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CN101621054A - 发光二极管光源装置 - Google Patents

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CN101621054A
CN101621054A CN200810302484A CN200810302484A CN101621054A CN 101621054 A CN101621054 A CN 101621054A CN 200810302484 A CN200810302484 A CN 200810302484A CN 200810302484 A CN200810302484 A CN 200810302484A CN 101621054 A CN101621054 A CN 101621054A
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crystal particle
led
led crystal
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light
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CN200810302484A
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张忠民
徐智鹏
王君伟
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ADVANCED DEVELOPMENT PHOTOELECTRIC Co Ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
ADVANCED DEVELOPMENT PHOTOELECTRIC Co Ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种发光二极管光源装置，其包括一个基板，一个第一发光单元，一个第二发光单元及一个第三发光单元。该第一发光单元，该第二发光单元及该第三发光单元并列设置在该基板上。该第一发光单元包括第一发光二极管晶粒及覆盖该第一发光二极管晶粒的第一封装体，该第一封装体中含有红色荧光粉。该第二发光单元包括第二发光二极管晶粒及覆盖该第二发光二极管晶粒的第二封装体。该第三发光单元包括第三发光二极管晶粒及覆盖该第三发光二极管晶粒的第三封装体。该第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒为同系化合物发光二极管晶粒，经由该第一封装体、第二封装体及第三封装体射出的光混合后形成多色光。

Description

发光二极管光源装置
技术领域
本发明涉及一种发光二极管光源装置。
背景技术
目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为一种固态照明装置，因其具光质佳(也即光源输出的光谱)及发光效率高等特性而逐渐取代冷阴极荧光灯(Cold CathodeFluorescent Lamp，CCFL)作为照明装置的发光元件，具体可参见Michael S.Shur等人在文献Proceedings of the IEEE，Vol.93，No.10(2005年10月)中发表的“Solid-StateLighting：Toward Superior Illumination”一文。发光二极管作为照明光源时，通常需要较高的演色性(即CRI大于90)。一种具有较高演色性的发光二极管，其包括一个蓝光发光二极管芯片、一个红光发光二极管芯片，以及一个覆盖该蓝光发光二极管芯片与红光发光二极管芯片的封装体，该封装体中含有黄色荧光粉。
该蓝光发光二极管芯片与红光发光二极管芯片采用不同的发光二极管芯片，即该蓝光发光二极管芯片为GaN系发光二极管芯片，而红光发光二极管芯片为AlGaInP系发光二极管芯片，所以，当该蓝光发光二极管芯片与红光发光二极管芯片的温度上升时，其光衰减程度不同，即红光发光二极管芯片的光衰减程度较大，造成该发光二极管发出的光的色温偏蓝(Blue-shift)，进而导致该发光二极管所发出的白光的色温稳定性较差。
因此，有必要提供一种出射光的色温稳定性较好的发光二极管光源装置。
发明内容
