JP2004304135A - 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】転写すべきパターンの形状等に応じた適切な露光を行うことができる露光装置を提供すること。
【解決手段】可変パターン生成部ＶＰＧのパターンで反射された光束は、投影レンズ６を介して、感光性基板であるプレートＰＬ上にマスクパターンの像を形成する。プレートＰＬをＹ軸方向に走査しつつ、これに同期して可変パターン生成部ＶＰＧに形成したパターンをスクロールすることによって、プレートＰＬの全面に所望のパターンが徐々に露光される。この際、調整部である主制御部８は、プレートＰＬに最終的に転写すべきパターンの形状等に応じて可変パターン生成部ＶＰＧの予備領域ＤＡ１を点灯し、各部の露光量を調整して露光量の最適化を図る。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイスの製造工程において用いられる露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
露光装置として、回路パターンを表示する液晶ディスプレイとウェハとを相対的に移動させつつ、液晶ディスプレイに表示された回路パターンをウェハの移動に同期して変化させるものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−１７７１８号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような露光装置では、走査によってパターンがそのまま転写されるだけである。また、表示用の液晶ディスプレイに画素欠陥やパーティクルの付着等がある場合、これらの欠陥像が転写されてしまう。また、照明光に照度むら等が存在する場合、これらの影響で露光むらが発生する可能性がある。
【０００４】
そこで、本発明は、転写すべきパターンの形状、パターンの大きさ、露光条件等に応じた適切な露光を行うことができる露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
また、本発明は、電気的に制御されたパターン形成部の画素欠陥等やパターン形成部に付着した異物等が存在する場合であっても、その欠陥像が転写されることを防止できる露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
さらに、本発明は、露光むらの発生を防止することができる露光装置、露光方法及び及びマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、第１の発明に係る露光装置は、（ａ）複数の表示素子を含み、該複数の表示素子の表示動作によって所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、（ｂ）パターン形成部における複数の表示素子の表示動作を制御する制御手段と、（ｃ）パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージとを有する。そして、制御手段が、感光性基板に露光される露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整する調整部を含むことを特徴とする。ここで、「パターン形成部」は、自発光型画像表示素子と非発光型画像表示素子の双方を含む概念である。前者の自発光型画像表示素子には、ＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ）、無機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、ＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）ディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ： ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ： ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）等が含まれる。また、後者の非発光型画像表示素子は、空間光変調器（ｓｐａｔｉａｌ ｌｉｇｈｔ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）とも呼ばれ、光の振幅、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器と反射型空間光変調器とに分けられる。透過型空間光変調器には、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ： ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が含まれる。また、反射型空間光変調器には、ＤＭＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｍｉｒｒｏｒ ｄｅｖｉｃｅ， ｏｒ ｄｉｇｉｔａｌ ｍｉｃｒｏ−ｍｉｒｒｏｒ ｄｅｖｉｃｅ）、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ： ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）、電子ペーパ（又は電子インク）、光回折ライトバルブ（ｇｒａｔｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｖａｌｖｅ）等が含まれる。また、「露光パターン」とは、露光すべきパターン若しくは露光されたパターンを意味し、パターン形成部により形成される露光パターンの場合その表示画像に相当し、感光性基板に露光されるべき露光パターンの場合その露光画像に相当する。また、「表示動作の調整」とは、表示素子からの反射光、透過光はたは発光光の明るさ階調を変化させること、及びパターン修正等を意味する。
【０００８】
上記露光装置では、制御手段に含まれる調整部が、感光性基板に露光される露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整するので、感光性基板に最終的に転写すべきパターン形状すなわち露光パターン形状に相当するパターンをそのまま生成するパターン形成部本来の機能を拡張的に利用して簡易・迅速に露光パターンの露光量を調整することができ、或いは露光むらを補正することができる。
【０００９】
また、第２の発明に係る露光装置は、第１の発明の装置であって、調整部が、感光性基板に露光される露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、パターン形成部により表示される露光パターンを修正する修正部を含むことを特徴とする。この場合、露光パターンの修正によって露光量の調整や露光むらの補正を効率的に達成することができる。
【００１０】
また、第３の発明に係る露光装置は、（ａ）複数の表示素子を含み、該複数の表示素子の表示動作によって所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、（ｂ）パターン形成部における複数の表示素子の表示動作を制御する制御手段と、（ｃ）パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージとを有する。そして、制御手段が、感光性基板に露光される露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整する調整部を含むことを特徴とする。
【００１１】
上記露光装置では、制御手段に含まれる調整部が、感光性基板に露光される露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整するので、感光性基板に最終的に転写すべきパターン形状すなわち露光パターン形状に相当するパターンをそのまま生成するパターン形成部本来の機能を拡張的に利用して簡易・迅速に露光状態を制御することができ、露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じた適切な露光が可能になる。
【００１２】
また、第４の発明に係る露光装置は、第３の発明の装置であって、調整部が、感光性基板に露光される露光パターンの形状または／および露光パターンの大きさに応じて、パターン形成部により表示される露光パターンを修正する修正部を含むことを特徴とする。この場合、露光パターンの修正によって、露光パターン形状または／および露光パターンの大きさ、すなわちパターンの形状的要因に応じた適切な露光を効率的に達成することができる。
【００１３】
また、第５の発明に係る露光装置は、第１〜４の発明の装置であって、ステージが、露光に際して、感光性基板をパターン形成部に対して相対的に移動させ、パターン形成部が、感光性基板の移動に同期して露光パターンが移動するように表示することを特徴とする。この場合、走査型の露光によって広域に亘って高精度の露光が可能になる。
【００１４】
また、第６の発明に係る露光装置は、第１〜５の発明の装置であって、パターン形成部にて表示された露光パターンを感光性基板に投影する投影手段をさらに含むことを特徴とする。この場合、投影露光装置とすることができ、露光パターンを所望の拡大率、等倍、若しくは縮小率で基板上に露光することができ、特に縮小の場合、高い集積度の微細パターン形成することができる。
【００１５】
また、第７の発明に係る露光装置は、第１，２の発明の装置であって、調整部が、パターン形成部にて表示動作する表示素子の数に応じて感光性基板に露光される露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正することを特徴とする。この場合、表示数の調整によって簡易に露光量や露光むらを補正することができる。
【００１６】
また、第８の発明に係る露光装置は、第２，４の発明の装置であって、修正部は、パターン形成部にて表示される露光パターンを変更（調整、補正、修正等）するために、複数の表示素子の表示動作の領域を変更することを特徴とする。この場合、表示領域の変更によって露光に寄与する表示素子数を簡易に調整することができる。
【００１７】
また、第９の発明に係る露光装置は、第２，４，８の発明の装置であって、ステージが、露光に際して、パターン形成部に対して感光性基板を走査方向に沿って相対的に移動させるとともに、パターン形成部が、感光性基板の移動に同期して露光パターンが移動するように表示し、修正部が、パターン形成部により表示される露光パターンを修正するために、走査方向におけるパターン形成部の表示素子の動作数を調整することを特徴とする。この場合、走査型の露光において走査方向の動作素子数の調節によって簡易に感光性基板上の各点の露光光量を制御することができる。
【００１８】
また、第１０の発明に係る露光装置は、第１〜９の発明の装置であって、パターン形成部が、露光パターンを表示するための複数の表示素子を有する第１表示領域、及び表示素子の表示動作を調整するために複数の表示素子を有する第２表示領域を含み、調整部が、第２表示領域を用いることにより、表示素子の表示動作数を調整することを特徴とする。この場合、予備の第２表示領域を利用して露光光量の減少を抑えつつ適正な露光を達成することができる。
【００１９】
また、第１１の発明に係る露光装置は、第１〜１０の発明の装置であって、パターン形成部にて表示される露光パターンの状態を検出する検出する検出手段を更に含み、調整部が、検出手段からの検出情報に基づいて、表示素子の表示動作を調整することを特徴とする。この場合、検出手段の検出情報に基づいてパターン形成部の欠陥、ゴミの付着、表示素子自身の特性変化等をモニタすることができ、このような誤差要因を相殺する補正が可能になる。
【００２０】
また、第１２の発明に係る露光装置は、第１〜１１の発明の装置であって、パターン形成部にて表示される露光パターンに関与する表示素子における露光の寄与度を調整することを特徴とすることを特徴とする。ここで、「寄与度の調整」とは、表示素子の点灯又は透過時間の調整、表示素子の反射又は透過光量の調整等を含む概念である。この場合、露光パターンを構成する表示素子の寄与度調整によって、露光量の調整、露光むらの補正、露光パターン形状等に応じた適切な露光等が可能になる。
【００２１】
また、第１３の発明に係る露光装置は、第１〜１１の発明の装置であって、パターン形成部にて表示される露光パターンに関与する表示素子の各々における露光の寄与度を調整することを特徴とする。この場合、露光パターンを構成する個々の表示素子の寄与度調整によって、露光量の調整、露光むらの補正、露光パターン形状等に応じた適切な露光等が可能になる。
【００２２】
また、第１４の発明に係る露光装置は、第１〜１１の発明の装置であって、パターン形成部にて表示される露光パターンに関与する表示素子の各々から感光性基板へ向う光の強度または表示素子各々の表示動作の時間を調整することを特徴とする。
【００２３】
また、第１５の発明に係る露光装置は、第１〜１４の発明の装置であって、パターン形成部を照明する照明装置をさらに含み、調整部が、パターン形成部を照明する照明むらまたは感光性基板に形成される露光パターンの露光むらを補正するように、表示素子の表示動作を調整することを特徴とする。この場合、照明装置による照明むら等の補正も可能になり、パターン形成部の均一な照明、延いては露光量が高度に制御されたパターン転写が可能になる。
【００２４】
また、第１６の発明に係る露光装置は、第１５の発明の装置であって、パターン形成部を照明する照明むらまたは感光性基板に形成される露光パターンの露光むらを計測する計測手段をさらに含み、計測手段からの情報に基づいて、調整部が、表示素子の表示動作を調整することを特徴とする。この場合、計測手段からの情報をフィードバックしてリアルタイムで照明むらや露光むらを補正することができる。
【００２５】
また、第１７の発明に係る露光装置は、第１〜１５の発明の装置であって、感光性基板に露光されるパターンの露光量または露光むらを光電的に検出する光電検出装置をさらに含むことを特徴とする。
【００２６】
また、第１８の発明に係る露光装置は、（ａ）複数の表示素子を含み、該複数の表示素子の表示動作によって所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、（ｂ）パターン形成部における複数の表示素子の表示動作を制御する制御手段と、（ｃ）パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージとを有し、制御手段が、感光性基板に露光されるパターンの露光条件に応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整する調整部を含むことを特徴とする。
【００２７】
上記露光装置では、制御手段に含まれる調整部が、感光性基板に露光されるパターンの露光条件に応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整するので、感光性基板に最終的に転写すべきパターン形状すなわち露光パターン形状に相当するパターンをそのまま生成するパターン形成部本来の機能を拡張的に利用して簡易・迅速に露光状態を制御することができ、前後のプロセス等を含む各種条件に適切に対応して最適化された露光が可能になる。
【００２８】
また、第１９の発明に係る露光装置は、第１８の発明の装置であって、調整部は、感光性基板に露光される露光パターンの露光条件に応じて、パターン形成部により表示される露光パターンを修正する修正部を含む。この場合、個別の露光条件に適合するように露光パターンを簡易かつ効率的に修正することができる。
【００２９】
また、第２０の発明に係る露光装置は、（ａ）複数のマイクロミラーを含み、該複数のマイクロミラーの姿勢調整によって露光光路に沿って所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、（ｂ）パターン形成部における複数のマイクロミラーの姿勢を制御する制御手段と、（ｃ）パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージと、（ｄ）パターン形成部における複数のマイクロミラーの姿勢調整によって非露光光路に沿って形成される非露光パターンを検出する検出手段とを含むことを特徴とする。
【００３０】
上記露光装置では、検出手段がパターン形成部における複数のマイクロミラーの姿勢調整によって非露光光路に沿って形成される非露光パターンを検出するので、マイクロミラーからなるパターン形成部からの光路外（非露光経路）に導かれる反射光を利用してパターン形成部や照明光照度分布等の状態を監視することができる。
【００３１】
また、第２１の発明に係る露光方法は、上記第１〜第２０の発明に係る露光装置を用いた露光方法において、（ａ）被露光面または被露光面と光学的に共役な位置に配置されたパターン形成部に露光パターンを表示させる露光パターン表示工程と、（ｂ）パターン形成部にて表示された露光パターンを被露光面に配置された感光性基板に転写する転写工程を含むことを特徴とする。
【００３２】
上記露光方法では、上記第１〜第２０の発明に係る露光装置を用いてパターン形成部にて表示された露光パターンを感光性基板に転写するので、パターン形成部本来の機能を拡張的に利用して、露光量の調整、露光むらの補正、及び、露光パターン形状等に応じた適切な露光が可能になる。
【００３３】
また、第２２の発明に係る露光方法は、（ａ）複数の表示素子を含むパターン形成部を用いて所望の露光パターンを形成する露光パターン形成工程と、（２）感光性基板に露光されるパターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整する調整工程と、（ｃ）パターン形成部にて表示された露光パターンを感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする。
【００３４】
上記露光方法では、調整工程で、感光性基板に露光されるパターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整するので、露光パターン形状に相当するパターンをそのまま生成するパターン形成部本来の機能を拡張的に利用して簡易・迅速に露光パターンの露光量を調整することができ、或いは露光むらを補正することができる。
【００３５】
また、第２３の発明に係る露光方法は、（ａ）複数の表示素子を含むパターン形成部を用いて所望の露光パターンを形成する露光パターン形成工程と、（ｂ）感光性基板に露光される露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整する調整工程と、（ｃ）パターン形成部にて表示された露光パターンを感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする。
【００３６】
上記露光方法では、調整工程で、感光性基板に露光される露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整するので、感光性露光パターン形状に相当するパターンをそのまま生成するパターン形成部本来の機能を拡張的に利用して簡易・迅速に露光状態を制御することができ、露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じた適切な露光が可能になる。
【００３７】
また、第２４の発明に係る露光方法は、（ａ）複数の表示素子を含むパターン形成部を用いて所望の露光パターンを形成する露光パターン形成工程と、（ｂ）感光性基板に露光されるパターンの露光条件に応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整する調整工程と、（ｃ）パターン形成部にて形成された露光パターンを感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする。
【００３８】
上記露光方法では、調整工程で、感光性基板に露光されるパターンの露光条件に応じて、感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する表示素子の表示動作を調整するので、露光パターン形状に相当するパターンをそのまま生成するパターン形成部本来の機能を拡張的に利用して簡易・迅速に露光状態を制御することができ、前後のプロセス等を含む各種条件に適切に対応して最適化された露光が可能になる。
【００３９】
また、第２５の発明に係る露光方法は、第２２〜２４の発明の方法であって、調整工程が、パターン形成部により形成される露光パターンを修正する修正工程を含むことを特徴とする。この場合、露光量調整や露光むら補正、露光パターンの形状的要因に応じた露光量調整、個別の露光条件に応じた調整等を、露光パターンの修正によって簡易かつ効率的に達成することができる。
【００４０】
また、第２６の発明に係るマイクロデバイスの製造方法は、第２１〜２４の発明の露光方法を用いてマイクロデバイスを製造することを特徴とする。上記マイクロデバイスの製造方法では、上述の露光方法を用いるので、露光量の調整、露光むらの補正、及び、露光パターン形状等に応じた適切な露光が可能になり、高精度のマイクロデバイスを高い歩留まりで製造することができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置１０は、照明光源装置２と、マスク装置４と、投影レンズ６と、ステージ装置７と、主制御部８とを備え、ステージ装置７に載置したプレート（感光性基板）ＰＬ上に、マスク装置４に設けた可変パターン生成部ＶＰＧの反射パターン像を投影することによって露光処理を行う。
【００４２】
ここで、照明光源装置２は、マスク装置４に設けた可変パターン生成部ＶＰＧに対してほぼ平行な光束を均一に入射させて一様な照明を行うものであり、光源、集光レンズ、コリメートレンズ等からなる照明光学系２１と、照明光学系２１の動作状態を制御する光源制御系２３とを備える。この照明光学系２１は、主制御部８によって動作を制御されており、光源から射出された特定波長の光源光を均一化することによって得た照明光ＩＬを、ほぼ平行で均一な光束として可変パターン生成部ＶＰＧに入射させ、可変パターン生成部ＶＰＧ全体を均一に照明することができる。
【００４３】
なお、照明光学系２１は、波面分割型のケーラー照明とすることもできる。この場合、照明光学系２１は、光源、コリメートレンズ、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッド型インテグレータ、回折素子）、集光レンズ、視野絞り、リレーレンズ等で構成されるが、照明面である可変パターン生成部ＶＰＧの表面が照明光軸に対して傾斜していることを考慮して光学的な設計を行う。このような照明光学系２１では、例えばオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズの各レンズエレメントの後側焦点面に形成された２次光源像から射出される照明光ＩＬを、それぞれ平行光束として重畳した状態で可変パターン生成部ＶＰＧに入射させる。また、フライアイレンズによって形成される２次光源の位置又はその近傍に開口絞りを配置してその開口径を調節することによって、照明条件を決定する重要なファクタであるσ値（投影レンズ６の瞳面の開口ＥＰの径に対するその瞳面上での２次光源像の口径の比）を所望の値に設定することができる。さらには、ズーム光学系を導入することにより、照明条件としてのσ値を高効率のもとで連続的に可変とする事ができる。
【００４４】
マスク装置４は、照明光源装置２によって照明されてステージ装置７に載置したプレートＰＬに投影すべき可変の露光パターンを生成する電子マスク・システムであり、光像形成部である可変パターン生成部ＶＰＧと、可変パターン生成部ＶＰＧを支持するマスクホルダ４１と、可変パターン生成部ＶＰＧの動作状態を制御するマスク制御系４３とを備える。
【００４５】
ここで、可変パターン生成部ＶＰＧは、例えば非発光型画像表示素子であって空間光変調器と呼ばれるデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）からなり、入射光を２次元的に配列された素子単位で反射・偏向して投影レンズ６のある特定方向に導くことによって、投影レンズ６への入射光の強度を空間的に変調することができる。マスクホルダ４１は、可変パターン生成部ＶＰＧを投影レンズ６に対して固定的に保持するものであるが、その際、可変パターン生成部ＶＰＧの投影レンズ６に対する姿勢をアライメントによって調整することができる。すなわち、可変パターン生成部ＶＰＧは、マスクホルダ４１によって基準光軸ＡＸに垂直な面内で２次元的に適宜移動させることができるとともに、基準光軸ＡＸの回りに所望の回転角だけ回転させることができ、或いは基準光軸ＡＸに対してチルトさせることができる。この際、可変パターン生成部ＶＰＧの位置は、マスクホルダ４１に設けたレーザ干渉計等（不図示）によって計測され、マスク制御系４３に出力される。マスク制御系４３は、この計測データに基づいて可変パターン生成部ＶＰＧの位置を調整する。また、マスク制御系４３は、制御部８とともに制御手段を構成し、主制御部８から出力される指令やデータに基づいて可変パターン生成部ＶＰＧに表示動作を行わせることができる。具体的には、可変パターン生成部ＶＰＧに生成すべき画像若しくはパターン情報に基づいて、可変パターン生成部ＶＰＧの表面に２次元マトリックス状に画素単位で配列されている各マイクロミラーの姿勢を、個々のマイクロミラーに設けた駆動部を介して電子的に制御する。これにより、各マイクロミラーは、照明光ＩＬを投影レンズ６の基準光軸ＡＸ方向に導くＯＮ状態と、照明光ＩＬを投影レンズ６の基準光軸ＡＸから外れた非露光光路に導くＯＦＦ状態との間で２値動作し、可変パターン生成部ＶＰＧ全体として所望の反射パターンすなわち露光パターンを生成する。なお、マスク制御系４３は、主制御部８から逐次出力されるパターン情報に基づいて、可変パターン生成部ＶＰＧに生成すべき表示パターンを変化させることができる。これにより、可変パターン生成部ＶＰＧに形成された露光パターンを、ステージ装置７に載置したプレートＰＬの移動に同期して適宜変化させることができる。
【００４６】
投影レンズ（投影光学系）６は、例えば屈折レンズ等の光学素子レンズ系で構成された例えば等倍のテレセントリック光学系からなる投影手段であり、照明光ＩＬによって照明された可変パターン生成部ＶＰＧの像光ＩＭを、被露光面上に配置されたプレートＰＬ上に適当な倍率で投影する。なお、投影光学系６は、屈折光学系に限る事なく、反射屈折光学系、反射光学系で構成する事も可能である。
【００４７】
ステージ装置７は、プレートＰＬをアライメントして支持した状態で投影レンズ６に対して所定速度で移動させるためのものであり、ステージ７１と、ステージ７１の動作状態を制御するステージ駆動系７３とを備える。ステージ７１は、ステージ駆動系７３に駆動されて基準光軸ＡＸに垂直な面内及び基準光軸ＡＸに沿って３次元的に移動し、或いは基準光軸ＡＸに対して適宜傾斜することによって投影レンズ６に対してアライメント可能である。さらに、ステージ７１は、ステージ駆動系７３に駆動されて基準光軸ＡＸに垂直な所定方向（例えば紙面に沿った横方向）に所望の速度で移動させることができ、可変パターン生成部ＶＰＧに生成した表示画像の変化に同期してプレートＰＬを移動させる走査型の露光を可能にする。なお、ステージ７１の位置は、ステージ駆動系７３に設けたレーザ干渉計やフォーカスセンサ等（不図示）によって計測され、主制御部８に出力される。主制御部８は、この位置情報に基づいてステージ駆動系７３に設けたモータ等を駆動してプレートＰＬを目標位置に所望の速度で移動させることができる。
【００４８】
主制御部８は、照明光源装置２、マスク装置４、ステージ装置７等を適当なタイミングで動作させて、プレートＰＬ上の適所に可変パターン生成部ＶＰＧの像を投影させる。この際、主制御部８は、プレートＰＬを適当な速度で移動させつつ、これに同期してマスク制御系４３を介して可変パターン生成部ＶＰＧに形成した露光パターンをスクロールさせることによって、走査型の露光を行う。なお、主制御部８にはハードディスク等の記憶装置が内臓されており、この記憶装置内には露光データファイルが格納されている。露光データファイルには、プレートＰＬの露光を行う上で必要となる処理内容及びその処理順序が記憶されており、これらの処理毎に、所謂レシピデータとして、▲１▼プレートＰＬ上に転写すべきパターン、プレートＰＬに対する露光量等の転写データ、▲２▼プレートＰＬ上に塗布されているレジストに関する情報（例えば、レジストの分光特性）、▲３▼必要となる解像度、▲４▼照明光源装置２の各種特性に関する補正量等の設定値（照明光学特性情報）、▲５▼投影レンズ６の各種特性に関する補正量等の設定値（投影光学特性情報）、及び▲６▼プレートＰＬの平坦性に関する情報等の各種情報が含まれている。なお、上記▲２▼〜▲６▼は、以下で説明する露光条件を構成し、主制御部８は、これらの露光条件に基づいて照明光源装置２、マスク装置４、ステージ装置７等の動作を最適化する。
【００４９】
ここで、プレートＰＬを保持するプレートステージ７１の走査速度をＶ１とし、投影手段すなわち投影光学系６の投影倍率をβとするとき、可変パターン生成部ＶＰＧにて表示される投影パターン走査方向での表示速度Ｖ２は、
Ｖ２＝Ｖ１／β
となる。したがって、投影手段６の倍率が拡大倍率を持つ場合には、可変パターン生成部ＶＰＧの走査方向での表示速度Ｖ２は、ステージ７１の速度Ｖ１より遅くなり、逆に投影手段６の倍率が縮小倍率を持っている場合には、可変パターン生成部ＶＰＧの走査方向での表示速度Ｖ２は、ステージ７１の速度Ｖ１よりも大きくなる。
【００５０】
露光装置１０は、その他の要素として、照明光源装置２から発生する照明光ＩＬの強度を検出するための計測手段である照明光検出装置９１と、マスク装置４から非露光光路に導かれた分岐照明光ＢＬの状態を検出ための検出手段である反射光検出装置９３と、投影レンズ６を経てプレートＰＬ上に投影される露光光ＥＬの照度を検出するための光電検出手段又は計測手段である露光光検出装置９５とを備える。
【００５１】
最初の照明光検出装置９１は、照明光源装置２から射出される照明光ＩＬの一部を分岐する透過性のミラー９１ａと、結像用のレンズ９１ｂと、レンズ９１ｂを経た照明光ＩＬが入射する光量センサユニット９１ｃと、センサインタフェース部９１ｄとを備える。光量センサユニット９１ｃは、１次元センサアレイ等からなり、照明光源装置２から射出される照明光ＩＬの光軸に垂直な方向のうち可変パターン生成部ＶＰＧの走査方向に積算した光量分布や全光量の経時的変化を計測する。なお、光量センサユニット９１ｃによって検出される光量は、可変パターン生成部ＶＰＧの走査方向（Ｙ軸方向）に積算したものであり、このような積算光量分布が走査方向に垂直なＸ軸方向の各位置に対応して計測される。センサインタフェース部９１ｄは、光量センサユニット９１ｃと主制御部８との間に介在して信号処理を行うものであり、主制御部８からの指令信号に応じて、光量センサユニット９１ｃで計測された照明光ＩＬの光量分布や全光量を主制御部８に逐次送信する。
【００５２】
次の反射光検出装置９３は、可変パターン生成部ＶＰＧを構成するＯＦＦ状態のマイクロミラーで反射されて光路外（非露光光路）に射出される分岐照明光ＢＬが入射する光量センサユニット９３ｃと、センサインタフェース部９３ｄとを備える。光量センサユニット９３ｃは、１次元センサアレイ若しくは２次元センサアレイからなり、分岐照明光ＢＬによって形成される非露光パターンを検出するため、可変パターン生成部ＶＰＧを構成する各マイクロミラーの密度に対応する解像度を有する。これにより、各マイクロミラーからの反射強度分布等を個別に計測することができるようになるので、可変パターン生成部ＶＰＧの画素欠陥や動作不良を検出することができ、各マイクロミラーに付着した微細なゴミの影を計測することができる。さらに、各マイクロミラーからの反射率のバラツキ等も計測することができる。センサインタフェース部９３ｄは、光量センサユニット９３ｃと主制御部８との間に介在して信号処理を行うものであり、主制御部８からの指令信号に応じて、光量センサユニット９３ｃで計測された分岐照明光ＢＬの２次元的な強度分布を主制御部８に逐次送信する。なお、光量センサユニット９３ｃによる計測は、原則としてマスク装置４の動作の合間、すなわち可変パターン生成部ＶＰＧによって照明光ＩＬが全て光路外に分岐照明光ＢＬとして射出されるタイミングで行われる。
【００５３】
最後の露光光検出装置９５は、ステージ７１上に固定されて投影レンズ６によって投影される露光光ＥＬを検出する光量センサユニット９５ｃと、センサインタフェース部９５ｄとを備える。光量センサユニット９５ｃは、単一のセンサや１次元センサアレイからなり、ステージ７１及びステージ駆動系７３と協動して基準光軸ＡＸに垂直な面内で移動することによって、投影レンズ６を経た露光光ＥＬの照度を２次元マップ状の計測値として計測することができる。これにより、投影レンズ６によって投影される露光光ＥＬの２次元的な照度分布や全光量の経時的変化を計測することができる。センサインタフェース部９５ｄは、光量センサユニット９５ｃと主制御部８との間に介在して信号処理を行うものであり、主制御部８からの指令信号に応じて、光量センサユニット９５ｃで計測された露光光ＥＬの強度を主制御部８に逐次送信する。なお、光量センサユニット９５ｃによる計測は、例えばステージ７１上にプレートＰＬを載置する露光前の状態で、マスク装置４を全体表示状態、すなわち可変パターン生成部ＶＰＧの全画素をＯＮとして照明光ＩＬが全て投影レンズ６に導かれる状態で行われる。
【００５４】
図２は、マスク装置４に設けた可変パターン生成部ＶＰＧに生成されるパターンＰＡと、プレートＰＬ上に適宜設定した投影領域ＥＡに形成される投影像ＰＩとの関係を概念的に説明する斜視図である。可変パターン生成部ＶＰＧに生成されるパターンＰＡは、投影領域ＥＡ上に反転状態の投影像ＰＩとして投射される。投影領域ＥＡは、プレートＰＬとともにＹ軸方向に一定速度で移動しており、これに伴って、投影像ＰＩが投影領域ＥＡ上で徐々に移動するとともに、パターンＰＡが−Ｙ軸方向に一定速度で同期をとってスクロールされる。図示の場合は、パターンＰＡ中のラインパターン部ＬＰに対応して投影領域ＥＡ内にラインパターンＬＰ’が投射されるが、この場合スクロールによってもパターンＰＡが変化せず、Ｙ軸方向に延びるライン状の露光パターンＥＰが形成される。
【００５５】
図３は、可変パターン生成部ＶＰＧの画素構造を概念的に説明する図である。可変パターン生成部ＶＰＧは、矩形の表示領域ＤＡを有し、この表示領域ＤＡ内にマトリックス状に配列された多数のマイクロミラーＭＭを備える。各マイクロミラーＭＭの背後には、駆動回路が形成されており、各マイクロミラーＭＭの姿勢を個別に制御して表示領域ＤＡの面に平行なＯＦＦ状態と、表示領域ＤＡの面に対して所定の傾斜角を有するＯＮ状態との間で例えば２値のスイッチ動作をする。なお、図３は、可変パターン生成部ＶＰＧを下面から観察した状態を示しており、可変パターン生成部ＶＰＧに形成された露光パターンは、図２に対応させるならば−Ｙ軸方向にスクロールされる。
【００５６】
ここで、表示領域ＤＡは、パターン形成に使用される基本的な第１表示領域である基本領域ＤＡ０（全パターンの必要最低露光量に対応する領域）と、通常パターン形成に使用されない予備的な第２表示領域である予備領域ＤＡ１とからなる。後者の予備領域ＤＡ１は、基本領域ＤＡ０による露光によるだけでは露光量が不足する場合に、これを補償して目標とする露光量を達成するために利用される。よって、予備領域ＤＡ１は、露光量の補正に必要な範囲となっており、走査方向であるＹ軸方向に関して数画素から数十画素分の幅を有し、走査方向に直交するＸ軸方向に関して基本領域ＤＡ０と同一画素数の幅を有する。この予備領域ＤＡ１は、パターンのスクロールに関して後方に位置する。すなわち、予備領域ＤＡ１は、基本領域ＤＡ０のパターン像がプレートＰＬ上で移動した後にプレートＰＬ上の目標点に対応する位置で点灯するようになっており、プレートＰＬ上の目標点の露光量を画素単位で調節することができる。そして、露光量の調節範囲は、予備領域ＤＡ１のＹ軸方向の幅（図３に例示する場合は３画素分）に対応する光量となっている。
【００５７】
図４は、可変パターン生成部ＶＰＧに欠陥画素が存在する場合の対応を例示する。図４（ａ）に示す場合、基本領域ＤＡ０にハッチンングで示す３つの欠陥画素ＤＥが存在し、走査方向であるＹ軸方向に関して最大で２画素分の光量不足が発生する。そこで、図４（ｂ）に示すように、欠陥画素ＤＥが存在する各Ｘ座標位置において、Ｙ軸方向の積算欠陥画素数に対応する２画素又は１画素の追加点灯を、図面上部に設けた予備領域ＤＡ１を利用して実施する。
【００５８】
図５は、図４（ｂ）に対応し、可変パターン生成部ＶＰＧによるパターンのスクロールを説明している。図５（ａ）〜図５（ｈ）は、図番を追ってスクロールの進行を示しており、パターンエッジＥＤの移動（図面上では降下）に伴って予備領域ＤＡ１において最大２画素が先行して点灯し始め、次いで、基本領域ＤＡ０において予備領域ＤＡ１に隣接する上側画素列から徐々に点灯し始めて基本領域ＤＡ０の点灯が完了する。
【００５９】
図６は、予備領域ＤＡ１の役割を説明するグラフである。このグラフにおいて、横軸はＸ軸方向に関する画素位置Ｐｘを示し、縦軸は各画素位置Ｐｘでの照度すなわち各画素位置Ｐｘで期待される露光量を示す。図４（ａ）に示すように予備領域ＤＡ１を活用しないと、図６（ａ）に示すように欠陥画素ＤＥに対応する画素位置で露光量が不足する。一方、図４（ｂ）に示すように予備領域ＤＡ１を活用すると、図６（ｂ）に示すように露光量の不足を解消して均一な露光量を達成することができる。なお、走査方向に存在する画素欠陥の積算数以上に予備領域ＤＡ１の走査方向の幅を確保することが望ましいことが分かるが、予備領域ＤＡ１の幅が画素欠陥の積算数未満である場合は、基本領域ＤＡ０の走査方向に直交する方向の画素列を必要列数だけ予備領域ＤＡ１に切替えることによって、画素欠陥に起因する露光むらを回避することができる。この場合、全体の露光量を減らす必要が生じる場合もある。
【００６０】
図７（ａ）〜図７（ｈ）は、可変パターン生成部ＶＰＧによるパターンのスクロールの変形例を説明する図である。この場合、図５（ａ）〜図５（ｈ）に示すスクロールと異なって、この予備領域ＤＡ１がスクロール方向に関して前方に位置する。よって、パターンエッジＥＤの移動（図面上では上昇）に伴って、基本領域ＤＡ０において下側画素列から徐々に消灯するが、最後に予備領域ＤＡ１において最大２画素が残って点灯を維持する。
【００６１】
図８は、可変パターン生成部ＶＰＧやその周辺にゴミ等の粒子が付着して表示が不完全となる場合の対応を例示する。図８（ａ）に示す場合、基本領域ＤＡ０にハッチンングで示す円形の影ＰＳすなわち遮光（ケラレ）が存在する。この影Ｐは、ゴミ等の粒子が可変パターン生成部ＶＰＧの光路の前後に遮光体として配置・付着されて形成されたものであり、走査方向であるＹ軸方向に関して最大で３画素分の光量不足が発生する。そこで、図８（ｂ）に示すように、影ＰＳが存在する各Ｘ座標位置において、Ｙ軸方向の積算欠陥画素数に対応する１〜３画素の追加点灯を、予備領域ＤＡ１を利用して実施する。つまり、影ＰＳが存在する走査方向に関して予備領域ＤＡ１を追加的に点灯させて光量不足を埋め合わせる。
【００６２】
