JPH06266108A - パタン形成材料およびパタン形成方法 - Google Patents
パタン形成材料およびパタン形成方法Info
- Publication number
- JPH06266108A JPH06266108A JP5053727A JP5372793A JPH06266108A JP H06266108 A JPH06266108 A JP H06266108A JP 5053727 A JP5053727 A JP 5053727A JP 5372793 A JP5372793 A JP 5372793A JP H06266108 A JPH06266108 A JP H06266108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- forming material
- pattern forming
- group
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- -1 tetrahydropyranyloxy groups Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 13
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 6
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 abstract description 3
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 abstract description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- MBAKFIZHTUAVJN-UHFFFAOYSA-I hexafluoroantimony(1-);hydron Chemical compound F.F[Sb](F)(F)(F)F MBAKFIZHTUAVJN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板面から垂直に切り立った良好な断面形状を
与える高感度,高解像度のポジ型パタン形成材料を得
る。 【構成】アルカリ可溶性樹脂と酸分解性基(例:テトラ
ヒドロピラニルオキシ基)を含むビニル重合体と活性化
学線の照射により酸を発生する化合物(例:ピロガロー
ルとメタンスルホン酸の三置換体エステル)を酢酸メチ
ルセロソルブに溶解してパタン形成材料を得る。酸分解
性基を含むビニル重合体の重量平均分子量(Mw)は、
1500〜3000の範囲にある。このパタン形成材料
を基板上に塗布し、電子線照射した後、ベークを施す。
この基板を有機アルカリ現像液で現像して照射部を除
き、ポジ型パタンを得る。
与える高感度,高解像度のポジ型パタン形成材料を得
る。 【構成】アルカリ可溶性樹脂と酸分解性基(例:テトラ
ヒドロピラニルオキシ基)を含むビニル重合体と活性化
学線の照射により酸を発生する化合物(例:ピロガロー
ルとメタンスルホン酸の三置換体エステル)を酢酸メチ
ルセロソルブに溶解してパタン形成材料を得る。酸分解
性基を含むビニル重合体の重量平均分子量(Mw)は、
1500〜3000の範囲にある。このパタン形成材料
を基板上に塗布し、電子線照射した後、ベークを施す。
この基板を有機アルカリ現像液で現像して照射部を除
き、ポジ型パタンを得る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の微細加
工に用いられるパタン形成材料に係り、特に、紫外線,
遠紫外線,X線,電子線等の放射線のパタン状照射によ
りパタン潜像形成部に酸を生成し、この酸を触媒とする
反応によって、照射部と未露光部のアルカリ水溶性に対
する溶解性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする
工程によりパタンを現出させるパタン形成材料およびパ
タン形成方法に関する。
工に用いられるパタン形成材料に係り、特に、紫外線,
遠紫外線,X線,電子線等の放射線のパタン状照射によ
りパタン潜像形成部に酸を生成し、この酸を触媒とする
反応によって、照射部と未露光部のアルカリ水溶性に対
