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KR970702514A - 레지스트패턴 형성방법 - Google Patents

레지스트패턴 형성방법

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KR970702514A
KR970702514A KR1019960705680A KR19960705680A KR970702514A KR 970702514 A KR970702514 A KR 970702514A KR 1019960705680 A KR1019960705680 A KR 1019960705680A KR 19960705680 A KR19960705680 A KR 19960705680A KR 970702514 A KR970702514 A KR 970702514A
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사또시 타께찌
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세끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

보호된 알카리가용성기를 갖고 또 그의 보호기가 산에 의해 탈리되어 화합물을 알카리가용성이 되도록 반복 단위를 포함하는 중합체 또는 공중합체와, 방사선노광에 의해 산을 발생하는 산발생제를 포함하는 레지스트를 피처리기판상에 도포한 다음, 형성된 레지스트막을 예비소성후, 상기 피처리기판상의 레지스트막을 선택적으로 노광한 다음, 후소성후 상기 노광공정에서 형성된 점상을 암모늄화합물 또는 모포린화합물의 수용액 또는 알콜용액을 포함하는 현상액으로 현상하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법으로서 이 방법에 의하면 패턴의 크랙과 박리를 레지스트패턴 형성시 억제할 수 있다.

Description

레지스트패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 보호된 알카리가용성기를 갖고 또 그의 보호기가 산에 의해 탈리되어 화합물을 알카리가용성이 되도록 반복단위를 포함하는 중합체 또는 공중합체와 방사선노광에 의해 산을 발생하는 산발생제를 포함하는 레지스트를 제조기판상에 코팅하고, 형성된 레지스트막을 예비소성후 상기 피처리기판상의 레지스트막을 상기 산발생제로부터 산의 발생을 야기할 수 있는 방사선으로 선택적으로 노광한 다음, 노광된 레지스트를 후소성한 후 상기 노광공정에서 형성된 잠상을 하기식(I)으로 표시하는 암모늄화합물 또는
    상기 식에서 R1, R2, R3및 R4는 각각 서로 동일 또는 상이하며, 1-6의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 탄화수소기를 나타내며 단, 그 기들중 적어도 1개는 2-6개의 탄소원자를 갖는 알킬기이며, 하기식(II)으로 표시되는 모포린화합물
    의 수용액 또는 알콜용액을 포함하는 형상액으로 현상하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알카리가용성기는 카본산기인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 알카리가용성기용 보호기는 4급탄소에스터 또는 β-옥시케톤의 에스터인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  4. 제1.2 또는 3항에 있어서, 상기 중합체 또는 공중합체화합물내에는 지환식 탄화수소기가 함유되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 중합체 또는 공중합체내의 지환식 탄화수소기는 하기 화합물로 구성되는 기로부터 선택된 화합물의 골격을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
    (1) 아다만탄 및 그의 유도체; (2) 노보르난 및 그의 유도체; (3) 시클로헥산 및 그의 유도체; (4) 피히드로 안드라센 및 그의 유도체; (5) 피히드로나프탈렌 및 그의 유도체; (6) 트리시클로[5,2.1,02.6]데칸 및 그의 유도체; (7) 비시클로헥산 및 그의 유도체; (8) 스피로[4.4]노난 및 그의 유도체; (9) 스피로[4.4]데칸 및 그의 유도체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 산발생제는 하기의 것들로 구성되는 기로부터 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
    (1) 디아조늄염; (2) 이도늄염; (3) 설포늄염;(4) 설폰산 에스터; (5) 옥사졸 유도체; (6) s-트리아진 유도체; (7) 디설폰 유도체; (8) 이미드 화합물; (9) 기타 화합물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 산발생제는 트리페닐설포늄 헥사후루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 헥사후루오로포스페이트, 디페닐리오도늄 헥사후루오로포스페이트 또는 벤조인 토실레이트인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 식(I)로 표시되는 상기 암모늄화합물은 테트라에틸암모늄히드록사이드, 데트라부틸암모늄히드록사이드 또는 데트라프로필암모늄히드륵사이드인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판에 상기 레지스트를 0.3-2.0㎛의 두께로 코팅하고, 형성된 레지스트막을 60-150℃에서 60-180초 동안 예비소성후 상기 피처리기판상의 레지스트막을 상기 산발생제로부터 산의 발생을 야기할 수 있는 방사선으로 선택적으로 노광한 다음, 노광된 레지스트를 60-150℃에서 60-180초 동안 후소성한 후 상기 노광공정에서 형성된 잠상을 상기 암모늄화합물 또는 모르폴린 화합물 0.1-15중량%를 함유하는 수용액 또는 알콜용액을 포함하는 현상액으로 현상하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 현상제의 상기 알콜은 메타놀, 에타놀 또는 이소프로필 알콜인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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