[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4517792B2 - ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 - Google Patents

ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4517792B2
JP4517792B2 JP2004264228A JP2004264228A JP4517792B2 JP 4517792 B2 JP4517792 B2 JP 4517792B2 JP 2004264228 A JP2004264228 A JP 2004264228A JP 2004264228 A JP2004264228 A JP 2004264228A JP 4517792 B2 JP4517792 B2 JP 4517792B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
positive photosensitive
composition according
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004264228A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005104977A (ja
Inventor
拓司 池田
敏夫 番場
孝 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2004264228A priority Critical patent/JP4517792B2/ja
Publication of JP2005104977A publication Critical patent/JP2005104977A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4517792B2 publication Critical patent/JP4517792B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

本発明は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法に関するものである。
従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜には、耐熱性に優れ又卓越した電気特性、機械特性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年半導体素子の高集積化、大型化、半導体装置の薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の特性に対する著しい向上の要求があり、更に高性能の樹脂が必要とされるようになってきた。
一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術があり、例えば下記式(4)に示される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。
これを用いるとパターン作製工程の一部が簡略化でき、工程短縮及び歩留まり向上の効果はあるが、現像の際にN−メチル−2−ピロリドン等の溶剤をスプレー状に噴霧することが必要となるため、安全性、取扱い性に問題がある。そこで、最近アルカリ水溶液で現像ができるポジ型感光性樹脂組成物が開発されている。例えば、特許文献1においてはベース樹脂であるポリベンゾオキサゾール前駆体と感光材であるジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性樹脂組成物が開示されている。これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用としての可能性も有している。このポジ型感光性樹脂組成物の現像メカニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液に不溶であるが、露光することによりジアゾキノン化合物が化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより未露光部のみの塗膜パターンの作製が可能となるものである。
これら感光性樹脂組成物を使用する場合、特に重要となるのは感光性樹脂組成物の感度である。低感度であると、露光時間が長くなりスループットが低下する。そこで感光性樹脂組成物の感度を向上させようとして、例えば、ベース樹脂の分子量を小さくすると、現像時に未露光部の膜減りが大きくなるために、必要とされる膜厚が得られなかったり、パターン形状が崩れるといった問題が生じる。そして最近は半導体素子の縮小化の傾向が加速されており、より高解像度のパターンが形成できることも重要となっている。上述のように感度を優先させると未露光部のパターン形状が崩れるために、寸法幅の狭いパターンは形成できず低解像度となる。逆に未露光部が崩れないように、例えばベース樹脂の分子量を大きくしたり、感光材である感光性ジアゾキノン化合物の添加量を多くすると、露光部がアルカリ水溶液に難溶となるために低感度になったり、現像後のパターン底部に感光性樹脂組成物の残り(スカム)が発生するという問題が生じる。この様に、一般に感度と解像度はトレードオフの関係にあり、両者の特性を満足する感光性樹脂組成物の開発が最近強く望まれている。更に感光性樹脂組成物の加熱脱水閉環後の膜厚は、従来5〜7μm程度であったが、10〜20μm程度に厚くなる傾向にあり、より厚くなった場合でも高感度である感光性樹脂組成物の開発が望まれている。
特公平1−46862号公報
本発明は、高解像度で高残膜率のパターンを得ることができ、かつ高感度が得られる感光材であるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法を目的とする。又、従来より膜厚が厚くなっても上記の問題が発生しない高感度のポジ型感光性樹脂組成物を提供するものである。
本発明は、
[1] 一般式(1)で示されるフェノール化合物の、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルであることを特徴とするナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、
[2] アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部、[1]項記載のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル(B)1〜50重量部を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、
[3] アルカリ可溶性樹脂(A)が、一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂である[2]項記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[4] さらにフェノール化合物(C)を1〜30重量部含んでなる[3]項記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[5] フェノール化合物(C)が、一般式(3)で示されるフェノール化合物である[4]項記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[6] 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂におけるXが、下記構造の群より選ばれてなる[3][4]又は[5]項記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[7] 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂におけるYが、下記構造の群より選ばれてなる[3]〜[6]項のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[8] 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む化合物によって末端封止されてなる[3]〜[7]項のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[9] [2]〜[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して組成物層を形成する工程と、概組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成する工程と、概組成物を加熱する工程を有することを特徴とするパターン状樹脂膜の製造方法、
[10] [2]〜[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする半導体装置、
[11] [2]〜[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする表示素子、
[12] [2]〜[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱後の膜厚が、0.1〜30μmになるように半導体素子上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする半導体装置の製造方法、
[13] [2]〜[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱後の膜厚が、0.1〜30μmになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする表示素子の製造方法、
である。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、膜減りが少なく、パターン形状の崩れがなく、更に露光部の感光性樹脂組成物の残り(スカム)がない特性を有する高感度で、かつ高解像度という優れた特徴を有している。
本発明に用いられる一般式(1)で示されるフェノール化合物の、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルは、感光材として機能するものである。
フェノール化合物の1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルを用いた例は様々なものが報告されているが、最近のウェハーコート用感光性樹脂組成物における膜厚の厚膜化の要求に対しては感度の向上の効果が不十分であり、更なる高感度化が必要となっている。そこで、本発明者らは種々の感光材を検討した結果、一般式(1)で示されるフェノール化合物の、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルが、厚膜でも感度向上に非常に効果があることを見いだしたものである。
本発明では一般式(1)で示されるフェノール化合物の、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル及び/又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂との組み合わせによって、高解像度で高残膜率のパターンを得ることができ、かつ高感度が得られるポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。
本発明の一般式(1)で示されるフェノール化合物は、例えば、
等であるが、これらに限定されるものではない。
本発明で用いるアルカリ可溶性樹脂としては、主鎖又は側鎖に水酸基、カルボキシル基、又はスルホン酸基を有する樹脂であり、クレゾール型ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂等が挙げられるが、最終加熱後の耐熱性の点から一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂が好ましい。
一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂中のXは、2〜4価の有機基を表し、Rは、水酸基、O−Rで、mは0〜2の整数、これらは同一でも異なっていても良い。Yは、2〜6価の有機基を表し、Rは水酸基、カルボキシル基、O−R、COO−Rで、nは0〜4の整数、これらは同一でも異なっていても良い。ここでRは炭素数1〜15の有機基である。但し、Rとして水酸基がない場合は、Rは少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。又Rとしてカルボキシル基がない場合は、Rは少なくとも1つは水酸基でなければならない。
一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂は、例えば、Xの構造を有するジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物、必要により配合されるZの構造を有するシリコーンジアミンとYの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られるものである。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂において、Xの置換基としてのO−R、Yの置換基としてのO−R、COO−Rは、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基で保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。Rの例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。

