[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN113272976B - 荧光体基板、发光基板以及照明装置 - Google Patents

荧光体基板、发光基板以及照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113272976B
CN113272976B CN201980085496.8A CN201980085496A CN113272976B CN 113272976 B CN113272976 B CN 113272976B CN 201980085496 A CN201980085496 A CN 201980085496A CN 113272976 B CN113272976 B CN 113272976B
Authority
CN
China
Prior art keywords
phosphor
light
substrate
layer
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980085496.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113272976A (zh
Inventor
小西正宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denka Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denka Co Ltd filed Critical Denka Co Ltd
Publication of CN113272976A publication Critical patent/CN113272976A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113272976B publication Critical patent/CN113272976B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09745—Recess in conductor, e.g. in pad or in metallic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。本发明的荧光体基板(30)在一面搭载有至少一个发光元件(20)，该荧光体基板(30)具备：绝缘基板(32)；电极层(34)，配置于绝缘基板(32)的一面，与发光元件(20)接合；以及荧光体层(36)，配置于绝缘基板(32)的一面，包含将发光元件(20)的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，电极层(34)的朝向绝缘基板(32)的厚度方向外侧的面中的，与发光元件(20)接合的接合面(34A1)位于比被作为接合面(34A1)以外的面的非接合面(34B1)靠上述厚度方向外侧，荧光体层(36)的至少一部分配置于接合面(34A1)的周围。

Description

荧光体基板、发光基板以及照明装置
技术领域
本发明涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。
背景技术
在专利文献1中，公开了具备搭载有发光元件(LED元件)的基板的LED照明器具。该LED照明器具在基板的表面设置反射材料，使发光效率提高。
专利文献1：中国专利公开106163113号公报
然而，在专利文献1所公开的结构的情况下，无法利用反射材料将LED照明器具所发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够在搭载有发光元件的情况下将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光的荧光体基板。
本发明的第一方式的荧光体基板在一面搭载有至少一个发光元件，该荧光体基板具备：绝缘基板；电极层，配置于上述绝缘基板的一面，与上述发光元件接合；以及荧光体层，配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，上述电极层的朝向上述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的，与上述发光元件接合的接合面位于比被作为上述接合面以外的面的非接合面靠上述厚度方向外侧，上述荧光体层的至少一部分配置于上述接合面的周围。
本发明的第二方式的荧光体基板在一面搭载有多个发光元件，该荧光体基板具备：绝缘基板；电极层，配置于上述绝缘基板的一面，与上述多个发光元件分别接合；以及荧光体层，设置于上述绝缘基板的一面，包含将上述多个发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，上述电极层的朝向上述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的，与上述发光元件接合的接合面位于比被作为上述接合面以外的面的非接合面靠上述厚度方向外侧，上述荧光体层的至少一部分配置于上述接合面的周围。
本发明的第三方式的荧光体基板是在第二方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的至少一部分配置于上述绝缘基板的一面中的配置有上述电极层的区域以外的区域。
本发明的第四方式的荧光体基板是在第二或第三方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的至少一部分配置于上述非接合面。
本发明的第五方式的荧光体基板是在第一～第四方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的上述厚度方向外侧的面位于比上述接合面靠上述厚度方向外侧。
本发明的第六方式的荧光体基板是在第一～第五方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。
本发明的第七方式的荧光体基板是在第六方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。
这里，“荧光体的相关色温”是指该荧光体的发光色的相关色温(以下，相同)。
本发明的第八方式的荧光体基板是在第六方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。
本发明的第一方式的发光基板具备第一～第八方式中任一方式的荧光体基板、和与上述接合面接合的至少一个发光元件。
本发明的第二方式的发光基板是在第一方式的发光基板的基础上，上述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。
本发明的第三方式的发光基板是在第二方式的发光基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。
本发明的第四方式的发光基板是在第二方式的发光基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。