する溶解性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする
工程によりパタンを現出させるパタン形成材料およびパ
タン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、64Mあるいは256MDRAM等で
は、サブハーフミクロンのパタン形成が要求されるよう
になったため、解像力の優れたポジ型レジストが要望さ
れている。従来、集積回路の形成には、縮小投影露光装
置が用いられてきたが、フォトマスクの工夫により露光
波長以下のパタンが解像可能である。光を用いる露光よ
りもさらにパタンの微細加工性をねらったのが、X線や
電子ビームによる露光である。パタンの最小寸法は、ビ
ーム径に依存し、高い解像度が得られる。しかしどんな
に微細加工が可能な露光方式でも、LSI量産の面から
ウエハ処理のスループットが問題となる。スループット
を向上させる方法としては、装置の改良もさることなが
ら、用いるレジストの高感度化が重要である。
う微細化が進み、64Mあるいは256MDRAM等で
は、サブハーフミクロンのパタン形成が要求されるよう
になったため、解像力の優れたポジ型レジストが要望さ
れている。従来、集積回路の形成には、縮小投影露光装
置が用いられてきたが、フォトマスクの工夫により露光
波長以下のパタンが解像可能である。光を用いる露光よ
りもさらにパタンの微細加工性をねらったのが、X線や
電子ビームによる露光である。パタンの最小寸法は、ビ
ーム径に依存し、高い解像度が得られる。しかしどんな
に微細加工が可能な露光方式でも、LSI量産の面から
ウエハ処理のスループットが問題となる。スループット
を向上させる方法としては、装置の改良もさることなが
ら、用いるレジストの高感度化が重要である。
【0003】例えば、高感度化を達成するためのパタン
形成材料として、酸触媒下で反応性の高い媒体と活性化
学線の照射で酸を発生する酸前駆体を含む組成物,米国
特許第3779778号,特開昭59−454392号公報,特開平2−
25850 号公報に記載の組成物等が知られている。これら
従来例の記載によれば、反応性の高い媒体としてアセタ
ール基を含む化合物又は重合体、t−ブトキシカルボニ
ル基を含む化合物又は重合体が知られていた。これらの
媒体は、酸分解結合を含み、活性化学線照射により発生
した酸を触媒とする反応によって、現像液に対する溶解
性を変化させる化合物又は重合体に変性する。その他、
類似のアイデアに基づくパタン形成材料が報告され、反
応性の高い媒体としてシリル基を含む化合物又は重合体
(特開昭60−52845 号公報)が知られている。
形成材料として、酸触媒下で反応性の高い媒体と活性化
学線の照射で酸を発生する酸前駆体を含む組成物,米国
特許第3779778号,特開昭59−454392号公報,特開平2−
25850 号公報に記載の組成物等が知られている。これら
従来例の記載によれば、反応性の高い媒体としてアセタ
ール基を含む化合物又は重合体、t−ブトキシカルボニ
ル基を含む化合物又は重合体が知られていた。これらの
媒体は、酸分解結合を含み、活性化学線照射により発生
した酸を触媒とする反応によって、現像液に対する溶解
性を変化させる化合物又は重合体に変性する。その他、
類似のアイデアに基づくパタン形成材料が報告され、反
応性の高い媒体としてシリル基を含む化合物又は重合体
(特開昭60−52845 号公報)が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】半導体プロセスにおい
て微細パタン形成に使用される現像液として、環境汚染
の可能性が少なく、工業的に有利なアルカリ水溶液が良
く用いられる。したがって酸分解結合を含む媒体と酸前
駆体をパタン形成材料として用いると、その照射部で
は、活性化学線照射により発生した酸が媒体の極性を高
めるためにアルカリ現像液に溶けだす。このようなパタ
ン形成材料は、ポジ型のパタンを形成できる。しかし、
従来のパタン形成材料は、微細なパタンを形状よく得る
ために必要となる照射部と未露光部の溶解速度の差が小
さくなることからくる、いわゆる、γ値の低下(解像力
の低下)といった問題点がある。また、アルカリ可溶性
樹脂と酸分解結合を含む成分とを混合して用いると、不
均質な二相に分離したり、あるいはミクロ相分離により