このポリアミド樹脂を約250〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、又はポリベンゾオキサゾール、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。

本発明の一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂のXは、例えば、
等であるが、これらに限定されるものではない。
これら中で特に好ましいものとしては、
より選ばれるものであり、又2種類以上用いても良い。
又一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂のYは、例えば、
等であるが、これらに限定されるものではない。
これらの中で特に好ましいものとしては、
より選ばれるものであり、又2種類以上用いても良い。
又本発明においては、保存性という観点から、末端を封止する事が望ましい。封止にはアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を有する誘導体を一般式(2)で示されるポリアミドの末端に酸誘導体やアミン誘導体として導入することができる。具体的には、Xの構造を有するジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物、必要により配合されるZの構造を有するシリコーンジアミンとYの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応させて得られた一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂を合成した後、該ポリアミド樹脂中に含まれる末端のアミノ基をアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物又は酸誘導体を用いてアミドとしてキャップすることが好ましい。アミノ基と反応した後のアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物又は酸誘導体に起因する基としては、例えば、
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの中で特に好ましいものとしては、
より選ばれるものであり、これらは2種以上用いても良い。またこの方法に限定される事はなく、該ポリアミド樹脂中に含まれる末端の酸をアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むアミン誘導体を用いてアミドとしてキャップすることもできる。
更に、必要によって用いる一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂のZは、例えば
等であるがこれらに限定されるものではなく、又2種以上用いても良い。
一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂のZは、例えば、シリコンウェハーのような基板に対して、特に優れた密着性が必要な場合に用いるが、その使用割合bは最大40モル%までである。40モル%を越えると樹脂の溶解性が極めて低下し、現像残り(スカム)が発生し、パターン加工ができなくなる。
又、本発明で用いる感光材であるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル(B)のアルカリ可溶性樹脂(A)への配合量は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して1〜50重量部である。配合量が下限値未満の場合樹脂のパターニング性が不良となり、逆に上限値を越えると感度が大幅に低下する。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体としては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、フェノール化合物(C)を含有させることもでき、フェノール化合物(C)を用いることにより新たな効果が発現されることも見出された。一般式(1)で示されるフェノール化合物の、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルは、例えば、一般に使用されている下記の様なナフトキノンジアジドスルホン酸エステルより、分子サイズが大きい。
そのため、現像液に対して広範囲に溶解能を制御できるが、露光部において光が当たり、化学変化した感光材の溶解性は、低分子の感光材と比べてやや悪いため、ベース樹脂との組み合わせ等によってはパターンコーナーに現像残り(スカム)を生じる場合もある。その際、低分子のフェノール化合物を添加すると、現像液に対する全体の溶解性を高めることができ、スカムが無くなり、その結果解像度が向上し、更に感度も向上する。
フェノール化合物(C)は、フェノール性水酸基を有する2〜5核体の化合物で、又それらはベンゼン環に対して同数以上の水酸基を有するものである。これは一つのベンゼン環に対して必ずしも水酸基を1個有する必要もなく、又1つのベンゼン環に2個以上の水酸基を有しても良く、フェノール化合物内の水酸基の数がベンゼン環の数と同数以上であることが必要である。又これらフェノール化合物のベンゼン環にハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルエステル基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基