本发明的照明装置具备第一～第四方式中任一方式的发光基板、和供给用于使上述发光元件发光的电力的电源。
本发明的第一～第八方式的荧光体基板能够在搭载有发光元件的情况下，将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。
另外，本发明的第二～第八方式的荧光体基板能够在搭载有发光元件的情况下，将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光，并且能够减小眩光。另外，本发明的第八方式的荧光体基板也能够显现出通过荧光体层缓和所搭载的发光元件的色度偏差的效果。
另外，本发明的发光基板能够将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。
上述目的以及其他目的、特征及优点通过以下所述的优选的实施方式及其附带的以下的附图而得以进一步明确。
附图说明
图1A是本实施方式的发光基板的俯视图。
图1B是本实施方式的发光基板的仰视图。
图1C是由图1A的1C-1C切断线切断的发光基板的局部剖视图。
图2A是本实施方式的荧光体基板(省略荧光体层)的俯视图。
图2B是本实施方式的荧光体基板的俯视图。
图3A是本实施方式的发光基板的制造方法中的第一工序的说明图。
图3B是本实施方式的发光基板的制造方法中的第二工序的说明图。
图3C是本实施方式的发光基板的制造方法中的第三工序的说明图。
图3D是本实施方式的发光基板的制造方法中的第四工序的说明图。
图3E是本实施方式的发光基板的制造方法中的第五工序的说明图。
图4是用于对本实施方式的发光基板的发光动作进行说明的图。
图5是用于对比较方式的发光基板的发光动作进行说明的图。
图6是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第一试验的结果的图表。
图7是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第二试验的结果的图表。
具体实施方式
《概要》
以下，参照图1A～图1C、图2A、图2B对本实施方式的发光基板10的结构及功能进行说明。接着，参照图3A～图3E对本实施方式的发光基板10的制造方法进行说明。接着，参照图4对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明。接着，参照图4～图7等对本实施方式的效果进行说明。此外，在以下的说明中参照的所有附图中，对相同的结构要素标注相同的附图标记，省略适当说明。
《本实施方式的发光基板的结构及功能》
图1A是本实施方式的发光基板10的俯视图(从表面31观察的图)，图1B是本实施方式的发光基板10的仰视图(从背面33观察的图)。图1C是由图1A的1C-1C切断线切断的发光基板10的局部剖视图。
本实施方式的发光基板10从表面31及背面33观察，作为一个例子为矩形。另外，本实施方式的发光基板10具备多个发光元件20、荧光体基板30、以及连接器、驱动器IC等电子部件(省略图示)。即，本实施方式的发光基板10在荧光体基板30上搭载有多个发光元件20及上述电子部件。
本实施方式的发光基板10具有通过导线的直接附着或者经由连接器从外部电源(省略图示)被供电时发光的功能。因此，本实施方式的发光基板10例如被用作照明装置(省略图示)等中的主要的光学部件。
＜多个发光元件＞
作为一个例子，多个发光元件20分别为组装有倒装芯片LED22(以下，称为LED22)的CSP(Chip Scale Package：芯片级封装)(参照图1C)。作为CSP，如图1C所示，优选除LED22的底面之外的整个周围(5面)被荧光体密封层24覆盖。荧光体密封层24包含荧光体，LED22的光通过荧光体密封层24的荧光体进行颜色转换并向外部射出。如图1A所示，多个发光元件20以在荧光体基板30的表面31(一面的一个例子)遍及整个表面31规则地排列的状态搭载于荧光体基板30。此外，本实施方式的各发光元件20所发出的光的相关色温作为一个例子，为3，018K。另外，多个发光元件20在发光动作时，通过使用散热器(省略图示)、冷却风扇(省略图示)，以使荧光体基板30作为一个例子从常温落入50℃～100℃的方式进行散热(冷却)。这里，对本说明书中在数值范围使用的“～”的意思进行补充，例如“50℃～100℃”意味着“50℃以上100℃以下”。而且，在本说明书中在数值范围使用的“～”意味着“『～』之前的记载部分以上『～』之后的记载部分以下”。
＜荧光体基板＞
图2A是本实施方式的荧光体基板30的图，是省略了荧光体层36而图示的俯视图(从表面31观察的图)。图2B是本实施方式的荧光体基板30的俯视图(从表面31观察的图)。此外，本实施方式的荧光体基板30的仰视图与从背面33观察发光基板10的图相同。另外，本实施方式的荧光体基板30的局部剖视图与从图1C的局部剖视图除去发光元件20的情况下的图相同。即，本实施方式的荧光体基板30从表面31及背面33观察，作为一个例子为矩形。
本实施方式的荧光体基板30具备绝缘层32(绝缘基板的一个例子)、电极层34、荧光体层36、以及背面图案层38(参照图1B、图1C、图2A以及图2B)。此外，在图2A中省略了荧光体层36，但如图2B所示，作为一个例子，荧光体层36配置于绝缘层32及电极层34的表面31中的除后述的多个电极对34A以外的部分。
另外，如图1B及图2A所示，在荧光体基板30，在四个角附近的4个部位以及中央附近的2个部位这6个部位形成有贯通孔39。6个部位的贯通孔39在制造荧光体基板30及发光基板10时被用作定位孔。并且，6个部位的贯通孔39被用作用于确保向(发光)灯具壳体的散热效果(防止基板翘曲及浮起)的安装用的螺纹孔。此外，如后所述，本实施方式的荧光体基板30是通过对在绝缘板的两面设置有铜箔层的两面板(以下，称为母板MB。参照图3A)进行加工(蚀刻等)而制造的，母板MB作为一个例子，使用利昌工业株式会社制的CS-3305A。
〔绝缘层〕
以下，对本实施方式的绝缘层32的主要特征进行说明。
形状如上所述，作为一个例子，从表面31及背面33观察为矩形。
材质作为一个例子，是包含双马来酰亚胺树脂及玻璃布的绝缘材料。
厚度作为一个例子为100μm～200μm。
作为一个例子，纵向及横向的热膨胀系数(CTE)分别在50℃～100℃的范围内为10ppm/℃以下。另外，从另一观点来看，作为一个例子，纵向及横向的热膨胀系数(CTE)分别为6ppm/K。该值与本实施方式的发光元件20的情况大致相同(90％～110％，即±10％以内)。
玻璃化转变温度作为一个例子，高于300℃。
储能模量作为一个例子，在100℃～300℃的范围内，大于1.0×1010Pa且小于1.0×1011Pa。
〔电极层〕
本实施方式的电极层34是设置于绝缘层32的表面31侧的金属层。本实施方式的电极层34作为一个例子为铜箔层(Cu制的层)。换言之，本实施方式的电极层34形成为至少其表面包含铜。