レジスト表面に難溶化層が形成され、パタン形状が悪化
するという極めて深刻な問題点がある。
て微細パタン形成に使用される現像液として、環境汚染
の可能性が少なく、工業的に有利なアルカリ水溶液が良
く用いられる。したがって酸分解結合を含む媒体と酸前
駆体をパタン形成材料として用いると、その照射部で
は、活性化学線照射により発生した酸が媒体の極性を高
めるためにアルカリ現像液に溶けだす。このようなパタ
ン形成材料は、ポジ型のパタンを形成できる。しかし、
従来のパタン形成材料は、微細なパタンを形状よく得る
ために必要となる照射部と未露光部の溶解速度の差が小
さくなることからくる、いわゆる、γ値の低下(解像力
の低下)といった問題点がある。また、アルカリ可溶性
樹脂と酸分解結合を含む成分とを混合して用いると、不
均質な二相に分離したり、あるいはミクロ相分離により
レジスト表面に難溶化層が形成され、パタン形状が悪化
するという極めて深刻な問題点がある。
【0005】本発明の目的は、紫外線,遠紫外線,X
線,電子線等の活性化学線のパタン状照射により酸を生
成し、この酸を触媒とする反応によって、媒体のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を増加させ、工業的に有利なア
ルカリ水溶液を現像液とする工程により高感度かつ高解
像度のポジ型パタンを現出させるパタン形成材料を提供
することにある。
線,電子線等の活性化学線のパタン状照射により酸を生
成し、この酸を触媒とする反応によって、媒体のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を増加させ、工業的に有利なア
ルカリ水溶液を現像液とする工程により高感度かつ高解
像度のポジ型パタンを現出させるパタン形成材料を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ある特定
の分子量を有する酸分解性基を含むビニル重合体を酸触
媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解性を増加させる
反応性を有する成分としてポジ型パタン形成材料に用い
ることによって、上記課題が解決できることを見出し本
発明を完成した。
の分子量を有する酸分解性基を含むビニル重合体を酸触
媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解性を増加させる
反応性を有する成分としてポジ型パタン形成材料に用い
ることによって、上記課題が解決できることを見出し本
発明を完成した。
【0007】すなわち、本発明は、(a)アルカリ可溶
性樹脂及び(b)活性化学線照射により酸を生じる化合
物及び(c)酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶
解性を増加させる反応性を有する成分として、側鎖に酸
分解性基を含むビニル重合体からなるポジ型化学増幅系
レジスト組成物であって、上記成分(c)がGPC(示
差屈折率検出器使用)により、ポリスチレン換算重量平
均分子量(Mw)で1500〜3000の範囲にあるこ
とを特徴とするパタン形成材料によりなる。
性樹脂及び(b)活性化学線照射により酸を生じる化合
物及び(c)酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶
解性を増加させる反応性を有する成分として、側鎖に酸
分解性基を含むビニル重合体からなるポジ型化学増幅系
レジスト組成物であって、上記成分(c)がGPC(示
差屈折率検出器使用)により、ポリスチレン換算重量平
均分子量(Mw)で1500〜3000の範囲にあるこ
とを特徴とするパタン形成材料によりなる。
【0008】本発明において、上記成分(c)に望まし
いポリマは、酸によって効率的にポリマ側鎖の化学結合
を解離し、その最終生成物の極性(溶解度)が解離前の
ポリマのそれと著しく異なるビニル重合体である。しか
し、本発明は、ビニル付加重合によって得られた重合体
に限定されない。本発明において有用なポリマを合成す
るために、重縮合,重付加および付加縮合などの他の重
合も用いられる。
いポリマは、酸によって効率的にポリマ側鎖の化学結合
を解離し、その最終生成物の極性(溶解度)が解離前の
ポリマのそれと著しく異なるビニル重合体である。しか
し、本発明は、ビニル付加重合によって得られた重合体
に限定されない。本発明において有用なポリマを合成す
るために、重縮合,重付加および付加縮合などの他の重
合も用いられる。
【0009】活性化学線の照射によって生じた酸に対し
て不安定な基としては、ポリビニルフェノールやノボラ
ック樹脂などのアルカリ可溶性樹脂の水酸基を保護する
反応によって形成されるテトラヒドロピラニルオキシ基
やt−ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。酸
分解性基を含むポリマは、水酸基の90%以上を酸分解
基で置換することが望ましい。酸分解性基が90%未満
であると、非露光部の膜べりが大きくなり本発明の効果
が得られない。
て不安定な基としては、ポリビニルフェノールやノボラ
ック樹脂などのアルカリ可溶性樹脂の水酸基を保護する
反応によって形成されるテトラヒドロピラニルオキシ基
やt−ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。酸
分解性基を含むポリマは、水酸基の90%以上を酸分解
基で置換することが望ましい。酸分解性基が90%未満
であると、非露光部の膜べりが大きくなり本発明の効果
が得られない。
【0010】酸分解性基を含むビニル重合体の分子量に
ついては、GPCにより求めたポリスチレン換算重量平
均分子量(Mw)が1500〜3000が望ましい。な
かでも、GPCにより測定したポリスチレン換算分子量
2000以上の範囲の面積比が、GPCパタンの全面積
に対して60%以下であり、900以下の範囲の面積比
が、GPCパタンの全面積に対して30%以下であるこ
とが望ましい。この分子量の範囲の重合体はアルカリ可
溶性樹脂との相溶性が良いので、レジスト表面のアルカ
リ水溶液に対する難溶化層の形成がなく、高解像度のパ
タン形成材料を与える。
ついては、GPCにより求めたポリスチレン換算重量平
均分子量(Mw)が1500〜3000が望ましい。な
かでも、GPCにより測定したポリスチレン換算分子量
2000以上の範囲の面積比が、GPCパタンの全面積
に対して60%以下であり、900以下の範囲の面積比
が、GPCパタンの全面積に対して30%以下であるこ
とが望ましい。この分子量の範囲の重合体はアルカリ可
溶性樹脂との相溶性が良いので、レジスト表面のアルカ
リ水溶液に対する難溶化層の形成がなく、高解像度のパ
タン形成材料を与える。
【0011】また、重合体の添加量は、アルカリ可溶性
樹脂の全量100重量部に対して5〜30重量部である
ことが望ましい。添加量が5〜30重量部であると、十
分なレジスト残膜率を有し、高いγ値、すなわち、高解
像度を与える。ビニル重合体の添加量が、30重量部よ
り大きくては露光部のアルカリ水溶液に対する溶解速度
が低下し、また5重量部未満では、非露光部の膜べりが
大きくなり本発明の効果が得られない。
樹脂の全量100重量部に対して5〜30重量部である
ことが望ましい。添加量が5〜30重量部であると、十
分なレジスト残膜率を有し、高いγ値、すなわち、高解
像度を与える。ビニル重合体の添加量が、30重量部よ
り大きくては露光部のアルカリ水溶液に対する溶解速度
が低下し、また5重量部未満では、非露光部の膜べりが
大きくなり本発明の効果が得られない。
【0012】上記の(b)成分の活性化学線照射により
酸を生じる化合物の例としては、各種ジアゾニウム塩,
ジアリールヨードニウム塩,トリアリールスルホニウム
塩などのオニウム塩,各種ハロゲン化合物,フェノール
性水酸基を複数含む化合物とアルキルスルホン酸とのエ
ステルが挙げられる。本発明における塩の対アニオンは
テトラフルオロホウ酸,ヘキサフルオロアンチモン酸,
トリフルオロメタンスルホン酸,トリフルオロ酢酸,ト
ルエンスルホン酸などのようなルイス酸であるが、本発
明がこれらの対アニオンに限定されるものではない。
酸を生じる化合物の例としては、各種ジアゾニウム塩,
ジアリールヨードニウム塩,トリアリールスルホニウム
塩などのオニウム塩,各種ハロゲン化合物,フェノール
性水酸基を複数含む化合物とアルキルスルホン酸とのエ
ステルが挙げられる。本発明における塩の対アニオンは
テトラフルオロホウ酸,ヘキサフルオロアンチモン酸,
トリフルオロメタンスルホン酸,トリフルオロ酢酸,ト
ルエンスルホン酸などのようなルイス酸であるが、本発
