JPH02296248A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。

（従来の技術） 半導体を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。

従来、半導体素子を形成するためのレジスト組成物とし
ては、環化ポリイソプレンとビスアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。

しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているために半導体の高集積化に
十分対応できると考えられている。

現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。

しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。

（発明が解決しようとする目的） 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性の優
れた、特に１μｍ以下の微細加工に適したポジ型レジス
ト組成物を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂と
感光剤を含有するポジ型レジスト組成物において、該感
光剤として下記−・船人（１）で示される化合物のキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを含有することを特徴と
するポジ型レジスト組成物によって達成される。

Ｒ１、Ｒ５、水素、ハロゲン、Ｃ０〜Ｃ４のアルキル基
、アルケニル基、アルコキシ基又は水酸基、ただし少な
くともひとつは Ｒ６、ハロゲン、アルキル基又はアルケニル基Ｒ７Ｒ８
，水素、アルキル基、アルケニル基又はフェニル基 ｎ＝０．１又は２ 本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらフェノール樹脂の水素添加反
応生成物などが挙げられる。

ここで、用いるフェノール類の具体例としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
プロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェ
ノール、などの−価のフェノール類、レゾルシノール、
ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールＡ１
　ピロガロールなどの多価のフェノール類などが挙げら
れる。

ここで、用いるアルデヒド類の具体例としては、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テ
レフタルアルデヒドなどが挙げられる。

ここで、用いるケトン類の具体例としては、アセトン、
メチルエチルケ１〜ン、ジエチルケトン、ジフェニルケ
トンなどが挙げられる。

これらの縮合反応は常法に従って行うことができる。

また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。

共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導体
、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン
酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロニ
トリルなどが挙げられる。

また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。

共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導体
、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン
酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロニ
トリルなどが挙げられる。

これらのフェノール樹脂の水素添加反応は任意の公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノ−モ
レ樹脂を有機溶剤に溶解し、均−系または不均一系の水
素添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成
できる。

これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は単独でも用い
られるが、２種類以上を混合して用いても良い。

本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジン、シェラツクなどを添加することができる
。

添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂１００重
量部に対して０〜５０重量部、好ましくは５〜２０重量
部である。

本発明において用いられる感光剤は、前記一般式（Ｉ）
で示される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
であれば、特に限定されるものではない。その具体例と
して、エステル部分が１．２ベンゾキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジア
ジド−５スルホン酸エステル、２．１−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、２．１−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル、その他キノンジ
アジド誘導体のスルホン酸エステルなどである化合物が
挙げられる。

一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、以下
のものが挙げられる。

ＣＩ（３ Ｈ ＣＩ。

Ｈ Ｈ３ ■ 本発明における感光剤は、一般式（Ｉ）で示される化合
物とキノンジアジドスルホン酸化合物のエステル化反応
によって合成することが可能であって、永松元太部、乾
英夫著［感光性高分子Ｊ（１９８０）講談社（東京）な
どに記載されている常法に従って、合成することができ
る。

本発明における感光剤は単独でも用いられるが、２種以
上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記樹
脂１００重量部に対して１〜１００重量部であり、好ま
しくは３〜４０重量部である。

１重量部未満では、パターンの形成が不可能となり、１
００重量部を越えると、残像残りが発生しやすくなる。

本発明のポジ型レジスト組成物は、溶剤に熔解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ールなどのケトン類、ｎプロピルアルコール、１ｓｏ−
プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのアル
コール類、エチレングリコールジメチルエーテル、エチ
レングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエ
ーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコール
エーテル類、ギ酸プロピル、キ酸フチル、酢酸プロピル
、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチ
ル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル
などのエステル類、セロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロ
ピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテー
トなどのセロソルブエステル類、プロピレングリコール
、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリ
コール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエ
−チルなどのジエチレングリコール類、トリクロロエチ
レンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン
などの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアミド、ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極性
溶媒などが挙げられる。

これらは、単独でも２種類以上を混合して用いてもよい
。

本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて界面
活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤
、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させることが
できる。

本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、アル
カリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなど
の無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンなど
の第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミンな
どの第三アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩
などが挙げられる。

更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。

（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例中の部及び％は特に断りのない限り重量
基準である。

実施孤土 ｍ−クレゾールとＰ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（１３）の−〇Ｈ基９０％以上がＬ２−ナフ
トキノンジアジド−５スルホン酸のエステルであるキノ
ンジアジド化合物３０部をエチルセロソルブアセテート
３２０部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで
濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ヘークし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５０６Ｅにコン社製、ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３°Ｃ２１分間、パドル法により現像してポジ
型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０゜４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００（テンコー社製）で測定すると１．１５μｍ
であった。

ざらに、このパターンの形成されたウェハーをドライエ
ツチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ　（日型アネルバ社製）
を用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ、ガス
ＣＦ４／Ｈ＝３／１．周波数１３．５６Ｍ１ｌｚでエツ
チングしたところ、パターンのなかったところのみエツ
チングされていることが観察された。

災胤拠Ｉ 実施例１のレジスト溶液をシリコンウェハー上にコータ
ーで塗布した後、８０°Ｃで９０秒間べ一りし、厚さ１
．２μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線
ステンパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｅとテスト用レチクル
を用いて露光を行った。

次にこのウェハーを１１０°Ｃで６０秒間ＰＥＢ（ＰＯ
３Ｔ　ＥＸＰＯ５ＵＲＥ　ＢＡＫＩＮＧ）　した後、２
．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で２３°Ｃ２１分間、パドル法により現像してポジ型パ
ターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．２０μｍであった。

尖旌尉ユ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３，５−ギシレノー
ルとをモル比で５０：２０：３０で混合し、これにホル
マリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合し
てえたノボラック樹脂１００部、化合物（１３）の−〇
Ｈ基８５％以上がＬ２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物３３部
を乳酸エチル３００部に溶解して０．１μｍのテフロン
フィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５０６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
’Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１６μｍであった。

尖旌尉土 ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４
）１００部、化合物（１３）の−〇Ｈ基８０％以上が１
，２−ナフトキノンジアジド−５スルホン酸のエステル
であるキノンジアジド化合物２８部をエチルセロソルブ
アセテート３２０部に溶解して０．１μｍのテフロンフ
ィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、ｌ　００　’Ｃで９０秒間ベークし、厚さ１
．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ
ｔａステッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ＝０．５
４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２
．３８％テトラメチルアンモニア ラムヒドロキシド水溶液で２３’Ｃ，１分間．パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１０μｍであった。

実施阻ｌ イソプロペニルフェノールとスチレンの共重合体（モル
比７：３）１００部、化合物（２６）の○Ｈ基９０％以
上が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸の
エステルであるキノンジアジド化合物２８部をエチルセ
ロソルブアセテート３１０部に溶解して０．１μｍのテ
フロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テンパーＮＳＲ−１５０５０６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
°Ｃ，　　１分間，パドル法により現像してポジ型パタ
ーンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１０μｍであった。

災旌炎旦 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４：６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（２６）の−〇Ｈ基８５％以上が１，２−ナ
フトキノンジアジド−４スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物３０部をジグライム３００部に溶解
して０．　１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジス
ト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、ｌＯＯｏＣで９０秒間ベータし、厚さ１．２
０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ線ス
テッパーＡＬＳ　　ＷＡＦＥＲ３ＴＥＰ　　２１４２ｉ
（ＧＣＡ社製　ＮＡ＝０．５４）とテスト用レチクルを
用いて露光を行った。次に２．３８％テトラメチルアン
モニウトヒドロキシＩ・′水溶液で２３°Ｃ，１分間、
パドル法により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したとごろ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

災施釘↑ ビニルフェノールとスチレンの共１ｆＺ合体（モ／ｌ／
比６：４）１００部、化合物（２６）の−０１１基８５
％以上が１．２−ナフトキノンジアジド−５スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物３０部をジグラ
イム３００部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルタ
ーで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．２
０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ線ス
テッパーＡＬＳ　　ＷＡＦＥＲ３ＴＥＰ　　２１４２ｉ
　　（ＮＡ＝Ｏ１５４）とテスト用レチクルを用いて露
光を行った。次に２．３８％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ２１分間、パト′ル法に
より現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１，１５μｍであった。

実差■工 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（２８）の−〇Ｈ基９０％以上が１，２−ナ
フトキノンジアジド−５３■ スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８
部をエチルセロソルブアセテート３２０部に溶解して０
．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を
調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
”Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

実隻桝１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６＝４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（２８）の−〇Ｈ基８０％以上が１，２−ナ
フトキノンジアジド−５スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物２０部を乳酸エチル３００部に溶解
して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト
溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１７
μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ステ
ッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｃ；６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
’Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察・したところ、０．４５μｍのライン＆スペース
が解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファス
テップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

実１１殊↓」− ビニルフェノール重合体の水素添加反応生成物〔水素添
加率３５％〕１００部、化合物（２８）の−〇Ｈ基８５
％以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジド化合物３０部をジグ
ライム３００部に溶解して０．１μｍのテフロンフィル
ターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーク−で塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．０
０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプ
トン／フッ素を封入したエキシマレーザ−装置Ｃ＝２９
２６（浜松ホトニクス社製）とテスト用マスクを用いて
露光を行った。次にテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３°Ｃ，１分間、パドル法により現像し
てポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９５μｍであった・ 実施桝上上 ビニルフェノール重合体の水素添加反応生成物（水素添
加率３０％）１００部、化合物（１３）の−〇Ｈ基９０
％以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８部をジグ
ライム３００部に溶解して０．１μｍのテフロンフィル
ターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．０
０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外
線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キャノン社製）とテス
ト用マスクを用いて露光ヲ行った。次にテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ，１分間、パ
ドル法により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９２μｍであった。

（発明の効果） 本発明のレジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、耐
熱性、保存安定性などの諸特性が優れているので、特に
１μｍ以下の微細加工に通している。

特許出願人　日本ゼオン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有す
   るポジ型レジスト組成物において、該感光剤として、下
   記一般式（ I ）で示される化合物のキノンジアジドス
   ルホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レ
   ジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＾１〜Ｒ＾５；水素、ハロゲン、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のア
   ルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又は水酸基、た
   だし少なくともひとつは ▲数式、化学式、表等があります▼ Ａ；−Ｓ−、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼ Ｒ＾６；ハロゲン、アルキル基又はアルケニル基Ｒ＾７
   、Ｒ＾８；水素、アルキル基、アルケニル基又はフェニ
   ル基 ｎ＝０、１又は２