WO2008061681A2

WO2008061681A2 - Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik

Info

Publication number: WO2008061681A2
Application number: PCT/EP2007/009971
Authority: WO
Inventors: Michael Patra; Markus DEGÜNTHER; Michael Layh; Johannes Wangler; Manfred Maul
Original assignee: Carl Zeiss Smt Ag
Priority date: 2006-11-21
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2008-05-29
Also published as: WO2008061681A3; US20090262324A1

Abstract

Eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage (1) hat ein Beleuchtungssystem (4) mit einer Beleuchtungsoptik (5) zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes in einer Retikelebene (6). Eine Lichtverteilungseinrichtung (12a), die ein Lichtablenkungs-Array (12) aus Einzelelementen umfasst, sowie eine optische Baugruppe (21, 23 bis 26), die die von der Lichtverteilungseinrichtung (12a) in einer ersten Ebene (19) der Beleuchtungsoptik (5) vorgegebene Lichtintensitätsverteilung in eine Beleuchtungswinkelverteilung in der Retikelebene (6) umsetzt, gehört ebenfalls zur Beleuchtungsoptik (5). Eine orts- und zeitaufgelöste Detektionseinrichtung (30) wird nach einer im Lichtweg zwischen dem Lichtablenkungs-Array (12) und der Retikelebene (6) positionierten Auskoppeleinrichtung (17) derart mit ausgekoppeltem Beleuchtungslicht (31) beaufschlagt, dass die Detektionseinrichtung (30) eine der Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene (19) entsprechende Lichtintensitätsverteilung erfasst. Mit der Detektionseinrichtung (30) kann insbesondere mit einer zeitlichen Variation von Einzelelementen oder Gruppen von Einzelelementen deren Einfluss auf die Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene (19) bestimmt werden. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, bei der die Funktion des Lichtablenkungs-Arrays während des Normalbetriebs erfolgt.

Description

Beleuchtungsoptik für die Projektions-Mikrolithografie sowie Mess- und Überwachungsverfahren für eine derartige Beleuchtungsoptik

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die Projektions- Mikrolithografie nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Mess- und ein Überwachungsverfahren für eine derartige Beleuchtungsoptik, eine Mikrolithografϊe-Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Herstellungsverfahren für mikrostruktu- rierte Bauelemente unter Einsatz einer derartigen Mikrolithografie-

Projektionsbelichtungsanlage sowie ein nach diesem Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauelement.

Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art sowie ein diese einset- zendes Beleuchtungssystem als Bestandteil einer Mikrolithografie-

Projektionsbelichtungsanlage sind aus der WO 2005/026 843 A2 bekannt. Dabei setzt sich ein Einstellfehler eines vorgegebenen Beleuchtungsset- tings bei der bekannten Beleuchtungsoptik im Allgemeinen aus zwei wesentlichen Fehleranteilen zusammen. Zum einen kann eine individuelle Fehlstellung eines oder mehrerer Einzelelemente des Lichtablenkungs- Arrays vorliegen. Zum anderen können systematische intrinsische Drifteffekte aller Einzelelemente des Lichtablenkungs-Arrays vorliegen. Die intrinsischen Drifteffekte bei der Vorgabe eines Beleuchtungssettings mit der bekannten Projektionsbelichtungsanlage lassen sich durch eine permanente Neueinstellung der Einzel elemente in Grenzen halten, die in der Regel turnusmäßig erfolgt. Eine solche Neueinstellung wird daher auch als Refresh- Vorgang bezeichnet. Die systematische Fehlstellung einzelner Einzelelemente des Lichtablenkungs-Arrays lässt sich dagegen nicht zuordnen. Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass die Vorgabe der Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene der Beleuchtungsoptik und damit die Funktion des Lichtablenkungs-Arrays überwacht werden kann, wobei eine derartige Überwachung möglichst keine Einschränkungen des Normalbetriebs der Beleuchtungsoptik mit sich bringen soll.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.

Die erfindungsgemäße Detektionseinrichtung gewährleistet eine gleichzeitige (online) Überwachung der vorgegebenen Lichtintensitätsverteilung durch das Lichtablenkungs-Array, ohne dass hierbei in den Beleuchtungs- Strahlengang des Beleuchtungslichts eingegriffen werden muss. Zur Aus- koppeleinrichtung kann insbesondere eine in der Beleuchtungsoptik erforderliche Umlenkeinrichtung für das Beleuchtungslicht herangezogen werden. Eine Änderung in der Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene der Beleuchtungsoptik, die in der Regel eine Pupillenebene der Beleuchtungsoptik darstellt, kann durch die Detektionseinrichtung sicher erfasst werden, so dass eine nicht tolerierbare Abweichung von einer Beleuch- tungssetting- Vorgabe detektiert und auch korrigiert werden kann. Bei der ersten Ebene der Beleuchtungsoptik kann es sich insbesondere um eine letzte Pupillenebene der Beleuchtungsoptik vor der Retikelebene handeln, also um diejenige Ebene, deren Beleuchtungslicht- Intensitäts- beaufschlagung der Beleuchtungswinkelverteilung in der Retikelebene direkt zugeordnet ist. Bei der ersten Ebene der Beleuchtungsoptik handelt es sich also nicht notwendigerweise um eine im Strahlengang des Beleuchtungslichts innerhalb der Beleuchtungsoptik zuerst angeordnete Pupillenebene, sondern im Regelfall um die letzte Pupillenebene der Beleuchtungs- optik vor der Retikelebene. Diese letzte Pupillenebene wird auch als Systempupille oder als Systempupillenebene bezeichnet.

Eine Anordnung der Detektionseinrichtung mit nach Anspruch 2 überein- stimmenden optischen Weglängen vermeidet die Notwendigkeit, die Detektionseinrichtung mit einer Abbildungsoptik zu versehen, da die Strahlformung des Beleuchtungslichts in die erste Ebene der Beleuchtungsoptik automatisch mit genutzt wird.

Eine Steuereinrichtung nach Anspruch 3 ermöglicht es, in Zusammenwirkung mit der Detektionseinrichtung den Einfluss einzelner Einzelelemente oder von vorgegebenen Gruppen von Einzelelementen des Lichtablen- kungs-Arrays zu bestimmen, was zur Optimierung eines vorzugebenden Beleuchtungssettings genutzt werden kann.

Ein Mikrospiegel-Array nach Anspruch 4 ist eine bevorzugte Variante für ein Lichtablenkungs-Array. Ein derartiges Mikrospiegel-Array ist aus der US 7 061 582 B2 bekannt. Alternativ ist es möglich, ein Lichtablenkungs- Array als transmissive Baugruppe auszugestalten.

Kapazitive Aktuatoren oder Piezo-Aktuatoren nach Anspruch 5 gewährleisten eine feine Verstellung, insbesondere Verkippung der Einzelelemente des Lichtablenkungs-Arrays zur feinen Vorgabe einer Lichtintensitätsverteilung.

Eine Ausleserate der Detektionseinrichtung nach Anspruch 6 sorgt für einen zeitaufgelösten Überwachungsbetrieb. - A -

Detektionselemente nach Anspruch 7 erlauben eine für die Überwachung gut geeignete Orts- und Zeitauflösung. Insbesondere können derartige De- tektionselemente mit bevorzugt hohen Ausleseraten betrieben werden.

Eine Beschichtung nach Anspruch 8 erlaubt einen Einsatz von siliziumbasierenden Detektionselementen auch dann, wenn die Wellenlänge des Beleuchtungslichts bzw. der Beleuchtungsstrahlung vom Detektionsele- ment direkt nicht erfasst werden kann. Dies ist beispielsweise dann der Fall, wenn als Beleuchtungslicht UV-Licht, beispielsweise mit einer WeI- lenlänge von 193 nm, zum Einsatz kommt. Die Beschichtung sorgt für eine Umsetzung des Beleuchtungslichts in Detektionslicht in eine für das Detek- tionselement erfassbare Wellenlänge.

Eine Pixelaufteilung nach Anspruch 9 erlaubt eine für die Überwachung der eingestellten Lichtintensitätsverteilung geeignete Ortsauflösung. Auch höhere und an die Ortsauflösung der Bündelbeeinflussung des Beleuchtungslichts angepasste Pixel-Zeilen- und Spaltenzahlen, z. B. 100 Zeilenpixel und 100 Spaltenpixel oder auch noch höhere Pixelzahlen, sind möglich.

Je nach gewünschter Qualität der Überwachung der Vorgabe der Lichtintensitätsverteilung haben sich Ortsauflösungen nach Anspruch 10 als besonders geeignet herausgestellt.

Eine Auskoppeleinrichtung nach Anspruch 11 ist besonders einfach. Wenn ein teildurchlässiger Planspiegel eingesetzt wird, hat die Auskoppeleinrichtung vorteilhaft keinen störenden Einfluss auf die Bündelformung des reflektierten und des durchgelassenen Beleuchtungslichts. Vorzugsweise wird der Detektionseinrichtung nur ein geringer Bruchteil des für die Projektionsbelichtung eingesetzten Beleuchtungslichts zur Verfügung gestellt, zum Beispiel 10 % oder 1 %. Eine vorzugsweise Ausgestaltung des teildurchlässigen Spiegels, wobei die ausgekoppelte Wellenlänge sich von der Nutzwellenlänge unterscheidet, hat den Vorteil, dass für die Detektion kein Nutzlicht eingesetzt zu werden braucht. Idealerweise wird für die Detekti- on Licht einer Wellenlänge ausgekoppelt, das einerseits in seiner Verteilung direkt korreliert zum Licht mit der Nutzwellenlänge ist, andererseits aber effizient von der Detektionseinrichtung erfasst werden kann.

Eine Anordnung der Detektionseinrichtung nach Anspruch 12 erlaubt eine eindeutige Messung der Beleuchtungswinkelverteilung in einer Feldebene der Beleuchtungsoptik.

Ein optisches System nach Anspruch 13 vergrößert die Flexibilität bei der Anordnung des Detektionselements.

Eine Beleuchtungsoptik nach Anspruch 14 vereinfacht den Rückschluss auf eine Intensitätsverteilung in der ersten Ebene der Beleuchtungsoptik von der in der Detektionsebene gemessenen Intensitätsverteilung. Die Intensitätsverteilung in der ersten Ebene ergibt sich dabei als Ergebnis einer direkten Messung der Intensitätsverteilung in der Detektionsebene.

Eine Gestaltung der optischen Baugruppe vor der Detektionsebene nach Anspruch 15 vermeidet die Notwendigkeit, das Messergebnis in der Detektionsebene noch nachzubearbeiten. Dieses Messergebnis erlaubt einen di- rekten Rückschluss auf die Lichtintensitätsverteilung in der letzten Pupillenebene der Beleuchtungsoptik, also in der Systempupillenebene.

Eine Auswerteeinrichtung nach Anspruch 16 ermöglicht eine schnelle Auswertung und bevorzugt auch eine schnelle Darstellung der Messergeb- nisse der Detektionseinrichtung. Eine solche Darstellung kann beispielsweise zweidimensional farbkodiert erfolgen, wobei verschiedenen gemessenen oder ermittelten Intensitäten verschieden Farbwerte zugeordnet werden.

Ein Rechenmodul nach Anspruch 17 erlaubt eine Nachbearbeitung der gemessenen Werte, beispielsweise eine Skalierung oder eine Normierung.

Ein Simulationsmodul nach Anspruch 18 kann optische Komponenten er- setzen, die in einem Nutz- Strahlengang des Beleuchtungslichts vorliegen, nicht aber im Detektions-Strahlengang hin zur Detektionseinrichtung. Im Simulationsmodul können beispielsweise Simulationswerte abgelegt werden, die den optischen Wirkungen einzelner Komponenten der Beleuchtungsoptik entsprechen. Derartige Simulationswerte können beispielsweise über ein Ray-Tracing-Programm berechnet werden. Je nach dem Aufbau der Beleuchtungsoptik kann dann aus den im Simulationsmodul abgelegten Simulationswerten die Wirkung der physikalisch im Detektions- Strahlengang nicht vorhandenen optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik noch ergänzt werden. Beispielsweise kann die optische Wirkung einer im Nutz-Strahlengang, nicht jedoch im Detektions-Strahlengang angeordneten Streuscheibe durch eine entsprechende Faltung des Messergebnisses in der Detektionsebene simuliert werden. Auch zu erwartende Restabsorptionen oder Reflexionsverluste oder Streuverluste von optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik können simuliert werden. Ferner ist es möglich, einen unterschiedlichen Abbildungsmaßstab einer Detektions- optik einerseits und einer Beleuchtungsoptik andererseits zu kompensieren. Eine Signalverbindung nach Anspruch 19 ermöglicht die Einbeziehung von Ablenkungspositionen der Einzelelement, beispielsweise von Kippwinkeln oder von Translations-Positionen, zur Ergänzung des Messergebnisses der Detektionseinrichtung. Die Auswerteeinheit und die Steuereinrichtung für das Lichtablenkungs-Array können in einer gemeinsamen Einheit integriert sein.

Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 20 entsprechen denen, die vorstehend schon unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik erläutert wurden.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Messverfahren unter Einsatz der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik anzugeben.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Messverfahren mit den im Anspruch 21 angegebenen Verfahrensschritten.

Durch dieses Messverfahren ist es möglich, den Einfluss eines Einzelelements oder einer vorgegebenen Gruppe von Einzelelementen auf die Licht- intensitätsverteilung in der ersten Ebene zu ermitteln. Soweit die vom Lichtablenkungs-Array vorgegebene Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene von einer Soll-Intensitätsverteilung abweicht, kann über dieses Messverfahren herausgefunden werden, welche Einzelelemente oder Einzelelement-Gruppen für diese Abweichung verantwortlich sind. Der ermit- telte Einfluss kann dann zur Korrektur der Abweichungen herangezogen werden. Das erfindungsgemäße Messverfahren kann auch zur Überwachung der Lichtintensitätsverteilung herangezogen werden, die in der ersten Ebene der Beleuchtungsoptik vorliegt. Eine Differenzbildung nach Anspruch 22 ist einfach und erlaubt eine saubere Bestimmung des Einflusses des oder der umgestellten Einzelelemente. Hierbei muss natürlich sichergestellt sein, dass die beiden Intensitätsverteilungen, deren Differenz gebildet wird, korrekt normiert sind.

Eine Sollwert-Berechnung nach Anspruch 23 und ein Sollwert- Vergleich nach Anspruch 24 führen zur Möglichkeit einer automatischen Nachstellung der vermessenen Einzelspiegel oder Einzelspiegel-Gruppen, falls diese, zum Beispiel aufgrund von Drifteffekten, zu von den Soll- Vorgaben abweichenden Beiträgen bei der Vorgabe der Lichtintensitäts Verteilung führen.

Ein Messverfahren nach Anspruch 25 erlaubt eine automatische Messung während des Betriebs des Beleuchtungssystems.

Ein Überwachungsverfahren nach Anspruch 26 ermöglicht eine saubere Erfassung der aktuellen Beleuchtungssituation in der Retikelebene. Je nach dem Ergebnis des Vergleichs können bei Bedarf Einstell- oder Wartungsarbeiten an der Beleuchtungsoptik oder an sonstigen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage eingeleitet werden.

Die Vorteile eines Überwachungverfahrens nach Anspruch 27 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit dem Simulationsmodul nach Anspruch 18 bereits erläutert wurden.

Bei einem Überwachungsverfahren nach Anspruch 28 wird insbesondere eine unerwünschte Qualitätsverminderung des Projektionsergebnisses verhindert. Auch eine Beschädigung optischer Komponenten kann so verhindert werden. Ein Überwachungsverfahren nach Anspruch 29 verhindert, dass nicht den Soll- Anforderungen entsprechende Einzelelemente das Projektionsergebnis verschlechtern.

Ein Überwachungsverfahren nach Anspruch 30 erlaubt eine Optimierung einer vorgegebenen Soll-Beleuchtung.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Mikrolithografie- Projektionsbelichtungsanlage mit einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik bzw. einem erfindungsgemäßen Beleuchtungssystem zu schaffen, eine hiermit durchführbares mikrolithografisches B eleuchtungs verfahren sowie ein hierdurch herstellbares Bauelement anzugeben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Mikrolithografie- Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 31, ein Herstellungsverfahren nach Anspruch 32 sowie ein Bauelement nach Anspruch 33.

Vorteile dieser Gegenstände ergeben sich aus den oben in Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik und dem Beleuchtungssystem angegebenen Vorteilen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

Fig. 1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Mikrolithografie-

Projektionsbelichtungsanlage mit einem eine Beleuchtungsoptik aufweisenden Beleuchtungssystem; Fig. 2 vergrößert einen Ausschnitt der Beleuchtungsoptik im Bereich eines Lichtablenkungs-Arrays zur Vorgabe einer Lichtintensitätsverteilung in einer ersten Ebene der Beleuchtungsoptik;

Fig. 3 schematisch eine eindimensionale Intensitätsverteilung in einer Zeile einer Detektionsebene einer orts- und zeitaufgelösten De- tektionseinrichtung, die außerhalb des Projektions-Lichtwegs des Beleuchtungssystems angeordnet ist und eine der Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene entsprechende Lichtintensitäts- Verteilung erfasst, wobei ein Einzelelement des Lichtablenkungs-

Arrays in einer ersten Position vorliegt;

Fig. 4 in einer zu Fig. 3 ähnlichen Darstellung die von der Zeile der De- tektionseinrichtung gemessene Intensitätsverteilung, nachdem das Einzelelement in eine zweite Position umgestellt ist;

Fig. 5 eine Differenz der gemessenen Intensitätsverteilung nach den Fig. 4 und 3;

Fig. 6 schematisch einen Meridionalschnitt durch ein alternatives Beleuchtungssystem einer Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik und einer Variante einer Detektionseinrichtung;

Fig. 7 das Beleuchtungssystem nach Fig. 6 mit einer weiteren Ausführung einer Detektionseinrichtung;

Fig. 8 das Beleuchtungssystem nach Fig. 6 mit einer weiteren Ausführung einer Detektionseinrichtung; und Fig. 9 und 10 schematisch den Einfluss zweier Einzelelemente eines Lich- tablenkungs-Arrays der Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssys- tems nach den Fig. 6 bis 8 in einer Detektionsebene der Detekti- onseinrichtung nach Fig. 8.

Fig. 1 zeigt schematisch eine Mikrolithografie- Projektionsbelichtungsanlage 1. Beleuchtungslicht 2 wird von einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 erzeugt. Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich beispielsweise um einen Excimer-Laser, der das Beleuchtungs- bzw. Projektionslicht 2 mit einer Wellenlänge von 193 nm erzeugt. Nach Austritt aus der Lichtquelle 3 hat das Beleuchtungslicht 2 senkrecht zur Strahlrichtung einen rechteckigen Bündelquerschnitt mit den Abmessungen 20 mm x 20 mm und eine Divergenz von etwa 1 mrad. Ein Beleuchtungssystem 4 der Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst neben der Lichtquelle 3 und einer Lichtbündel-Bereitstellungseinheit, die das Beleuchtungslicht 2 von der Lichtquelle 3 zum Eintritt in das Beleuchtungssetting 4 fuhrt, noch eine Beleuchtungsoptik 5. Mit letzterer wird das Beleuchtungslicht 2 so ge- formt, dass in einer Retikel- bzw. Maskenebene 6 ein Retikel 7 in einem Beleuchtungsfeld mit einer vorgegebenen Beleuchtungswinkelverteilung belichtet wird. Eine Projektionsoptik 8 bildet das Beleuchtungsfeld in der Retikelebene 6 ab auf einen Wafer 9 in einer Waferebene 10. Der Wafer 9 trägt eine licht- bzw. strahlungsempfindliche Schicht, die durch die defi- nierte Belichtung mit dem Beleuchtungslicht 2 so beeinflusst wird, dass durch die Projektion eine auf dem Retikel 7 vorhandene Mikrostruktur in einem durch die Projektionsoptik 8 vorgegebenen Abbildungsverhältnis auf den Wafer 9 übertragen wird, was zur Herstellung mikrostrukturierter Bauteile genutzt wird. Ausgehend von der Lichtquelle 3 wird das Beleuchtungslicht 2 zunächst mit der Bündel-Bereitstellungseinheit, die hier durch einen Umlenkspiegel 11 angedeutet ist, auf ein Lichtablenkungs-Array in Form eines Mikrospie- gel-Arrays 12 abgelenkt. Letzteres ist zusammen mit dem Umlenkspiegel 11 vergrößert im Querschnitt in der Fig. 2 dargestellt. Ein derartiges Mik- rospiegel-Array 12 ist beschrieben in der US 7 061 582 B2. Das Mikro- spiegel-Array 12 ist Bestandteil einer Lichtverteilungseinrichtung 12a der Beleuchtungsoptik 5. Das Mikrospiegel-Array 12 weist eine Vielzahl von Zeilen- und spaltenweise angeordneten Einzelelementen, im Falle des Mik- rospiegel-Arrays 12 also von Einzelspiegeln 13, auf. Das Mikrospiegel- Array 12 hat mehrere 1000 Einzelspiegel 13. Bevorzugt werden Einzel- spiegel- Anzahlen zwischen 4000 und 80000, zum Beispiel 4000, 16000, 40000 oder 80000 Einzelspiegel 13. Es ist auch eine geringere Anzahl von Einzelspiegeln 13 möglich, z. B. weniger als 1000 Einzelspiegel 13. Es können z. B. zwischen 100 und 1000000 Einzelspiegel 13 vorhanden sein. Die Einzelspiegel 13 haben eine Spiegelabmessung (Apertur) von 60 μm x 60 μm. Auch andere Aperturen, zum Beispiel 100 μm x 100 μm oder sogar im Millimeter-Bereich, sind möglich. Auch 100000, 200000 oder 300000 Einzelspiegel 13 sind möglich. Jeder Einzelspiegel 13 ist individuell einem nicht dargestellten kapazitiven Aktuator oder einem Piezo-Aktuator zugeordnet. Mit dem Aktuator lässt sich ein Kippwinkel des Einzelspiegels 13 und damit die Ablenkung des auf diesen Einzelspiegel 13 treffenden Beleuchtungslichts 2 vorgeben. Um einen Winkel des jeweiligen Einzelspie- gels 13 frei im Raum verstellen zu können, sind pro Einzelspiegel 13 zwei unabhängige Aktuatoren vorgesehen, mittels denen der Einzelspiegel 13 um zwei senkrecht aufeinander stehende Kippachsen verkippt werden kann. Das Beleuchtungslicht 2 wird vom Mikrospiegel-Array 12 also in eine der Anzahl der beaufschlagten Einzelspiegel 13 entsprechende Anzahl von Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen 14 aufgeteilt. Die Divergenz der Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen 14 ist kleiner als 6 mrad.

Senkrecht zum abgelenkten Beleuchtungslicht 2 hat das Mikrospiegel- Array 12 eine Erstreckung von zum Beispiel 21 mm x 21 mm. Auch andere Erstreckungen, zum Beispiel von 38 mm x 38 mm oder 55 mm x 55 mm sind möglich. Mit den Einzelspiegeln 13 wird eine maximale Änderung im Ablenkwinkel erreicht, die zwischen 2° und 10° liegt. Zwischen den Extrem-Umlenkpositionen eines Einzelspiegels 13, also zwischen seiner mi- nimalen und maximalen Umlenkposition, ist eine Vielzahl von Zwischen- Umlenkpositionen möglich. Beispielsweise sind 1000 bis 2000 Zwischen- Umlenkpositionen möglich, die über die Kapazität des kapazitiven Aktua- tors, der dem jeweiligen Einzelspiegel 13 zugeordnet ist, vorgebbar einstellbar sind.

Nach dem Mikrospiegel- Array 12 durchtritt das Beleuchtungslicht 2 ein Polarisationsbeeinflussungselement 15. In diesem kann das Beleuchtungslicht 2 depolarisiert werden. Es ist durch Einsatz anderer Polarisationselemente auch möglich, die Polarisationsrichtung des Beleuchtungslichts 2 um einen vorgegebenen Winkel, zum Beispiel um 90°, zu drehen oder andere Polarisationsmodi einzustellen.

Nach dem Polarisationsbeeinflussungselement 15 durchtritt das Beleuchtungslicht 2 eine Optik 16 mit einer Brennweite f (Fourier-Linse) und trifft anschließend auf eine Auskoppeleinrichtung in Form eines teildurchlässigen Spiegels 17. Die Aufweitungsoptik 16 hat eine Brennweite, die größer ist als 250 mm. Insbesondere liegt die Brennweite der Optik 16 zwischen 850 und 1200 mm. Der Hauptanteil des Beleuchtungslichts 2, in der Praxis mehr als 90 %, zum Beispiel 99 %, wird vom teildurchlässigen Spiegel 17 um 90° als Beleuchtungslicht-Hauptanteil 18 umgelenkt. Im Bereich einer ersten Ebene 19 der Beleuchtungsoptik 5, die einer Pupillenebene des Systems oder einer zur Pupillenebene des Systems konjugierten Ebene entspricht, durchtritt der Beleuchtungslicht-Hauptanteil 18 zunächst PS- Elemente 20 und anschließend ein zwei Diffusoren enthaltendes Felddefinierendes Element (FDE) 21. Ein Spot, der von jedem Einzelspiegel 13 des Mikrospiegel- Arrays 12 in der Ebene 19 erzeugt wird, ist wesentlich kleiner als die gesamte Lichtverteilung in der Ebene 19, die als Superposition der Beiträge aller Einzelspiegel 13 erzeugt wird. . Das FDE 21 ist ein opti- sches Array-Element und teilt den durchtretenden Beleuchtungslicht- Hauptanteil 18 in einzelne Kanäle auf. Gleichzeitig erzeugt das FDE 21 über den Querschnitt des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 eine numerische Apertur, mit der durch das nachfolgende Beleuchtungssystem die Form des Beleuchtungsfeldes in der Retikelebene 6 erzeugt wird. Das FDE 21 ist nach Art eines Wabenkondensators ausgebildet. Die einzelnen FDE- Kanäle des FDE 21 , also die Waben, haben in der Ebene senkrecht zur Strahlrichtung des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 eine Erstreckung von 0,5 mm x 0,5 mm. Das FDE hat einen Durchmesser von etwa 125 mm.

Für die Bündelführung des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 nach dem FDE 21 hin zu einer Feldebene 22 der Beleuchtungsoptik 5, die zur Retikelebene 6 optisch konjugiert ist, dient eine Feldlinsengruppe 23. Im Bereich der Feldebene 22 durchtritt der Beleuchtungslicht-Hauptanteil 18 zunächst eine Einstelleinrichtung 24, die dazu dient, eine Beleuchtungsdosis des Be- leuchtungslicht-Hauptanteils 18 auf die lichtempfindliche Schicht des Wa- fers 9 einzustellen und insbesondere zu homogenisieren. Ein Beispiel für die Einstelleinrichtung 24 ist beschrieben in der WO 2005/040 927 A2 der Anmelderin sowie in der hierzu prioritätsbegründenden Anmeldung DE 103 48 513.9. Nach Durchtritt durch die Einstelleinrichtung 24, die auch als Unicom bezeichnet wird, durchtritt der Beleuchtungslicht-Hauptanteil 18 ein Retikelmaskensystem (REMA) 25. Ein um 90° gefaltetes REMA- Objektiv 26 bildet die Feldebene 22 in die Retikelebene 6 ab.

Fig. 1 zeigt auch ein kartesisches xyz-Koordinatensystem. Die x-Richtung verläuft in der Fig. 1 nach rechts. Die y-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 1 in die Zeichenebene hinein und die z-Richtung verläuft in der Fig. 1 nach oben.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist nach Art eines Scanners aufgebaut. Die Scanrichtungen des Retikels 7 einerseits und des Wafers 9 andererseits verlaufen parallel zur y- Achse.

Mit dem Mikrospiegel-Array 12 wird in der Pupillenebene 19 eine Lichtin- tensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 2 vorgegeben. Diese Lichtintensitätsverteilung in der Pupillenebene 19 entspricht einer Beleuchtungswin- kelverteilung in der Retikelebene 6. Die auszuwählende Beleuchtungswinkelverteilung, das sogenannte Beleuchtungssetting, wird über eine zentrale Steuereinrichtung 27 der Projektionsbelichtungsanlage 1 vorgegeben. Hier- zu steht die Steuereinrichtung mit dem Mikrospiegel-Array 12 über eine in der Fig. 1 gestrichelt angedeutete Signalleitung 28 in Verbindung. Bei dem vorgegebenen Beleuchtungssetting kann es sich beispielsweise um ein konventionelles Setting, um ein annulares Setting oder um ein Dipol- bzw. Multipol-Setting handeln.

Neben der Vorgabe eines Beleuchtungssettings dient die Steuereinrichtung 27 auch zu Überwachung des jeweils vorgegebenen Beleuchtungssettings, also zur Kontrolle, ob ein durch das Beleuchtungssystem 4 tatsächlich realisiertes Ist-Beleuchtungssetting tatsächlich mit dem vorgegebenen Soll- Setting übereinstimmt. Hierzu ist die Steuereinrichtung 27 über eine Signalleitung 29 mit einer orts- und zeitaufgelösten Detektionseinrichtung 30 verbunden. Letztere ist im Lichtweg eines vom teildurchlässigen Spiegel 17 durchgelassenen Beleuchtungslicht-Detektionsanteils 31 so angeordnet, dass sie vom Beleuchtungslicht-Detektionsanteil 31 beaufschlagt wird und diesen über seinen kompletten Querschnitt erfasst. Über eine nicht dargestellte optische Anpasseinheit wird der Beleuchtungslicht-Detektionsanteil 31 an die Größe eines Detektionselements der Detektionseinrichtung 30 angepasst. Eine optische Weglänge zwischen einer Detektionsebene 32 der Detektionseinrichtung 30 und dem teildurchlässigen Spiegel 17 einerseits kann mit einer optischen Weglänge zwischen der Auskoppel einrichtung 17 und der Pupillenebene 19 andererseits übereinstimmen. Eine solche Situation ist in der Fig. 1 gezeigt. Sowohl die Ausführung mit der optischen Anpasseinheit als auch die Ausführung mit angepasster optischer Weglänge gewährleistet, dass die Detektionseinrichtung 30 in der Detektionsebene 32 eine Lichtintensitätsverteilung erfasst, die der Lichtintensitätsverteilung in der Pupillenebene 19 entspricht. Alternativ ist es möglich, die Detektionseinrichtung 30 so anzuordnen, dass deren Detektionsebene 32 im Beleuch- tungslicht-Detektionsanteil 31 in einer zur Pupillenebene 19 optisch konju- gierten Ebene liegt. Auch dann wird eine der Lichtintensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 entsprechende Lichtintensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Intensitätsanteils 31 durch die Detektionseinrichtung 30 erfasst.

Beim optisch empfindlichen Detektionselement der Detektionseinrichtung 30 handelt es sich um einen CCD-Chip oder um einen CMOS-Sensor. Das Detektionselement hat mindestens 20 Zeilenpixel und mindestens 20 Spaltenpixel. Eine Ortsauflösung des Detektionselements beträgt 50 μm. Auch andere Ortsauflösungen sind möglich, je nachdem, wie genau die Lichtin- tensitätsverteilung in der Detektionsebene 32 zur Überwachung der Lichtintensitätsverteilung in der Pupillenbene 19 überwacht werden soll. Auch wesentlich weniger empfindliche Ortsauflösungen, zum Beispiel zwischen 50 μm und 500 μm oder im Millimeter-Bereich sind möglich, zum Beispiel einer Ortsauflösung von 5 mm. Die Ortsauflösung des Detektionselements sollte in der Größenordnung der in der Ebene 19 von den Einzelelementen 13 des Mikrospiegel- Arrays 12 erzeugten Spots liegen oder kleiner als diese Spotgröße sein. Die Detektionseinrichtung 30 hat eine Ausleserate des Detektionselements, die größer ist als 100 Hz, insbesondere größer ist als 1 kHz.

Zur Verbesserung der Sensitivität des Detektionselements für die Wellenlänge des Beleuchtungslichts 2 trägt dieses eine UV- Konvertierungsbeschichtung in Form eines Leuchtstoffes, der durch das einfallende Beleuchtungslicht 2 zur Fluoreszenz im für das Detektionsele- ment erfassbaren Wellenlängenbereich anregt.

Unter zusätzlicher Beschreibung der Fig. 3 bis 5 wird am Beispiel eines kapazitiv gesteuerten Mikrospiegel- Arrays 12 nachfolgend ein Messverfah- ren zur Bestimmung des Einflusses eines Einzelspiegel bzw. Einzelelements 13 auf die Lichtintensitätsverteilung in der Pupillenebene 19 der Beleuchtungsoptik 5 beschrieben.

In einem ersten Messzyklus wird die erzeugte Intensitätsverteilung in der Detektionsebene 32 gemessen, wobei das Mikrospiegel-Array 12 in einer Konfiguration vorliegt, in der das zu vermessende Einzelelement, zum Beispiel das in der Fig. 2 als zweiter Einzelspiegel 13 von links dargestellte Einzelelement 13', in einer ersten Position vorliegt. Diese erste Position kann beispielsweise eine Position kurz vor dem Wiederauffrischen der Ka- pazität des kapazitiven Aktuators des Einzelspiegels 13' sein. Ein Beispiel für die bei diesem ersten Messschritt gemessene Intensitätsverteilung I₁ ist in der Fig. 3 gegeben. Hier ist eine Intensitätsverteilung Ij eindimensional in Abhängigkeit von der y-Richtung in der Detektionsebene 32, also in Abhängigkeit von einer Pixelspalte des Detektorelements der Detektion- seinrichtung 30, dargestellt. Es handelt sich hierbei um die zentrale Pixelspalte des Detektionselements, in der eine optische Achse 33 der Beleuchtungsoptik 5 enthaltenden Ebene x=x₀. Das Messergebnis I₁(Y) mit zwei Peaks entspricht einem Schnitt durch ein annulares Setting. Ein ähnliches Messergebnis ergibt sich auch bei einem y- Dipol oder bei einem entsprechend angeordneten Multipol-Beleuchtungssetting. Natürlich werden bei der Detektionseinrichtung 30 alle Pixelspalten ausgelesen, so dass mit dem zusätzlichen Pixelspalten-Informationen zwischen den verschiedenen Be- leuchtungssettings unterschieden werden kann.

Nach dem Messen und Auslesen der Intensitätsverteilung I₁ wird das zu vermessende Einzelelement 13' von der ersten Position in eine in der Fig. 2 gestrichelt dargestellte zweite Position umgestellt. Diese Umstellung ergibt sich durch das Wiederauffrischen (Refresh) der Kapazität des kapazitiven Aktuators des Einzelspiegels 13'. Bei dem Wiederauffrischen handelt es sich um eine Angleichung einer Ist-Kapazität des zugehörigen Aktuators an eine von der Steuereinrichtung 27 vorgegebene Soll-Kapazität. In der Fig. 2 ist diese Umstellung stark übertrieben gestrichelt dargestellt. Tatsächlich ändert sich durch das Wiederauffrischen der Kippwinkel des Einzelele- ments 13' geringer, so dass dies in der Darstellung nach Fig. 2 nicht darstellbar wäre. Aufgrund der Umstellung des Einzelspiegels 13' ändert sich die Richtung des von diesem umgelenkten Beleuchtungslicht- Einzelstrahl 14', der in Fig. 2 gestrichelt dargestellt ist, entsprechend dem Umstell- Kippwinkel. Auch diese Richtungsänderung des Beleuchtungslicht- Einzelstrahls 14' ist in der Fig. 2 stark übertrieben dargestellt.

Nach der Umstellung wird wiederum eine Intensitätsverteilung I₂ in der Detektionsebene 32 mit der Detektionseinrichtung 30 gemessen. Ein Ausschnitt für das Ergebnis dieser Messung ist in der Fig. 4 gezeigt, deren Darstellungsweise derjenigen der Fig. 3 entspricht. Es wird wiederum die Intensität längs der zentralen Pixelspalte (I₂(y) bei x=x₀) dargestellt. Aufgrund der Umstellung des Einzelspiegels 13' ist nun ein Dip 34 im in den Fig. 3 und 4 rechten Peak der Intensitätsverteilung nun beseitigt. Auch eine beim Messergebnis nach Fig. 3 noch vorliegende Intensitäts-Überhöhung 35 in der rechten Flanke des in den Fig. 3 und 4 rechten Peaks der Intensitätsverteilung I(y) ist nun beseitigt, so dass in der Fig. 4 der rechte Peak in seiner Form exakt dem linken Peak entspricht, so dass ein einem Sollwert entsprechendes symmetrisches Setting resultiert.

Die gemessene Intensitätsverteilung I₂ in der Detektionsebene 32 wird e- benfalls ausgelesen. Anschließend wird der Einfluss des zu vermessenen Einzelspiegels 13' aus den beiden Messergebnissen I₁ und I₂ ermittelt. Hierzu wird eine Differenz der beiden Intensitäts-Messergebnisse I₁ und I₂ gebildet. Für die beiden in den Fig. 3 und 4 dargestellten Messergebnisse I₂(y) und I₁Cy) ist eine derartige Differenz I₃(y) = I₂(y) - Ii(y) in der Fig. 5 dargestellt. Aus der Differenzbildung ist deutlich zu sehen, wie der Beitrag des zu vermessenden Einzelspiegels 13' durch die Umstellung von einer Position an der rechten Flanke des rechten Peaks in Zentrum des rechten Peaks gewandert ist. Damit ist der umstellungsbedingte Einfluss des zu vermessenden Einzelspiegels 13' exakt erfasst. Die Empfindlichkeit des Messverfahrens beruht insbesondere darauf, dass wegen der begrenzten Spotgröße des Beleuchtungslicht-Einzelstrahls 14 eines Einzelspiegels 13, welcher auf das Detektionselement der Detektion- seinrichtung 30 fällt, an einem bestimmten Ort des Detektionselements nur eine begrenzte Zahl von Einzelspiegeln 13 zur dort gemessenen Intensität beitragen kann. Da die beitragenden Einzelspiegel 13 im Allgemeinen räumlich voneinander deutlich getrennt sind, können sie in ihrem Einfluss auf den detektierten Messwert über die Zeitauflösung des Detektionselements diskriminiert und zugeordnet werden. Die Anzahl der zum Messer- gebnis an einem Detektionsort beitragenden Einzelspiegel 13 ergibt sich in etwa aus dem Verhältnis der Gesamtzahl der Einzelspiegel 13 des Mikro- spiegel-Arrays 12 zur Zahl der Pixel des ortsauflösenden Detektionselements.

Aus dem hieraus ermittelten Einfluss des zu vermessenden Einzelspiegels 13' kann nun ein Positions-Sollwert für den zu vermessenden Einzelspiegel 13' errechnet und mit einem aktuell in der Steuereinrichtung 27 abgelegten Positions- Sollwerten verglichen werden. Der mittels der Messergebnisse errechnete Positions-Sollwert ist der, bei dem eine Intensitätsverteilung in der Positionsebene 32 und damit in der Pupillenebene 19 mit der geringsten Abweichung einer Soll-Intensitätsverteilung entspricht. Aufgrund von Drifteffekten kann dieser aus der Messung ermittelte Positions-Sollwert vom in der Steuereinrichtung für den zu vermessenden Einzelspiegel 13' abgelegten Positions-Sollwert abweichen. Durch Bestimmung dieser Ab- weichung mit Hilfe der vorstehend beschriebenen Intensitätsmessung mit zwischengeschalteter Umstellung des zu vermessenden Einzelspiegels 13' kann nun eine neue Sollwert- Vorgabe durch die Steuereinrichtung 27 erfolgen, so dass das mit dem Beleuchtungssystem 4 aktuell realisierte Be- leuchtungssetting möglichst gut dem vorgegebenen Beleuchtungssetting entspricht. Es resultiert eine exakte Vorgabe des Beleuchtungssettings, die auch unvermeidliche Drifteffekte, zum Beispiel thermische Drifts der Lichtquelle 3 oder der Beleuchtungsoptik 5 oder kapazitive Drifts der Ak- tuatoren des Mikrospiegel-Arrays 12, mit berücksichtigt. Im beschriebenen Beispiel wird der Refresh- Vorgang dazu benutzt, über eine zeitliche Diskriminierung den Beitrag eines Einzelspiegels 13 zu identifizieren. Falls die Lichtablenkungseinrichtung, also das Mikrospiegel-Array 12, keinen Refreshvorgang benötigt, kann über eine gezielt eingebrachte Variation der Aktuatoren der Einzelspiegel 13 die Position der Einzelspiegel 13 entspre- chend festgestellt und korrigiert werden.

Anstelle der Umstellung eines einzelnen zu vermessenden Einzelspiegels 13' kann zwischen den Messungen, für die Intensitätsbeispiele in den Fig. 3 und 4 angegeben sind, auch eine Umstellung einer vorgegebenen, zu vermessenden Gruppe 13" von Einzel elementen erfolgen. Eine derartige Gruppe 13" ist beispielhaft in der Fig. 2 dargestellt. Bei der Gruppe handelt es sich insbesondere um diejenige, bei der aufgrund eines notwendigen Wiederauffrischungs-Zyklus der zugehörigen kapazitiven Aktuatoren die nächste Wiederauffrischung fällig ist. Auf diese Weise kann die Vermes- sung der Einzelspiegelbeiträge zur in der Pupillenebene 19 vorgegebenen Lichtintensitäts Verteilung online während des Normalbetriebes der Projek- tionsbelichtungsanlage 1 erfolgen. Die Ausleserate der Detektionseinrich- tung 30 entspricht dann der Wiederauffrischungsrate des Mikrospiegel- Arrays 12. Wenn die Wiederauffrischungsrate der Repetitionsrate der Lichtquelle 3 folgt, die in der Regel im kHz-Bereich liegt, hat die Detekti- onseinrichtung 30 eine ebenfalls im kHz-Bereich liegende und mit der Wiederauffrischungsrate synchronisierte Ausleserate. Aufgrund der kHz- Ausleserate ergibt sich eine entsprechende Zeitauflösung der Detektion- seinrichtung 30 im ms-Bereich. Altemativ zu einer Wiederauffrischungs-Umstellung ist es zu einer Bestimmung eines Einzelspiegel-Beitrages oder eines Beitrags einer vorgegebenen Gruppe von Einzelspiegeln des Mikrospiegel-Arrays 12 möglich, die zu vermessenden Einzelspiegel so umzustellen, dass sie vor oder nach der Umstellung keinen Beitrag zur Intensität in der Detektionsebene 32 liefern. Dies kann in Fällen, wo der Einfluss der zu vermessenden Einzelspiegel nur sehr gering von einem Sollwert abweicht, zu einer Verbesserung der Messgenauigkeit fuhren.

Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung eines Beleuchtungssystems einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage. Komponenten dieses Beleuchtungssystems, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 5 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Dargestellt sind in der Fig. 6 ausschließlich die Komponenten einer Projek- tionsbelichtungsanlage, die zum Beleuchtungssystem 4 gehören. Es ist also der Lichtweg des Beleuchtungslichts 2 ausgehend von der Lichtquelle 3 bis hin zur Retikelebene 6 dargestellt.

Von der Beleuchtungsoptik 5 sind in der Fig. 6 neben dem Mikrospiegel- Array 12 schematisch lediglich einige als Linsen angedeutete optische Komponenten wiedergegeben. Es ist klar, dass es sich bei der Beleuch- tungsoptik 5 der Ausführung nach Fig. 6 auch um eine katadioptrische oder katoptrische Optik handeln kann.

Dem Mikrospiegel-Array 12 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 2 nachgeordnet ist ein 45°- Auskoppelspiegel 36. Der Auskoppelspiegel 36 stellt wiederum ein Beispiel für eine Auskoppeleinrichtung dar. Die Funktion des Auskoppelspiegels 36 entspricht derjenigen des teildurchlässigen Spiegels 17 der Ausführung nach den Fig. 1 bis 5. Der Detektionsanteil 31 wird vom Auskoppelspiegel 36 um 90° zur optischen Achse 33 aus dem einfallenden Beleuchtungslicht 2 ausgekoppelt. Der Beleuchtungslicht- Hauptanteil 18 durchtritt den Auskoppelspiegel 36. Das Intensitätsverhältnis des Detektionsanteils 31 zum Hauptanteil 18 des Beleuchtungslichts 2 kann 0,1%, 1%, 2% oder auch 10% betragen. Vorzugsweise werden weniger als 5% des Beleuchtungslichts 2 ausgekoppelt. Im Strahlengang des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 dem Auskoppelspiegel 36 nachgeordnet kann zunächst eine Streuscheibe 37 vorgesehen sein. Eine derartige Streuscheibe ist jedoch nicht bei allen Ausführungen der Beleuchtungsoptik 5 nach Fig. 6 vorgesehen, weswegen die Streuscheibe 37 in der Fig. 6 gestrichelt dargestellt ist. Im nachfolgenden Strahlengang vor einer ersten Pupillenebene 38 der Beleuchtungsoptik 5 ist eine als Linse angedeutete optische Komponente 39 angeordnet. Zwischen der ersten Pupillenebene 38 und einer nachgeordneten zweiten Pupillenebene 40 der Beleuchtungsoptik 5 nach Fig. 6 sind zwei weitere, ebenfalls als Linsen angedeutete optische Komponenten 41, 42 angeordnet. Zwischen der zweiten Pupil- lenebene 40 und einer letzten Pupillenebene 43 der Beleuchtungsoptik 5 nach Fig. 6 vor der Retikelebene 6 ist eine in der Fig. 6 lediglich angedeutete Übertragungsoptik 44 angeordnet. Eine weitere Übertragungsoptik zwischen der letzten Pupillenebene 43 und der Retikelebene 6 ist in der Fig. 6 durch eine ebenfalls als Linse angedeutete optische Komponente 45 wiedergegeben.

Mit einer Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 2 in der letzten Pupillenebene 43 direkt korreliert ist eine Beleuchtungswinkelverteilung des Beleuchtungslichts 2 in der Retikelebene 6. Die letzte Pupillenebene 43 wird daher auch als Systempupille oder als Systempupillenebene bezeichnet.

In der Detektionsebene 32 der Ausfuhrung nach Fig. 6 ist die Detektion- seinrichtung 30 angeordnet. Zwischen den Auskoppelspiegel 36 und der Detektionseinrichtung 30 kann bei der Ausfuhrung nach Fig. 6 eine optische Baugruppe 46 angeordnet sein, die genauso aufgebaut ist, wie eine optische Baugruppe zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der ersten Pupillenebene 38. Dies ist in der Fig. 6 durch eine gestrichelte optische Komponente 46 im Beleuchtungslicht-Detektionsanteil 31 zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der Detektionseinrichtung 30 angedeutet. Die Detektionseinrichtung 30 ist vom Auskoppelspiegel 36 so beabstandet, dass die Detektionsebene 32 der ersten Pupillenebene 38 entspricht. Mit der Detektionseinrichtung 30 kann in der Detektionsebene 32 daher die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 12 in der ersten Pupillenebene 38 vermessen werden, was einen direkten Rückschluss auf die Beleuchtungswinkelverteilung in der Retikelebene 6 bietet.

Mit der Detektionseinrichtung 30 über eine Signalleitung 47 verbunden ist eine Auswerteeinrichtung 48 zur Auswertung von Messergebnissen der Detektionseinrichtung 30. Die Auswerteeinrichtung 48 ist mit der Steuereinrichtung 27 zu einer elektronischen Einheit integriert. Zur Auswerteeinrichtung 48 gehören weiterhin ein Rechenmodul 49 zur Nachbearbeitung der Messergebnisse der Detektionseinrichtung 30 sowie ein Simulations- modul 50. Das Simulationsmodul 50 dient zur zumindest teilweisen Simulation einer die optischen Komponenten 37, 39, 41, 42, 44 aufweisenden optischen Baugruppe 51 zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der letzten Pupillenebene 43. Hierdurch kann der Rückschluss auf die Beleuchtungswinkelverteilung in der Retikelebene 6 aus dem Messergebnis der Detektionseinrichtung 30 in der Detektionsebene 32 durch Einbeziehung der optischen Wirkungen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5, die der ersten Pupillenebene 38 nachgeordnet sind, noch verbessert werden, wie nachfolgend erläutert wird:

Für den in der Fig. 6 mit der gestrichelten optischen Komponente 46 angedeuteten Fall, bei der die Optik zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der Detektionseinrichtung 30, ggf. durch Einsatz einer der Streuscheibe 37 entsprechenden, in der Fig. 6 nicht dargestellten Streuscheibe zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der optischen Komponente 46, der Beleuchtungsoptik 5 zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der ersten Pupillenebene 38 entspricht, reicht es aus, wenn das Simulationsmodul 51 die Beleuchtungsoptik 5 zwischen der ersten Pupillenebene 38 und der letzten Pupillenebene 43 simuliert. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, dass durch eine Kalibriermessung eine Übertragungsfunktion der Intensitätsverteilung von der ersten Pupillenebene 38 hin zur letzten Pupillenebene 43 bestimmt wird, wobei das Messergebnis der Detektionseinrichtung 30 im Simulationsmodul 50 unter Einbeziehung dieser Übertragungsfunktion dann noch nachbearbeitet wird. Im Simulationsmodul 50 erfolgt also eine gerechnete Simulation der optischen Wirkung der optischen Komponenten 41, 42 einerseits und der Übertragungsoptik 44 andererseits.

Innerhalb der Auswerteeinrichtung 48 können das Rechenmodul 49 einerseits und das Simulationsmodul 50 andererseits mit der Steuereinrichtung 27 in Signalverbindung stehen; dies ist jedoch nicht zwingend.

Zur Überwachung der Lichtintensitätsverteilung in der ersten Pupillenebene 38 der Beleuchtungsoptik 5 wird folgendermaßen vorgegangen: Die Detektionseinrichtung 30 misst während des Betriebs des Beleuchtungssys- tems 4 die Intensitätsverteilung in der Detektionsebene 32. Anschließend wird die so ermittelte, in diesem Fall also gemessene, Ist-Lichtintensitätsverteilung mit einer vorgegebenen Soll-Lichtintensitätsverteilung verglichen. Falls der Vergleich zwischen Ist-Lichtintensitätsverteilung und SoIl- Lichtintensitätsverteilung ergibt, dass sich diese voneinander um mehr als einen vorgegebenen Toleranzwert unterscheiden, wird der Betrieb der Pro- jektionsbelichtungsanlage, zu der das Beleuchtungssystem 4 nach Fig. 6 gehört, unterbrochen. Der Toleranzwert und die Soll- Lichtintensitätsverteilung sind in einem Speicher der Auswerteeinrichtung 48 abgelegt.

Anstelle eines direkten Vergleichs der gemessenen Ist- Lichtintensitätsverteilung mit der Soll-Lichtintensitätsverteilung kann die gemessene Ist-Lichtintensitätsverteilung auch in eine ermittelte Ist- Lichtintensitätsverteilung umgewandelt werden, die dann mit einer vorgegebenen Soll-Lichtintensitätsverteilung verglichen wird. Die ermittelte Ist- Lichtintensitätsverteilung kann beispielsweise durch Umrechnung der gemessenen Intensitätsverteilung mit Simulationswerten im Simulationsmodul 50 erfolgen. Hierzu sind im Simulationsmodul 50 Simulationswerte abgelegt, die beispielsweise der optischen Wirkung der optischen Komponenten 41, 42 sowie 44 entsprechen. Derartige Simulationswerte können beispielsweise mithilfe eines Ray-Tracing-Programms gewonnen werden.

Die ermittelte Ist-Lichtintensitäts Verteilung kann zudem durch Umrech- nung der gemessenen Intensitäts Verteilung mit einer vom Simulationsmodul 50 bereitgestellten alternativen oder zusätzlichen Nachbearbeitungsfunktion erfolgen. Beispielsweise kann die Wirkung der optionalen Streuscheibe 37 durch eine mathematische Faltung der gemessenen Lichtintensitätsverteilung mit einem die Streuscheibe nachbildenden Faltungskern nachgebildet werden. Die so ermittelte Ist-Lichtintensitätsverteilung wird dann mit einer Soll-Lichtintensitätsverteilung in der letzten Pupillenebene 43 verglichen.

Wie vorstehend im Zusammenhang der Ausfuhrung nach den Fig. 1 bis 5 erläutert, kann mithilfe der Detektionseinrichtung 30 auch bei der Ausführung nach Fig. 6 der Einfluss eines Einzelspiegels des Mikrospiegel-Arrays 12 erfasst werden. Im Rahmen des Überwachungsverfahrens werden Einzelelemente des Mikrospiegel-Arrays 12 der Ausfuhrung nach Fig. 6, deren ermittelter Einfluss sich von einem Soll-Einfluss um mehr als einen vorgegebenen Toleranzwert unterscheidet, nicht weiter zur Erzeugung der Lichtintensitätsverteilung beispielsweise in der ersten Pupillenebene 38 benutzt. Auch der Toleranzwert der jeweiligen Einzelelemente ist in der Auswerteeinrichtung 48 in einem Speicher abgelegt.

Im Rahmen des Überwachungsverfahrens kann alternativ oder zusätzlich eine Beaufschlagung von Einzelspiegeln des Mikrospiegel-Arrays 12, deren ermittelter Einfluss sich vom Soll-Einfluss um mehr als den vorgegebenen Toleranzwert unterscheidet, durch eine Beaufschlagung durch ande- re Einzelelemente, deren Einfluss sich vom Soll-Einfluss um nicht mehr als den vorgegebenen Toleranzwert unterscheidet, ersetzt. Im Rahmen des Überwachungsverfahrens kann beispielsweise erkannt werden, dass bestimmte Einzelspiegel eine geringere Reflektivität als andere Einzelspiegel aufweisen. Dort, wo in der letzten Pupillenebene 43 eine hohe Lichtintensi- tat vorliegen muss, muss gewährleistet sein, dass diese hohe Lichtintensität über eine Beaufschlagung durch Einzelspiegel des Mikrospiegel-Arrays 12 mit hoher Reflektivität erzeugt wird. Falls beispielsweise einzelne der hierfür eingesetzten Einzelspiegel in ihrer Reflektivität nachlassen, kann die Auswerteeinrichtung 48 eine Umgruppierung der zur Schaffung der Inten- sitätsverteilung in der letzten Pupillenebene 43 verantwortlichen Einzelspiegel derart veranlassen, dass diese Einzelspiegel mit geringerer Reflek- tivität durch andere Einzelspiegel mit höherer Reflektivität ersetzt werden. Hierzu steht die Auswerteeinrichtung 48 mit der Steuereinrichtung 27 zur Ansteuerung des Mikrospiegel-Arrays 12 in Signalverbindung.

Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführung eines Beleuchtungssystems 4 für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend schon unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 6 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Bei der Ausführung nach Fig. 7 ist ein genaues Duplikat der optischen Baugruppe 51 der Beleuchtungsoptik 5 zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der letzten Pupillenebene 43 vorhanden. Dieses Duplikat wird nachfolgend als Duplikat-Baugruppe 52 bezeichnet. Die Duplikat-Baugruppe 52 ist zwischen dem Auskoppelspiegel 36 und der Detektionseinrichtung 30 angeordnet. Im Unterschied zur Ausführung nach Fig. 6 ist bei der optischen Baugruppe 51 nach Fig. 7 die optionale Streuscheibe 37 weggelas- sen. Auch die Duplikat-Baugruppe 52 hat dann keine derartige Streuscheibe. Der Abstand der einzelnen optischen Komponenten der Duplikat- Baugruppe 52 zueinander und zum Auskoppelspiegel 36 entspricht den entsprechenden Abständen der optischen Baugruppe 51. Die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts im Beleuchtungslicht-Detektionsanteil 31 ist daher exakt die gleiche wie die Intensitäts Verteilung des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 in der letzten Pupillenebene 43. Auf diese Weise kann die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 2 in der letzten Pupillenebene 43, also in der Systempupille, mit der Detektionseinrichtung 30 vermessen und überwacht werden, ohne dass es einer Umrechnung bzw. Komponentensimulation zur Ermittlung einer einem Vergleich mit einer Soll-Lichtintensitätsverteilung zugänglichen Ist-Lichtintensitätsverteilung bedarf. Bei der Ausfuhrung nach Fig. 7 ist daher ein Simulationsmodul nicht erforderlich.

Fig. 8 zeigt eine weitere Ausführung eines Beleuchtungssystems 4 einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 7 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und wer- den nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Im Unterschied zur Anordnung nach Fig. 6 ist bei der Ausführung nach Fig. 8 eine Detektionsebene 53 der Detektionseinrichtung 30 weiter vom Auskoppelspiegel 36 beabstandet, als dies bei der Detektionsebene 32 bei der Ausführung nach Fig. 6 der Fall ist. Die Detektionsebene 53 ist daher von einer Pupillenebene 54 im Strahlengang des Beleuchtungslicht- Detektionsanteils 31, die der ersten Pupillenebene 38 im Strahlengang des Beleuchtungslicht-Hauptanteils 18 entspricht, beabstandet. Die Detektionsebene 53 liegt im Strahlengang des Beleuchtungs-Detektionsanteils 31 zwischen einer Pupillenebene und einer Feldebene.

Aus dem in der Detektionsebene 53 von der Detektionseinrichtung 30 gemessenen Messergebnis kann ohne weitere Informationen nicht auf die Intensitätsverteilung in der Systempupillenebene 43 rückgeschlossen wer- den. Dies wird nachfolgend anhand der Fig. 9 und 10 verdeutlicht, die Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen 14a, 14b bei unterschiedlichen Stell winkeln zweier Einzelspiegel 13a, 13b des Mikrospiegel-Arrays 12 der Ausführung nach Fig. 8 darstellen. Bei den Darstellungen der Fig. 9 und 10 ist die Faltung der Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen durch den Auskoppelspiegel nicht dargestellt. Bei der Stellung der Einzelspiegel 13a, 13b kreuzen sich die Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen 14a, 14b vor der Detektionsebene 53. Bei der Spiegelstellung der Einzelspiegel 13a, 13b nach Fig. 10 liegt eine derartige Kreuzung nicht vor.

Der Abstand der Auftreffpunkte der Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen 14a, 14b auf eine der Detektionsebene 53 nachgelagerten Pupillenebene 54, die zur Systempupillenebene 43 optisch konjugiert ist, ist bei beiden Konfigurationen der Einzelspiegel 13a, 13b nach den Fig. 9 und 10 identisch. Im Bereich der Detektionsebene 53 ist der Abstand der Beleuchtungslicht- Einzelstrahlen 14a, 14b zueinander bei den Stellungen der Einzelspiegel 13a, 13b nach Fig. 9 einerseits und nach Fig. 10 andererseits hingegen unterschiedlich. Obwohl die Detektionseinrichtung 30 daher in der Detektionsebene 53 unterschiedliche Messergebnisse liefert, kann, gleiche Intensitä- ten der Beleuchtungslicht-Einzelstrahlen 14a, 14b vorausgesetzt, die gleiche Intensitätsverteilung durch diese Einzelstrahlen 14a, 14b in der Pupillenebene 54 resultieren. Um aus der Messung in der Detektionsebene 53 die Intensitätsverteilung in der Pupillenebene 54 und damit ein Maß für die Identitätsverteilung des Beleuchtungslichts 2 in der Systempupillenebene 43 zu ermitteln, benötigt die Detektionseinrichtung 30 nach Fig. 8 daher zusätzlich Informationen zur Stellung der jeweiligen Einzelspiegel 13, also beispielsweise der Einzelspiegel 13a und 13b. Wenn diese Informationen zu den Spiegelstellungen vorliegen, kann die Detektionseinrichtung 30 nach Fig. 8 aus dem in der Detektionsebene 53 aufgenommenen Messer- gebnis die Intensitätsverteilung in der Pupillenebene 54 und damit entsprechend auch in der Systempupillenebene 43 ermitteln.

Claims

Patentansprüche

1. Beleuchtungsoptik (5) für die Projektions-Mikrolithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes in einer Retikelebene (6) - mit einer Lichtverteilungseinrichtung (12a), die mindestens ein von

Beleuchtungslicht (2) einer Lichtquelle (3) beaufschlagbares Lich- tablenkungs-Array (12) aus örtlich verteilt angeordneten Einzelelementen (13) umfasst, die individuell mit zugeordneten Aktuatoren zur Erzeugung einer Lichtintensitätsverteilung in einer ersten Ebene (19) der Beleuchtungsoptik (5) zusammenwirken,

- mit mindestens einer optischen Baugruppe (21, 23, 24, 25, 26), die die Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene (19) in eine Beleuchtungswinkelverteilung in der Retikelebene (6) umsetzt, gekennzeichnet durch - eine orts- und zeitaufgelöste Detektionseinrichtung (30), die nach einer im Lichtweg zwischen dem Lichtablenkungs-Array (12) und der Retikelebene (6) positionierten Auskoppel einrichtung (17) derart angeordnet ist, dass sie über die Auskoppeleinrichtung (17) mit ausgekoppeltem Beleuchtungslicht (31) beaufschlagt wird, - wobei die Anordnung der Detektionseinrichtung (30) derart ist, dass sie eine der Lichtintensitätsverteilung in der ersten Ebene (19) entsprechende Lichtintensitäts Verteilung (I], I₂) erfasst.

2. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine optische Weglänge zwischen einer Detektionsebene (32) der Detektionseinrichtung (30) und der Auskoppeleinrichtung (17) mit einer optischen Weglänge zwischen der Auskoppel einrichtung (17) und der ersten Ebene (19) oder einer zur ersten Ebene (19) optisch konjugierten Ebene übereinstimmt.

3. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine mit den Aktuatoren zusammenwirkende Steuereinrichtung (27) mit der die Einzelelemente (13') des Lichtablenkungs-Arrays (12) oder vorgegebene Gruppen (13") von Einzelelementen (13) aus einer ersten

Position in eine zweite Position verlagert werden können.

4. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch ein Mikrospiegel-Array als Lichtablenkungs-Array (12).

5. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch kapazitive Aktuatoren oder Piezo- Aktuatoren, die mit den Einzelelementen des Lichtablenkungs-Arrays (12) zusammenwirken.

6. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine Detektionseinrichtung (30) mit einer Ausleserate, die größer ist als 100 Hz, insbesondere größer ist als 1 kHz.

7. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge- kennzeichnet, dass die Detektionseinrichtung (30) einen CCD-Chip oder einen CMOS-Sensor als Detektionselement aufweist.

8. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Detektionselement eine Beschichtung trägt, die einfallendes Be- leuchtungslicht in Detektionslicht einer Wellenlänge umwandelt, die für das Detektionselement erfassbar ist.

9. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Detektionselement der Detektionseinrichtung mindestens 20 Zeilenpixel und mindestens 20 Spaltenpixel aufweist.

10. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektionseinrichtung (30) eine Ortsauflösung von 5 mm oder darunter aufweist, insbesondere eine Ortsauflösung von 50 μm.

11. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Auskoppeleinrichtung als teildurchlässiger Spiegel (17) ausgebildet ist, wobei der teildurchlässige Spiegel (17) insbesondere so ausgebildet ist, dass das ausgekoppelte Beleuchtungslicht (31) eine Wellenlänge hat, die ungleich einer Nutzwellenlänge zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes ist.

12. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektionseinrichtung (30) in einer zu einer Pupillenebene (19) des Beleuchtungssystems konjugierten Ebene liegt.

13. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 12, gekennzeichnet durch eine der Detektionseinrichtung (30) vorgeschaltete optische Anpasseinheit, mit der ein Bündelquerschnitt des ausgekoppelten Beleuchtungslichts (31) an die Größe eines Detektionselementes der De- tektionseinrichtung (30) angepasst wird, so dass das ausgekoppelte Beleuchtungslicht (31) vollständig vom Detektionselement erfasst wird.

14. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine optische Baugruppe (46) zwischen der Aus- koppeleinrichtung (36) und der Detektionsebene (32) genauso aufgebaut ist wie eine optische Baugruppe (39) zwischen der Auskoppeleinrichtung (36) und einer dieser nachgeordneten ersten Pupillenebene (38) der Beleuchtungsoptik (5).

15. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine optische Baugruppe (52) zwischen der Auskoppeleinrichtung (36) und der Detektionsebene (33) genauso aufgebaut ist wie eine optische Baugruppe (51) zwischen der Auskoppelein- richtung (36) und einer dieser nachgeordneten letzten Pupillenebene

(43) der Beleuchtungsoptik (5) vor der Retikelebene (6).

16. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 15, gekennzeichnet durch eine mit der Detektionseinrichtung (30) in Signalverbindung (47) stehenden Auswerteeinrichtung (48) zur Auswertung von Messergebnissen der Detektionseinrichtung (30).

17. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinrichtung (48) ein Rechenmodul (49) zur Nachbearbei- tung der Messergebnisse aufweist.

18. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinrichtung (48) ein Simulationsmodul (50) zur zumindest teilweisen Simulation einer optischen Baugruppe (51; 41, 42, 44) zwischen der Auskoppeleinrichtung (36) und der letzten Pupillenebene (43) aufweist.

19. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 3 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinrichtung (48) mit der Steuereinrichtung (27) in Signalverbindung steht.

20. Beleuchtungssystem (4) mit einer Beleuchtungsoptik (5) nach einem der Ansprüche 1 bis 19 und einer Lichtquelle (3).

21. Messverfahren zur Bestimmung des Einflusses eines Einzelelements (13') oder einer vorgegebenen Gruppe (13") von Einzelelementen (13) auf eine Lichtintensitäts Verteilung in einer ersten Ebene (19) einer Beleuchtungsoptik (5) nach einem der Ansprüche 1 bis 19 mit folgenden Schritten:

- Messung einer Intensitätsverteilung (I₁) in der Detektionsebene (32), wobei das Einzelelement (13') oder die vorgegebene Gruppe von

Einzelelementen (13") in einer ersten Position vorliegt,

- Umstellen nur des zu vermessenden Einzelelements (13') oder nur der vorgegebenen, zu vermessenden Gruppe (13") von Einzelelementen (13) von der ersten Position in eine zweite Position, - Messung einer Intensitätsverteilung (I₂) in der Detektionsebene (32), wobei das Einzelelement (13') oder die vorgegebene Gruppe (13") von Einzelelementen (13) in der zweiten Position vorliegt,

- Ermitteln des Einflusses des Einzelelements (13') oder der vorgegebenen Gruppe (13") von Einzelelementen (13) aus den beiden In- tensitätsverteilungs-Messergebnissen.

22. Messverfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass zum Ermitteln des Einflusses des Einzelelements (13') oder der vorge- gebenen Gruppe (13") von Einzelelementen (13) eine Differenz (I₃) der beiden Intensitäts-Messergebnisse (I₂, 1₁) gebildet wird.

23. Messverfahren nach Anspruch 21 oder 22, wobei aus dem ermittelten Einfluss Positions-Sollwerte für das Einzelelement (13') oder die vorgegebene Gruppe (13") von Einzelelementen (13) berechnet werden.

24. Messverfahren nach Anspruch 23, bei dem die errechneten Positions- Sollwerte mit aktuell in einer Steuereinrichtung (27) abgelegten Positi- ons-Sollwerten verglichen werden.

25. Messverfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24 bei Einsatz einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 5, wobei die erste Position die Position des Einzelelements (13') oder der vorgegebenen Gruppe (13") von Einzelelementen (13) vor einem

Steuerimpuls der Steuereinrichtung (27) zur Angleichung einer Ist- Kapazität des zugehörigen Aktuators oder der zugehörigen Aktua- toren an eine Soll-Kapazität darstellt, die zweite Position die Position des Einzelelements (13') oder der vorgegebenen Gruppe (13") von Einzelelementen (13) nach dem

Steuerimpuls der Steuereinrichtung (27) zur Angleichung einer Ist- Kapazität des zugehörigen Aktuators oder der zugehörigen Aktua- toren an eine Soll-Kapazität darstellt.

26. Überwachungs verfahren zur Überwachung einer Lichtintensitäts Verteilung in einer Systempupillenebene (43) der Beleuchtungsoptik (5) nach einem der Ansprüche 1 bis 19 mit folgenden Schritten: Messung einer Intensitäts Verteilung in der Detektionsebene (32; 53);

Vergleichen einer aus der gemessen Intensitätsverteilung ermittelten Ist-Lichtintensitätsverteilung mit einer vorgegebenen SoIl- Lichtintensitätsverteilung in der Systempupillenebene (43).

27. Überwachungsverfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Ermittlung der Ist-Lichtintensitätsverteilung aus der gemessenen Intensitätsverteilung durch Umrechnen der gemessenen Intensi- tätsverteilung unter Einbeziehung von Simulationswerten einer zumindest teilweisen Simulation einer optischen Baugruppe zwischen der Auskoppeleinrichtung und der Systempupillenebene (43) erfolgt.

28. Überwachungsverfahren nach Anspruch 26 oder 27, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Überwachung während des Betriebs einer die Beleuchtungsoptik (5) aufweisenden Projektionsbelichtungsanlage erfolgt, wobei im Fall, dass der Vergleich ergibt, dass sich die ermittelte Ist-Lichtintensitätsverteilung von der Soll-Lichtintensitätsverteilung um mehr als einen vorgegebenen Toleranzwert unterscheidet, der Be- trieb der Projektionsbelichtungsanlage unterbrochen wird.

29. Überwachungsverfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28 unter Einbeziehung eines Messverfahrens nach einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei Einzelelemente des Lichtablenkungs-Arrays (12), deren er- mittelter Einfluss sich von einem Soll-Einfluss um mehr als einen vorgegebenen Toleranzwert unterscheidet, nicht weiter zur Erzeugung der Lichtintensitätsverteilung in der Systempupillenebene (43) genutzt werden.

30. Überwachungsverfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 29 unter Einbeziehung eines Messverfahrens nach einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei eine Beaufschlagung der Systempupillenebene (43) durch Einzelelemente des Lichtablenkungs-Arrays (12), deren ermittelter Einfluss sich von einem Soll-Einfluss um mehr als einen vorgegebenen

Toleranzwert unterscheidet, durch eine Beaufschlagung durch andere Einzelelemente des Lichtablenkungs-Arrays (12), deren Einfluss sich vom Soll-Einfluss um nicht mehr als den vorgegebenen Toleranzwert unterscheidet, ersetzt wird.

31. Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem Beleuchtungssystem (4) nach Anspruch 20.

32. Verfahren zur mikrolithografischen Herstellung mikrostrukturierter Bauteile mit folgenden Schritten:

- Bereitstellen eines Substrats (9), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist,

- Bereitstellen einer Maske (7), die abzubildende Strukturen aufweist,

- Bereitstellen einer Projektions-Belichtungsanlage (1) nach Anspruch 31,

- Projizieren wenigstens eines Teils der Maske (7) auf einen Bereich der Schicht mithilfe einer Projektionsoptik (8) der Projektionsbelich- tungsanlage (1).

33. Mikrostrukturiertes Bauelement, das nach einem Verfahren gemäß Anspruch 32 hergestellt ist.