SU1541691A1 - Способ изготовлени шаблона микрополоскового фильтра - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технике СВЧ. Цель изобретени  - упрощение изготовлени  шаблона фильтра, выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической проницаемостью ε≥9. При изготовлении макета данным способом каждый из полупроводниковых проводников (П) 1 нанос т на отдельную диэлектрическую подложку 2 с ε≥9. При этом кромки 3 у П 1 удалены от краев отдельной подложки 2 на рассто ние L не менее половины ее толщины. Отдельные подложки 2 размещают на общем металлическом основании 4, а настройку макета провод т при подаче на него СВЧ-сигнала путем их взаимных перемещений. Перенос топологии макета на шаблон осуществл ют путем копировани  размеров и положени  П 1 дл  их изготовлени  на одной подложке в масштабе 1/К, где К - отношение средней заданной частоты полосы пропускани  к средней частоте полосы пропускани  фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1:1. 1 ил.

Description

та на шаблон осуществл ют путем копировани  размеров и положени  П 1 дл  их изготовлени  на одной подложке в масштабе 1/К, где К - отношение

средней заданной частоты полосы пропускани  к средней частоте полосы пропускани  фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1:1. 1 ил.

Изобретение относитс  к технике С$Ч и может быть использовано при разработке миниатюрных частотно-селективных устройств.

Целью изобретени   вл етс  упрощение изготовлени  шаблона фильтра, выполненного на диэлектрической под- ложке с диэлектрической проницаемостью не менее 9.

На чертеже показан макет микро- полоскового фильтра (решетчатого), изготовленный согласно предложенному способу.

Способ изготовлени  шаблона микро полоскового фильтра, содержащего полуволновые проводники 1, заключаетс  в том, что при изготовлении макета каждый из них нанос т на отдельную диэлектрическую подложку 2, имеющую ту же диэлектрическую проницаемость ( Ј % 9) , что и проницаемость диэлекрической подложки, причем кромки 3 г|олуволнового проводника 1 удалены от краев отдельной диэлектрической г|одложки 2 на рассто ние 1 не менее Головины ее толщины, отдельные ди- э|лектрические подложки 2 размещают На общем металлическом основании k, ct настройку макета провод т при пода йе на него СВЧ-сигнала путем их взаимных перемещений. Перенос топологии макета на шаблон осуществл ют путем копировани  размеров и положени  полуволновых проводников 1 дл  их изготовлени  на одной диэлектрической подложке в масштабе 1/К, где К - отношение средней заданной час- тоты полосы пропускани  к средней частоте полосы пропускани  микрополоскового фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1:1.

Способ осуществл ют следующим образом .

Отдельные диэлектрические подложки 2 выполн ют, например, из керамики ГБИС, котора  имеет ту же толщину, мто и диэлектричека  подложка будущего микрополоскового фильтра. Каждую отдельную диэлектрическую подпорку 2 металлизируют с двух сторон,

0

5 0 5 О 5

0

5

а на одной стороне изготавливают полуволновой проводник 1 .

Диэлектрическа  проницаемость отдельной диэлектрической подложки 2, равна  диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки микрополоскового фильтра, выбираетс  не менее 9 дл  того, чтобы электрической св зью между полуволновыми проводниками 1 можно было бы пренебречь в сравнении с магнитной св зью,, В этом случае отсутствие диэлектрика в макете микрополоскового фильтра между отдельными диэлектрическими подложками 2 (при условии, что 1 не менее половины толщины отдельной диэлектрической подложки) не сказываетс  на параметрах микрополоскового фильтра, что повышает точность настройки.

Дл  того, чтобы обеспечить макетирование микрополоскового фильтра на заданную частоту, при изготовлении шаблона следует учесть различие в требуемой средней частоте полосы пропускани  и полученной на макете микрополоскового фильтра в виде масштабного множител  К. Упрощение изготовлени  шаблона микрополоскового фильтра достигаетс  благодар  возможности вести настройку путем взаимных перемещений отдельных диэлектрических подложек 2 на металлическом основании k с их последующей фиксацией .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ изготовлени  шаблона микрополоскового фильтра, включающий изготовление макета, его настройку и перенос топологии макета на шаблон, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  изготовлени  шаблона микрополоскового фильтра, выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической проницаемостью не менее 9, каждый полуволновой проводник нанос т на отдельную диэлектрическую подложку на рассто нии от ее краев до кромок полуволнового проводника не менее половины ее толщины,

   515 Н6916

   отдельные диэлектрические подложкиют путем копировани  размеров и пора змещают на общем металлическом ос-ложени  полуволновых проводников в новании, настройку макета провод тмасштабе 1/К, где К - отношение сред- при подаче на него СВЧ-сигнала путемней заданной частоты полосы пропуска- вэаимных перемещений отдельных ди-ни  к средней частоте полосы пропус- электрических подложек, а перенос то-кани  микрополоскового фильтра, шаб- пологии макета на шаблон осуществл -лон которого выполнен в масштабе 1:1.