說明的是，螢光基板110薄化後，其厚度大約介於10μm~500μm，較佳地，厚度為介於10μm~150μm。
要說明的是，本發明之導電元件具有其他的實施態 樣。詳細來說，請參考圖5A，先於承載基座190內形成多個導電凸塊146，其中導電凸塊146的材質例如是但不限制於金。接著，請參考圖5B，填充一螢光材料(未繪示)以及玻璃材料(未繪示)於承載基座190內，其中螢光材料與玻璃材料覆蓋導電凸塊146，螢光材料包括至少一種光粉。之後，共燒導電凸塊146、螢光材料以及玻璃材料，以形成螢光基板110以及內埋於螢光基板110內的導電凸塊146。最後，請參考圖5C與圖5D，對螢光基板110以及導電凸塊146進行一研磨製程，以形成與螢光基板110之第一表面112實質上切齊的導電元件140b，其中進行研磨製程的方法與圖4A至圖4C相同，在此不再贅述。透過機台20切削導電凸塊146與/或螢光基板110的第一表面112後，螢光基板110的厚度減少並使導電元件140b與薄化後之螢光基板110的第一表面112實質上切齊。薄化後之螢光基板110，其厚度大約介於10μm~500μm，較佳地，厚度介於10μm~100μm。
值得一提的是，在本發明中，由於鑽石切刀機台是以旋轉的方式切削螢光基板110以及導電柱110，而且在切削的過程中，藉由體積極小的鑽石切刀頭(tip)以旋轉方式將切割點變成切割線，最後再藉由螢光基板110與鑽石切刀的相對運動而形成切割面。因此，被鑽石切刀切削過的螢光基板110的第一表面112可為一具有規則圖案的粗糙面，如此一來，可有助於避免之後接合的發光二極體晶片150(請參考圖1A)所發出的光在第一表面112產生全 反射，進而提升發光二極體封裝結構100a(請參考圖1A)、100a’(請參考圖1B)的發光效率。
接著，請同時參考圖3C與圖3D，於螢光基板110的第一表面112上形成一第一導電圖案120，以及於螢光基板110的第二表面114上形成一第二導電圖案130，其中藉由導電元件140a電連接第一導電圖案120以及第二導電圖案130(請參考圖3F)。值得一提的是，在本實施例中，在形成第二導電圖案130之後，於螢光基板110的第二表面114上形成多條連接第二導電圖案130的線路135，其中第二導電圖案130可藉由線路135選擇性地與對應的第二導電圖案130相互連接，而形成不同電路迴路。
接著，請參考圖3E與圖3F，以覆晶方式接合多個發光二極體晶片150於螢光基板110的第二表面114上，其中每一發光二極體晶片150具有一連接第二導電圖案130的光取出面152，且每一發光二極體晶片150透過對應的導電元件140a與第一導電圖案120電性連接。在本實施例之中，發光二極體晶片150可透過於螢光基板110上產生不同之電路迴路的設計而輕易達成串並聯選擇的效果，以因應不同的使用需求。
然後，請參考圖3G與圖3H，形成一底膠160a於發光二極體晶片150的光取出面152與螢光基板110的第二表面114之間，其中底膠160a覆蓋發光二極體晶片150的光取出面152。
最後，請再參考圖3H，沿著多條切割線L進行一切 割製程，以形成多個發光二極體封裝結構，例如是發光二極體封裝結構100a。至此，已完成發光二極體封裝結構100a的製作。
於另一實施例中，請參考圖3I，底膠160b可更延伸覆蓋於每一發光二極體晶片150的多個側表面156上，其中由於本實施例之發光二極體晶片150例如是具有一藍寶石基底(sapphire substrate)，藉由底膠160b覆蓋在發光二極體晶片150的側表面156上，可以避免發光二極體晶片150所發出的光在螢光基板110與發光二極體晶片150之間的空隙產生全反射，進而提升發光二極體封裝結構100b的發光效率。之後，沿著多條切割線L進行切割製程，以形成多個發光二極體封裝結構，例如是發光二極體封裝結構100a’。至此，已完成發光二極體封裝結構100a’的製作。
當然，圖3A至圖3I所繪示的發光二極體封裝結構100a、100a’的製程僅是作為舉例說明之用，部分步驟為目前封裝製程中常見的技術。本領域的技術人員當可依據實際狀況調整、省略或增加可能的步驟，以符合製程需求，此處不再逐一贅述。再者，本實施例也並不限定發光二極體封裝結構100a、100a’、100a”、100b、100b”的形態，於其他未繪示的實施例中，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述構件，以達到所需的技術效果。
綜上所述，由於本發明是採用螢光材料混合玻璃材料所構成之螢光基板，且可直接於此螢光基板上形成導電圖 案與導電元件，螢光基板具有大致上相同的厚度。再者，本發明的發光二極體晶片的發射波長範圍大體上相同，因此，當發光二極體晶片所發出的光穿過具有均一厚度的螢光基板後，可轉換成顏色均勻度較高的光，如此一來，可以獲得具有大致上相同的白光發射波長範圍的發光二極體封裝結構。縱上述，本發明相對於習知螢光粉層的製作方法而言，可避免螢光材料用料過多的問題，可有效減少螢光材料的使用量，以降低生產成本，且可有效提高發光二極體封裝結構的發光效率。此外，由於本實施例之螢光基板可透過導電元件來與發光二極體晶片電性連接，因此螢光基板與發光二極體晶片之間的訊號便可以透過導電元件來上下傳遞，可提升元件速度、減少信號延遲及功率消耗。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、20‧‧‧機台
100a、100a’、100a”、100b、100b’‧‧‧發光二極體封裝結構
110‧‧‧螢光基板
112‧‧‧第一表面
114‧‧‧第二表面
120‧‧‧第一導電圖案
130‧‧‧第二導電圖案
135‧‧‧線路
140a、140b‧‧‧導電元件
142‧‧‧貫孔
144‧‧‧導電柱
146‧‧‧導電凸塊
150‧‧‧發光二極體晶片
152‧‧‧光取出面
154‧‧‧背表面
156‧‧‧側面
160a、160b‧‧‧底膠
170‧‧‧線路基板
180‧‧‧銲線
190‧‧‧承載基座
L‧‧‧切割線
圖1A為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖1B為本發明之另一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖1C為本發明之又一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖2A為本發明之再一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖2B為本發明之更一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖3A至圖3I為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程示意圖。
圖4A至圖4D為本發明之一實施例之一種導電元件之製作方法的流程示意圖。
圖5A至圖5D為本發明之一實施例之一種導電元件之製作方法的流程示意圖。
100a‧‧‧發光二極體封裝結構
110‧‧‧螢光基板
112‧‧‧第一表面
114‧‧‧第二表面
120‧‧‧第一導電圖案
130‧‧‧第二導電圖案
140a‧‧‧導電元件
150‧‧‧發光二極體晶片
152‧‧‧光取出面
160a‧‧‧底膠

Claims (19)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括：一螢光基板，具有彼此相對之一第一表面以及一第二表面，其中該螢光基板是由一螢光材料混合一玻璃材料所構成，且該螢光基板具有至少一從該螢光基板的該第一表面貫穿至該第二表面的貫孔；一第一導電圖案，位於該螢光基板的該第一表面上；一第二導電圖案，位於該螢光基板的該第二表面上；至少一導電元件，填入該至少一貫孔內且連接該第一導電圖案以及該第二導電圖案；以及多個發光二極體晶片，包括至少一第一發光二極體晶片與至少一第二發光二極體晶片，配置於該螢光基板的該第二表面上，該至少一第一發光二極體晶片對齊該貫孔，而該至少一第二發光二極體晶片不對齊該貫孔，該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片分別具有一光取出面，且該些光取出面連接該第二導電圖案，且該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片透過該第二導電圖案與該導電元件與該第一導電圖案電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該螢光基板的厚度實質上為一定值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該螢光材料包括一黃色螢光粉。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構，其中該螢光材料包括由兩不同發射波長之螢光粉所組成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構，其中該螢光材料係選自黃色螢光粉、紅色螢光粉及綠色螢光粉至少其中之二。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，更包括一底膠，配置於該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片的該些光取出面與該螢光基板的該第二表面之間，其中該底膠覆蓋該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片的該些光取出面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構，其中該底膠更延伸部分且非全部地覆蓋於該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片的多個側表面上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構，其中該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片分別具有一藍寶石基底。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，更包括一線路基板，其中每一該至少一第一發光二極體晶片與該至少一第二發光二極體晶片相對於該光取出面的一背表面配置於該線路基板上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體封裝結構，更包括至少一銲線，其中該線路基板透過該銲線與該 第一導電圖案電性連接。
  11. 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括：提供一螢光基板，該螢光基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，且該螢光基板是由至少一螢光材料混合一玻璃材料共燒所構成；形成至少一導電元件於該螢光基板上，其中該至少一導電元件貫穿該第一表面與該第二表面；該第一表面上形成一第一導電圖案以及於該第二表面上形成一第二導電圖案，其中該至少一導電元件連接該第一導電圖案以及該第二導電圖案；以及接合至少一發光二極體晶片於該螢光基板的該第二表面上，其中該至少一發光二極體晶片具有一連接該第二導電圖案的光取出面，且該至少一發光二極體晶片透過對應的該導電元件與該第一導電圖案電性連接。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中形成該至少一導電元件的步驟，包括：形成至少一貫孔於該螢光基板上，其中該至少一貫孔貫穿該第一表面與該第二表面；於該至少一貫孔內進行一電鍍製程，以形成至少一突出於該螢光基板之該第一表面的導電柱；以及對該至少一導電柱進行一研磨製程，以形成與該螢光基板之該第一表面實質上切齊的該至少一導電元件。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封裝 結構的製作方法，其中該研磨製程包括以一切削裝置切削該螢光基板，以薄化該螢光基板並暴露出該至少一導電元件。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：形成該第二導電圖案之後，於該第二表面上形成多條連接該第二導電圖案的線路。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：於接合該至少一發光二極體晶片於該螢光基板的該第二表面上之後，形成一底膠於該至少一發光二極體晶片的該光取出面與該螢光基板的該第二表面之間，其中該底膠覆蓋該至少一發光二極體晶片的該光取出面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：於形成該底膠之後，進行一切割製程，以形成至少一發光二極體封裝結構。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該底膠更延伸覆蓋於該至少一發光二極體晶片的多個側表面上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：於形成該底膠之後，進行一切割製程，以形成至少一發光二極體封裝結構。
  19. 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括提供一螢光基板，該螢光基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，而該螢光基板內已形成有至少一導電元件，且該些導電元件貫穿該第一表面與該第二表面，其中形成該至少一導電元件的步驟，包括：形成多個導電凸塊於一承載基座上；填充一螢光材料以及一玻璃材料於該承載基座上，其中該螢光材料與該玻璃材料覆蓋該些導電凸塊；共燒該些導電凸塊、該螢光材料以及該玻璃材料，以形成該螢光基板以及內埋於該螢光基板內的導電凸塊；以及對該螢光基板以及該些導電凸塊進行一研磨製程，以形成與該螢光基板之該第一表面實質上切齊的該些導電元件；該第一表面上形成一第一導電圖案以及於該第二表面上形成一第二導電圖案，其中該至少一導電元件連接該第一導電圖案以及該第二導電圖案；以及接合至少一發光二極體晶片於該螢光基板的該第二表面上，其中該至少一發光二極體晶片具有一連接該第二導電圖案的光取出面，且該至少一發光二極體晶片透過對應的該導電元件與該第一導電圖案電性連接。
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