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JP5464288B2 - 空間光変調器の検査装置および検査方法 - Google Patents

空間光変調器の検査装置および検査方法 Download PDF

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JP5464288B2 JP2013079679A JP2013079679A JP5464288B2 JP 5464288 B2 JP5464288 B2 JP 5464288B2 JP 2013079679 A JP2013079679 A JP 2013079679A JP 2013079679 A JP2013079679 A JP 2013079679A JP 5464288 B2 JP5464288 B2 JP 5464288B2
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Description

本発明は、空間光変調器の検査装置および検査方法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露光装置の照明光学系に好適な空間光変調器の検査に関するものである。
この種の典型的な露光装置においては、光源から射出された光束が、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズを介して、多数の光源からなる実質的な面光源としての二次光源(一般には照明瞳における所定の光強度分布)を形成する。以下、照明瞳での光強度分布を、「瞳強度分布」という。また、照明瞳とは、照明瞳と被照射面(露光装置の場合にはマスクまたはウェハ)との間の光学系の作用によって、被照射面が照明瞳のフーリエ変換面となるような位置として定義される。
二次光源からの光束は、コンデンサーレンズにより集光された後、所定のパターンが形成されたマスクを重畳的に照明する。マスクを透過した光は投影光学系を介してウェハ上に結像し、ウェハ上にはマスクパターンが投影露光(転写)される。マスクに形成されたパターンは高集積化されており、この微細パターンをウェハ上に正確に転写するにはウェハ上において均一な照度分布を得ることが不可欠である。
従来、ズーム光学系を用いることなく瞳強度分布(ひいては照明条件)を連続的に変更することのできる照明光学系が提案されている(特許文献1を参照)。特許文献1に開示された照明光学系では、アレイ状に配列され且つ傾斜角および傾斜方向が個別に駆動制御される多数の微小なミラー要素により構成された可動マルチミラーを用いて、入射光束を反射面毎の微小単位に分割して偏向させることにより、光束の断面を所望の形状または所望の大きさに変換し、ひいては所望の瞳強度分布を実現している。
特開2002−353105号公報
特許文献1に記載された照明光学系では、姿勢が個別に制御される多数の微小なミラー要素を有する反射型の空間光変調器を用いているので、瞳強度分布の形状および大きさの変更に関する自由度は高い。しかしながら、例えばアルミニウムにより形成されたミラー要素の反射面の反射率が光照射により経時的に低下して、この反射率低下の影響により所望の瞳強度分布を形成することが困難になる可能性がある。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、例えば照明光学系の光路中に配置された空間光変調器のミラー要素の反射率を随時検査することのできる検査装置および検査方法を提供することを目的とする。また、本発明は、例えば光路中に配置された空間光変調器のミラー要素の反射率を検査する検査装置を用いて、所望の瞳強度分布を実現することのできる照明光学系を提供することを目的とする。また、所望の瞳強度分布を実現する照明光学系を用いて、適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことのできる露光装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を検査する検査装置において、
前記空間光変調器の光学的に下流側に配置されて、前記複数の光学要素の配列される配列面と光学的に共役な共役面を形成する共役光学系と、
前記共役面またはその近傍に配置された検出面を有する光検出器と、
前記光検出器の検出結果に基づいて前記複数の光学要素の光学特性を検査する検査部とを備えていることを特徴とする検査装置を提供する。
本発明の第2形態では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を検査する検査装置において、
前記空間光変調器の光学的に下流側に配置されて、前記複数の光学要素の配列される配列面と光学的にフーリエ変換の関係にあるフーリエ変換面を形成するフーリエ変換光学系と、
前記フーリエ変換面またはその近傍に配置された検出面を有する光検出器と、
前記光検出器の検出結果に基づいて前記複数の光学要素の光学特性を検査する検査部とを備えていることを特徴とする検査装置を提供する。
本発明の第3形態では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を検査する検査方法において、
前記複数の光学要素を経た光が前記複数の光学要素の配列される配列面と光学的に共役な共役面に形成する光強度分布に基づいて、前記複数の光学要素の光学特性を検査することを特徴とする検査方法を提供する。
本発明の第4形態では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を検査する検査方法において、
前記複数の光学要素を経た光が前記複数の光学要素の配列される配列面と光学的にフーリエ変換の関係にあるフーリエ変換面に形成する光強度分布に基づいて、前記複数の光学要素の光学特性を検査することを特徴とする検査方法を提供する。
本発明の第5形態では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を備え、光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、
前記空間光変調器を検査するための第1形態または第2形態の検査装置と、
前記空間光変調器を介した光に基づいて、前記照明光学系の照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系とを備えていることを特徴とする照明光学系を提供する。
本発明の第6形態では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器とを備え、光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系の調整方法において、
第1形態もしくは第2形態の検査装置または第3形態もしくは第4形態の検査方法を用いて、前記複数の光学要素の光学特性を検査する検査工程と、
前記検査工程の検査結果に基づいて前記照明光学系を光学的に調整する光学調整工程とを含むことを特徴とする調整方法を提供する。
本発明の第7形態では、所定のパターンを照明するための第5形態の照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第8形態では、第7形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
本発明の検査装置では、例えば照明光学系の光路中に配置された反射型の空間光変調器の光学的に下流側に共役光学系が設けられ、この共役光学系により、空間光変調器の複数のミラー要素の配列面と、光検出器の検出面とが光学的にほぼ共役に配置されている。したがって、実施形態を参照して詳述するように、例えばミラー要素の配列面の基準状態において複数のミラー要素で反射された光が共役光学系を介して検出面に形成する光強度分布に基づいて、複数のミラー要素の反射率を検査することができる。
すなわち、本発明の検査装置では、例えば照明光学系の光路中に配置された空間光変調器のミラー要素の反射率を随時検査することができる。したがって、本発明の照明光学系では、例えば光路中に配置された空間光変調器のミラー要素の反射率を検査する検査装置を用いて、所望の瞳強度分布を実現することができる。また、本発明の露光装置では、所望の瞳強度分布を実現する照明光学系を用いて、適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができ、ひいては良好なデバイスを製造することができる。
本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 空間光変調ユニットの内部構成を概略的に示す図である。 空間光変調ユニットが備える空間光変調器の部分斜視図である。 空間光変調器の複数のミラー要素のうちの1つのミラー要素の構成例を概略的に示す図である。 図4のAA’断面図である。 本実施形態にかかる検査装置の内部構成を概略的に示す図である。 本実施形態の変形例にかかる検査装置の内部構成を概略的に示す図である。 図7の変形例にかかる検査装置の第2検査系の作用を説明する図である。 半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。 液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1において、感光性基板であるウェハWの露光面の法線方向に沿ってZ軸を、ウェハWの露光面内において図1の紙面に平行な方向に沿ってX軸を、ウェハWの露光面内において図1の紙面に垂直な方向に沿ってY軸をそれぞれ設定している。
図1を参照すると、本実施形態の露光装置は、装置の光軸AXに沿って、照明光(露光光)を供給する光源1と、空間光変調ユニット3を含む照明光学系ILと、マスクMを支持するマスクステージMSと、投影光学系PLと、ウェハWを支持するウェハステージWSとを備えている。本実施形態の露光装置では、光源1からの光が、照明光学系ILを介してマスクMを照明する。マスクMを透過した光は、投影光学系PLを介して、マスクMのパターンの像をウェハW上に形成する。
光源1からの光に基づいてマスクMのパターン面(被照射面)を照明する照明光学系ILは、空間光変調ユニット3の作用により、複数極照明(2極照明、4極照明など)、輪帯照明等の変形照明を行う。照明光学系ILは、光軸AXに沿って光源1側から順に、ビーム送光部2と、空間光変調ユニット3と、ズーム光学系4と、フライアイレンズ5と、コンデンサー光学系6と、照明視野絞り(マスクブラインド)7と、視野絞り結像光学系8とを備えている。
