JP2009272369A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、表面に電極3bが形成された基板2と、基板2の表面側に実装された発光素子1と、発光素子1と電極3bとを電気的に接続しているワイヤ4と、電極3bの表面に形成された反射部11bと、を有している。反射部11bは、ワイヤ4と電極3bとの接続部を覆っている。
【選択図】図1
【解決手段】発光装置は、表面に電極3bが形成された基板2と、基板2の表面側に実装された発光素子1と、発光素子1と電極3bとを電気的に接続しているワイヤ4と、電極3bの表面に形成された反射部11bと、を有している。反射部11bは、ワイヤ4と電極3bとの接続部を覆っている。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子を備えた発光装置およびその製造方法に関する。
基板の表面側に実装されたLED(発光ダイオード)素子などの発光素子を備えた発光装置では、発光素子と基板とがワイヤボンディング接続されるものが多い。そのような発光装置では、基板の表面にワイヤを接続するための電極を備えている必要がある。
図3は一般的な発光装置の上面図および側断面図である。この発光装置は、表面に電極103a,103bが形成された基板102と、電極103aの表面に実装された発光素子101と、を有している。発光素子101と電極103bとはワイヤ104によってワイヤボンディング接続されている。この発光装置の、基板102の表面側は、透明な封止部105で覆われている。封止部105は、蛍光体が分散された透明な樹脂材料で形成されている。
この発光装置は、電極103aと電極103bとの間に電圧が印加されると、発光素子101が通電されることによって光を発するように構成されている。封止部105に分散された蛍光体は、発光素子101が発した光に衝突されて励起されると、発光素子101が発した光とは異なる波長の光を発する。
励起された蛍光体は、周囲に等方的に光を発するため、蛍光体が発した光の一部は基板102や電極103a,103bなどの表面に入射する。また、封止部105の内部から外部へ向かう、発光素子101や蛍光体が発した光の一部は、封止部105と外部空間との界面で全反射されて基板102側へ戻ってくるため、基板102や電極103a,103bなどの表面に入射する。
基板102や電極103a,103bなどの表面に入射した光は、反射されて封止部105の外側へ放出されるが、その一部は反射されずに基板102や電極103a,103bなどの表面に吸収される。そのため、基板102や電極103a,103bなどの表面が高い反射率を有しているほど、基板102上で吸収される光の量が減少するため、発光装置の発光効率は向上する。
しかし、電極103a,103bは、一般的に金(Au)または銀(Ag)で形成されるが、金は青色領域で反射率が低いという特性を有しており、銀は硫化しやすく、硫化すると黒ずむことにより反射率が急激に低下する。そのため、この発光装置では、電極103a,103bの表面に入射した光を多く吸収するため、高い発光効率を得ることが困難である。
特許文献1には、電極の表面で光を吸収することによる発光効率の低下が抑制された発光装置が記載されている。この発光装置は、表面に白色樹脂が塗布された電極が形成された基板に発光素子が実装されており、発光素子と電極とがワイヤによって電気的に接続されている。電極とワイヤとを接続することができるように、電極とワイヤとが接続された接続部の近傍には白色樹脂が配置されていない。この発光装置では、電極の表面よりも高い反射率を有する白色樹脂を電極の表面に塗布することによって、基板上で吸収する光の量を低減させることができるため、発光効率の低下が抑制できる。
特開2007−324205号公報
しかし、特許文献1に記載された発光装置では、電極とワイヤとが接続された接続部の近傍には白色樹脂が配置されていない。したがって、この発光装置では、白色樹脂が配置されていない、電極とワイヤとが接続された接続部の近傍に入射した光を多く吸収することにより、発光効率が低下する。
そこで、本発明は、発光効率の高い発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の発光装置は、表面に電極が形成された基板と、該基板の表面側に実装された発光素子と、該発光素子と前記電極とを電気的に接続しているワイヤと、前記電極の表面に形成された反射部と、を有する発光装置において、前記反射部が前記ワイヤと前記電極との接続部を覆っていることを特徴とする。
本発明によれば、発光効率の高い発光装置およびその製造方法を提供することができる。
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
まず、図1を参照して本発明の第1の実施形態に係る発光装置について説明する。図1(a)は本実施形態に係る発光装置の上面図であり、図1(b)はその発光装置の側断面図である。
(第1の実施形態)
まず、図1を参照して本発明の第1の実施形態に係る発光装置について説明する。図1(a)は本実施形態に係る発光装置の上面図であり、図1(b)はその発光装置の側断面図である。
本実施形態に係る発光装置は、電極3a,3bが表面に形成された基板2と、電極3aの表面に実装された発光素子1と、を有している。発光素子1と電極3bとは金で形成されたワイヤ4によってワイヤボンディング接続されている。この発光装置の、基板2の表面側は、透明な封止部5で覆われている。封止部5は、たとえば、蛍光体が分散された樹脂材料やガラス材料などの透明な材料で形成されている。
電極3a,3bの表面には、電極3a,3bの表面より高い反射率を有する反射部11a,11bがそれぞれ設けられている。反射部11a,11bは樹脂材料で形成されている。反射部11a,11bを形成する反射部形成工程は、電極3aの表面に発光素子1を実装する実装工程を行い、発光素子1と電極3bとをワイヤ4によってワイヤボンディング接続する接続工程を行った後に行う。
反射部形成工程では、ディスペンサで樹脂材料を電極3a,3bの表面に吐出することによって反射部11a,11bを形成する。樹脂材料は、電極3a,3bの表面に吐出された後に電極3a,3bの表面全体に自然に広がるように粘性が調整されている。
また、反射部11a,11bの反射率を向上させるため、反射部11a,11bを形成する樹脂材料としては白色のものが用いられる。白色の樹脂材料としては、たとえば、白色の粉末をエポキシ樹脂に分散させたものを用いることができる。白色の粉末としては、たとえば、二酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ホウ素(BN)、硫酸バリウム(BaSO4)、酸化亜鉛(ZnO)などの粉末を用いることができる。
発光素子1は、LED素子であり、電極3aと電極3bとの間に電圧が印加されて通電されると光を発する。封止部5に分散された蛍光体は、発光素子1が発した光に衝突されて励起されると、発光素子1が発した光とは異なる波長の光を発する。
励起された蛍光体は、周囲に等方的に光を発するため、蛍光体が発した光の一部は基板2や反射部11a,11bなどの表面に入射する。また、封止部5の内部から外部へ向かう、発光素子1や蛍光体が発した光の一部は、封止部5と外部空間との界面で全反射されて基板2側へ戻ってくるため、基板2や反射部11a,11bなどの表面に入射する。
図3に示した一般的な発光装置において電極の表面に入射する光は、本実施形態に係る発光装置においては電極の表面よりも高い反射率を有する反射部11a,11bの表面に入射する。また、特許文献1に記載された発光装置では、電極とワイヤとが接続された接続部の近傍に白色樹脂が配置されていないことにより発光効率が低下するが、本実施形態に係る発光装置では、接続工程で電極3bにワイヤ4を接続した後に、反射部形成工程で反射部11bを形成するため、電極3bとワイヤ4との接続部にも隙間なく反射部11bを配置することができる。
以上述べたように、本実施形態に係る発光装置では、基板上で吸収する光の量を低減させることができるため、発光効率が向上する。
なお、本実施形態に係る発光装置では封止部5に蛍光体が分散されているが、封止部に蛍光体が分散されていなくても、封止部の内部から外部へ向かう光の一部は、封止部と外部空間との界面で全反射されて基板側へ戻ってくる。そのため、この場合にも、基板上で吸収する量を低減させることができるため、発光効率が向上する。
また、本実施形態に係る発光装置のように、蛍光体が封止部に分散されている構成以外でも、たとえば、膜状の蛍光体が封止部の表面や内部に配置されている構成でもよい。
(第2の実施形態)
次に、図2を参照して本発明の第2の実施形態に係る発光装置について説明する。図2(a)は本実施形態に係る発光装置の上面図であり、図2(b)はその発光装置の側断面図である。なお、本実施形態に係る発光装置は、以下に示す構成以外は第1の実施形態に係る発光装置と同様に構成されており、共通している部分について同一の符号を付している。
(第2の実施形態)
次に、図2を参照して本発明の第2の実施形態に係る発光装置について説明する。図2(a)は本実施形態に係る発光装置の上面図であり、図2(b)はその発光装置の側断面図である。なお、本実施形態に係る発光装置は、以下に示す構成以外は第1の実施形態に係る発光装置と同様に構成されており、共通している部分について同一の符号を付している。
本実施形態に係る発光装置では、電極3a,3bの表面だけでなく、基板2の表面の、電極3a,3bが形成されていない領域にも反射部12が形成されている。反射部12を形成する反射部形成工程は、電極3aの表面に発光素子1を実装する実装工程を行い、発光素子1と電極3bとをワイヤ4によってワイヤボンディング接続する接続工程を行った後に行う。反射部形成工程では、スピンコート方式で白色の樹脂材料を基板2上に塗布することによって反射部12を形成する。
また、反射部12を形成する樹脂材料としては、電極3aと電極3bとが反射部によって電気的に接続されることがないように、絶縁性を有するものが用いられる。反射部12は、たとえば、エポキシ樹脂に、絶縁体である酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素などの粉末を分散させた樹脂材料で形成される。
本実施形態に係る発光装置では、電極3a,3bの表面だけでなく、基板2の表面の、電極3a,3bが形成されていない領域にも反射部12が配置されているため、基板2の表面の反射率が低い場合にも高い発光効率を得ることができる。また、基板2の上に一括して樹脂材料を塗布して反射部12を形成することにより、反射部形成工程を短時間で行うことが可能であるため、製造コストを低減させることができる。
1 発光素子
2 基板
3a,3b 電極
4 ワイヤ
5 封止部
11a,11b 反射部
2 基板
3a,3b 電極
4 ワイヤ
5 封止部
11a,11b 反射部
Claims (13)
- 表面に電極が形成された基板と、該基板の表面側に実装された発光素子と、該発光素子と前記電極とを電気的に接続しているワイヤと、前記電極の表面に形成された反射部と、を有する発光装置において、
前記反射部が前記ワイヤと前記電極との接続部を覆っていることを特徴とする発光装置。 - 前記反射部は白色の樹脂材料で形成されている、請求項1に記載の発光装置。
- 前記樹脂材料には白色の粉末が分散されている、請求項2に記載の発光装置。
- 前記反射部は絶縁性を有しており、前記反射部が前記基板および前記電極の表面を覆っている、請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記基板の表面側が透明な封止部で覆われている、請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記封止部は蛍光体を含んでいる、請求項5に記載の発光装置。
- 前記発光素子は発光ダイオード素子である、請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 電極が形成された基板に発光素子を実装する実装工程と、前記発光素子と前記電極とをワイヤで電気的に接続する接続工程と、を有する発光装置の製造方法において、
少なくとも前記電極の表面に反射部を形成する反射部形成工程をさらに有し、前記反射部形成工程は、前記実装工程および前記接続工程より後に行うことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記反射部形成工程は、白色の樹脂材料を塗布することを含んでいる、請求項8に記載の発光装置の製造方法。
- 前記樹脂材料には白色の粉末が分散されている、請求項9に記載の発光装置の製造方法。
- 前記反射部形成工程は、前記樹脂材料をディスペンサによって前記電極の表面に吐出することを含んでいる、請求項9または10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記樹脂材料は絶縁性を有しており、前記反射部形成工程は、前記樹脂材料をスピンコート方式で前記基板の上に塗布することを含んでいる、請求項9または10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子は発光ダイオード素子である、請求項8から12のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008119607A JP2009272369A (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 発光装置およびその製造方法 |
US12/385,449 US20090273000A1 (en) | 2008-05-01 | 2009-04-08 | Light emitting device and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008119607A JP2009272369A (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009272369A true JP2009272369A (ja) | 2009-11-19 |
Family
ID=41256529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008119607A Pending JP2009272369A (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090273000A1 (ja) |
JP (1) | JP2009272369A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE102010025319B4 (de) | 2010-06-28 | 2022-05-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente |
WO2012002580A1 (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | シチズンホールディングス株式会社 | Led光源装置及びその製造方法 |
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-
2008
- 2008-05-01 JP JP2008119607A patent/JP2009272369A/ja active Pending
-
2009
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090273000A1 (en) | 2009-11-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120911 |