电极层34形成为设置于绝缘层32的图案，与接合有连接器(省略图示)的端子(省略图示)导通。而且，电极层34将经由连接器从外部电源(省略图示)供电的电力供给到发光基板10的构成时的多个发光元件20。因此，电极层34的一部分成为分别接合多个发光元件20的多个电极对34A。即，本实施方式的发光基板10的电极层34配置于绝缘层32，与各发光元件20连接。另外，从另一观点来看，本实施方式的荧光体基板30的电极层34配置于绝缘层32，与各发光元件20连接。另外，如上所述，本实施方式的发光基板10中的多个发光元件20遍及整个表面31规则地排列，因此多个电极对34A也遍及整个表面31规则地排列(参照图2A)。将电极层34中的多个电极对34A以外的部分称为布线部分34B。在本实施方式中，如图1C所示，作为一个例子，多个电极对34A比布线部分34B向绝缘层32(荧光体基板30)的厚度方向外侧突出。换言之，在电极层34的朝向绝缘层32的厚度方向外侧的面中，分别接合各发光元件20的面(接合面34A1)位于比接合面34A1以外的面(非接合面34B1)靠绝缘层32的厚度方向外侧。
此外，绝缘层32的表面31中的配置有电极层34的区域(电极层34的占用面积)作为一个例子，为绝缘层32的表面31的60％以上的区域(面积)(参照图2A)。
〔荧光体层〕
本实施方式的荧光体层36如图2B所示，作为一个例子，荧光体层36配置于绝缘层32及电极层34的表面31中的多个电极对34A以外的部分。即，荧光体层36配置于电极层34中的多个电极对34A以外的区域。换言之，荧光体层36的至少一部分配置于表面31中的各接合面34A1的周围(参照图1C及图2B)。另外，从另一观点来看，荧光体层36的至少一部分配置为从表面31侧观察，遍及整周地包围各接合面34A1的周围。而且，在本实施方式中，绝缘层32的表面31中的配置有荧光体层36的区域作为一个例子，为绝缘层32的表面31中的80％以上的区域。
此外，在本实施方式中，荧光体层36的绝缘层32的厚度方向外侧的面作为一个例子，位于比电极层34的接合面34A1靠该厚度方向外侧(参照图1C及图3E)。然而，也可以是与本实施方式的情况相反的结构，即荧光体层36的绝缘层32的厚度方向外侧的面位于比接合面34A1靠该厚度方向内侧的结构(省略图示)。另外，也可以是荧光体层36的绝缘层32的厚度方向外侧的面位于与接合面34A1在该厚度方向上相同的位置的结构(省略图示)。
本实施方式的荧光体层36作为一个例子，是包含后述的荧光体和粘合剂的绝缘层。荧光体层36中包含的荧光体是被保持为分散于粘合剂的状态的微粒子，具有将各发光元件20的LED22的发光作为激发光进行激发的性质。具体而言，本实施方式的荧光体具有将发光元件20的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的性质。此外，粘合剂例如为环氧系、丙烯酸酯系、硅酮系等，只要是具有与阻焊剂所含的粘合剂同等的绝缘性的物质即可。
(荧光体的具体例)
这里，本实施方式的荧光体层36中包含的荧光体作为一个例子，是选自含有Eu的α型塞隆荧光体、含有Eu的β型塞隆荧光体、含有Eu的CASN荧光体以及含有Eu的SCASN荧光体中的至少一种以上的荧光体。此外，上述荧光体是本实施方式的一个例子，也可以是如YAG、LuAG、BOS其他可见光激发的荧光体那样的上述荧光体以外的荧光体。
含有Eu的α型塞隆荧光体由通式：MxEuySi12－(m+n)Al(m+n)OnN16-n表示。上述通式中，M为选自Li、Mg、Ca、Y以及镧系元素(但是，La和Ce除外)中的至少包含Ca的1种以上的元素，M的价数为a时，ax+2y＝m，x为0＜x≤1.5，0.3≤m＜4.5，0＜n＜2.25。
含有Eu的β型塞隆荧光体是由通式：Si6-zAlzOzN8-z(z＝0.005～1)表示的将二价的铕(Eu2+)作为发光中心固溶于β型塞隆的荧光体。
另外，作为氮化物荧光体，可列举含有Eu的CASN荧光体、含有Eu的SCASN荧光体等。
含有Eu的CASN荧光体(氮化物荧光体的一个例子)例如是由式CaAlSiN3：Eu2+表示的，以Eu2+为活化剂，以由碱土类硅氮化物构成的晶体为母体的红色荧光体。此外，在本说明书中的含有Eu的CASN荧光体的定义中，含有Eu的SCASN荧光体被除外。
含有Eu的SCASN荧光体(氮化物荧光体的一个例子)例如是由式(Sr、Ca)AlSiN3：Eu2 +表示的，以Eu2+为活化剂，以由碱土类硅氮化物构成的晶体为母体的红色荧光体。
〔背面图案层〕
本实施方式的背面图案层38是设置于绝缘层32的背面33侧的金属层。本实施方式的背面图案层38作为一个例子，为铜箔层(Cu制的层)。
如图1B所示，背面图案层38是沿着绝缘层32的长边方向呈直线状排列的多个矩形部分的块在短边方向上以使相位错开的方式相邻排列的层。
此外，作为一个例子，背面图案层38为独立浮动层。另外，背面图案层38在绝缘层32(荧光体基板30)的厚度方向上，作为一个例子，与配置于表面31的电极层34的80％以上的区域重叠。
以上是关于本实施方式的发光基板10及荧光体基板30的结构的说明。
《本实施方式的发光基板的制造方法》
接下来，参照图3A～图3E对本实施方式的发光基板10的制造方法进行说明。本实施方式的发光基板10的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序、第四工序以及第五工序，各工序按照其记载顺序进行。
＜第一工序＞
图3A是表示第一工序的开始时及结束时的图。第一工序是在母板MB的表面31形成从厚度方向观察与电极层34相同的图案34C，在背面33形成背面图案层38的工序。本工序例如通过使用了掩模图案(省略图示)的蚀刻而进行。
＜第二工序＞
图3B是表示第二工序的开始时及结束时的图。第二工序是对图案34C的一部分进行半阴影(蚀刻至厚度方向的中间)的工序。本工序结束后，结果形成具有多个电极对34A和布线部分34B的电极层34。即，本工序结束后，在电极层34形成有多个接合面34A1和多个非接合面34B1。本工序例如通过使用了掩模图案(省略图示)的蚀刻而进行。
＜第三工序＞
图3C是表示第三工序的开始时及结束时的图。第三工序是向绝缘层32的表面31，即形成有电极层34的面的整个面涂敷荧光体涂料36C的工序。在本工序中，例如，通过印刷来涂敷荧光体涂料36C。在该情况下，将荧光体涂料36C涂敷得比所有的电极对34A厚。换言之，在该情况下，在绝缘层32的厚度方向上以从厚度方向的外侧覆盖各接合面34A1的方式(以各接合面34A1被荧光体涂料36C遮挡的方式)涂敷荧光体涂料36C。
＜第四工序＞
图3D是表示第四工序的开始时及结束时的图。第四工序是将荧光体涂料36C固化而成的荧光体层36的一部分除去，使所有的电极对34A的接合面34A1露出的工序。这里，在荧光体涂料36C的粘合剂例如是热固性树脂的情况下，通过加热使荧光体涂料36C固化后，使用二维激光加工装置(省略图示)对荧光体层36的各接合面34A1上的部分选择性地照射激光。其结果，荧光体层36的各接合面34A1上的部分以及电极对34A的各接合面34A1附近的部分被磨蚀，各接合面34A1露出。以上的结果，制造本实施方式的荧光体基板30。
此外，本工序除上述方法以外，例如也可以通过以下的方法进行。在荧光体涂料36C的粘合剂例如是UV固化性树脂(感光性树脂)的情况下，对与各接合面34A1重叠的部分(涂料开口部)施加掩模图案，使UV光曝光，使该掩模图案以外UV固化，利用树脂除去液除去非曝光部(未固化部)，由此使各接合面34A1露出。然后，通常，通过加热来进行后固化(照片显影法)。
＜第五工序＞