以下将以实施例说明一种出射光的色温稳定性较好的发光二极管光源装置。
一种发光二极管光源装置，包括一个基板，一个第一发光单元，一个第二发光单元及一个第三发光单元。该第一发光单元，该第二发光单元及该第三发光单元并列设置在该基板上。该第一发光单元包括第一发光二极管晶粒及覆盖该第一发光二极管晶粒的第一封装体，该第一封装体中含有红色荧光粉。该第二发光单元包括第二发光二极管晶粒及覆盖该第二发光二极管晶粒的第二封装体。该第三发光单元包括第三发光二极管晶粒及覆盖该第三发光二极管晶粒的第三封装体。该第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒为同系化合物发光二极管晶粒，经由该第一封装体、第二封装体及第三封装体射出的光混合后形成多色光。
一种发光二极管光源装置，包括一个基板，一个第一发光单元及一个第二发光单元。该第一发光单元及该第二发光单元并列设置在该基板上。该第一发光单元包括第一发光二极管晶粒及覆盖该第一发光二极管晶粒的第一封装体，该第一封装体中含有红色荧光粉。该第二发光单元包括第二发光二极管晶粒及覆盖该第二发光二极管晶粒的第二封装体，该第二封装体中设置有至少两种各自不同的荧光粉。该第一发光二极管晶粒、该第二发光二极管晶粒为同系化合物发光二极管晶粒，经由该第一封装体与该第二封装体射出的光混合后形成多色光。
相对于现有技术，所述发光二极管光源装置中至少包括同为同系化合物发光二极管晶粒的第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒，所以该第一发光二极管晶粒与第二发光二极管晶粒的光衰减程度基本相同，使得该发光二极管光源装置发出的多色光的色温受温度的影响较小，即该发光二极管光源装置发出的多色光的色温稳定性较好。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
图2是本发明第二实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
图3是本发明第三实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
图4是本发明第四实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
图5是本发明第五实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
图6是本发明第六实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
图7是本发明第七实施例提供的发光二极管光源装置的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参见图1，本发明第一实施例提供的发光二极管光源装置10，其包括一个基板11，一个第一发光单元12，一个第二发光单元13及一个第三发光单元14。
第一发光单元12，第二发光单元13及第三发光单元14并列设置在基板11上。基板11可与外部电源(图未示)相连以给该第一发光单元12，第二发光单元13及第三发光单元14提供电能。第一发光单元12，第二发光单元13及第三发光单元14发光时所产生的热量可经由基板11传导出去。基板11所用材料为铜、铝等金属，氮化铝、三氧化二铝、氧化铍等陶瓷材料，以及硅等。基板11也可为陶瓷铝基板(Ceramic Aluminum Substrate)。
第一发光单元12包括第一发光二极管晶粒121及覆盖第一发光二极管晶粒121的第一封装体122。第二发光单元13包括第二发光二极管晶粒131及覆盖该第二发光二极管晶粒131的第二封装体132。该第三发光单元14包括第三发光二极管晶粒141及覆盖该第三发光二极管晶粒141的第三封装体142。第一发光二极管晶粒121，第二发光二极管晶粒131及第三发光二极管晶粒141分别设置在基板11上且均与基板11电连接。
第一发光二极管晶粒121，第二发光二极管晶粒131及第三发光二极管晶粒141为同系化合物发光二极管晶粒。在此，所述同系化合物发光二极管晶粒可为GaN系、AlGaN系或InGaN系发光二极管晶粒，所以其光衰减程度基本相同，使得发光二极管光源装置10发出的多色光的色温受温度的影响较小，即该发光二极管光源装置10发出的多色光的色温稳定性较好。并且在同为GaN系、AlGaN系或InGaN系化合物的第一发光二极管晶粒121，第二发光二极管晶粒131及第三发光二极管晶粒141温度上升的情况下，其发光效率变动幅度比AlGaInP系化合物发光二极管晶粒的小，从而使发光二极管光源装置10可保持在较为稳定的状态。
在本实施例中，第一发光二极管晶粒121与第二发光二极管晶粒131均为绿光发光二极管晶粒，其可发出中心波长范围为505~540纳米的绿光，该绿光发光二极管晶粒为GaN系或InGaN系发光二极管晶粒。第三发光二极管晶粒141为蓝光发光二极管晶粒，其可发出中心波长范围为445~475纳米的蓝光。该蓝光发光二极管晶粒为GaN系发光二极管晶粒。第一发光二极管晶粒121、第二发光二极管晶粒131及第三发光二极管晶粒141分别与第一电源101，第二电源102及第三电源103形成电连接。由第一电源101，第二电源102及第三电源103分别对第一发光二极管晶粒121，第二发光二极管晶粒131及第三发光二极管晶粒141的电压及电流进行独立控制。
第一封装体122包括第一透明基材1220及均匀分布在第一透明基材1220中的第一荧光粉1222。第一透明基材1220的材料可选用硅胶、树脂等透光材料。在本实施例中，第一透明基材1220所用材料为折射率大于1.4的硅胶。第一荧光粉1222为红色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为610~645纳米的红光。该红色荧光粉可为氮化物、硅酸盐、氧化物或硫化物等。
第二封装体132包括第二透明基材1320。第二透明基材1320的材料可选用硅胶、树脂等透光材料。
第三封装体142包括第三透明基材1420。第三透明基材1420的材料可选用硅胶、树脂等透光材料。
第一荧光粉1222在第一发光二极管晶粒121发出的绿光的激发下发出红光，第一发光二极管晶粒121发出的绿光中部分直接经由第一透明基材1220射出。第二发光二极管晶粒131发出的绿光直接经由第二封装体132射出。第三发光二极管晶粒141发出的蓝光直接经由第三封装体142射出。第一电源101，第二电源102及第三电源103分别对该第一发光二极管晶粒121，第二发光二极管晶粒131及第三发光二极管晶粒141的电流进行控制，进而分别对经由第一封装体122出射的红光及绿光、经由第二封装体132出射的绿光，以及经由第三封装体142出射的蓝光的色温进行调节，使得发光二极管光源装置10能够射出不同颜色的光或不同色温值的光，以获得实际所需的色光及色温。
请参见图2，本发明第二实施例提供的发光二极管光源装置20，其与上述第一实施例所提供的发光二极管光源装置10基本相同，不同之处在于：
第一发光二极管晶粒221，第二发光二极管晶粒231及第三发光二极管晶粒241均为蓝光发光二极管晶粒，其可发出中心波长范围为445~475纳米的蓝光。
第二封装体232包括第二透明基材2320及均匀分布在第二透明基材2320中的第二荧光粉2322。第二荧光粉2322为绿色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为505~540纳米的绿光。绿色荧光粉可为氮化物、硅酸盐或氧化物等。第二荧光粉2322也可为黄色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为550~590纳米的黄光。黄色荧光粉可为氮化物、硅酸盐或氧化物等。可以理解的是，第二封装体232中可同时设置绿色荧光粉与黄色荧光粉。
第一荧光粉1222在第一发光二极管晶粒221发出的蓝光的激发下发出红光，第一发光二极管晶粒221发出的蓝光中部分直接经由第一透明基材1220射出。第二荧光粉2322在第二发光二极管晶粒231发出的蓝光的激发下发出绿光或/及黄光，第二发光二极管晶粒231发出的蓝光中部分直接经由第二透明基材2320射出。第三发光二极管晶粒241发出的蓝光直接经由第三封装体242射出。第一电源101，第二电源102及第三电源103分别对第一发光二极管晶粒221，第二发光二极管晶粒231及第三发光二极管晶粒241的电流进行控制，进而分别对经由第一封装体122出射的红光及蓝光，经由第二封装体232出射的蓝光、绿光或/及黄光，以及经由第三封装体242出射的蓝光的色温进行调节，使得发光二极管光源装置20能够射出不同颜色的光或不同色温值的光，以获得实际所需的色光及色温。
请参见图3，本发明第三实施例提供的发光二极管光源装置30，其与上述第二实施例所提供的发光二极管光源装置20基本相同，不同之处在于：
第一发光二极管晶粒321，第二发光二极管晶粒331及第三发光二极管晶粒341均为紫外光发光二极管晶粒。该紫外光发光二极管晶粒为GaN系或AlGaN系发光二极管晶粒。
第三封装体342包括第三透明基材3420及均匀分布在第三透明基材3420中的第三荧光粉3422。第三透明基材3420的材料可选用硅胶、树脂等透光材料。第三荧光粉3422为蓝色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为445~475纳米的蓝光。该蓝光荧光粉可为氮化物、硅酸盐或氧化物等。
第一荧光粉1222在第一发光二极管晶粒321发出的紫外光的激发下发出红光。第二荧光粉2322在第二发光二极管晶粒331发出的紫外光的激发下发出绿光或/及黄光。第三荧光粉3422在第三发光二极管晶粒341发出的紫外光的激发下发出蓝光。第一电源101，第二电源102及第三电源103分别对该第一发光二极管晶粒321，第二发光二极管晶粒331及第三发光二极管晶粒341的电流进行控制，进而分别对经由第一封装体122出射的红光，经由第二封装体232出射的绿光或/及黄光，以及经由第三封装体342出射的蓝光的色温进行调节，使得发光二极管光源装置30能够射出不同颜色的光或不同色温值的光，以获得实际所需的色光及色温。
请参见图4，本发明第四实施例提供的发光二极管光源装置40，其与上述第二实施例所提供的发光二极管光源装置20基本相同，不同之处在于：
发光二极管光源装置40包括基板41，该基板41具有并列设置的第一容置槽410，第二容置槽412及第三容置槽414。第一容置槽410，第二容置槽412及第三容置槽414均为锥形，且其开口分别沿远离其底部的方向逐渐变大。第一发光二极管晶粒421，第二发光二极管晶粒431及第三发光二极管晶粒441分别设置在第一容置槽410，第二容置槽412及第三容置槽414的底部。第一封装体422，第二封装体432，及第三封装体442分别设置在第一容置槽410，第二容置槽412及第三容置槽414中。
第一发光二极管晶粒421与第二发光二极管晶粒431为紫外光发光二极管晶粒，第三发光二极管晶粒441为蓝光发光二极管晶粒。由于红色荧光粉在紫外光发光二极管晶粒发出的紫外光激发下的转换效率较差，所以第一发光二极管晶粒421、第二发光二极管晶粒431与第三发光二极管晶粒441可以选择不同的尺寸大小以克服转换效率不平衡的问题。在本实施例中，第一发光二极管晶粒421与第二发光二极管晶粒431的尺寸大小为1mm×1mm，第三发光二极管晶粒441的大小为0.6mm×0.6mm，以平衡发光二极管光源装置40中不同荧光粉的转换效率。
发光二极管光源装置40进一步包括一个具有中空环状结构的反光部49。反光部49设置在基板41上以环绕第一容置槽410、第二容置槽412及第三容置槽414。反光部49的内表面491为反射面用以反射经由第一封装体422，第二封装体432，及第三封装体442射出的光线，达到混光均匀的效果。在本实施例中，该内表面491一阶梯面。反光部49所用材料包括聚对苯二酰对苯二胺(PPA)，低吸湿性尼龙(PA9T)，液晶聚合物(LCP)等。
请参见图5，本发明第五实施例提供的发光二极管光源装置50，其与上述第四实施例所提供的发光二极管光源装置40基本相同，不同之处在于：
反光部59的内表面591为一连续的双斜率面。内表面591包括邻近第一容置槽410及第三容置槽414的第一表面5911及远离第一容置槽410及第三容置槽414的第二表面5912。第一表面5911具有第一斜率，第二表面5912具有不同于第一斜率的第二斜率。反光部59与基板51为一体成型结构。
请参见图6，本发明第六实施例提供的发光二极管光源装置60，其与上述第四实施例所提供的发光二极管光源装置40基本相同，不同之处在于：
发光二极管光源装置60进一步包括一散射层68。散射层68设置在反光部69中，并位于第一容置槽410、第二容置槽412及第三容置槽414上。散射层68包括第四透明基材681及均匀分布在第四透明基材681中的散射粒子682。第四透明基材681所用材料可选用硅胶、树脂等透光材料，其折射率小于或等于封装体422，432，及442中透明基材的折射率。散射粒子682所用材料可为二氧化钛(TiO2)、塑料、PMMA、熔融石英(Fused Silica)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、硅铝氧氮聚合物(Sialon)或其他透明氮氧化物。散射粒子682的折射率范围为1.1~2.4。散射粒子682用于散射经由第一封装体422射出的红光、经由第二封装体432射出的绿光或/及黄光，以及经由第三封装体442射出的蓝光，从而进一步提高发光二极管光源装置60的出光均匀性。
请参见图7，本发明第七实施例提供的发光二极管光源装置70，其包括一个基板71，一个第一发光单元72及一个第二发光单元73。
基板71具有并列设置的第一容置槽710与第二容置槽712。第一容置槽710与第二容置槽712均为锥形。
第一发光单元72包括第一发光二极管晶粒721及覆盖第一发光二极管晶粒721的第一封装体722。第二发光单元73包括第二发光二极管晶粒731及覆盖第二发光二极管晶粒731的第二封装体732。第一发光二极管晶粒721与第二发光二极管晶粒731分别设置在第一容置槽710与第二容置槽712的底部且与基板71电连接。第一封装体722与第二封装体732分别设置在第一容置槽710与第二容置槽712中。
第一发光二极管晶粒721与第二发光二极管晶粒731为同系化合物发光二极管晶粒。在此，所述同系化合物发光二极管晶粒可为GaN系、AlGaN系或InGaN系发光二极管晶粒。在本实施例中，第一发光二极管晶粒721与第二发光二极管晶粒731为紫外光发光二极管晶粒。第一发光二极管晶粒721、第二发光二极管晶粒731分别与第一电源101、第二电源102形成电连接。由第一电源101、第二电源102分别对第一发光二极管晶粒721、第二发光二极管晶粒731的电压及电流进行独立控制。
第一封装体722包括第一透明基材7220及均匀分布在第一透明基材7220中的第一荧光粉7222。第一透明基材7220的材料可选用硅胶、树脂等透光材料。第一荧光粉7222为红色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为610~645纳米的红光。
第二封装体732包括第二透明基材7320，第二荧光粉7322及第三荧光粉7324。第二荧光粉7322与第三荧光粉7324均匀分布在第二透明基材7320。第二荧光粉7322为绿色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为505~540纳米的绿光。第三荧光粉7324为蓝色荧光粉，其受光激发可发出中心波长范围为445~475纳米的蓝光。
第一荧光粉7222在第一发光二极管晶粒721发出的紫外光的激发下发出红光。第二荧光粉7322及第三荧光粉7324在第二发光二极管晶粒731发出的紫外光的激发下发出绿光和蓝光。第一电源101、第二电源102分别对该第一发光二极管晶粒721、第二发光二极管晶粒731的电流进行控制，进而分别对经由第一封装体722出射的红光、经由第二封装体732出射的绿光和蓝光的色温进行调节，使得发光二极管光源装置70能够射出不同颜色的光或不同色温值的光，以获得实际所需的色光及色温。
可以理解的是，第一发光二极管晶粒721与第二发光二极管晶粒731也可为蓝光发光二极管晶粒，其可发出中心波长范围为445~475纳米的蓝光。
另外，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (21)

1.一种发光二极管光源装置，包括：一个基板，一个第一发光单元，一个第二发光单元及一个第三发光单元；
该第一发光单元，该第二发光单元及该第三发光单元并列设置在该基板上；
该第一发光单元包括第一发光二极管晶粒及覆盖该第一发光二极管晶粒的第一封装体，该第一封装体中含有红色荧光粉；
该第二发光单元包括第二发光二极管晶粒及覆盖该第二发光二极管晶粒的第二封装体；
该第三发光单元包括第三发光二极管晶粒及覆盖该第三发光二极管晶粒的第三封装体；
该第一发光二极管晶粒、该第二发光二极管晶粒及该第三发光二极管晶粒为同系化合物发光二极管晶粒，经由该第一封装体、该第二封装体及该第三封装体射出的光混合后形成多色光。
2.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒为绿光发光二极管晶粒，该第三发光二极管晶粒为蓝光发光二极管晶粒。
3.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒、该第二发光二极管晶粒及该第三发光二极管晶粒均为蓝光发光二极管晶粒，该第二封装体中设置有绿色荧光粉与黄色荧光粉中至少一者。
4.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒、该第二发光二极管晶粒及该第三发光二极管晶粒均为紫外光发光二极管晶粒，该第二封装体中设置有绿色荧光粉与黄色荧光粉中的至少一者，该第三封装体中含有蓝光荧光粉。
5.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒为紫外光发光二极管晶粒，该第三发光二极管晶粒为蓝光发光二极管晶粒，该第二封装体中含有绿色荧光粉与黄色荧光粉中至少一者。
6.如权利要求5所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒的尺寸大于该第二发光二极管晶粒与该第三发光二极管晶粒中的至少一者。
7.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该同系化合物发光二极管晶粒为GaN系、AlGaN系或InGaN系发光二极管晶粒。
8.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒，该第二发光二极管晶粒及该第三发光二极管晶粒电性独立。
9.如权利要求1所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该基板上设置有并列排布的第一容置槽、第二容置槽及第三容置槽，该第一发光单元设置在该第一容置槽中，该第二发光单元设置在该第二容置槽中，该第三发光单元设置在该第三容置槽中。
10.如权利要求9所述的发光二极管光源装置，其特征在于：进一步包括一个具有中空环形结构的反光部，该反光部设置在该基板上以环绕该第一容置槽、第二容置槽及第三容置槽，该反光部的内表面用以反射该第一发光单元、该第二发光单元及该第三发光单元发出的光线。
11.如权利要求10所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该反光部的内表面为一阶梯面或一连续的双斜率面。
12.如权利要求10所述的发光二极管光源装置，其特征在于：进一步包括一散射层，该散射层设置在该反光部中，并位于该第一容置槽、第二容置槽及第三容置槽上，该散射层中含有散射粒子。
13.一种发光二极管光源装置，包括：一个基板，一个第一发光单元及一个第二发光单元；
该第一发光单元及该第二发光单元并列设置在该基板上；
该第一发光单元包括第一发光二极管晶粒及覆盖该第一发光二极管晶粒的第一封装体，该第一封装体中含有红色荧光粉；
该第二发光单元包括第二发光二极管晶粒及覆盖该第二发光二极管晶粒的第二封装体，该第二封装体中设置有至少两种各自不同的荧光粉；
该第一发光二极管晶粒、该第二发光二极管晶粒为同系化合物发光二极管晶粒，经由该第一封装体与该第二封装体射出的光混合后形成多色光。
14.如权利要求13所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒均为紫外光发光二极管晶粒，该第二封装体中含有蓝光荧光粉、以及绿色荧光粉与黄色荧光粉二者中至少一者。
15.如权利要求13所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒与第二发光二极管晶粒均为蓝光发光二极管晶粒，该第二封装体中含有绿色荧光粉及黄色荧光粉。
16.如权利要求13所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该同系化合物发光二极管晶粒为GaN系、AlGaN系或InGaN系发光二极管晶粒。
17.如权利要求13所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒电性独立。
18.如权利要求13所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该基板上设置有并列排布的第一容置槽与第二容置槽，该第一发光单元设置在该第一容置槽中，该第二发光单元设置在该第二容置槽中。
19.如权利要求18所述的发光二极管光源装置，其特征在于：进一步包括一个具有中空环形结构的反光部，该反光部设置在该基板上以环绕该第一容置槽与第二容置槽，该反光部的内表面用以反射该第一发光单元与该第二发光单元发出的光线。
20.如权利要求19所述的发光二极管光源装置，其特征在于：该反光部的内表面为一阶梯面或一连续的双斜率面。
21.如权利要求20所述的发光二极管光源装置，其特征在于：进一步包括一散射层，该散射层设置在该反光部中，并位于该第一容置槽与该第二容置槽上，该散射层中含有散射粒子。
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