JP3531603B2 - 高周波フィルタおよびそれを用いたフィルタ装置およびそれらを用いた電子装置 - Google Patents
高周波フィルタおよびそれを用いたフィルタ装置およびそれらを用いた電子装置Info
- Publication number
- JP3531603B2 JP3531603B2 JP2000346534A JP2000346534A JP3531603B2 JP 3531603 B2 JP3531603 B2 JP 3531603B2 JP 2000346534 A JP2000346534 A JP 2000346534A JP 2000346534 A JP2000346534 A JP 2000346534A JP 3531603 B2 JP3531603 B2 JP 3531603B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- high frequency
- frequency filter
- filter
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 41
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 41
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 41
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/2039—Galvanic coupling between Input/Output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波フィルタお
よびそれを用いたフィルタ装置およびそれを用いた電子
装置に関する。
よびそれを用いたフィルタ装置およびそれを用いた電子
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一方主面に接地電極が形成された誘電体
基板の他方主面上に形成されたマイクロストリップ線路
で共振器を構成し、そのような共振器を複数組み合わせ
て高周波フィルタを実現することが一般に行われてい
る。このとき、誘電体基板の他方主面上のマイクロスト
リップ線路の一部を接地するために、スルーホールを用
いて他方主面上に形成されたマイクロストリップ線路と
一方主面上に形成された接地電極を接続することがあ
る。そして、このスルーホールを共振器あるいは共振器
の一部として利用した高周波フィルタも一般に知られて
いる。例えばスルーホールを共振器として利用した高周
波フィルタは、特開平７−８６８０２号公報に開示され
ている。この高周波フィルタにおいてはスルーホールの
インダクタンスやキャパシタンスを用いて共振器を構成
し、そのような共振器を複数用意して、誘電体基板の他
方主面上に形成された電極間ギャップにおける容量を介
して互いに電界結合させて高周波フィルタを実現してい
る。
基板の他方主面上に形成されたマイクロストリップ線路
で共振器を構成し、そのような共振器を複数組み合わせ
て高周波フィルタを実現することが一般に行われてい
る。このとき、誘電体基板の他方主面上のマイクロスト
リップ線路の一部を接地するために、スルーホールを用
いて他方主面上に形成されたマイクロストリップ線路と
一方主面上に形成された接地電極を接続することがあ
る。そして、このスルーホールを共振器あるいは共振器
の一部として利用した高周波フィルタも一般に知られて
いる。例えばスルーホールを共振器として利用した高周
波フィルタは、特開平７−８６８０２号公報に開示され
ている。この高周波フィルタにおいてはスルーホールの
インダクタンスやキャパシタンスを用いて共振器を構成
し、そのような共振器を複数用意して、誘電体基板の他
方主面上に形成された電極間ギャップにおける容量を介
して互いに電界結合させて高周波フィルタを実現してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特開平７−
８６８０２号公報に記載された高周波フィルタにおいて
は、スルーホールを共振器として利用しているために、
共振器の特性調整が難しいという問題がある。すなわ
ち、特性調整のためにはスルーホールの直径を変更する
必要があるが、これには誘電体基板自身を交換するなど
の手間が必要となり、時間と費用がかかる。また、スル
ーホールの直径を微妙に調整することは困難なため、調
整の精度を上げることができない。
８６８０２号公報に記載された高周波フィルタにおいて
は、スルーホールを共振器として利用しているために、
共振器の特性調整が難しいという問題がある。すなわ
ち、特性調整のためにはスルーホールの直径を変更する
必要があるが、これには誘電体基板自身を交換するなど
の手間が必要となり、時間と費用がかかる。また、スル
ーホールの直径を微妙に調整することは困難なため、調
整の精度を上げることができない。
【０００４】また、複数の共振器を電極間ギャップとい
う別の容量素子を用いて結合させているため、サイズが
大きくなるという問題がある。
う別の容量素子を用いて結合させているため、サイズが
大きくなるという問題がある。
【０００５】さらには、電極間ギャップの容量による電
界結合では結合係数を大きくすることができないため、
広帯域な高周波フィルタを作ることができないという問
題もある。
界結合では結合係数を大きくすることができないため、
広帯域な高周波フィルタを作ることができないという問
題もある。
【０００６】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、フィルタ特性の調整が容易で、小型化
を図ることができ、共振器間の結合係数を大きくして広
帯域化を図ることのできる高周波フィルタおよびそれを
用いたフィルタ装置およびそれを用いた電子装置を提供
する。
的とするもので、フィルタ特性の調整が容易で、小型化
を図ることができ、共振器間の結合係数を大きくして広
帯域化を図ることのできる高周波フィルタおよびそれを
用いたフィルタ装置およびそれを用いた電子装置を提供
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するた
めに、本発明の高周波フィルタは、誘電体基板と、該誘
電体基板の一方主面に形成された接地電極と、前記誘電
体基板の他方主面に形成されるとともに一端がスルーホ
ールを介して接地された２つのマイクロストリップ線路
共振器を有し、前記２つのマイクロストリップ線路共振
器が、互いに逆方向に巻かれたスパイラル状に形成さ
れ、前記２つのマイクロストリップ線路共振器の一端を
接地する前記スルーホールを共通として、前記２つのマ
イクロストリップ線路共振器が前記共通のスルーホール
のインダクタンス成分を介して互いに結合されているこ
とを特徴とする。
めに、本発明の高周波フィルタは、誘電体基板と、該誘
電体基板の一方主面に形成された接地電極と、前記誘電
体基板の他方主面に形成されるとともに一端がスルーホ
ールを介して接地された２つのマイクロストリップ線路
共振器を有し、前記２つのマイクロストリップ線路共振
器が、互いに逆方向に巻かれたスパイラル状に形成さ
れ、前記２つのマイクロストリップ線路共振器の一端を
接地する前記スルーホールを共通として、前記２つのマ
イクロストリップ線路共振器が前記共通のスルーホール
のインダクタンス成分を介して互いに結合されているこ
とを特徴とする。
【０００８】また、本発明の高周波フィルタは、前記２
つのマイクロストリップ線路共振器のうち、一方のマイ
クロストリップ線路共振器の側縁と他方のマイクロスト
リップ線路共振器の側縁が、互いに結合するように近接
して配置されていることを特徴とする。
つのマイクロストリップ線路共振器のうち、一方のマイ
クロストリップ線路共振器の側縁と他方のマイクロスト
リップ線路共振器の側縁が、互いに結合するように近接
して配置されていることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の高周波フィルタは、前記２
つのマイクロストリップ線路共振器のうち、一方のマイ
クロストリップ線路共振器の他端と他方のマイクロスト
リップ線路共振器の側縁が、互いに結合するように対向
して配置されていることを特徴とする。
つのマイクロストリップ線路共振器のうち、一方のマイ
クロストリップ線路共振器の他端と他方のマイクロスト