图3E是表示第五工序的开始时及结束时的图。第五工序是将多个发光元件20搭载于荧光体基板30的工序。本工序在荧光体基板30的多个电极对34A的各接合面34A1(即，根据印刷荧光体层36的方法、利用分配器(省略图示)的涂敷法及其他方法决定了CSP搭载电极的接合面34A1)印刷钎焊膏SP，在使多个发光元件20的各电极与各接合面34A1对位的状态下熔化钎焊膏SP。然后，当钎焊膏SP被冷却并固化时，将各发光元件20与各电极对34A接合。即，本工序作为一个例子，通过回流焊工序进行。
以上是关于本实施方式的发光基板10的制造方法的说明。
《本实施方式的发光基板的发光动作》
接下来，参照图4对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明。这里，图4是用于对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明的图。
首先，若使多个发光元件20动作的动作开关(省略图示)接通，则开始经由连接器(省略图示)从外部电源(省略图示)向电极层34供电，多个发光元件20将光L呈放射状发散射出，该光L的一部分到达荧光体基板30的表面31。以下，分为射出的光L的行进方向，对光L的行迹进行说明。
从各发光元件20射出的光L的一部分不向荧光体层36入射而向外部射出。在该情况下，光L的波长保持与从各发光元件20射出时的光L的波长相同。
另外，从各发光元件20射出的光L的一部分中的LED22自身的光向荧光体层36入射。这里，上述的“光L的一部分中的LED22自身的光”是指射出的光L中的未被各发光元件20(CSP自身)的荧光体(荧光体密封层24)进行颜色转换的光，即LED22自身的光(作为一个例子为蓝色(波长为470nm左右)的光)。而且，当LED22自身的光L与分散于荧光体层36的荧光体碰撞时，荧光体激发而发出激发光。这里，荧光体激发的理由是分散于荧光体层36的荧光体使用对蓝色的光具有激发峰值的荧光体(可见光激发荧光体)。伴随于此，光L的能量的一部分用于荧光体的激发，由此光L失去能量的一部分。其结果，光L的波长被转换(进行波长转换)。例如，根据荧光体层36的荧光体的种类(例如，在荧光体使用红色系CASN的情况下)光L的波长变长(例如650nm等)。另外，荧光体层36中的激发光有时也保持原样地从荧光体层36射出，但一部分激发光朝向下侧的电极层34。而且，一部分激发光通过电极层34的反射而向外部射出。如以上那样，在由荧光体层36的荧光体发出的激发光的波长为600nm以上的情况下，即使电极层34为Cu，也能够期待反射效果。此外，根据荧光体层36的荧光体的种类，光L的波长与上述的例子不同，但在任何情况下都进行光L的波长转换。例如，在激发光的波长小于600nm的情况下，如果将电极层34或其表面例如设为Ag(鍍金)，则能够期待反射效果。另外，也可以在荧光体层36的下侧(绝缘层32侧)设置白色的反射层。反射层例如由氧化钛填料等白色涂料设置。
如上所述，各发光元件20射出的光L(各发光元件20呈放射状射出的光L)分别经由上述那样的多个光路与上述激发光一起向外部照射。因此，在荧光体层36中包含的荧光体的发光波长与密封(或覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长不同的情况下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长与各发光元件20射出时的光L的波长不同的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。例如，本实施方式的发光基板10照射发光元件20射出的光(波长)与由荧光体层36射出的光(波长)的合成光。
与此相对，在荧光体层36中包含的荧光体的发光波长与密封(或覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长相同的情况(相同的相关色温的情况)下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长与各发光元件20射出时的光L的波长相同的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。
以上是关于本实施方式的发光基板10的发光动作的说明。
《本实施方式的效果》
接下来，参照附图对本实施方式的效果进行说明。
＜第一效果＞
关于第一效果，将本实施方式与以下说明的比较方式(参照图5)进行比较来说明。这里，在比较方式的说明中，在使用与本实施方式相同的结构要素等的情况下，在该结构要素等使用与本实施方式的情况相同的名称、附图标记等。图5是用于对比较方式的发光基板10A的发光动作进行说明的图。比较方式的发光基板10A(供多个发光元件20搭载的基板30A)除不具备荧光体层36这一点以外，采用与本实施方式的发光基板10(荧光体基板30)相同的结构。
在比较方式的发光基板10A的情况下，从各发光元件20射出并入射到基板30A的表面31的光L不转换波长而反射或散射。因此，在比较方式的基板30A的情况下，在搭载有发光元件20的情况下，无法调整为与发光元件20所发出的光不同的发光色的光。即，在比较方式的发光基板10A的情况下，无法调整为与发光元件20所发出的光不同的发光色的光。
与此相对，在本实施方式的情况下，从绝缘层32的厚度方向观察，在绝缘层32的表面31且与各发光元件20的各接合面34A1的周围配置有荧光体层36。因此，从各发光元件20呈放射状射出的光L的一部分入射到荧光体层36，通过荧光体层36进行波长转换，向外部照射。在该情况下，从各发光元件20呈放射状射出的光L的一部分入射到荧光体层36，使荧光体层36中包含的荧光体激发，产生激发光。
这里，图6是表示本实施方式的发光基板10的相关色温的第一试验的结果的图表。另外，图7是表示本实施方式的发光基板10的相关色温的第二试验的结果的图表。
第一试验是向具备相关色温相当于2200K～2300K的多个发光元件20的发光基板10供电而使其发光的情况下的、对多个发光元件20调查电流(mA)与相关色温(K)的关系而得到的结果。这里，HE(1)及HE(2)表示电极层34的构造是与本实施方式相同的构造的情况下的两个实施例。如图6的结果所示，在任一情况下，发光基板10所发出的光L的相关色温都比多个发光元件20的相关色温低。即，在本实施方式的情况下，通过具备荧光体层36，能够使相关色温偏移。
另外，第二试验是向具备相关色温相当于2900K～3000K的多个发光元件20的发光基板10供电而使其发光的情况下的、对多个发光元件20调查电流(mA)与相关色温(K)的关系而得到的结果。这里，HE(1)表示电极层34的构造是与本实施方式相同的构造的情况。如图7的结果所示，发光基板10所发出的光L的相关色温比多个发光元件20的相关色温低。即，在本实施方式的情况下，通过具备荧光体层36，能够使相关色温偏移。
因此，根据本实施方式的荧光体基板30，能够在搭载有发光元件20的情况下，将从荧光体基板30发出的光L调整为与发光元件20所发出的光L不同的发光色的光。伴随于此，根据本实施方式的发光基板10，能够将从荧光体基板30发出的光L调整为与发光元件20所发出的光L不同的发光色的光L。从另一观点来看，根据本实施方式的发光基板10，能够向外部照射与发光元件20所发出的光L不同的发光色的光L。
