JP2626479B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型レジスト組成物
に関し、さらに詳しくは、半導体素子、磁気バブルメモ
リ−素子、集積回路などの製造に必要な微細加工用ポジ
型レジスト組成物に関するものである。
に関し、さらに詳しくは、半導体素子、磁気バブルメモ
リ−素子、集積回路などの製造に必要な微細加工用ポジ
型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体を製造する場合、シリコンウエハ
表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射して
潜像を形成し、次いで、それを現像してネガまたはポジ
の画像を形成するリソグラフィー技術によって、半導体
素子の形成が行われている。従来、半導体素子を形成す
るためのレジスト組成物としては、環化ポリイソプレン
とビスアジド化合物からなるネガ型レジストが知られて
いる。しかしながら、このネガ型レジストは、有機溶剤
で現像するので、膨潤が大きく解像性に限界があるた
め、高集積度の半導体の製造に対応できない欠点を有す
る。一方、このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型
レジスト組成物は、解像性に優れているために半導体の
高集積化に十分対応できると考えられている。
表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射して
潜像を形成し、次いで、それを現像してネガまたはポジ
の画像を形成するリソグラフィー技術によって、半導体
素子の形成が行われている。従来、半導体素子を形成す
るためのレジスト組成物としては、環化ポリイソプレン
とビスアジド化合物からなるネガ型レジストが知られて
いる。しかしながら、このネガ型レジストは、有機溶剤
で現像するので、膨潤が大きく解像性に限界があるた
め、高集積度の半導体の製造に対応できない欠点を有す
る。一方、このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型
レジスト組成物は、解像性に優れているために半導体の
高集積化に十分対応できると考えられている。
【０００３】現在、この分野で一般的に用いられている
ポジ型レジスト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物からなるものである。しかしながら、従来の
ポジ型レジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、耐熱
性、保存安定性などの諸特性は必ずしも満足な結果は得
られておらず、性能の向上が強く望まれている。特に、
感度は、半導体の生産性を向上させるために重要であ
り、ポジ型レジスト組成物の高感度化が強く望まれてい
る。この目的のために、ポジ型レジスト組成物の基材成
分であるノボラック樹脂とキノンジアジド化合物に加え
て、種々の化合物が添加されている。このように高感度
化のために添加される化合物すなわち増感剤の例として
は、ハロゲン化ベンゾトリアゾール誘導体のような窒素
複素環式化合物（特開昭５８−３７６４１号公報）や環
状酸無水物（特公昭５６−３０８５０号公報）が挙げら
れる。しかしながら、これらの増感剤の添加では、露光
部と未露光部の溶解性の差がなくなり、この結果とし
て、残膜率が低下し、解像度が劣化したり、増感剤によ
るノボラック樹脂の可塑化効果のために耐熱性が低下す
るなどの問題が生じる。
ポジ型レジスト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物からなるものである。しかしながら、従来の
ポジ型レジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、耐熱
性、保存安定性などの諸特性は必ずしも満足な結果は得
られておらず、性能の向上が強く望まれている。特に、
感度は、半導体の生産性を向上させるために重要であ
り、ポジ型レジスト組成物の高感度化が強く望まれてい
る。この目的のために、ポジ型レジスト組成物の基材成
分であるノボラック樹脂とキノンジアジド化合物に加え
て、種々の化合物が添加されている。このように高感度
化のために添加される化合物すなわち増感剤の例として
は、ハロゲン化ベンゾトリアゾール誘導体のような窒素
複素環式化合物（特開昭５８−３７６４１号公報）や環
状酸無水物（特公昭５６−３０８５０号公報）が挙げら
れる。しかしながら、これらの増感剤の添加では、露光
部と未露光部の溶解性の差がなくなり、この結果とし
て、残膜率が低下し、解像度が劣化したり、増感剤によ
るノボラック樹脂の可塑化効果のために耐熱性が低下す
るなどの問題が生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の欠点を解決し、感度、解像度、残膜率、耐熱
性、保存安定性などの諸特性に優れた、特に、１μｍ以
下の微細加工に適した高感度ポジ型レジスト組成物を提
供することにある。本発明のこの目的は、アルカリ可溶
性フェノール樹脂とキノンジアジドスルホン酸エステル
系感光剤とを含むポジ型レジスト組成物に、特定のフェ
ノール化合物を含有せしめることによって達成される。
従来技術の欠点を解決し、感度、解像度、残膜率、耐熱
性、保存安定性などの諸特性に優れた、特に、１μｍ以
下の微細加工に適した高感度ポジ型レジスト組成物を提
供することにある。本発明のこの目的は、アルカリ可溶
性フェノール樹脂とキノンジアジドスルホン酸エステル
系感光剤とを含むポジ型レジスト組成物に、特定のフェ
ノール化合物を含有せしめることによって達成される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、（Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、（Ｂ）下記
式（Ｉ）で表される化合物のキノンジアジドスルホン酸
エステル系感光剤、
ば、（Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、（Ｂ）下記
式（Ｉ）で表される化合物のキノンジアジドスルホン酸
エステル系感光剤、
【０００６】
【化３】 および下記一般式（ＩＩ）で示される化合物
【０００７】
【化４】 （Ｒ1〜Ｒ7は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数２〜３のアルケニル基、
または炭素数１〜３の置換もしくは未置換のアルコキシ
基であって、それぞれ同一または異なっていてもよい。
Ｒ8は、水素原子またはアルキル基である。）を含有す
ることを特徴とするポジ型レジスト組成物が提供され
る。以下、本発明について詳述する。
数１〜３のアルキル基、炭素数２〜３のアルケニル基、
または炭素数１〜３の置換もしくは未置換のアルコキシ
基であって、それぞれ同一または異なっていてもよい。
Ｒ8は、水素原子またはアルキル基である。）を含有す
ることを特徴とするポジ型レジスト組成物が提供され
る。以下、本発明について詳述する。
【０００８】アルカリ可溶性フェノール樹脂 本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加
反応生成物などが挙げられる。
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加
反応生成物などが挙げられる。
【０００９】ここで用いるフェノール類の具体例として
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類；レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールＡ、ピロガロールなどの多価のフェノール類；など
が挙げられる。
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類；レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールＡ、ピロガロールなどの多価のフェノール類；など
が挙げられる。
【００１０】ここで用いるアルデヒド類の具体例として
は、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアル
デヒド、テレフタルアルデヒドなどが挙げられる。ここ
で用いるケトン類の具体例としては、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなど
が挙げられる。これらの縮合反応は、バルク重合、溶液
重合などの常法にしたがって行うことができる。
は、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアル
デヒド、テレフタルアルデヒドなどが挙げられる。ここ
で用いるケトン類の具体例としては、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなど
が挙げられる。これらの縮合反応は、バルク重合、溶液
重合などの常法にしたがって行うことができる。
【００１１】ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェ
ノールの単独重合体およびビニルフェノールと共重合可
能な成分との共重合体から選択される。共重合可能な成
分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、スチ
レン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニ
ル、アクリロニトリル、およびこれらの誘導体などが挙
げられる。
ノールの単独重合体およびビニルフェノールと共重合可
能な成分との共重合体から選択される。共重合可能な成
分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、スチ
レン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニ
ル、アクリロニトリル、およびこれらの誘導体などが挙
げられる。
【００１２】イソプロペニルフェノール系重合体は、イ
ソプロペニルフェノールの単独重合体、およびイソプロ
ペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体から
選択される。共重合可能な成分の具体例としては、アク
リル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マ
レイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル、およ
びこれらの誘導体などが挙げられる。
ソプロペニルフェノールの単独重合体、およびイソプロ
ペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体から
選択される。共重合可能な成分の具体例としては、アク
リル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マ
レイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル、およ
びこれらの誘導体などが挙げられる。
【００１３】これらのフェノール樹脂の水素添加反応
は、任意の公知の方法によって実施することが可能であ
って、フェノール樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系また
は不均一系の水素添加触媒の存在下、水素を導入するこ
とによって達成できる。これらのアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂は、再沈分別などにより分子量分布をコントロ
ールしたものを用いることも可能である。また、これら
のフェノール樹脂は、単独でも用いられるが、２種類以
上を混合して用いてもよい。
は、任意の公知の方法によって実施することが可能であ
って、フェノール樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系また
は不均一系の水素添加触媒の存在下、水素を導入するこ
とによって達成できる。これらのアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂は、再沈分別などにより分子量分布をコントロ
ールしたものを用いることも可能である。また、これら
のフェノール樹脂は、単独でも用いられるが、２種類以
上を混合して用いてもよい。
【００１４】本発明のポジ型レジスト組成物には、必要
に応じて、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善する
ために、例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸
または無水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マ
レイン酸との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニ
ルピロリドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加す
ることができる。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノ
ール樹脂１００重量部に対して０〜５０重量部、好まし
くは５〜２０重量部である。
に応じて、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善する
ために、例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸
または無水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マ
レイン酸との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニ
ルピロリドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加す
ることができる。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノ
ール樹脂１００重量部に対して０〜５０重量部、好まし
くは５〜２０重量部である。
【００１５】キノンジアジドスルホン酸エステル系感光
剤 本発明において用いられる感光剤は、前記式（Ｉ）で表
される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルであ
れば、特に限定されるものではない。その具体例とし
て、エステル部分が１，２−ベンゾキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、その他のキノ
ンジアジド誘導体のスルホン酸エステルなどである化合
物が挙げられる。
剤 本発明において用いられる感光剤は、前記式（Ｉ）で表
される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルであ
れば、特に限定されるものではない。その具体例とし
て、エステル部分が１，２−ベンゾキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、その他のキノ
ンジアジド誘導体のスルホン酸エステルなどである化合
物が挙げられる。
【００１６】キノンジアジドスルホン酸エステルは、一
般に、水酸基を有する化合物とキノンジアジドスルホン
酸化合物とのエステル化反応によって合成することがで
き〔永松元太郎、乾英夫著「感光性高分子」（１９８
０）講談社（東京）など〕、例えば、常法にしたがっ
て、キノンジアジドスルホン酸化合物をクロルスルホン
酸でスルホニルクロライドとし、これを前記式（Ｉ）で
表される化合物と縮合させる方法により得ることができ
る。
般に、水酸基を有する化合物とキノンジアジドスルホン
酸化合物とのエステル化反応によって合成することがで
き〔永松元太郎、乾英夫著「感光性高分子」（１９８
０）講談社（東京）など〕、例えば、常法にしたがっ
て、キノンジアジドスルホン酸化合物をクロルスルホン
酸でスルホニルクロライドとし、これを前記式（Ｉ）で
表される化合物と縮合させる方法により得ることができ
る。
【００１７】前記式（Ｉ）で表される化合物としては、
商品名トリスフェノールＰＡで市販されている化合物
（三井石油化学社製）を用いることができる。本発明に
おける感光剤は、単独でも用いられるが、２種以上を混
合して用いてもよい。前記式（Ｉ）で表される化合物以
外の水酸基含有化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを少量成分として併用してもよい。感光剤の配合量
は、アルカリ可溶性フェノール樹脂１００重量部に対し
て、通常１〜１００重量部であり、好ましくは３〜４０
重量部である。１重量部未満では、パターンの形成が不
可能となり、１００重量部を越えると、残像残りが発生
し易くなる。
商品名トリスフェノールＰＡで市販されている化合物
（三井石油化学社製）を用いることができる。本発明に
おける感光剤は、単独でも用いられるが、２種以上を混
合して用いてもよい。前記式（Ｉ）で表される化合物以
外の水酸基含有化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを少量成分として併用してもよい。感光剤の配合量
は、アルカリ可溶性フェノール樹脂１００重量部に対し
て、通常１〜１００重量部であり、好ましくは３〜４０
重量部である。１重量部未満では、パターンの形成が不
可能となり、１００重量部を越えると、残像残りが発生
し易くなる。
【００１８】増感剤 本発明において用いられる増感剤は、前記一般式（Ｉ
Ｉ）で示される化合物であれば、特に限定されるもので
はない。一般式（ＩＩ）で示される化合物の具体例とし
ては、以下のものが挙げられる。
Ｉ）で示される化合物であれば、特に限定されるもので
はない。一般式（ＩＩ）で示される化合物の具体例とし
ては、以下のものが挙げられる。
【００１９】
【化５】
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
【化８】
【００２３】
【化９】
【００２４】
【化１０】
【００２５】
【化１１】
【００２６】
【化１２】
【００２７】
【化１３】
【００２８】
【化１４】
【００２９】
【化１５】
【００３０】
【化１６】
【００３１】
【化１７】
【００３２】
【化１８】
【００３３】
【化１９】
【００３４】
【化２０】
【００３５】
【化２１】
【００３６】
【化２２】
【００３７】
【化２３】
【００３８】
【化２４】
【００３９】
【化２５】
【００４０】
【化２６】
【００４１】
【化２７】
【００４２】
【化２８】
【００４３】
【化２９】
【００４４】本発明における増感剤は、単独でも用いら
れるが、２種以上を混合して用いても良い。増感剤の配
合量は、アルカリ可溶性フェノール樹脂１００重量部に
対して、通常１〜１００重量部であり、好ましくは２〜
５０重量部である。この添加量が１００重量部を越える
と残膜率の低下が激しくなり、パターン形成が難しくな
る。
れるが、２種以上を混合して用いても良い。増感剤の配
合量は、アルカリ可溶性フェノール樹脂１００重量部に
対して、通常１〜１００重量部であり、好ましくは２〜
５０重量部である。この添加量が１００重量部を越える
と残膜率の低下が激しくなり、パターン形成が難しくな
る。
【００４５】その他の成分 本発明のポジ型レジスト組成物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケ
トン類；ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルア
ルコール、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール
などのアルコール類；エチレングリコールジメチルエー
テル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサ
ンなどのエーテル類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどの
アルコールエーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、酪酸メチル、酪酸メチル、酪酸エチル、
乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類；セロソルブ
アセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブ
チルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル
類；プロピレングリコール、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエー
テルなどのプロピレングリコール類；ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレング
リコール類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化
水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミドなどの極性溶媒；などが挙げられる。
これらは、単独でも２種類以上を混合して用いてもよ
い。本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて
界面活性剤、保存安定剤、その他の増感剤、ストリエー
ション防止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの相溶
性のある添加剤を含有させることができる。
るが、溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケ
トン類；ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルア
ルコール、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール
などのアルコール類；エチレングリコールジメチルエー
テル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサ
ンなどのエーテル類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどの
アルコールエーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、酪酸メチル、酪酸メチル、酪酸エチル、
乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類；セロソルブ
アセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブ
チルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル
類；プロピレングリコール、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエー
テルなどのプロピレングリコール類；ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレング
リコール類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化
水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミドなどの極性溶媒；などが挙げられる。
これらは、単独でも２種類以上を混合して用いてもよ
い。本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて
界面活性剤、保存安定剤、その他の増感剤、ストリエー
ション防止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの相溶
性のある添加剤を含有させることができる。
【００４６】現像液 本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、アル
カリ水溶液を用いるが、具体例としては、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニウ
ムなどの無機アルカリ類；エチルアミン、プロピルアミ
ンなどの第一アミン類；ジエチルアミン、ジプロピルア
ミンなどの第二アミン類；トリメチルアミン、トリエチ
ルアミンなどの第三アミン類；ジエチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類；
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
エチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニ
ウム塩；などが挙げられる。さらに、必要に応じて上記
アルカリ水溶性にメタノール、エタノール、プロパノー
ル、エチレングリコールなどの水溶性有機溶剤、界面活
性剤、保存安定剤、樹脂の溶解抑制剤などを適量添加す
ることができる。
カリ水溶液を用いるが、具体例としては、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニウ
ムなどの無機アルカリ類；エチルアミン、プロピルアミ
ンなどの第一アミン類；ジエチルアミン、ジプロピルア
ミンなどの第二アミン類；トリメチルアミン、トリエチ
ルアミンなどの第三アミン類；ジエチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類；
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
エチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニ
ウム塩；などが挙げられる。さらに、必要に応じて上記
アルカリ水溶性にメタノール、エタノール、プロパノー
ル、エチレングリコールなどの水溶性有機溶剤、界面活
性剤、保存安定剤、樹脂の溶解抑制剤などを適量添加す
ることができる。
【００４７】
【実施例】以下に、実施例を挙げて、本発明をさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００４８】実施例１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で７：３の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００
重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学社製）の
９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジドスルホン酸エステル
３５重量部、および（９） 式で示す化合物（増感剤）
７重量部をエチルセロソルブアセテート３５０重量部に
溶解し、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン（以
下、ＰＴＦＥと略記）フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００
重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学社製）の
９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジドスルホン酸エステル
３５重量部、および（９） 式で示す化合物（増感剤）
７重量部をエチルセロソルブアセテート３５０重量部に
溶解し、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン（以
下、ＰＴＦＥと略記）フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
【００４９】上記レジスト溶液をシリコンウエハ上にコ
ーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハを
ｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製、
ＮＡ＝０．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次に、このウエハを１１０℃で６０秒間後露光し
た後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で、２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンを得た。パターンの形成されたウエハを
取り出して、感度を評価すると１４０ｍＪ／ｃｍ2であ
り、電子顕微鏡で観察したところ、０．４０μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚
計アルファステップ２００（テンコー社製）で測定する
と１．１５μｍであった。
ーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハを
ｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製、
ＮＡ＝０．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次に、このウエハを１１０℃で６０秒間後露光し
た後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で、２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンを得た。パターンの形成されたウエハを
取り出して、感度を評価すると１４０ｍＪ／ｃｍ2であ
り、電子顕微鏡で観察したところ、０．４０μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚
計アルファステップ２００（テンコー社製）で測定する
と１．１５μｍであった。
【００５０】実施例２ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で５：５の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００
重量部、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの９５％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１４
重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学社製）の
９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジド化合物１８重量部、
および（１２）式で示す化合物（増感剤）１０重量部を
乳酸エチル３８０重量部に溶解し、次いで、０．１μｍ
のＰＴＦＥフィルターで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００
重量部、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの９５％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１４
重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学社製）の
９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジド化合物１８重量部、
および（１２）式で示す化合物（増感剤）１０重量部を
乳酸エチル３８０重量部に溶解し、次いで、０．１μｍ
のＰＴＦＥフィルターで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
【００５１】上記レジスト溶液をシリコンウエハ上にコ
ーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハを
ｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製、
ＮＡ＝０．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次に、このウエハを１１０℃で６０秒間後露光し
た後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で、２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンを得た。パターンの形成されたウエハを
取り出して、感度を評価すると１２０ｍＪ／ｃｍ2であ
り、電子顕微鏡で観察したところ、０．４０μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚
計アルファステップ２００で測定すると１．１４μｍで
あった。
ーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハを
ｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製、
ＮＡ＝０．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次に、このウエハを１１０℃で６０秒間後露光し
た後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で、２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンを得た。パターンの形成されたウエハを
取り出して、感度を評価すると１２０ｍＪ／ｃｍ2であ
り、電子顕微鏡で観察したところ、０．４０μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚
計アルファステップ２００で測定すると１．１４μｍで
あった。
【００５２】実施例３ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で５：５の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００
重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学社製）の
７５％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８重量部、
および（１２）式で示す化合物（増感剤）１０重量部を
乳酸エチル３８０重量部に溶解し、次いで、０．１μｍ
のＰＴＦＥフィルターで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００
重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学社製）の
７５％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８重量部、
および（１２）式で示す化合物（増感剤）１０重量部を
乳酸エチル３８０重量部に溶解し、次いで、０．１μｍ
のＰＴＦＥフィルターで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
【００５３】上記レジスト溶液をシリコンウエハ上にコ
ーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハを
ｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製、
ＮＡ＝０．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次に、このウエハを１１０℃で６０秒間後露光し
た後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で、２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンを得た。パターンの形成されたウエハを
取り出して、感度を評価すると１６０ｍＪ／ｃｍ2であ
り、電子顕微鏡で観察したところ、０．４０μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚
計アルファステップ２００で測定すると１．１６μｍで
あった。
ーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハを
ｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製、
ＮＡ＝０．４５）とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次に、このウエハを１１０℃で６０秒間後露光し
た後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で、２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンを得た。パターンの形成されたウエハを
取り出して、感度を評価すると１６０ｍＪ／ｃｍ2であ
り、電子顕微鏡で観察したところ、０．４０μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚
計アルファステップ２００で測定すると１．１６μｍで
あった。
【００５４】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、感
度、解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などが優れて
いるので、特に、１μｍ以下の微細加工用として有用性
が高い。
度、解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などが優れて
いるので、特に、１μｍ以下の微細加工用として有用性
が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 隆正 神奈川県川崎市川崎区夜光一丁目２番１ 号 日本ゼオン株式会社 研究開発セン ター内 (56)参考文献 特開 平１−189644（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−275955（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−48249（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−200252（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−27446（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、
（Ｂ）下記式（Ｉ）で表される化合物のキノンジアジド
スルホン酸エステル系感光剤、 【化１】 および下記一般式（ＩＩ）で示される化合物 【化２】 （Ｒ1〜Ｒ7は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数２〜３のアルケニル基、
または炭素数１〜３の置換もしくは未置換のアルコキシ
基であって、それぞれ同一または異なっていてもよい。
Ｒ8は、水素原子またはアルキル基である。）を含有す
ることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184415A JP2626479B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184415A JP2626479B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | ポジ型レジスト組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342195A Division JPH087435B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202319A JPH06202319A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2626479B2 true JP2626479B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=16152773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184415A Expired - Lifetime JP2626479B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626479B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000081700A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-03-21 | Nippon Zeon Co Ltd | パタ―ン形成方法 |
| US6214516B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-04-10 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photosensitive resin compositions |
| US6127086A (en) * | 1998-10-01 | 2000-10-03 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photosensitive resin compositions |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2552891B2 (ja) * | 1988-01-26 | 1996-11-13 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH063544B2 (ja) * | 1988-07-07 | 1994-01-12 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
| JPH087433B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1996-01-29 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH061377B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1994-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP3028648B2 (ja) * | 1991-07-17 | 2000-04-04 | ジェイエスアール株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5184415A patent/JP2626479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06202319A (ja) | 1994-07-22 |
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| JPH0325446A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| JPH0829978A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
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