[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2005071717A1 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005071717A1
WO2005071717A1 PCT/JP2005/000350 JP2005000350W WO2005071717A1 WO 2005071717 A1 WO2005071717 A1 WO 2005071717A1 JP 2005000350 W JP2005000350 W JP 2005000350W WO 2005071717 A1 WO2005071717 A1 WO 2005071717A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
liquid
temperature
substrate
supply
exposure apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/000350
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Nagasaka
Taro Yamamoto
Osamu Hirakawa
Original Assignee
Nikon Corporation
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation, Tokyo Electron Limited filed Critical Nikon Corporation
Priority to US10/585,873 priority Critical patent/US7697110B2/en
Priority to JP2005517226A priority patent/JP4319189B2/ja
Publication of WO2005071717A1 publication Critical patent/WO2005071717A1/ja
Priority to US12/659,066 priority patent/US8330934B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus that irradiates a substrate with exposure light through a projection optical system and a liquid to expose the substrate, and a device manufacturing method.
  • Semiconductor devices and liquid crystal display devices are manufactured by a so-called photolithography technique in which a pattern formed on a mask is transferred onto a photosensitive substrate.
  • the exposure apparatus used in the photolithography process has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate, and a projection optical system for projecting a mask pattern while sequentially moving the mask stage and the substrate stage. Transfer to the substrate via
  • further improvement in the resolution of the projection optical system has been desired in order to cope with higher integration of device patterns.
  • the resolution of the projection optical system increases as the exposure wavelength used decreases and as the numerical aperture of the projection optical system increases.
  • the exposure wavelength used in the exposure apparatus has been shortened year by year, and the numerical aperture of the projection optical system is also increasing.
  • the mainstream exposure wavelength is 248 nm of KrF excimer laser, and 193 nm of short wavelength ArF excimer laser is also being put into practical use.
  • the depth of focus (DOF) is as important as the resolution. Resolution and depth of focus ⁇ are expressed by the following equations, respectively.
  • ⁇ is the exposure wavelength
  • ⁇ is the numerical aperture of the projection optical system
  • k and k are process coefficients.
  • the depth of focus ⁇ becomes too narrow, it becomes difficult to match the substrate surface with the image plane of the projection optical system, and the focus margin during the exposure operation may be insufficient. Therefore, as a method of substantially shortening the exposure wavelength and widening the depth of focus, for example, the following method is used.
  • the liquid immersion method disclosed in Patent Document 1 has been proposed. In this immersion method, the space between the lower surface of the projection optical system and the surface of the substrate is filled with a liquid such as water or an organic solvent to form an immersion region, and the wavelength of the exposure light in the liquid is changed to lZn ( n is the refractive index of the liquid, which is usually about 1.2.1.6), which improves resolution and enlarges the depth of focus by about n times.
  • Patent Document 1 International Publication No. 99Z49504 pamphlet
  • the liquid temperature in the liquid immersion area fluctuates, for example, the refractive index of the liquid fluctuates and the pattern image formed on the substrate deteriorates. Therefore, it is important to supply the liquid at a desired temperature onto the substrate.
  • the liquid temperature in the immersion area varies.
  • the optical path of the detection light fluctuates, leading to deterioration in detection accuracy and, consequently, exposure accuracy.
  • the substrate or the substrate stage is thermally deformed, which may also cause a decrease in exposure accuracy alignment accuracy.
  • the presence of bubbles in the liquid in the liquid immersion area or the attachment of bubbles to the lower surface of the projection optical system or the surface of the substrate deteriorates the pattern image formed on the substrate.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an exposure apparatus capable of maintaining exposure accuracy when performing exposure by irradiating a substrate with exposure light via a projection optical system and a liquid. And a device manufacturing method.
  • the present invention employs the following configuration corresponding to Figs.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention is an exposure apparatus that exposes the substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) via the projection optical system (PL) and the liquid (1).
  • the supply pipe (11) for supplying the liquid (1), the recovery pipe (21) for collecting the liquid (1), and the supply pipe (11) and the recovery pipe (21) are connected. Stop the supply pipe (60) and the supply pipe (11) to supply liquid (1)! And switching means (16, 66) for switching the flow path so that the liquid (1) flowing into the supply pipe (11) flows to the recovery pipe (21) via the connection pipe (60).
  • the liquid flows into the supply pipe when the supply of the liquid is stopped. Since the liquid is caused to flow through the recovery pipe by using the switching means, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience such as a fluctuation in the temperature of the supplied liquid due to driving and stopping of the temperature control device. That is, for example, when the immersion exposure is not performed and the flow of the liquid from the temperature control device to the supply pipe is stopped, the temperature of the liquid sent from the temperature control device when the supply of the liquid is restarted slightly changes. In addition, inconveniences such as a long time required for the liquid to reach the desired temperature and a waiting time must be provided.
  • the liquid is allowed to flow into the supply pipe and the temperature control device is driven and the flow of liquid into the supply pipe is maintained. Even when the supply is restarted, the liquid at the desired temperature can be supplied efficiently without any waiting time (without reducing the throughput).
  • the switching means is used to flow the liquid flowing into the supply pipe to the recovery pipe, so that it is possible to prevent the liquid from flowing out, and to prevent the liquid from flowing out.
  • the environment where the peripheral parts are cracked or the board is placed (E.g., humidity) and inconvenience can be prevented, and high exposure accuracy can be maintained.
  • the supply pipe can supply the liquid not only to the substrate to be exposed but also to various optical sensors such as an illuminance sensor provided on the substrate stage. Therefore, the optical sensor can execute various measurement processes with high accuracy via the liquid supplied in a desired state.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention exposes the substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) through the projection optical system (PL) and the liquid (1).
  • a rough temperature controller (41) that roughly adjusts the temperature of the liquid (1), and is located between the rough temperature controller (41) and the supply pipe (11) to finely adjust the temperature of the liquid (1).
  • a temperature controller (40) having a fine temperature controller (45) and a rough temperature controller (41) and a fine temperature controller (45) for dissolving gas in the liquid (1).
  • the present invention it is possible to supply a liquid with a high degree of temperature control using a temperature controller having a rough temperature controller and a fine temperature controller, and to maintain high exposure precision. it can.
  • the temperature control device is provided with a degassing device for reducing the dissolved concentration of gas in the liquid, the generation of bubbles in the liquid can be sufficiently suppressed, and the liquid can be supplied with sufficient power. It is possible to prevent the generation of air bubbles even in the liquid region. Also, even if bubbles are generated in the flow path through which the liquid flows, such as the lower surface of the projection optical system and the substrate surface, the liquid, in which the generation of the bubbles is sufficiently suppressed, flows through the flow path, so that the liquid is generated.
  • Bubbles generated in the flow path can also be absorbed and removed.
  • the deaerator since bubbles can be prevented from being present in the liquid in the liquid immersion area, deterioration of the pattern image due to the bubbles can be prevented, and high exposure accuracy can be maintained.
  • the deaerator performs degassing of the liquid whose temperature has been adjusted by the rough temperature controller. Can be degassed. After the temperature of the liquid degassed by the degassing device is adjusted with high precision by a fine temperature controller, it can be supplied through a supply pipe, and exposure processing is performed through the liquid adjusted to a desired temperature. Can be.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention exposes the substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) through the projection optical system (PL) and the liquid (1).
  • a supply pipe (11) for supplying a liquid (1) a chamber (CH) accommodating a projection optical system (PL) and a supply pipe (11) and having the inside thereof air-conditioned,
  • the temperature adjustment of the liquid by the temperature control device is controlled based on the measurement result of the temperature measuring device that measures the temperature in the air-conditioned chamber.
  • a liquid whose temperature has been adjusted with high precision in consideration of the temperature environment can be supplied. Therefore, the exposure processing can be performed with high precision through the liquid adjusted to the desired temperature.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention exposes the substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) via the projection optical system (PL) and the liquid (1).
  • the liquid supply mechanism (10, 12) for supplying the liquid (1) and the liquid supply mechanism (10, 12) for recovering the liquid (1) provided separately are provided.
  • the liquid recovery mechanism is vibratingly separated from the projection optical system and the liquid supply mechanism, even if vibration occurs in the liquid recovery mechanism, the vibration is transmitted to the projection optical system. Absent. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience when the projection optical system oscillates to deteriorate the noon image formed on the substrate, and to perform accurate exposure processing.
  • a device manufacturing method uses the above-described exposure apparatus (EX).
  • EX exposure apparatus
  • ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the exposure process and various measurement processes with respect to a board
  • a pattern image can be formed on a substrate with high accuracy via a liquid adjusted to a desired state, or a measurement process can be performed with high accuracy using various sensors, and high accuracy can be achieved. Exposure processing can be performed.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a liquid supply mechanism and a liquid recovery mechanism.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a liquid supply mechanism and a liquid recovery mechanism.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view showing a liquid supply member and a liquid recovery member.
  • FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part of the exposure apparatus of the embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of the exposure apparatus of the embodiment.
  • FIG. 7A is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus of the embodiment.
  • FIG. 7B is a schematic diagram similarly explaining the operation of the exposure apparatus of the same embodiment.
  • FIG. 7C is a schematic diagram similarly explaining the operation of the exposure apparatus of the same embodiment.
  • FIG. 7D is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus of the same embodiment.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • an exposure apparatus EX includes a mask stage MST supporting a mask M, a substrate stage PST supporting a substrate P, and a mask M supported by the mask stage MST.
  • An illumination optical system IL that illuminates with the light beam EL
  • a projection optical system PL that projects and exposes the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate P supported by the substrate stage PST.
  • the exposure apparatus body S including the illumination optical system IL, the mask stage MST, the projection optical system PL, and the substrate stage PST is housed inside the chamber apparatus CH, and the operation of the exposure apparatus body S is controlled by the controller CONT. .
  • the interior of the chamber device CH is air-conditioned by the air-conditioning system 300.
  • the air conditioning system 300 adjusts the environment inside the chamber device CH, specifically, cleanliness, temperature, humidity, pressure, and the like.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which the immersion method is applied in order to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and substantially widen the depth of focus.
  • the exposure apparatus EX uses the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 to at least partially transfer the pattern image of the mask M onto the substrate P including the projection area AR1 of the projection optical system PL while transferring the pattern image of the mask M onto the substrate P.
  • the (local) immersion area AR2 is formed.
  • the exposure apparatus EX is a local immersion method that fills the liquid 1 between the optical element 2 at the image plane end of the projection optical system PL and the surface of the substrate P disposed on the image plane.
  • the pattern of the mask M is applied to the substrate P by irradiating the substrate P with the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P and the exposure light EL that has passed through the mask M via the projection optical system PL. Projection exposure.
  • the mask M and the substrate P are synchronously moved in different directions (opposite directions) in the scanning direction, and the pattern formed on the mask M is synchronized with the substrate P.
  • a scanning exposure apparatus so-called scanning stepper
  • the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction
  • the synchronous movement direction (scanning direction) between the mask M and the substrate P in a plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis direction
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction and the X-axis direction (non-scanning direction) is the Y-axis direction.
  • the rotation (tilt) directions around the X, Y, and Z axes are defined as 0X, 0Y, and 0Z directions, respectively.
  • the “substrate” includes a semiconductor wafer coated with a photoresist as a photosensitive material
  • the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
  • the illumination optical system IL illuminates the mask M supported by the mask stage MST with the exposure light EL.
  • the illumination light system IL is used to make the illuminance of the exposure light source and the luminous flux emitted from the exposure light source uniform. It has an integrator, a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, and a variable field stop that sets the illumination area on the mask M by the exposure light EL in a slit shape.
  • a predetermined illumination area on the mask M is illuminated by the illumination optical system IL with exposure light EL having a uniform illuminance distribution.
  • Illumination optical system IL force Exposure light EL that is emitted is, for example, a bright line (g-line, h-line, i-line) that also emits a mercury lamp power, or a deep ultraviolet light (DUV light) such as a KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) And vacuum ultraviolet light (VUV) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F laser light (wavelength 157 nm).
  • DUV light deep ultraviolet light
  • ArF excimer laser light wavelength 193 nm
  • F laser light wavelength 157 nm
  • ArF excimer laser light is used.
  • the mask stage MST supports the mask M and is two-dimensionally movable in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, ie, in the XY plane, and is capable of minute rotation in the ⁇ Z direction. It is.
  • the mask stage MST is driven by a mask stage driving device such as a linear motor controlled by the control device CONT.
  • a moving mirror 50 is provided on the mask stage MST.
  • a laser interferometer 51 is provided at a position facing the movable mirror 50. The position and the rotation angle of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 51, and the measurement result is output to the control device CONT.
  • the controller CONT determines the position of the mask M supported by the mask stage MST by driving the mask stage driving device based on the measurement result of the laser interferometer 51.
  • the projection optical system PL is for projecting and exposing the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification 13, and is provided at the terminal end of the substrate P side (the image plane side of the projection optical system PL). And a plurality of optical elements including an optical element (lens) 2. These optical elements are supported by a barrel PK.
  • the projection optical system PL is a reduction system whose projection magnification j8 is, for example, 1 Z4 or 1Z5. Note that the projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system.
  • the projection optical system PL may be a reflection system not including a refraction element, a refraction system including a reflection element, or a deviation of a catadioptric system including a refraction element and a reflection element!
  • the optical element (lens) 2 at the tip of the projection optical system PL according to the present embodiment corresponds to the lens barrel PK.
  • the optical element 2 comes into contact with the liquid 1 in the liquid immersion area AR2.
  • pure water is used as the liquid 1.
  • Pure water transmits not only ArF excimer laser light but also far ultraviolet light (DUV light) such as emission lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) emitted by the mercury lamp. It is possible.
  • the numerical aperture of the projection optical system to which pure water for immersion exposure is applied is set to 1 or more (about 1.0-1.2).
  • the optical element 2 is formed of fluorite. Fluorite surface or MgF, Al O, SiO, etc.
  • liquid 1 can be brought into close contact with almost the entire liquid contact surface 2a of optical element 2. That is, in the present embodiment, since the liquid (water) 1 having a high affinity with the liquid contact surface 2a of the optical element 2 is supplied, the adhesion between the liquid contact surface 2a of the optical element 2 and the liquid 1 is increased. The optical path between the optical element 2 and the substrate P whose height is higher can be reliably filled with the liquid 1.
  • the optical element 2 may be quartz having a high affinity for water.
  • the liquid contact surface 2a of the optical element 2 may be subjected to a hydrophilic (lyophilic) treatment to further increase the affinity with the liquid 1.
  • the substrate stage PST supports (holds) the substrate P via a substrate holder, and is two-dimensionally movable in the XY plane and minutely rotatable in the ⁇ Z direction. Further, the substrate stage PST can also move in the Z-axis direction, the 0X direction, and the ⁇ Y direction.
  • the substrate stage PST is driven by a substrate stage driving device such as a linear motor controlled by the control device CONT.
  • the substrate stage PST controls the Z position (focus position) and tilt angle of the substrate P to adjust the surface of the substrate P to the image plane of the projection optical system PL by the autofocus method and the auto-leveling method, To perform the positioning of the substrate P in the X-axis direction and the ⁇ -axis direction.
  • a movable mirror 55 is provided on the substrate stage PST, and a reference mirror (fixed mirror) 54 is provided in the lens barrel PK.
  • a laser interferometer 56 is provided at a position facing the movable mirror 55 and the reference mirror 54. The laser interferometer 56 irradiates the measuring beam (measuring light) to the movable mirror 55 and irradiates the reference mirror 54 with the reference beam (reference light).
  • the reflected light from each of the moving mirror 55 and the reference mirror 54 based on the irradiated measurement beam and reference beam is The light is received by the light-receiving part of the one-dimensional interferometer 56, and the laser interferometer 56 interferes with these lights, and the amount of change in the optical path length of the measurement beam with reference to the optical path length of the reference beam, and thus the reference mirror 54
  • the position information of the movable mirror 55 based on the reference that is, the position information of the substrate stage PST is measured.
  • the position and the rotation angle of the substrate P on the substrate stage PST in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 56, and the measurement result is output to the control device CONT.
  • the controller CONT positions the substrate P supported by the substrate stage PST by driving the substrate stage driving device based on the measurement result of the laser interferometer 56.
  • an annular plate portion 57 is provided so as to surround the substrate P.
  • the plate portion 57 has a flat surface 57A having substantially the same height as the surface of the substrate P held on the substrate stage PST.
  • the liquid 1 hardly flows into the gap due to the surface tension of the liquid 1 near the periphery of the substrate P. Also when exposing the liquid, the liquid 1 can be held under the projection optical system PL by the plate unit 57.
  • the exposure apparatus EX (exposure apparatus main body S) includes a barrel base 100 supporting the projection optical system PL, and a main frame 102 supporting the barrel base 100, the mask stage MST, and the substrate stage PST. Have.
  • the main frame 102 is installed on a base 108 installed on a floor FD inside the chamber device CH.
  • the main frame 102 has an upper step 102A and a lower step 102B protruding inward.
  • the illumination optical system IL is supported by a support frame 120 fixed above the main frame 102.
  • a mask surface plate 124 is supported on the upper step portion 102A of the main frame 102 via a vibration isolator 122.
  • An opening is formed in the center of the mask stage MST and the mask platen 124 to allow the pattern image of the mask M to pass therethrough.
  • a plurality of gas bearings (air bearings) 126 which are non-contact bearings, are provided on the lower surface of the mask stage MST.
  • the mask stage MST is supported non-contact with the upper surface (guide surface) of the mask surface plate 124 by an air bearing 126, and can be moved two-dimensionally in the XY plane and minutely rotated in the Z direction by the mask stage driving device. It is.
  • a flange 104 is provided on the outer periphery of the lens barrel PK that holds the projection optical system PL, and the projection optical system PL is supported by the lens barrel base 100 via the flange 104.
  • Lens barrel surface plate An anti-vibration device 106 including an air mount and the like is disposed between the main frame 102 and the lower step portion 102B of the main frame 102.
  • the lens barrel base 100 supporting the projection optical system PL is located below the main frame 102. It is supported by the side step portion 102B via a vibration isolator 106.
  • the vibration isolating device 106 vibrates the lens barrel base 100 and the main frame 102 so that the vibration of the main frame 102 is not transmitted to the lens barrel base 100 supporting the projection optical system PL. Te ru.
  • a plurality of gas bearings (air bearings) 130 which are non-contact bearings, are provided on the lower surface of the substrate stage PST.
  • a base 112 (stage base) is supported on the base 108 via a vibration isolator 110 including an air mount and the like.
  • the substrate stage PST is supported in a non-contact manner on the upper surface (guide surface) of the surface plate 112 by the air bearing 130, and can be moved two-dimensionally in the XY plane and minutely rotated in the ⁇ Z direction by the substrate stage driving device. It is.
  • the vibration isolator 110 prevents the vibration of the base 108 (floor FD) and the main frame 102 from being transmitted to the surface plate 112 that supports the substrate stage PST in a non-contact manner. (Floor FD) is separated by vibration.
  • the liquid supply member 12 (partially described later), which is a part of the liquid supply mechanism 10, is supported by the lower step portion 102B of the main frame 102 via a first support member 140.
  • FIG. 1 shows that only the liquid supply member 12 is supported by the first support member 140, the supply pipe 11 connected to the liquid supply member 12 is also supported by the first support member 140. Is also good.
  • the liquid recovery member 22 (partially described later), which is a part of the liquid recovery mechanism 20, is supported by the base 108 (or the floor FD) via the second support member 150.
  • the liquid recovery member 22 is shown to be supported by the second support member 150, and the recovery pipe 21 connected to the liquid recovery member 22 is also supported by the second support member 150. Be a little bit.
  • the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22 are provided separately.
  • the main frame 102 supporting the liquid supply member 12 via the first support member 140 and the base 108 supporting the liquid recovery member 22 via the second support member 150 are each a projection optical system.
  • the lens barrel PK of the PL is supported via a flange 104 and is separated from the lens barrel base 100 vibrating via a vibration isolator 106. Therefore, the second support on the base 108
  • the liquid recovery member 22 constituting the liquid recovery mechanism 20 supported via the member 150 is vibrationally separated from the projection optical system PL.
  • the main frame 102 and the base 108 are separated from the stage base 112 by vibration, the liquid supply member 12 supported by the main frame 102 and the liquid recovery member supported by the base 108 are provided. 22 is also vibrationally separated from the substrate stage PST supported on the stage base 112.
  • the liquid recovery member 22 constituting a part of the liquid recovery mechanism 20 is separated from the projection optical system PL by vibration, but supports the liquid supply member 12 of the liquid supply mechanism 10.
  • An anti-vibration device is arranged between the support member 140 and the second support member 150 that supports the liquid recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20, and the liquid supply member 12 of the liquid supply mechanism 10 is connected to the liquid supply mechanism.
  • the liquid supply member 12 and the projection optical system PL may be separated from each other by vibration. For example, by installing the second support member 150 on the base 108 via a vibration isolator, the liquid supply member 12 of the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 are vibrated. be able to.
  • the liquid recovery mechanism 20 is composed of a plurality of members, all of which may be separated from the projection optical system PL in a vibrating manner, or only a part thereof may be separated as described above. . In short, it is only necessary that at least a member that easily generates a large vibration is vibrationally separated from the projection optical system PL.
  • the laser interferometer 56 is mounted on the lens barrel base 100. Therefore, the laser interferometer 56 attached to the lens barrel base 100 and the liquid supply member 12 (liquid supply mechanism 10) supported on the main frame 102 via the first support member 140 are separated by vibration. At the same time, the laser interferometer 56 and the liquid recovery member 22 (the liquid recovery mechanism 20) supported on the base 108 via the second support member 150 are also vibratedly separated.
  • the lens barrel base 100 also includes a measurement system (not shown) such as a focus detection system for measuring the focus position (Z position) and inclination of the substrate P and an alignment system for detecting an alignment mark on the substrate P.
  • the main frame 102, the liquid supply member 12, and the liquid recovery member 22 are also vibrationally separated from each other.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a liquid supply mechanism 10 for supplying the liquid 1 and a liquid recovery mechanism 20 for recovering the liquid 1.
  • the liquid 1 in the present embodiment is pure water.
  • the liquid supply mechanism 10 includes a pure water production device 30, a temperature control device 40 for adjusting the temperature of the liquid (pure water) 1 produced by the pure water production device 30, and a supply pipe 11 to the temperature control device 40. And a liquid supply member 12 connected thereto.
  • the liquid supply member 12 is provided at a position close to the substrate P so as to surround the optical element 2 at the distal end of the projection optical system PL, and has a supply port 14 facing the substrate P.
  • the supply pipe 11 and the supply port 14 are connected via a supply flow path 13 formed inside the liquid supply member 12.
  • the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1 onto the substrate P.
  • the liquid 1 produced by the pure water production apparatus 30 and temperature-controlled by the temperature control apparatus 40 is supplied to the supply pipe 11 and the liquid supply member 12. It is supplied onto the substrate P from the supply port 14 via the supply channel 13.
  • the liquid recovery mechanism 20 includes a liquid recovery member 22 provided at a position close to the substrate P so as to surround the optical element 2 at the distal end of the projection optical system PL, and a liquid recovery member 22. And a liquid recovery device 25 connected via a pipe 21.
  • the liquid recovery member 22 has a recovery port 24 facing the substrate P.
  • the recovery pipe 21 and the recovery port 24 are connected via a recovery channel 23 formed inside the liquid recovery member 22.
  • the liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid 1 on the substrate P.
  • the liquid 1 on the substrate P is collected through the recovery port 24, the recovery flow path 23, and the recovery pipe 21 of the liquid recovery member 22. Collected in the collection device 25.
  • the liquid recovery device 25 includes, for example, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the liquid 1 recovered from the recovery port 24 and the gas recovered together with the liquid 1, and a recovered liquid. It is equipped with a tank for accommodating 1. The operation of the liquid recovery device 25 is controlled by the control device CONT.
  • a vacuum system suction device
  • suction device such as a vacuum pump
  • gas-liquid separator that separates the liquid 1 recovered from the recovery port 24 and the gas recovered together with the liquid 1, and a recovered liquid. It is equipped with a tank for accommodating 1.
  • the operation of the liquid recovery device 25 is controlled by the control device CONT.
  • the pure water production apparatus 30 and the temperature control apparatus 40 are arranged outside the chamber apparatus CH (see Fig. 1). Thereby, the influence of the heat generated from the pure water production device 30 and the temperature control device 40 on the exposure apparatus body S can be suppressed.
  • the supply pipe 11 and the recovery pipe 21 are arranged inside the air-conditioned chamber device CH. By arranging the supply pipe 11 inside the air-conditioned (temperature-adjusted) chamber device CH, temperature fluctuation of the supply pipe 11 is suppressed.
  • the pure water production apparatus 30 is, for example, a pure water production apparatus 31 for purifying water containing suspended solids and impurities to produce pure water of a predetermined purity, and a pure water production apparatus 31 for producing pure water. More impurities It is provided with an ultrapure water producing device 32 for producing high purity pure water (ultrapure water). For example, tap water or water collected by the liquid recovery mechanism 20 is supplied to the pure water producing device 31 of the pure water producing device 30, and the pure water producing device 31 purifies the supplied water to a predetermined purity. To produce pure water.
  • the temperature control device 40 is for adjusting the temperature of the liquid (pure water) 1 manufactured by the pure water production device 30 and supplied to the supply pipe 11, and one end thereof is connected to the pure water production device 30. (Ultra pure water production device 32), the other end is connected to the supply pipe 11, and after performing temperature adjustment of the liquid 1 produced by the pure water production device 30, the temperature-adjusted liquid 1 is supplied to the supply pipe 11.
  • the temperature controller 40 includes a rough temperature controller 41 for roughly adjusting the temperature of the liquid 1 supplied from the ultrapure water generator 32 of the pure water generator 30, and a downstream side of the rough temperature controller 41 (supply pipe).
  • a flow controller 42 called a mass flow controller that controls the amount of liquid 1 per unit time flowing to the supply pipe 11 side, and the gas dissolved concentration in the liquid 1 passing through the flow controller 42 is reduced.
  • the rough temperature controller 41 adjusts the temperature of the liquid 1 sent from the ultrapure water production unit 32 to a target temperature (for example, 23 ° C.) with a coarse accuracy of, for example, about ⁇ 0.1 ° C. It is to adjust.
  • the flow controller 42 is located between the rough temperature controller 41 and the deaerator 43, and controls the flow rate of the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the rough temperature controller 41 to the deaerator 43 side per unit time. To Here, since the flow controller 42 is configured to control the flow rate of the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the rough temperature controller 41, the flow control can be performed with high accuracy.
  • the flow rate controller 42 can perform the flow rate control with high accuracy.
  • the deaerator 43 is disposed between the rough temperature controller 41 and the fine temperature controller 45, specifically, between the flow controller 42 and the filter 44.
  • the degassed liquid 1 is reduced to reduce the dissolved gas concentration in the liquid 1.
  • the supplied liquid A known deaeration device such as a decompression device that deaerates the body 1 by decompression can be used.
  • a device that includes a filter that separates liquid 1 by gas-liquid separation using a filtration filter such as a hollow fiber membrane filter and removes the separated gas components using a vacuum system, and gas-liquid separation using liquid 1 by centrifugal force Then, it is better to use a device including a degassing pump to remove the separated gas components using a vacuum system.
  • a filtration filter such as a hollow fiber membrane filter
  • the deaerator 43 Since the deaerator 43 is configured to deaerate the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the rough temperature controller 41, the deaeration can be performed satisfactorily. In other words, if degassing is performed for liquid 1 that has not been temperature-adjusted, for example, if the temperature of liquid 1 fluctuates greatly, the deaeration level (dissolved gas concentration) will fluctuate due to the temperature fluctuation. Although there is a possibility, by degassing the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the rough temperature controller 41, the degassing device 43 can sufficiently and stably reduce the dissolved gas concentration in the liquid 1.
  • the filter 44 is disposed between the rough temperature controller 41 and the fine temperature controller 45, specifically, between the deaerator 43 and the fine temperature controller 45. It removes foreign matter in the delivered liquid 1. When passing through the flow controller 42 and the deaerator 43, foreign matter (particles) may slightly enter the liquid 1, but it may be downstream of the flow controller 42 and the deaerator 43 (supply pipe). By providing the filter 44 on the (11) side, foreign substances can be removed by the filter 44. As the filter 44, a known filter such as a hollow fiber membrane filter can be used. For example, bubbles and foreign substances (particles) larger than 0. It is desirable to use one having a performance of less than three Zcm 3 . Finally, it is desirable to keep less than one bubble or foreign matter larger than 0.1 ⁇ m contained in the liquid between the optical element 2 of the projection optical system PL and the substrate P.
  • the fine temperature controller 45 is disposed between the rough temperature controller 41 and the supply pipe 11, specifically, between the filter 44 and the supply pipe 11, and precisely adjusts the temperature of the liquid 1. I do. For example, the fine temperature controller 45 adjusts the temperature (temperature stability and temperature uniformity) of the liquid 1 sent from the filter 44 to a target temperature with a high accuracy of about ⁇ o.oe— ⁇ 0.001 ° C. Fine tune. In the present embodiment, the fine temperature controller 45 is included in the plurality of devices constituting the temperature controller 40. Since the liquid 1 is disposed at the closest position to the substrate P (the exposure apparatus main body S) to which the liquid 1 is supplied, the liquid 1 whose temperature has been adjusted with high precision can be supplied onto the substrate P.
  • the filter 44 is disposed between the rough temperature controller 41 and the fine temperature controller 45 in the temperature controller 40, but preferably is different from that in the temperature controller 40. It may be arranged at a place, or may be arranged outside the temperature control device 40.
  • the operation of the pure water production apparatus 30 is controlled by a pure water production control unit 33 different from the control device CONT that controls the operation of the exposure apparatus main body S. Further, the operation of the temperature control device 40 is controlled by a temperature control control unit 46 different from the control device CONT. Then, the control device CONT and the pure water production control unit 33 are connected by a first communication device 401, and the control device CONT and the temperature control control unit 46 are connected by a second communication device 402.
  • the communication device 400 including the first communication device 401 and the second communication device 402 includes, for example, a local area network (LAN), and includes a control device CONT, a pure water production control unit 33, and a temperature control control unit. Each of the 46 can transmit signals and information to each other via the communication device 400.
  • LAN local area network
  • the supply pipe 11 of the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the temperature adjustment device 40 onto the substrate P via the liquid supply member 12, and has one end thereof at the temperature adjustment.
  • the device 40 is connected to a fine temperature controller 45, and the other end is connected to the supply channel 13 of the liquid supply member 12.
  • the supply pipe 11 is disposed inside the chamber device CH that is air-conditioned by the air-conditioning system 300.
  • the collecting pipe 21 of the liquid collecting mechanism 20 collects the liquid 1 on the substrate P through the collecting port 24 of the liquid collecting member 22, and the liquid 1 collected from the collecting port 24 is supplied to the liquid collecting member 22.
  • the liquid is recovered by the liquid recovery device 25 through the recovery flow path 23 and the recovery pipe 21.
  • connection pipe 60 The supply pipe 11 and the recovery pipe 21 are connected via a connection pipe 60.
  • the connection pipe 60 is also arranged inside the chamber device CH.
  • One end of the connection pipe 60 is connected to a connection position C1 on the way of the supply pipe 11, and the other end is connected to a connection position C2 of the collection pipe 21.
  • a first valve 16 for opening and closing the flow path of the supply pipe 11 is provided in the middle of the supply pipe 11, and a second valve 16 for opening and closing the flow path of the collection pipe 21 is provided in the middle of the collection pipe 21.
  • Valve 26 is provided In the middle of the connection pipe 60, a third valve 66 for opening and closing the flow path of the connection pipe 60 is provided.
  • the first valve 16 is provided on the supply port 14 side of the connection position C1 of the supply pipe 11, and the second valve 26 is provided on the collection port 24 side of the connection position C2 of the collection pipe 21. I have.
  • the operation of each of the valves 16, 26, 66 is controlled by the controller CONT.
  • the valves 16, 26, 66 change the flow path of the liquid 1 sent from the temperature control device 40.
  • the connecting pipe 60 is preferably as close as possible to the supply port 14 and the recovery port 24, but may be provided outside the chamber CH. Further, a three-way valve may be arranged at the connection position C1 in place of the first valve 16 and the second valve 26 to switch the flow path of the liquid 1 flowing from the temperature control device 40 to the connection position C1. !,.
  • a temperature measuring device 160 for measuring the temperature inside the chamber device CH is provided inside the chamber device CH.
  • the temperature measurement result of the temperature measuring device 160 is output to the control unit CONT.
  • FIG. 3 is a plan view showing a positional relationship between a supply port 14 formed in the liquid supply member 12, a recovery port 24 formed in the liquid recovery member 22, and a projection area AR1 of the projection optical system PL. It is.
  • the projection area AR1 of the projection optical system PL is set in a rectangular shape whose longitudinal direction is in the Y-axis direction (non-scanning direction).
  • two supply ports 14 are provided, a first supply port 14A is provided on one side (1 X side) in the scanning direction with respect to the projection area AR1, and the other side (+ X side) is provided. ) Is provided with a second supply port 14B.
  • the first and second supply ports 14A and 14B are provided near the projection area AR1, and are arranged on both sides of the projection area AR1 with respect to the scanning direction (X direction).
  • Each of the first and second supply ports 14A and 14B is formed in a slit shape having a predetermined length and having a substantially arc shape in plan view.
  • the length of the first and second supply ports 14A and 14B in the Y-axis direction is at least longer than the length of the projection area AR1 in the Y-axis direction.
  • the liquid supply mechanism 10 can simultaneously supply the liquid 1 on both sides of the projection area AR1 from the first and second supply ports 14A and 14B.
  • a plurality of (two) supply channels 13 are formed inside the liquid supply member 12 so as to correspond to the plurality (two) of supply ports 14A and 14B.
  • the four recovery ports 24 are provided.
  • the four collection ports 24A—24D are located outside of the supply ports 14A and 14B with respect to the projection area AR1. It is arranged so as to surround 4A, 14B and the projection area ARl.
  • the collection port 24A and the collection port 24C are arranged on both sides of the projection area AR1 in the X-axis direction
  • the collection port 24B and the collection port 24D Are arranged on both sides of the projection area AR1 in the Y-axis direction.
  • the supply ports 14A and 14B are arranged between the projection area AR1 and the recovery ports 24A and 24C.
  • Each of the recovery ports 24A to 24D is formed in a slit shape having a predetermined length in a substantially arc shape in plan view.
  • the length of the recovery ports 24A and 24C in the Y-axis direction is longer than the length of the supply ports 14A and 14B in the Y-axis direction.
  • Each of the recovery ports 24B and 24D is formed to have substantially the same length as the recovery ports 24A and 24C.
  • a plurality of (four) recovery channels 23 are formed inside the liquid recovery member 22 so as to correspond to the plurality (four) of recovery ports 24A to 24D.
  • the recovery port 24 is provided so as to surround the supply port 14 and the projection area AR1, it is possible to prevent the liquid 1 from flowing out of the substrate P.
  • each of the plurality of recovery ports 24A to 24D is formed to have substantially the same size (length), but may have different sizes.
  • the number of the recovery ports 24 is not limited to four, and any number of recovery ports 24 can be provided as long as they are arranged so as to surround the projection area AR1 and the supply ports 14A and 14B.
  • another collection port may be provided outside the collection port 24.
  • the recovery port may be a continuous annular recovery port without being divided.
  • the slit width of the supply port 14 and the slit width of the recovery port 24 are substantially the same, but the slit width of the recovery port 24 may be larger than the slit width of the supply port 14. Conversely, the slit width of the recovery port may be smaller than the slit width of the supply port.
  • the supply ports 14 of the liquid supply mechanism 10 are provided on both sides in the scanning direction (X-axis direction) with respect to the projection area AR1, but are provided on both sides in the non-scanning direction (Y-axis direction).
  • another supply port may be provided to supply the liquid by combining the plurality of supply ports.
  • the supply port may be provided in an annular shape so as to entirely surround the projection area AR1.
  • the immersion area AR2 filled with the liquid 1 is substantially in the area surrounded by the four recovery ports 24A to 24D so as to include the projection area AR1 and partially on the substrate P. It is locally formed in The immersion area AR2 only needs to cover at least the projection area AR1. The entire area surrounded by the four recovery ports 24A to 24D does not have to be a liquid immersion area.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view of the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22.
  • each of the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22 is an annular member provided so as to surround the optical element 2 at the end of the projection optical system PL, and is separated from each other. It is an independent member.
  • the supply pipe 11 is connected to each of the plurality of supply channels 13 (not shown in FIG. 4), and the collection pipe 21 is connected to each of the plurality of recovery channels 23. I have.
  • the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22 are made of, for example, a metal such as stainless steel, titanium, aluminum, or an alloy containing these. It is formed by electric discharge machining. Note that the liquid contact surfaces of the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22 may be subjected to electrolytic polishing or treatment with a nonconductive oxide film. Further, each member constituting the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 including the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22 may be formed of a synthetic resin such as polytetrafluoroethylene.
  • the plurality of supply ports 14 and the supply pipes 11 are connected to one temperature control device 40, but the temperature corresponding to the number of the supply ports 14 (the supply pipes 11) is provided.
  • a plurality (here, two) of the temperature control devices 40 may be provided, and each of the supply ports 14 (the supply pipes 11) may be connected to each of the plurality of temperature control devices 40.
  • a plurality of recovery ports 24 and recovery pipes 21 are connected to one liquid recovery apparatus 25
  • a plurality of liquid recovery apparatuses 25 corresponding to the number of recovery ports 24 (recovery pipes 21) here, 4
  • each of the recovery ports 24 (the recovery pipes 21) may be connected to each of the plurality of liquid recovery devices 25.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 4, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line BB of FIG.
  • the supply flow path 13 and the recovery flow path 23 provided on the + X side of the projection optical system PL will be described.
  • the supply channel 13 provided on the X side, the collection channel 23 on the X side of the projection optical system PL, the collection channel 23 on the one Y side, and the collection channel 23 on the + Y side also have the same configuration.
  • the supply flow path 13 is connected to the supply pipe 11 via a joint 80, It has a horizontal flow path 13A for flowing the liquid 1 in the vertical direction, and a vertical flow path 13B for flowing the liquid 1 in a substantially vertical direction.
  • the horizontal flow path 13A is formed in a gradually expanding tapered shape from the supply pipe 11 toward the vertical flow path 13B (projection optical system PL) in plan view.
  • the liquid 1 sent from the temperature control device 40 flows into the supply channel 13 via the supply pipe 11.
  • the liquid 1 that has flowed into the supply flow path 13 flows in the horizontal flow path 13A in the supply flow path 13 in a substantially horizontal direction (XY plane direction), and is bent at a substantially right angle. 1), and is supplied onto the substrate P from above the substrate P via the supply port 14.
  • the recovery flow path 23 is connected to the recovery pipe 21 via a joint 81, and a horizontal flow path 23A through which the liquid 1 flows in a substantially horizontal direction, and the liquid flow 1 in a substantially vertical direction. And a flowing vertical flow path 23B.
  • the horizontal flow path 23A is formed in a tapered shape that gradually narrows from the vertical flow path 23B (projection optical system PL) toward the recovery pipe 21 in plan view.
  • the liquid 1 flowing into the vertical flow path 23B of the recovery flow path 23 has its flow direction changed in the horizontal direction, and flows in the horizontal flow path 23A in a substantially horizontal direction. Thereafter, the liquid is sucked and collected by the liquid collecting device 25 through the collecting pipe 21.
  • a liquid trapping surface 70 of a predetermined length for capturing liquid 1 is formed on a lower surface (a surface facing the substrate P side) of the liquid recovery member 22 outside the recovery port 24 with respect to the projection optical system PL. ing.
  • the trap surface 70 is a surface that is inclined with respect to the XY plane, and moves away from the surface of the substrate P as it moves outward with respect to the projection area AR1 (the liquid immersion area AR2). ).
  • the trap surfaces 70 are provided on both sides in the scanning direction (X-axis direction) with respect to the projection area AR1.
  • the trap surface 70 is subjected to lyophilic treatment.
  • the trap surface 70 Since the film (photoresist, anti-reflection film, etc.) applied to the surface of the substrate P is usually water-repellent (liquid-repellent), the liquid 1 flowing out of the recovery port 24 is captured by the trap surface 70. You. Since the liquid 1 in the present embodiment is water having a high polarity, the trap surface 70 is subjected to a hydrophilic treatment (lyophilic treatment) by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a high polarity such as alcohol, for example. The surface 70 is made hydrophilic. That is, when water is used as the liquid 1, it is desirable to treat the trap surface 70 with a highly polar molecular structure such as an OH group on the surface.
  • a hydrophilic treatment lyophilic treatment
  • the trap surface 70 is provided on the lower surface of the liquid recovery member 22 only on both sides in the scanning direction of the projection area AR1, but is provided in the non-scanning direction with respect to the projection area AR1.
  • a configuration is also possible.
  • the trap surface 70 does not need to be a flat surface, and may be, for example, a shape obtained by combining a plurality of planes.
  • the trapping surface 70 may be subjected to a surface area enlargement process that may be a curved surface, specifically, a rough surface treatment.
  • the inner wall surface of the recovery flow path 23 near the recovery port 24 can be subjected to lyophilic processing (hydrophilic processing).
  • the liquid 1 in the present embodiment is water having a large polarity
  • the collection port is formed by forming a thin film of a substance having a large polarity and a molecular structure such as alcohol.
  • Hydrophilicity can be imparted by imparting hydrophilicity to the inner wall surface of the recovery channel 23 near 24 or irradiating ultraviolet rays (UV).
  • UV ultraviolet rays
  • the lyophilic treatment can be performed on the surface of the flow path in which the liquid 1 flows in the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20.
  • a liquid temperature measuring device 170 for measuring the temperature of the supplied liquid 1 is provided on the lower surface of the liquid recovery member 22 at a position in contact with the liquid 1 in the liquid immersion area AR 2 formed on the substrate P.
  • the temperature measurement result of the liquid temperature measuring device 170 is output to the control device CONT.
  • the liquid temperature measuring device 170 is provided at a position where the liquid temperature measuring device 170 can be in contact with the liquid 1 in the liquid immersion area AR2 formed on the substrate P, for example, provided on the lower surface of the liquid supply member 12. Well,. On the other hand, if the liquid temperature detector 170 is provided near the projection area AR1, the flow of the liquid 1 in the immersion area AR2 may be disturbed by the presence of the liquid temperature detector 170.
  • the installation position is preferably a position as far as possible from the projection region AR1 as long as it can contact the liquid 1 in the immersion region AR2.
  • the liquid supply member 12 and the liquid recovery member 22 are members separated independently from each other. As described above, the liquid supply member 12 is provided below the main column 102 via the first support member 140.
  • the liquid recovery member 22 is supported by the base 108 via the second support member 150, supported by the side step portion 102B.
  • the liquid supply member 12 is supported by the first support member 140 at a distance from the projection optical system PL (optical element 2), whereby the optical element 2 of the projection optical system PL and the liquid supply member And 12 are separated by vibration.
  • the liquid recovery member 22 is supported by the second support member 150 at a distance from the projection optical system PL (optical element 2).
  • the element 2 and the liquid recovery member 22 are separated by vibration. Therefore, it is possible to prevent the vibration generated in the liquid recovery mechanism 10 or the liquid recovery mechanism 20 from being transmitted to the projection optical system PL.
  • liquid repellent treatment it is preferable to perform a liquid repellent treatment on the surface of the liquid supply member 12 facing the optical element 2 or the surface of the optical element 2 facing the liquid supply member 12. This can prevent the liquid 1 from entering between the liquid supply member 12 and the optical element 2.
  • a liquid repellent treatment it is preferable to apply a liquid repellent treatment to the surface of the liquid supply member 12 facing the liquid recovery member 22 and the surface of the liquid recovery member 22 facing the liquid supply member 12.
  • the liquid repelling treatment include a coating treatment using a material having liquid repellency.
  • the material having liquid repellency include a fluorine-based compound, a silicon conjugate, and a synthetic resin such as polyethylene.
  • the thin film for the surface treatment may be a single-layer film or a film having a plurality of layers.
  • the liquid (pure water) 1 produced by the pure water production device 30 of the liquid supply mechanism 10 is adjusted to a desired temperature by the temperature control device 40, for example, a temperature equivalent to the inside of the chamber device CH, and then supplied to the supply pipe 11. Supplied.
  • the pure water production device 30 and the temperature control device 40 of the liquid supply mechanism 10 are driven both when liquid is supplied and when liquid supply is not required.
  • the control device CONT stops the supply of the liquid 1 from the supply pipe 11 to the liquid supply member 12 (therefore, the substrate P) as shown in FIG.
  • the flow from the supply pipe 11 to the liquid supply member 12 (substrate P) is performed by the first valve 16. Close the road.
  • the flow path of the recovery pipe 21 is also closed by the second valve 26. Then, when the supply of the liquid 1 from the supply pipe 11 to the liquid supply member 12 (substrate P) is stopped, the control device CONT opens the third valve 66 of the connection pipe 60 and causes the flow of the connection pipe 60 to flow. The path is opened, and the flow path is switched so that the liquid 1 flowing from the temperature control device 40 into the supply pipe 11 flows into the collection pipe 21 via the connection pipe 60.
  • the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the temperature control device 40 is not supplied onto the substrate P but is collected by the liquid collection device 25 via the collection pipe 21.
  • the flow rate of the liquid 1 per unit time may be made smaller than that at the time of immersion exposure. That is, the flow rate of the liquid 1 may be small as long as the operation of the pure water production apparatus 30 and the temperature control apparatus 40 can be continued and the liquid 1 can be continuously supplied to the supply flow path.
  • the controller CONT when performing the liquid immersion exposure processing, the controller CONT opens the first valve 16 to open the flow path from the supply pipe 11 to the liquid supply member 12 (substrate P). Then, the flow path of the connection pipe 60 is closed by the third valve 66. Thus, the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the temperature controller 40 is supplied onto the substrate P via the supply pipe 11 and the supply port 14 of the liquid supply member 12. At this time, the control device CONT opens the second valve 26 to open the flow path from the recovery port 24 of the liquid recovery member 22 to the recovery pipe 21 (the liquid recovery device 25). As a result, the liquid 1 on the substrate P is recovered by the liquid recovery device 25 via the recovery port 24, the recovery flow path 23, and the recovery pipe 21. The liquid 1 supplied from the temperature control device 40 via the supply pipe 11 forms the liquid immersion area AR2 on the substrate P by the supply and recovery operations of the liquid 1 by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20.
  • the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 including the pure water production device 30 and the temperature control device 40 is performed by the control device CONT or the pure water connected to the control device CONT via the communication device 400.
  • the liquid supply mechanism 10 supplies a predetermined amount of the liquid 1 per unit time onto the substrate P from the supply port 14 provided above the substrate P.
  • the liquid recovery operation of the liquid recovery mechanism 20 including the liquid recovery device 25 is controlled by the controller CONT.
  • the liquid recovery mechanism 20 discharges a predetermined amount of the liquid 1 per unit time into a recovery port provided above the substrate P. Collect via 24.
  • the flow paths are supplied using the valves 16, 26, and 66 to supply the liquid 1 onto the substrate P, as shown in FIG. 7B.
  • the liquid 1 adjusted to the desired temperature can be immediately supplied onto the substrate P.
  • the supply of the liquid 1 to the substrate P is stopped, if the driving of the pure water production device 30 and the temperature control device 40 is stopped, the supply of the liquid 1 is restarted, and the temperature control device 40 is stopped.
  • driving is resumed, there are inconveniences such as the liquid temperature sent out from the temperature control device 40 slightly changing and the liquid having to wait for a long time to reach the desired temperature.
  • the liquid 1 flows into the supply pipe 11, and by driving the temperature control device 40 and maintaining the flow of the liquid 1 into the supply pipe 11, the liquid on the substrate P is maintained. Even when the liquid supply operation is restarted after the supply of 1 is stopped, the liquid 1 at the desired temperature can be efficiently supplied without providing a waiting time (without reducing the throughput).
  • the control device CONT operates until the liquid immersion light treatment is started (until the substrate P is irradiated with exposure light).
  • the liquid 1 is supplied through the supply pipe 11 for a predetermined period (or a predetermined amount).
  • the supply pipe 11, the supply flow path 13, and the vicinity of the supply port 14 are washed (flashed), and the temperature of the supply pipe 11, the supply flow path 13, and the vicinity of the supply port 14 are stabilized.
  • the flow rate of the liquid 1 per unit time may be made larger than that at the time of immersion exposure.
  • the temperature in the vicinity of the supply pipe 11, the supply flow path 13, or the supply port 14 can be brought to a predetermined temperature (the same temperature as the liquid 1) in a short time.
  • the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the fine temperature controller 45 is continuously supplied onto the substrate P for a predetermined time, and after the supply pipe 11 and the like are brought into a steady temperature state, the liquid 1 is cooled. Start immersion exposure processing.
  • the temperature-adjusted liquid 1 may be made to flow in a larger amount than at the time of immersion exposure.
  • the control device CONT After forming the liquid immersion area AR2 on the substrate P, the control device CONT emits the exposure light EL from the illumination optical system IL. Exposure light EL emitted from the illumination optical system IL and passing through the mask M is irradiated on the image plane side of the projection optical system PL, and as a result, as shown in FIG. The substrate P is exposed through the liquid 1 in the immersion area AR2.
  • the control device CONT performs a liquid supply operation on the substrate P by the liquid supply mechanism 10. Then, the liquid recovery operation on the substrate P by the liquid recovery mechanism 20 is performed. Thereby, the liquid immersion area AR2 is favorably formed on the substrate P.
  • the exposure apparatus EX projects and exposes the pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction). Then, a part of the pattern image of the mask M is projected onto the rectangular projection area AR1 immediately below the end of the projection optical system PL, and the mask M is directed in the ⁇ X direction (or + X direction) with respect to the projection optical system PL. In synchronization with the movement at the speed V, the substrate P moves via the substrate stage PST in the + X direction (or -X direction) at the speed ⁇ ⁇ ⁇ ( ⁇ is a projection magnification).
  • a plurality of shot areas are set on the substrate ⁇ , and after the exposure of one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping movement of the substrate ⁇ . 'The scanning exposure process is sequentially performed on each shot area while moving the substrate in a scan mode.
  • the liquid 1 supplied on the substrate ⁇ ⁇ ⁇ flows below the projection optical system PL in accordance with the movement of the substrate ⁇ .
  • the liquid 1 flows under the projection optical system PL in the same direction as the substrate P in the + X direction at almost the same speed as the substrate P. Flows.
  • the liquid supply mechanism 10 simultaneously supplies the liquid 1 from the supply ports 14A and 14B onto the substrate P on both sides of the projection area AR1.
  • the liquid 1 supplied onto the substrate P from the supply ports 14A and 14B spreads well between the lower end surface of the optical element 2 at the end of the projection optical system PL and the substrate P, and the liquid immersion area AR2 is formed at least wider than the projection area AR1.
  • the substrate P moves in the + X direction
  • + X The amount of liquid moving to the side may increase, and may flow out of the substrate P without being recovered at the recovery port 24C.
  • the liquid 1 moving to the + X side is captured by the trap surface 70 provided on the lower surface of the liquid recovery member 22 on the + X side, so that the outflow of the liquid 1 can be prevented.
  • the local immersion method in which the liquid immersion area AR2 is formed in a part of the substrate P, and the upward force of the substrate P is also reduced through the recovery port 24 as the liquid recovery mechanism 20.
  • the liquid 1 above is suction-recovered using the vacuum system of the liquid recovery device 25.
  • the liquid recovery mechanism 20 may recover the liquid 1 on the substrate P together with the surrounding gas (by injecting the surrounding gas).
  • the liquid recovery mechanism 20 recovers the liquid 1 together with the surrounding gas through the recovery port 24, a situation occurs in which the liquid 1 flows intermittently into the recovery flow path 23.
  • the liquid 1 that has flowed into the recovery channel 23 becomes a granular form (droplets), and the droplets collide with the recovery channel 23 and the recovery pipe 21.
  • This is considered to be one of the causes of noise and vibration, and exposure accuracy may be degraded by the sound and vibration thus generated.
  • the vibration generated at the time of the liquid recovery is affected by the projection optical system PL. It does not transmit to measurement systems such as the system PL, laser interferometer 56, and focus detection system alignment system. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience when the pattern image is deteriorated due to the vibration of the projection optical system, and the liquid recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 and the substrate stage PST are interposed via the vibration isolator 110. Since it is vibrationally separated, the position of the substrate stage (substrate P) can be controlled with high accuracy, so that the pattern image can be accurately projected on the substrate.
  • the liquid supply member 12 of the liquid supply mechanism 10 is supported via the first support member 140 by the main frame 102 that is vibrated and separated from the stage base 112 that supports the substrate stage PST, and the second support Since the liquid recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is supported via the member 150, the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are also vibrationally separated from the stage base 112. Therefore, the vibration force generated at the time of liquid supply or liquid recovery, which is not transmitted to the stage base 112, causes a problem of lowering the positioning accuracy or the moving accuracy of the substrate stage PST. It is possible to prevent kinking.
  • the collection port 24 is provided with, for example, a porous member such as porous ceramics or a sponge-like member, or an aggregate of thin tubes.
  • a porous member such as porous ceramics or a sponge-like member, or an aggregate of thin tubes.
  • the temperature inside the chamber device CH is monitored by a temperature measuring device 160 provided inside the chamber device CH, and the temperature of the liquid 1 in the immersion area AR2 is measured by the liquid recovery member 22. It is monitored by a liquid temperature measuring device 170 attached to the lower surface of the liquid.
  • the measurement result of the temperature measuring device 160 and the measurement result of the liquid temperature measuring device 170 are output to the control device CONT constantly or periodically.
  • the control device CONT communicates the temperature measurement results of the temperature measuring device 160 and the liquid temperature measuring device 170 to the temperature control controller 46 via the communication device 400 (402).
  • the temperature control controller 46 sets the liquid 1 in the liquid immersion area AR2 to a desired temperature based on the measurement result of the temperature measuring device 160 and the measurement result of the liquid temperature measuring device 170 obtained through the communication device 402. Thus, the temperature adjustment of the liquid 1 by the temperature controller 40 (fine temperature controller 45) is controlled.
  • the temperature control controller 46 (or the control device CONT) considers, for example, the respective measurement results of the temperature measurement device 160 and the liquid temperature measurement device 170, and controls the temperature control device 40 (fine temperature control device 45). May be controlled.
  • the temperature control controller 46 (or the control device CONT) determines whether the measurement result of the temperature measuring device 160 or the measurement result of the liquid temperature measuring device 170 is one of the following!
  • the temperature control of the liquid 1 by the temperature controller 40 may be controlled!
  • the liquid temperature measuring device 170 is attached to the lower surface of the liquid recovery member 22, and is supplied from the supply pipe 11 onto the substrate P via the supply flow path 13 and the supply port 14.
  • the temperature of the liquid 1 measured is measured, for example, the liquid temperature And the temperature of the liquid 1 in the supply pipe 11 may be measured.
  • the temperature measurement result of the liquid 1 in the supply pipe 11 is output to the control device CONT, and the control device CONT communicates the temperature measurement result to the temperature control controller 46 via the communication device 402.
  • the temperature control unit 46 controls the temperature control of the temperature control device 40 based on the temperature measurement result of the liquid 1 in the supply pipe 11 obtained via the communication device 402.
  • the liquid temperature measuring devices 170 are provided at a plurality of positions, such as the position in contact with the liquid 1 in the immersion area AR2 and the inside of the supply pipe 11, respectively.
  • the temperature adjustment by the temperature control device 40 may be controlled based on the temperature.
  • predetermined arithmetic processing such as averaging may be performed on the measurement results of the plurality of liquid temperature measuring devices 170, and the temperature adjustment by the temperature controller 40 may be controlled based on the processing results.
  • a plurality of temperature measuring devices 160 for measuring the temperature inside the chamber device CH were provided, and arithmetic processing such as averaging was performed based on the temperature measurement results of each of the plurality of temperature measuring devices 160 in some cases. After that, the temperature adjustment by the temperature controller 40 is controlled.
  • the control device CONT closes the flow path of the supply pipe 11 by the first valve 16 and stops the supply of the liquid 1 from the supply pipe 11 to the liquid supply member 12 (therefore, the substrate P). . Also at this time, the driving of the pure water production device 30 and the temperature control device 40 is maintained, and the temperature-adjusted liquid 1 is continuously sent from the temperature control device 40. Further, even after the supply of the liquid 1 to the substrate P is stopped, the control device CONT opens the second valve 26 for a predetermined period to open the flow path of the collection pipe 21. Thus, the liquid 1 remaining on the substrate P and the substrate stage PST after the immersion exposure processing can be recovered through the recovery port 24.
  • the substrate stage PST When collecting the remaining liquid 1, the substrate stage PST may be moved relative to the recovery port 24. After recovering the liquid 1 remaining on the substrate P and the substrate stage PST, when the supply of the liquid 1 onto the substrate P via the supply pipe 11 is stopped, the control device CONT As shown in FIG. 7D, the flow path of the recovery pipe 21 is closed by the second valve 26, the flow path of the connection pipe 60 is opened by opening the third valve 66, and the liquid flowing into the supply pipe 11 from the temperature controller 40 is opened. The flow path is switched so that 1 flows into the collection pipe 21 via the connection pipe 60. This allows the temperature controller 40 to control the temperature when liquid supply is not necessary. The adjusted liquid 1 is not supplied onto the substrate P, but is collected by the liquid collecting device 25 through the collecting pipe 21. Note that the amount of liquid supplied from the temperature control device 40 when liquid supply is unnecessary or the like may be smaller than that during liquid immersion exposure.
  • the supply of the liquid 1 is stopped when the supply of the liquid 1 is stopped. Since the liquid 1 flowing into the pipe 11 is caused to flow to the collection pipe 21, it is necessary to drive and stop the temperature control device 40 without causing the liquid 1 to flow out and to supply the liquid 1 to the supply pipe 11 due to the inflow and the stop of the liquid 1. It is possible to prevent inconvenience such as fluctuation in the temperature of the supplied liquid.
  • high-precision temperature adjustment of, for example, ⁇ 0. Oe to the target temperature is required as in the present embodiment, by repeatedly driving and stopping the operation of the fine temperature controller 45, the liquid 1 can be highly accurately adjusted.
  • the temperature controller 40 including the fine temperature controller 45 is maintained, and the liquid sent from the temperature controller 40 is maintained.
  • the liquid 1 can be maintained at a predetermined temperature with high accuracy while preventing the outflow of the liquid 1.
  • the temperature device 40 Since the temperature device 40 has the rough temperature controller 41 and the fine temperature controller 45, the temperature of the liquid 1 can be adjusted with high accuracy and supplied, and the exposure accuracy is high. Can be maintained.
  • the temperature control device 40 is provided with a degassing device 43 for reducing the dissolved gas concentration in the liquid 1, it is necessary to supply the liquid 1 after sufficiently suppressing the generation of bubbles in the liquid 1. This can prevent the generation of bubbles from the liquid 1 in the liquid immersion area AR2. Also, even if bubbles are generated in the flow path of the liquid 1 such as the lower surface of the projection optical system PL and the surface of the substrate P, the liquid 1 in which the generation of the bubbles is sufficiently suppressed flows through the flow path.
  • the liquid 1 can also absorb and remove bubbles generated in this flow path. As described above, since bubbles can be prevented from being present in the liquid 1 in the liquid immersion area AR2, deterioration of the pattern image due to the bubbles can be prevented, and high exposure accuracy can be maintained.
  • the deaerator 43 since the deaerator 43 is disposed between the rough temperature controller 41 and the fine temperature controller 45, the deaerator 43 degass the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the rough temperature controller 41. Therefore, it is possible to degas well. After the temperature of the liquid 1 degassed by the deaerator 43 is precisely adjusted by the fine temperature controller 45, The liquid can be supplied through the supply pipe 11 and can be exposed through the liquid 1 adjusted to a desired temperature.
  • the temperature adjustment of the liquid 1 by the temperature controller 40 is controlled. It is possible to supply the liquid 1 whose temperature has been adjusted with high precision in consideration of the temperature environment. Therefore, the exposure processing can be performed with high precision via the liquid 1 adjusted to the desired temperature.
  • the liquid recovery mechanism 20 (the liquid recovery member 22) is separated from the projection optical system PL by vibration, the vibration occurs in the liquid recovery mechanism 20 (the liquid recovery member 22). However, the vibration is not transmitted to the projection optical system PL. Therefore, it is possible to prevent a problem that the pattern image formed on the substrate P is deteriorated due to the vibration of the projection optical system PL. Further, since the liquid supply mechanism 10 (the liquid supply member 12) and the liquid recovery mechanism 20 (the liquid recovery member 22) are separated, the liquid It is possible to prevent inconvenience such as unstable liquid supply due to the vibration of the liquid supply mechanism 10, and it is possible to perform exposure processing with high precision V.
  • the liquid 1 is supplied from the supply pipe 11 onto the substrate P, which is an object to be exposed, but various optical devices such as an illuminance sensor provided on the substrate stage PST are used. Liquid 1 can also be supplied on the sensor. In that case, the optical sensor can execute various measurement processes with high precision via the liquid 1 supplied in a desired state.
  • all the liquid on the substrate P is collected after the exposure of the substrate P is completed. However, the liquid remains on and adheres to the front surface (back surface) of the substrate P. If there is a possibility, a mechanism for removing the substrate P after exposure from the substrate stage PST by blowing off the liquid on the substrate P may be provided. In such a case, since the fine droplets are difficult to remove, the liquid may be removed again by exposing it to a liquid (eg, pure water).
  • a liquid eg, pure water
  • the control device CONT of the exposure apparatus main body S, the temperature control control unit 46 of the temperature control device 40, and the pure water production control unit 33 of the pure water production device 30 are connected via the communication device 400. They can communicate with each other. Therefore, when performing the immersion exposure process, for example, the pure water production control unit 33 confirms that the operation state of the pure water production device 30 is normal, and the operation of the pure water production device 30 is transmitted to the control device CONT. Information indicating normality, for example, a signal (Ready signal) indicating completion of preparation for pure water production is output via the communication device 400 (401).
  • the temperature controller 46 confirms that the operation state of the temperature controller 40 is normal, and transmits information (Ready signal) indicating that the operation of the temperature controller 40 is normal to the controller CONT. Output via device 400 (402). Then, after receiving the “Ready signal” from each of the pure water production control unit 33 and the temperature control control unit 46, the control device CONT may start the immersion exposure processing.
  • the control device CONT indicates that the operation of the pure water production device 30 is abnormal.
  • Information for example, a signal indicating that an emergency has occurred (Emergency signal) is output via the communication device 400 (401).
  • the control device CONT includes information (Emergency) indicating that the operation of the temperature control device 40 is abnormal. Signal) is output via the communication device 400 (402). Then, when one of the pure water production control unit 33 and the temperature control control unit 46 receives the “Emergency signal”, the control device CONT does not perform the liquid immersion exposure process! If the Emergency signal is received during the immersion exposure, the controller CONT may stop the immersion exposure process.
  • the fine temperature controller 45 controls the fine temperature of the liquid 1 to the target temperature (for example, 23.0 ° C) by the fine temperature controller 45, for example, while the liquid 1 is flowing through the supply pipe 11 or after being supplied onto the substrate P, for example.
  • the temperature of the liquid 1 changes due to light EL irradiation or the like, and the temperature of the liquid 1 on the substrate P may be different from the target temperature (for example, 23.1 ° C).
  • the length and material (thermal conductivity) of the supply pipe 11 between the fine temperature controller 45 and the liquid immersion area AR2, or the temperature and exposure conditions inside the chamber CH (such as the illuminance of the exposure light EL) Based on the above, the liquid temperature when the liquid 1 whose temperature has been adjusted by the fine temperature controller 45 is supplied onto the substrate P is determined in advance by experiment or simulation, and based on the determined value, Liquid in fine temperature controller 45 1 May be calibrated to control the temperature adjustment.
  • both the supply pipe 11 and the connection pipe 60 are provided with valves, and when an abnormality occurs in the liquid collection mechanism 20 (for example, the valve 26), the recovery operation occurs.
  • the valve 16 of the supply pipe 11 and the valve 66 of the connection pipe 60 By closing the flow path with both the valve 16 of the supply pipe 11 and the valve 66 of the connection pipe 60, damage to water leakage at the substrate stage PST or the like can be prevented.
  • the exposure apparatus EX includes the pure water production apparatus 30.
  • the exposure apparatus EX does not necessarily have to include the exposure apparatus EX. Good.
  • the liquid recovery device 25 of the exposure apparatus EX is equipped with a vacuum pump, a gas-liquid separator, and the like, and it is not necessary to provide at least a part of them at a factory or the like where the exposure apparatus EX is installed. Equipment may be used instead.
  • the liquid 1 in the present embodiment is composed of pure water.
  • Pure water has the advantage that it can be easily obtained in large quantities at semiconductor manufacturing plants and the like, and that it has no adverse effect on the photoresist on the substrate P, optical elements (lenses) and the like.
  • pure water has no adverse effect on the environment and has an extremely low impurity content, so it is expected to have the effect of cleaning the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. it can.
  • the exposure apparatus may have an ultrapure water maker.
  • the refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be approximately 1.44, and ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL. If used, the wavelength is shortened to lZn, that is, about 134 nm on the substrate P, and high resolution is obtained. Furthermore, since the depth of focus is expanded to about n times, that is, about 1.44 times as compared to that in the air, if it is sufficient to secure the same depth of focus as that used in the air, the projection optical system PL Can further increase the numerical aperture, and in this regard, the resolution is also improved.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9-11.3.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is increased as described above, it has been conventionally used as the exposure light! /, Since the random polarization light may deteriorate the imaging performance due to the polarization effect, It is desirable to use polarized illumination. In that case, align the mask (reticle) line with the longitudinal direction of the line pattern of the 'and' space pattern.
  • Linearly polarized illumination is preferably performed so that a large amount of diffracted light having an S-polarized component (TE-polarized component), that is, a component in the polarization direction along the longitudinal direction of the line pattern, is emitted from the pattern of the mask (reticle).
  • TE-polarized component S-polarized component
  • the space between the projection optical system PL and the resist applied to the surface of the substrate P is filled with air (gas).
  • the transmittance of the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component), which contributes to the improvement of contrast, on the resist surface is higher than that of the case where the numerical aperture NA of the projection optical system is 1.0.
  • phase shift mask such as an oblique incidence illumination method (particularly, a diball illumination method) adapted to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-188169.
  • an ArF excimer laser is used as exposure light, and a fine line 'and' space pattern (for example, a line 'and' space of about 25-50 nm) is formed using a projection optical system PL with a reduction magnification of about 1Z4.
  • a fine line 'and' space pattern for example, a line 'and' space of about 25-50 nm
  • a projection optical system PL with a reduction magnification of about 1Z4.
  • the amount of diffracted light of the S-polarized component (TE polarized component) becomes larger than that of the diffracted light of the (TM polarized component) and is emitted by the mask M, it is desirable to use the linearly polarized illumination described above. Even when the mask M is illuminated, high resolution performance can be obtained even when the numerical aperture NA of the projection optical system PL is as large as 0.9-1.3. Also, when exposing a very fine line 'and' space pattern on the mask M on the substrate P, the P-polarized component (TM-polarized component) is larger than the S-polarized component (TE-polarized component) due to the Wire Grid effect.
  • the projection optical system PL when an ArF excimer laser is used as the exposure light and a line 'and' space pattern larger than 25 nm is exposed on the substrate P using the projection optical system PL with a reduction ratio of about 1Z4 Since the diffracted light of the S-polarized component (TE polarized component) is emitted from the mask M more than the diffracted light of the P-polarized component (TM polarized component), the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 0.9. Even in the case of a large value such as 1.3, high resolution performance can be obtained.
  • the optical element 2 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the lens is used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberrations (spherical aberration, coma, etc.). be able to.
  • the optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane-parallel plate that can transmit the exposed light EL.
  • the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid 1 V.
  • a cover glass having a plane-parallel plate force is applied to the surface of the substrate P.
  • a configuration in which liquid 1 is filled in the installed state may be adopted.
  • the liquid 1 of the present embodiment may be a liquid other than water, which is water.
  • the light source of the exposure light EL is an F laser
  • the F laser light does not pass through water.
  • the liquid 1 can transmit F laser light, for example, perfluoropolyether (PFPE)
  • PFPE perfluoropolyether
  • the portion that comes into contact with the liquid 1 is subjected to lyophilic treatment by forming a thin film of a substance having a low polarity and a molecular structure including, for example, fluorine.
  • a liquid that is transparent to the exposure light EL and has a refractive index as high as possible and is stable to the photoresist applied to the surface of the projection optical system PL or the substrate P for example, (Cedar oil) can also be used.
  • the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid 1 to be used.
  • the substrate P in each of the above embodiments is not limited to a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but may be a glass substrate for a display device or a ceramic for a thin film magnetic head. Wafers, masks or reticles used in exposure equipment (synthetic quartz, silicon wafers), etc. are applied.
  • the exposure apparatus EX is a step-and-scan type scanning exposure apparatus that scans and exposes the pattern of the mask M by synchronously moving the mask M and the substrate P (in addition to the scanning stepper, The pattern of the mask M is exposed collectively while the substrate P and the substrate P are stationary, and a step-and-repeat type projection exposure apparatus (a step-and-repeat device that sequentially moves the substrate P stepwise.
  • the invention can also be applied to an exposure apparatus of the step 'and' stitch type in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P.
  • a reduced image of the first pattern is projected using a projection optical system (for example, a refraction projection optical system that does not include a reflective element at a 1Z8 reduction magnification) while the first pattern and the substrate P are almost stationary.
  • a projection optical system for example, a refraction projection optical system that does not include a reflective element at a 1Z8 reduction magnification
  • a batch exposure is performed on the plate P, and then, with the second pattern and the substrate P almost stationary, a reduced image of the second pattern is partially overlapped with the first pattern by using the projection optical system thereof.
  • the present invention can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus that performs batch exposure on P.
  • the present invention can also be applied to a twin-stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages.
  • Twin stage type exposure apparatuses are disclosed, for example, in JP-A-10-163099 and JP-A-10-214783 (corresponding U.S. Patents 6,341,007, 6,400,441, 6,549,269 and 6,590,634).
  • Table 2000—505958 corresponding US Pat. No. 5,969,441
  • US Pat. No. 6,208,407 and to the extent permitted by the laws of the country designated or selected in this international application, And the disclosure thereof is incorporated herein by reference.
  • the present invention is also applicable to an exposure apparatus having a measurement stage and a substrate stage disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135400.
  • the exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed.
  • the entire surface of the substrate to be exposed is covered with the liquid.
  • the present invention is also applicable to a liquid immersion exposure apparatus.
  • the structure and exposure operation of an immersion exposure apparatus in which the entire surface of a substrate to be exposed is covered with a liquid are described in, for example, JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, and U.S. Patent No. 5,825,043. To the extent permitted by the laws of the country designated or selected in this international application. The content of this document is incorporated herein by reference.
  • the type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element for exposing a semiconductor element pattern onto a substrate P, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, or the like. It can be widely applied to an image pickup device (CCD), an exposure apparatus for manufacturing a reticle or a mask, and the like.
  • CCD image pickup device
  • a linear motor (USP5,623,853 or
  • each stage PST and MST may be of a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide.
  • each stage PST, MST is such that a magnet cut in which a two-dimensional magnet is arranged and an armature unit in which a two-dimensional coil is arranged face each other, and each stage PST, MST is driven by electromagnetic force. May be used.
  • one of the magnet unit and the armature unit should be connected to the stages PST and MST, and the other of the magnet unit and the armature unit should be provided on the moving surface side of the stages PST and MST!
  • a reaction force generated by the movement of the substrate stage PST is not transmitted to the projection optical system PL by using a frame member. May be mechanically released to the floor (ground).
  • a reaction force generated by movement of the mask stage MST is mechanically controlled by using a frame member so as not to be transmitted to the projection optical system PL. You may escape to the floor (earth).
  • the exposure apparatus EX of the embodiment of the present invention performs various types of subsystems including the components described in the claims of the present application with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling to keep. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electrical For, adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • the power of various subsystems The assembly process of the exposure system involves the mechanical connection of various subsystems and the wiring connection of electrical circuits. Connection, piping connection of a pneumatic circuit, etc. are included. Needless to say, there is an assembling process for each subsystem before the assembling process into the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room in which the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
  • a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing the function and performance of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, Step 203 of manufacturing a substrate as a base material, exposure processing step 204 of exposing a mask pattern to the substrate by the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, device assembly step (including dicing step, bonding step, and package step) 205 It is manufactured through an inspection step 206 and the like.
  • a pattern image can be formed on a substrate with high precision through a liquid adjusted to a desired state, and measurement processing can be performed with high accuracy using various sensors. It comes out.

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

　投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、前記液体を供給するための供給管と、前記液体を回収するための回収管と、前記供給管と前記回収管とを接続する接続管と、前記供給管からの液体の供給を停止しているときに、前記供給管に流入した液体が前記接続管を介して前記回収管に流れるように流路の切り替えを行う切替手段とを備える。前記供給管に接続され該供給管に供給される液体の温度調整を行う温調装置を更に備え、前記温調装置は、液体の温度を粗く調整するラフ温調器と、前記ラフ温調器と前記供給管との間に配置され、液体の温度の微調整を行うファイン温調器とを有するようにしても良い。

Description

明 細 書
露光装置及びデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して露光する露光装 置及びデバイス製造方法に関するものである。
背景技術
[0002] 半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の 基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソダラ フイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持す る基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスク のパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパター ンのより一層の高集積ィ匕に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望ま れている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系 の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々 短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光 波長は KrFエキシマレーザの 248nmである力 更に短波長の ArFエキシマレーザ の 193nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深 度 (DOF)も重要となる。解像度 及び焦点深度 δはそれぞれ以下の式で表される
R=k · λ /ΝΑ … (1)
δ = ±k - λ /ΝΑ2 … (2)
2
ここで、 λは露光波長、 ΝΑは投影光学系の開口数、 k、 kはプロセス係数である。
1 2
(1)式、（2)式より、解像度 Rを高めるために、露光波長えを短くして、開口数 NAを 大きくすると、焦点深度 δが狭くなることが分力る。
[0003] 焦点深度 δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させる ことが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで 、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特 許文献 1に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の 下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液 体中での露光光の波長が空気中の lZn (nは液体の屈折率で通常 1. 2-1. 6程度 )になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約 n倍に拡大するとい うものである。
特許文献 1：国際公開第 99Z49504号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] ところで、液浸法に基づ!/ヽて露光を行うとき、基板上に形成されるパターン像の劣 化を防止するためや露光精度を維持するために液体を所望状態で供給することが重 要である。
特に、液浸領域の液体温度が変動すると例えば液体の屈折率が変動して基板上 に形成されるパターン像が劣化するため、所望温度の液体を基板上に供給すること が重要である。また、例えば基板表面の面位置情報を検出するフォーカス検出系の 検出光や基板をァライメントするァライメント系の検出光が液浸領域の液体中を通過 する構成の場合、液浸領域の液体温度が変動すると検出光の光路が変動し、検出 精度の劣化をもたらし、ひいては露光精度の低下を招く可能性がある。また、液浸領 域の液体温度が変動すると基板や基板ステージが熱変形し、これによつても露光精 度ゃァライメント精度の低下を招く可能性がある。また、液浸領域の液体中に気泡が 存在していたり投影光学系の下面や基板表面に気泡が付着することによつても基板 上に形成されるパターン像が劣化する。
[0005] また、露光精度を維持するために液体を所望状態で回収することも重要である。液 体を良好に回収できないと、液体が流出して周辺の機械部品に鲭びを生じさせたり、 基板がおかれて ヽる環境 (湿度等）の変動をもたらし、ステージ位置計測に用いる光 干渉計の計測光の光路上の屈折率の変化を引き起こす等、露光処理に関する種々 の計測動作に影響を与える可能性があり、露光精度を低下させる。また、例えば液体 回収機構に振動が生じると、その振動によって基板上に投影されるパターン像の劣 化を引き起こしたり、基板を保持する基板ステージの位置をモニタする干渉計の計測 誤差を引き起こす可能性がある。
[0006] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、投影光学系と液体とを介 して基板に露光光を照射することによって露光するときの露光精度を維持できる露光 装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1一図 8に対応付けし た以下の構成を採用している。
本発明の露光装置 (EX)は、投影光学系 (PL)と液体 (1)とを介して基板 (P)上に 露光光 (EL)を照射して、基板 (P)を露光する露光装置において、液体（1)を供給す るための供給管（11)と、液体（1)を回収するための回収管（21)と、供給管（11)と回 収管 (21)とを接続する接続管 (60)と、供給管（11)力 の液体 (1)の供給を停止し て！、るときに、供給管（11)に流入した液体（1)が接続管 (60)を介して回収管（21) に流れるように流路の切り替えを行う切替手段（16、 66)とを備えたことを特徴とする
[0008] 本発明によれば、例えば温調装置で温度調整された液体を供給管を介して基板上 に供給する構成の場合、液体の供給を停止しているときに、供給管に流入した液体 を切替手段を使って回収管に流すようにしたので、温調装置の駆動及び駆動停止な どに伴う供給される液体温度の変動といった不都合の発生を防止することができる。 すなわち、例えば液浸露光を行わな 、ときに温調装置から供給管への液体の流入を 停止すると、液体の供給を再開するときに温調装置から送出される液体温度が僅か に変化したり、液体が所望温度に達するまでに時間が力かって待ち時間を設けなく てはならない等の不都合が生じる。し力しながら、液体の供給を停止しているときも、 供給管に液体を流入させ、温調装置の駆動や供給管に対する液体の流入を維持す ることで、液体供給を停止した後に液体供給を再開する場合においても、待ち時間 を設けることなく (スループットを低下させることなく）、所望温度の液体を効率良く供 給することができる。そして、液体の供給を停止しているときに、切替手段を使って供 給管に流入した液体を回収管に流すようにしたので、液体の流出を防止することが でき、液体の流出に伴う周辺の機械部品の鲭びの発生や基板がおかれている環境（ 湿度等)の変動と 、つた不都合の発生を防止することができ、高 、露光精度を維持 することができる。
なお供給管は、露光処理対象物である基板上に液体を供給するだけでなぐ例え ば基板ステージ上に設けられている照度センサなど各種光学センサ上にも液体を供 給することができる。したがって、前記光学センサは、所望状態で供給された液体を 介して各種計測処理を高精度に実行することができる。
[0009] 本発明の露光装置 (EX)は、投影光学系 (PL)と液体 (1)とを介して基板 (P)上に 露光光 (EL)を照射して、基板 (P)を露光する露光装置において、液体（1)を供給す るための供給管（11)と、供給管（11)に接続され該供給管（11)に供給される液体（ 1)の温度調整を行うために液体（1)の温度を粗く調整するラフ温調器 (41)と、ラフ 温調器 (41)と供給管（11)との間に配置され、液体（1)の温度の微調整を行うフアイ ン温調器 (45)とを有する温調装置 (40)と、ラフ温調器 (41)とファイン温調器 (45)と の間に配置され、液体（1)中の気体溶存濃度を低下させるための脱気装置 (43)と、 を備えたことを特徴とする。
[0010] 本発明によれば、ラフ温調器とファイン温調器とを有する温調装置を使って液体を 高精度に温度調整して供給することができ、高い露光精度を維持することができる。 また、温調装置に液体中の気体溶存濃度を低下させるための脱気装置を設けたの で、液体中の気泡の発生を十分に抑制して力もこの液体を供給することができ、液浸 領域の液体力もの気泡の発生を防止することができる。また、投影光学系の下面や 基板表面など液体が流れる流路中に仮に気泡が発生していても、気泡の発生を十 分に抑制された液体が流路中を流れることにより、液体はこの流路中に発生した気 泡を吸収し除去することもできる。このように、液浸領域の液体中に気泡を存在させな いことができるので、気泡に起因するパターン像の劣化を防止し、高い露光精度を維 持することができる。また、脱気装置をラフ温調器とファイン温調器との間に配置した ことにより、脱気装置はラフ温調器で温度調整された液体を脱気処理することになる ので、良好に脱気できる。そして、脱気装置で脱気された液体をファイン温調器で高 精度に温度調整した後、供給管を介して供給することができ、所望温度に調整され た液体を介して露光処理することができる。 [0011] 本発明の露光装置 (EX)は、投影光学系 (PL)と液体 (1)とを介して基板 (P)上に 露光光 (EL)を照射して、基板 (P)を露光する露光装置において、液体（1)を供給す るための供給管（11)と、投影光学系 (PL)及び供給管（11)を収容するとともにその 内部が空調されたチャンバ (CH)と、チャンバ (CH)内の温度を計測する温度計測 器 (160)と、供給管（11)に接続され該供給管（11)に供給される液体 (1)の温度調 整を行う温調装置 (40)とを備え、温度計測器（160)の計測結果に基づいて、温調 装置 (40)による液体（1)の温度調整を制御することを特徴とする。
[0012] 本発明によれば、空調されたチャンバ内の温度を計測する温度計測器の計測結果 に基づいて、温調装置による液体の温度調整が制御されるので、空調されたチャン バ内の温度環境を考慮して高精度に温度調整された液体を供給することができる。 したがって、所望温度に調整された液体を介して精度良く露光処理することができる
[0013] 本発明の露光装置 (EX)は、投影光学系 (PL)と液体 (1)とを介して基板 (P)上に 露光光 (EL)を照射して、基板 (P)を露光する露光装置において、液体（1)を供給す るための液体供給機構（10、 12)と、液体供給機構（10、 12)とは分離して設けられ た液体（1)を回収するための液体回収機構 (20、 22)と、投影光学系（PL)に対して 振動的に分離して液体回収機構 (20、 22)を支持する支持部材（102、 140、 150) とを備えたことを特徴とする。
[0014] 本発明によれば、投影光学系及び液体供給機構に対して液体回収機構が振動的 に分離されているので、液体回収機構で振動が発生してもその振動は投影光学系 に伝わらない。したがって、投影光学系が振動することで基板上に形成されるノ^ー ン像が劣化するといつた不都合の発生を防止でき、精度良い露光処理を行うことが できる。
[0015] 本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置 (EX)を用いることを特徴とす る。本発明によれば、所望状態に調整された液体を介して基板に対する露光処理や 各種計測処理を行うことができ、所望の性能を発揮できるデバイスを提供することが できる。
発明の効果 [0016] 本発明によれば、所望状態に調整された液体を介して基板上に高精度にパターン 像を形成したり、各種センサを使って高精度に計測処理を行うことができ、精度良い 露光処理を行うことができる。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
[図 2]液体供給機構及び液体回収機構を示す概略構成図である。
[図 3]液体供給機構及び液体回収機構を示す概略平面図である。
[図 4]液体供給部材及び液体回収部材を示す概略斜視図である。
[図 5]同実施形態の露光装置の要部拡大断面図である。
[図 6]同実施形態の露光装置の要部拡大断面図である。
[図 7A]同実施形態の露光装置の動作を説明するための模式図である。
[図 7B]同様に、同実施形態の露光装置の動作を説明するための模式図である。
[図 7C]同様に、同実施形態の露光装置の動作を説明するための模式図である。
[図 7D]同様に、同実施形態の露光装置の動作を説明するための模式図である。
[図 8]半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
[0018] 1…液体、 10· ··液体供給機構、 11· ··供給管、 12· ··液体供給部材、 16、 26、 66· ·· バルブ (切替手段）、 20…液体回収機構、 21…回収管、 22…液体回収部材、 40· ·· 温調装置、 41· ··ラフ温調器、 43…脱気装置、 44· ··フィルタ、 45· ··ファイン温調器、 60· ··接続管、 102…メインコラム (支持部材)、 108…ベース (支持部材)、 140· ··第 1支持部材、 150…第 2支持部材、 160· ··温度計測器、 170…液体温度計測器、 30 0…空調系、 CH…チャンバ装置、 EL…露光光、 EX…露光装置、 P…基板、 PL- -- 投影光学系、 S…露光装置本体
発明を実施するための最良の形態
[0019] 以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。図 1は本発明の 露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図 1において、露光装置 EXは、マスク Mを支持するマスクステージ MSTと、基板 P を支持する基板ステージ PSTと、マスクステージ MSTに支持されて!、るマスク Mを露 光光 ELで照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターン像 を基板ステージ PSTに支持されている基板 Pに投影露光する投影光学系 PLとを備 えている。照明光学系 IL、マスクステージ MST、投影光学系 PL、及び基板ステージ PSTを含む露光装置本体 Sはチャンバ装置 CH内部に収容されており、露光装置本 体 Sの動作は制御装置 CONTによって制御される。チャンバ装置 CHの内部は空調 系 300によって空調されている。空調系 300は、チャンバ装置 CH内部の環境、具体 的には、清浄度、温度、湿度、及び圧力などを調整する。
[0020] 本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとと もに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、 基板 P上に液体 1を供給する液体供給機構 10と、基板 P上の液体 1を回収する液体 回収機構 20とを備えている。露光装置 EXは、少なくともマスク Mのパターン像を基 板 P上に転写している間、液体供給機構 10から供給した液体 1により投影光学系 PL の投影領域 AR1を含む基板 P上の一部に (局所的に)液浸領域 AR2を形成する。具 体的には、露光装置 EXは、投影光学系 PLの像面側終端部の光学素子 2と、その像 面側に配置された基板 P表面との間に液体 1を満たす局所液浸方式を採用し、この 投影光学系 PLと基板 Pとの間の液体 1及び投影光学系 PLを介してマスク Mを通過 した露光光 ELを基板 Pに照射することによってマスク Mのパターンを基板 Pに投影露 光する。
[0021] ここで、本実施形態では、露光装置 EXとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向におけ る互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基 板 Pに露光する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ）を使用する場合を例に して説明する。以下の説明において、投影光学系 PLの光軸 AXと一致する方向を Z 軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同期移動方向（走査方向） を X軸方向、 Z軸方向及び X軸方向に垂直な方向（非走査方向）を Y軸方向とする。 また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜）方向をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ上に感光性材料であるフォトレ ジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターン を形成されたレチクルを含む。 [0022] 照明光学系 ILは、マスクステージ MSTに支持されているマスク Mを露光光 ELで照 明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化す るオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光 ELを集光 するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 ELによるマスク M上の照明領域をスリ ット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照 明光学系 ILにより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 IL力 射 出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプ力も射出される輝線 (g線、 h線、 i線） 及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）や、 ArFエキシ マレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（波長 157nm)等の真空紫外光 (VUV
2
光)などが用いられる。本実施形態においては ArFエキシマレーザ光が用いられる。
[0023] マスクステージ MSTは、マスク Mを支持するものであって、投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回 転可能である。マスクステージ MSTは、制御装置 CONTによって制御されるリニアモ ータ等のマスクステージ駆動装置により駆動される。マスクステージ MST上には移動 鏡 50が設けられている。また、移動鏡 50に対向する位置にはレーザ干渉計 51が設 けられている。マスクステージ MST上のマスク Mの 2次元方向の位置、及び回転角 はレーザ干渉計 51によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 CONTに出 力される。制御装置 CONTはレーザ干渉計 51の計測結果に基づ 、てマスクステー ジ駆動装置を駆動することでマスクステージ MSTに支持されているマスク Mの位置 決めを行う。
[0024] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 13で基板 Pに投影露光 するものであって、基板 P側（投影光学系 PLの像面側）の終端部に設けられた光学 素子 (レンズ) 2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒 PK で支持されている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 j8が例えば 1 Z4あるいは 1Z5の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍系及び拡大系のい ずれでもよい。また、投影光学系 PLは、屈折素子を含まない反射系、反射素子を含 まな 、屈折系、屈折素子と反射素子とを含む反射屈折系の ヽずれであってもよ!、。 また、本実施形態の投影光学系 PLの先端部の光学素子 (レンズ) 2は鏡筒 PKに対 して着脱 (交換)可能に設けられており、光学素子 2には液浸領域 AR2の液体 1が接 触する。
[0025] 本実施形態において、液体 1には純水が用いられる。純水は ArFエキシマレーザ 光のみならず、例えば水銀ランプ力 射出される輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFェキ シマレーザ光 (波長 248nm)等の遠紫外光 (DUV光)も透過可能である。なお、本 実施形態においては、液浸露光用の純水を適用した投影光学系の開口数は 1以上 (1. 0-1. 2程度）に設定されている。
[0026] 光学素子 2は螢石で形成されている。螢石表面、あるいは MgF、 Al O、 SiO等
2 2 3 2 でコートされた表面は水との親和性が高 、ので、光学素子 2の液体接触面 2aのほぼ 全面に液体 1を密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2aとの親和性が高い液体 (水） 1を供給するようにしているので、光学 素子 2の液体接触面 2aと液体 1との密着性が高ぐ光学素子 2と基板 Pとの間の光路 を液体 1で確実に満たすことができる。なお、光学素子 2は水との親和性が高い石英 であってもよい。また光学素子 2の液体接触面 2aに親水 (親液)処理を施して、液体 1 との親和性をより高めるようにしてもょ 、。
[0027] 基板ステージ PSTは、基板 Pを基板ホルダを介して支持 (保持)するものであって、 XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回転可能である。更に基板ステー ジ PSTは、 Z軸方向、 0 X方向、及び Θ Y方向にも移動可能である。基板ステージ P STは、制御装置 CONTによって制御されるリニアモータ等の基板ステージ駆動装置 により駆動される。基板ステージ PSTは、基板 Pの Z位置 (フォーカス位置)及び傾斜 角を制御して基板 Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレべリング方式で投 影光学系 PLの像面に合わせ込むとともに、 XY方向に移動して基板 Pの X軸方向及 ひ Ύ軸方向における位置決めを行う。
[0028] 基板ステージ PST上には移動鏡 55が設けられており、鏡筒 PKには参照鏡（固定 鏡） 54が設けられている。また、移動鏡 55及び参照鏡 54に対向する位置にはレー ザ干渉計 56が設けられている。レーザ干渉計 56は、移動鏡 55に測長ビーム（測定 光)を照射するとともに、参照鏡 54に参照ビーム (参照光)を照射する。照射した測長 ビーム及び参照ビームに基づく移動鏡 55及び参照鏡 54それぞれからの反射光はレ 一ザ干渉計 56の受光部で受光され、レーザ干渉計 56はこれら光を干渉し、参照ビ ームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、参照鏡 54を基 準とした移動鏡 55の位置情報、すなわち基板ステージ PSTの位置情報を計測する 。そして、基板ステージ PST上の基板 Pの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ 干渉計 56によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 CONTに出力される 。制御装置 CONTはレーザ干渉計 56の計測結果に基づ 、て基板ステージ駆動装 置を駆動することで基板ステージ PSTに支持されている基板 Pの位置決めを行う。
[0029] また、基板ステージ PST上には、基板 Pを囲むように環状のプレート部 57が設けら れて 、る。プレート部 57は基板ステージ PST上で保持された基板 Pの表面とほぼ同 じ高さの平坦面 57Aを有している。ここで、基板 Pのエッジとプレート部 57との間には 0. 1一 lmm程度の隙間がある力 液体 1の表面張力によりその隙間に液体 1が流れ 込むことはほとんどなぐ基板 Pの周縁近傍を露光する場合にも、プレート部 57により 投影光学系 PLの下に液体 1を保持することができる。
[0030] 露光装置 EX (露光装置本体 S)は、投影光学系 PLを支持する鏡筒定盤 100と、鏡 筒定盤 100、マスクステージ MST、及び基板ステージ PSTを支持するメインフレーム 102とを備えている。メインフレーム 102は、チャンバ装置 CH内部の床面 FD上に設 けられたベース 108上に設置されている。メインフレーム 102には、内側に向けて突 出する上側段部 102A及び下側段部 102Bが形成されている。
[0031] 照明光学系 ILは、メインフレーム 102の上部に固定された支持フレーム 120により 支持されている。メインフレーム 102の上側段部 102Aには、防振装置 122を介して マスク定盤 124が支持されている。マスクステージ MST及びマスク定盤 124の中央 部にはマスク Mのパターン像を通過させる開口部が形成されている。マスクステージ MSTの下面には非接触軸受である気体軸受（エアベアリング） 126が複数設けられ ている。マスクステージ MSTはエアベアリング 126によりマスク定盤 124の上面（ガイ ド面）に対して非接触支持されており、マスクステージ駆動装置により XY平面内で 2 次元移動可能及び Θ Z方向に微小回転可能である。
[0032] 投影光学系 PLを保持する鏡筒 PKの外周にはフランジ 104が設けられており、投 影光学系 PLはこのフランジ 104を介して鏡筒定盤 100に支持されている。鏡筒定盤 100とメインフレーム 102の下側段部 102Bとの間にはエアマウントなどを含む防振 装置 106が配置されており、投影光学系 PLを支持する鏡筒定盤 100はメインフレー ム 102の下側段部 102Bに防振装置 106を介して支持されている。この防振装置 10 6によって、メインフレーム 102の振動が、投影光学系 PLを支持する鏡筒定盤 100に 伝わらな 、ように、鏡筒定盤 100とメインフレーム 102とが振動的に分離されて 、る。
[0033] 基板ステージ PSTの下面には複数の非接触軸受である気体軸受（エアベアリング） 130が設けられている。また、ベース 108上には、エアマウント等を含む防振装置 11 0を介して定盤 112 (ステージベース）が支持されている。基板ステージ PSTはエア ベアリング 130により定盤 112の上面 (ガイド面）に対して非接触支持されており、基 板ステージ駆動装置により、 XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回転 可能である。この防振装置 110によって、ベース 108 (床面 FD)やメインフレーム 102 の振動が、基板ステージ PSTを非接触支持する定盤 112に伝わらないように、定盤 1 12とメインフレーム 102及びベース 108 (床面 FD)とが振動的に分離されている。
[0034] 液体供給機構 10の一部を構成する液体供給部材 12 (後に詳述）は、メインフレー ム 102の下側段部 102Bに第 1支持部材 140を介して支持されている。なお図 1では 、液体供給部材 12のみが第 1支持部材 140によって支持されているように図示され ているが、その液体供給部材 12に接続する供給管 11も第 1支持部材 140によって 支持されてもよい。
[0035] また、液体回収機構 20の一部を構成する液体回収部材 22 (後に詳述）は、ベース 108 (又は床面 FD)に第 2支持部材 150を介して支持されている。なお図 1では、液 体回収部材 22のみが第 2支持部材 150によって支持されて 、るように図示されて 、 る力 その液体回収部材 22に接続する回収管 21も第 2支持部材 150によって支持 されてちょい。
[0036] ここで、液体供給部材 12と液体回収部材 22とは分離して設けられて 、る。そして、 液体供給部材 12を第 1支持部材 140を介して支持しているメインフレーム 102、及び 液体回収部材 22を第 2支持部材 150を介して支持しているベース 108のそれぞれ は、投影光学系 PLの鏡筒 PKをフランジ 104を介して支持して ヽる鏡筒定盤 100と、 防振装置 106を介して振動的に分離している。そのため、ベース 108上に第 2支持 部材 150を介して支持されている液体回収機構 20を構成する液体回収部材 22は、 投影光学系 PLに対して、振動的に分離している。また、メインフレーム 102及びべ一 ス 108は、ステージベース 112と振動的に分離しているため、メインフレーム 102に支 持されている液体供給部材 12、及びベース 108に支持されている液体回収部材 22 は、ステージベース 112上に支持されている基板ステージ PSTに対しても振動的に 分離している。
[0037] なお、液体回収機構 20の一部を構成する液体回収部材 22は、投影光学系 PLに 対して振動的に分離されているが、液体供給機構 10の液体供給部材 12を支持する 第 1支持部材 140と液体回収機構 20の液体回収部材 22を支持する第 2支持部材 1 50との間に防振装置を配置して、液体供給機構 10の液体供給部材 12を、液体供 給機構 10の液体供給部材 12と投影光学系 PLの両方に対して振動的に分離しても よい。例えば、第 2支持部材 150を防振装置を介してベース 108上に設置することに よって、液体供給機構 10の液体供給部材 12と液体回収機構 20の液体回収部材 22 とを振動的に分離することができる。また、液体回収機構 20は、複数の部材から構成 されており、その全てを投影光学系 PLと振動的に分離してもよいし、上述したように、 その一部のみを分離するだけでもよい。要は、大きな振動が発生しやすい部材が少 なくとも投影光学系 PLに対して振動的に分離されていればよい。
[0038] また、レーザ干渉計 56は、鏡筒定盤 100に取り付けられている。そのため、鏡筒定 盤 100に取り付けられたレーザ干渉計 56と、メインフレーム 102に第 1支持部材 140 を介して支持された液体供給部材 12 (液体供給機構 10)とは振動的に分離している とともに、レーザ干渉計 56とベース 108上に第 2支持部材 150を介して支持された液 体回収部材 22 (液体回収機構 20)とも振動的に分離している。また、鏡筒定盤 100 には、基板 Pのフォーカス位置 (Z位置)及び傾斜を計測するためのフォーカス検出 系や基板 P上のァライメントマークを検出するァライメント系等、不図示の計測系も支 持されており、これらの計測系も、メインフレーム 102、液体供給部材 12、及び液体 回収部材 22とは振動的に分離されることになる。
[0039] 図 2は、液体 1を供給する液体供給機構 10及び液体 1を回収する液体回収機構 20 を示す概略構成図である。上述したように、本実施形態における液体 1は純水であり 、液体供給機構 10は、純水製造装置 30と、純水製造装置 30で製造された液体 (純 水） 1の温度調整を行う温調装置 40と、温調装置 40に供給管 11を介して接続された 液体供給部材 12とを備えている。液体供給部材 12は投影光学系 PLの先端部の光 学素子 2を囲むように基板 Pに近接する位置に設けられており、基板 Pに対向する供 給口 14を有している。供給管 11と供給口 14とは、液体供給部材 12の内部に形成さ れた供給流路 13を介して接続されている。液体供給機構 10は、基板 P上に液体 1を 供給するものであり、純水製造装置 30で製造され、温調装置 40で温度調整された 液体 1は、供給管 11及び液体供給部材 12の供給流路 13を介して供給口 14より基 板 P上に供給される。
[0040] また、液体回収機構 20は、投影光学系 PLの先端部の光学素子 2を囲むように基 板 Pに近接する位置に設けられている液体回収部材 22と、液体回収部材 22に回収 管 21を介して接続された液体回収装置 25とを備えている。液体回収部材 22は、基 板 Pに対向する回収口 24を有している。回収管 21と回収口 24とは、液体回収部材 2 2の内部に形成された回収流路 23を介して接続されている。液体回収機構 20は、基 板 P上の液体 1を回収するものであり、基板 P上の液体 1は、液体回収部材 22の回収 口 24、回収流路 23、及び回収管 21を介して液体回収装置 25に回収される。液体 回収装置 25は、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収口 24から回収した 液体 1とその液体 1と一緒に回収された気体とを分離する気液分離器、及び回収した 液体 1を収容するタンク等を備えている。液体回収装置 25の動作は制御装置 CON Tによって制御される。
[0041] 純水製造装置 30及び温調装置 40は、チャンバ装置 CHの外に配置されて ヽる（図 1参照)。これにより、純水製造装置 30や温調装置 40から発生する熱が露光装置本 体 Sに与える影響を抑えることができる。一方、供給管 11及び回収管 21は空調され たチャンバ装置 CH内部に配置されて 、る。空調された (温度調整された)チャンバ 装置 CH内部に供給管 11が配置されることにより、供給管 11の温度変動が抑えられ ている。
[0042] 純水製造装置 30は、例えば浮遊物や不純物を含む水を精製して所定の純度の純 水を製造する純水製造器 31と、純水製造器 31で製造された純水から更に不純物を 除 ヽて高純度な純水 (超純水）を製造する超純水製造器 32とを備えて ヽる。純水製 造装置 30の純水製造器 31には、例えば水道水や液体回収機構 20で回収された水 が供給され、純水製造器 31はその供給された水を精製して所定の純度の純水を製 造する。
[0043] 温調装置 40は、純水製造装置 30で製造され、供給管 11に供給される液体 (純水） 1の温度調整を行うものであって、その一端部を純水製造装置 30 (超純水製造器 32 )に接続し、他端部を供給管 11に接続しており、純水製造装置 30で製造された液体 1の温度調整を行った後、その温度調整された液体 1を供給管 11に送出する。温調 装置 40は、純水製造装置 30の超純水製造器 32から供給された液体 1の温度を粗く 調整するラフ温調器 41と、ラフ温調器 41の流路下流側 (供給管 11側）に設けられ、 供給管 11側に流す液体 1の単位時間当たりの量を制御するマスフローコントローラと 呼ばれる流量制御器 42と、流量制御器 42を通過した液体 1中の気体溶存濃度を低 下させるための脱気装置 43と、脱気装置 43で脱気された液体 1中の異物を取り除く フィルタ 44と、フィルタ 44を通過した液体 1の温度の微調整を行うファイン温調器 45 とを備えている。
[0044] ラフ温調器 41は、超純水製造器 32から送出された液体 1の温度を目標温度 (例え ば 23°C)に対して例えば ±0. 1°C程度の粗い精度で温度調整するものである。流量 制御器 42はラフ温調器 41と脱気装置 43との間に配置されており、ラフ温調器 41で 温度調整された液体 1の脱気装置 43側に対する単位時間当たりの流量を制御する 。ここで、流量制御器 42は、ラフ温調器 41で温度調整された液体 1の流量制御を行 う構成であるので、流量制御を高精度に行うことができる。すなわち、温度調整を施さ れて 、な 、液体 1に対して流量制御を行おうとすると、例えば液体 1の温度変動が大 きい場合、その温度変動に起因して脱気装置 43側に供給する液体 1の流量も変動 する可能性があるが、ラフ温調器 41で温度調整された液体 1を流量制御することで、 流量制御器 42は流量制御を高精度に行うことができる。
[0045] 脱気装置 43は、ラフ温調器 41とファイン温調器 45との間、具体的には流量制御器 42とフィルタ 44との間に配置されており、流量制御器 42から送出された液体 1を脱 気して、液体 1中の気体溶存濃度を低下させる。脱気装置 43としては、供給された液 体 1を減圧することによって脱気する減圧装置など公知の脱気装置を用いることがで きる。
また、中空糸膜フィルタ等の濾過フィルタを用いて液体 1を気液分離し、分離された 気体成分を真空系を使って除くフィルタを含む装置や、液体 1を遠心力を使って気 液分離し、分離された気体成分を真空系を使って除く脱気ポンプを含む装置などを 用いることちでさる。
[0046] 脱気装置 43は、ラフ温調器 41で温度調整された液体 1の脱気を行う構成であるの で、脱気を良好に行うことができる。すなわち、温度調整を施されていない液体 1に対 して脱気を行おうとすると、例えば液体 1の温度変動が大きい場合、その温度変動に 起因して脱気レベル (気体溶存濃度）が変動する可能性があるが、ラフ温調器 41で 温度調整された液体 1を脱気することで、脱気装置 43は液体 1中の気体溶存濃度を 十分に安定して低下することができる。
[0047] フィルタ 44は、ラフ温調器 41とファイン温調器 45との間、具体的には脱気装置 43 とファイン温調器 45との間に配置されており、脱気装置 43から送出された液体 1中の 異物を取り除くものである。流量制御器 42や脱気装置 43を通過するときに、液体 1 中に僅かに異物 (パーティクル）が混入する可能性が考えられるが、流量制御器 42 や脱気装置 43の下流側 (供給管 11側）にフィルタ 44を設けたことにより、そのフィル タ 44によって異物を取り除くことができる。フィルタ 44としては、中空糸膜フィルタなど 公知のフィルタを用いることができ、例えば、フィルタ 44を通過した液体中に含まれる 0.： mよりも大きな泡（bubble)や異物（particle)が 0. 3個 Zcm3より少なくなる性 能のものを用いるのが望ましい。なお、最終的には、投影光学系 PLの光学素子 2と 基板 Pとの間の液体中に含まれる 0. 1 μ mより大きな泡や異物を 1個未満に抑えてお くのが望ましい。
[0048] ファイン温調器 45は、ラフ温調器 41と供給管 11との間、具体的にはフィルタ 44と 供給管 11との間に配置されており、高精度に液体 1の温度調整を行う。例えばフアイ ン温調器 45は、フィルタ 44から送出された液体 1の温度 (温度安定性、温度均一性） を目標温度に対して ±o. o e— ±0. 001°C程度の高い精度で微調整する。本実 施形態においては、温調装置 40を構成する複数の機器のうち、ファイン温調器 45が 液体 1の供給対象である基板 P (露光装置本体 S)に最も近!ヽ位置に配置されて!ヽる ので、高精度に温度調整された液体 1を基板 P上に供給することができる。
[0049] なお、フィルタ 44は温調装置 40内でラフ温調器 41とファイン温調器 45との間に配 置されて!、るのが好まし 、が、温調装置 40内の異なる場所に配置されて 、てもよ 、 し、温調装置 40の外に配置されるようにしてもよい。
[0050] 純水製造装置 30の動作は、露光装置本体 Sの動作を制御する制御装置 CONTと は別の純水製造制御部 33によって制御されるようになっている。また、温調装置 40 の動作は、制御装置 CONTとは別の温調制御部 46によって制御されるようになって いる。そして、制御装置 CONTと純水製造制御部 33とは第 1通信装置 401によって 接続され、制御装置 CONTと温調制御部 46とは第 2通信装置 402によって接続され ている。
第 1通信装置 401及び第 2通信装置 402を含む通信装置 400は、例えばローカル エリアネットワーク (LAN)を含んで構成されており、制御装置 CONT、純水製造制 御部 33、及び温調制御部 46のそれぞれは、通信装置 400を介して互いに信号及び 情報伝達可能となっている。
[0051] 液体供給機構 10の供給管 11は、温調装置 40で温度調整された液体 1を液体供 給部材 12を介して基板 P上に供給するものであって、その一端部を温調装置 40のフ アイン温調器 45に接続し、他端部を液体供給部材 12の供給流路 13に接続して 、る 。上述したように、供給管 11は空調系 300によって空調されているチャンバ装置 CH の内部に配置されている。液体回収機構 20の回収管 21は、基板 P上の液体 1を液 体回収部材 22の回収口 24を介して回収するものであり、回収口 24から回収された 液体 1は、液体回収部材 22の回収流路 23及び回収管 21を介して液体回収装置 25 に回収される。
[0052] 供給管 11と回収管 21とは接続管 60を介して接続されている。接続管 60もチャンバ 装置 CH内部に配置されている。接続管 60の一端部は供給管 11の途中の接続位置 C1に接続され、他端部は回収管 21の途中の接続位置 C2に接続されている。また、 供給管 11の途中には、この供給管 11の流路を開閉する第 1バルブ 16が設けられて おり、回収管 21の途中には、この回収管 21の流路を開閉する第 2バルブ 26が設け られており、接続管 60の途中には、この接続管 60の流路を開閉する第 3バルブ 66 が設けられている。第 1バルブ 16は、供給管 11のうち接続位置 C1よりも供給口 14側 に設けられており、第 2バルブ 26は、回収管 21のうち接続位置 C2よりも回収口 24側 に設けられている。各バルブ 16、 26、 66の動作は制御装置 CONTにより制御される 。そして、これらバルブ 16、 26、 66によって、温調装置 40から送出された液体 1の流 路が変更されるようになっている。なお、接続管 60は、なるべく供給口 14及び回収口 24に近い方が望ましいが、チャンバ CHの外に設けてもよい。また、第 1バルブ 16及 び第 2バルブ 26の代わりに接続位置 C1に三方弁を配置して、温調装置 40から接続 位置 C 1に流入した液体 1の流路を切替えるようにしてもよ!、。
[0053] また、チャンバ装置 CH内部には、このチャンバ装置 CH内部の温度を計測する温 度計測器 160が設けられて 、る。温度計測器 160の温度計測結果は制御装置 CO NTに出力されるようになって 、る。
[0054] 図 3は、液体供給部材 12に形成された供給口 14、及び液体回収部材 22に形成さ れた回収口 24と、投影光学系 PLの投影領域 AR1との位置関係を示す平面図であ る。図 3において、投影光学系 PLの投影領域 AR1は Y軸方向（非走査方向）を長手 方向とする矩形状に設定されている。そして、本実施形態において、供給口 14は 2 つ設けられており、投影領域 AR1に対して走査方向一方側 (一 X側）には第 1供給口 14Aが設けられ、他方側（+X側）には第 2供給口 14Bが設けられている。つまり、第 1、第 2供給口 14A、 14Bは、投影領域 AR1の近くに設けられ、走査方向（X方向）に 関して投影領域 AR1を挟むようにその両側に配置されている。第 1、第 2供給口 14A 、 14Bのそれぞれは所定の長さを有する平面視略円弧状のスリット状に形成されて いる。第 1、第 2供給口 14A、 14Bの Y軸方向における長さは、少なくとも投影領域 A R1の Y軸方向における長さより長くなつている。液体供給機構 10は、第 1、第 2供給 口 14A、 14Bより、投影領域 AR1の両側で液体 1を同時に供給可能である。そして、 液体供給部材 12内部には、複数（2つ）の供給口 14A、 14Bに対応するように、複数 (2つ）の供給流路 13が形成されている。
[0055] また、本実施形態において、回収口 24は 4つ設けられている。 4つの回収口 24A— 24Dは投影領域 AR1に対して供給口 14A、 14Bの外側に配置されており、供給口 1 4A、 14B及び投影領域 ARlを囲むように配置されている。複数 (4つ）の回収口 24 A— 24Dのうち、回収口 24Aと回収口 24Cとが X軸方向に関して投影領域 AR1を挟 んでその両側に配置されており、回収口 24Bと回収口 24Dとが Y軸方向に関して投 影領域 AR1を挟んでその両側に配置されている。供給口 14A、 14Bは投影領域 AR 1と回収口 24A、 24Cとの間に配置された構成となっている。回収口 24A— 24Dの それぞれは平面視略円弧状の所定の長さを有するスリット状に形成されている。回収 口 24A、 24Cの Y軸方向における長さは、供給口 14A、 14Bの Y軸方向における長 さより長くなつている。回収口 24B、 24Dのそれぞれも回収口 24A、 24Cとほぼ同じ 長さに形成されている。そして、液体回収部材 22内部には、複数 (4つ）の回収口 24 A— 24Dに対応するように、複数 (4つ）の回収流路 23が形成されて 、る。
本実施形態にぉ ヽては、回収口 24を、供給口 14及び投影領域 AR1を囲むように 設けたので、基板 Pの外側への液体 1の流出を防止することができる。
[0056] なお、本実施形態において、複数の回収口 24A— 24Dのそれぞれはほぼ同じ大 きさ（長さ）に形成されているが、互いに異なる大きさであってもよい。また、回収口 24 の数は 4つに限られず、投影領域 AR1及び供給口 14A、 14Bを取り囲むように配置 されていれば、任意の複数設けることができる。また、回収口 24の外側に、更に別の 回収口を設けてもよい。また、回収口を分割せずに、連続した環状の回収口としても よい。また、図 3においては、供給口 14のスリット幅と回収口 24のスリット幅とがほぼ 同じになっているが、回収口 24のスリット幅を、供給口 14のスリット幅より大きくしても よいし、逆に回収口のスリット幅を、供給口のスリット幅より小さくしてもよい。
[0057] また、ここでは、液体供給機構 10の供給口 14は投影領域 AR1に対して走査方向（ X軸方向）両側に設けられている構成であるが、非走査方向（Y軸方向）両側に別の 供給口を設け、これら複数の供給口を組み合わせて液体供給を行うようにしてもょ ヽ 。あるいは、供給口は投影領域 AR1の周りを全て囲むように環状に設けられてもよい
[0058] そして、液体 1が満たされた液浸領域 AR2は、投影領域 AR1を含むように実質的 に 4つの回収口 24A— 24Dで囲まれた領域内であって且つ基板 P上の一部に局所 的に形成される。なお、液浸領域 AR2は少なくとも投影領域 AR1を覆っていればよ ぐ必ずしも 4つの回収口 24A— 24Dで囲まれた領域全体が液浸領域にならなくても よい。
[0059] 図 4は、液体供給部材 12及び液体回収部材 22の概略斜視図である。図 4に示す ように、液体供給部材 12及び液体回収部材 22のそれぞれは、投影光学系 PLの終 端部の光学素子 2の周りを囲むように設けられた環状部材であって、互いに分離'独 立している部材である。そして、上述したように、複数の供給流路 13 (図 4では不図示 )のそれぞれに対して供給管 11が接続され、複数の回収流路 23のそれぞれに対し て回収管 21が接続されている。
[0060] なお、液体供給部材 12及び液体回収部材 22は、例えばステンレスやチタン、アル ミニゥム、あるいはこれらを含む合金等の金属により形成されており、供給流路 13及 び回収流路 23は例えば放電加工により形成される。なお、液体供給部材 12及び液 体回収部材 22の接液面は電解研磨あるいは不導体酸化膜処理しておくとよ ヽ。また 、液体供給部材 12及び液体回収部材 22を含む液体供給機構 10及び液体回収機 構 20を構成する各部材は、例えばポリ四フッ化工チレン等の合成樹脂により形成さ れていてもよい。
[0061] なお、本実施形態において、複数の供給口 14及び供給管 11は、 1つの温調装置 4 0に接続されて ヽるが、供給口 14 (供給管 11)の数に対応した温調装置 40を複数（ ここでは 2つ)設け、供給口 14 (供給管 11)のそれぞれを前記複数の温調装置 40の それぞれに接続するようにしてもよい。同様に、複数の回収口 24及び回収管 21を、 1つの液体回収装置 25に接続する構成の他に、回収口 24 (回収管 21)の数に対応 した液体回収装置 25を複数 (ここでは 4つ)設け、回収口 24 (回収管 21)のそれぞれ を前記複数の液体回収装置 25のそれぞれに接続するようにしてもょ 、。
[0062] 図 5は、図 4の A— A断面矢視図、図 6は、図 4の B— B断面矢視図である。なお、以 下の説明では、液体供給部材 12及び液体回収部材 22のうち、投影光学系 PLの + X側に設けられた供給流路 13及び回収流路 23について説明するが、投影光学系 P Lの X側に設けられた供給流路 13、投影光学系 PLの X側の回収流路 23、 一 Y側 の回収流路 23、及び +Y側の回収流路 23も同等の構成を有する。
[0063] 図 5において、供給流路 13は、供給管 11に継手 80を介して接続され、ほぼ水平方 向に液体 1を流す水平流路 13 Aと、ほぼ鉛直方向に液体 1を流す鉛直流路 13Bとを 有している。水平流路 13Aは、平面視において、供給管 11から鉛直流路 13B (投影 光学系 PL)側に向力つて漸次拡カ ¾テーパ状に形成されている。温調装置 40から 送出された液体 1は供給管 11を介して供給流路 13に流入する。供給流路 13に流入 した液体 1は、供給流路 13のうち、水平流路 13Aにおいてほぼ水平方向（XY平面 方向）に流れ、ほぼ直角に曲げられた後、鉛直流路 13Bにおいて鉛直方向（一 Z方向 )に流れ、供給口 14を介して基板 Pの上方より基板 P上に供給される。
[0064] 図 5及び図 6において、回収流路 23は、回収管 21に継手 81を介して接続され、ほ ぼ水平方向に液体 1を流す水平流路 23Aと、ほぼ鉛直方向に液体 1を流す鉛直流 路 23Bとを有している。水平流路 23Aは、平面視において、鉛直流路 23B (投影光 学系 PL)から回収管 21側に向かって漸次窄まるテーパ状に形成されている。真空系 を有する液体回収装置 25の駆動により、基板 P上の液体 1は、その基板 Pの上方に 設けられた回収口 24を介して回収流路 23の鉛直流路 23Bに鉛直上向き（+Z方向） に流入する。
回収流路 23の鉛直流路 23Bに流入した液体 1は、水平方向にその流れの向きを 変えられ、水平流路 23Aをほぼ水平方向に流れる。その後、回収管 21を介して液体 回収装置 25に吸引回収される。
[0065] 液体回収部材 22のうち回収口 24より投影光学系 PLに対して外側の下面 (基板 P 側を向く面）には、液体 1を捕捉する所定長さの液体トラップ面 70が形成されている。 トラップ面 70は、 XY平面に対して傾斜した面であり、投影領域 AR1 (液浸領域 AR2 )に対して外側に向力うにつれて基板 Pの表面に対して離れるように（上に向力うよう に)傾斜している。本実施形態において、トラップ面 70は投影領域 AR1に対して走 查方向（X軸方向）両側のそれぞれに設けられている。トラップ面 70は親液処理を施 されている。基板 Pの表面に塗布されている膜 (フォトレジスト、反射防止膜等）は通 常撥水性 (撥液性)なので、回収口 24の外側に流出した液体 1は、トラップ面 70で捕 捉される。なお、本実施形態における液体 1は極性の大きい水であるため、トラップ面 70に対する親水処理 (親液処理）として、例えばアルコールなど極性の大きい分子 構造の物質で薄膜を形成することで、このトラップ面 70に対して親水性を付与する。 すなわち、液体 1として水を用いる場合にはトラップ面 70に OH基など極性の大きい 分子構造を持ったものを表面に配置させる処理が望ましい。
[0066] なお、ここでは、トラップ面 70は液体回収部材 22の下面において投影領域 AR1の 走査方向両側のみに設けられている構成であるが、投影領域 AR1に対して非走査 方向に設けられた構成とすることも可能である。一方、液体 1が流出しやすいのは走 查方向両側であるため、投影領域 AR1の走査方向両側のみにトラップ面 70を設け る構成であっても、流出しょうとする液体 1を良好に捕捉できる。また、トラップ面 70は フラット面である必要は無く、例えば複数の平面を組み合わせた形状であってもよ ヽ 。あるいは、トラップ面 70は曲面状であってもよぐ表面積拡大処理、具体的には粗 面処理を施されて 、てもよ 、。
[0067] なお、液体回収を円滑に行うために、回収流路 23のうち回収口 24近傍の内壁面 に親液処理 (親水処理)を施すことができる。本実施形態における液体 1は極性の大 きい水であるため、回収口 24に対する親水処理 (親液処理）として、例えばアルコー ルなど極性の大き 、分子構造の物質で薄膜を形成することで回収口 24近傍の回収 流路 23の内壁面に親水性を付与したり、あるいは紫外線 (UV)を照射することで親 水性を付与することができる。なお、回収口 24近傍以外にも、液体供給機構 10や液 体回収機構 20のうち液体 1が流れる流路の表面に対して親液処理を施すことができ る。
[0068] また、液体回収部材 22の下面のうち、基板 P上に形成された液浸領域 AR2の液体 1に接触する位置には、供給管 11及び供給流路 13を介して基板 P上に供給された 液体 1の温度を計測する液体温度計測器 170が設けられて 、る。液体温度計測器 1 70の温度計測結果は制御装置 CONTに出力されるようになっている。
[0069] なお、液体温度計測器 170は、基板 P上に形成された液浸領域 AR2の液体 1に接 触可能な位置であればよぐ例えば液体供給部材 12の下面に設けられて 、てもよ 、 。一方、投影領域 AR1の近傍に液体温度検出器 170を設けると、その液体温度検 出器 170の存在によって液浸領域 AR2の液体 1の流れが乱れる可能性があるため、 液体温度検出器 170の設置位置としては、液浸領域 AR2の液体 1に接触可能な範 囲で、投影領域 AR1より可能な限り遠い位置であることが好ましい。 [0070] そして、液体供給部材 12と液体回収部材 22とは互いに独立して分離した部材であ つて、上述したように、液体供給部材 12は第 1支持部材 140を介してメインコラム 102 の下側段部 102Bに支持され、液体回収部材 22は第 2支持部材 150を介してベース 108に支持されている。また、液体供給部材 12は投影光学系 PL (光学素子 2)に対 して離れた状態で第 1支持部材 140に支持されており、これにより、投影光学系 PL の光学素子 2と液体供給部材 12とが振動的に分離される。また、上述したように、液 体回収部材 22は、投影光学系 PL (光学素子 2)に対して離れた状態で第 2支持部材 150に支持されており、これにより、投影光学系 PLの光学素子 2と液体回収部材 22 とが振動的に分離される。したがって、液体回収機構 10や液体回収機構 20で発生 した振動が、投影光学系 PLに伝達することを防ぐことができる。なお、液体供給部材 12のうち光学素子 2に対向する面や、光学素子 2のうち液体供給部材 12に対向する 面に撥液処理を施すことが好ましい。こうすることにより、液体供給部材 12と光学素 子 2との間に液体 1が浸入することを防止することができる。同様に、液体供給部材 1 2のうち液体回収部材 22に対向する面や、液体回収部材 22のうち液体供給部材 12 に対向する面にも撥液処理を施すことが好ましい。撥液処理としては、例えば撥液性 を有する材料を使ったコーティング処理が挙げられる。撥液性を有する材料としては 、例えばフッ素系化合物やシリコンィ匕合物、あるいはポリエチレン等の合成樹脂が挙 げられる。また、表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる 膜であってもよい。
[0071] 次に、上述した露光装置 EXを用いてマスク Mのパターン像を基板 Pに露光する方 法について、図 7A— 7Dに示す模式図を参照しながら説明する。
液体供給機構 10の純水製造装置 30で製造された液体 (純水） 1は、温調装置 40 で所望の温度、例えばチャンバ装置 CH内部と同等の温度に調整された後、供給管 11に供給される。ここで、液体供給機構 10の純水製造装置 30及び温調装置 40は、 液体供給時及び液体供給不要時のいずれにおいても駆動している。そして、露光処 理を行う前など液体供給不要時においては、制御装置 CONTは、供給管 11から液 体供給部材 12 (ひいては基板 P)に対する液体 1の供給を停止するために、図 7Aに 示すように、第 1バルブ 16によって供給管 11から液体供給部材 12 (基板 P)への流 路を閉じる。このとき、第 2バルブ 26によって回収管 21の流路も閉じられている。そし て、制御装置 CONTは、供給管 11から液体供給部材 12 (基板 P)への液体 1の供給 を停止しているときに、接続管 60の第 3バルブ 66を開けて接続管 60の流路を開け、 温調装置 40から供給管 11に流入した液体 1が接続管 60を介して回収管 21に流れ るように流路を切り替える。これにより、液体供給不要時において、温調装置 40で温 度調整された液体 1は基板 P上に供給されずに、回収管 21を介して液体回収装置 2 5に回収される。なおこのとき、液体 1の単位時間あたりの流量を、液浸露光時に比べ て少なくるようにしてもよい。すなわち、純水製造装置 30及び温調装置 40の動作を 継続して、供給流路に液体 1を流し続けることができれば、液体 1の流量が少なくても 良い。
[0072] 図 7Bに示すように、液浸露光処理を行うに際し、制御装置 CONTは、第 1バルブ 1 6を開けて供給管 11から液体供給部材 12 (基板 P)への流路を開けるとともに、第 3 バルブ 66によって接続管 60の流路を閉じる。これにより、温調装置 40によって温度 調整された液体 1が供給管 11及び液体供給部材 12の供給口 14を介して基板 P上 に供給される。このとき、制御装置 CONTは、第 2バルブ 26を開けて液体回収部材 2 2の回収口 24から回収管 21 (液体回収装置 25)への流路を開ける。これにより、基板 P上の液体 1は、回収口 24、回収流路 23、及び回収管 21を介して液体回収装置 25 に回収される。液体供給機構 10及び液体回収機構 20による液体 1の供給及び回収 動作によって、供給管 11を介して温調装置 40より供給された液体 1は基板 P上に液 浸領域 AR2を良好に形成する。
[0073] ここで、純水製造装置 30及び温調装置 40を含む液体供給機構 10の液体供給動 作は、制御装置 CONTあるいはこの制御装置 CONTに通信装置 400を介して接続 されている純水製造制御部 33や温調制御部 46によって制御され、液体供給機構 1 0は、単位時間あたり所定量の液体 1を、基板 Pの上方に設けられた供給口 14より基 板 P上に供給する。また、液体回収装置 25を含む液体回収機構 20の液体回収動作 は制御装置 CONTにより制御され、液体回収機構 20は、単位時間あたり所定量の 液体 1を、基板 Pの上方に設けられた回収口 24を介して回収する。
[0074] 図 7Aに示したように、基板 P上に対する液体 1の供給を停止しているときにも、純水 製造装置 30及び温調装置 40はその駆動を継続して 、るので、図 7Bに示したように 、基板 P上に液体 1を供給するためにバルブ 16、 26、 66を使って流路を切り替える だけで、所望の温度に調整された液体 1を直ちに基板 P上に供給することができる。 つまり、基板 P上に対する液体 1の供給を停止するとき、純水製造装置 30や温調装 置 40の駆動まで停止してしまうと、液体 1の供給を再開したときや、温調装置 40の駆 動を再開したとき、温調装置 40から送出される液体温度が僅かに変化したり、液体が 所望温度に達するまでに時間が力かって待ち時間を設けなくてはならない等の不都 合が生じる。しかしながら、液体 1の供給を停止しているときも、供給管 11に液体 1を 流入させ、温調装置 40の駆動や供給管 11に対する液体 1の流入を維持することで、 基板 P上に対する液体 1の供給を停止した後に液体供給動作を再開する場合にお いても、待ち時間を設けることなく (スループットを低下させることなく）、所望温度の液 体 1を効率良く供給することができる。
[0075] そして、液体 1の供給を停止しているときに、バルブ 16、 26、 66を使って供給管 11 に流入した液体 1を回収管 21に流すようにしたので、液体 1の流出を防止することが でき、液体 1の流出に伴う周辺の機械部品の鲭びの発生や基板 Pがおかれている環 境 (湿度等)の変動と 、つた不都合の発生を防止することができる。
[0076] ここで、制御装置 CONTは、基板 P上に対する液体 1の供給を開始した後、液浸露 光処理を開始するまでの間 (基板 Pに露光光が照射されるまでの間）、供給管 11を介 して液体 1を所定期間 (あるいは所定量)供給する。これにより、供給管 11や供給流 路 13、あるいは供給口 14近傍が洗浄 (フラッシュ)されるとともに、供給管 11や供給 流路 13、あるいは供給口 14近傍の温度が安定する。なおこのとき、液体 1の単位時 間あたりの流量を、液浸露光時に比べて多くするようにしてもよい。これにより、高い 洗浄効果が期待できるとともに、供給管 11や供給流路 13、あるいは供給口 14近傍 の温度を短時間で所定温度 (液体 1と同じ温度）にすることができる。換言すれば、液 浸露光処理を行う前に、ファイン温調器 45で温度調整された液体 1を所定時間基板 P上に供給し続け、供給管 11等が温度定常状態となった後に、液浸露光処理を開 始する。その場合、短時間で温度定常状態にするために、温度調整された液体 1を 液浸露光時より大量に流すようにしてもよい。 [0077] 基板 P上に液浸領域 AR2を形成した後、制御装置 CONTは、照明光学系 ILより露 光光 ELを射出する。照明光学系 ILより射出されマスク Mを通過した露光光 ELは投 影光学系 PLの像面側に照射され、これにより、図 7Cに示すように、マスク Mのパタ ーンが投影光学系 PL及び液浸領域 AR2の液体 1を介して基板 Pに露光される。制 御装置 CONTは、露光光 ELが投影光学系 PLの像面側に照射されているときに、す なわち基板 Pの露光動作中に、液体供給機構 10による基板 P上への液体供給動作 と、液体回収機構 20による基板 P上の液体回収動作とを行う。これにより、基板 P上 に液浸領域 AR2が良好に形成される。
[0078] 本実施形態における露光装置 EXは、マスク Mと基板 Pとを X軸方向（走査方向）に 移動しながらマスク Mのパターン像を基板 Pに投影露光するものであって、走査露光 時には、投影光学系 PLの終端部直下の矩形状の投影領域 AR1にマスク Mの一部 のパターン像が投影され、投影光学系 PLに対して、マスク Mがー X方向（又は +X方 向）に速度 Vで移動するのに同期して、基板ステージ PSTを介して基板 Pが +X方向 (又は- X方向）に速度 β ·ν ( βは投影倍率)で移動する。基板 Ρ上には複数のショッ ト領域が設定されており、 1つのショット領域への露光終了後に、基板 Ρのステツピン グ移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ'アンド'ス キャン方式で基板 Ρを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行わ れる。
[0079] そして、基板 Ρ上に供給された液体 1は、基板 Ρの動きに合わせて投影光学系 PL の下を流れる。例えば、あるショット領域の露光中に基板 Pが +X方向に移動している ときには、液体 1は基板 Pと同じ方向 +X方向に、ほぼ基板 Pと同じ速度で、投影光学 系 PLの下を流れる。
[0080] 本実施形態において、露光動作中、液体供給機構 10は、供給口 14A、 14Bより投 影領域 AR1の両側力 基板 P上への液体 1の供給を同時に行う。これにより、供給口 14A、 14Bから基板 P上に供給された液体 1は、投影光学系 PLの終端部の光学素 子 2の下端面と基板 Pとの間に良好に濡れ拡がり、液浸領域 AR2を少なくとも投影領 域 AR1より広 、範囲で形成する。
[0081] ここで、例えば基板 Pが +X方向に移動することにより、投影領域 AR1に対して +X 側に移動する液体量が増し、回収口 24Cで回収しきれずに、基板 Pの外側に流出す る可能性がある。ところが、 +X側に移動する液体 1は、液体回収部材 22の +X側下 面に設けられているトラップ面 70で捕捉されるため、液体 1の流出を防止することが できる。
[0082] ところで、本実施形態では、基板 P上の一部に液浸領域 AR2を形成する局所液浸 方式であり、液体回収機構 20としての回収口 24を介して基板 Pの上方力も基板 P上 の液体 1を液体回収装置 25の真空系を使って吸引回収する構成である。この場合、 液体回収機構 20においては、基板 P上の液体 1を、その周囲の気体とともに (周囲の 気体を嚙み込むようにして）回収する状況が生じる可能性がある。液体回収機構 20 が回収口 24を介して液体 1をその周囲の気体とともに回収することで、液体 1が回収 流路 23に断続的に流入する状況が発生する。すると、回収流路 23に流入した液体 1は粒状に分割された形態 (液滴）となり、その液滴が回収流路 23や回収管 21に衝 突する。このことが、音や振動の発生要因の 1つと考えられ、このようにして発生した 音や振動によって露光精度が劣化するおそれがある。
[0083] ところが、液体回収機構 20の液体回収部材 22と、投影光学系 PLとは防振装置 10 6を介して振動的に分離されているので、液体回収の際に生じる振動が、投影光学 系 PL、レーザ干渉計 56、及びフォーカス検出系ゃァライメント系等の計測系に伝わ ることがない。したがって、投影光学系が振動することでパターン像が劣化するといつ た不都合の発生を防止でき、また、液体回収機構 20の液体回収部材 22と、基板ス テージ PSTとが防振装置 110を介して振動的に分離されているので、基板ステージ ( 基板 P)の位置制御を精度良く行うことができるため、パターン像を基板上に精度良く 投影することができる。すなわち、基板ステージ PSTを支持するステージベース 112 と振動的に分離されたメインフレーム 102で第 1支持部材 140を介して液体供給機 構 10の液体供給部材 12を支持し、ベース 108で第 2支持部材 150を介して液体回 収機構 20の液体回収部材 22を支持して 、るので、液体供給機構 10及び液体回収 機構 20は、ステージベース 112とも振動的に分離されている。したがって、液体供給 の際、あるいは液体回収の際に生じる振動力 ステージベース 112に伝わることもな ぐ基板ステージ PSTの位置決め精度、あるいは移動精度を低下させる不都合が生 じるのを防止することができる。
[0084] なお、回収口 24に、例えば多孔質セラミックスやスポンジ状部材カ なる多孔質部 材、あるいは細管の集合体を設ける構成を採用することも可能である。これにより、液 体 1を回収する際に大きな音や振動が発生する不都合を低減することもできる。つま り、回収した液滴の大きさが大きいと、回収流路ゃ回収管の内壁に当たるときの力（ 力積)が大きくなり、発生する音や振動も大きくなると考えられる。そこで、回収口 24 の内部に多孔質部材ゃ細管を配置することで、回収口 24から回収された液体の液 滴の大きさを小さく（細かく）した状態で回収することができる。そのため、液滴が回収 流路ゃ回収管の内壁に当たるときの力（力積)を小さくすることができるので、発生す る音や振動を低減することができる。
[0085] 液浸露光中において、チャンバ装置 CH内部の温度は、チャンバ装置 CH内部に 設けられた温度計測器 160にモニタされており、液浸領域 AR2の液体 1の温度は、 液体回収部材 22の下面に取り付けられた液体温度計測器 170によってモニタされ ている。そして、温度計測器 160の計測結果及び液体温度計測器 170の計測結果 は、制御装置 CONTに常時、又は定期的に出力されている。制御装置 CONTは、 温度計測器 160及び液体温度計測器 170それぞれの温度計測結果を通信装置 40 0 (402)を介して温調制御部 46に通信する。温調制御部 46は、通信装置 402を介 して得た温度計測器 160の計測結果及び液体温度計測器 170の計測結果に基づ いて、液浸領域 AR2の液体 1が所望の温度になるように、温調装置 40 (ファイン温調 器 45)による液体 1の温度調整を制御する。ここで、温調制御部 46 (または制御装置 CONT)は、例えば温度計測器 160と液体温度計測器 170とのそれぞれの計測結 果を考慮して、温調装置 40 (ファイン温調器 45)の温度調整を制御してもよい。ある いは、温調制御部 46 (または制御装置 CONT)は、温度計測器 160の計測結果又 は液体温度計測器 170の計測結果のうち 、ずれか一方の計測結果に基づ!/、て、温 調装置 40 (ファイン温調器 45)による液体 1の温度調整を制御するようにしてもよ!ヽ。
[0086] なお、本実施形態では、液体温度計測器 170は液体回収部材 22の下面に取り付 けられており、供給管 11から供給流路 13及び供給口 14を介して基板 P上に供給さ れた液体 1の温度を計測しているが、例えば液体温度計測器 170を供給管 11内部 に設け、供給管 11内の液体 1の温度を計測するようにしてもよい。この場合において も、供給管 11内の液体 1の温度計測結果は制御装置 CONTに出力され、制御装置 CONTはその温度計測結果を通信装置 402を介して温調制御部 46に通信する。温 調制御部 46は、通信装置 402を介して得た供給管 11内の液体 1の温度計測結果に 基づいて、温調装置 40の温度調整を制御する。もちろん、液体温度計測器 170を、 液浸領域 AR2の液体 1に接触する位置や供給管 11内部などの複数の位置にそれ ぞれに設け、これら複数の液体温度計測器 170それぞれの温度計測結果に基づい て、温調装置 40による温度調整が制御されてもよい。この場合においても、これら複 数の液体温度計測器 170それぞれの計測結果に関して平均化など所定の演算処理 を行い、その処理結果に基づいて温調装置 40による温度調整が制御されるようにし てもよい。同様に、チャンバ装置 CH内部の温度を計測する温度計測器 160を複数 設け、これら複数の温度計測器 160それぞれの温度計測結果に基づいて、場合によ つては平均化等の演算処理を行った後、温調装置 40による温度調整が制御されて ちょい。
液浸露光処理が終了した後、制御装置 CONTは、第 1バルブ 16によって供給管 1 1の流路を閉じて供給管 11から液体供給部材 12 (ひいては基板 P)に対する液体 1 の供給を停止する。このときも、純水製造装置 30や温調装置 40の駆動は維持されて おり、温調装置 40からは温度調整された液体 1が送出され続けている。また、制御装 置 CONTは、基板 P上に対する液体 1の供給を停止した後も、所定期間だけ第 2バ ルブ 26を開けて回収管 21の流路を開ける。これにより、液浸露光処理後において基 板 P上や基板ステージ PST上に残留している液体 1を回収口 24を介して回収するこ とができる。なお、残留した液体 1を回収する際、回収口 24に対して基板ステージ PS Tを相対的に移動するようにしてもよい。そして、基板 P上や基板ステージ PST上に 残留している液体 1を回収した後、供給管 11を介して基板 P上への液体 1の供給を 停止しているときに、制御装置 CONTは、図 7Dに示すように、第 2バルブ 26で回収 管 21の流路を閉じるとともに、第 3バルブ 66を開けて接続管 60の流路を開け、温調 装置 40から供給管 11に流入した液体 1が接続管 60を介して回収管 21に流れるよう に流路の切り替えを行う。これにより、液体供給不要時において、温調装置 40で温 度調整された液体 1は基板 P上に供給されずに、回収管 21を介して液体回収装置 2 5に回収される。なお、液体供給の不要時などに温調装置 40から供給される液体の 量は、液浸露光時のときよりも少なくてもよい。
[0088] 以上説明したように、温調装置 40で温度調整された液体 1を供給管 11を介して基 板 P上に供給する場合において、液体 1の供給を停止しているときに、供給管 11に 流入した液体 1を回収管 21に流すようにしたので、液体 1を流出させることなぐ温調 装置 40の駆動及び駆動停止や供給管 11への液体 1の流入及び流入停止に伴う供 給される液体温度の変動といった不都合の発生を防止することができる。特に、本実 施形態のように、目標温度に対して例えば ±0. o eといった高精度な温度調整が 必要な場合、ファイン温調器 45の駆動及び駆動停止を繰り返すと、液体 1を高精度 に温度調整できなくなる可能性が高くなる。しかしながら、本実施形態のように、液体 1の供給を停止しているときにも、ファイン温調器 45を含む温調装置 40の駆動を維 持し、その温調装置 40から送出された液体 1を回収管 21に流れるように流路を切り 替えることで、液体 1の流出を防止しつつ、液体 1を高精度に所定温度に維持するこ とがでさる。
[0089] そして、温度装置 40は、ラフ温調器 41とファイン温調器 45とを有して 、るので、液 体 1を高精度に温度調整して供給することができ、高い露光精度を維持することがで きる。また、温調装置 40に液体 1中の気体溶存濃度を低下させるための脱気装置 43 を設けたので、液体 1中の気泡の発生を十分に抑制してからこの液体 1を供給するこ とができ、液浸領域 AR2の液体 1からの気泡の発生を防止することができる。また、 投影光学系 PLの下面や基板 P表面など液体 1が流れる流路中に仮に気泡が発生し ていても、気泡の発生を十分に抑制された液体 1が流路中を流れることにより、液体 1 はこの流路中に発生した気泡を吸収し除去することもできる。このように、液浸領域 A R2の液体 1中に気泡を存在させないことができるので、気泡に起因するパターン像 の劣化を防止し、高い露光精度を維持することができる。また、脱気装置 43をラフ温 調器 41とファイン温調器 45との間に配置したことにより、脱気装置 43はラフ温調器 4 1で温度調整された液体 1を脱気処理することになるので、良好に脱気できる。そして 、脱気装置 43で脱気された液体 1をファイン温調器 45で高精度に温度調整した後、 供給管 11を介して供給することができ、所望温度に調整された液体 1を介して露光 処理することができる。
[0090] また、空調されたチャンバ装置 CH内の温度を計測する温度計測器 160の計測結 果に基づいて、温調装置 40による液体 1の温度調整が制御されるので、チャンバ装 置 CH内の温度環境を考慮して高精度に温度調整された液体 1を供給することがで きる。したがって、所望温度に調整された液体 1を介して精度良く露光処理することが できる。
[0091] また、投影光学系 PLに対して液体回収機構 20 (液体回収部材 22)が振動的に分 離されて!/、るので、液体回収機構 20 (液体回収部材 22)で振動が発生してもその振 動は投影光学系 PLに伝わらない。したがって、投影光学系 PLが振動することで基 板 P上に形成されるパターン像が劣化する不都合を防止できる。また、液体供給機構 10 (液体供給部材 12)と液体回収機構 20 (液体回収部材 22)とを分離して 、るので 、液体回収機構 20 (液体回収部材 22)での振動に起因して液体液体供給機構 10が 振動することで液体供給が不安定になるといった不都合の発生を防止でき、精度良 V、露光処理を行うことができる。
[0092] なお本実施形態において、供給管 11から露光処理対象物である基板 P上に液体 1 を供給するように説明したが、例えば基板ステージ PST上に設けられている照度セン サなど各種光学センサ上にも液体 1を供給することができる。その場合、その光学セ ンサは、所望状態で供給された液体 1を介して各種計測処理を高精度に実行するこ とがでさる。
[0093] なお、上述の実施形態においては、基板 Pの露光完了後に基板 P上の液体を全て 回収する構成になっているが、基板 Pの表面 (裏面）に液体が残留 '付着してしまうお それがある場合には、基板ステージ PSTから露光後の基板 Pを搬出した後に、基板 P上の液体を吹き飛ばすなどして除去する機構を設けてもよい。その場合、微小な滴 は除去しにくいので、再度液体 (例えば、純水）に晒して力も液体の除去を行うように してちよい。
[0094] 本実施形態においては、露光装置本体 Sの制御装置 CONT、温調装置 40の温調 制御部 46、及び純水製造装置 30の純水製造制御部 33は、通信装置 400を介して 互いに通信可能となっている。そこで、液浸露光処理を行うに際し、例えば純水製造 制御部 33が、純水製造装置 30の動作状態が正常であることを確認し、制御装置 CO NTに、純水製造装置 30の動作が正常である旨の情報、例えば純水製造準備完了 の旨の信号 (Ready信号)を通信装置 400 (401)を介して出力する。同様に、温調 制御部 46が、温調装置 40の動作状態が正常であることを確認し、制御装置 CONT に、温調装置 40の動作が正常である旨の情報 (Ready信号)を通信装置 400 (402) を介して出力する。そして、制御装置 CONTは、純水製造制御部 33及び温調制御 部 46のそれぞれから「Ready信号」を受信した後、液浸露光処理を開始するようにし てもよい。
[0095] また、例えば純水製造制御部 33が、純水製造装置 30の動作状態が異常であるこ とを確認した場合には、制御装置 CONTに、純水製造装置 30の動作が異常である 旨の情報、例えば非常事態が発生した旨の信号 (Emergency信号)を通信装置 40 0 (401)を介して出力する。同様に、温調制御部 46が、温調装置 40の動作状態が 異常であることを確認した場合には、制御装置 CONTに、温調装置 40の動作が異 常である旨の情報 (Emergency信号)を通信装置 400 (402)を介して出力する。そ して、制御装置 CONTは、純水製造制御部 33及び温調制御部 46のいずれか一方 カゝら「Emergency信号」を受信した場合、液浸露光処理を行わな!/ヽようにしてもよ!/ヽ また、液浸露光中に Emergency信号」を受信した場合には、制御装置 CONTは 液浸露光処理を停止するようにしてもょ ヽ。
[0096] ところで、ファイン温調器 45で液体 1を目標温度 (例えば 23. 0°C)に調整しても、供 給管 11を流れていく間や基板 P上に供給された後に例えば露光光 ELの照射などに よって液体 1の温度が変化し、基板 P上で液体 1が目標温度とは異なる温度 (例えば 23. 1°C)となる可能性がある。そこで、ファイン温調器 45と液浸領域 AR2との間の供 給管 11の長さや材質 (熱伝導率)、あるいはチャンバ装置 CH内部の温度条件や露 光条件 (露光光 ELの照度など)などに基づ ヽて、ファイン温調器 45で温度調整され た後の液体 1が基板 P上に供給されるときの液体温度を予め実験あるいはシミュレ一 シヨンによって求めておき、その求めた値によってファイン温調器 45における液体 1 の目標温度を校正し、温度調整を制御するようにしてもよい。
[0097] また、上述の実施形態においては、供給管 11と接続管 60との両方にバルブが設 けられており、液体回収機構 20 (例えば、バルブ 26)で回収動作の異常が生じたとき には、供給管 11のバルブ 16と接続管 60のバルブ 66との両方で流路を閉じることに よって、基板ステージ PSTなどでの漏水の被害を防止することができる。
また、上述の実施形態においては、露光装置 EXが純水製造装置 30を備えている 力 必ずしも露光装置 EXが備えている必要はなぐ露光装置 EXが設置される工場 などの設備で代用してもよい。同様にして、露光装置 EXの液体回収装置 25は、真 空ポンプや気液分離器などをすベて備えて 、る必要はなぐそれらの少なくとも一部 を露光装置 EXが設置される工場などの設備で代用してもよい。
[0098] 上述したように、本実施形態における液体 1は純水により構成されている。純水は、 半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや 光学素子 (レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する 悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投 影光学系 PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待でき る。なお工場等力 供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製 造器を持つようにしてもよい。
[0099] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用 いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が 得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大され るため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。
[0100] なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 NAが 0. 9 一 1. 3になることもある。このように投影光学系の開口数 NAが大きくなる場合には、 従来から露光光として用いられて!/、るランダム偏光光では偏光効果によって結像性 能が悪ィ匕することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク (レ チクル）のライン 'アンド'スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた 直線偏光照明を行い、マスク（レチクル)のパターンからは、 S偏光成分 (TE偏光成 分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射 出されるようにするとよい。投影光学系 PLと基板 P表面に塗布されたレジストとの間が 液体で満たされて ヽる場合、投影光学系 PLと基板 P表面に塗布されたレジストとの 間が空気 (気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与する S偏 光成分 (TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光 学系の開口数 NAが 1. 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。 また、位相シフトマスクゃ特開平 6— 188169号公報に開示されているようなラインパ ターンの長手方向に合わせた斜入射照明法 (特にダイボール照明法)等を適宜組み 合わせると更に効果的である。
[0101] また、例えば ArFエキシマレーザを露光光とし、 1Z4程度の縮小倍率の投影光学 系 PLを使って、微細なライン 'アンド'スペースパターン（例えば 25— 50nm程度のラ イン 'アンド'スペース）を基板 P上に露光するような場合、マスク Mの構造 (例えばパ ターンの微細度やクロムの厚み）によっては、 Wave guide効果によりマスク Mが偏光 板として作用し、コントラストを低下させる P偏光成分 (TM偏光成分)の回折光より S 偏光成分 (TE偏光成分)の回折光が多くマスク M力 射出されるようになるので、上 述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスク Mを照明して も、投影光学系 PLの開口数 NAが 0. 9-1. 3のように大きい場合でも高い解像性能 を得ることができる。また、マスク M上の極微細なライン 'アンド'スペースパターンを 基板 P上に露光するような場合、 Wire Grid効果により P偏光成分 (TM偏光成分）が S 偏光成分 (TE偏光成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えば ArFエキシマレー ザを露光光とし、 1Z4程度の縮小倍率の投影光学系 PLを使って、 25nmより大きい ライン 'アンド'スペースパターンを基板 P上に露光するような場合には、 S偏光成分（ TE偏光成分）の回折光が P偏光成分 (TM偏光成分）の回折光よりも多くマスク Mか ら射出されるので、投影光学系 PLの開口数 NAが 0. 9-1. 3のように大きい場合で も高 、解像性能を得ることができる。
[0102] 更に、マスク（レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（S 偏光照明）だけでなぐ特開平 6-53120号公報に開示されているように、光軸を中 心とした円の接線 (周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合 わせも効果的である。特に、マスク（レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラ インパターンだけでなぐ複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合 には、同じく特開平 6— 53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の 接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影 光学系の開口数 NAが大き ヽ場合でも高！ヽ結像性能を得ることができる。
[0103] 本実施形態では、投影光学系 PLの先端に光学素子 2が取り付けられており、この レンズにより投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コマ収差等)の調 整を行うことができる。なお、投影光学系 PLの先端に取り付ける光学素子としては、 投影光学系 PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露 光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよ ヽ。
[0104] なお、液体 1の流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pとの 間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧力 によって光学素子が動かな 、ように堅固に固定してもよ 、。
[0105] なお、本実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 1で満たされて V、る構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板力 なるカバーガラスを取り付 けた状態で液体 1を満たす構成であってもよ ヽ。
[0106] なお、本実施形態の液体 1は水である力 水以外の液体であってもよい、例えば、 露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過しないので、
2 2
液体 1としては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)ゃフ
2
ッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 1と接触する部分に は、例えばフッ素を含む極性の小さ!/、分子構造の物質で薄膜を形成することで親液 化処理する。また、液体 1としては、その他にも、露光光 ELに対する透過性があって できるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや基板 P表面に塗布されているフォトレジス トに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表面 処理は用いる液体 1の極性に応じて行われる。
[0107] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック ウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリ コンウェハ）等が適用される。
[0108] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走 查露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツノ の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基 板 Pを順次ステップ移動させるステップ ·アンド ·リピート方式の投影露光装置 (ステツ ノ にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2つのパターンを 部分的に重ねて転写するステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる
[0109] また、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 1パターンの縮小像を投影光 学系 (例えば 1Z8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基 板 P上に一括露光し、その後に、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 2パ ターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第 1パターンと部分的に重ねて基板 P 上に一括露光するスティツチ方式の一括露光装置にも適用できる。
[0110] また、本発明は、基板ステージを複数備えたツインステージ型の露光装置にも適用 できる。ツインステージ型の露光装置は、例えば特開平 10-163099号及び特開平 10— 214783号（対応米国特許 6, 341, 007、 6, 400, 441、 6, 549, 269及び 6, 590,634)、特表 2000— 505958号（対応米国特許 5, 969, 441)あるいは米国特 許 6, 208, 407に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で 許容される限りにお 、て、それらの開示を援用して本文の記載の一部とする。
また、本発明は、特開平 11— 135400号公報に開示されている計測ステージと基 板ステージとを備えた露光装置にも適用できる。
[0111] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体 を満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板の表面全体が液体で覆われ る液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板の表面全体が液体 で覆われる液浸露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 6- 124873号公 報、特開平 10-303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号などに詳細に記載さ れており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて 、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。
[0112] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の 露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを 製造するための露光装置などにも広く適用できる。
[0113] 基板ステージ PSTやマスクステージ MSTにリニアモータ（USP5,623,853または
USP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびロー レンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各 ステージ PST、 MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよぐガイドを設けないガ イドレスタイプであってもよ 、。
[0114] 各ステージ PST、 MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュ-ッ トと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ PST、 MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子 ユニットとのいずれか一方をステージ PST、 MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ュ ニットとの他方をステージ PST、 MSTの移動面側に設ければよ!、。
[0115] 基板ステージ PSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないよう に、特開平 8— 166475号公報（USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部 材を用いて機械的に床 (大地）に逃がしてもよい。
マスクステージ MSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないよ うに、特開平 8— 330224号公報（USP5,874,820)に記載されているように、フレーム 部材を用いて機械的に床 (大地）に逃がしてもよい。
[0116] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願特許請求の範囲に挙げられ た各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的 精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、 この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調 整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系につい ては電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置 への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接 続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組 み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない 。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ 、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0117] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 8に示すように、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した 実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージェ 程を含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。
産業上の利用可能性
[0118] 所望状態に調整された液体を介して基板上に高精度にパターン像を形成したり、 各種センサを使って高精度に計測処理を行うことができ、精度良い露光処理を行うこ とがでさる。

Claims

請求の範囲
[1] 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露 光装置において、
前記液体を供給するための供給管と、
前記液体を回収するための回収管と、
前記供給管と前記回収管とを接続する接続管と、
前記供給管からの液体の供給を停止しているときに、前記供給管に流入した液体 が前記接続管を介して前記回収管に流れるように流路の切り替えを行う切替手段と を備えたことを特徴とする露光装置。
[2] 前記切替手段は前記接続管に設けられたバルブを含み、前記バルブの開閉によ つて前記流路の切り替えを行うことを特徴とする請求項 1記載の露光装置。
[3] 前記供給管に接続され該供給管に供給される液体の温度調整を行う温調装置を 備え、
前記温調装置は、液体の温度を粗く調整するラフ温調器と、前記ラフ温調器と前記 供給管との間に配置され、液体の温度の微調整を行うファイン温調器とを有すること を特徴とする請求項 1記載の露光装置。
[4] 前記温調装置は、前記ラフ温調器と前記ファイン温調器との間に配置され、液体中 の気体溶存濃度を低下させるための脱気装置を有することを特徴とする請求項 3記 載の露光装置。
[5] 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露 光装置において、
前記液体を供給するための供給管と、
前記供給管に接続され該供給管に供給される液体の温度調整を行うために液体 の温度を粗く調整するラフ温調器と、前記ラフ温調器と前記供給管との間に配置され 、液体の温度の微調整を行うファイン温調器とを有する温調装置と、
前記ラフ温調器と前記ファイン温調器との間に配置され、液体中の気体溶存濃度 を低下させるための脱気装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
[6] 前記ラフ温調器と前記ファイン温調器との間に配置された液体中の異物を取り除く フィルタを更に備えたことを特徴とする請求項 4又は 5記載の露光装置。
[7] 前記投影光学系及び前記供給管を収容するとともにその内部が空調されたチャン バと、
前記チャンバ内の温度を計測する温度計測器とを備え、
前記温度計測器の計測結果に基づ 、て、前記温調装置による液体の温度調整を 行うことを特徴とする請求項 3又は 5記載の露光装置。
[8] 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露 光装置において、
前記液体を供給するための供給管と、
前記投影光学系及び前記供給管を収容するとともにその内部が空調されたチャン バと、
前記チャンバ内の温度を計測する温度計測器と、
前記供給管に接続され該供給管に供給される液体の温度調整を行う温調装置とを 備え、
前記温度計測器の計測結果に基づ 、て、前記温調装置による液体の温度調整を 制御することを特徴とする露光装置。
[9] 前記温調装置は、前記チャンバの外に配置されていることを特徴とする請求項 7記 載の露光装置。
[10] 前記温調装置は、前記チャンバの外に配置されていることを特徴とする請求項 8記 載の露光装置。
[11] 前記供給管内の液体の温度、又は前記供給管力 供給された液体の温度を計測 する液体温度計測器を備え、
前記液体温度計測器の計測結果に基づ 、て、前記温調装置による液体の温度調 整を制御することを特徴とする請求項 3, 5, 8のいずれか一項記載の露光装置。
[12] 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露 光装置において、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記液体供給機構とは分離して設けられた前記液体を回収するための液体回収 機構と、
前記投影光学系に対して振動的に分離して前記液体回収機構を支持する支持部 材とを備えたことを特徴とする露光装置。
請求項 1、 5、 8、 12のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバ イス製造方法。
PCT/JP2005/000350 2004-01-26 2005-01-14 露光装置及びデバイス製造方法 WO2005071717A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/585,873 US7697110B2 (en) 2004-01-26 2005-01-14 Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005517226A JP4319189B2 (ja) 2004-01-26 2005-01-14 露光装置及びデバイス製造方法
US12/659,066 US8330934B2 (en) 2004-01-26 2010-02-24 Exposure apparatus and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004017161 2004-01-26
JP2004-017161 2004-01-26

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/585,873 A-371-Of-International US7697110B2 (en) 2004-01-26 2005-01-14 Exposure apparatus and device manufacturing method
US12/659,066 Division US8330934B2 (en) 2004-01-26 2010-02-24 Exposure apparatus and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005071717A1 true WO2005071717A1 (ja) 2005-08-04

Family

ID=34805521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/000350 WO2005071717A1 (ja) 2004-01-26 2005-01-14 露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7697110B2 (ja)
JP (1) JP4319189B2 (ja)
WO (1) WO2005071717A1 (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252247A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005347617A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006165550A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007110109A (ja) * 2005-10-06 2007-04-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007147988A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Nikon Corp 液浸観察方法、液浸顕微鏡装置、及び検査装置
JP2007158326A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Asml Netherlands Bv 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置
EP1926127A1 (en) * 2005-08-23 2008-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2009076951A (ja) * 2004-08-19 2009-04-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7525639B2 (en) * 2004-12-15 2009-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method, and device manufacturing method using the same
JP2009111349A (ja) * 2007-09-13 2009-05-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011223036A (ja) * 2004-06-10 2011-11-04 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5109661B2 (ja) * 2005-10-05 2012-12-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9140992B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US9482967B2 (en) 2006-03-13 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602004030365D1 (de) 2003-10-22 2011-01-13 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung
EP1724815B1 (en) * 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
US20060152817A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Goro Noto Optical device
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
JP4072543B2 (ja) * 2005-03-18 2008-04-09 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
JP4490459B2 (ja) * 2007-06-29 2010-06-23 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
NL2003226A (en) * 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
US8950414B2 (en) * 2009-07-31 2015-02-10 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
NL2005610A (en) 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
US20120012191A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
NL2009692A (en) 2011-12-07 2013-06-10 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP7370271B2 (ja) * 2020-02-10 2023-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板位置決め方法および接合装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04330961A (ja) * 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2004282023A (ja) * 2002-12-10 2004-10-07 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004301825A (ja) * 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE221563C (ja)
DE224448C (ja)
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
KR20030096435A (ko) * 1996-11-28 2003-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법
KR100512450B1 (ko) 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
CN100462844C (zh) 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
CN101061429B (zh) 2003-04-10 2015-02-04 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04330961A (ja) * 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2004282023A (ja) * 2002-12-10 2004-10-07 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004301825A (ja) * 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Cited By (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9164393B2 (en) 2003-04-09 2015-10-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in four areas
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US9146474B2 (en) 2003-04-09 2015-09-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger and different linear polarization states in an on-axis area and a plurality of off-axis areas
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9244359B2 (en) 2003-10-28 2016-01-26 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9146476B2 (en) 2003-10-28 2015-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140992B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423697B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
JP2005252247A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US9429848B2 (en) 2004-02-06 2016-08-30 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9140990B2 (en) 2004-02-06 2015-09-22 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9423694B2 (en) 2004-02-06 2016-08-23 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP4517341B2 (ja) * 2004-06-04 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
JP2005347617A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011223036A (ja) * 2004-06-10 2011-11-04 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10331047B2 (en) 2004-08-19 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9507278B2 (en) 2004-08-19 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488923B2 (en) 2004-08-19 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746788B2 (en) 2004-08-19 2017-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8446563B2 (en) 2004-08-19 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9904185B2 (en) 2004-08-19 2018-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8755028B2 (en) 2004-08-19 2014-06-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009076951A (ja) * 2004-08-19 2009-04-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2012114478A (ja) * 2004-08-19 2012-06-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8031325B2 (en) 2004-08-19 2011-10-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10705439B2 (en) 2004-08-19 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10599054B2 (en) 2004-08-19 2020-03-24 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006165550A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7812924B2 (en) 2004-12-02 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7525639B2 (en) * 2004-12-15 2009-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method, and device manufacturing method using the same
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9429851B2 (en) 2005-05-12 2016-08-30 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9310696B2 (en) 2005-05-12 2016-04-12 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9360763B2 (en) 2005-05-12 2016-06-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP5040653B2 (ja) * 2005-08-23 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101449055B1 (ko) * 2005-08-23 2014-10-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
EP1926127A1 (en) * 2005-08-23 2008-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1926127A4 (en) * 2005-08-23 2009-06-03 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US8018571B2 (en) 2005-08-23 2011-09-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP5109661B2 (ja) * 2005-10-05 2012-12-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4502993B2 (ja) * 2005-10-06 2010-07-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007110109A (ja) * 2005-10-06 2007-04-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8958054B2 (en) 2005-10-06 2015-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007147988A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Nikon Corp 液浸観察方法、液浸顕微鏡装置、及び検査装置
JP2010087535A (ja) * 2005-12-02 2010-04-15 Asml Netherlands Bv 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置
JP2007158326A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Asml Netherlands Bv 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US9482967B2 (en) 2006-03-13 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP2009111349A (ja) * 2007-09-13 2009-05-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9057963B2 (en) 2007-09-14 2015-06-16 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9366970B2 (en) 2007-09-14 2016-06-14 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8508717B2 (en) 2007-10-16 2013-08-13 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9057877B2 (en) 2007-10-24 2015-06-16 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8456624B2 (en) 2008-05-28 2013-06-04 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20070242241A1 (en) 2007-10-18
US20100157262A1 (en) 2010-06-24
US7697110B2 (en) 2010-04-13
JPWO2005071717A1 (ja) 2007-12-27
JP4319189B2 (ja) 2009-08-26
US8330934B2 (en) 2012-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4319189B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP6308316B2 (ja) 露光装置、デバイス製造方法及び露光方法
EP2264531B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5761326B2 (ja) 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法
KR101643112B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4605014B2 (ja) 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2010118714A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009105472A (ja) 真空システム、液浸露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005101488A (ja) 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR101275464B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법
JP4655763B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4479269B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
WO2007072818A1 (ja) 液体製造装置、液浸露光装置、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005517226

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10585873

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10585873

Country of ref document: US