此外，在荧光体层36中包含的荧光体的发光波长与密封(或覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长相同的情况(相同的相关色温的情况)下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长与各发光元件20射出时的光L的波长相同的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。在该情况下，也能够显现出通过荧光体层36缓和所搭载的发光元件20的色度偏差的效果。
＜第二效果＞
在比较方式的情况下，如图5所示，由于各发光元件20的配置间隔而在向外部照射的光L产生斑。这里，光L的斑越大，眩光越大。
与此相对，在本实施方式的情况下，如图2B所示，在各接合面34A1的周围(遍及整周)被荧光体层36包围之后，进而在相邻的发光元件20彼此之间也设置有荧光体层36。因此，从各接合面34A1的周围(各发光元件20的周围)也发出激发光。
因此，根据本实施方式，与比较方式相比，能够减小眩光。
特别是，本效果在荧光体层36遍及绝缘层32的整个面设置的情况下，具体而言，在绝缘层32的表面31中的配置有荧光体层36的区域为表面31的80％以上的区域的情况下有效。
＜第三效果＞
另外，在本实施方式中，如上述的说明，在相邻的发光元件20彼此之间设置有荧光体层36(参照图2B)。另外，荧光体层36的粘合剂例如具有与阻焊剂中包含的粘合剂同等的绝缘性。即，在本实施方式的情况下，荧光体层36发挥阻焊剂的功能。
＜第四效果＞
另外，在本实施方式的情况下，例如，将荧光体层36中包含的荧光体设为含有Eu的CASN荧光体，将荧光体层36设置在Cu制的布线部分34B上。因此，例如，在各发光元件20射出白色系的光L的情况下，例如，荧光体层36中包含的CASN荧光体发出波长为600nm以上的激发光，该激发光被Cu高效地反射，因此发光效率提高(参照图6及图7)。在该情况下，能够在发光元件20的白色系光加入暖色系光，能够提高特殊显色系数R9值。本效果对于使用YAG系白色光(黄色荧光体)的准白色特别有效。
以上是关于本实施方式的效果的说明。
如上所述，以上述的实施方式及实施例为例对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式及实施例。本发明的技术范围例如也包含下述方式(变形例)。
例如，在本实施方式的说明中，将发光元件20的一个例子设为CSP。然而，发光元件20的一个例子也可以是CSP以外。例如，也可以仅搭载了倒装芯片。另外，也能够应用于COB器件的基板自身。
另外，在本实施方式的说明中，在荧光体基板30搭载有多个发光元件20，发光基板10具备多个发光元件20。然而，若考虑上述的第一效果的说明的机理，则即使发光元件20为一个也能起到第一效果是显而易见的。因此，搭载于荧光体基板30的发光元件20的数量至少为一个以上即可。另外，搭载于发光基板10的发光元件20至少为一个以上即可。
另外，在本实施方式的说明中，在荧光体基板30的背面33具备背面图案层38(参照图1B)。然而，若考虑上述的第一效果的说明的机理，则即使在荧光体基板30的背面33不具备背面图案层38也能起到第一效果是显而易见的。因此，即使是仅在背面33没有背面图案层38这一点与本实施方式的荧光体基板30及发光基板10不同的方式，该方式也属于本发明的技术范围。
另外，在本实施方式的说明中，荧光体层36配置于绝缘层32及电极层34的表面31中的多个电极对34A以外的部分(参照图2B)。然而，若考虑上述的第一效果的说明的机理，则即使不遍及荧光体基板30的表面31中的多个电极对34A以外的部分的整个区域地配置也能起到第一效果是显而易见的。因此，即使是与本实施方式的情况不同的仅在表面31的范围配置有荧光体层36这一点与本实施方式的荧光体基板30及发光基板10不同的方式，也可以说该方式属于本发明的技术范围。
另外，在本实施方式的说明中，说明了在制造荧光体基板30及发光基板10时，将利昌工业株式会社制的CS-3305A用作母板MB。然而，这只是一个例子，也可以使用不同的母板MB。例如，并不拘泥于利昌工业株式会社制的CS-3305A的绝缘层厚、铜箔厚等标准规格，特别也可以使用铜箔压更厚的材料。
此外，本实施方式的发光基板10(也包含其变形例)能够与其他结构要素组合而应用于照明装置。该情况下的其他结构要素是供给用于使发光基板10的发光元件20发光的电力的电源等。
本申请主张以在2018年12月27日申请的日本申请特愿2018-244543号为基础的优先权，将其公开的全部内容引入此。

Claims (14)

1.一种荧光体基板，是在一面搭载有至少一个发光元件的荧光体基板，其中，具备：
绝缘基板；
电极层，配置于所述绝缘基板的一面，与所述发光元件接合；以及
荧光体层，配置于所述绝缘基板的一面，包含将所述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，
所述电极层的朝向所述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的与所述发光元件接合的接合面位于比被作为所述接合面以外的面的非接合面靠所述厚度方向外侧，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述接合面的周围，
所述荧光体层中与所述电极层的布线部分的所述非接合面形成边界的边界面比所述电极层和所述发光元件间的接合面低。
2.一种荧光体基板，是在一面搭载有多个发光元件的荧光体基板，其中，具备：
绝缘基板；
电极层，配置于所述绝缘基板的一面，与所述多个发光元件分别接合；以及
荧光体层，设置于所述绝缘基板的一面，包含将所述多个发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，
所述电极层的朝向所述绝缘基板的厚度方向外侧的面中的与所述发光元件接合的接合面位于比被作为所述接合面以外的面的非接合面靠所述厚度方向外侧，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述接合面的周围，
所述荧光体层中与所述电极层的布线部分的所述非接合面形成边界的边界面比所述电极层和所述发光元件间的接合面低。
3.根据权利要求2所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述绝缘基板的一面中的配置有所述电极层的区域以外的区域。
4.根据权利要求2或3所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体层的至少一部分配置于所述非接合面。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体层的所述厚度方向外侧的面位于比所述接合面靠所述厚度方向外侧。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体基板，其中，
所述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。
7.根据权利要求6所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体的相关色温为与所述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。
8.根据权利要求6所述的荧光体基板，其中，
所述荧光体的相关色温为与所述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体基板，其中，
所述发光元件具有LED、对所述LED进行密封的具有荧光体的荧光体密封层，
所述荧光体层同所述荧光体密封层独立设置。
10.一种发光基板，其中，具备：
权利要求1～9中任一项所述的荧光体基板；和
与所述接合面接合的至少一个发光元件。
11.根据权利要求10所述的发光基板，其中，
所述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。
12.根据权利要求11所述的发光基板，其中，
所述荧光体的相关色温为与所述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。
13.根据权利要求11所述的发光基板，其中，
所述荧光体的相关色温为与所述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。
14.一种照明装置，其中，具备：
权利要求10～13中任一项所述的发光基板；和
供给用于使所述发光元件发光的电力的电源。
CN201980085496.8A 2018-12-27 2019-12-18 荧光体基板、发光基板以及照明装置 Active CN113272976B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018244543 2018-12-27
JP2018-244543 2018-12-27
PCT/JP2019/049688 WO2020137761A1 (ja) 2018-12-27 2019-12-18 蛍光体基板、発光基板及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113272976A CN113272976A (zh) 2021-08-17
CN113272976B true CN113272976B (zh) 2024-11-08

Family

ID=71129757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980085496.8A Active CN113272976B (zh) 2018-12-27 2019-12-18 荧光体基板、发光基板以及照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12027652B2 (zh)
EP (1) EP3905349B1 (zh)
JP (1) JP7425750B2 (zh)
KR (1) KR20210105892A (zh)
CN (1) CN113272976B (zh)
WO (1) WO2020137761A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3905345B1 (en) 2018-12-27 2024-01-24 Denka Company Limited Light-emitting substrate, and lighting device

Family Cites Families (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3992770B2 (ja) 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
JP2000011953A (ja) 1998-06-25 2000-01-14 Nec Corp 多重管からなる蛍光ランプ
JP3640153B2 (ja) 1999-11-18 2005-04-20 松下電工株式会社 照明光源
JP2001148509A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP3970056B2 (ja) 2002-03-01 2007-09-05 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005191420A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
EP1749074B1 (en) 2004-04-27 2016-04-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device using phosphor composition
JP5219331B2 (ja) 2005-09-13 2013-06-26 株式会社住田光学ガラス 固体素子デバイスの製造方法
KR20070047676A (ko) 2005-11-02 2007-05-07 가부시끼가이샤 도리온 발광 다이오드 실장 기판
JP2008066691A (ja) 2006-03-10 2008-03-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP3863174B2 (ja) 2006-05-08 2006-12-27 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
US7808013B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
TWI343664B (en) 2007-07-06 2011-06-11 Formosa Epitaxy Inc Light-blending light-emitting diode
TWI361497B (en) 2007-08-20 2012-04-01 Delta Electronics Inc Light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof
KR101361575B1 (ko) 2007-09-17 2014-02-13 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8558438B2 (en) 2008-03-01 2013-10-15 Goldeneye, Inc. Fixtures for large area directional and isotropic solid state lighting panels
JP5217593B2 (ja) * 2008-04-18 2013-06-19 株式会社豊田中央研究所 車両用化学蓄熱システム
JP2009267289A (ja) 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP5345363B2 (ja) 2008-06-24 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置
CN102473824B (zh) 2009-06-26 2015-08-05 株式会社朝日橡胶 白色反射材料及其制造方法
KR101601622B1 (ko) 2009-10-13 2016-03-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
CN103325778B (zh) 2009-10-21 2016-08-10 东芝照明技术株式会社 发光装置以及照明器具
EP2315284A3 (en) 2009-10-21 2013-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-Emitting apparatus and luminaire
EP2551929A4 (en) 2010-03-23 2013-08-14 Asahi Rubber Inc SILICONE RESIN REFLECTIVE SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND BASE MATERIAL COMPOSITION USED IN REFLECTIVE SUBSTRATE
TWI446590B (zh) 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
JP2012094578A (ja) 2010-10-25 2012-05-17 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP5661552B2 (ja) 2010-12-24 2015-01-28 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012186274A (ja) 2011-03-04 2012-09-27 Sharp Corp 発光装置、ｌｅｄチップ、ｌｅｄウェハ、およびパッケージ基板
JP5703997B2 (ja) 2011-06-29 2015-04-22 豊田合成株式会社 発光装置
US9006006B2 (en) * 2011-11-29 2015-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method for light-emitting device comprising multi-step cured silicon resin
JP2013115368A (ja) 2011-11-30 2013-06-10 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュール
JP5984199B2 (ja) 2011-12-26 2016-09-06 シチズン電子株式会社 発光装置
KR20130104975A (ko) 2012-03-16 2013-09-25 삼성전자주식회사 발광장치
WO2013153739A1 (ja) 2012-04-11 2013-10-17 パナソニック株式会社 発光装置及びランプ
JP5910340B2 (ja) 2012-06-15 2016-04-27 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置、及びその製造方法
EP2862207A1 (en) 2012-06-15 2015-04-22 Sferrum GmbH Led package and method for producing the same
TW201405894A (zh) 2012-07-27 2014-02-01 Phostek Inc 熱電分離的半導體裝置與其製法
JP2014220431A (ja) 2013-05-09 2014-11-20 日東電工株式会社 回路基板、光半導体装置およびその製造方法
US9287472B2 (en) 2013-06-27 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
CN103346241B (zh) 2013-07-03 2015-09-30 梁栌伊 白色led灯的封装结构
CN104282819B (zh) 2013-07-08 2018-08-28 光宝电子(广州)有限公司 倒装式发光二极管封装模块及其制造方法
WO2015006593A1 (en) 2013-07-10 2015-01-15 Goldeneye, Inc. Self cooling light source
JP6277860B2 (ja) * 2013-07-19 2018-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102123039B1 (ko) 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
RU2662240C2 (ru) 2013-08-01 2018-07-25 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающая структура с адаптированным выходным спектром
JP6195760B2 (ja) 2013-08-16 2017-09-13 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US20150060911A1 (en) 2013-09-05 2015-03-05 Unistars Corporation Optoelectronic semiconductor device and fabricating method thereof
JP6955704B2 (ja) 2013-10-23 2021-10-27 株式会社光波 発光装置
JP6299176B2 (ja) 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
JP6435705B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-12 日亜化学工業株式会社 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
CN203839375U (zh) 2014-03-28 2014-09-17 中山市鸿宝电业有限公司 一种大功率led芯片集成封装结构
CN103904072A (zh) 2014-03-28 2014-07-02 中山市鸿宝电业有限公司 一种大功率led芯片集成封装结构
TWI613391B (zh) 2014-04-01 2018-02-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及應用此發光二極體組件的發光二極體燈泡
JP2015216139A (ja) 2014-05-07 2015-12-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール
WO2015187388A1 (en) 2014-06-02 2015-12-10 3M Innovative Properties Company Led with remote phosphor and shell reflector
US9660161B2 (en) * 2014-07-07 2017-05-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame
JP2016069401A (ja) 2014-09-26 2016-05-09 住友ベークライト株式会社 プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置
TWM496850U (zh) 2014-10-23 2015-03-01 Genesis Photonics Inc 發光二極體封裝結構
WO2016067794A1 (ja) 2014-10-28 2016-05-06 シャープ株式会社 基板及び発光装置
JP6681139B2 (ja) 2014-12-24 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016139632A (ja) 2015-01-26 2016-08-04 京セラ株式会社 配線基板
CN106163113A (zh) 2015-03-23 2016-11-23 李玉俊 Led灯安装灯珠用电路板表面反光层制作工艺
US10347798B2 (en) 2015-06-01 2019-07-09 Intematix Corporation Photoluminescence material coating of LED chips
TWI644454B (zh) 2015-08-19 2018-12-11 佰鴻工業股份有限公司 Light-emitting diode structure
JP2017041621A (ja) 2015-08-23 2017-02-23 久豊技研株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP6582794B2 (ja) 2015-09-18 2019-10-02 大日本印刷株式会社 融雪機能付ｌｅｄ情報表示パネル及びｌｅｄ情報表示装置
US9985182B2 (en) 2015-12-25 2018-05-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus and color-matching apparatus
TWI583028B (zh) 2016-02-05 2017-05-11 行家光電股份有限公司 具有光形調整結構之發光裝置及其製造方法
US10797209B2 (en) 2016-02-05 2020-10-06 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same
JP6669248B2 (ja) 2016-03-31 2020-03-18 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP6724634B2 (ja) 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN107091412A (zh) 2016-09-30 2017-08-25 深圳市玲涛光电科技有限公司 条形光源及其制造方法、背光模组、电子设备
JP2018082027A (ja) 2016-11-16 2018-05-24 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
CN106356439A (zh) 2016-11-21 2017-01-25 中山市立体光电科技有限公司 一种可调色温的led封装结构
JP2019093339A (ja) 2017-11-22 2019-06-20 帝人フロンティア株式会社 透湿濾材
EP3546895B1 (de) 2018-03-28 2020-05-27 E+E Elektronik Ges.M.B.H. Vorrichtung und verfahren zum betreiben eines beheizbaren sensors, insbesondere in einer explosionsfähigen atmosphäre
KR102653215B1 (ko) 2018-10-10 2024-04-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
EP3905345B1 (en) 2018-12-27 2024-01-24 Denka Company Limited Light-emitting substrate, and lighting device
US12100788B2 (en) 2018-12-27 2024-09-24 Denka Company Limited Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP3905349A4 (en) 2022-02-16
TW202105772A (zh) 2021-02-01
CN113272976A (zh) 2021-08-17
JP7425750B2 (ja) 2024-01-31
KR20210105892A (ko) 2021-08-27
US12027652B2 (en) 2024-07-02
JPWO2020137761A1 (ja) 2021-11-11
EP3905349A1 (en) 2021-11-03
WO2020137761A1 (ja) 2020-07-02
EP3905349B1 (en) 2024-02-07
US20220059734A1 (en) 2022-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI851637B (zh) 螢光體基板、發光基板及照明裝置
CN113228315B (zh) 荧光体基板、发光基板以及照明装置
JP7430650B2 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
CN115989592A (zh) 荧光体基板的制造方法以及发光基板的制造方法
CN113272976B (zh) 荧光体基板、发光基板以及照明装置
JP7491849B2 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
CN113491017B (zh) 荧光体基板、发光基板以及它们的制造方法、及照明装置
KR20210131338A (ko) 형광체 기판, 발광 기판, 조명 장치, 형광체 기판의 제조 방법 및 발광 기판의 제조 방법
CN115989591A (zh) 荧光体基板、发光基板以及照明装置
CN113454771A (zh) 电路基板、安装基板、照明装置、电路基板的制造方法和安装基板的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant