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KR970017694A - 반도체 메모리장치의 고속테스트회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 고속테스트회로 Download PDF

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Publication number
KR970017694A
KR970017694A KR1019950033221A KR19950033221A KR970017694A KR 970017694 A KR970017694 A KR 970017694A KR 1019950033221 A KR1019950033221 A KR 1019950033221A KR 19950033221 A KR19950033221 A KR 19950033221A KR 970017694 A KR970017694 A KR 970017694A
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KR
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memory device
semiconductor memory
data line
sense amplifier
output sense
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Inventor
유제환
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 반도체 메모리장치에 관한 것으로 특히, 고속으로 메모리 셀의 불량을 테스트하는 반도체 메모리 장치의 테스트회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
기존의 테스트방식에 발견되는 저속의 테스트동작과 집적화를 저해하는 요인들 및 전력소비를 줄이는 것이 본 발명의 과제이다.
3. 발명의 해결방법의 요지
메모리셀 어레이로부터 데이타를 출력하기 위한 다수의 데이타라인과, 상기 데이타라인을 순차적으로 선택하기 위한 스위칭수단과, 상기 선택된 데이타라인에 연결된 출력 센스앰프와, 상기 출력 센스앰프의 출력을 소정갯수단위로 비교하는 비교기를 구비하는 반도체 메모리장치의 테스트방법에 있어서, 일정주기의 내부신호를 입력하여 상기 데이타리인의 선택하는 데이타라인 선택수단과, 상기 출력 센스앰프의 입력이 상기 데이타라인 선택수단의 순차적인 동작에 의해 변화함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 테스트방범을 구현하므로써 상기의 과제를 해결하게 된다.
4. 발명의 중요한 용도
고집적, 저전력소비 및 고속의 테스트기능을 수행하는 반도체 메모리장치.

Description

반도체 메모리장치의 고속테스트회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 고속테스트과정을 위한 반도체 메모리장치의 데이타 출력패스를 보여주는 도면,
제5도는 제4도를 자성하는 스위칭회로의 회로도,
제6도는 제4도를 구성하는 글로벌라인 제어회로의 회로도,
제9도는 제4도에 따른 동작타이밍도.

Claims (4)

  1. 메모리셀 어레이로부터 데이타를 출력하기 위한 다수의 데이타라인과, 상기 데이타라인을 순차적으로 선택하기 위한 스위칭수단과, 상기 선택된 데이타라인에 연결된 출력 센스앰프와, 상기 출력 센스앰프의 출력을 소정갯수단위로 비교하는 비교기를 구비하는 반도체 메모리장치의 테스트방법에 있어서, 일정주기의 내부신호를 입력하여 상기 데이타라인의 선택하는 데이타라인 선택수단과, 상기 출력 센스앰프의 입력이 상기 데이타라인 선택수단의 순차적인 동작에 의해 변화함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 테스트방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭수단이 내부출력신호에 응답하여 발생되는 순차적인 내부신호가 시프터 레지스터에 의해 발생됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 테스트방법.
  3. 메모리셀 어레이로부터 데이타를 출력하기 위한 다수개의 데이타라인과 상기 데이타라인을 순차적으로 선택하기 위한 스위칭수단과, 선택된 데이타라인에 접속된 출력 센스앰프와, 상기 출력 센스앰프의 출력을 비교하는 비교기를 구비하는 반도체 메모리장치의 테스트방법에 있어서, 상기 출력 센스앰프의 일정갯수의 순차적인 출력을 비교하여 그중 하나라도 다른 상태의 데이타가 입력될때 제1논리를 출력하고, 상기 출력 센스앰프의 일정갯수의 순차적인 출력을 비교하여 모두 같으면 제2논리를 출력함을 특징으로 하는 비교기를 구비하는 반도체 메모리장치의 테스트방법.
  4. 제3항에 있어서 상기 제1 및 제2논리가 논리 '로우'및 논리 '하이'임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 테스트방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950033221A 1995-09-30 1995-09-30 반도체 메모리장치의 고속테스트 방법 KR100197554B1 (ko)

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