が置換されていても良い。それらの中で、特に好ましいフェノール化合物としては下記で示される。
一般式(3)で示されるフェノール化合物の具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
フェノール化合物(C)の添加量は、一般式(2)で示されるポリアミド樹脂100重量部に対して、1〜30重量部である。フェノール化合物の添加量が上限値を越えると、現像時に著しい残膜率の低下が起こったり、冷凍保存中において析出が起こり、下限値未満では、現像時における感度が低下する。
本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤を添加することができる。
本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。塗布量は、半導体装置の場合、硬化後の最終膜厚が0.1〜30μmになるよう塗布する。膜厚が下限値未満の場合、半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮することが困難となり、上限値を越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかりでなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、60〜130℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。
次に照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環及び/又はイミド環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。
本発明による感光性樹脂組成物は、半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜、表示素子における素子の層間絶縁膜等としても有用である。
半導体用としての具体的用途の例としては、半導体素子上に上述の感光性樹脂組成物膜を形成することによるパッシベーション膜、また半導体素子上に形成されたパッシベーション膜上に上述の感光性樹脂組成物膜を形成することによるバッファコート膜、半導体素子上に形成された回路上に上述の感光性樹脂組成物膜を形成することによる層間絶縁膜などを挙げることができる。
その中で、本発明の感光性樹脂組成物を半導体装置に用いた応用例の1つとして、バンプを有する半導体装置への応用について図面を用いて説明する。図1は、本発明のバンプを有する半導体装置のパット部分の拡大断面図である。図1に示すように、シリコンウェハー1には入出力用のAlパッド2上にパッシベーション膜3が形成され、そのパッシベーション膜3にビアホールが形成されている。更に、この上にポジ型感光性樹脂(バッファコート膜)4が形成され、更に、金属(Cr、Ti等)膜5がAlパッド2と接続されるように形成され、その金属膜5はハンダバンプ10の周辺をエッチングして、各パッド間を絶縁する。絶縁されたパッドにはバリアメタル8とハンダバンプ10が形成されている。
表示体装置用途としての例は、TFT用層間絶縁膜、TFT素子平坦化膜、カラーフィルター平坦化膜、MVA型液晶表示装置用突起、有機EL素子用陰極隔壁がある。その使用方法は、半導体用途に順じ、表示体素子やカラーフィルターを形成した基板上にパターン化された感光性樹脂組成物層を、上記の方法で形成することによる。表示体装置用途、特に層間絶縁膜や平坦化膜には、高い透明性が要求されるが、この感光性樹脂組成物層の硬化前に、後露光工程を導入することにより、透明性に優れた樹脂層が得られることもでき、実用上更に好ましい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
《実施例1》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
下記に示した式(5)のフェノール化合物34.0g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド67.2g(0.25モル:フェノール化合物1モルに対して、5.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン30.4g(0.30モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸7.5gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸の5.0モル反応物)(Q−1)を得た。
*ポリアミド樹脂の合成
テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体360.4g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(容積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2の混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(PA−1)を得た。
*ポジ型感光性樹脂組成物の作製
合成したポリアミド樹脂(PA−1)100g、前記(Q−1)13gをγ―ブチロラクトン200gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
*特性評価
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚約16μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を変化させて照射した。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に100秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。その結果、露光量550mJ/cm2で照射した部分よりパターンが形成されていることが確認できた。(感度は550mJ/cm2)。この時の解像度は8μmと高い値を示した。
《実施例2》
実施例1における感光材(Q−1)の添加量を18gに変えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例3》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
式(5)のフェノール化合物34.0g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド80.7g(0.30モル:フェノール化合物1モルに対して、6.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン36.5g(0.36モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸9.0gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸6.0モル反応物)(Q−2)を得た。
次に、実施例1における感光材(Q−1)を(Q−2)に変えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例4》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
式(5)のフェノール化合物34.0g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド53.8g(0.20モル:フェノール化合物1モルに対して、4.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン24.3g(0.24モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸6.0gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸4.0モル反応物)(Q−3)を得た。
次に、実施例1における感光材(Q−1)を(Q−3)に変えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例5》
実施例1におけるポリアミド樹脂の合成において、テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルの代わりに、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルを用い、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−3で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(PA−2)を合成した。その他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例6》
実施例5におけるポリアミド樹脂の合成において、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンの代わりに、3,3’―ジアミノー4,4’―ジヒドロキシフェニルスルホン1モルを用いて、一般式(2)で示され、Xが下記式X−2、Yが下記式Y−3で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(PA−3)を合成した。その他は実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例7》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