リップ線路共振器の側縁が、互いに結合するように対向
して配置されていることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の高周波フィルタは、前記マ
イクロストリップ線路共振器に入出力用ワイヤが接続さ
れていることを特徴とする。
イクロストリップ線路共振器に入出力用ワイヤが接続さ
れていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明のフィルタ装置は、上記いず
れかに記載の高周波フィルタを用いたことを特徴とす
る。
れかに記載の高周波フィルタを用いたことを特徴とす
る。
【００１２】また、本発明の電子装置は、上記の高周波
フィルタもしくはフィルタ装置のいずれかを用いたこと
を特徴とする。
フィルタもしくはフィルタ装置のいずれかを用いたこと
を特徴とする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】このように構成することにより、本発明の
高周波フィルタおよびフィルタ装置においては、フィル
タ特性の調整が容易になり、小型化を図ることができ
る。また、共振器間の結合係数を大きくして広帯域化を
図ることもできる。
高周波フィルタおよびフィルタ装置においては、フィル
タ特性の調整が容易になり、小型化を図ることができ
る。また、共振器間の結合係数を大きくして広帯域化を
図ることもできる。
【００１６】また、本発明の電子装置においても、小型
化と低コスト化と性能の向上を図ることができる。
化と低コスト化と性能の向上を図ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の高周波フィルタ
の一実施例の斜視図を示す。図１において、高周波フィ
ルタ１は、誘電体基板２と、誘電体基板２の一方主面の
ほぼ全面に形成された接地電極３と、誘電体基板２の他
方主面に形成された２つのマイクロストリップ線路４ａ
および５ａと、２つのマイクロストリップ線路４ａと５
ａの接続点に設けられたスルーホール６と、２つのマイ
クロストリップ線路４ａ、５ａにそれぞれ接続された信
号の入出力用のワイヤー７および８から構成されてい
る。なお、ワイヤー７、８の接続先は図示を省略した外
部回路である。
の一実施例の斜視図を示す。図１において、高周波フィ
ルタ１は、誘電体基板２と、誘電体基板２の一方主面の
ほぼ全面に形成された接地電極３と、誘電体基板２の他
方主面に形成された２つのマイクロストリップ線路４ａ
および５ａと、２つのマイクロストリップ線路４ａと５
ａの接続点に設けられたスルーホール６と、２つのマイ
クロストリップ線路４ａ、５ａにそれぞれ接続された信
号の入出力用のワイヤー７および８から構成されてい
る。なお、ワイヤー７、８の接続先は図示を省略した外
部回路である。
【００１８】高周波フィルタ１において、マイクロスト
リップ線路４ａは、スルーホール６とともに、一端が接
地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路
共振器４を構成している。また、マイクロストリップ線
路５ａは、スルーホール６とともに、一端が接地、他端
が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路共振器５
を構成している。すなわち、２つのマイクロストリップ
線路共振器４、５でスルーホール６が共通に使われてい
る。
リップ線路４ａは、スルーホール６とともに、一端が接
地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路
共振器４を構成している。また、マイクロストリップ線
路５ａは、スルーホール６とともに、一端が接地、他端
が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路共振器５
を構成している。すなわち、２つのマイクロストリップ
線路共振器４、５でスルーホール６が共通に使われてい
る。
【００１９】ここで、図２に、高周波フィルタ１の等価
回路を示す。図２に示すように、高周波フィルタ１は、
２つのマイクロストリップ線路４ａ、５ａを接続し、そ
の接続点をスルーホール６の等価回路要素となるインダ
クタＬｔおよび抵抗Ｒｔの直列回路を介して接地して構
成されている。そして、マイクロストリップ線路４ａと
スルーホール６からなるマイクロストリップ線路共振器
４と、マイクロストリップ線路５ａとスルーホール６か
らなるマイクロストリップ線路共振器５は、スルーホー
ル６のインダクタンス成分であるインダクタＬｔを介し
て結合されている。なお、ｐｏｒｔ１はワイヤー７を、
ｐｏｒｔ２はワイヤー８を示している。
回路を示す。図２に示すように、高周波フィルタ１は、
２つのマイクロストリップ線路４ａ、５ａを接続し、そ
の接続点をスルーホール６の等価回路要素となるインダ
クタＬｔおよび抵抗Ｒｔの直列回路を介して接地して構
成されている。そして、マイクロストリップ線路４ａと
スルーホール６からなるマイクロストリップ線路共振器
４と、マイクロストリップ線路５ａとスルーホール６か
らなるマイクロストリップ線路共振器５は、スルーホー
ル６のインダクタンス成分であるインダクタＬｔを介し
て結合されている。なお、ｐｏｒｔ１はワイヤー７を、
ｐｏｒｔ２はワイヤー８を示している。
【００２０】この回路においては、片側のマイクロスト
リップ線路４ａ、５ａの長さで決まる奇モードの共振周
波数（fodd）と、さらにスルーホール６のインダクタＬ
ｔを含む偶モードの共振周波数（feven）の２つが発生
する。このＬｔの値を必要な帯域幅に合わせて変えるこ
とによって２つのマイクロストリップ線路共振器４およ
び５の間の結合量（k）を調整することができる。
リップ線路４ａ、５ａの長さで決まる奇モードの共振周
波数（fodd）と、さらにスルーホール６のインダクタＬ
ｔを含む偶モードの共振周波数（feven）の２つが発生
する。このＬｔの値を必要な帯域幅に合わせて変えるこ
とによって２つのマイクロストリップ線路共振器４およ
び５の間の結合量（k）を調整することができる。
【００２１】また、高周波フィルタ１と外部回路との結
合にワイヤー７および８を用いており、２つのマイクロ
ストリップ線路４ａ、５ａにおけるワイヤー７、８を接
続する位置を変えることによって高周波フィルタ１の外
部Ｑ（Ｑｅ）を変えることができる。すなわち、ワイヤ
ーの接続位置を調整することによって外部Ｑの調整をす
ることができる。
合にワイヤー７および８を用いており、２つのマイクロ
ストリップ線路４ａ、５ａにおけるワイヤー７、８を接
続する位置を変えることによって高周波フィルタ１の外
部Ｑ（Ｑｅ）を変えることができる。すなわち、ワイヤ
ーの接続位置を調整することによって外部Ｑの調整をす
ることができる。
【００２２】このように構成された高周波フィルタ１に
おいては、２つのマイクロストリップ線路共振器４、５
をスルーホール６のインダクタンス成分Ｌｔを介して磁
界結合させているため、共振器４、５を結合させるため
だけの素子が不要となり、高周波フィルタの小型化を図
ることができる。また、スルーホール６のインダクタン
ス成分Ｌｔによる磁界結合の場合、電極間ギャップなど
の容量素子による電界結合に比べて結合係数を大きくす
ることができるため、高周波フィルタ１の広帯域化を容
易に図ることができる。
おいては、２つのマイクロストリップ線路共振器４、５
をスルーホール６のインダクタンス成分Ｌｔを介して磁
界結合させているため、共振器４、５を結合させるため
だけの素子が不要となり、高周波フィルタの小型化を図
ることができる。また、スルーホール６のインダクタン
ス成分Ｌｔによる磁界結合の場合、電極間ギャップなど
の容量素子による電界結合に比べて結合係数を大きくす
ることができるため、高周波フィルタ１の広帯域化を容
易に図ることができる。
【００２３】なお、外部回路との結合は、必ずしもワイ
ヤーによる結合に限るものではない。図３に、本発明の
高周波フィルタの別の実施例の平面図を示す。ここで、
図１に示した高周波フィルタ１と同一もしくは同等の部
分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図３に示
す高周波フィルタ１０のように、図１において２つのマ
イクロストリップ線路４ａ、５ａのワイヤー７、８を接
続していた部分に、幅の狭いマイクロストリップ線路か
らなるタップ１１、１２をそれぞれ形成して接続して構
成しても構わない。この場合は、外部回路との接続、す
なわち外部Ｑがワイヤー７、８を用いる場合に比べて固
定化されるが、ワイヤー７、８を用いる高周波フィルタ
１の場合とほぼ同様の作用効果を奏するものである。
ヤーによる結合に限るものではない。図３に、本発明の
高周波フィルタの別の実施例の平面図を示す。ここで、
図１に示した高周波フィルタ１と同一もしくは同等の部
分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図３に示
す高周波フィルタ１０のように、図１において２つのマ
イクロストリップ線路４ａ、５ａのワイヤー７、８を接
続していた部分に、幅の狭いマイクロストリップ線路か
らなるタップ１１、１２をそれぞれ形成して接続して構
成しても構わない。この場合は、外部回路との接続、す
なわち外部Ｑがワイヤー７、８を用いる場合に比べて固
定化されるが、ワイヤー７、８を用いる高周波フィルタ
１の場合とほぼ同様の作用効果を奏するものである。
【００２４】また、外部回路との結合は、さらに別の方
法によるものでも構わない。図４に、本発明の高周波フ
ィルタのさらに別の実施例の平面図を示す。ここで、図
１に示した高周波フィルタ１と同一もしくは同等の部分
には同じ記号を付し、その説明を省略する。図４に示す
高周波フィルタ１５のように、２つのマイクロストリッ
プ線路４ａ、５ａの他端（開放端）に近接して入出力電
極１６、１７をそれぞれ形成して構成しても構わない。
この場合、入出力電極１６、１７が外部回路と接続され
ており、入出力電極１６、１７とマイクロストリップ線
路４ａ、５ａとの間の電極間の容量Ｃ１、Ｃ２を介して
高周波フィルタ１５と外部回路とが結合される。外部Ｑ
の調整は、この容量Ｃ１、Ｃ２を調整することによって
実現できる。この場合も、ワイヤー７、８を用いる高周
波フィルタ１の場合とほぼ同様の作用効果を奏するもの
である。
法によるものでも構わない。図４に、本発明の高周波フ
ィルタのさらに別の実施例の平面図を示す。ここで、図
１に示した高周波フィルタ１と同一もしくは同等の部分
には同じ記号を付し、その説明を省略する。図４に示す
高周波フィルタ１５のように、２つのマイクロストリッ
プ線路４ａ、５ａの他端（開放端）に近接して入出力電
極１６、１７をそれぞれ形成して構成しても構わない。
この場合、入出力電極１６、１７が外部回路と接続され
ており、入出力電極１６、１７とマイクロストリップ線
路４ａ、５ａとの間の電極間の容量Ｃ１、Ｃ２を介して
高周波フィルタ１５と外部回路とが結合される。外部Ｑ
の調整は、この容量Ｃ１、Ｃ２を調整することによって
実現できる。この場合も、ワイヤー７、８を用いる高周
波フィルタ１の場合とほぼ同様の作用効果を奏するもの
である。
【００２５】図５に、本発明の高周波フィルタのさらに
別の実施例の平面図を示す。図５において、図１と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
別の実施例の平面図を示す。図５において、図１と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
【００２６】図５において、高周波フィルタ２０は、誘
電体基板２の他方主面に形成された２つのマイクロスト
リップ線路２１ａおよび２２ａと、２つのマイクロスト
リップ線路２１ａと２２ａの接続点に設けられたスルー
ホール６と、２つのマイクロストリップ線路２１ａ、２
２ａにそれぞれ接続された信号の入出力用のワイヤー７
および８を有している。
電体基板２の他方主面に形成された２つのマイクロスト
リップ線路２１ａおよび２２ａと、２つのマイクロスト
リップ線路２１ａと２２ａの接続点に設けられたスルー
ホール６と、２つのマイクロストリップ線路２１ａ、２
２ａにそれぞれ接続された信号の入出力用のワイヤー７
および８を有している。
【００２７】高周波フィルタ２０において、マイクロス
トリップ線路２１ａは、スルーホール６とともに、一端
が接地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ
線路共振器２１を構成している。また、マイクロストリ
ップ線路２２ａは、スルーホール６とともに、一端が接
地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路
共振器２２を構成している。すなわち、２つのマイクロ
ストリップ線路共振器２１と２２でスルーホール６が共
通に使われている。
トリップ線路２１ａは、スルーホール６とともに、一端
が接地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ
線路共振器２１を構成している。また、マイクロストリ
ップ線路２２ａは、スルーホール６とともに、一端が接
地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路
共振器２２を構成している。すなわち、２つのマイクロ
ストリップ線路共振器２１と２２でスルーホール６が共
通に使われている。
【００２８】ここで、２つのマイクロストリップ線路２
１ａおよび２２ａは、互いに逆方向に巻いたスパイラル
状に形成されており、全体としてＳ字状となっている。
マイクロストリップ線路２１ａの他端側とマイクロスト
リップ線路２２ａの一端側の側縁は互いに近接して配置
されている。また、マイクロストリップ線路２２ａの他
端側とマイクロストリップ線路２１ａの一端側の側縁は
互いに近接して配置されている。
１ａおよび２２ａは、互いに逆方向に巻いたスパイラル
状に形成されており、全体としてＳ字状となっている。
マイクロストリップ線路２１ａの他端側とマイクロスト
リップ線路２２ａの一端側の側縁は互いに近接して配置
されている。また、マイクロストリップ線路２２ａの他
端側とマイクロストリップ線路２１ａの一端側の側縁は
互いに近接して配置されている。
【００２９】このように、２つのマイクロストリップ線
路２１ａ、２２ａをスパイラル状に形成することによっ
て、高周波フィルタ２０を構成する誘電体基板２の長さ
を短くしたり、面積を小さくしたりして高周波フィルタ
２０自身の小型化を図ることができる。
路２１ａ、２２ａをスパイラル状に形成することによっ
て、高周波フィルタ２０を構成する誘電体基板２の長さ
を短くしたり、面積を小さくしたりして高周波フィルタ
２０自身の小型化を図ることができる。
【００３０】また、マイクロストリップ線路２１ａおよ
び２２ａの他端側の側縁が、マイクロストリップ線路２
２ａおよび２１ａの一端側の側縁にそれぞれ近接して配
置されることによって、この近接している部分において
磁界結合Ｍが生じる。すなわち、２つのマイクロストリ
ップ線路共振器２１と２２が、スルーホール６のインダ
クタンス成分を介してだけでなく、マイクロストリップ
線路２１ａ、２２ａ間の磁界結合Ｍによっても結合す
る。この磁界結合Ｍによってスルーホール６のインダク
タンス成分を介しての結合の不足分を補うことができ
る。例えば、誘電体基板２の厚みが不足していてスルー
ホール６のインダクタンス成分による２つのマイクロス
トリップ線路共振器２１、２２の結合が不十分な場合な
どに、マイクロストリップ線路２１ａ、２２ａ間の磁界
結合Ｍによって補うことができる。また、この近接して
いる部分の間隔を調整することによって、磁界結合Ｍの
大きさを調整することができ、高周波フィルタ２０の設
計の自由度を増すことができる。
び２２ａの他端側の側縁が、マイクロストリップ線路２
２ａおよび２１ａの一端側の側縁にそれぞれ近接して配
置されることによって、この近接している部分において
磁界結合Ｍが生じる。すなわち、２つのマイクロストリ
ップ線路共振器２１と２２が、スルーホール６のインダ
クタンス成分を介してだけでなく、マイクロストリップ
線路２１ａ、２２ａ間の磁界結合Ｍによっても結合す
る。この磁界結合Ｍによってスルーホール６のインダク
タンス成分を介しての結合の不足分を補うことができ
る。例えば、誘電体基板２の厚みが不足していてスルー
ホール６のインダクタンス成分による２つのマイクロス
トリップ線路共振器２１、２２の結合が不十分な場合な
どに、マイクロストリップ線路２１ａ、２２ａ間の磁界
結合Ｍによって補うことができる。また、この近接して
いる部分の間隔を調整することによって、磁界結合Ｍの
大きさを調整することができ、高周波フィルタ２０の設
計の自由度を増すことができる。
【００３１】なお、２つのマイクロストリップ線路の形
状はＳ字状に限られるものではない。図６に本発明の高
周波フィルタのさらに別の実施例の平面図を示す。図６
において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号
を付し、その説明を省略する。
状はＳ字状に限られるものではない。図６に本発明の高
周波フィルタのさらに別の実施例の平面図を示す。図６
において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号
を付し、その説明を省略する。
【００３２】図６において、高周波フィルタ２５の２つ
のマイクロストリップ線路２６ａ、２７ａは約１．５回
転巻かれている。そして、マイクロストリップ線路２６
ａはスルーホール６とともに、一端が接地、他端が開放
の１／４波長のマイクロストリップ線路共振器２６を構
成している。また、マイクロストリップ線路２７ａはス
ルーホール６とともに、一端が接地、他端が開放の１／
４波長のマイクロストリップ線路共振器２７を構成して
いる。すなわち、２つのマイクロストリップ線路共振器
２６と２７でスルーホール６が共通に使われている。
のマイクロストリップ線路２６ａ、２７ａは約１．５回
転巻かれている。そして、マイクロストリップ線路２６
ａはスルーホール６とともに、一端が接地、他端が開放
の１／４波長のマイクロストリップ線路共振器２６を構
成している。また、マイクロストリップ線路２７ａはス
ルーホール６とともに、一端が接地、他端が開放の１／
４波長のマイクロストリップ線路共振器２７を構成して
いる。すなわち、２つのマイクロストリップ線路共振器
２６と２７でスルーホール６が共通に使われている。
【００３３】マイクロストリップ線路２６ａの一部とマ
イクロストリップ線路２７ａの一端側の側縁は互いに近
接して配置されている。また、マイクロストリップ線路
２７ａの一部とマイクロストリップ線路２６ａの一端側
の側縁は互いに近接して配置されている。
イクロストリップ線路２７ａの一端側の側縁は互いに近
接して配置されている。また、マイクロストリップ線路
２７ａの一部とマイクロストリップ線路２６ａの一端側
の側縁は互いに近接して配置されている。
【００３４】このように構成された高周波フィルタ２５
においても、２つのマイクロストリップ線路２６ａ、２
７ａの間に磁界結合Ｍが生じるため、高周波フィルタ２
０の場合と同様の作用効果を奏することができる。そし
て、マイクロストリップ線路２６ａ、２７ａを長くする
ことができるため、高周波フィルタ２５においては高周
波フィルタ２０の場合よりもさらに小型化を図ることが
できる。
においても、２つのマイクロストリップ線路２６ａ、２
７ａの間に磁界結合Ｍが生じるため、高周波フィルタ２
０の場合と同様の作用効果を奏することができる。そし
て、マイクロストリップ線路２６ａ、２７ａを長くする
ことができるため、高周波フィルタ２５においては高周
波フィルタ２０の場合よりもさらに小型化を図ることが
できる。
【００３５】また、高周波フィルタ２５においては、２
つのマイクロストリップ線路２６ａ、２７ａが、他端す
なわち開放端に近づくにつれて幅が狭くなるステップイ
ンピーダンス構造を採用している。１／４波長共振器の
場合、基本の共振周波数の３倍の周波数でも共振が発生
するが、ステップインピーダンス構造ではマイクロスト
リップ線路共振器の先端でインダクタンス成分が大きく
なるため、その周波数が共振周波数の３倍よりも低くな
る。そのため、高周波フィルタ２５においては共振周波
数の３倍の周波数における減衰特性を良くすることがで
きるというメリットがある。
つのマイクロストリップ線路２６ａ、２７ａが、他端す
なわち開放端に近づくにつれて幅が狭くなるステップイ
ンピーダンス構造を採用している。１／４波長共振器の
場合、基本の共振周波数の３倍の周波数でも共振が発生
するが、ステップインピーダンス構造ではマイクロスト
リップ線路共振器の先端でインダクタンス成分が大きく
なるため、その周波数が共振周波数の３倍よりも低くな
る。そのため、高周波フィルタ２５においては共振周波
数の３倍の周波数における減衰特性を良くすることがで
きるというメリットがある。
【００３６】図７に、本発明の高周波フィルタのさらに
別の実施例の平面図を示す。図７において、図５と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
別の実施例の平面図を示す。図７において、図５と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
【００３７】図７において、高周波フィルタ３０は、誘
電体基板２の他方主面に形成された２つのマイクロスト
リップ線路３１ａおよび３２ａと、２つのマイクロスト
リップ線路３１ａと３２ａの接続点に設けられたスルー
ホール６と、２つのマイクロストリップ線路３１ａ、３
２ａにそれぞれ接続された信号の入出力用のワイヤー７
および８を有している。
電体基板２の他方主面に形成された２つのマイクロスト
リップ線路３１ａおよび３２ａと、２つのマイクロスト
リップ線路３１ａと３２ａの接続点に設けられたスルー
ホール６と、２つのマイクロストリップ線路３１ａ、３
２ａにそれぞれ接続された信号の入出力用のワイヤー７
および８を有している。
【００３８】高周波フィルタ３０において、マイクロス
トリップ線路３１ａは、スルーホール６とともに、一端
が接地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ
線路共振器３１を構成している。また、マイクロストリ
ップ線路３２ａは、スルーホール６とともに、一端が接
地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路
共振器３２を構成している。すなわち、２つのマイクロ
ストリップ線路共振器３１と３２でスルーホール６が共
通に使われている。
トリップ線路３１ａは、スルーホール６とともに、一端
が接地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ
線路共振器３１を構成している。また、マイクロストリ
ップ線路３２ａは、スルーホール６とともに、一端が接
地、他端が開放の１／４波長のマイクロストリップ線路
共振器３２を構成している。すなわち、２つのマイクロ
ストリップ線路共振器３１と３２でスルーホール６が共
通に使われている。
【００３９】ここで、２つのマイクロストリップ線路３
１ａおよび３２ａは、互いに逆方向に巻いたスパイラル
状に形成されており、全体としてＳ字状となっている。
マイクロストリップ線路３１ａの他端側とマイクロスト
リップ線路３２ａの一端側の側縁は互いに近接して配置
されている。また、マイクロストリップ線路３２ａの他
端側とマイクロストリップ線路３１ａの一端側の側縁は
互いに近接して配置されている。さらに、マイクロスト
リップ線路３１ａの他端とマイクロストリップ線路３２
ａの側縁は互いに近接して対向して配置されている。ま
た、マイクロストリップ線路３２ａの他端とマイクロス
トリップ線路３１ａの側縁は互いに近接して対向して配
置されている。
１ａおよび３２ａは、互いに逆方向に巻いたスパイラル
状に形成されており、全体としてＳ字状となっている。
マイクロストリップ線路３１ａの他端側とマイクロスト
リップ線路３２ａの一端側の側縁は互いに近接して配置
されている。また、マイクロストリップ線路３２ａの他
端側とマイクロストリップ線路３１ａの一端側の側縁は
互いに近接して配置されている。さらに、マイクロスト
リップ線路３１ａの他端とマイクロストリップ線路３２
ａの側縁は互いに近接して対向して配置されている。ま
た、マイクロストリップ線路３２ａの他端とマイクロス
トリップ線路３１ａの側縁は互いに近接して対向して配
置されている。
【００４０】このように、２つのマイクロストリップ線
路３１ａ、３２ａの他端と、マイクロストリップ線路３
２ａおよび２１ａの側縁が互いに近接し対向して配置さ
れることによって、この対向している部分において結合
容量Ｃ３、Ｃ４を介した電界結合が生じる。この電界結
合は２つのマイクロストリップ線路３１ａ、３２ａ間の
磁界結合Ｍを打ち消すという逆の働きを有する。
路３１ａ、３２ａの他端と、マイクロストリップ線路３
２ａおよび２１ａの側縁が互いに近接し対向して配置さ
れることによって、この対向している部分において結合
容量Ｃ３、Ｃ４を介した電界結合が生じる。この電界結
合は２つのマイクロストリップ線路３１ａ、３２ａ間の
磁界結合Ｍを打ち消すという逆の働きを有する。
【００４１】例えば図５に示した高周波フィルタ２０に
おいて、小型化のためにマイクロストリップ線路２１ａ
と２２ａを近接させすぎて結合が強くなりすぎた場合に
は、小型化を犠牲にしてでもマイクロストリップ線路２
１ａと２２ａの間隔を広げる必要がある。しかしなが
ら、図７に示した高周波フィルタ３０においては、マイ
クロストリップ線路３１ａと３２ａが近接しすぎて結合
が強くなりすぎた場合にも、マイクロストリップ線路３
１ａおよび３２ａの他端とマイクロストリップ線路３２
ａおよび３１ａの側縁とが対向している部分の間隔を狭
くするなどして結合容量Ｃ３、Ｃ４を大きくすることに
よって、マイクロストリップ線路３１ａ、３２ａ間の間
隔を狭くしたまま結合量の調整を行うことができる。そ
のため、高周波フィルタ３０においては、高周波フィル
タ２０に比べてさらに小型化を図ることができる。
おいて、小型化のためにマイクロストリップ線路２１ａ
と２２ａを近接させすぎて結合が強くなりすぎた場合に
は、小型化を犠牲にしてでもマイクロストリップ線路２
１ａと２２ａの間隔を広げる必要がある。しかしなが
ら、図７に示した高周波フィルタ３０においては、マイ
クロストリップ線路３１ａと３２ａが近接しすぎて結合
が強くなりすぎた場合にも、マイクロストリップ線路３
１ａおよび３２ａの他端とマイクロストリップ線路３２
ａおよび３１ａの側縁とが対向している部分の間隔を狭
くするなどして結合容量Ｃ３、Ｃ４を大きくすることに
よって、マイクロストリップ線路３１ａ、３２ａ間の間
隔を狭くしたまま結合量の調整を行うことができる。そ
のため、高周波フィルタ３０においては、高周波フィル
タ２０に比べてさらに小型化を図ることができる。
【００４２】ここで、図８に、高周波フィルタ３０にお
いて、一方のマイクロストリップ線路の開放端と他方の
マイクロストリップ線路の側縁が対向している部分の間
隔ｇと、２つのマイクロストリップ線路共振器３１、３
２間の結合係数ｋとの関係に関する実験結果を示す。図
８に示すように、間隔ｇが小さくなるほど結合係数ｋが
小さくなっていることが分かる。この実験に用いた高周
波フィルタ３０において、スルーホール６のインダクタ
ンス成分Ｌｔのみによる結合係数ｋは０．１２２で、実
際にはこれに磁界結合Ｍによる結合が加わることによっ
て結合係数ｋが０．１２２より大きくなっている。そし
て、図８より、間隔ｇを５０μｍまで小さくすることに
よって、磁界結合と電界結合が互いに相殺し合い、結合
係数ｋがスルーホール６のインダクタンス成分Ｌｔのみ
によるものと一致する。なお、この実験における誘電体
基板の比誘電率は１１０、厚みは０．３ｍｍ、スルーホ
ールの直径は１４５μｍ、一方のマイクロストリップ線
路と他方のマイクロストリップ線路が近接している部分
の間隔は１５０μｍである。
いて、一方のマイクロストリップ線路の開放端と他方の
マイクロストリップ線路の側縁が対向している部分の間
隔ｇと、２つのマイクロストリップ線路共振器３１、３
２間の結合係数ｋとの関係に関する実験結果を示す。図
８に示すように、間隔ｇが小さくなるほど結合係数ｋが
小さくなっていることが分かる。この実験に用いた高周
波フィルタ３０において、スルーホール６のインダクタ
ンス成分Ｌｔのみによる結合係数ｋは０．１２２で、実
際にはこれに磁界結合Ｍによる結合が加わることによっ
て結合係数ｋが０．１２２より大きくなっている。そし
て、図８より、間隔ｇを５０μｍまで小さくすることに
よって、磁界結合と電界結合が互いに相殺し合い、結合
係数ｋがスルーホール６のインダクタンス成分Ｌｔのみ
によるものと一致する。なお、この実験における誘電体
基板の比誘電率は１１０、厚みは０．３ｍｍ、スルーホ
ールの直径は１４５μｍ、一方のマイクロストリップ線
路と他方のマイクロストリップ線路が近接している部分
の間隔は１５０μｍである。
【００４３】また、図９に、高周波フィルタ３０を実際
に作成したものにおけるバンドパスフィルタとしての周
波数特性Ｓ１１（反射損失）、Ｓ２１（挿入損失）を示
す。図９において黒丸で示す各ポイントのように、通過
領域の中心周波数が５．８ＧＨｚ、通過領域の３ｄＢ帯
域幅が９８０ＭＨｚ、通過帯域の挿入損失が−１．１ｄ
Ｂ（ａｔ５．８ＧＨｚ）という特性が得られた。さら
に、減衰域である２．９ＧＨｚで−２２．４ｄＢ、１
１．６ＧＨｚで−４４．１ＧＨｚ、１７．４ＧＨｚで−
３０．９ｄＢという特性が得られた。このうち、１７．
４ＧＨｚは中心周波数５．８ＧＨｚの約３倍の周波数で
ある。高周波フィルタ３０においては、図６に示した高
周波フィルタ２５と同様のマイクロストリップ線路共振
器３１、３２の開放端側の幅を狭くするステップインピ
ーダンス構造を採用していることによって、本来なら基
本の共振周波数の３倍の周波数であるべき周波数が、そ
れより低い約１３．５ＧＨｚ付近にシフトしている。そ
のために１７．４ＧＨｚにおける減衰特性が、−３０．
９ｄＢという非常に良い値となっている。
に作成したものにおけるバンドパスフィルタとしての周
波数特性Ｓ１１（反射損失）、Ｓ２１（挿入損失）を示
す。図９において黒丸で示す各ポイントのように、通過
領域の中心周波数が５．８ＧＨｚ、通過領域の３ｄＢ帯
域幅が９８０ＭＨｚ、通過帯域の挿入損失が−１．１ｄ
Ｂ（ａｔ５．８ＧＨｚ）という特性が得られた。さら
に、減衰域である２．９ＧＨｚで−２２．４ｄＢ、１
１．６ＧＨｚで−４４．１ＧＨｚ、１７．４ＧＨｚで−
３０．９ｄＢという特性が得られた。このうち、１７．
４ＧＨｚは中心周波数５．８ＧＨｚの約３倍の周波数で
ある。高周波フィルタ３０においては、図６に示した高
周波フィルタ２５と同様のマイクロストリップ線路共振
器３１、３２の開放端側の幅を狭くするステップインピ
ーダンス構造を採用していることによって、本来なら基
本の共振周波数の３倍の周波数であるべき周波数が、そ
れより低い約１３．５ＧＨｚ付近にシフトしている。そ
のために１７．４ＧＨｚにおける減衰特性が、−３０．
９ｄＢという非常に良い値となっている。
【００４４】図１０に、本発明のフィルタ装置の一実施
例としてのデュプレクサのブロック図を示す。図１０に
おいて、デュプレクサ４０は、互いに通過帯域の異なる
受信用ＢＰＦ４１と送信用ＢＰＦ４２の一端同士を接続
してアンテナ端子ＡＮＴとし、受信用ＢＰＦ４１の他端
を受信側端子ＲＸ、送信用ＢＰＦ４２の他端を送信側端
子ＴＸとして構成されている。ここで、受信用ＢＰＦ４
１と送信用ＢＰＦ４２としては、例えば図１や図３乃至
図７などで示した本発明の高周波フィルタが用いられて
いる。なお、デュプレクサ４０の基本的な機能、動作に
関しては一般に周知であり、ここでは説明を割愛する。
例としてのデュプレクサのブロック図を示す。図１０に
おいて、デュプレクサ４０は、互いに通過帯域の異なる
受信用ＢＰＦ４１と送信用ＢＰＦ４２の一端同士を接続
してアンテナ端子ＡＮＴとし、受信用ＢＰＦ４１の他端
を受信側端子ＲＸ、送信用ＢＰＦ４２の他端を送信側端
子ＴＸとして構成されている。ここで、受信用ＢＰＦ４
１と送信用ＢＰＦ４２としては、例えば図１や図３乃至
図７などで示した本発明の高周波フィルタが用いられて
いる。なお、デュプレクサ４０の基本的な機能、動作に
関しては一般に周知であり、ここでは説明を割愛する。
【００４５】このように構成されたデュプレクサ４０に
おいては、小型化が可能で、減衰特性を良くすることの
できる本発明の高周波フィルタが用いられているため、
大幅な小型化と高性能化を図ることができる。
おいては、小型化が可能で、減衰特性を良くすることの
できる本発明の高周波フィルタが用いられているため、
大幅な小型化と高性能化を図ることができる。
【００４６】なお、本発明のフィルタ装置としてはデュ
プレクサに限られるものではなく、本発明の高周波フィ
ルタを１つあるいは複数用いて構成した全てのフィルタ
装置を含むもので、その場合にもデュプレクサ４０の場
合と同様の作用効果を奏するものである。
プレクサに限られるものではなく、本発明の高周波フィ
ルタを１つあるいは複数用いて構成した全てのフィルタ
装置を含むもので、その場合にもデュプレクサ４０の場
合と同様の作用効果を奏するものである。
【００４７】図１１に、本発明の電子装置の一実施例と
しての通信機のブロック図を示す。図１１において、通
信機５０は、アンテナ５１、図１０に示した本発明のデ
ュプレクサ４０、受信回路５２、送信回路５３、信号処
理回路５４を有する。アンテナ５１はデュプレクサ４０
のアンテナ端子ＡＮＴに接続されている。デュプレクサ
４０の受信側端子ＲＸは受信回路５２を介して信号処理
回路５４に接続されている。そして、信号処理回路５４
は送信回路５３を介してデュプレクサ４０の送信側端子
ＴＸに接続されている。なお、通信機５０の基本的な機
能、動作に関しては一般に周知であり、ここでは説明を
割愛する。
しての通信機のブロック図を示す。図１１において、通
信機５０は、アンテナ５１、図１０に示した本発明のデ
ュプレクサ４０、受信回路５２、送信回路５３、信号処
理回路５４を有する。アンテナ５１はデュプレクサ４０
のアンテナ端子ＡＮＴに接続されている。デュプレクサ
４０の受信側端子ＲＸは受信回路５２を介して信号処理
回路５４に接続されている。そして、信号処理回路５４
は送信回路５３を介してデュプレクサ４０の送信側端子
ＴＸに接続されている。なお、通信機５０の基本的な機
能、動作に関しては一般に周知であり、ここでは説明を
割愛する。
【００４８】このように構成された通信機５０において
は、本発明のフィルタ装置であるデュプレクサ４０が用
いられているために小型化と高性能化を図ることができ
る。
は、本発明のフィルタ装置であるデュプレクサ４０が用
いられているために小型化と高性能化を図ることができ
る。
【００４９】なお、本発明の電子装置としては通信機に
限られるものではなく、また、本発明のフィルタ装置が
用いられているものに限られるものでもない。本発明の
電子装置は、本発明の高周波フィルタのみが用いられた
り、本発明の高周波フィルタと本発明のフィルタ装置の
両方が用いられたりしたあらゆる電子装置を含むもの
で、その場合にも通信機５０の場合と同様の作用効果を
奏するものである。
限られるものではなく、また、本発明のフィルタ装置が
用いられているものに限られるものでもない。本発明の
電子装置は、本発明の高周波フィルタのみが用いられた
り、本発明の高周波フィルタと本発明のフィルタ装置の
両方が用いられたりしたあらゆる電子装置を含むもの
で、その場合にも通信機５０の場合と同様の作用効果を
奏するものである。
【００５０】
【発明の効果】本発明の高周波フィルタにおいては、一
端がスルーホールを介して接地された複数のマイクロス
トリップ線路共振器において、スルーホールを共通とす
ることによって、そのインダクタンス成分を介して複数
のマイクロストリップ線路共振器を互いに結合させる。
これによってマイクロストリップ線路共振器を結合させ
るためのみの素子を必要としないために小型化を図るこ
とができる。また、マイクロストリップ線路共振器間の
結合係数を大きくできるため、高周波フィルタの広帯域
化を図ることができる。
端がスルーホールを介して接地された複数のマイクロス
トリップ線路共振器において、スルーホールを共通とす
ることによって、そのインダクタンス成分を介して複数
のマイクロストリップ線路共振器を互いに結合させる。
これによってマイクロストリップ線路共振器を結合させ
るためのみの素子を必要としないために小型化を図るこ
とができる。また、マイクロストリップ線路共振器間の
結合係数を大きくできるため、高周波フィルタの広帯域
化を図ることができる。
【００５１】また、２つのマイクロストリップ線路共振
器を用い、それを互いに逆巻のスパイラル状に形成する
ことによって、高周波フィルタのさらなる小型化を図る
ことができる。
器を用い、それを互いに逆巻のスパイラル状に形成する
ことによって、高周波フィルタのさらなる小型化を図る
ことができる。
【００５２】また、２つのうちの一方のマイクロストリ
ップ線路共振器の側縁と他方のマイクロストリップ線路
共振器の側縁が、互いに磁界結合するように近接して配
置されることによって、結合係数をさらに大きくして、
高周波フィルタのさらなる広帯域化を図ることができ
る。
ップ線路共振器の側縁と他方のマイクロストリップ線路
共振器の側縁が、互いに磁界結合するように近接して配
置されることによって、結合係数をさらに大きくして、
高周波フィルタのさらなる広帯域化を図ることができ
る。
【００５３】また、２つのうちの一方のマイクロストリ
ップ線路共振器の他端と他方のマイクロストリップ線路
共振器の側縁が、互いに容量を介した電界結合するよう
に対向して配置されることによって、小型化による必要
以上の磁界結合を相殺して、高周波フィルタのさらなる
小型化を図ることができる。
ップ線路共振器の他端と他方のマイクロストリップ線路
共振器の側縁が、互いに容量を介した電界結合するよう
に対向して配置されることによって、小型化による必要
以上の磁界結合を相殺して、高周波フィルタのさらなる
小型化を図ることができる。
【００５４】また、マイクロストリップ線路共振器の一
端と他端の間に入出力用ワイヤを接続して外部回路と接
続することによって、高周波フィルタの外部Ｑの調整が
容易になる。
端と他端の間に入出力用ワイヤを接続して外部回路と接
続することによって、高周波フィルタの外部Ｑの調整が
容易になる。
【００５５】また、本発明のフィルタ装置においては、
本発明の高周波フィルタを用いることによって、小型化
と高性能化を図ることができる。
本発明の高周波フィルタを用いることによって、小型化
と高性能化を図ることができる。
【００５６】そして、本発明の電子装置においては、本
発明の高周波フィルタもしくはフィルタ装置を用いるこ
とによって、小型化と高性能化を図ることができる。
発明の高周波フィルタもしくはフィルタ装置を用いるこ
とによって、小型化と高性能化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波フィルタの一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１の高周波フィルタの等価回路を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の高周波フィルタの別の実施例を示す平
面図である。
面図である。
【図４】本発明の高周波フィルタのさらに別の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】本発明の高周波フィルタのさらに別の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】本発明の高周波フィルタのさらに別の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図７】本発明の高周波フィルタのさらに別の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】図７の高周波フィルタにおける、一方のマイク
ロストリップ線路の開放端と他方のマイクロストリップ
線路の側縁が対向している部分の間隔と、２つのマイク
ロストリップ線路共振器の結合係数との関係を示す特性
図である。
ロストリップ線路の開放端と他方のマイクロストリップ
線路の側縁が対向している部分の間隔と、２つのマイク
ロストリップ線路共振器の結合係数との関係を示す特性
図である。
【図９】図７の高周波フィルタにおける、周波数特性を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図１０】本発明のフィルタ装置の一実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図１１】本発明の電子装置の一実施例を示すブロック
図である。
図である。
１、１０、１５、２０、２５、３０…高周波フィルタ
２…誘電体基板
３…接地電極
４、５、２１、２２、２６、２７、３１、３２…マイク
ロストリップ線路共振器 ４ａ、５ａ、２１ａ、２２ａ、２６ａ、２７ａ、３１
ａ、３２ａ…マイクロストリップ線路 ６…スルーホール ７、８…ワイヤー １１、１２…タップ １６、１７…入出力電極 ４０…デュプレクサ ５０…通信機
ロストリップ線路共振器 ４ａ、５ａ、２１ａ、２２ａ、２６ａ、２７ａ、３１
ａ、３２ａ…マイクロストリップ線路 ６…スルーホール ７、８…ワイヤー １１、１２…タップ １６、１７…入出力電極 ４０…デュプレクサ ５０…通信機
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−220304（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−86802（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−199010（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−51203（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−305609（ＪＰ，Ａ)
実開 平５−50804（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 1/203 - 1/213
H01P 3/08
H01P 5/08
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板と、該誘電体基板の一方主面
に形成された接地電極と、前記誘電体基板の他方主面に
形成されるとともに一端がスルーホールを介して接地さ
れた２つのマイクロストリップ線路共振器を有し、前記
２つのマイクロストリップ線路共振器が、互いに逆方向
に巻かれたスパイラル状に形成され、前記２つのマイク
ロストリップ線路共振器の一端を接地する前記スルーホ
ールを共通として、前記２つのマイクロストリップ線路
共振器が前記共通のスルーホールのインダクタンス成分
を介して互いに結合されていることを特徴とする高周波
フィルタ。 - 【請求項２】 前記２つのマイクロストリップ線路共振
器のうち、一方のマイクロストリップ線路共振器の側縁
と他方のマイクロストリップ線路共振器の側縁が、互い
に結合するように近接して配置されていることを特徴と
する、請求項１に記載の高周波フィルタ。 - 【請求項３】 前記２つのマイクロストリップ線路共振
器のうち、一方のマイクロストリップ線路共振器の他端
と他方のマイクロストリップ線路共振器の側縁が、互い
に結合するように対向して配置されていることを特徴と
する、請求項１または請求項２に記載の高周波フィル
タ。 - 【請求項４】 前記マイクロストリップ線路共振器に入
出力用ワイヤが接続されていることを特徴とする、請求
項１乃至３のいずれかに記載の高周波フィルタ。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の高周
波フィルタを用いたことを特徴とするフィルタ装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至４に記載の高周波フィルタ
および請求項５に記載のフィルタ装置のいずれかを用い
たことを特徴とする電子装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346534A JP3531603B2 (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 高周波フィルタおよびそれを用いたフィルタ装置およびそれらを用いた電子装置 |
| US10/001,672 US6720849B2 (en) | 2000-11-14 | 2001-10-31 | High frequency filter, filter device, and electronic apparatus incorporating the same |
| KR10-2001-0070151A KR100401967B1 (ko) | 2000-11-14 | 2001-11-12 | 고주파 필터, 필터 장치 및 이를 포함한 전자 장비 |
| EP01127032A EP1205999A3 (en) | 2000-11-14 | 2001-11-14 | High frequency filter, filter device, and electronic apparatus incorporating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346534A JP3531603B2 (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 高周波フィルタおよびそれを用いたフィルタ装置およびそれらを用いた電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151908A JP2002151908A (ja) | 2002-05-24 |
| JP3531603B2 true JP3531603B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=18820387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000346534A Expired - Lifetime JP3531603B2 (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 高周波フィルタおよびそれを用いたフィルタ装置およびそれらを用いた電子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6720849B2 (ja) |
| EP (1) | EP1205999A3 (ja) |
| JP (1) | JP3531603B2 (ja) |
| KR (1) | KR100401967B1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4250718B2 (ja) | 2004-04-30 | 2009-04-08 | 富士通コンポーネント株式会社 | フィルタ装置及び回路モジュール |
| US20050251769A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Frank Mark D | System and method for determining signal coupling in a circuit design |
| US7312676B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Multilayer band pass filter |
| JP4327802B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2009-09-09 | 株式会社東芝 | フィルタ及びこれを用いた無線通信装置 |
| KR100710820B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2007-04-25 | 한국과학기술원 | 평면형 헬리컬 공진기와 이를 이용한 초고주파 발진기 |
| JP4548383B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2010-09-22 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
| KR100802358B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2008-02-13 | 주식회사 이엠따블유안테나 | 전송선로 |
| KR100828948B1 (ko) | 2006-10-30 | 2008-05-13 | 주식회사 이엠따블유안테나 | 인터디지털 커패시터, 인덕터, 및 이들을 이용한 전송 선로및 결합기 |
| WO2008093626A1 (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | チップ素子およびその製造方法 |
| CN100492755C (zh) * | 2007-05-19 | 2009-05-27 | 中国科学技术大学 | 利用左右手混合传输线结构的宽带/超宽带微带滤波器 |
| JP4763741B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2011-08-31 | 双信電機株式会社 | 受動部品 |
| JP4972041B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | フィルタ |
| JP5324497B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2013-10-23 | シャープ株式会社 | フィルタ、およびこれを用いた衛星放送受信装置 |
| US8258897B2 (en) * | 2010-03-19 | 2012-09-04 | Raytheon Company | Ground structures in resonators for planar and folded distributed electromagnetic wave filters |
| US9843082B2 (en) * | 2013-07-22 | 2017-12-12 | City University Of Hong Kong | Microstrip line filter |
| DE102013017296A1 (de) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | IAD Gesellschaft für Informatik, Automatisierung und Datenverarbeitung mbH | Variables Mikrostreifenleitungs-Bandpassfilter auf Basis gekoppelter λ/4-Resonatoren |
| JP6868046B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2021-05-12 | 双信電機株式会社 | 共振器及びフィルタ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4563773A (en) * | 1984-03-12 | 1986-01-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Monolithic planar doped barrier subharmonic mixer |
| SU1541691A1 (ru) | 1988-02-15 | 1990-02-07 | Институт Физики Им.Л.В.Киренского | Способ изготовлени шаблона микрополоскового фильтра |
| JPH0385903A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Kyocera Corp | 帯域通過フィルタ |
| JPH05199010A (ja) | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタ |
| JPH0786802A (ja) | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 高周波回路 |
| JP2908225B2 (ja) | 1993-12-24 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 高周波チョーク回路 |
| JP3319377B2 (ja) | 1998-01-30 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | コプレーナラインフィルタ及びデュプレクサ |
-
2000
- 2000-11-14 JP JP2000346534A patent/JP3531603B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-31 US US10/001,672 patent/US6720849B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-12 KR KR10-2001-0070151A patent/KR100401967B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-14 EP EP01127032A patent/EP1205999A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6720849B2 (en) | 2004-04-13 |
| US20020057143A1 (en) | 2002-05-16 |
| EP1205999A3 (en) | 2003-07-16 |
| EP1205999A2 (en) | 2002-05-15 |
| KR20020037688A (ko) | 2002-05-22 |
| JP2002151908A (ja) | 2002-05-24 |
| KR100401967B1 (ko) | 2003-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3531603B2 (ja) | 高周波フィルタおよびそれを用いたフィルタ装置およびそれらを用いた電子装置 | |
| JP4579198B2 (ja) | 多層帯域通過フィルタ | |
| US6150898A (en) | Low-pass filter with directional coupler and cellular phone | |
| US9077061B2 (en) | Directional coupler | |
| US6765458B2 (en) | LC high-pass filter circuit device, laminated LC high-pass filter device, multiplexer, and radio communication apparatus | |
| US5812036A (en) | Dielectric filter having intrinsic inter-resonator coupling | |
| JP4989700B2 (ja) | 一体型誘電体マルチプレクサ | |
| JP2003204203A (ja) | 方向性結合器付きフィルタおよび通信装置 | |
| US7592885B2 (en) | Stacked dielectric band-pass filter having a wider passband | |
| JP3407931B2 (ja) | 空中線共用器及び空中線共用器の整合回路の調整方法 | |
| JP3344428B2 (ja) | 誘電体共振器および誘電体共振部品 | |
| JP2000114807A (ja) | フィルタ装置、デュプレクサ及び通信機装置 | |
| JP4849959B2 (ja) | バンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器 | |
| US5994978A (en) | Partially interdigitated combline ceramic filter | |
| JPH11186819A (ja) | 帯域阻止フィルタ及びデュプレクサ | |
| JP4550915B2 (ja) | フィルタ回路及びフィルタ回路素子、これを備えた多層回路基板並びに回路モジュール | |
| KR100249836B1 (ko) | 스텝 임피던스 공진기를 갖는 듀플렉서 | |
| KR100449226B1 (ko) | 유전체 듀플렉서 | |
| US8471650B2 (en) | Diplexer, and wireless communication module and wireless communication apparatus using the same | |
| US6242992B1 (en) | Interdigital slow-wave coplanar transmission line resonator and coupler | |
| JP2777501B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| KR20020031955A (ko) | 유전체필터 | |
| WO2023098107A1 (zh) | 一种谐振器、介质滤波器及通信设备 | |
| JP2000049507A (ja) | デュプレクサ誘電体フィルター | |
| KR100577747B1 (ko) | 듀플렉서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040223 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3531603 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140312 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |