JPH03200255A

JPH03200255A - ポジ型レジスト組成物

Info

Publication number: JPH03200255A
Application number: JP34219689A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Oie; 尾家　正行; Masaji Kawada; 正司河田; Takamasa Yamada; 山田　隆正
Original assignee: Nippon Zeon Co Ltd
Current assignee: Zeon Corp
Priority date: 1989-12-28
Filing date: 1989-12-28
Publication date: 1991-09-02
Anticipated expiration: 2011-12-25
Also published as: JP2566172B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、築禎回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。

（従来の技術）半導体を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。

従来、半導体素子を形成するためのレジスト組成物とし
ては、環化ポリイソプレンとビスアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。

しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているために半導体の高集積化に
十分対応できると考えられている。

現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。

しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの緒特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。特に、感度は半導体の生産性を向上させ
るために重要であり、ポジ型レジスト組成物の高感度化
が強く望まれている。この目的のために、ポジ型レジス
ト組成物の基材成分であるノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物に加えて、種々の化合物が添加されている。

このように高感度化のために添加される化合物すなわち
増感剤の例としては、ハロゲン化ベンゾトリアゾール誘
導体のような窒素複素環式化合物（特開昭５８−３７６
４１）や環状酸無水物（特公昭５６３０８５０）が挙げ
られている。

しかしながら、これらの増感剤の添加では露光部と未露
光部の溶解性の差がなくなり、この結果として残膜率が
低下し解像度が劣化したり、増感剤によるノボラック樹
脂の可塑化効果のために耐熱性が低下するなどの問題が
生じる。

（発明が解決しようとする目的）本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度３残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性優れ
た、特に１μｍ以下の微細加工に適した高感度ポジ型レ
ジスト組成物を提供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂、
キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤、および一
般式（１）及び／又は一般式（［１）で示される化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物によ
って達成される。

Ｒ１〜Ｒ５，水素、ハロゲン、Ｃ，〜Ｃ４のアルキル基
、アルケニル基、アルコキシ基又は水酸基、ただし少な
（ともひとつはＲ６、ハロゲン、アルキル基又はアルケニル基Ｒ７Ｒ’
；水素、アルキル基、アルケニル基又はフェニル基ｎ＝ｏ、１又は２叶Ｒ’　−Ｒ５；水素、ハロゲン、０１〜Ｃ４のアルキル
基、アルケニル基、アルコキシ基又は水酸基、ただし少
なくともひとつは７Ｒ’、Ｒ’、ハロゲン、アルキル基又はアルケニル基ｎ＝ｏ、１又は２本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加
反応生成物などが挙げられる。。

ここで、用いるフェノール類の具体例としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
プロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェ
ノール、などの−価のフェノール類、レヅルシノール、
ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールＡ１
ビロガワールなどの多価のフェノール類などが挙げられ
る。

ここで、用いるアルデヒド類の具体例としてはホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ヘンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。

ここで、用いるケトン類の具体例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ンなどが挙げられる。

これらの縮合反応はバルク重合・溶液重合などの常法に
従って行うことができる。

また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な成分の具体
例としては、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、
スチレン誘導体、無水マレイン酸、マレイン酸イミド誘
導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。

マタ、イソプロペニルフェノール系重合体ハ、イソプロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリルなどが挙げられる。

これらのフェノール樹脂の水素添加反応は任意の公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均−系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成で
きる。

これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は、再分別など
により分子量分布をコントロールしたものを用いること
も可能である。また、これらのフェノール樹脂は単独で
も用いられるが、２種類以上を混合して用いても良い。

本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジンシェラツクなどを添加することができる。

添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂１００重
量部に対して０〜５０重量部、好ましくは５〜２０重量
部である。

本発明において用いられる感光剤は、キノンジアジドス
ルホン酸エステルであれば、特に限定されるものではな
い。その具体例としては、エステル部分が１．２−ベン
ゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、
２．１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２．１−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、その他キノンジアジド誘導体のスルホン酸エス
テルなども化合物が挙げられる。

本発明における感光剤は、キノンジアジドスルホン酸化
合物のエステル化反応によって合成することが可能であ
って、永松元太部、乾英夫著［感光性高分子Ｊ　　（１
９８０）講談社（東京）などに記載されている常法に従
って、合成することができる。

本発明における感光剤は単独で“も用いられるが、２種
以上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記
樹脂１００重量部に対して１−１００重量部であり、好
ましくは３〜４０重量部である。

１重量部未満では、パターンの形成が不可能となり、１
００重量部を越えると、残像残りが発生しやすくなる。

本発明において用いられる増悪剤は、一般式（１）及び
／又は一般式（ＩＩ）で示される化合物であれば、特に
限定されるものではない。

一般式（１）で示される化合物の具体例としては、以下
のものが挙げられる。

（２４）一般式（ＩＩ＞で示される化合物の具体例として（３９）は、以下のものが挙げられる。

（４０）０■ ｔｔＩ（４８）（４９）（４１）（４２）しｌｈ（５９）（６０）（５５）（５６）（５７）（５８）Ｕｌ＋ υ１１本発明における増感剤は単独でも用いられるが、２種以
上を混合して用いても良い。増悪剤の配合量は、上記樹
脂１００重量部に対して１００重量部以下であり、好ま
しくは２〜５０重量部である。

添加剤量が１００重量部を越えると残膜率の低下が激し
くなり、パターン形成が難しくなる。

本発明のポジ型レジスト組成物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトンＬ　
ｎ−プロピルアルコール、１ｓｏ−プロピルアルコール
、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのア
ルコール類、エチレンゲルコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコー
ルエーテル類、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プ
ロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテ
ートなどのセロソルブエステル類、プロピレングリコー
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレング
リコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレ
ンゲルコールジメチルエーテル、ジエチレングリコール
ジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチル
エーテルなどのジエチレングリコール類、トリクロロエ
チレンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極
性溶媒などが挙げられる。これらは、単独でも２種類以
上を混合して用いてもよい。

本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて界面
活性剤、保存安定剤、増感剤、ス）　ＩＪエニーョン防
止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの相溶性のある
添加剤を含有させることができる。

本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、アル
カリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなど
の無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンなど
の第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミンな
どの第三アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩
などが挙げられる。

更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。

（実施例）以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。

此教貰土ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４：６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
重量部、２．３．４．４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの７５％が１．２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸エステルであるキノンジアジド化合物２８重
量部をエチルセロソルブアセテート３５０重量部に溶解
して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト
溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベークし、厚さ】、１
７８ｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｅ　　（−コン社製、Ｎ
Ａ＝０．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行っ
た。次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３°Ｃ，１分間。

パドル法により現像してポジ型パターンを得た。

感度を評価すると１２０ｍＪ／ｃｄであり、パターンの
膜厚を、膜厚計アルファステップ２００　（テンコー社
製）で測定すると１．１２μ肩であった。

叉隻±上比較例１のレジスト溶液に樹脂１００重量部に対して１
０重量部の比率で（４）式の増感剤を添加、溶解して０
．１μ−のテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を
調製した。

このレジスト溶液を比較例１と同じ方法で処理しポジ型
パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると８０ｍＪ／ｃ４であり、電子顕微鏡で観察したと
ころ、０．４５μ印のライン＆スペースが解像していた
。パターンの膜厚を、膜厚計アルファーステップ２００
で測定すると１．１３μｍであった。比較例１のレジス
トに比べ感度が向上していることが分かった。

さらに、このパターンの形成されたウェハーをドライエ
ツチング装置ＯＥＭ−４５１Ｔ（日型アネルバ社製）を
用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ、ガスＣ
Ｆ、／Ｈ＝３／１．周波数１３．５６ＭＨｚでエツチン
グしたところ、パターンのなかったところのみエツチン
グされていることが観察された。

実施１実施例１のレジスト溶液をシリコンウェハー上にコータ
ーで塗布した後、９０°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１
．１７μ−のレジスト膜を形成した。

このウェハーをｇ線ステッパーＮＳＲ−１５０５Ｇ６Ｂ
とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次にこのウ
ェハーを１１０”Ｃで６０秒間ＦＥＢ（ＰＯ５ＴＥＸＰ
Ｏ５ＵＲＥ　ＢＡＫＩＮＧ）　した後、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ，
１分間、パドル法により現像してポジ型パターンをえた
。

パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると７０ｍＪ／ｃｆｆｌであり、電子顕微鏡で観察し
たところ、０．４０μｍのライン＆スペースが解像して
いた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ２０
０で測定すると１．１４μ鋼であった。

〜７　六ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３．５−キシレノー
ルとをモル比で５０　：　２０　：　３０の割合で混合
し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常
法により縮合してえたノボラック樹脂１００重量部、　
　２，３，４．４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
の９５％が１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８重量部
９表１に示す増感剤５重量部を乳酸エチル３６０重量部
に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレ
ジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、９０″Ｃで９０秒間ベークし、厚さ１．１７
μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ステ
ッパーＮＳＲ−１５０５Ｇ６Ｅとテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次に、ウニノー−を１１０°Ｃで６
０秒間ＰＥＢした後、２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ，１分間、パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウニノ１−を取り出して評価した
結果を表１に示す。

表１〃４　　　（８）　　　　　１００　　　　　１．１３
〃５　　　（１９）　　　　　９０　　　　　１．１１
〃６　　　（４Ｂ）　　　　１１０　　　　　１．１４
〃７　　　（４９）　　　　　９０　　　　　１．１１
比較例２　　なし　　１６０１．１３０．４５０．４００．４００．４０ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で８＝２の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
重量部をエチルセロソルブアセテート４００重量部に溶
解し、これを３０００重量部のトルエン中に滴下し樹脂
を析出させた。析出させた樹脂を濾別した後、６０°Ｃ
で３０時間真空乾燥させた。真空乾燥した樹脂１００重
量部。

２．３，４．４’　−テトラヒドロキシベンゾフェノン
の９５％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８重量部
、（７）式に示す増悪剤１０重量部を乳酸エチル３８０
重量部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで炉
遇しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、９０°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１７
μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ステ
ッパーＮＳＲ−１５０５Ｇ６Ｂとテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次にこのウェハーを１１０°Ｃで６
０秒間ＰＥＢした後、２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、パドル法に
より現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると９０ｍＪ／ｃ＋１であり、電子顕微鏡で観察した
ところ、０．４５μｍのライン＆スペースが解像してい
た。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ２００
で測定すると１．１２μｍであった。

実１ｔｉＪ津１ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で７：３の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
重量部、トリスフェノールＰＡ（三片石油化学製）の９
０％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物３５重量部、（
１３）式に示す増悪剤７重量部をエチルセロソルブアセ
テート３５０重量部に溶解して０．１μｍのテフロンフ
ィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーク−で塗
布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１７
μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ線ステ
ッパーＮ５Ｒ−１５０５ｉ６＾　にコン社製、ＮＡ＝０
．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
にこのウェハーを１１０″Ｃで６０秒間ＰＥＢした後、
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で２３’Ｃ，１分間。

パドル法により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると１４０ｍＪ／ｃ艷であり、電子顕微鏡で観察した
ところ、０．４０μｍのライン＆スペースが解像してい
た。パターンの膜厚、膜厚計アルファステップ２００で
測定すると１．１５μ−であった。

尖施拠土立ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比５：５
）１００重量部、トリスフェノールＰＡ（三片石油化学
製）の９０％が１．２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物３６重
量部、（４５）式に示す増悪剤５重量部をジグライム３
２０重量部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルター
で濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ線ス
テッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６＾とテスト用レクチルを
用いて露光を行った。次にこのウェハーを１１０℃で６
０秒間ＰＥＢした後、２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ，１分間、パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると９０ｍＪ／ｃｄであり、電子顕微鏡で観察したと
ころ、０．５０μ輪のライン＆スペースが解像していた
。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ２００で
測定すると１．１２μｍであった。

裏施■上土ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で５：５の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
重量部、　　２．３，４．４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの９５％が１．２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物
１４重量部、トリスフェノールＰＡ（三片石油化学製）
の９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸のエスチルであるキノンジアジド化合物１８重量部
、（５６）式に示す増悪剤１０重量部を乳酸エチル３８
０重量部に溶解して０．１μｍめテフロンフィルターで
濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベークし、厚さ１．１
７μｍのレジスｊ・膜を形成した。このウェハーをｉ線
ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａとテスト用レチクル
を用いて露光を行った。次にこのウェハーを１１０°Ｃ
で６０秒間ＰＥＢした後、２．３８％テトラメチルアン
モニムヒドロキシド水ｉ８Ｎで２３°Ｃ，１分間、パド
ル法により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると１２０ｍＪ／ｃｆｆｌであり、電子顕微鏡でｖｌ
察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
２００で測定すると１．１４μｍであった。

（発明の効果）本発明のポジ型レジスト組成物は、感度、解像度、残膜
率、耐熱性、保存安定性などが優れているので、特に１
μｍ以下の微細加工用として有用性が高い。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）アルカリ可溶性フェノール樹脂、キノンジアジド
スルホン酸エステル系感光剤、および一般式（ I ）及
び／又は一般式（II）で示される化合物を含有すること
を特徴とするポジ型レジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）Ｒ＾１〜Ｒ＾３；水素、ハロゲン、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のア
ルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は水酸基、た
だし少なくともひとつは ▲数式、化学式、表等があります▼ Ａ；−Ｓ−、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります
▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
▼ Ｒ＾６；ハロゲン、アルキル基又はアルケニル基Ｒ＾７
、Ｒ＾８；水素、アルキル基、アルケニル基又はフェニ
ル基ｎ＝０、１又は２ ▲数式、化学式、表等があります▼（II）Ｒ＾１〜Ｒ＾５；水素、ハロゲン、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のア
ルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は水酸基、た
だし少なくともひとつは ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ＾６、Ｒ＾７；ハロゲン、アルキル基又はアルケニル
基ｎ＝０、１又は２