なお、空間光変調ユニット3とズーム光学系4との間の光路中(空間光変調ユニット3とオプティカルインテグレータ(フライアイレンズ5)との間の光路中)には空間光変調ユニット3からの照明光を分岐するビームスプリッター9が配置され、このビームスプリッター9により照明光路の外へ導かれた光が検査装置10に入射するように構成されている。検査装置10の構成および作用については後述する。
空間光変調ユニット3は、ビーム送光部2を介した光源1からの光に基づいて、その遠視野領域(フラウンホーファー回折領域)に所望の光強度分布(瞳強度分布)を形成する。空間光変調ユニット3の構成および作用については後述する。ビーム送光部2は、光源1からの入射光束を適切な大きさおよび形状の断面を有する光束に変換しつつ空間光変調ユニット3へ導くとともに、空間光変調ユニット3に入射する光束の位置変動および角度変動をアクティブに補正する機能を有する。ズーム光学系4は、空間光変調ユニット3からの光を集光して、フライアイレンズ5へ導く。
フライアイレンズ5は、例えば稠密に配列された多数のレンズ素子からなる波面分割型のオプティカルインテグレータである。フライアイレンズ5は、入射した光束を波面分割して、その後側焦点面にレンズ素子と同数の光源像からなる二次光源(実質的な面光源)を形成する。フライアイレンズ5の入射面は、ズーム光学系4の後側焦点位置またはその近傍に配置されている。フライアイレンズ5として、例えばシリンドリカルマイクロフライアイレンズを用いることができる。シリンドリカルマイクロフライアイレンズの構成および作用は、例えば米国特許第6913373号公報に開示されている。
本実施形態では、フライアイレンズ5により形成される二次光源を光源として、照明光学系ILの被照射面に配置されるマスクMをケーラー照明する。このため、二次光源が形成される位置は投影光学系PLの開口絞りASの位置と光学的に共役であり、二次光源の形成面を照明光学系ILの照明瞳面と呼ぶことができる。典型的には、照明瞳面に対して被照射面(マスクMが配置される面、または投影光学系PLを含めて照明光学系と考える場合にはウェハWが配置される面)が光学的なフーリエ変換面となる。
なお、瞳強度分布とは、照明光学系ILの照明瞳面または当該照明瞳面と光学的に共役な面における光強度分布(輝度分布)である。フライアイレンズ5による波面分割数が比較的大きい場合、フライアイレンズ5の入射面に形成される大局的な光強度分布と、二次光源全体の大局的な光強度分布(瞳強度分布)とが高い相関を示す。このため、フライアイレンズ5の入射面および当該入射面と光学的に共役な面における光強度分布についても瞳強度分布と称することができる。
コンデンサー光学系6は、フライアイレンズ5から射出された光を集光して、照明視野絞り7を重畳的に照明する。照明視野絞り7を通過した光は、視野絞り結像光学系8を介して、マスクMのパターン形成領域の少なくとも一部に照明視野絞り7の開口部の像である照明領域を形成する。なお、図1では、光軸(ひいては光路)を折り曲げるための光路折曲げミラーの設置を省略しているが、必要に応じて光路折曲げミラーを照明光路中に適宜配置することが可能である。
マスクステージMSにはXY平面(例えば水平面)に沿ってマスクMが載置され、ウェハステージWSにはXY平面に沿ってウェハWが載置される。投影光学系PLは、照明光学系ILによってマスクMのパターン面上に形成される照明領域からの光に基づいて、ウェハWの露光面(投影面)上にマスクMのパターンの像を形成する。こうして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてウェハステージWSを二次元的に駆動制御しながら、ひいてはウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハWの各露光領域にはマスクMのパターンが順次露光される。
次に、図2および図3を参照して、空間光変調ユニット3の構成および作用を説明する。図2は、空間光変調ユニット3の内部構成を概略的に示す図である。図3は、空間光変調ユニット3中の空間光変調器3aの部分斜視図である。なお、図2では、図面の明瞭化のために、ビームスプリッター9の図示を省略している。
空間光変調ユニット3は、図2に示すように、例えば蛍石のような光学材料により形成されたプリズム3bと、プリズム3bのYZ平面に平行な側面3baに近接して取り付けられた反射型の空間光変調器3aとを備えている。プリズム3bを形成する光学材料は、蛍石に限定されることなく、光源1が供給する光の波長などに応じて、石英であっても良くその他の光学材料であっても良い。
プリズム3bは、直方体の1つの側面(空間光変調器3aが近接して取り付けられる側面3baと対向する側面)をV字状に凹んだ側面3bbおよび3bcと置き換えることにより得られる形態を有し、XZ平面に沿った断面形状に因んでKプリズムとも呼ばれる。プリズム3bのV字状に凹んだ側面3bbおよび3bcは、鈍角をなすように交差する2つの平面P1およびP2によって規定されている。2つの平面P1およびP2はともにXZ平面と直交し、XZ平面に沿ってV字状を呈している。
2つの平面P1とP2との接線(Y方向に延びる直線)P3で接する2つの側面3bbおよび3bcの内面は、反射面R1およびR2として機能する。すなわち、反射面R1は平面P1上に位置し、反射面R2は平面P2上に位置し、反射面R1とR2とのなす角度は鈍角である。一例として、反射面R1とR2とのなす角度を120度とし、光軸AXに垂直なプリズム3bの入射面IPと反射面R1とのなす角度を60度とし、光軸AXに垂直なプリズム3bの射出面OPと反射面R2とのなす角度を60度とすることができる。
プリズム3bでは、空間光変調器3aが近接して取り付けられる側面3baと光軸AXとが平行であり、且つ反射面R1が光源1側(露光装置の上流側:図2中左側)に、反射面R2がフライアイレンズ5側(露光装置の下流側:図2中右側)に位置している。さらに詳細には、反射面R1は光軸AXに対して斜設され、反射面R2は接線P3を通り且つXY平面に平行な面に関して反射面R1とは対称的に光軸AXに対して斜設されている。プリズム3bの側面3baは、後述するように、空間光変調器3aの複数のミラー要素SEが配列される面に対向した光学面である。
プリズム3bの反射面R1は、入射面IPを介して入射した光を空間光変調器3aに向かって反射する。空間光変調器3aは、反射面R1と反射面R2との間の光路中に配置され、反射面R1を経て入射した光を反射する。プリズム3bの反射面R2は、空間光変調器3aを経て入射した光を反射し、射出面OPを介してズーム光学系4へ導く。図2にはプリズム3bを1つの光学ブロックで一体的に形成した例を示しているが、複数の光学ブロックを用いてプリズム3bを構成しても良い。
空間光変調器3aは、反射面R1を経て入射した光に対して、その入射位置に応じた空間的な変調を付与して射出する。空間光変調器3aは、図3に示すように、二次元的に配列された複数の微小なミラー要素(光学要素)SEを備えている。説明および図示を簡単にするために、図2および図3では空間光変調器3aが4×4=16個のミラー要素SEを備える構成例を示しているが、実際には16個よりもはるかに多数のミラー要素SEを備えている。
図2を参照すると、光軸AXと平行な方向に沿って空間光変調ユニット3に入射する光線群のうち、光線L1は複数のミラー要素SEのうちのミラー要素SEaに、光線L2はミラー要素SEaとは異なるミラー要素SEbにそれぞれ入射する。同様に、光線L3はミラー要素SEa,SEbとは異なるミラー要素SEcに、光線L4はミラー要素SEa〜SEcとは異なるミラー要素SEdにそれぞれ入射する。ミラー要素SEa〜SEdは、その位置に応じて設定された空間的な変調を光L1〜L4に与える。
空間光変調ユニット3では、空間光変調器3aのすべてのミラー要素SEの反射面がYZ平面に平行に設定された基準状態において、光軸AXと平行な方向に沿って反射面R1へ入射した光線が、空間光変調器3aを経た後に、反射面R2により光軸AXと平行な方向に向かって反射されるように構成されている。また、空間光変調ユニット3は、プリズム3bの入射面IPからミラー要素SEa〜SEdを経て射出面OPまでの空気換算長と、プリズム3bが光路中に配置されていないときの入射面IPに相当する位置から射出面OPに相当する位置までの空気換算長とが等しくなるように構成されている。ここで、空気換算長とは、光学系中の光路長を屈折率1の空気中の光路長に換算したものであり、屈折率nの媒質中の空気換算長は、その光路長に1/nを乗じたものである。
空間光変調器3aは、ズーム光学系4の前側焦点位置またはその近傍に配置されている。空間光変調器3aの複数のミラー要素SEa〜SEdによって反射されて所定の角度分布が与えられた光は、ズーム光学系4の後側焦点面4aに所定の光強度分布SP1〜SP4を形成する。すなわち、ズーム光学系4は、空間光変調器3aの複数のミラー要素SEa〜SEdが射出光に与える角度を、空間光変調器3aの遠視野領域(フラウンホーファー回折領域)である面4a上での位置に変換している。
再び図1を参照すると、集光光学系として機能するズーム光学系4の後側焦点面4aの位置またはその近傍に、フライアイレンズ5の入射面が位置決めされている。したがって、フライアイレンズ5が形成する二次光源の光強度分布(輝度分布)は、空間光変調器3aおよびズーム光学系4が形成する光強度分布SP1〜SP4に応じた分布となる。空間光変調器3aは、図3に示すように、平面形状の反射面を上面にした状態で1つの平面に沿って規則的に且つ二次元的に配列された多数の微小な反射素子であるミラー要素SEを含む可動マルチミラーである。
各ミラー要素SEは可動であり、その反射面の傾き、すなわち反射面の傾斜角および傾斜方向は、制御部CR(図3では不図示)からの指令にしたがって作動する駆動部3c(図3では不図示)の作用により独立に制御される。各ミラー要素SEは、その反射面に平行な二方向であって互いに直交する二方向(Y方向およびZ方向)を回転軸として、所望の回転角度だけ連続的或いは離散的に回転することができる。すなわち、各ミラー要素SEの反射面の傾斜を二次元的に制御することが可能である。
図4は、空間光変調器3aの複数のミラー要素SEのうちの1つのミラー要素SEの構成例を概略的に示す図である。また、図5は、図4のAA’断面図である。図4および図5を参照すると、ミラー要素SEは、ベース(基盤)30と、ベース30上に設けられた支柱31と、ベース30側とは反対側において支柱31に接続された板状部材32と、板状部材32上に形成された反射膜からなる反射面33と、ベース30上で支柱31を取り囲むように配置された4つの電極34a〜34dとを備えている。
板状部材32は、支柱31との接続部位が支点となるように、ベース30と平行な面上において互いに直交する2つの軸線廻りに傾斜可能である。電極34a〜34dは、板状部材32の4つの隅角部に対応するベース30上の位置にそれぞれ配置されている。こうして、電極34a〜34dに電位を付与することにより、各電極34a〜34dと板状部材32との間に静電力を発生させ、各電極34a〜34dと板状部材32との間隔を変化させる。これにより、板状部材32が支柱31の一端を支点として傾斜し、ひいては板状部材32上に形成される反射面33が傾斜する。
なお、各ミラー要素SEの反射面を離散的に回転させる場合、回転角を複数の状態(例えば、・・・、−2.5度、−2.0度、・・・0度、+0.5度・・・+2.5度、・・・)で切り換え制御するのが良い。図3には外形が正方形状のミラー要素SEを示しているが、ミラー要素SEの外形形状は正方形に限定されない。ただし、光利用効率の観点から、ミラー要素SEの隙間が少なくなるように配列可能な形状(最密充填可能な形状)が好ましい。また、光利用効率の観点から、隣り合う2つのミラー要素SEの間隔を必要最小限に抑えることが好ましい。
本実施形態では、空間光変調器3aとして、二次元的に配列された複数のミラー要素SEの向きを連続的に(または離散的に)それぞれ変化させる空間光変調器を用いている。このような空間光変調器として、たとえば特表平10−503300号公報およびこれに対応する欧州特許公開第779530号公報、特開2004−78136号公報およびこれに対応する米国特許第6,900,915号公報、特表2006−524349号公報およびこれに対応する米国特許第7,095,546号公報、並びに特開2006−113437号公報に開示される空間光変調器を用いることができる。
空間光変調器3aでは、制御部CRからの制御信号に応じて作動する駆動部3cの作用により、複数のミラー要素SEの姿勢がそれぞれ変化し、各ミラー要素SEがそれぞれ所定の向きに設定される。空間光変調器3aの複数のミラー要素SEによりそれぞれ所定の角度で反射された光は、ズーム光学系4を介して、フライアイレンズ5の後側焦点位置またはその近傍の照明瞳に、複数極状(2極状、4極状など)、輪帯状等の光強度分布(瞳強度分布)を形成する。この瞳強度分布は、ズーム光学系4の作用により、相似的に(等方的に)変化する。
すなわち、ズーム光学系4およびフライアイレンズ5は、空間光変調ユニット3中の空間光変調器3aを介した光束に基づいて、照明光学系ILの照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系を構成している。さらに、フライアイレンズ5の後側焦点位置またはその近傍の照明瞳と光学的に共役な別の照明瞳位置、すなわち視野絞り結像光学系8の瞳位置および投影光学系PLの瞳位置(開口絞りASの位置)にも、瞳強度分布に対応する光強度分布が形成される。
露光装置では、マスクMのパターンをウェハWに高精度に且つ忠実に転写するために、例えばマスクMのパターン特性に応じた適切な照明条件のもとで露光を行うことが重要である。本実施形態では、複数のミラー要素SEの姿勢がそれぞれ個別に変化する空間光変調器3aを備えた空間光変調ユニット3を用いているので、空間光変調器3aの作用により形成される瞳強度分布を自在に且つ迅速に変化させることができる。
しかしながら、例えばアルミニウムにより形成されたミラー要素の反射面が光照射により酸化することで、ミラー要素の反射面の反射率が経時的に低下して、この反射率低下の影響により所望の瞳強度分布を形成することが困難になる可能性がある。また、何らかの理由によりミラー要素が正常に動作しなくなり、この動作異常(又は機械的な劣化)の影響により所望の瞳強度分布を形成することが困難になる可能性がある。具体的に、動作異常のミラー要素では、例えば設計上の所要電圧を電極に印加しても、対応するミラー要素の反射面を所望の角度だけ傾けることができない。
そこで、本実施形態の露光装置は、照明光学系ILの光路中に配置された空間光変調器3aのミラー要素SEの反射率低下および動作異常を検査するための検査装置10を備えている。本実施形態の検査装置10は、図6に示すように、ビームスプリッター9からの光の入射順に、一対のレンズ11,12と、CCD13とを備えている。また、検査装置10は、CCD13に接続された信号処理部14を備えている。
検査装置10では、ビームスプリッター9により照明光路の外へ導かれた光源1からの光が、1本の光軸に沿って配置される一対のレンズ11,12を介して、CCD13に入射する。ここで、CCD13の検出面は、一対のレンズ11,12により空間光変調器3aの複数のミラー要素SEの配列される配列面と光学的に共役な共役面にほぼ一致するように、YZ平面に対して傾けて配置されている。換言すれば、一対のレンズ11,12は、空間光変調器3aの光学的に下流側に配置されて、光学要素SEの配列面と光学的に共役な共役面を形成する共役光学系を構成している。
また、CCD13は、一対のレンズ11,12により形成される光学要素SEの配列面の共役面またはその近傍に配置された検出面を有する光検出器を構成している。換言すると、共役光学系と検出面との間の光路中には、光学パワーを有する光学素子(有限の焦点距離を有する光学素子)が配置されていない。さらに詳細には、CCD13は空間光変調器3aのミラー要素SEの数以上の画素数(ピクセル数)を有し、1つのミラー要素SEの反射面とCCD13の1つまたは複数の画素とが対応するように構成されている。ただし、CCD13の検出面の構成、さらに一般的には光検出器の構成については、様々な形態が可能である。CCD13の出力信号は、信号処理部14に供給される。
本実施形態では、例えば、空間光変調器3aのすべてのミラー要素SEの反射面がYZ平面に平行に設定された基準状態(通常はすべての電極に印加される電圧の値が0である初期状態に対応:以下、単に「基準状態」ともいう)において、一様な光強度分布を有する光束をすべてのミラー要素SEに照射する。この場合、ある1つのミラー要素SEだけが反射率低下を起こしていると、このミラー要素SEに対応する1つまたは複数の画素の検出信号は、他のミラー要素SEに対応する画素の検出信号とは異なるものになる。
すなわち、反射率の低下しているミラー要素SEに対応する画素の検出信号は、反射率が実質的に低下していない他のミラー要素SEに対応する画素の検出信号よりも小さくなる。こうして、検査装置10の信号処理部14では、例えば基準状態におけるCCD13の出力信号、すなわち各ミラー要素SEに対応する画素の検出信号に基づいて、各ミラー要素SEの反射率の低下の度合いを検査する。
なお、上述の説明では、理解を容易にするために、基準状態において一様な光強度分布を有する光束をすべてのミラー要素SEに照射している。しかしながら、これに限定されることなく、基準状態以外の所定の状態において、一様でない所定の光強度分布を有する光束を、一部の複数のミラー要素SEに照射してもよい。一般的には、信号処理部14では、例えば基準状態のような第1状態において、所定の光強度分布を有する光束を複数のミラー要素SEに照射し、複数のミラー要素SEで反射された光が共役光学系(11,12)を介してCCD13の検出面に形成する光強度分布に基づいて、複数のミラー要素SEの反射率を検査する。
また、本実施形態では、例えば、基準状態において一様な光強度分布を有する光束をすべてのミラー要素SEに照射し、その状態からすべてのミラー要素SEの反射面を互いに同じ角度だけ同じ向きに一律に変化させる制御を行う。この場合、ある1つのミラー要素SEだけが動作異常を起こしていると、このミラー要素SEに対応する画素の検出信号は、他のミラー要素SEに対応する画素の検出信号とは異なるものになる。
すなわち、動作の異常なミラー要素SEでは、その反射面の傾き角度が他のミラー要素SEよりも小さいため、動作異常のミラー要素SEに対応する画素の検出信号は、動作の正常なミラー要素SEに対応する画素の検出信号よりも小さくなるか、あるいは大きくなる。こうして、検査装置10の信号処理部14では、基準状態におけるCCD13の出力信号と、基準状態からすべてのミラー要素SEの姿勢を一律変化させた状態におけるCCD13の出力信号とに基づいて、各ミラー要素SEの動作異常を検査する。
なお、上述の説明では、理解を容易にするために、基準状態からすべてのミラー要素SEの反射面を互いに同じ角度だけ同じ向きに一律に変化させる制御を行っている。しかしながら、これに限定されることなく、基準状態以外の所定の状態から、少なくとも1つのミラー要素SEの反射面の姿勢を変化させる制御を行ってもよい。
一般的には、信号処理部14では、例えば基準状態のような第1状態において、所定の光強度分布を有する光束を複数のミラー要素SEに照射し、複数のミラー要素SEで反射された光がCCD13の検出面に形成する光強度分布と、第1状態から少なくとも1つのミラー要素SEの反射面の姿勢を変化させた第2状態において複数のミラー要素SEで反射された光がCCD13の検出面に形成する光強度分布とに基づいて、上記少なくとも1つのミラー要素SEの動作を検査する。このように、信号処理部14は、光検出器としてのCCD13の検出結果に基づいて複数の光学要素SEの反射率や動作のような光学特性を検査する検査部を構成している。
本実施形態の検査装置10では、照明光学系ILの光路中に配置された反射型の空間光変調器3aの下流側に共役光学系(11,12)が設けられ、この共役光学系(11,12)により、ミラー要素(光学要素)SEの配列面と、光検出器としてのCCD13の検出面とが光学的にほぼ共役に配置されている。したがって、上述したように、例えば基準状態において複数のミラー要素SEで反射された光がCCD13の検出面に形成する光強度分布に基づいて、複数のミラー要素SEの反射率を検査することができる。
また、上述したように、例えば基準状態のような第1状態において複数のミラー要素SEで反射された光がCCD13の検出面に形成する光強度分布と、基準状態から少なくとも1つのミラー要素SEの反射面の姿勢を変化させた第2状態において複数のミラー要素SEで反射された光がCCD13の検出面に形成する光強度分布とに基づいて、上記少なくとも1つのミラー要素SEの動作を検査することができる。すなわち、本実施形態の検査装置10では、照明光学系ILの光路中に配置された反射型の空間光変調器3aのミラー要素SEの反射率や動作のような光学特性(或いは光学的な状態)を随時検査することができる。
検査装置10の検出結果、すなわち各ミラー要素SEの反射率低下の度合いに関する情報、および各ミラー要素SEの動作異常に関する情報は、制御部CRに供給される。制御部CRでは、各ミラー要素SEの反射率および動作に関する情報を参照し、照明光学系ILの照明瞳面において所望の瞳強度分布が得られるように、駆動部3cを介して空間光変調器3aの各ミラー要素SEの姿勢をそれぞれ制御する。具体的には、制御部CRは、例えば動作の正常なミラー要素SEだけを用いて、反射率の低下したミラー要素SEの分を他のミラー要素SEでカバーするように、各ミラー要素SEの姿勢をそれぞれ制御(又は調整)する。
このように、本実施形態では、検査装置10の検査結果に基づいて、空間光変調器3aの各ミラー要素SEの姿勢をそれぞれ制御し、ひいては照明光学系ILを光学的に調整することにより、ミラー要素SEの反射率低下や動作異常の影響を抑えて、所望の瞳強度分布を実現することができる。その結果、本実施形態の露光装置では、所望の瞳強度分布を実現する照明光学系ILを用いて、例えばマスクMのパターンの特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができる。
図7は、本実施形態の変形例にかかる検査装置の内部構成を概略的に示す図である。図7の変形例にかかる検査装置10では、ビームスプリッター9により照明光路の外へ導かれた光が、レンズ21を介して、ビームスプリッター22に入射する。ビームスプリッター22で反射された光は、レンズ23を介して、CCD24に入射する。CCD24の出力信号は、信号処理部25に供給される。
CCD24の検出面は、図6の実施形態におけるCCD13と同様に、折れ曲がった1本の光軸に沿って配置される一対のレンズ21,23により空間光変調器3aの複数のミラー要素SEの配列される配列面と光学的に共役な共役面にほぼ一致するように、XY平面に対して傾けて配置されている。また、図6の実施形態の場合と同様に、CCD24は空間光変調器3aのミラー要素SEの数以上の画素数を有し、1つのミラー要素SEの反射面とCCD24の1つまたは複数の画素とが対応するように構成されている。
一方、ビームスプリッター22を透過した光は、CCD26に入射する。CCD26の出力信号は、CCD24の出力信号と同様に、信号処理部25に供給される。CCD26の検出面は、レンズ21により空間光変調器3aの複数のミラー要素SEの配列される配列面と光学的にフーリエ変換の関係にあるフーリエ変換面にほぼ一致するように、YZ平面に対して傾けて配置されている。
換言すれば、レンズ21は、空間光変調器3aの光学的に下流側に配置されて、光学要素SEの配列面と光学的にフーリエ変換の関係にあるフーリエ変換面を形成するフーリエ変換光学系を構成している。また、CCD26は、レンズ21により形成される光学要素SEの配列面のフーリエ変換面またはその近傍に配置された検出面を有する光検出器を構成している。
このように、図7の変形例において、一対のレンズからなる共役光学系(21,23)とCCD24と信号処理部25とは第1検査系を構成し、この第1検査系は図6の実施形態における検査装置と同様の構成を有し、ひいては同様の作用を有する。すなわち、第1検査系の信号処理部25では、CCD24の出力信号に基づいて、照明光学系ILの光路中に配置された空間光変調器3aのミラー要素SEの反射率低下の度合いを検査し、必要に応じてミラー要素SEの動作異常を随時検査することができる。
一方、レンズ21とCCD26と信号処理部25とは、第2検査系を構成している。第2検査系では、例えば、基準状態において一様な光強度分布を有する光束をすべてのミラー要素SEに照射し、その状態からある1つのミラー要素SEの反射面の角度を変化させる制御を行う。この場合、基準状態では、すべてのミラー要素SEから反射された光は、図8に示すように、CCD26の検出面の1点(例えば中心点)Pに集光する。
そして、ある1つのミラー要素SEの電極に印加する電圧Vを変化させることによりその反射面の角度を変化させると、当該ミラー要素SEからの反射光はCCD26の検出面において点Pから距離Dだけ離れた位置に光分布27を形成する。ここで、距離Dと反射面の角度変化αとの間には、例えば比例関係が成立する。また、当該ミラー要素SEの動作が正常である場合、距離Dと電圧Vとの間にも、例えば比例関係が成立する。換言すれば、当該ミラー要素SEが動作異常を起こしていると、距離Dと電圧Vとの関係は比例関係から外れたものになる。
こうして、第2検査系では、基準状態におけるCCD26の出力信号と、基準状態からある1つのミラー要素SEの姿勢を変化させた状態におけるCCD26の出力信号とに基づいて、当該ミラー要素SEの距離Dと電圧Vとの関係を、ひいては当該ミラー要素SEの反射面の角度変化αと電圧Vとの関係を検査する。ここで、ミラー要素SEの反射面の角度変化αと電圧Vとの関係を求めることは、ミラー要素SEの姿勢の変化特性を求めることに他ならない。
なお、上述の説明では、理解を容易にするために、基準状態から、ある1つのミラー要素の姿勢を変化させている。しかしながら、これに限定されることなく、基準状態以外の所定の状態から、複数のミラー要素(例えば一列になった複数のミラー要素)の姿勢を同時に変化させて、これらの複数のミラー要素の姿勢の変化特性を同時に検査することもできる。
一般的には、第2検査系の信号処理部25では、CCD26の出力信号に基づいて、例えば基準状態のような第3状態において、所定の光強度分布を有する光束を複数のミラー要素SEに照射し、複数のミラー要素SEで反射された光がCCD26の検出面に形成する光強度分布と、第3状態から少なくとも1つのミラー要素SEの反射面の姿勢を変化させた第4状態において複数のミラー要素SEで反射された光がCCD26の検出面に形成する光強度分布とに基づいて、上記少なくとも1つのミラー要素SEの姿勢の変化特性を検査する。
図7の変形例にかかる検査装置10の検出結果、すなわち各ミラー要素SEの反射率低下の度合いに関する情報、および各ミラー要素SEの姿勢の変化特性に関する情報は、制御部CRに供給される。制御部CRでは、各ミラー要素SEの反射率および姿勢変化特性に関する情報を参照し、所望の瞳強度分布が得られるように、駆動部3cを介して空間光変調器3aの各ミラー要素SEの姿勢をそれぞれ制御する。具体的には、制御部CRは、反射率の低下したミラー要素SEの分を他のミラー要素SEでカバーし、且つ各ミラー要素SEの反射面の傾き角度が所望の角度になるように、各ミラー要素SEの電極に印加する電圧をそれぞれ制御する。
なお、図7の変形例では、第1検査系により各ミラー要素SEの動作異常を検査し、動作の正常なミラー要素SEだけを用いて瞳強度分布を形成することもできる。このように、図7の変形例では、検査装置10の検査結果に基づいて、空間光変調器3aの各ミラー要素SEの電極に印加する電圧をそれぞれ制御し、ひいては照明光学系ILを光学的に調整することにより、ミラー要素SEの反射率低下や姿勢変化特性の影響を抑えて、所望の瞳強度分布を実現することができる。
また、図7の変形例では、空間光変調器に照射された光エネルギの総量と、各ミラー要素の反射率低下の度合いに関する情報と、各ミラー要素の姿勢の変化特性に関する情報と、必要に応じて各ミラー要素の動作異常に関する情報とにより、空間光変調器の寿命を判断することが可能である。同様に、図6の実施形態では、空間光変調器に照射された光エネルギの総量と、各ミラー要素の反射率低下の度合いに関する情報と、各ミラー要素の動作異常に関する情報とにより、空間光変調器の寿命を判断することが可能である。
また、図7の変形例では、第1検査系中の共役光学系(21,23)を構成する複数の光学部材(レンズ21,23)のうちの一部(レンズ21)がフーリエ変換光学系に属している。この構成により、第1および第2検査系の構成を簡素化でき、また誤差発生要因の低減もできる。
また、図7の変形例にかかる検査装置は、ミラー要素の反射率低下および動作異常を検査する第1検査系と、ミラー要素の姿勢の変化特性を検査する第2検査系とを備えているが、第2検査系のみからなる検査装置についても本発明の範囲内にあることはいうまでもない。
なお、上述の説明では、空間光変調器3aの複数のミラー要素が配列される面に対向した光学面を有するプリズム部材として、1つの光学ブロックで一体的に形成されたKプリズム3bを用いている。しかしながら、これに限定されることなく、一対のプリズムにより、Kプリズム3bと同様の機能を有するプリズム部材を構成することができる。また、1つの平行平面板と一対の三角プリズムとにより、Kプリズム3bと同様の機能を有するプリズム部材を構成することができる。また、1つの平行平面板と一対の平面ミラーとにより、Kプリズム3bと同様の機能を有する組立て光学部材を構成することができる。
また、上述の説明では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器として、二次元的に配列された複数の反射面の向き(角度:傾き)を個別に制御可能な空間光変調器を用いている。しかしながら、これに限定されることなく、たとえば二次元的に配列された複数の反射面の高さ(位置)を個別に制御可能な空間光変調器を用いることもできる。このような空間光変調器としては、たとえば特開平6−281869号公報及びこれに対応する米国特許第5,312,513号公報、並びに特表2004−520618号公報およびこれに対応する米国特許第6,885,493号公報の図1dに開示される空間光変調器を用いることができる。これらの空間光変調器では、二次元的な高さ分布を形成することで回折面と同様の作用を入射光に与えることができる。なお、上述した二次元的に配列された複数の反射面を持つ空間光変調器を、たとえば特表2006−513442号公報およびこれに対応する米国特許第6,891,655号公報や、特表2005−524112号公報およびこれに対応する米国特許公開第2005/0095749号公報の開示に従って変形しても良い。
また、上述の説明では、複数のミラー要素を有する反射型の空間光変調器を用いているが、これに限定されることなく、たとえば米国特許第5,229,872号公報に開示される透過型の空間光変調器を用いても良い。
なお、上述の実施形態では、空間光変調ユニットを用いて瞳強度分布を形成する際に、瞳輝度分布計測装置で瞳強度分布を計測しつつ、この計測結果に応じて空間光変調ユニット中の空間光変調器を制御してもよい。このような技術は、たとえば特開2006−54328号公報や特開2003−22967号公報およびこれに対応する米国特許公開第2003/0038225号公報に開示されている。
また、上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。このような可変パターン形成装置を用いれば、パターン面が縦置きでも同期精度に及ぼす影響を最低限にできる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含むDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)を用いることができる。DMDを用いた露光装置は、例えば特開2004−304135号公報、国際特許公開第2006/080285号パンフレットに開示されている。また、DMDのような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。なお、パターン面が横置きの場合であっても可変パターン形成装置を用いても良い。
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図9は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図9に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスク(レチクル)Mに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。
ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを、感光性基板つまりプレートPとしてパターンの転写を行う。
図10は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図10に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。
ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。
ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
なお、上述の実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光(波長:193nm)やKrFエキシマレーザ光(波長:248nm)を用いることができる。また、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえば波長157nmのレーザ光を供給するFレーザ光源などを用いることもできる。
また、上述の実施形態では、露光装置においてマスクを照明する照明光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、マスク以外の被照射面を照明する一般的な照明光学系に対して本発明を適用することもできる。
1 光源
2 ビーム送光部
3 空間光変調ユニット
3a 空間光変調器
3b プリズム
3c 駆動部
4 ズーム光学系
5 フライアイレンズ
6 コンデンサー光学系
7 照明視野絞り(マスクブラインド)
8 視野絞り結像光学系
9 ビームスプリッター
10 検査装置
13,24,26 CCD
14,25 信号処理部
IL 照明光学系
CR 制御部
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ

Claims (12)

  1. 二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を検査する検査装置において、
    前記空間光変調器の光学的に下流側に配置されて、前記複数の光学要素の配列される配列面と光学的にフーリエ変換の関係にあるフーリエ変換面を形成するフーリエ変換光学系と、
    前記フーリエ変換面またはその近傍に配置された検出面を有する光検出器と、
    前記光検出器の検出結果に基づいて前記複数の光学要素の光学特性を検査する検査部とを備え
    前記検査部は、前記複数の光学要素の第1状態において前記複数の光学要素からの光が前記検出面に形成する第1光強度分布と、前記第1状態から少なくとも1つの光学要素の姿勢を変化させた前記複数の光学要素の第2状態において前記複数の光学要素からの光が前記検出面に形成する第2光強度分布とに基づいて、前記少なくとも1つの光学要素の姿勢の変化特性を検査することを特徴とする検査装置。
  2. 前記光学要素は、ミラー要素であることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
  3. 二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を備え、光源からの照明光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、
    前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうちの少なくとも一部を介した前記照明光に基づいて、前記空間光変調器を検査するための請求項1または2に記載の検査装置を備えていることを特徴とする照明光学系。
  4. 前記空間光変調器と前記被照射面との間の光路に配置されて、前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうちの少なくとも一部を介した前記照明光を分岐する分岐光学部材をさらに備えていることを特徴とする請求項3に記載の照明光学系。
  5. 前記空間光変調器を介した光に基づいて、前記照明光学系の照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系を備え、
    前記分岐光学部材は、前記分布形成光学系と前記空間光変調器との間の光路中に配置されることを特徴とする請求項4に記載の照明光学系。
  6. 前記分布形成光学系は、インテグレータを備え、
    前記分岐光学部材は、前記インテグレータと前記空間光変調器との間の光路中に配置されることを特徴とする請求項5に記載の照明光学系。
  7. 前記光検出器は複数の画素を備え、前記空間光変調器の前記複数の光学要素の1つに対して複数の画素が対応していることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の照明光学系。
  8. 前記空間光変調器の前記複数の光学要素に対して供給される一様な光強度分布を有する光束に基づいて、前記空間光変調器を検査することを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載の照明光学系。
  9. 前記空間光変調器の前記複数の光学要素の一部に対して供給される、位置によって光強度が異なる光強度分布を有する光束に基づいて、前記空間光変調器を検査することを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載の照明光学系。
  10. 二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器を検査する検査方法において、
    前記複数の光学要素を経た光が前記複数の光学要素の配列される配列面と光学的にフーリエ変換の関係にあるフーリエ変換面に形成する光強度分布に基づいて、前記複数の光学要素の光学特性を検査することを含み、
    前記検査することは、
    前記複数の光学要素の姿勢を第1状態に設定することと、
    前記第1状態において前記複数の光学要素からの光で前記検出面に第1光強度分布を形成することと、
    前記第1状態から少なくとも1つの光学要素の姿勢を変化させて第2状態にすることと、
    該第2状態において前記複数の光学要素でからの光で前記検出面に第2光強度分布を形成することと、
    前記第1光強度分布と前記第2光強度分布とに基づいて、前記少なくとも1つの光学要素の姿勢の変化特性を検査することを特徴とする検査方法。
  11. 前記光学要素は、ミラー要素であることを特徴とする請求項10に記載の検査方法。
  12. 前記複数のミラー要素の第1状態において前記複数のミラー要素で反射された光が前記フーリエ変換面に形成する光強度分布と、前記第1状態から少なくとも1つのミラー要素の反射面の姿勢を変化させた前記複数のミラー要素の第2状態において前記複数のミラー要素で反射された光が前記フーリエ変換面に形成する光強度分布とに基づいて、前記少なくとも1つのミラー要素の姿勢の変化特性を検査することを特徴とする請求項11に記載の検査方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101446820B1 (ko) 2007-02-06 2014-10-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 내의 다수의 미러 어레이들을 감시하는 방법 및 장치
JP5549222B2 (ja) * 2009-12-28 2014-07-16 株式会社ニコン 空間光変調器、露光装置およびそれらの製造方法
JP5481400B2 (ja) * 2010-01-15 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ マイクロミラーデバイスの選別方法、マイクロミラーデバイス選別装置およびマスクレス露光装置
KR101774607B1 (ko) 2010-02-03 2017-09-04 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치
JP5807761B2 (ja) * 2011-06-06 2015-11-10 株式会社ニコン 照明方法、照明光学装置、及び露光装置
CN104025257B (zh) 2011-10-24 2017-09-19 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置及组件制造方法
KR101890754B1 (ko) * 2012-01-25 2018-08-22 삼성전자 주식회사 공간 광변조기의 성능 측정 시스템
KR101338362B1 (ko) * 2012-03-09 2013-12-06 삼성전기주식회사 디지털 마이크로 미러 장치용 미러 불량 검출장치
KR101887054B1 (ko) * 2012-03-23 2018-08-09 삼성전자주식회사 적외선 검출 장치 및 이를 포함하는 가열 조리 장치
WO2014056513A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013214459B4 (de) * 2013-07-24 2015-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
CN103454073B (zh) * 2013-09-04 2016-01-13 上海大学 基于4f干涉系统测试空间光调制器调制性能的测试装置及方法
CN103837332B (zh) * 2014-03-24 2016-05-25 电子科技大学 一种基于正交移相共轭干涉仪方法的液晶型光学器件相位检测方法
US10146134B2 (en) 2014-09-25 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system
CN111054920B (zh) 2014-11-14 2022-09-16 株式会社尼康 造形装置及造形方法
CN111687415A (zh) 2014-11-14 2020-09-22 株式会社尼康 造型装置及造型方法
JP7014226B2 (ja) 2017-05-01 2022-02-01 株式会社ニコン 加工装置
JP6969163B2 (ja) * 2017-05-31 2021-11-24 株式会社ニコン 検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法
JP6985907B2 (ja) * 2017-11-30 2021-12-22 株式会社小糸製作所 灯具ユニット

Family Cites Families (219)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JP2527807B2 (ja) * 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
US5153428A (en) 1990-06-15 1992-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light
US5251222A (en) * 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JP3170894B2 (ja) * 1992-10-05 2001-05-28 松下電器産業株式会社 空間光変調素子評価装置
US5383000A (en) * 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
US5461410A (en) * 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Gray scale printing using spatial light modulators
US5815248A (en) * 1993-04-22 1998-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator
DE69432283T2 (de) 1993-12-01 2004-01-22 Sharp K.K. Display für dreidimensionale Bilder
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
KR100505202B1 (ko) 1995-09-27 2005-11-25 칼 짜이스 에스엠테 아게 줌장치
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP3657392B2 (ja) * 1996-05-30 2005-06-08 富士写真フイルム株式会社 画像露光装置における欠陥画素の特定方法
KR20030096435A (ko) 1996-11-28 2003-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
AU1504799A (en) 1997-12-16 1999-07-05 Nikon Corporation Aligner, exposure method and method of manufacturing device
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
EP1083462A4 (en) 1998-03-26 2003-12-03 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
JP2000121498A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Nikon Corp 結像性能の評価方法及び装置
US6406148B1 (en) * 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
WO2000067303A1 (fr) 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
AU4395099A (en) 1999-06-30 2001-01-22 Nikon Corporation Exposure method and device
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
WO2001022480A1 (fr) 1999-09-20 2001-03-29 Nikon Corporation Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs
WO2001027978A1 (fr) 1999-10-07 2001-04-19 Nikon Corporation Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
ATE352052T1 (de) 2000-08-18 2007-02-15 Nikon Corp Haltevorrichtung für optisches element
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
CN1491427A (zh) 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
JPWO2002080185A1 (ja) 2001-03-28 2004-07-22 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法
EP1262836B1 (en) 2001-06-01 2018-09-12 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
WO2002101804A1 (fr) 2001-06-11 2002-12-19 Nikon Corporation Dispositif d'exposition, procede de fabrication et element de passage de flux de stabilisation de temperature
KR20030036254A (ko) * 2001-06-13 2003-05-09 가부시키가이샤 니콘 주사노광방법 및 주사형 노광장치 그리고 디바이스 제조방법
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JPWO2003023832A1 (ja) 2001-09-07 2004-12-24 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
SE0103006D0 (sv) 2001-09-10 2001-09-10 Micronic Lasersystems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
DE60227854D1 (de) * 2001-10-01 2008-09-04 Sony Corp Polarisationsselektives Prisma für einen Projektor
US6577379B1 (en) * 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US6577429B1 (en) * 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
WO2003075328A1 (fr) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
TWI278721B (en) 2002-04-09 2007-04-11 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and manufacturing method of device
KR20050003356A (ko) * 2002-04-10 2005-01-10 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 노광헤드 및 노광장치와 그 응용
US6960035B2 (en) * 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
WO2003093167A1 (en) 2002-04-29 2003-11-13 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung Device for protecting a chip and method for operating a chip
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP4324957B2 (ja) 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
DE60319462T2 (de) 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1395049A1 (en) 2002-09-02 2004-03-03 Sony International (Europe) GmbH Illumination unit for a projection system
US20050141583A1 (en) * 2002-09-02 2005-06-30 Torbjorn Sandstrom Method and device for coherence reduction
JP2004111579A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
KR100480620B1 (ko) * 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
US6958867B2 (en) * 2002-09-30 2005-10-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method
US6665119B1 (en) * 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
ATE484103T1 (de) * 2002-10-24 2010-10-15 Lecroy Corp Echtzeitoszilloskop mit hoher bandbreite
CN101713932B (zh) * 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US6844927B2 (en) * 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
US6958806B2 (en) * 2002-12-02 2005-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
KR20050085235A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571700A4 (en) 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
SG158745A1 (en) 2002-12-10 2010-02-26 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053956A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
EP1571701A4 (en) 2002-12-10 2008-04-09 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
SG165169A1 (en) 2002-12-10 2010-10-28 Nikon Corp Liquid immersion exposure apparatus
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
CN1723384A (zh) * 2003-01-15 2006-01-18 麦克罗尼克激光系统公司 检测缺陷像素的方法
JP4280509B2 (ja) * 2003-01-31 2009-06-17 キヤノン株式会社 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法
WO2004086468A1 (ja) 2003-02-26 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
SE0300516D0 (sv) * 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
KR20050110033A (ko) 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP4902201B2 (ja) 2003-04-07 2012-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JPWO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2006-07-13 株式会社ニコン 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
EP1620350A1 (en) 2003-04-24 2006-02-01 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TWI421911B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
KR101915914B1 (ko) 2003-05-28 2018-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
EP1482371A1 (en) * 2003-05-28 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JPWO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2006-07-20 株式会社ニコン ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
KR101148811B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4515385B2 (ja) 2003-07-09 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Nikon Corporation フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
SG140604A1 (en) 2003-08-29 2008-03-28 Nikon Corp Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP4717813B2 (ja) * 2003-09-12 2011-07-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TW200521477A (en) 2003-09-25 2005-07-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Projector and projection method
CA2581735A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-07 Tidal Photonics, Inc. Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems
JPWO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2007-11-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4605014B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
US7148952B2 (en) * 2003-10-31 2006-12-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005048326A1 (ja) 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
KR20060109430A (ko) 2003-11-17 2006-10-20 가부시키가이샤 니콘 스테이지 구동 방법, 스테이지 장치, 및 노광장치
ATE491221T1 (de) 2003-12-15 2010-12-15 Nikon Corp Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
US8064044B2 (en) 2004-01-05 2011-11-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
WO2005071717A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1724815B1 (en) 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
JP4572896B2 (ja) 2004-02-19 2010-11-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイスの製造方法
JP5076497B2 (ja) 2004-02-20 2012-11-21 株式会社ニコン 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4864869B2 (ja) * 2004-02-26 2012-02-01 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系
US6977718B1 (en) * 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005309380A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2005302825A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Canon Inc 露光装置
KR101162938B1 (ko) 2004-04-19 2012-07-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7123348B2 (en) 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7259827B2 (en) * 2004-07-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2006054328A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
JPWO2006030910A1 (ja) 2004-09-17 2008-05-15 株式会社ニコン 露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法
EP1640706A1 (en) * 2004-09-22 2006-03-29 Eldim Sa Wavelength and incidence angle resolved ellipsometer or reflectometer
WO2006035775A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics K.K. 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法
US7177012B2 (en) * 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
GB2419208A (en) * 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
US8294873B2 (en) 2004-11-11 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure method, device manufacturing method, and substrate
US7333177B2 (en) 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008528955A (ja) 2005-01-20 2008-07-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー ホログラム、及びホログラムを用いた光学素子の製造方法
TW200923418A (en) * 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
JP2006208432A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
KR101240130B1 (ko) 2005-01-25 2013-03-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 마이크로 디바이스 제조 방법
KR100664325B1 (ko) * 2005-02-04 2007-01-04 삼성전자주식회사 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치
JP2006216917A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
WO2006085626A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機el素子の製造方法
JP4561425B2 (ja) * 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
US7400382B2 (en) * 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
EP1882895A4 (en) 2005-05-12 2012-06-27 Techno Dream 21 Co Ltd MEASURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SHAPING AND EQUIPMENT THEREFOR
KR101267144B1 (ko) * 2005-05-23 2013-05-23 가부시키가이샤 니콘 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크
JP4771753B2 (ja) * 2005-06-08 2011-09-14 新光電気工業株式会社 面光源制御装置および面光源制御方法
US7701555B2 (en) * 2005-07-01 2010-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and system
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
JP2007057297A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Nikon Corp 光学特性測定装置、光学特性測定方法、露光装置、および露光方法
EP1947683A4 (en) 2005-11-09 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2007150295A (ja) * 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
WO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2007-05-18 Nikon Corporation 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20080068006A (ko) * 2005-11-15 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR20080071552A (ko) 2005-12-06 2008-08-04 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101340138B1 (ko) 2005-12-08 2013-12-10 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7532378B2 (en) * 2006-02-21 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101389982A (zh) 2006-02-27 2009-03-18 株式会社尼康 分色镜
JP2007234110A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
KR20080108226A (ko) 2006-03-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
WO2008015973A1 (fr) * 2006-08-02 2008-02-07 Nikon Corporation Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts
EP2068349A4 (en) 2006-09-29 2011-03-30 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
KR100855628B1 (ko) * 2006-10-02 2008-09-03 삼성전기주식회사 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
TWI452437B (zh) 2006-11-27 2014-09-11 尼康股份有限公司 An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
KR20150036734A (ko) 2006-12-27 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
KR101446820B1 (ko) * 2007-02-06 2014-10-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 내의 다수의 미러 어레이들을 감시하는 방법 및 장치
US9250536B2 (en) * 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8937706B2 (en) * 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP5304644B2 (ja) 2007-05-09 2013-10-02 株式会社ニコン フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
US7573564B2 (en) 2007-06-26 2009-08-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP2179330A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN101681125B (zh) * 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2009-12-23 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
KR101504388B1 (ko) 2008-06-26 2015-03-19 가부시키가이샤 니콘 표시소자의 제조방법 및 제조장치
KR20110028473A (ko) 2008-06-30 2011-03-18 가부시키가이샤 니콘 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치

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JP2013175753A (ja) 2013-09-05

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