また、投影レンズに付着したゴミ等の粒子はボケた像となり露光量を減少させるが、上記と同じ考え方で光量不足を修正できる。
【００６３】
図９は、予備領域ＤＡ１の役割を説明する図である。図８（ａ）に示すように予備領域ＤＡ１を活用しないと、図９（ａ）に示すように影ＰＳに対応する画素位置で露光量が不足する。一方、図８（ｂ）に示すように予備領域ＤＡ１を適宜活用すると、図９（ｂ）に示すように露光量の不足を解消して比較的均一な露光量を達成することができる。なお、遮光体の影ＰＳによって露光量の不均一が生じる場合、画素欠陥の場合のように露光量を正確に均一化することは困難あるが、極端な減光によって重大な露光むらが発生することを簡易・確実に防止することができる。また、プレートＰＬ上には可変パターン生成部ＶＰＧの像がそのまま投影されず、光の回折による像のボケが不可避的に生じるので、図９（ｂ）の曲線に示すようなエッジ状の段差は生じない。
【００６４】
図１０は、マスク装置４に入射する照明光ＩＬの輝度分布や、可変パターン生成部ＶＰＧの反射率の不均一によって照度むら延いては露光むらが生じる場合の対応を例示する。図１０（ａ）は、照明光検出装置９１による計測結果に対応するものであり、走査方向に垂直なＸ軸方向に関する各画素位置で照明光ＩＬの光量をＹ軸方向に関して積算した走査光量を例示する。この場合、走査光量は中央側で光量が減少している。図１０（ｂ）は、図３等に示す可変パターン生成部ＶＰＧにおいて予備領域ＤＡ１を使用した場合の効果を説明する図であり、照明光検出装置９１による計測結果を利用して図１０（ａ）に示す露光量の不均一を解消することにより、プレートＰＬ全体に亘って比較的均一な照度分布を実現できることが分かる。
【００６５】
なお、図１０は照明光ＩＬの輝度分布や可変パターン生成部ＶＰＧの反射出力の不均一を補償して均一な照度分布を達成できることについて説明したが、投影レンズ６の透過特性の不均一等に起因してプレートＰＬ上で照度不均一が生じる場合がある。このような場合も、露光光検出装置９５による計測結果を利用して、プレートＰＬ上の照度不均一を相殺するように予備領域ＤＡ１を点灯することによって、図１０（ｂ）の場合と同様にプレートＰＬ全体に亘って比較的均一な照度分布延いては均一な露光を達成できる。
【００６６】
また、図１０の説明では、可変パターン生成部ＶＰＧに設けた予備領域ＤＡ１によって照明光ＩＬや露光光ＥＬの照度の均一性を達成するものと説明しているが、照明光検出装置９１や露光光検出装置９５によって得た照度の絶対値を利用すれば、照明光ＩＬや露光光ＥＬの照度が経時的に変動する場合にも対処することができる。つまり、照明光源装置２等の出力の経時的変動を相殺するように可変パターン生成部ＶＰＧを動作させることができ、露光精度や製品歩留まりを高めることができる。
【００６７】
図１１〜図１３は、線幅と露光量との関係を説明する図である。このうち、図１１は孤立したラインを形成した場合を示し、図１２は孤立スペースを形成した場合を示し、図１３はライン＆スペースのパターンを形成した場合の形成を示す。各グラフにおいて、横軸はプレートＰＬ上の距離（μｍ）を示し、縦軸は線幅２〜３μｍのライン又はスペースのベストフォーカス時における露光量の波動光学的シミュレーションの結果を示す。線幅や間隔（Ｗ：μｍ単位）はグラフの右側に示してある。これらのグラフから明らかなように、微細なラインやライン＆スペースを形成する場合には、太いライン等を形成する場合よりも露光量が不足する傾向があり、これを補うように照明光量を増加させる必要がある。
【００６８】
図１４は、ライン＆スペースのパターンの線幅を変更した場合の最適露光量の変化をシミュレーションした結果を示すグラフである。横軸はライン＆スペースパターンのパターン幅を示し、縦軸はこのようなパターン幅を達成するために最適な露光量を示す（パターン幅１０μｍの最適路光量を１として規格化している）。グラフからも明らかなように、パターン幅が５μｍ以下となると最適露光量が徐々に増大し、１μｍのパターン幅の場合、５μｍのパターン幅の場合に比較して１．５倍程度の露光量を確保する必要がある。
【００６９】
以上の事情から、本実施形態では、プレートＰＬに最終的に露光すべきパターンの線幅や形状に対応して各部の露光量を増減させる微調整によって露光量の最適化を図ることとする。具体的には、露光パターンから波動光学的シミュレーションを行って最適な露光量をプレートＰＬ上の各点について算出し、プレートＰＬ上に露光すべきどのパターンについても露光量の適正化を図ることができる。このような最適露光量は、ライン幅が細い部分では一般的に増大し、ライン幅が太い部分では一般的に減少する。また、最適露光量は、サイズが小さな領域部分では一般的に増大し、サイズが大きな領域部分では一般的に減少する。プレートＰＬ上の各点について算出された露光量は、可変パターン生成部ＶＰＧの表示パターンとそのスクロールに換算されて主制御部８の記憶装置に設けたテーブルに保管される。なお、最適露光量は、転写パターンごとに波動光学的シミュレーションを行って計算する必要はなく、線幅等の形状的要素に基づいて露光量の補正量を設定し予めテーブル等に記憶しておけば、転写パターンの各部の形状的な特性に基づいて近似的な最適露光量を簡易に算定することができる。つまり、対象とするパターン部分の線幅、形状やその寸法、隣接するパターンの種類や間隔等を考慮しつつ、可変パターン生成部ＶＰＧに設けた予備領域ＤＡ１の点灯を調節することにより、多様なパターン部分の露光量を適正な値に設定することができる。
【００７０】
図１５は、転写パターンの形状を考慮して露光量を最適化する方法を説明する図である。ここで、上段の図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、可変パターン生成部ＶＰＧによるパターンのスクロールの初期段階を説明する図である。この場合、図７の場合と同様に予備領域ＤＡ１がスクロール方向に関して前方に位置する。また、この場合、黒いハッチングを施した部分が照明光の当たるライン部分であり、１〜４画素の４種類の幅を有している。また、中段の図１５（ｅ）〜図１５（ｈ）は、可変パターン生成部ＶＰＧによるパターンのスクロールの中間段階を説明する図である。４種類の幅の各パターンは、１画素単位で−Ｙ軸方向に移動している。下段の図１５（ｉ）〜図１５（ｌ）は、可変パターン生成部ＶＰＧによるパターンのスクロールの最終段階を説明する図である。図１５（ｊ）の状態において、４種類のパターンのうち１画素及び２画素幅のパターンは、基本領域ＤＡ０を１画素拡張した予備領域ＤＡ１で点灯している。また、図１５（ｋ）の状態において、２画素幅のパターンは、基本領域ＤＡ０を２画素拡張した予備領域ＤＡ１で点灯しており、図１５（ｌ）の状態において、２画素幅のパターンは、基本領域ＤＡ０を３画素拡張した予備領域ＤＡ１で点灯している。つまり、４画素幅のパターンを基準とすると、２画素幅のパターンは１画素分露光量が多くなっており、１画素幅のパターンは２画素分露光量が多くなっている。このように、線幅に応じて予備領域ＤＡ１で点灯させる走査方向の画素数を調節することによって、各転写パターンの露光量を最適化することができ、パターン転写の精度向上を図ることができる。
【００７１】
以下、図１等に示す第１実施形態に係る露光装置１０の全体的な動作について説明する。パターンが形成された可変パターン生成部ＶＰＧは、照明光学系２１からの照明光ＩＬによって均一に照明される。可変パターン生成部ＶＰＧのパターンで反射された光束は、投影レンズ６を介して、感光性基板であるプレートＰＬ上にマスクパターンの像を形成する。そして、投影レンズ６の光軸すなわち基準光軸ＡＸと直交する平面内においてプレートＰＬをＹ軸方向に走査しつつ、これに同期して可変パターン生成部ＶＰＧに形成したパターンをスクロールすることによって、プレートＰＬの全面に所望のパターンが徐々に露光される。この際、主制御部８は、これとともに調整部を構成するマスク制御系４１を介して、プレートＰＬに最終的に転写すべきパターンの形状等に応じて可変パターン生成部ＶＰＧの予備領域ＤＡ１を点灯させ、各部の露光量を調整して露光量の最適化を図る。また、照明光検出装置９１、反射光検出装置９３、及び露光光検出装置９５の検出結果に基づいて、プレートＰＬ上の照度不均一を相殺するように、可変パターン生成部ＶＰＧの予備領域ＤＡ１を点灯する。これにより、プレートＰＬ全体に亘って比較的均一な照度分布をすることが達成できる。
【００７２】
図１６は、露光装置１０による露光動作の一部を詳細に説明するフローチャートである。
【００７３】
まず、主制御部８では、転写に必要なデータのうち転写パターンのＣＡＤデータを読み出す（ステップＳ１１）。この転写パターンは、最終的にプレートＰＬ上に露光されるパターンに対応する。
【００７４】
次に、主制御部８では、今回のプロセスの露光条件を読み込んで、露光装置１０の基本的動作を決定する（ステップＳ１３）。すなわち、レジスト情報、必要解像度、照明光学特性情報、投影光学特性情報等に基づいて、光源の出力、パターン形成に必要な標準的露光量等の基本的な条件を決定するとともに、可変パターン生成部ＶＰＧに生成するパターンのスクロール速度（表示速度）、プレートＰＬの移動速度等の走査露光用パラメータを決定する。
【００７５】
次に、主制御部８では、転写パターンのＣＡＤデータに基づいて、可変パターン生成部ＶＰＧに形成すべき基本パターンであるマスクパターンを算出する（ステップＳ１５）。このマスクパターンは、走査露光に際してのスクロールを予定したものになっており、時間的なコマ送りとしての表示データとなっている。この際、転写パターンの線幅や各領域の形状、寸法等に応じて最適露光量が算出され、これに応じて予備領域ＤＡ１の点灯数や点灯タイミングが計算され、このようなデータに基づいてマスクパターンが調整される。
【００７６】
次に、主制御部８は、調整部若しくは修正部として、上記ステップＳ１３で得た露光条件に基づいてマスクパターンの修正量を算出して露光条件に適合するマスクパターンを得る（ステップＳ１７）。具体的には、照明光源装置２によって形成される照明光ＩＬのσ値に応じて露光時間を画素単位で調節するべくマスクパターンを修正する（具体的には予備領域ＤＡ１の点灯数を増加させる）。さらに、照明光源装置２によって照明領域にける輝度や照明領域を適宜修正する変形照明（例えば輪帯照明や四極照明等の多極照明）が行われる場合も、その条件に応じて露光時間を画素単位で調節するべくマスクパターンを修正する。
【００７７】
次に、主制御部８は、照明光検出装置９１から得た光量分布に基づいて照明光源装置２から射出される照明光ＩＬの照度分布を計測する（ステップＳ１９）。この場合、可変パターン生成部ＶＰＧの走査方向に積算した光量分布が、これに垂直なＸ軸方向の各位置に対応して計測される。
【００７８】
次に、主制御部８は、反射光検出装置９３の出力に基づいてマスク画像のチェックを行う（ステップＳ２１）。具体的には、可変パターン生成部ＶＰＧをすべてＯＦＦ状態として反射光検出装置９３から得た分岐照明光ＢＬの２次元的な強度分布に基づいて可変パターン生成部ＶＰＧの画素欠陥やゴミの付着等をチェックするとともにその画素位置を特定する。
【００７９】
次に、主制御部８では、露光光検出装置９５の出力に基づいて投影レンズ６を経た露光光ＥＬの照度を２次元マップ状の計測値として計測する（ステップＳ２３）。この際、照明光検出装置９１や可変パターン生成部ＶＰＧの影響を除くため、露光光ＥＬの照度分布から反射光検出装置９３の光量センサユニット９３ｃで得た照度分布に対する差分が算出される。これにより、投影レンズ６等の投影系に起因する照度分布のみを抽出することができる。
【００８０】
次に、主制御部８では、ステップＳ１５，Ｓ１７，Ｓ１９で得た積算光量分布、欠陥位置、照度分布等に基づいて初期補正量を算出する（ステップＳ２５）。この初期補正量は、照明光源装置２、可変パターン生成部ＶＰＧ、投影レンズ６等の特性や欠陥等に起因して従来不可避の誤差要因であるが、本実施形態の露光装置１０では、以下に説明するようにマスクパターンの修正によってこのような誤差要因を回避する。
【００８１】
ここで、積算光量分布に基づく初期補正量の部分は、可変パターン生成部ＶＰＧにおいて走査方向（Ｙ軸方向）に配列された画素に共通する補正量として走査方向の直行方向（Ｘ軸方向）に垂直に配列される画素位置ごとに登録され、可変パターン生成部ＶＰＧの予備領域ＤＡ１を点灯する個数に換算される（図１０参照）。また、欠陥位置に基づく初期補正量の部分も、可変パターン生成部ＶＰＧにおいて欠陥等が投影される走査方向の画素列に共通する補正量として登録され、可変パターン生成部ＶＰＧの予備領域ＤＡ１を点灯する個数に換算される（図４〜図９参照）。一方、照度分布に基づく初期補正量の部分は、露光光検出装置９５による計測結果に基づいて転写パターンの各点において設定され得るものであり、可変パターン生成部ＶＰＧに形成されるパターンのスクロールによる画素単位の移動の各タイミングにおいて設定される。よって、照度分布に基づく初期補正量の部分は、可変パターン生成部ＶＰＧに設けた予備領域ＤＡ１を構成する各画素をスクロールの各タイミングで点灯する個数及び位置に換算される。
【００８２】
次に、主制御部８では、調整部若しくは修正部として、ステップＳ２５で得た初期補正量に基づいてマスクパターンの補正量を算出して初期補正量に対応するマスクパターンを得る（ステップＳ２７）。この初期補正量は、可変パターン生成部ＶＰＧの予備領域ＤＡ１を点灯する個数に相当し、照明光源装置２の照度分布を補償し、可変パターン生成部ＶＰＧに生じた欠陥やゴミの影響を解消し、投影レンズ６等の特性を補償するものとなっている。これにより、最終的にプレートＰＬに形成される転写パターンを高精度で目的の形状及び寸法とすることができる。
【００８３】
次に、主制御部８からの指示に基づいて露光装置１０による走査露光処理が開始される（ステップＳ２９）。すなわち、ステージ７１上にプレートＰＬをアライメントしつつ保持し、照明光学系２１からの照明光ＩＬによって可変パターン生成部ＶＰＧを照明する。その際、主制御部８とともに調整部を構成するマスク制御系４３を介してステップＳ２７で得たマスクパターンを可変パターン生成部ＶＰＧに表示させることによって、プレートＰＬ上に可変パターン生成部ＶＰＧに表示されたパターンの像を投影する。そして、投影レンズ６に対してプレートＰＬをＹ軸方向に走査を開始しつつ、これに同期して可変パターン生成部ＶＰＧに形成したパターンを逆方向にスクロールする。
【００８４】
次に、露光が完了したか否かが判断される（ステップＳ３１）。つまり、ステージ７１上のプレートＰＬ全面に露光が行われ、プレートＰＬの全面にステップＳ１１で取り込んだ転写パターンに対応するパターンが形成されたか否かが判断される。
【００８５】
当初は露光が完了しておらず、ステップＳ３３に進んで照明光源装置２の照度変動が許容値であるか否かが判断される。具体的には、照明光検出装置９１から得た光量分布に基づいて照明光源装置２から射出される照明光ＩＬの照度分布を計測して、この値が当初の値から変動した量を計測する。このような照度分布の変動量は、可変パターン生成部ＶＰＧの走査方向に積算した値として、これに垂直なＸ軸方向の各画素位置に対応して算出され。このようにして得た照度変動は、Ｘ軸方向の画素位置ごとに許容値と比較される。
【００８６】
ステップＳ３３で、照度変動が許容値を越えたと判断された場合、ステップＳ２５で得た初期補正量を変更し、このような変更に対応するマスクパターンを得る（ステップＳ３５）。これにより、照明光学系２１の輝度変動や露光レンズ６１の特性変動等をリアルタイムで補償することができるマスク装置４を提供することができる。
【００８７】
ステップＳ３３で照度変動が許容値内であると判断された場合や、ステップＳ３５でマスクパターンによる補正量を変更した後は、可変パターン生成部ＶＰＧ等において新たな画像の欠陥等が生じたか否かが判断される（ステップＳ３７）。
【００８８】
ステップＳ３７で、新たな画像の欠陥等が生じたと判断された場合、ステップＳ２５で得た初期補正量若しくはステップＳ５で得た補正量を変更し、このような変更に対応するマスクパターンを得る（ステップＳ３９）。これにより、可変パターン生成部ＶＰＧに生じた欠陥やゴミの影響をリアルタイムで解消することができるマスク装置４を提供することができる。
【００８９】
ステップＳ３７で画像欠陥等が存在しないと判断された場合や、ステップＳ３９でマスクパターンによる補正量を変更した後は、ステップＳ３１に戻ってステップＳ３９までの処理を繰返しつつ、露光処理を継続する。一方、ステップＳ３１で露光完了と判断された場合、一連の露光処理を完了して処理を終了する。このようにして最終的にプレートＰＬに形成される転写パターン（潜像やその後の現像によって生成されるパターン）は、目的の形状や寸法となっており、高精度の露光が達成されている。
【００９０】
〔第２実施形態〕
以下、本発明の第２実施形態に係る投影露光方法について説明する。この投影露光方法は、第１実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法である。この場合、ウェハ上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る。
【００９１】
図１７は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、図１７のステップＳ４０において、ウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ４２において、ウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布され、ウェハである感光性基板が準備される。その後、ステップＳ４４において、上記第１実施形態に係る露光装置及び方法を用いることによって、マスク（レチクル）として機能する可変パターン生成部ＶＰＧ上でスクロールされるパターンの像が、走査によって移動するウェハ（図１のプレートＰＬに対応）上に投影レンズ６を介して投影される。これにより、所望の形状を有する露光パターンがウェハに精密に転写される。
【００９２】
その後、ステップＳ４６において、ウェハ上のフォトレジスト層の現像が行われてレジストパターンが形成された後、ステップＳ４８において、ウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、可変パターン生成部ＶＰＧ上に生成される露光パターンに対応する回路パターンが形成されたウェハが準備される。その後、更にウェハを加工した基板上に上側のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細で精密な線幅、間隔等を有する回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【００９３】
〔第３実施形態〕
以下、本発明の第３実施形態に係る投影露光方法について説明する。図１８は、第１実施形態の露光装置を用いて、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を説明するためのフローチャートである。この場合、ガラス基板上に所定のパターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る。
【００９４】
図１８のパターン形成工程（ステップＳ５０）では、第１実施形態の露光装置を用いて、第２実施形態の場合と同様に、可変パターン生成部ＶＰＧ上でスクロールされるパターンをプレートＰＬである感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、プレートＰＬ上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、加工後のプレートＰＬは、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、所定のパターンが形成された基板として、次のカラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）へ移行する。
【００９５】
次のカラーフィルタ形成工程Ｓ５２では、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列され、或いはＲ、Ｇ、Ｂの３本からなるストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。 そして、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）の後に、セル組み立て工程（ステップＳ５４）が実行される。このセル組み立て工程では、パターン形成工程（ステップＳ５０）にて得られた所定パターンを有する基板、及びカラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネルすなわち液晶セルを組み立てる。
【００９６】
セル組み立て工程（ステップＳ５４）では、例えば、パターン形成工程（ステップＳ５０）にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネルを製造する。その後、モジュール組立工程（ステップＳ５６）にて、組み立てられた液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、精密な線幅、間隔等を有する回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
【００９７】
以上、実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、可変パターン生成部ＶＰＧとしてデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いたが、これに代えて、反射型液晶表示素子（ＬＣＤ）、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等の他の空間光変調器を用いることができる。また、可変パターン生成部ＶＰＧに代えて、ＣＲＴ、ＥＬディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ等の自発光型画像表示素子を用いることもできる。この場合、図１に示す照明光源装置２は不要となる。なお、可変パターン生成部ＶＰＧとしてＤＭＤ等の反射型空間光変調器を用いた場合、可変パターン生成部ＶＰＧの画素欠陥やゴミ等を反射光によって直接検出することができるが、透過型空間光変調器や自発光型画像表示素子を用いた場合、画素欠陥やゴミ等を検出するために露光光の光路上に検出器を挿入したり、可変パターン生成部ＶＰＧの近傍であって露光光の光路外からこの可変パターン生成部ＶＰＧの状態を画像的に検出する手段を設けたりすることになる。
【００９８】
また、上記実施形態では、可変パターン生成部ＶＰＧに基本領域ＤＡ０と予備領域ＤＡ１とを設けて、画素欠陥等による減光や照明光ＩＬの照度分布を相殺するように動作さているが、予備領域ＤＡ１を特に設けず、基本領域ＤＡ０のみで画素欠陥等による減光や照明光ＩＬの照度分布を相殺する補正を行うこともできる。
【００９９】
また、上記実施形態では、可変パターン生成部ＶＰＧを構成する各画素の表示領域を増減させることによって露光量を調整しているが、各画素の点灯時間又は表示時間（点灯時間又は表示時間のオンとオフとのデューティ比）を調整することによってプレートＰＬ上の各点における露光量を調整することもできる。さらに、可変パターン生成部ＶＰＧの各画素の透過光量を調整することによっても、プレートＰＬ上の各点における露光量を調整することができる。
【０１００】
また、上記実施形態では、格子状の画素が形成されている可変パターン生成部ＶＰＧを用いているが、このような規則性を持たない可変パターン生成部ＶＰＧを用いることもできる。
【０１０１】
また、上記実施形態では、投影レンズ６に対してプレートＰＬをＹ軸方向に走査しつつ可変パターン生成部ＶＰＧのパターンをスクロールしているが、Ｙ軸方向に走査終了後にプレートＰＬを投影レンズ６に対してＸ軸方向にステップ移動させた後に、プレートＰＬを再度Ｙ軸方向に走査しつつ可変パターン生成部ＶＰＧのパターンをスクロールすることもでき、この場合、広域の露光が可能になる。
【０１０２】
また、上記実施形態では、露光装置が基本的に屈折光学系で構成される場合について説明したが、投影レンズ６等は、すべて等価若しくは類似の機能を有する反射光学系又は反射屈折光学系に置き換えることができる。
【０１０３】
また、上記実施形態では、可変パターン生成部ＶＰＧに設けた予備領域ＤＡ１の画素数が不足して補正限度を超えた場合、転写パターンの形状等に応じて露光量を最適化できない場合や、照度等を均一化することができない場合が生じ得る。このような場合、補正限度を超えたため露光の均一性を規格内に維持できない、或いはパターン形状に応じた露光の適正化が達成されないものとして、主制御部８からオペレータに対する警告が発せられるものとすることができる。なお、全体の光量を抑えても目的の露光量補正をかけたい場合、基本領域ＤＡ０を部分的に露光量補正用の予備領域ＤＡ１に切替える。一方、全体の光量を抑えたくない場合は、露光装置１０の修正を行う。このような露光装置１０の修正とは、空間変調素子である可変パターン生成部ＶＰＧの交換や清掃、照明光源装置２の調整等を意味する。
【０１０４】
また、上記実施形態の説明では、露光部分と非露光部分といった２値的な露光によってプレートＰＬに転写像を形成しているが、通常の露光量の半分程度の露光が必要なハーフドーズと呼ばれる露光が必要な場合もある。この場合、通常の露光領域では、可変パターン生成部ＶＰＧに設けた基本領域ＤＡ０や予備領域ＤＡ１を活用して所望の露光量でパターンの露光を行い、ハーフドーズの領域では、基本領域ＤＡ０の走査方向の画素の点灯数を適宜間引いたり、各画素の反射率や透過率を低減させたり、各画素の点灯時間の比率をを短くしたりすることによって所望の露光量とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】可変パターン生成マスクに形成されるパターンと、プレート上の投影像との関係を説明する斜視図である。
【図３】可変パターン生成部の画素構造を概念的に説明する図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、可変パターン生成部に欠陥画素が存在する場合の対応を例示する図である。
【図５】（ａ）〜（ｈ）は、図４に示す画素欠陥が存在する場合において、可変パターン生成部によるパターンのスクロールを説明する図である。
【図６】可変パターン生成部における予備領域の役割を説明するグラフである。
【図７】（ａ）〜（ｈ）は、可変パターン生成部によるパターンのスクロールの変形例を説明する図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、可変パターン生成部にゴミ等の粒子が付着して表示が不完全となる場合の対応を例示する図である。
【図９】可変パターン生成部における予備領域の役割を説明するグラフである。
【図１０】照度むらや露光むらが生じる場合の対応を例示する図である。
【図１１】孤立ラインの場合の線幅と露光量との関係を説明するグラフである。
【図１２】孤立スペースの場合の線幅と露光量との関係を説明するグラフである。
【図１３】ライン＆スペースの場合の線幅と露光量との関係を説明するグラフである。
【図１４】線幅を変更した場合の最適露光量の変化をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１５】（ａ）〜（ｌ）は、転写パターンの形状を考慮して露光量を最適化する方法を説明する図である。
【図１６】露光装置による露光動作の一部を詳細に説明するフローチャートである。
【図１７】第２実施形態に係るマイクロデバイスとしての半導体デバイスを製造する方法のフローチャートである。
【図１８】第３実施形態に係るマイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法のフローチャートである。
【符号の説明】
２…照明光源装置、 ４…マスク装置、 ６…投影レンズ、 ７…ステージ装置、 １０…露光装置、 ２１…照明光学系、 ２３…光源制御系、 ４１…マスクホルダ、 ４３…マスク制御系、 ６１…露光レンズ、 ７１…ステージ、 ７３…ステージ駆動系、 ９１…照明光検出装置、 ９１ｃ…光量センサユニット、 ９１ｄ…センサインタフェース部、 ９３…反射光検出装置、 ９３ｃ…光量センサユニット、 ９３ｄ…センサインタフェース部、 ９５…露光光検出装置、 ９５ｃ…光量センサユニット、 ９５ｄ…センサインタフェース部、 ＡＸ…基準光軸、 ＢＬ…分岐照明光、 ＤＡ…表示領域、 ＤＡ０…基本領域、 ＤＡ１…予備領域、 ＤＥ…欠陥画素、 ＩＬ…照明光、 ＩＭ…像光、 ＭＭ…マイクロミラー、 ＰＡ…パターン、 ＰＩ…投影像、 ＰＬ…プレート、 ＥＡ…投影領域、 ＰＳ…影、 ＶＰＧ…可変パターン生成部

Claims (26)

1. 複数の表示素子を含み、該複数の表示素子の表示動作によって所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、
   前記パターン形成部における複数の表示素子の表示動作を制御する制御手段と、
   前記パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージとを有し、
   前記制御手段は、前記感光性基板に露光される前記露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、前記感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する前記表示素子の表示動作を調整する調整部を含むことを特徴とする露光装置。
2. 前記調整部は、前記感光性基板に露光される露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、前記パターン形成部により表示される露光パターンを修正する修正部を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 複数の表示素子を含み、該複数の表示素子の表示動作によって所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、
   前記パターン形成部における複数の表示素子の表示動作を制御する制御手段と、
   前記パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージとを有し、
   前記制御手段は、前記感光性基板に露光される露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じて、前記感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する前記表示素子の表示動作を調整する調整部を含むことを特徴とする露光装置。
4. 前記調整部は、前記感光性基板に露光される露光パターンの形状または／および露光パターンの大きさに応じて、前記パターン形成部により表示される露光パターンを修正する修正部を含むことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記ステージは、露光に際して、感光性基板を前記パターン形成部に対して相対的に移動させ、前記パターン形成部は、前記感光性基板の移動に同期して前記露光パターンが移動するように表示することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の露光装置。
6. 前記パターン形成部にて表示された露光パターンを前記感光性基板に投影する投影手段をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の露光装置。
7. 前記調整部は、前記パターン形成部にて表示動作する表示素子の数に応じて前記感光性基板に露光される露光パターンの露光量を調整または露光むらを補正することを特徴とする請求項１または２項に記載の露光装置。
8. 前記修正部は、前記パターン形成部にて表示される露光パターンを変更するために、前記複数の表示素子の表示動作の領域を変更することを特徴とする請求項２または４に記載の露光装置。
9. 前記ステージは、露光に際して、前記パターン形成部に対して感光性基板を走査方向に沿って相対的に移動させるとともに、前記パターン形成部は、前記感光性基板の移動に同期して前記露光パターンが移動するように表示し、
   前記修正部は、前記パターン形成部により表示される露光パターンを修正するために、前記走査方向における前記パターン形成部の表示素子の動作数を調整することを特徴とする請求項２、請求項４、または請求項８の何れか１項に記載の露光装置。
10. 前記パターン形成部は、露光パターンを表示するために複数の表示素子を有する第１表示領域、及び前記表示素子の表示動作を調整するために複数の表示素子を有する第２表示領域を含み、
    前記調整部は、前記第２表示領域を用いることにより、表示素子の表示動作数を調整することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の露光装置。
11. 前記パターン形成部にて表示される露光パターンの状態を検出する検出する検出手段を更に含み、
    前記調整部は、前記検出手段からの検出情報に基づいて、前記表示素子の表示動作を調整することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の露光装置。
12. 前記パターン形成部にて表示される露光パターンに関与する表示素子における露光の寄与度を調整することを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の露光装置。
13. 前記パターン形成部にて表示される露光パターンに関与する表示素子の各々における露光の寄与度を調整することを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の露光装置。
14. 前記パターン形成部にて表示される露光パターンに関与する表示素子の各々から前記感光性基板へ向う光の強度または表示素子各々の表示動作の時間を調整することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の露光装置。
15. 前記パターン形成部を照明する照明装置をさらに含み、前記調整部は、前記パターン形成部を照明する照明むらまたは前記感光性基板に形成される露光パターンの露光むらを補正するように、前記表示素子の表示動作を調整することを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載の露光装置。
16. 前記パターン形成部を照明する照明むらまたは前記感光性基板に形成される露光パターンの露光むらを計測する計測手段をさらに含み、前記計測手段からの情報に基づいて、前記調整部は、前記表示素子の表示動作を調整することを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
17. 前記感光性基板に露光されるパターンの露光量または露光むらを光電的に検出する光電検出装置をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１５の何れか１項に記載の露光装置。
18. 複数の表示素子を含み、該複数の表示素子の表示動作によって所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、
    前記パターン形成部における複数の表示素子の表示動作を制御する制御手段と、
    前記パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージとを有し、
    前記制御手段は、前記感光性基板に露光されるパターンの露光条件に応じて、前記感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する前記表示素子の表示動作を調整する調整部を含むことを特徴とする露光装置。
19. 前記調整部は、前記感光性基板に露光される露光パターンの露光条件に応じて、前記パターン形成部により表示される露光パターンを修正する修正部を含むことを特徴とする請求項１８に記載の露光装置。
20. 複数のマイクロミラーを含み、該複数のマイクロミラーの姿勢調整によって露光光路に沿って所望の露光パターンを形成するパターン形成部と、
    前記パターン形成部における複数のマイクロミラーの姿勢を制御する制御手段と、
    前記パターン形成部により形成された露光パターンを露光するための感光性基板を保持するためのステージと、
    前記パターン形成部における前記複数のマイクロミラーの姿勢調整によって非露光光路に沿って形成される非露光パターンを検出する検出手段とを含むことを特徴とする露光装置。
21. 請求項１乃至請求項２０の何れか１項に記載の露光装置を用いた露光方法において、
    被露光面または被露光面と光学的に共役な位置に配置された前記パターン形成部に露光パターンを表示させる露光パターン表示工程と、
    前記パターン形成部にて表示された露光パターンを前記被露光面に配置された感光性基板に転写する転写工程を含むことを特徴とする露光方法。
22. 複数の表示素子を含むパターン形成部を用いて所望の露光パターンを形成する露光パターン形成工程と、
    感光性基板に露光されるパターンの露光量を調整または露光むらを補正するために、前記感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する前記表示素子の表示動作を調整する調整工程と、
    前記パターン形成部にて表示された露光パターンを前記感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする露光方法。
23. 複数の表示素子を含むパターン形成部を用いて所望の露光パターンを形成する露光パターン形成工程と、
    感光性基板に露光される露光パターン形状または／および露光パターンの大きさに応じて、前記感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する前記表示素子の表示動作を調整する調整工程と、
    前記パターン形成部にて表示された露光パターンを前記感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする露光方法。
24. 複数の表示素子を含むパターン形成部を用いて所望の露光パターンを形成する露光パターン形成工程と、
    感光性基板に露光されるパターンの露光条件に応じて、前記感光性基板に露光されるべき露光パターンの形成に寄与する前記表示素子の表示動作を調整する調整工程と、
    前記パターン形成部にて形成された露光パターンを前記感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする露光方法。
25. 前記調整工程は、前記パターン形成部により形成される露光パターンを修正する修正工程を含むことを特徴とする請求項２２乃至２４の何れか１項に記載の露光方法。
26. 請求項２１乃至２５の何れか１項に記載の露光方法を用いてマイクロデバイスを製造することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。

Images