実施例1で用いた式(5)のフェノール化合物34.0g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド67.2g(0.25モル:フェノール化合物1モルに対して、5.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン30.4g(0.30モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸7.5gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸5.0モル反応物)(Q−4)を得た。
次に、実施例1における感光材(Q−1)を(Q−4)に変えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例8》
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.1g(0.055モル)と2−メチル−2−プロパノール13.0g(0.110モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。
その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.8g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた他は実施例1と同様に反応し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−3及びY−4の混合物で、a=100、b=0のポリアミド樹脂(PA―4)を合成した。その他は実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例9》
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン22.0g(0.06モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gに溶解させた後、N−メチル−2−ピロリドン80gに溶解させたトリメリット酸クロライド25.3g(0.12モル)を5℃以下に冷却しながら加える。更にピリジン11.4g(0.144モル)を加えて、20℃以下で3時間攪拌する。次に、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル12.0g(0.06モル)を加えた後、室温で5時間反応させる。次に内温を85℃に昇温し、3時間攪拌する。反応終了後、濾過した濾液を、水/メタノール=5/1(容積比)に投入して沈殿を得た。それを濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1及びX−3、Yが下記式Y−5からなる混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(PA−5)を得た。その他は実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《実施例10》
実施例1と同様にポリアミド樹脂(PA−1)100g、前記(Q−1)13g、下記のフェノール化合物(P―1)15gをγ―ブチロラクトン200gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。更に実施例1と同様の評価を行った。
《実施例11》
実施例5と同様にポリアミド樹脂(PA−2)100g、前記(Q−1)13g、下記のフェノール化合物(P―1)15gをγ―ブチロラクトン200gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。更に実施例1と同様の評価を行った。
《実施例12》
実施例10におけるフェノール化合物(P−1)を下記の(P−2)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例1》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
下記の式(6)のフェノール化合物21.2g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド26.9g(0.10モル:フェノール化合物1モルに対して、2.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン12.2g(0.12モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸3.0gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸2.0モル反応物)(Q−5)を得た。
次に、実施例1における前記(Q−1)を(Q−5)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例2》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
下記の式(7)のフェノール化合物11.4g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド13.4g(0.05モル:フェノール化合物1モルに対して、1.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン6.1g(0.06モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸1.5gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸1.0モル反応物)(Q−6)を得た。
次に、実施例1における前記(Q−1)を(Q−6)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例3》
実施例5における前記(Q−1)を(Q−6)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例4》
*ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成
下記の式(6)のフェノール化合物21.2g(0.05モル)と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド26.9g(0.10モル:フェノール化合物1モルに対して、2.0モル)とアセトン400mlを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れた後、フラスコ内温を20℃以下に保ちながらトリエチルアミン12.2g(0.12モル)を滴下した。その後、5時間攪拌した後、酢酸3.0gを入れ中和した後、析出物を濾過で取り除いた。得られた溶液を純水に投入し、析出物を濾過で回収し、純水で洗浄後、室温で真空乾燥させ目的とする感光材(フェノール化合物1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸2.0モル反応物)(Q−7)を得た。
次に、実施例1における前記(Q−1)を(Q−7)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例5》
実施例10における前記(Q−1)を(Q−5)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例6》
実施例11における前記(Q−1)を(Q−5)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例7》
実施例12における前記(Q−1)を(Q−5)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例8》
実施例10における前記(Q−1)を(Q−6)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例9》
実施例11における前記(Q−1)を(Q−6)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
《比較例10》
実施例12における前記(Q−1)を(Q−6)に替えた他は、実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得て、実施例1と同様の評価を行った。
実施例1〜9、比較例1〜4の評価結果を表1に、又実施例10〜12、比較例5〜10の評価結果を表2示す。
本発明のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂は、半導体素子及び表示素子の表面保護膜、層間絶縁膜等において好適に用いられる。
本発明のバンプを有する半導体装置の一例のパット部分の拡大断面図を示す。
符号の説明
1 シリコンウエハ
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 バッファコート膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 ハンダバンプ

Claims (13)

  1. 下記式で示されるフェノール化合物から選ばれるいずれかのフェノール化合物の、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルであることを特徴とするナフトキノンジアジドスルホン酸エステル。
  2. アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部、請求項1記載のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル(B)1〜50重量部を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
  3. アルカリ可溶性樹脂(A)が、一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂である請求項2記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  4. さらにフェノール化合物(C)を1〜30重量部含んでなる請求項3記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  5. フェノール化合物(C)が、一般式(3)で示されるフェノール化合物である請求項4記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  6. 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂におけるXが、下記構造の群より選ばれてなる請求項3,4又は5記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  7. 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂におけるYが、下記構造の群より選ばれてなる請求項3〜6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。

  8. 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む化合物によって末端封止されてなる請求項3〜7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  9. 請求項2〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して組成物層を形成する工程と、概組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成する工程と、概組成物を加熱する工程を有することを特徴とするパターン状樹脂膜の製造方法。
  10. 請求項2〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項2〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする表示素子。
  12. 請求項2〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱後の膜厚が、0.1〜30μmになるように半導体素子上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 請求項2〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱後の膜厚が、0.1〜30μmになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする表示素子の製造方法。
JP2004264228A 2003-09-12 2004-09-10 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 Expired - Fee Related JP4517792B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004264228A JP4517792B2 (ja) 2003-09-12 2004-09-10 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003320626 2003-09-12
JP2004264228A JP4517792B2 (ja) 2003-09-12 2004-09-10 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005104977A JP2005104977A (ja) 2005-04-21
JP4517792B2 true JP4517792B2 (ja) 2010-08-04

Family

ID=34554356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004264228A Expired - Fee Related JP4517792B2 (ja) 2003-09-12 2004-09-10 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4517792B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296248A (ja) * 1989-05-11 1990-12-06 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH07281428A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH1097075A (ja) * 1996-06-07 1998-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JPH10123703A (ja) * 1996-10-18 1998-05-15 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH11123874A (ja) * 1997-08-18 1999-05-11 Oji Paper Co Ltd 感熱記録体
JP2003005367A (ja) * 2001-06-22 2003-01-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296248A (ja) * 1989-05-11 1990-12-06 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH07281428A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH1097075A (ja) * 1996-06-07 1998-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JPH10123703A (ja) * 1996-10-18 1998-05-15 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH11123874A (ja) * 1997-08-18 1999-05-11 Oji Paper Co Ltd 感熱記録体
JP2003005367A (ja) * 2001-06-22 2003-01-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005104977A (ja) 2005-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5050450B2 (ja) 層間絶縁膜、保護膜形成用ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子
JP4245074B1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
JP4661245B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4556616B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4254177B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP5151005B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4569211B2 (ja) フェノール化合物、ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4379153B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置または表示素子
JP4206709B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP4581706B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4325159B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP4250935B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP4517723B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子
JP3886334B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP3839262B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP4159838B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP4517792B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4581511B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP2006276094A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置及び表示装置
JP4345441B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP3801379B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2005010764A (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP2008170498A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置
JP4166058B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP2009108074A (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100112

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100312

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100510

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees