JPH0695390A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents
ポジ型感光性組成物Info
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- JPH0695390A JPH0695390A JP4286045A JP28604592A JPH0695390A JP H0695390 A JPH0695390 A JP H0695390A JP 4286045 A JP4286045 A JP 4286045A JP 28604592 A JP28604592 A JP 28604592A JP H0695390 A JPH0695390 A JP H0695390A
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- acid
- decomposable
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- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明のポジ型感光性組成物は、アルカリ可
溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生する化合物及び
酸分解性溶解阻止剤を含有するポジ型感光性組成物にお
いて、該酸分解性溶解阻止剤が特定の芳香族多環状化合
物であって、その少なくとも1モル%がアルカリ可溶性
基を有する化合物である。 【効果】 本発明のポジ型感光性組成物は、高感度、高
解像力、良好なプロファイルを有し、保存安定性にも優
れている。
溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生する化合物及び
酸分解性溶解阻止剤を含有するポジ型感光性組成物にお
いて、該酸分解性溶解阻止剤が特定の芳香族多環状化合
物であって、その少なくとも1モル%がアルカリ可溶性
基を有する化合物である。 【効果】 本発明のポジ型感光性組成物は、高感度、高
解像力、良好なプロファイルを有し、保存安定性にも優
れている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平版印刷板やIC等の
半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の
製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使
用されるポジ型感光性組成物に関するものである。
半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の
製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使
用されるポジ型感光性組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられる。例え
ば、「ノボラック型フェノール樹脂/ナフトキノンジア
ジド置換化合物」として米国特許第3,666,473 号、米国
特許第4,115,128 号及び米国特許第4,173,470 号等に、
また最も典型的を組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドよりなるノボラック樹脂/トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥ−・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thomp
son「Introduction toMicrol
ithography」)(ACS出版、No.2 1
9号、P112〜121)に記載されている。
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられる。例え
ば、「ノボラック型フェノール樹脂/ナフトキノンジア
ジド置換化合物」として米国特許第3,666,473 号、米国
特許第4,115,128 号及び米国特許第4,173,470 号等に、
また最も典型的を組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドよりなるノボラック樹脂/トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥ−・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thomp
son「Introduction toMicrol
ithography」)(ACS出版、No.2 1
9号、P112〜121)に記載されている。
【0003】このような基本的にノボラック樹脂とキノ
ンジアジド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノ
ボラック樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を
与え、ナフトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として
作用する。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受
けるとカルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失
い、ノボラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特
性を持つ。
ンジアジド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノ
ボラック樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を
与え、ナフトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として
作用する。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受
けるとカルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失
い、ノボラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特
性を持つ。
【0004】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、0.8μm〜
2μm程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、0.8μm〜
2μm程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。
【0005】しかし、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハ
ーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工
が必要とされるようになってきた。この必要な解像力を
達成するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光
装置の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外光やエ
キシマレーザー光(XeCl、KrF、ArFなど)が
検討されるまでになってきている。
ており、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハ
ーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工
が必要とされるようになってきた。この必要な解像力を
達成するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光
装置の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外光やエ
キシマレーザー光(XeCl、KrF、ArFなど)が
検討されるまでになってきている。
【0006】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。
【0007】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628 号、欧州特許第249,139 号等に記
載されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増
幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の
照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする
反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液
に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。
米国特許第4,491,628 号、欧州特許第249,139 号等に記
載されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増
幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の
照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする
反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液
に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。
【0008】このような例として、例えば光分解により
酸を発生する化合物と、アセタール又はO、N−アセタ
ール化合物との組み合わせ(特開昭48-89003号)、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組み合わせ
(特開昭51-120714 号)、主鎖にアセタール又はケター
ル基を有するポリマーとの組み合わせ(特開昭53-13342
9 号)、エノールエーテル化合物との組み合わせ(特開
昭55-12995号) 、N−アシルイミノ炭酸化合物との組み
合わせ(特開昭55-126236 号)、主鎖にオルトエステル
基を有するポリマーとの組み合わせ(特開昭56-17345
号)、第3級アルキルエステル化合物との組み合わせ
(特開昭60-3625 号)、シリルエステル化合物との組み
合わせ(特開昭60-10247号)及びシリルエーテル化合物
との組み合わせ(特開昭60-37549号、特開昭60-121446
号)などを挙げることができる。これらは原理的に量子
収率が1を越える為、高い感光性を示す。同様に室温下
経時では安定であるが、酸存在下加熱することにより分
解し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭59
-45439号、同60-3625 号、同62-229242 号、同63-27829
号、同63-36240号、同63-250642 号、Polym Eng.Sci.23
巻、1012頁 (1983) 、ACS.Sym.242 巻、11頁(1984)、Se
miconductor World 1987年、11月号、91頁、Macromolec
ukes,21 巻、1475頁(1988)、SPIE,920巻、42頁(1988)、
などに記載されている露光により酸を発生する化合物
と、第3級又は2級炭素(例えばt−ブチル、2−シク
ロヘキセニルなど)のエステル又は炭酸エステル化合物
との組み合わせ系が挙げられる。これらの系も、高感度
を有し、且つナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系
と比べて、Deep−UV領域での吸収が小さいことか
ら、前記の光源短波長化に有効な系となり得る。
酸を発生する化合物と、アセタール又はO、N−アセタ
ール化合物との組み合わせ(特開昭48-89003号)、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組み合わせ
(特開昭51-120714 号)、主鎖にアセタール又はケター
ル基を有するポリマーとの組み合わせ(特開昭53-13342
9 号)、エノールエーテル化合物との組み合わせ(特開
昭55-12995号) 、N−アシルイミノ炭酸化合物との組み
合わせ(特開昭55-126236 号)、主鎖にオルトエステル
基を有するポリマーとの組み合わせ(特開昭56-17345
号)、第3級アルキルエステル化合物との組み合わせ
(特開昭60-3625 号)、シリルエステル化合物との組み
合わせ(特開昭60-10247号)及びシリルエーテル化合物
との組み合わせ(特開昭60-37549号、特開昭60-121446
号)などを挙げることができる。これらは原理的に量子
収率が1を越える為、高い感光性を示す。同様に室温下
経時では安定であるが、酸存在下加熱することにより分
解し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭59
-45439号、同60-3625 号、同62-229242 号、同63-27829
号、同63-36240号、同63-250642 号、Polym Eng.Sci.23
巻、1012頁 (1983) 、ACS.Sym.242 巻、11頁(1984)、Se
miconductor World 1987年、11月号、91頁、Macromolec
ukes,21 巻、1475頁(1988)、SPIE,920巻、42頁(1988)、
などに記載されている露光により酸を発生する化合物
と、第3級又は2級炭素(例えばt−ブチル、2−シク
ロヘキセニルなど)のエステル又は炭酸エステル化合物
との組み合わせ系が挙げられる。これらの系も、高感度
を有し、且つナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系
と比べて、Deep−UV領域での吸収が小さいことか
ら、前記の光源短波長化に有効な系となり得る。
【0009】ポジ型化学増幅系レジストは、アルカリ可
溶性樹脂、放射線露光によって酸を発生する化合物(光
酸発生剤)および酸との触媒反応によってアルカリ可溶
となる溶解阻止化合物(酸分解性溶解阻止剤)から成る
3成分系と、酸との反応によりアルカリ可溶となる基を
有する樹脂と光酸発生剤からなる2成分系に大別でき
る。2成分化学増幅型ポジレジスト(米国特許第4,4
91,628号等)は、主として酸分解性基によってア
ルカリ可溶性バインダーのアルカリ可溶基を潰すことで
バインダーのアルカリ溶解性を下げている。3成分系化
学増幅型ポジレジスト(欧州特許第249,139号、
特開平2−248,953号等)の酸分解性溶解阻止剤
は、それ自体アルカリ不溶であり、かつ、バインダー樹
脂と相互作用することによりバインダー樹脂のアルカリ
溶解性を低下させる働きをしている。このように、2成
分系と3成分系のアルカリ溶解阻止能の発現機構は異な
っていると考えられる。
溶性樹脂、放射線露光によって酸を発生する化合物(光
酸発生剤)および酸との触媒反応によってアルカリ可溶
となる溶解阻止化合物(酸分解性溶解阻止剤)から成る
3成分系と、酸との反応によりアルカリ可溶となる基を
有する樹脂と光酸発生剤からなる2成分系に大別でき
る。2成分化学増幅型ポジレジスト(米国特許第4,4
91,628号等)は、主として酸分解性基によってア
ルカリ可溶性バインダーのアルカリ可溶基を潰すことで
バインダーのアルカリ溶解性を下げている。3成分系化
学増幅型ポジレジスト(欧州特許第249,139号、
特開平2−248,953号等)の酸分解性溶解阻止剤
は、それ自体アルカリ不溶であり、かつ、バインダー樹
脂と相互作用することによりバインダー樹脂のアルカリ
溶解性を低下させる働きをしている。このように、2成
分系と3成分系のアルカリ溶解阻止能の発現機構は異な
っていると考えられる。
【0010】2成分系の場合、樹脂中の酸分解基の含量
が多くなる為、露光後のベークによりレジスト膜が収縮
するという問題があった。また3成分系ではアルカリ可
溶性樹脂に対する溶解阻止性が不十分である為、現像時
の膜減りが大きく、レジストプロファイルを著しく劣化
させるという問題があった。しかるに3成分系の場合、
素材選択の幅が大きいことから有望の系であり、この系
に用いられる溶解阻止性の優れた酸分解性化合物の開発
が望まれていた。
が多くなる為、露光後のベークによりレジスト膜が収縮
するという問題があった。また3成分系ではアルカリ可
溶性樹脂に対する溶解阻止性が不十分である為、現像時
の膜減りが大きく、レジストプロファイルを著しく劣化
させるという問題があった。しかるに3成分系の場合、
素材選択の幅が大きいことから有望の系であり、この系
に用いられる溶解阻止性の優れた酸分解性化合物の開発
が望まれていた。
【0011】ノボラックとナフトキノンジアジド化合物
から成るレジストと同様に、化学増幅系ポジレジストに
於いても高解像力、矩形プロファイルを達成するために
は、未露光部と露光部との溶解速度比(ディスクリミネ
ーション)を大きくすることが必要である。
から成るレジストと同様に、化学増幅系ポジレジストに
於いても高解像力、矩形プロファイルを達成するために
は、未露光部と露光部との溶解速度比(ディスクリミネ
ーション)を大きくすることが必要である。
【0012】3成分系化学増幅型ポジレジストの酸分解
性溶解阻止剤のアルカリ溶解阻止能は、アルカリ可溶性
基が酸分解性基で保護される割合が高いものほど効果的
に発現する。特開平2−248,953号に分子内にア
ルカリ可溶性基(フェノール性OH基)を残存させた酸
分解性溶解阻止剤が開示されているが、溶解阻止性が弱
く、解像力、レジストプロファイルは充分なものではな
かった。一方、酸分解基の導入量を高くするにつれてレ
ジスト溶剤への溶解性が著しく低下する等の問題が生じ
てくる。
性溶解阻止剤のアルカリ溶解阻止能は、アルカリ可溶性
基が酸分解性基で保護される割合が高いものほど効果的
に発現する。特開平2−248,953号に分子内にア
ルカリ可溶性基(フェノール性OH基)を残存させた酸
分解性溶解阻止剤が開示されているが、溶解阻止性が弱
く、解像力、レジストプロファイルは充分なものではな
かった。一方、酸分解基の導入量を高くするにつれてレ
ジスト溶剤への溶解性が著しく低下する等の問題が生じ
てくる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高感度、高解像力及び良好なプロファイルを持ち、
経時による析出のない、3成分系化学増幅型のポジ型感
光性組成物を提供することを目的とする。
は、高感度、高解像力及び良好なプロファイルを持ち、
経時による析出のない、3成分系化学増幅型のポジ型感
光性組成物を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的がアルカリ
可溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生する化合物及
び酸分解性溶解阻止剤を含有するポジ型感光性組成物に
おいて、該酸分解性溶解阻止剤が以下に示す要件を満た
す低分子化合物を用いることで達成されることを見出
し、本発明に到達した。
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的がアルカリ
可溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生する化合物及
び酸分解性溶解阻止剤を含有するポジ型感光性組成物に
おいて、該酸分解性溶解阻止剤が以下に示す要件を満た
す低分子化合物を用いることで達成されることを見出
し、本発明に到達した。
【0015】即ち本発明は、(A)水不溶でアルカリ水
溶液に可溶な樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物、(C)酸により分解し得る基
を有し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により
増大する分子量3000以下の低分子化合物を含有する
ポジ型感光性組成物において、該低分子化合物(C)
が、(a)酸で分解し得る基を少なくとも2個有し、該
酸分解性基間の距離が、最も離れた位置において、酸分
解性基を除く結合原子を10個以上経由する化合物及
び、(b)酸で分解し得る基を少なくとも3個有し、該
酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解
性基を除く結合原子を9個以上経由する化合物であり、
その少なくとも10モル%がアルカリ可溶性基を有する
化合物から選ばれた少なくとも1種であることを特徴と
するポジ型感光性組成物を提供するものである。
溶液に可溶な樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物、(C)酸により分解し得る基
を有し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により
増大する分子量3000以下の低分子化合物を含有する
ポジ型感光性組成物において、該低分子化合物(C)
が、(a)酸で分解し得る基を少なくとも2個有し、該
酸分解性基間の距離が、最も離れた位置において、酸分
解性基を除く結合原子を10個以上経由する化合物及
び、(b)酸で分解し得る基を少なくとも3個有し、該
酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解
性基を除く結合原子を9個以上経由する化合物であり、
その少なくとも10モル%がアルカリ可溶性基を有する
化合物から選ばれた少なくとも1種であることを特徴と
するポジ型感光性組成物を提供するものである。
【0016】本発明の3成分系ポジ型感光性組成物は、
基本的には、低分子化合物(C)からなる酸分解性溶解
抑制剤、アルカリ可溶性樹脂及び光酸発生剤から成る。
酸分解性溶解抑制剤は、アルカリ可溶性樹脂のアルカリ
への溶解性を抑制し、露光を受けると発生する酸により
酸分解性基が脱保護され、逆にアルカリへの溶解性を促
進する作用を有する。特開昭63-27,829 及び特開平3-19
8,059 にナフタレン、ビフェニル及びフェニルシクロア
ルカンを骨格化合物とする溶解阻止化合物が開示されて
いるが、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が小さ
く、プロファイル及び解像力の点で不十分である。
基本的には、低分子化合物(C)からなる酸分解性溶解
抑制剤、アルカリ可溶性樹脂及び光酸発生剤から成る。
酸分解性溶解抑制剤は、アルカリ可溶性樹脂のアルカリ
への溶解性を抑制し、露光を受けると発生する酸により
酸分解性基が脱保護され、逆にアルカリへの溶解性を促
進する作用を有する。特開昭63-27,829 及び特開平3-19
8,059 にナフタレン、ビフェニル及びフェニルシクロア
ルカンを骨格化合物とする溶解阻止化合物が開示されて
いるが、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が小さ
く、プロファイル及び解像力の点で不十分である。
【0017】以下、本発明に使用する化合物について詳
細に説明する。まず、酸分解性溶解抑制剤について説明
する。酸分解性溶解抑制剤は、その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において酸分解性基を除く結合原子を少
なくとも10個、好ましくは少なくとも11個、更に好
ましくは少なくとも12個経由する化合物、又は酸分解
性基を少なくとも3個有し、該酸分解性基間の距離が最
も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少
なくとも9個、好ましくは少なくとも10個、更に好ま
しくは11個経由する化合物である。
細に説明する。まず、酸分解性溶解抑制剤について説明
する。酸分解性溶解抑制剤は、その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において酸分解性基を除く結合原子を少
なくとも10個、好ましくは少なくとも11個、更に好
ましくは少なくとも12個経由する化合物、又は酸分解
性基を少なくとも3個有し、該酸分解性基間の距離が最
も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少
なくとも9個、好ましくは少なくとも10個、更に好ま
しくは11個経由する化合物である。
【0018】本発明において、酸分解性溶解抑制剤が、
酸分解性基を3個以上、好ましくは4個以上有する場
合、また酸分解性基を2個有するものにおいても、該酸
分解性基が互いにある一定の距離以上離れている場合、
アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上す
ることを見出した。なお本発明における酸分解性基間の
距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示され
る。例えば、以下の化合物(1)、(2)の場合、酸分
解性基間の距離は、各々結合原子4個になり、化合物
(3)では結合原子12個となる。
酸分解性基を3個以上、好ましくは4個以上有する場
合、また酸分解性基を2個有するものにおいても、該酸
分解性基が互いにある一定の距離以上離れている場合、
アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上す
ることを見出した。なお本発明における酸分解性基間の
距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示され
る。例えば、以下の化合物(1)、(2)の場合、酸分
解性基間の距離は、各々結合原子4個になり、化合物
(3)では結合原子12個となる。
【0019】
【化1】
【0020】上記式中、−O−B0 、−COO−A0 は
酸分解性基である。また、更に、本発明は、酸分解性溶
解抑制剤の全含有量中、少なくとも10モル%、好まし
くは30モル%、更に好ましくは50モル%はアルカリ
可溶基を意図的に残存させた化合物であることを大きな
特徴とする。アルカリ可溶基を残存させた化合物の量が
10モル%以下では溶解抑制剤がレジスト溶剤に溶けな
い場合や、経時によって析出することがあり好ましくな
い。
酸分解性基である。また、更に、本発明は、酸分解性溶
解抑制剤の全含有量中、少なくとも10モル%、好まし
くは30モル%、更に好ましくは50モル%はアルカリ
可溶基を意図的に残存させた化合物であることを大きな
特徴とする。アルカリ可溶基を残存させた化合物の量が
10モル%以下では溶解抑制剤がレジスト溶剤に溶けな
い場合や、経時によって析出することがあり好ましくな
い。
【0021】アルカリ可溶基の含有量は、酸分解性溶解
抑制剤中の平均のアルカリ可溶基の数NS と、平均の酸
分解性基の数NB で表したNs /(NB +NS )で表せ
る。アルカリ可溶性基の量としては、0.01≦Ns /
(NB +NS )≦0.75が好ましい。さらに好ましく
は、0.1≦NS /(NB +NS )≦0.5である。特
に好ましくは、酸分解性溶解抑制剤1分子中のアルカリ
可溶基の数(N1S)と酸分解性基の数(N1B)の比が
0.1≦N1S/(N1B+N1S)≦0.5である構成成分
を、酸分解性溶解抑制剤全重量の50重量%以上含有す
る場合である。
抑制剤中の平均のアルカリ可溶基の数NS と、平均の酸
分解性基の数NB で表したNs /(NB +NS )で表せ
る。アルカリ可溶性基の量としては、0.01≦Ns /
(NB +NS )≦0.75が好ましい。さらに好ましく
は、0.1≦NS /(NB +NS )≦0.5である。特
に好ましくは、酸分解性溶解抑制剤1分子中のアルカリ
可溶基の数(N1S)と酸分解性基の数(N1B)の比が
0.1≦N1S/(N1B+N1S)≦0.5である構成成分
を、酸分解性溶解抑制剤全重量の50重量%以上含有す
る場合である。
【0022】後述される現像液によってアルカリ可溶基
が機能するために、酸分解性結合で保護されるアルカリ
可溶基及び残存させるアルカリ可溶性基は、pKa が1
2以下の基であることが好ましい。好ましいアルカリ可
溶基として、フェノール性水酸基、カルボン酸基、スル
ホン酸基、イミド基、N−ヒドロキシイミド基、N−ス
ルホニルアミド基、スルホンアミド基、N−スルホニル
ウレタン基、N−スルホニルウレイド基あるいは活性メ
チレン基等を有する基であり、より具体的には
が機能するために、酸分解性結合で保護されるアルカリ
可溶基及び残存させるアルカリ可溶性基は、pKa が1
2以下の基であることが好ましい。好ましいアルカリ可
溶基として、フェノール性水酸基、カルボン酸基、スル
ホン酸基、イミド基、N−ヒドロキシイミド基、N−ス
ルホニルアミド基、スルホンアミド基、N−スルホニル
ウレタン基、N−スルホニルウレイド基あるいは活性メ
チレン基等を有する基であり、より具体的には
【0023】
【化2】
【0024】(Rはアルキル基またはアリール基を表
す。)がその例として挙げられる。これらの基は一分子
中に混合して導入されていてもよい。また、好ましいア
ルカリ可溶基がこれら具体例に限定されるものではな
い。
す。)がその例として挙げられる。これらの基は一分子
中に混合して導入されていてもよい。また、好ましいア
ルカリ可溶基がこれら具体例に限定されるものではな
い。
【0025】また本発明の酸分解性溶解抑制剤は、一つ
のベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有していても良
いが、好ましくは一つのベンゼン環上に1個の酸分解性
基を有する骨格から構成される化合物である。更に、本
発明の酸分解性溶解抑制剤の分子量は3000以下であ
り、好ましくは500〜3000、更に好ましくは10
00〜2500である。
のベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有していても良
いが、好ましくは一つのベンゼン環上に1個の酸分解性
基を有する骨格から構成される化合物である。更に、本
発明の酸分解性溶解抑制剤の分子量は3000以下であ
り、好ましくは500〜3000、更に好ましくは10
00〜2500である。
【0026】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る−COO−A0 、−O−B0 基を含む
基としては、−R0 −COO−A0 、又は−Ar−O−
B0で示される基が挙げられる。
により分解し得る−COO−A0 、−O−B0 基を含む
基としては、−R0 −COO−A0 、又は−Ar−O−
B0で示される基が挙げられる。
【0027】ここでA0 は−C(R01)(R02)
(R03)、−Si(R01)(R02)(R03)又は−C
(R04)(R05)−OR06基を示す。B0 はA0 又は−
CO−O−A0 基を示す。R01、R02、R03、R04、及
びR05は、それぞれ同一でも相違していてもよく、水素
原子、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、又はア
リール基を示し、R06はアルキル、又はアリール基を示
す。但し、R01〜R03のうち、少なくとも2つは水素原
子以外の基であり、またR01〜R03、及びR04〜R06の
うちの2つの基が結合して環を形成してもよい。R0 は
置換基を有していてもよい2価以上の脂肪族基又は芳香
族炭化水素基を示し、−Ar−は単環、又は多環の置換
基を有していてもよい2価以上の芳香族基を示す。
(R03)、−Si(R01)(R02)(R03)又は−C
(R04)(R05)−OR06基を示す。B0 はA0 又は−
CO−O−A0 基を示す。R01、R02、R03、R04、及
びR05は、それぞれ同一でも相違していてもよく、水素
原子、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、又はア
リール基を示し、R06はアルキル、又はアリール基を示
す。但し、R01〜R03のうち、少なくとも2つは水素原
子以外の基であり、またR01〜R03、及びR04〜R06の
うちの2つの基が結合して環を形成してもよい。R0 は
置換基を有していてもよい2価以上の脂肪族基又は芳香
族炭化水素基を示し、−Ar−は単環、又は多環の置換
基を有していてもよい2価以上の芳香族基を示す。
【0028】好ましくは、シリルエーテル基、クミルエ
ステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネーと基などである。更に
好ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキ
ルカーボネート基、クミルエステル基、テトラヒドロピ
ラニルエーテル基である。
ステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネーと基などである。更に
好ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキ
ルカーボネート基、クミルエステル基、テトラヒドロピ
ラニルエーテル基である。
【0029】好ましくは特開平1−289946号、同
1−289947号、同2−2560号、同3−128
959号、同3−158855号、同3−179353
号、同3−191351号、同3−200251号、同
3−200252号、同3−200253号、同3−2
00254号、同3−200255号、同3−2591
49号、同3−279958号、同3−279959
号、同4−1650号、同4−1651号、同4−11
260号、同4−12356号、同4−12357号、
特願平3−33229号、同3−230790号、同3
−320438号、同4−25157号、同4−527
32号、同4−103215号、同4−104542
号、同4−107885号、同4−107889号等の
明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物のフェノール
性OH基の一部又は全部を、上記で示した基−R0 −C
OO−A0 基又はB0 基で結合し、保護した化合物が含
まれる。
1−289947号、同2−2560号、同3−128
959号、同3−158855号、同3−179353
号、同3−191351号、同3−200251号、同
3−200252号、同3−200253号、同3−2
00254号、同3−200255号、同3−2591
49号、同3−279958号、同3−279959
号、同4−1650号、同4−1651号、同4−11
260号、同4−12356号、同4−12357号、
特願平3−33229号、同3−230790号、同3
−320438号、同4−25157号、同4−527
32号、同4−103215号、同4−104542
号、同4−107885号、同4−107889号等の
明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物のフェノール
性OH基の一部又は全部を、上記で示した基−R0 −C
OO−A0 基又はB0 基で結合し、保護した化合物が含
まれる。
【0030】更に好ましくは、特開平1−289946
号、同3−128959号、同3−158855号、同
3−179353号、同3−200251号、同3−2
00252号、同3−200255号、同3−2591
49号、同3−279958号、同4−1650号、同
4−11260号、同4−12356号、同4−123
57号、特願平4−25157号、同4−103215
号、同4−104542号、同4−107885号、同
4−107889号の明細書に記載されたポリヒドロキ
シ化合物を用いたものが挙げられる。
号、同3−128959号、同3−158855号、同
3−179353号、同3−200251号、同3−2
00252号、同3−200255号、同3−2591
49号、同3−279958号、同4−1650号、同
4−11260号、同4−12356号、同4−123
57号、特願平4−25157号、同4−103215
号、同4−104542号、同4−107885号、同
4−107889号の明細書に記載されたポリヒドロキ
シ化合物を用いたものが挙げられる。
【0031】好ましくは一般式(1)〜(16)で表さ
れる化合物が挙げられる。
れる化合物が挙げられる。
【0032】
【化3】
【0033】
【化4】
【0034】
【化5】
【0035】
【化6】
【0036】ここで、R1 、R2 、R3 、R4 は同一で
も異なっていても良く、水素原子、−R0 −COO−A
0 、又はB0 基を示す。
も異なっていても良く、水素原子、−R0 −COO−A
0 、又はB0 基を示す。
【0037】R1 は−CO−、−COO−、−NHCO
NH−、−NHCOO−、−O−、−S−、−SO−、
−SO2 −、−SO3 −もしくは
NH−、−NHCOO−、−O−、−S−、−SO−、
−SO2 −、−SO3 −もしくは
【0038】
【化7】
【0039】ここで、Gは2〜6の整数、但し、Gが2
の時はR4 、R5 のうち少なくとも一方はアルキル基、
R4 、R5 は同一でも異なっても良く、水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、−OH、−COOH−、−C
N、ハロゲン原子、−R6 −COOR7 、もしくは−R
8 −OH、R6 、R8 はアルキレン基、R7 は水素原
子、アルキル基、アリール基、もしくはアラルキル基、
R2 、R3 、R9 〜R12、R15、R17〜R21、R25〜R
27、R30〜R32、R37〜R42、R46〜R49及びR51は同
一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、アルキル
基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキ
シ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シア
ノ基、もしくは−N(R13)(R14)(R13、R14は水
素原子、アルキル基、もしくはアリール基)、R16は単
結合、アルキレン基、もしくは
の時はR4 、R5 のうち少なくとも一方はアルキル基、
R4 、R5 は同一でも異なっても良く、水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、−OH、−COOH−、−C
N、ハロゲン原子、−R6 −COOR7 、もしくは−R
8 −OH、R6 、R8 はアルキレン基、R7 は水素原
子、アルキル基、アリール基、もしくはアラルキル基、
R2 、R3 、R9 〜R12、R15、R17〜R21、R25〜R
27、R30〜R32、R37〜R42、R46〜R49及びR51は同
一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、アルキル
基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキ
シ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シア
ノ基、もしくは−N(R13)(R14)(R13、R14は水
素原子、アルキル基、もしくはアリール基)、R16は単
結合、アルキレン基、もしくは
【0040】
【化8】
【0041】R22、R24は同一でも異なっても良く、単
結合、アルキレン基、−O−、−S−、−CO−、もし
くはカルボキシル基、R23は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、ニ
トロ基、水酸基、シアノ基、もしくはカルボキシル基、
但し、水酸基はt−ブトキシカルボニル基で置換されて
いてもよい、R28、R29は同一でも異なっても良く、メ
チレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン
基、もしくはハロアルキル基、R33〜R36は同一でも異
なっても良く、水素原子、もしくはアルキル基、R43〜
R45は同一でも異なっても良く、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アシル基、もしくはアシロキシ基、
R50は水素原子、t−ブトキシカルボニル基、もしくは
結合、アルキレン基、−O−、−S−、−CO−、もし
くはカルボキシル基、R23は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、ニ
トロ基、水酸基、シアノ基、もしくはカルボキシル基、
但し、水酸基はt−ブトキシカルボニル基で置換されて
いてもよい、R28、R29は同一でも異なっても良く、メ
チレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン
基、もしくはハロアルキル基、R33〜R36は同一でも異
なっても良く、水素原子、もしくはアルキル基、R43〜
R45は同一でも異なっても良く、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アシル基、もしくはアシロキシ基、
R50は水素原子、t−ブトキシカルボニル基、もしくは
【0042】
【化9】
【0043】R52、R53は同一でも異なっても良く、水
素原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、もしく
はアリール基、R54〜R57は同一でも異なっていても良
く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、カルボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アル
コキシカルボニル基、アラルキル基、アラルキルオキシ
基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、アルケニ
ルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、もしくは
アリールオキシカルボニル基、但し、各4個の同一の記
号が同一の基でなくてもよい。Yは−CO−、もしくは
−SO2 −、Z、Bは単結合、もしくは−O−、Aはメ
チレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン
基、もしくはハロアルキル基、Eは単結合、もしくはオ
キシメチレン基、a〜ylは複数の時、( )内の基は
同一または異なっていてもよい、a〜q、s、t、v、
g1 〜i1 、k1 〜m1 、o1 、q1 、s1 、u1 は0
しくは1〜5の整数、r、u、y、w、x、y、z、a
1 〜f1 、p1 、r1 、t1 、v1 〜x1 は0もしくは
1〜4の整数、j1 、n1 、z1 、a2 、b2 、c2 、
d2 は0もしくは1〜3の整数 z1 、a2 、c2 、d2 のうち少なくとも1つは1以
上、y1 は3〜8の整数、 (a+b) 、(e+f+g) 、(k+l+m)、(q+r+s) 、(w+x+y) 、(c
1+d1) 、(g1+h1+i1+j1) 、(o1+p1) 、(s1+t1) ≧1、 (j1+n1) ≦3、 (r+u) 、(w+z) 、(x+a1)、(y+b1)、(c1+e1) 、(d1+f1)
、(p1+r1) 、(t1+v1)、(x1+w1) ≦4、 (a+c) 、(b+d) 、(e+h) 、(f+i) 、(g+j) 、(k+n) 、(l
+o) 、(m+p) 、(q+t)、(s+v) 、(g1+k1) 、(h1+l1) 、
(i1+m1)、(o1+q1) 、(s1+u1) ≦5を表す。
素原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、もしく
はアリール基、R54〜R57は同一でも異なっていても良
く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、カルボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アル
コキシカルボニル基、アラルキル基、アラルキルオキシ
基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、アルケニ
ルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、もしくは
アリールオキシカルボニル基、但し、各4個の同一の記
号が同一の基でなくてもよい。Yは−CO−、もしくは
−SO2 −、Z、Bは単結合、もしくは−O−、Aはメ
チレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン
基、もしくはハロアルキル基、Eは単結合、もしくはオ
キシメチレン基、a〜ylは複数の時、( )内の基は
同一または異なっていてもよい、a〜q、s、t、v、
g1 〜i1 、k1 〜m1 、o1 、q1 、s1 、u1 は0
しくは1〜5の整数、r、u、y、w、x、y、z、a
1 〜f1 、p1 、r1 、t1 、v1 〜x1 は0もしくは
1〜4の整数、j1 、n1 、z1 、a2 、b2 、c2 、
d2 は0もしくは1〜3の整数 z1 、a2 、c2 、d2 のうち少なくとも1つは1以
上、y1 は3〜8の整数、 (a+b) 、(e+f+g) 、(k+l+m)、(q+r+s) 、(w+x+y) 、(c
1+d1) 、(g1+h1+i1+j1) 、(o1+p1) 、(s1+t1) ≧1、 (j1+n1) ≦3、 (r+u) 、(w+z) 、(x+a1)、(y+b1)、(c1+e1) 、(d1+f1)
、(p1+r1) 、(t1+v1)、(x1+w1) ≦4、 (a+c) 、(b+d) 、(e+h) 、(f+i) 、(g+j) 、(k+n) 、(l
+o) 、(m+p) 、(q+t)、(s+v) 、(g1+k1) 、(h1+l1) 、
(i1+m1)、(o1+q1) 、(s1+u1) ≦5を表す。
【0044】
【化10】
【0045】R58は有機基、単結合、−S−、−SO−
もしくは−SO2 −、R59は水素原子、一価の有機基若
しくは
もしくは−SO2 −、R59は水素原子、一価の有機基若
しくは
【0046】
【化11】
【0047】R60〜R64は水素原子、水酸基、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、−O
−R0 −COO−A0 基、若しくは−O−B0 基、但
し、各4もしくは5個の同一の記号が同一の基でなくて
もよい。
原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、−O
−R0 −COO−A0 基、若しくは−O−B0 基、但
し、各4もしくは5個の同一の記号が同一の基でなくて
もよい。
【0048】Xは2価の有機基、e2 は0もしくは1を
表す。
表す。
【0049】
【化12】
【0050】ここで、R65〜R68は同一でも異なってい
てもよく、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基若しくはアルケニル基、但し、各4〜
6個の同一の記号が同一の基でなくてもよい。
てもよく、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基若しくはアルケニル基、但し、各4〜
6個の同一の記号が同一の基でなくてもよい。
【0051】R69〜R70は水素原子、アルキル基もしく
は、
は、
【0052】
【化13】
【0053】R5 は水素原子、−R0 −COO−A0 、
またはB0 基、f2、h2は0もしくは1、g2は0もしくは
1〜4の整数を表す。
またはB0 基、f2、h2は0もしくは1、g2は0もしくは
1〜4の整数を表す。
【0054】
【化14】
【0055】R71〜R77は同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、アリール基、ア
ラルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボ
ニル基、アシロキシ基、アシル基、アロキシル基、もし
くはアラルコシ基、但し、各6個の同一の記号が同一の
基でなくてもよい。
く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、アリール基、ア
ラルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボ
ニル基、アシロキシ基、アシル基、アロキシル基、もし
くはアラルコシ基、但し、各6個の同一の記号が同一の
基でなくてもよい。
【0056】R6 は水素原子、−R0 −COO−A0 、
またはB0 基を表す。
またはB0 基を表す。
【0057】
【化15】
【0058】R78は水素原子もしくはアルキル基、但
し、全部同一でなくてもよい。
し、全部同一でなくてもよい。
【0059】R79〜R82は水素原子、水酸基、ハロゲン
原子、アルキル基もしくはアルコキシ基、但し、各3個
の同一の記号が同一の基でなくてもよい。
原子、アルキル基もしくはアルコキシ基、但し、各3個
の同一の記号が同一の基でなくてもよい。
【0060】R7 は水素原子、−R0 −COO−A0 、
またはB0 基を表す。
またはB0 基を表す。
【0061】好ましい化合物の具体例を以下に示す。
【0062】
【化16】
【0063】
【化17】
【0064】
【化18】
【0065】
【化19】
【0066】
【化20】
【0067】
【化21】
【0068】
【化22】
【0069】
【化23】
【0070】
【化24】
【0071】
【化25】
【0072】
【化26】
【0073】
【化27】
【0074】
【化28】
【0075】
【化29】
【0076】
【化30】
【0077】
【化31】
【0078】
【化32】
【0079】
【化33】
【0080】
【化34】
【0081】
【化35】
【0082】化合物(1)〜(63)中のRは、水素原
子、−COO−C4 H9 t 、
子、−COO−C4 H9 t 、
【0083】
【化36】
【0084】−CH2 −COO−C4 H9 t 、もしくは
−CH2 −COO−C(CH3 )2 C6 H5 の基を表
す。但し、少なくとも2個以上、もしくは構造により3
個は水素原子以外の基であり、溶解阻止剤中の平均の酸
分解性基の数をNB 、平均のアルカリ可溶性基の数をN
S とした場合、0.01≦NS /(NB +NS )≦0.
75である。
−CH2 −COO−C(CH3 )2 C6 H5 の基を表
す。但し、少なくとも2個以上、もしくは構造により3
個は水素原子以外の基であり、溶解阻止剤中の平均の酸
分解性基の数をNB 、平均のアルカリ可溶性基の数をN
S とした場合、0.01≦NS /(NB +NS )≦0.
75である。
【0085】酸分解性溶解抑制剤の添加量は、感光性組
成物の全重量(溶媒は除く)を基準として3〜50重量
%であり、好ましくは、5〜35重量%の範囲である。
成物の全重量(溶媒は除く)を基準として3〜50重量
%であり、好ましくは、5〜35重量%の範囲である。
【0086】本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂
〔本発明(A)の化合物〕としては、例えばノボラック
樹脂、水素化ノボラック樹脂、アセトン−ピロガロール
樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン又はアルキル
置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−N
−置換マレイミド共重合体、ポリヒドロキシスチレンの
一部O−アルキル化合物又はO−アシル化物、スチレン
−無水マレイン酸共重合体、カルボキシル基含有メタク
リル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
〔本発明(A)の化合物〕としては、例えばノボラック
樹脂、水素化ノボラック樹脂、アセトン−ピロガロール
樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン又はアルキル
置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−N
−置換マレイミド共重合体、ポリヒドロキシスチレンの
一部O−アルキル化合物又はO−アシル化物、スチレン
−無水マレイン酸共重合体、カルボキシル基含有メタク
リル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
【0087】特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラ
ック樹脂及びポリヒドロキシスチレンである。該ノボラ
ック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の
存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得ら
れる。
ック樹脂及びポリヒドロキシスチレンである。該ノボラ
ック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の
存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得ら
れる。
【0088】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフェノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m
−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルA、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフェノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m
−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルA、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
【0089】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を施
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられる。酸
性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を
使用することができる。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を施
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられる。酸
性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を
使用することができる。
【0090】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、1,000〜30,000の範囲であるこ
とが好ましい。1,000未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、30,000を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは、2,000〜2
0,000の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン
換算値をもって定義される。
均分子量は、1,000〜30,000の範囲であるこ
とが好ましい。1,000未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、30,000を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは、2,000〜2
0,000の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン
換算値をもって定義される。
【0091】本発明におけるこれらのアルカリ可溶性樹
脂は2種類以上混合して使用してもよい。アルカリ可溶
性樹脂の使用量は、感光性組成物の全重量(溶媒を除
く)を基準として、50〜97重量%、好ましくは60
〜90重量%である。
脂は2種類以上混合して使用してもよい。アルカリ可溶
性樹脂の使用量は、感光性組成物の全重量(溶媒を除
く)を基準として、50〜97重量%、好ましくは60
〜90重量%である。
【0092】次に、本発明における活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物〔本発明(B)の化合
物〕について説明する。本発明で使用される活性光線ま
たは放射線の照射により分解して酸を発生する化合物と
しては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の
光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイ
クロレジスト等に使用されている公知の光により酸を発
生する化合物およびそれらの混合物を適宜に選択して使
用することができる。
の照射により酸を発生する化合物〔本発明(B)の化合
物〕について説明する。本発明で使用される活性光線ま
たは放射線の照射により分解して酸を発生する化合物と
しては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の
光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイ
クロレジスト等に使用されている公知の光により酸を発
生する化合物およびそれらの混合物を適宜に選択して使
用することができる。
【0093】たとえばS.I.Schlesinger,Photogr.Sci.En
g.,18,387(1974) 、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(198
0) 等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056 号、同Re 27,992 号、特願平3-140,14
0 号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macr
omolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Co
nf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988) 、米国特許
第4,069,055 号、同4,069,056 号等に記載のホスホニウ
ム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307
(1977) 、Chem.&.Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特
許第104,143 号米国特許第339,049 号、同第410,201
号、特開平2-150,848 号、特開平2-296,514 号等に記載
のヨードニウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,7
3(1985) 、J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(19
78) 、W.R.Watt etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.E
d.,22,1789(1984) 、J.V.Crivello etal,Polymer Bul
l.,14,279(1985)、J.V.Crivello etal,Macromorecules,
14(5),1141(1981) 、J.V.Crivello etal,J.Polymer Sc
i.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979) 、欧州特許第370,
693 号、同3,902,114 号、同233,567 号、同297,443
号、同297,442 号、米国特許第4,933,377 号、同161,81
1 号、同410,201 号、同339,049 号、同4,734,444 号、
同2,833,872 号、獨国特許第2,904,6260号、同3,604,58
0 号、同3,604,581 号、等に記載のスルホニウム塩、J.
V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、
J.V.Crivello etal,J.Polymer Sci.Polymer Chem.Ed.,1
7,1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C.S.Wen eta
l,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478,Toky,Oct(198
8)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許
第3,905,815 号、特公昭46-4605 号、特開昭48-36281
号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736、特開昭61-16
9835 号、特開昭61-169837 号、特開昭62-58241号、特
開昭62-212401 号、特開昭63-70243号、特開昭63-29833
9 号等に記載の有機ハロゲン化合物、K.Meier etal,J.R
ad.Curing,13(4),26(1986)、T.P.Gill etal,Inorg.Che
m.,19,3007(1980) 、D.Astruc,Acc.Chem.Res.,19(12),3
77(1896) 、特開平2-161445号等に記載の有機金属/ 有
機ハロゲン化物、S.Hayase etal,J.Polymer Sci.,25,75
3(1987) 、E.Reichmanis etal,J.Pholymer Sci.,Polyme
r Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu etal,J.Photochem.,3
6,85,39,317(1987)、B.Amit etal,TetrahedronLett.,(2
4)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.Chem Soc.,3571(1
965)、P.M.Collins etal,J.Chem.SoC.,Perkin I,1695(1
975)、M.Rudinstein etal,TetrahedronLett.,(17)1455
(1975)、J.W.Walker etal J.Am.Chem.Soc.,110,7170(19
88) 、S.C.Busman etal J.Imaging Technol.,11(4),191
(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormolecules,21,2001(1
988)、P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Chem.Commun.532
(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules 18,1799(198
5)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.Soc.,Solid Sta
te Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan etal,Macromol
cules,21,2001(1988) 、欧州特許第0290,750号、同046,
083 号、同156,535 号、同271,851 号、同0,388,343
号、米国特許第3,901,710 号、同4,181,531 号、特開昭
60-198538 号、特開昭53-133022 号等に記載の0−ニト
ロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA et
al,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,J.
Rad.Curing,13(4)、W.J.Mijs etal,Coating Technol.,5
5(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Prepri
nts,Japan,37(3) 、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672 号、同044,115 号、同0101,122号、米国
特許第618,564 号、同4,371,605 号、同4,431,774 号、
特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109
号等に記載のイミノスルフォネート等に代表される光分
解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544
号等に記載のジスルホン化合物を挙げることができる。
g.,18,387(1974) 、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(198
0) 等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056 号、同Re 27,992 号、特願平3-140,14
0 号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macr
omolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Co
nf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988) 、米国特許
第4,069,055 号、同4,069,056 号等に記載のホスホニウ
ム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307
(1977) 、Chem.&.Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特
許第104,143 号米国特許第339,049 号、同第410,201
号、特開平2-150,848 号、特開平2-296,514 号等に記載
のヨードニウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,7
3(1985) 、J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(19
78) 、W.R.Watt etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.E
d.,22,1789(1984) 、J.V.Crivello etal,Polymer Bul
l.,14,279(1985)、J.V.Crivello etal,Macromorecules,
14(5),1141(1981) 、J.V.Crivello etal,J.Polymer Sc
i.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979) 、欧州特許第370,
693 号、同3,902,114 号、同233,567 号、同297,443
号、同297,442 号、米国特許第4,933,377 号、同161,81
1 号、同410,201 号、同339,049 号、同4,734,444 号、
同2,833,872 号、獨国特許第2,904,6260号、同3,604,58
0 号、同3,604,581 号、等に記載のスルホニウム塩、J.
V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、
J.V.Crivello etal,J.Polymer Sci.Polymer Chem.Ed.,1
7,1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C.S.Wen eta
l,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478,Toky,Oct(198
8)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許
第3,905,815 号、特公昭46-4605 号、特開昭48-36281
号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736、特開昭61-16
9835 号、特開昭61-169837 号、特開昭62-58241号、特
開昭62-212401 号、特開昭63-70243号、特開昭63-29833
9 号等に記載の有機ハロゲン化合物、K.Meier etal,J.R
ad.Curing,13(4),26(1986)、T.P.Gill etal,Inorg.Che
m.,19,3007(1980) 、D.Astruc,Acc.Chem.Res.,19(12),3
77(1896) 、特開平2-161445号等に記載の有機金属/ 有
機ハロゲン化物、S.Hayase etal,J.Polymer Sci.,25,75
3(1987) 、E.Reichmanis etal,J.Pholymer Sci.,Polyme
r Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu etal,J.Photochem.,3
6,85,39,317(1987)、B.Amit etal,TetrahedronLett.,(2
4)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.Chem Soc.,3571(1
965)、P.M.Collins etal,J.Chem.SoC.,Perkin I,1695(1
975)、M.Rudinstein etal,TetrahedronLett.,(17)1455
(1975)、J.W.Walker etal J.Am.Chem.Soc.,110,7170(19
88) 、S.C.Busman etal J.Imaging Technol.,11(4),191
(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormolecules,21,2001(1
988)、P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Chem.Commun.532
(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules 18,1799(198
5)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.Soc.,Solid Sta
te Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan etal,Macromol
cules,21,2001(1988) 、欧州特許第0290,750号、同046,
083 号、同156,535 号、同271,851 号、同0,388,343
号、米国特許第3,901,710 号、同4,181,531 号、特開昭
60-198538 号、特開昭53-133022 号等に記載の0−ニト
ロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA et
al,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,J.
Rad.Curing,13(4)、W.J.Mijs etal,Coating Technol.,5
5(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Prepri
nts,Japan,37(3) 、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672 号、同044,115 号、同0101,122号、米国
特許第618,564 号、同4,371,605 号、同4,431,774 号、
特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109
号等に記載のイミノスルフォネート等に代表される光分
解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544
号等に記載のジスルホン化合物を挙げることができる。
【0094】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.So
c.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sci.,
30(5),218(1986)、S.Kondo etal,Makromol.Chem.,Rapid
Commun.,9,625(1988) 、Y.Yamada etal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.Polymer
Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,
849,137 号、獨国特許第3914407 、特開昭63-26653号、
特開昭55-164824 号、特開昭62-69263号、特開昭63-146
038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853 号、特
開昭63-146029 号等に記載の化合物を用いることができ
る。
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.So
c.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sci.,
30(5),218(1986)、S.Kondo etal,Makromol.Chem.,Rapid
Commun.,9,625(1988) 、Y.Yamada etal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.Polymer
Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,
849,137 号、獨国特許第3914407 、特開昭63-26653号、
特開昭55-164824 号、特開昭62-69263号、特開昭63-146
038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853 号、特
開昭63-146029 号等に記載の化合物を用いることができ
る。
【0095】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970) 、米国
特許第3,779,778 号、欧州特許第126,712 号等に記載の
光により酸を発生する化合物も使用することができる。
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970) 、米国
特許第3,779,778 号、欧州特許第126,712 号等に記載の
光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【0096】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。
【0097】(1)トリハロメチル基が置換した書き一
般式(PAG1)で表されるオキサゾール誘導体または
一般式(PAG2)で表されるS−トリアジン誘導体。
般式(PAG1)で表されるオキサゾール誘導体または
一般式(PAG2)で表されるS−トリアジン誘導体。
【0098】
【化37】
【0099】式中、R1 は置換もしくは未置換のアリー
ル基、アルケニル基、R2 は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、アルキル基、−CY3 をしめ
す。Yは塩素原子または臭素原子を示す。
ル基、アルケニル基、R2 は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、アルキル基、−CY3 をしめ
す。Yは塩素原子または臭素原子を示す。
【0100】具体的には以下の化合物を挙げることがで
きるがこれらに限定されるものではない。
きるがこれらに限定されるものではない。
【0101】
【化38】
【0102】
【化39】
【0103】
【化40】
【0104】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表され
るスルホニウム塩。
るヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表され
るスルホニウム塩。
【0105】
【化41】
【0106】ここでAr1 、Ar2 は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。
【0107】R3 ,R4 ,R5 は各々独立に、置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましく
は炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8のアルキ
ル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基
としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコ
キシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボ
キシル基、ヒドロキシ基およびハロゲン原子であり、ア
ルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カル
ボキシル基、アルコシキカルボニル基である。Z- は対
アニオンを示し、たとえばBF4 - 、AsF6 - 、PF
6 - 、SbF6 - 、SiF6 2 - 、ClO4 - 、CF3
SO3 - 等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオ
ン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフ
タレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族ス
ルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。またR3 、R4 、R5
のうちの2つおよびAr1 、Ar2 はそれぞれの単結合
または置換基を介して結合してもよい。
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましく
は炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8のアルキ
ル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基
としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコ
キシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボ
キシル基、ヒドロキシ基およびハロゲン原子であり、ア
ルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カル
ボキシル基、アルコシキカルボニル基である。Z- は対
アニオンを示し、たとえばBF4 - 、AsF6 - 、PF
6 - 、SbF6 - 、SiF6 2 - 、ClO4 - 、CF3
SO3 - 等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオ
ン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフ
タレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族ス
ルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。またR3 、R4 、R5
のうちの2つおよびAr1 、Ar2 はそれぞれの単結合
または置換基を介して結合してもよい。
【0108】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
れるが、これらに限定されるものではない。
【0109】
【化42】
【0110】
【化43】
【0111】
【化44】
【0112】
【化45】
【0113】
【化46】
【0114】
【化47】
【0115】
【化48】
【0116】
【化49】
【0117】
【化50】
【0118】
【化51】
【0119】
【化52】
【0120】
【化53】
【0121】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、たとえばJ.W.Knapcz
yk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969) 、A.L.Maycok e
tal,J.Org.Chem.,35,2532(1970) 、E.Goethas etal,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964)、H.M.Leicester 、J.
Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929) 、J.V.Crivello etal,J.
Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648
号および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載
の方法により合成することができる。
れる上記オニウム塩は公知であり、たとえばJ.W.Knapcz
yk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969) 、A.L.Maycok e
tal,J.Org.Chem.,35,2532(1970) 、E.Goethas etal,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964)、H.M.Leicester 、J.
Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929) 、J.V.Crivello etal,J.
Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648
号および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載
の方法により合成することができる。
【0122】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体または一般式(PAG6)で表される
イミノスルホネート誘導体。
ジスルホン誘導体または一般式(PAG6)で表される
イミノスルホネート誘導体。
【0123】
【化54】
【0124】式中Ar3 、Ar4 は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R6 は置換もしくは未
置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もしく
は未置換のアルキレン基、アルケニルン基、アリーレン
基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
くは未置換のアリール基を示す。R6 は置換もしくは未
置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もしく
は未置換のアルキレン基、アルケニルン基、アリーレン
基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
【0125】
【化55】
【0126】
【化56】
【0127】
【化57】
【0128】
【化58】
【0129】
【化59】
【0130】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量(塗布溶媒を除く)を基準として通常0.0
01〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.0
1〜20重量%、更に好ましくは0.1〜5重量%の範
囲で使用される。
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量(塗布溶媒を除く)を基準として通常0.0
01〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.0
1〜20重量%、更に好ましくは0.1〜5重量%の範
囲で使用される。
【0131】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
さらに染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤及び
現像液に対する溶解性を促進させるフェノール性OH基
を2個以上有する化合物などを含有させることができ
る。
さらに染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤及び
現像液に対する溶解性を促進させるフェノール性OH基
を2個以上有する化合物などを含有させることができ
る。
【0132】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
【0133】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成
物をiまたはg線に感度を持たせることができる。好適
な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、
p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,
p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−
クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアン
トラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチ
アジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビ
ン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラ
セン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナント
レン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテ
ン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、
N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミン、
ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラキノ
ン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアントラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成
物をiまたはg線に感度を持たせることができる。好適
な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、
p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,
p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−
クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアン
トラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチ
アジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビ
ン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラ
セン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナント
レン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテ
ン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、
N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミン、
ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラキノ
ン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアントラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。
【0134】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸エ
チル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン
酸プロピル、N,N’−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロ
フラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合
して使用する。
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸エ
チル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン
酸プロピル、N,N’−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロ
フラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合
して使用する。
【0135】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン、ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173(大日本
インキ(株)製)、フロラードFC430,FC431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン、ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173(大日本
インキ(株)製)、フロラードFC430,FC431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。
【0136】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使
用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被
覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現
像することにより良好なレジストパターンを得ることが
できる。
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使
用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被
覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現
像することにより良好なレジストパターンを得ることが
できる。
【0137】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブ
チルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウ
ム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。以下、本発明を実施例
により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれによ
り限定されるものではない。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブ
チルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウ
ム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。以下、本発明を実施例
により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれによ
り限定されるものではない。
【0138】
(溶解阻止剤(a)の合成)Trisphenol−T
C(三井石油化学(株)製)20g(0.042mo
l)をテトラヒドロノラン(THF)400mlに溶解
した。この溶液に窒素雰囲気下でtert−ブトキシカ
リウム9.3g(0.083mol)を加え、室温にて
10分間撹拌後、ジ−tert−ブチルジカーボネート
19.5g(0.087mol)を加えた。室温下、3
時間反応させ、反応液を氷水に注ぎ、生成物を酢酸エチ
ルで抽出した。
C(三井石油化学(株)製)20g(0.042mo
l)をテトラヒドロノラン(THF)400mlに溶解
した。この溶液に窒素雰囲気下でtert−ブトキシカ
リウム9.3g(0.083mol)を加え、室温にて
10分間撹拌後、ジ−tert−ブチルジカーボネート
19.5g(0.087mol)を加えた。室温下、3
時間反応させ、反応液を氷水に注ぎ、生成物を酢酸エチ
ルで抽出した。
【0139】酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムクロマ
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製し、下記構造の溶解阻
止剤(a)を得た。
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製し、下記構造の溶解阻
止剤(a)を得た。
【0140】
【化60】
【0141】(溶解阻止剤(b)の合成)Trisph
enol−TC 48.1g(0.10mol)をジメ
チルアセトアミド300mlに溶解し、これに炭酸カリ
ウム22.1g(0.16mol)、及びブロモ酢酸t
−ブチル42.9g(0.22mol)を添加した。そ
の後、120℃にて5時間撹拌した。反応混合物をイオ
ン交換水2リットルに投入し、酢酸にて中和した後、酢
酸エチルにて抽出した。
enol−TC 48.1g(0.10mol)をジメ
チルアセトアミド300mlに溶解し、これに炭酸カリ
ウム22.1g(0.16mol)、及びブロモ酢酸t
−ブチル42.9g(0.22mol)を添加した。そ
の後、120℃にて5時間撹拌した。反応混合物をイオ
ン交換水2リットルに投入し、酢酸にて中和した後、酢
酸エチルにて抽出した。
【0142】酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムクロマ
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製し、下記構造の溶解阻
止剤(b)を得た。
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製し、下記構造の溶解阻
止剤(b)を得た。
【0143】
【化61】
【0144】(溶解阻止剤(c)〜(k)の合成)ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3,
4−ジヒドロキシフェニルメタン36.4g(0.1m
ol)をTHF200mlに溶解し、これに3,4−ジ
ヒドロ−2H−ピラン31.9g(0.38mol)を
添加した。さらに触媒としてトリフルオロボランジエチ
ルエーテル錯体0.2gを添加し、50℃にて7時間撹
拌した。
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3,
4−ジヒドロキシフェニルメタン36.4g(0.1m
ol)をTHF200mlに溶解し、これに3,4−ジ
ヒドロ−2H−ピラン31.9g(0.38mol)を
添加した。さらに触媒としてトリフルオロボランジエチ
ルエーテル錯体0.2gを添加し、50℃にて7時間撹
拌した。
【0145】反応混合物を減圧下、濃縮し、カラムクロ
マトグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エ
チル/ヘキサン=1/5)にて精製し、下記構造の溶解
阻止剤(c)を得た。
マトグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エ
チル/ヘキサン=1/5)にて精製し、下記構造の溶解
阻止剤(c)を得た。
【0146】
【化62】
【0147】同様にして溶解阻止剤(d)〜溶解阻止剤
(k)を合成した。これら溶解阻止剤の構造、酸分解
基、残存アルカリ溶解基、及びNS /(NB+NS )値
を表1に示した。
(k)を合成した。これら溶解阻止剤の構造、酸分解
基、残存アルカリ溶解基、及びNS /(NB+NS )値
を表1に示した。
【0148】
【表1】
【0149】*1 構造は明細書中の構造具体例の番号
を表す。 *2 酸分解性基の種類: tBOCは、−O−CO−O−C(CH3 )3 基 tBuEは、−O−CH2 −CO−O−C(CH3 )3
基 CuEは、−O−CH2 −CO−O−C(CH3 )2 C
6 H5 基 Pyraは、ピラニルエーテル基 〔比較例用溶解阻止剤の合成〕 (溶解阻止剤(l)の合成)Trisphenol−T
C(三井石油化学(株)製)20g(0.042mo
l)をTHF400mlに溶解した。この溶液に窒素雰
囲気下でtert−ブトキシカリウム14g(0.12
5mol)を加え、室温にて10分間撹拌後、ジ−te
rt−ブチルジカーボネート29.2g(0.13mo
l)を加えた。室温下、3時間反応させ、反応液を氷水
に注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出した。
を表す。 *2 酸分解性基の種類: tBOCは、−O−CO−O−C(CH3 )3 基 tBuEは、−O−CH2 −CO−O−C(CH3 )3
基 CuEは、−O−CH2 −CO−O−C(CH3 )2 C
6 H5 基 Pyraは、ピラニルエーテル基 〔比較例用溶解阻止剤の合成〕 (溶解阻止剤(l)の合成)Trisphenol−T
C(三井石油化学(株)製)20g(0.042mo
l)をTHF400mlに溶解した。この溶液に窒素雰
囲気下でtert−ブトキシカリウム14g(0.12
5mol)を加え、室温にて10分間撹拌後、ジ−te
rt−ブチルジカーボネート29.2g(0.13mo
l)を加えた。室温下、3時間反応させ、反応液を氷水
に注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出した。
【0150】酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムクロマ
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製した結果、下記構造の
溶解阻止剤(l)を得た。
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製した結果、下記構造の
溶解阻止剤(l)を得た。
【0151】
【化63】
【0152】(溶解阻止剤(m)の合成)Trisph
enol−TC 48.1g(0.10mol)をジメ
チルアセトアミド300mlに溶解し、これに炭酸カリ
ウム 33.2g(0.24mol)、及びブロモ酢酸
t−ブチル64.4g(0.33mol)を添加した。
その後、120℃にて5時間撹拌した。反応混合物をイ
オン交換水2リットルに投入し、酢酸にて中和した後、
酢酸エチルにて抽出した。
enol−TC 48.1g(0.10mol)をジメ
チルアセトアミド300mlに溶解し、これに炭酸カリ
ウム 33.2g(0.24mol)、及びブロモ酢酸
t−ブチル64.4g(0.33mol)を添加した。
その後、120℃にて5時間撹拌した。反応混合物をイ
オン交換水2リットルに投入し、酢酸にて中和した後、
酢酸エチルにて抽出した。
【0153】酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムクロマ
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製した結果、下記構造の
溶解阻止剤(m)を得た。
トグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エチ
ル/ヘキサン=1/5)にて精製した結果、下記構造の
溶解阻止剤(m)を得た。
【0154】
【化64】
【0155】(溶解阻止剤(n)の合成)Trisp−
PA(本州化学(株)製)(化合物(18)のRが全て
水酸基のもの) 42.5g(0.10mol)をTH
F 200mlに溶解し、これに3,4−ジヒドロ−2
H−ピラン 27.7g(0.33mol)を添加し
た。更に触媒としてトリフルオロボランジエチルエーテ
ル錯体0.20gを添加し、50℃にて7時間撹拌し
た。
PA(本州化学(株)製)(化合物(18)のRが全て
水酸基のもの) 42.5g(0.10mol)をTH
F 200mlに溶解し、これに3,4−ジヒドロ−2
H−ピラン 27.7g(0.33mol)を添加し
た。更に触媒としてトリフルオロボランジエチルエーテ
ル錯体0.20gを添加し、50℃にて7時間撹拌し
た。
【0156】反応混合物を減圧下、濃縮し、カラムクロ
マトグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エ
チル/ヘキサン=1/5)にて精製した結果、全てのフ
ェニール製水酸基をピラニル基で保護したトリーテトラ
ヒドロピラチルエーテル化合物(溶解阻止剤(n))の
無色粘調固体を得た。
マトグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:酢酸エ
チル/ヘキサン=1/5)にて精製した結果、全てのフ
ェニール製水酸基をピラニル基で保護したトリーテトラ
ヒドロピラチルエーテル化合物(溶解阻止剤(n))の
無色粘調固体を得た。
【0157】
【化65】
【0158】(溶解阻止剤(o)の合成)特開平2−2
48,953号記載の方法に従って、下記構造の溶解阻
止剤(o)を合成した。
48,953号記載の方法に従って、下記構造の溶解阻
止剤(o)を合成した。
【0159】
【化66】
【0160】(溶解阻止剤(p)の合成)欧州特許第2
49,139号記載の方法に従って、下記構造の溶解阻
止剤(p)を合成した。
49,139号記載の方法に従って、下記構造の溶解阻
止剤(p)を合成した。
【0161】
【化67】
【0162】(ノボラック樹脂の合成例)m−クレゾー
ル40g、p−クレゾール60g、37%ホルマリン水
溶液49g及びシュウ酸0.13gを3つ口フラスコに
仕込み、撹拌しながら100℃まで昇温し15時間反応
させた。
ル40g、p−クレゾール60g、37%ホルマリン水
溶液49g及びシュウ酸0.13gを3つ口フラスコに
仕込み、撹拌しながら100℃まで昇温し15時間反応
させた。
【0163】その後温度を200℃まで上げ、徐々に5
mmHgまで減圧して、水、未反応のモノマー、ホルム
アルデヒド、シュウ酸等を除去した。次いで溶融したア
ルカリ可溶ノボラック樹脂(NOV.3)を室温に戻し
て回収した。得られたノボラック樹脂(NOV.3)は
重量平均分子量7100(ポリスチレン換算)であっ
た。
mmHgまで減圧して、水、未反応のモノマー、ホルム
アルデヒド、シュウ酸等を除去した。次いで溶融したア
ルカリ可溶ノボラック樹脂(NOV.3)を室温に戻し
て回収した。得られたノボラック樹脂(NOV.3)は
重量平均分子量7100(ポリスチレン換算)であっ
た。
【0164】同様にして、モノマー組成を変えた以下の
ノボラック樹脂を合成した。 NOV.1 m−クレゾール/p−クレゾール=60/40 Mw=12,000 NOV.2 m−クレゾール/p−クレゾール=45/55 Mw=8,700 NOV.4 m−クレゾール/p−クレゾール/3,5−キシレノール =25/50/28 Mw=5.200 NOV.5 m−クレゾール/2,3,5−トリメチルフェノール =55/57 Mw=5.800 上記で得られたノボラック樹脂(NOV.3)20gを
メタノール70gに完全に溶解した後、これに水30を
撹拌しながら徐々に加えて樹脂分を沈殿させた。上層を
デカンテーションにより除去して沈殿した樹脂分を回収
し、40℃に加熱して減圧下で24時間乾燥させてアル
カリ可溶性ノボラック樹脂(NOV.6)を得た。重量
平均分子量は9000(ポリスチレン換算)であった。
ノボラック樹脂を合成した。 NOV.1 m−クレゾール/p−クレゾール=60/40 Mw=12,000 NOV.2 m−クレゾール/p−クレゾール=45/55 Mw=8,700 NOV.4 m−クレゾール/p−クレゾール/3,5−キシレノール =25/50/28 Mw=5.200 NOV.5 m−クレゾール/2,3,5−トリメチルフェノール =55/57 Mw=5.800 上記で得られたノボラック樹脂(NOV.3)20gを
メタノール70gに完全に溶解した後、これに水30を
撹拌しながら徐々に加えて樹脂分を沈殿させた。上層を
デカンテーションにより除去して沈殿した樹脂分を回収
し、40℃に加熱して減圧下で24時間乾燥させてアル
カリ可溶性ノボラック樹脂(NOV.6)を得た。重量
平均分子量は9000(ポリスチレン換算)であった。
【0165】m−クレゾール85g、p−クレゾール1
5g、37%ホルマリン水溶液53gを3つ口フラスコ
に仕込み、110℃の油浴で加熱しながら良く撹拌し、
酢酸亜鉛二水和物を2.4g加えて5時間加熱撹拌を行
った。
5g、37%ホルマリン水溶液53gを3つ口フラスコ
に仕込み、110℃の油浴で加熱しながら良く撹拌し、
酢酸亜鉛二水和物を2.4g加えて5時間加熱撹拌を行
った。
【0166】次いで、同じクレゾール混合物100gと
ホルマリン水溶液47gを続けて同じフラスコに仕込み
更に加熱撹拌を1時間継続した後、温度を80℃に下げ
シュウ酸0.2gを添加した。再び、油浴の温度を11
0℃に保ち、還流状態で15時間反応させた。
ホルマリン水溶液47gを続けて同じフラスコに仕込み
更に加熱撹拌を1時間継続した後、温度を80℃に下げ
シュウ酸0.2gを添加した。再び、油浴の温度を11
0℃に保ち、還流状態で15時間反応させた。
【0167】その後内容物を1%の塩酸を含む水にあけ
エチルセルソルブアセテートで反応生成物を抽出した。
次いでこれを真空蒸留器に移し、温度を200℃に上げ
さらに2〜3mmHgの減圧下で2時間蒸留を行って残
留モノマーを除いた。フラスコから溶融ポリマーを回収
し、目的のノボラック樹脂(NOV.7,Mw=7,5
00)を得た。
エチルセルソルブアセテートで反応生成物を抽出した。
次いでこれを真空蒸留器に移し、温度を200℃に上げ
さらに2〜3mmHgの減圧下で2時間蒸留を行って残
留モノマーを除いた。フラスコから溶融ポリマーを回収
し、目的のノボラック樹脂(NOV.7,Mw=7,5
00)を得た。
【0168】(実施例1〜14)上記合成例で示した本
発明の化合物を用いレジストを調製した。そのときの組
成比を表2に示す。
発明の化合物を用いレジストを調製した。そのときの組
成比を表2に示す。
【0169】(比較例1〜3)残存アルカリ可溶基がな
い溶融阻止剤(l)〜(n)を使って、3成分系ポジ型
レジストを調製した。そのときの組成比を表2に示す。
い溶融阻止剤(l)〜(n)を使って、3成分系ポジ型
レジストを調製した。そのときの組成比を表2に示す。
【0170】(比較例4)特開平2−248,953号
明細書に記載されている溶融阻止剤(o)を使って、3
成分系ポジ型レジストを調製した。そのときの組成比を
表2に示す。
明細書に記載されている溶融阻止剤(o)を使って、3
成分系ポジ型レジストを調製した。そのときの組成比を
表2に示す。
【0171】(比較例5)欧州特許第249,139号
明細書に記載されている溶融阻止剤(p)を使って、3
成分系ポジ型レジストを調製した。そのときの組成比を
表2に示す。
明細書に記載されている溶融阻止剤(p)を使って、3
成分系ポジ型レジストを調製した。そのときの組成比を
表2に示す。
【0172】(比較例6)米国特許第4,491,62
8号明細書に記載された方法に従って、t−ブトキシカ
ルボニルオキスチレンポリマーを合成し、2成分系ポジ
型レジストを調製した。そのときの組成比を表2に示
す。
8号明細書に記載された方法に従って、t−ブトキシカ
ルボニルオキスチレンポリマーを合成し、2成分系ポジ
型レジストを調製した。そのときの組成比を表2に示
す。
【0173】表2において使用した略号は下記の内容を
表す。 (ポリマー) NOV.1−7 ノボラック樹脂 PVP p−ヒドロキシスチレンポリマー (重量平均分子量9,600) TBOCS t−ブトキシカルボニルオキシスチレンポリマー (数平均分子量21,600)
表す。 (ポリマー) NOV.1−7 ノボラック樹脂 PVP p−ヒドロキシスチレンポリマー (重量平均分子量9,600) TBOCS t−ブトキシカルボニルオキシスチレンポリマー (数平均分子量21,600)
【0174】
【表2】
【0175】〔感光性組成物の調整と評価〕表2に示す
各素材をジグライム6gに溶解し、0.2μmのフィル
ターで濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト
溶液を3000rpmの回転数のスピンコーターを利用
してシリコンウエハー上に塗布し、110℃、60秒間
真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚1.0μ
mのレジスト膜を得た。
各素材をジグライム6gに溶解し、0.2μmのフィル
ターで濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト
溶液を3000rpmの回転数のスピンコーターを利用
してシリコンウエハー上に塗布し、110℃、60秒間
真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚1.0μ
mのレジスト膜を得た。
【0176】このレジスト膜に248nmKrFエキシ
マレーザーステッパー(NA=0.42)を用いて露光
を行った。露光後90℃の真空吸着型ホットプレートで
60秒間加熱を行い、ただちに2.38%テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液で
60秒間浸漬し、30秒間水でリンスして乾燥した。こ
のようにして得られたシリコンウエハー上のパターンを
走査型電子顕微鏡で観察し、レジストのプロファイルを
評価した。その結果を表3に示す。
マレーザーステッパー(NA=0.42)を用いて露光
を行った。露光後90℃の真空吸着型ホットプレートで
60秒間加熱を行い、ただちに2.38%テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液で
60秒間浸漬し、30秒間水でリンスして乾燥した。こ
のようにして得られたシリコンウエハー上のパターンを
走査型電子顕微鏡で観察し、レジストのプロファイルを
評価した。その結果を表3に示す。
【0177】感度は0.70μmのマスクパターンを再
現する露光量の逆数をもって定義し、比較例6の感度の
相対値で示した。解像力は0.70μmのマスクパター
ンを再現する露光量における限界解像力を表す。
現する露光量の逆数をもって定義し、比較例6の感度の
相対値で示した。解像力は0.70μmのマスクパター
ンを再現する露光量における限界解像力を表す。
【0178】塗布溶剤に対する溶解性(保存安定性)
は、ECA(エチルセロソルブアセテート)、EL(乳
酸エチル)、PEGMEA(プロピレングリコールモノ
エチルアセテート)及びMMP(メチルメトキシプロピ
オネート)それぞれ6gに対して酸分解性溶解阻止剤1
g溶かした溶液を調製し、40℃、20日の強制条件下
で保存して析出を評価した。評価結果は、析出がなかっ
たものを○、析出があったものを×で表し、表3に示し
た。表3の結果から本発明のレジストは、高感度、高解
像力、良好なプロファイルを有し、保存安定性も優れて
いることがわかる。
は、ECA(エチルセロソルブアセテート)、EL(乳
酸エチル)、PEGMEA(プロピレングリコールモノ
エチルアセテート)及びMMP(メチルメトキシプロピ
オネート)それぞれ6gに対して酸分解性溶解阻止剤1
g溶かした溶液を調製し、40℃、20日の強制条件下
で保存して析出を評価した。評価結果は、析出がなかっ
たものを○、析出があったものを×で表し、表3に示し
た。表3の結果から本発明のレジストは、高感度、高解
像力、良好なプロファイルを有し、保存安定性も優れて
いることがわかる。
【0179】
【表3】
【0180】
【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物は、高感
度、高解像力、良好なプロファイルを有し、保存安定性
にも優れている。
度、高解像力、良好なプロファイルを有し、保存安定性
にも優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 (72)発明者 小久保 忠嘉 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】(A)水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹
脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生す
る化合物、(C)酸により分解し得る基を有し、アルカ
リ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する分子量
3000以下の低分子化合物を含有するポジ型感光性組
成物において、該低分子化合物(C)が、(a)酸で分
解し得る基を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の距
離が、最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合
原子を10個以上経由する化合物、及び、(b)酸で分
解し得る基を少なくとも3個有し、該酸分解性基間の距
離が最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原
子を9個以上経由する化合物であり、その少なくとも1
0モル%がアルカリ可溶性基を有する化合物から選ばれ
た少なくとも1種であることを特徴とするポジ型感光性
組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4286045A JPH0695390A (ja) | 1992-07-27 | 1992-10-23 | ポジ型感光性組成物 |
DE4336009A DE4336009A1 (de) | 1992-10-21 | 1993-10-21 | Lichtempfindliche Zusammensetzung vom Positiv-Typ |
KR1019930021964A KR100302651B1 (ko) | 1992-10-21 | 1993-10-21 | 양성감광성조성물 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-199689 | 1992-07-27 | ||
JP19968992 | 1992-07-27 | ||
JP4286045A JPH0695390A (ja) | 1992-07-27 | 1992-10-23 | ポジ型感光性組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0695390A true JPH0695390A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=26511692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4286045A Pending JPH0695390A (ja) | 1992-07-27 | 1992-10-23 | ポジ型感光性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0695390A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996024888A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Fujitsu Limited | Procede de formation d'un motif de resist |
US5863699A (en) * | 1995-10-12 | 1999-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo-sensitive composition |
JP2001142217A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物 |
JP2006276459A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP4286045A patent/JPH0695390A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996024888A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Fujitsu Limited | Procede de formation d'un motif de resist |
US5879851A (en) * | 1995-02-10 | 1999-03-09 | Fujitsu Limited | Method for forming resist patterns by using an ammonium or morpholine compound as a developer |
US5863699A (en) * | 1995-10-12 | 1999-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo-sensitive composition |
JP2001142217A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物 |
JP2006276459A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP4636919B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
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