明がこれらの対アニオンに限定されるものではない。
【0013】
【作用】側鎖に酸分解性基を含むビニル重合体は、アル
カリ可溶性樹脂との活性化学線照射によって生じた酸に
より酸分解性基が除かれ、水酸基を生成する。したがっ
て、酸分解性基を含むビニル重合体をアルカリ可溶性樹
脂と混合すれば、これをパタン形成材料に用いたとき
に、その照射部では、発生した酸を触媒とする反応によ
って、重合体の酸分解性基が除かれ、水酸基が再生し、
アルカリ水溶液に対する溶解性が増加する変化を起こ
す。一方、未露光部では、重合体がアルカリ可溶性樹脂
のアルカリ溶解性を阻止するために、アルカリ現像液に
不溶である。したがって、本発明のようなパタン形成材
料は、ポジ型のパタンを得ることができる。
カリ可溶性樹脂との活性化学線照射によって生じた酸に
より酸分解性基が除かれ、水酸基を生成する。したがっ
て、酸分解性基を含むビニル重合体をアルカリ可溶性樹
脂と混合すれば、これをパタン形成材料に用いたとき
に、その照射部では、発生した酸を触媒とする反応によ
って、重合体の酸分解性基が除かれ、水酸基が再生し、
アルカリ水溶液に対する溶解性が増加する変化を起こ
す。一方、未露光部では、重合体がアルカリ可溶性樹脂
のアルカリ溶解性を阻止するために、アルカリ現像液に
不溶である。したがって、本発明のようなパタン形成材
料は、ポジ型のパタンを得ることができる。
【0014】本発明における酸分解性基を含むビニル重
合体は、ある特定の分子量、すなわち、ポリスチレン換
算重量平均分子量(Mw)で1500〜3000を有す
るものが適当である。この範囲の分子量を有する重合体
は、アルカリ可溶性樹脂との相溶性が良いので、膜厚方
向に対して均一なレジスト組成を与え、高解像度で良好
なパタン形状が得られる。酸分解性基を含むビニル重合
体の分子量が3000より大きくてはアルカリ可溶性樹
脂とのミクロ相分離が起こり、したがって、パタン形状
の悪化さらには解像力の低下につながり好ましくない。
また1500未満では、アルカリ可溶性樹脂のアルカリ
溶解性を阻止する能力が低下するため、非露光部の膜減
りが大きくなり、γ値の低下(解像力の低下)を生じる
ので好ましくない。
合体は、ある特定の分子量、すなわち、ポリスチレン換
算重量平均分子量(Mw)で1500〜3000を有す
るものが適当である。この範囲の分子量を有する重合体
は、アルカリ可溶性樹脂との相溶性が良いので、膜厚方
向に対して均一なレジスト組成を与え、高解像度で良好
なパタン形状が得られる。酸分解性基を含むビニル重合
体の分子量が3000より大きくてはアルカリ可溶性樹
脂とのミクロ相分離が起こり、したがって、パタン形状
の悪化さらには解像力の低下につながり好ましくない。
また1500未満では、アルカリ可溶性樹脂のアルカリ
溶解性を阻止する能力が低下するため、非露光部の膜減
りが大きくなり、γ値の低下(解像力の低下)を生じる
ので好ましくない。
【0015】
【実施例】次に本発明をさらに具体的に説明するが、本
発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものでは
ない。
発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものでは
ない。
【0016】(実施例1〜7)表1は、アルカリ可溶性
樹脂と酸分解性基を含むビニル重合体の塗膜の相溶性を
示す表である。
樹脂と酸分解性基を含むビニル重合体の塗膜の相溶性を
示す表である。
【0017】クレゾールノボラック樹脂の分子量と酸分
解性基を含むビニル重合体の分子量を変えて、重量比9
0:10の割合で酢酸メチルセロソルブに溶解して、固
形分濃度約20重量%の溶液を調合した。シリコンウエ
ハ上に組成のレジスト液を滴下,回転塗布してレジスト
膜を得た。この表1から明らかなように本発明に係わる
パタン形成材料は、実施例1〜4においてテトラヒドロ
ピラニルオキシ基あるいはt−ブトキシカルボニルオキ
シ基をもつポリ(p−ポリビニルフェノール)の重量平
均分子量(Mw)が2000のものを用いるとクレゾー
ルノボラック樹脂の重量分子量(Mw)を1600〜2
4000の間で変化させても良好なレジスト膜を得た。
これに対し、実施例5〜7において、酸分解性基を含む
ビニル重合体の重量平均分子量(Mw)が6000のも
のを用いるとクレゾールノボラック樹脂の分子量の違い
によってレジスト膜の相分離が見られた。
解性基を含むビニル重合体の分子量を変えて、重量比9
0:10の割合で酢酸メチルセロソルブに溶解して、固
形分濃度約20重量%の溶液を調合した。シリコンウエ
ハ上に組成のレジスト液を滴下,回転塗布してレジスト
膜を得た。この表1から明らかなように本発明に係わる
パタン形成材料は、実施例1〜4においてテトラヒドロ
ピラニルオキシ基あるいはt−ブトキシカルボニルオキ
シ基をもつポリ(p−ポリビニルフェノール)の重量平
均分子量(Mw)が2000のものを用いるとクレゾー
ルノボラック樹脂の重量分子量(Mw)を1600〜2
4000の間で変化させても良好なレジスト膜を得た。
これに対し、実施例5〜7において、酸分解性基を含む
ビニル重合体の重量平均分子量(Mw)が6000のも
のを用いるとクレゾールノボラック樹脂の分子量の違い
によってレジスト膜の相分離が見られた。
【0018】
【表1】
【0019】(実施例8〜13)クレゾールノボラック
樹脂(Mw:5200):90重量部とテトラヒドロピ
ラニルオキシ基をもつポリ(p−ポリビニルフェノー
ル):10重量部とピロガロールとメタンスルホン酸の
三置換体エステル:5重量部を酢酸メチルセロソルブに
溶解して、固形分濃度約20重量%の溶液を配合した。
シリコンウエハ上に上述の組成のレジスト液を滴下,回
転塗布後80℃,10分間熱処理して、0.5μmの厚さ
のレジスト膜を得た。この基板に電子線描画装置を用い
電子線の加速電圧は30kVで、3.4(μC/cm2)の照
射量でホールパタンをレジストに描画後、100℃,1
0分間熱処理して上層レジストの潜像部分のアルカリ水
溶液に対する溶解性を増加させる反応を促進した。上述
の熱処理の後、水酸化テトラメチルアンモニウム2.3
8 重量%を含む水溶液を現像液に用いて潜像を形成し
たレジストを120秒間現像した。0.5μm のホール
パタンの断面形状をSEMで観察した。結果を表2に示
す。
樹脂(Mw:5200):90重量部とテトラヒドロピ
ラニルオキシ基をもつポリ(p−ポリビニルフェノー
ル):10重量部とピロガロールとメタンスルホン酸の
三置換体エステル:5重量部を酢酸メチルセロソルブに
溶解して、固形分濃度約20重量%の溶液を配合した。
シリコンウエハ上に上述の組成のレジスト液を滴下,回
転塗布後80℃,10分間熱処理して、0.5μmの厚さ
のレジスト膜を得た。この基板に電子線描画装置を用い
電子線の加速電圧は30kVで、3.4(μC/cm2)の照
射量でホールパタンをレジストに描画後、100℃,1
0分間熱処理して上層レジストの潜像部分のアルカリ水
溶液に対する溶解性を増加させる反応を促進した。上述
の熱処理の後、水酸化テトラメチルアンモニウム2.3
8 重量%を含む水溶液を現像液に用いて潜像を形成し
たレジストを120秒間現像した。0.5μm のホール
パタンの断面形状をSEMで観察した。結果を表2に示
す。
【0020】表2から明らかなように本発明に係わるパ
タン形成材料は、実施例8〜10において示されたテト
ラヒドロピラニルオキシ基をもつポリ(p−ポリビニル
フェノール)の重量平均分子量(Mw)の範囲で、シリ
コンウエハ面から垂直に切り立った良好なパタンを形成
することができた。これに対して、従来のパタン形成材
料を用いた実施例11〜13では、レジスト表面が難溶
化して、断面形状がアンダーカットになることがわかっ
た。
タン形成材料は、実施例8〜10において示されたテト
ラヒドロピラニルオキシ基をもつポリ(p−ポリビニル
フェノール)の重量平均分子量(Mw)の範囲で、シリ
コンウエハ面から垂直に切り立った良好なパタンを形成
することができた。これに対して、従来のパタン形成材
料を用いた実施例11〜13では、レジスト表面が難溶
化して、断面形状がアンダーカットになることがわかっ
た。
【0021】
【表2】
【0022】(実施例14)t−ブトキシカルボニルオ
キシ基をもつポリ(p−ビニルフェノール)(Mw:2
000):10重量部とクレゾールノボラック樹脂(M
w:3200):90重量部とピロガロールとメタンス
ルホン酸の三置換体エステル:2重量部を酢酸メチルセ
ロソルブに溶解して、固形分濃度約20重量%の溶液を
調合した。シリコンウエハ上に上述の組成のレジスト液
を滴下,回転塗布後80℃,10分間熱処理して、0.
9μm の厚さのレジスト膜を得た。
キシ基をもつポリ(p−ビニルフェノール)(Mw:2
000):10重量部とクレゾールノボラック樹脂(M
w:3200):90重量部とピロガロールとメタンス
ルホン酸の三置換体エステル:2重量部を酢酸メチルセ
ロソルブに溶解して、固形分濃度約20重量%の溶液を
調合した。シリコンウエハ上に上述の組成のレジスト液
を滴下,回転塗布後80℃,10分間熱処理して、0.
9μm の厚さのレジスト膜を得た。
【0023】この基板に電子線描画装置を用い電子線の
加速電圧は30kVで、照射量を段階的に変化させて電
子線照射後、100℃,5分間熱処理して上層レジスト
中の潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加さ
せる反応を促進した。上述の熱処理の後、水酸化テトラ
メチルアンモニウム2.38 重量%を含む水溶液を現像
液に用いて潜像を形成したレジストを120秒間現像し
た。
加速電圧は30kVで、照射量を段階的に変化させて電
子線照射後、100℃,5分間熱処理して上層レジスト
中の潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加さ
せる反応を促進した。上述の熱処理の後、水酸化テトラ
メチルアンモニウム2.38 重量%を含む水溶液を現像
液に用いて潜像を形成したレジストを120秒間現像し
た。
【0024】図1に、電子線照射量(μC/cm2 )に対
する現像後の残膜厚(μm)、すなわち、電子線照射特
性を示した。図1から本発明に係わるパタン形成材料
は、γ値が高く、高感度を示すことがわかった。
する現像後の残膜厚(μm)、すなわち、電子線照射特
性を示した。図1から本発明に係わるパタン形成材料
は、γ値が高く、高感度を示すことがわかった。
【0025】
【発明の効果】本発明によれば、遠紫外線,電子線,X
線,その他の活性放射線に対して、高感度で、アルカリ
水溶液現像可能なポジ型パタン形成材料を得ることがで
きた。
線,その他の活性放射線に対して、高感度で、アルカリ
水溶液現像可能なポジ型パタン形成材料を得ることがで
きた。
【図1】本発明の実施例14における電子線照射量と現
像後の相対的な膜の厚さとの関係を示すグラフ。
像後の相対的な膜の厚さとの関係を示すグラフ。
1…本発明のパタン形成材料の感度特性。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 (72)発明者 山口 秀範 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 加藤 幸治 東京都新宿区西新宿2丁目1番1号 日立 化成工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】アルカリ可溶性樹脂及び活性化学線照射に
より酸を生じる化合物及び酸触媒反応によりアルカリ水
溶液に対し溶解性を増加させる反応性を有する高分子化
合物を含むポジ型化学増幅系レジスト組成物であって、
前記酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解性を増
加させる反応性を有する高分子化合物が側鎖に酸分解性
基をもつビニル重合体であり、示差屈折率検出器使用に
より、ポリスチレン換算重量平均分子量で1500〜3
000の範囲にあることを特徴とするパタン形成材料。 - 【請求項2】請求項1において、前記酸触媒反応により
アルカリ水溶液に対し溶解性を増加させる反応性を有す
る高分子化合物を、アルカリ可溶性樹脂の全量100重
量部に対して5〜30重量部配合したパタン形成材料。 - 【請求項3】請求項1または2において、前記酸分解性
基がテトラヒドロピラニルオキシ基,2−メトキシテト
ラヒドロピラニルオキシ基,4−メトキシテトラヒドロ
ピラニルオキシ基,2−エトキシテトラヒドロピラニル
オキシ基,2−メトキシ−4−メチルテトラヒドロピラ
ニルオキシ基又はt−ブトキシカルボニルオキシ基から
選ばれる少なくとも一種類であるパタン形成材料。 - 【請求項4】請求項3において、前記酸分解性基の少な
くとも一種類がビニル重合体の側鎖に90%以上含まれ
るパタン形成材料。 - 【請求項5】請求項1,2,3または4において、活性
放射線の照射、または活性放射線の照射で発生した酸
を、塗膜に作用させる手段を含むパタン形成材料。 - 【請求項6】請求範囲第1項から第5項のいずれかに記
載のパタン形成材料を、基板上に塗布し塗膜を形成する
工程,塗膜溶媒を取り除くためのプリベーク工程,活性
放射線を用いて前記塗膜に所定のパタン潜像を形成する
工程,露光後ベークする工程,アルカリ水溶液を現像液
としてポジ型の所定パタンを現像する工程を含むパタン
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5053727A JPH06266108A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | パタン形成材料およびパタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5053727A JPH06266108A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | パタン形成材料およびパタン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06266108A true JPH06266108A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12950866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5053727A Pending JPH06266108A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | パタン形成材料およびパタン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06266108A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996024888A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Fujitsu Limited | Procede de formation d'un motif de resist |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5053727A patent/JPH06266108A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996024888A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Fujitsu Limited | Procede de formation d'un motif de resist |
US5879851A (en) * | 1995-02-10 | 1999-03-09 | Fujitsu Limited | Method for forming resist patterns by using an ammonium or morpholine compound as a developer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5112562B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP3675133B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
JP2501292B2 (ja) | 酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法 | |
US6171755B1 (en) | Chemically amplified resist | |
TW200301847A (en) | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating | |
JP3691897B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
EP2333610A1 (en) | Negative resist composition and patterning process | |
US4912018A (en) | High resolution photoresist based on imide containing polymers | |
JP3587739B2 (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体、フォトレジスト共重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
JP4527827B2 (ja) | フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および半導体素子 | |
EP1726992B1 (en) | Negative resist composition | |
US20070009828A1 (en) | Positive resist composition, resist laminates and process for forming resist patterns | |
JP2002214804A (ja) | フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
JP3757731B2 (ja) | レジスト組成物 | |
JP2000122291A (ja) | 化学増幅レジスト用材料、感光性樹脂組成物および該組成物を半導体装置の製造に使用する方法 | |
JPH10111563A (ja) | パタン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに感放射線組成物 | |
JPH09507304A (ja) | レジスト材料及び使用法 | |
JPH06266108A (ja) | パタン形成材料およびパタン形成方法 | |
KR100270352B1 (ko) | 화학 증폭형 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는화학 증폭형 양성 포토레지스트 조성물 | |
JP2005015763A (ja) | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子 | |
JPH0770493A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPH09134015A (ja) | パタン形成材料,パタン形成方法および半導体素子製造方法 | |
US6528240B1 (en) | Pattern formation method | |
JPH07225480A (ja) | パタン形成材料及びそれを用いたパタン形成方法 | |
JPH07140661A (ja) | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |