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KR100198728B1 - 구동회로 일체형 액정표시소자 및 제조방법 - Google Patents

구동회로 일체형 액정표시소자 및 제조방법 Download PDF

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KR100198728B1
KR100198728B1 KR1019960015699A KR19960015699A KR100198728B1 KR 100198728 B1 KR100198728 B1 KR 100198728B1 KR 1019960015699 A KR1019960015699 A KR 1019960015699A KR 19960015699 A KR19960015699 A KR 19960015699A KR 100198728 B1 KR100198728 B1 KR 100198728B1
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KR
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driving circuit
pixel
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crystal display
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Inventor
서성모
Original Assignee
구자홍
엘지전자주식회사
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Publication date
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Abstract

구동회로부 및 화수부로 구성된 구동회로 일체형 액정표시소자는 비정질실리콘을 성막하고 이온을 도핑한 후, 엑시머레이저로 어닐링을 실시하여 반도체층을 다결정실리콘으로 만듦과 동시에 오우믹층을 형성하여 구동회로부에는 NMOS 박막 트랜지스터와 PMOS 박막트랜지스터로 구성된 다결정실리콘 CMOS 박막 트랜지스터를 형성하고, 화소부는 오우믹층이 다결정실리콘으로 이루어지고 채널층이 비정질실리콘으로 이루어진 비정질실리콘 박막트랜지스터로 구성된 하이브리드구조이다. 구동회로부에 형성되는 배선은 금속막과 투명전극으로 이중으로 형성되어 단선이 확실하게 방지된다.

Description

구동회로 일체형 액정표시소자 및 제조방법
제1도(a)∼제1도(h)는 종래의 구동회로 일체형 액종표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.
제2도(a)∼제2도(j)는 본 발명에 따른 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법을 나타내는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
51 : 기판 53 : 버퍼층
54 : 반도체층 55 : 게이트절연막
56 : 게이트전극 59 : 투명전극
76 : 금속막 80a, 80b : 포토레지스트
90 : 보호막
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 화소용 박막트랜지스터와 구동회로부를 하나의 공정으로 액정표시장치의 패널에 형성한 구동회로 일체형 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
대면적이고 고화질의 액정표시장치에 사용되고 있는 액티브매트릭스 액정표시장치(Active Matrix LCD)에는 각 화소마다 형성되어 상기한 화소를 작동시키는 화소(pixel)구동용 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)와 상기한 화소구동용 박막트랜지스터를 작동하며 주사선(gate line) 및 신호선(data line)에 신호를 인가하는 구동회로용 박막트랜지스터가 형성되어 있다.
구동회로부는 일반적으로 2가지의 형태로 나눌 수 있는데, 하나는 액정패널의 외부기판에 상기한 화소구동용 TFT와는 별개로 집적회로를 형성하여, 상기한 액정패널에 접속시킨 외부신호선구동 집적회로이고, 다른 하나는 화소구동형 TFT와 일체로 액정패널 위에 형성한 구동회로 일체형 TFT이다. 이러한 구동회로 일체형 TFT에서 주로 사용되는 것을 전계효과 이동도가 큰 다결정실리콘(p-Si)를 이용한 CMOS(Complimentary Metal Oxide Semiconductor) TFT이다. 이 CMOS TFT를 이용한 구동회로 일체형 TFT는 외부구동형 집적회로에 비해 스위칭효과가 클 뿐만 아니라 제조공정에 있어서도 화소구동용 TFT와 하나의 공정으로 제작할 수 있으므로 제조비용이 훨씬 절감되는 장점이 있다.
제1도(a)∼제1도(h)는 종래의 구동회로 일체형 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면으로, 기판(1)은 각각 화소부와 구동회로부로 나누어진다. 또한, 구동회로부는 각각 A, B영역으로 나누어져 A영역에는 NMOS TFT가 형성되고, B영역에는 PMOS TFT가 형성된다.
우선, 제1도(a)에 나타낸 바와 같이 기판(1) 위에 버퍼층(3)을 형성한 후, 다결정실리콘(p-Si)을 성막하고 패터닝하여 화소부와 구동회로부에 반도체층(4a), (4b), (4c)을 형성한다. 화소부에는 1개의 반도체층이 형성되고 구동회로부에는 2개의 반도체층이 형성되는데, 화소부에 형성된 반도체층(4a)은 화소TFT용이며 구동회로부에 형성된 반도체층(4b, 4c)은 각각 NMOS와 PMOS용이다.
그리고 제1도(b)에 나타낸 바와 같이 기판(1) 전체에 걸쳐서 SiO2나 SiNx와 같은 절연막(5), Al이나 Al합금 또는 Cr 등의 금속막(6), 포토레지스트(20a)를 순차적으로 형성한 후, 제1도(c)에 나타낸 바와 같이 사진식각공정으로 상기한 절연막(5)과 금속막(6)을 패터닝을 하여 게이트절연막(5)과 게이트전극(6a), (6b), (6c)을 형성한다. 이어서, 제1도(d)에 나타낸 바와 같이 기판(1) 전체에 걸쳐서 저농도의 n-도핑을 실시하면, 게이트전극(6a), (6b), (6c)이 상기한 이온을 블로킹하고 있기 때문에 반도체층(4a, 4b, 4c)에는 각각 n-층(12b)과 채널층(12a)이 형성된다.
이후, 제1도(e)에 나타낸 바와 같이 LDD(light Doped Drain)구조를 형성하기 위해, 포토레지스트(20b)를 도포하고 패터닝하여 구동회로부의 B영역과 화소부의 게이트전극(6a) 및 반도체층(4a)의 일부를 블로킹한 상태에서 고농도의 n+도핑을 실시한다. 이때, 화소부에 형성되는 포토레지스트(20b)는 게이트전극(6a) 및 반도체층(4a)의 일부를 덮도록 형성되어 n+도핑시 이온이 n-층(12b)의 일부분에만 도핑되도록 한다. 따라서, 상기한 n+도핑에 의해 화소부와 구동회로부의 A영역의 반도체층에는 n+층(12c)이 형성되는데, 특히 화소부의 반도체층에는 고농도의 n+층(12c)과 저농도의 n-층(12b)가 형성되어 LDD구조가 된다.
제1도(f)에 나타낸 바와 같이 포토레지스터(20b)를 제거하고 다시 포토레지스트(20c)를 도포하고 패터닝하여 화소부와 구동회로부의 A영역을 블로킹한 상태에서 고농도의 p+도핑을 실시하면, 구동회로부의 B영역에는 p+(12d)이 형성된다. 이러한, 도핑방법을 카운터도핑(counter doping)방식이라 하는데, n-도핑시 반도체층에 도핑되는 이온의 농도는 약 1014정도이고, p+도핑시 반도체층에 도핑되는 이온의 농도는 약 1018∼1019정도이기 때문에, p+도핑에 의해 n-층(12b)이 p+층(12d)으로 변환된다.
따라서, 화소부에는 n+층(12c) 및 n-층(12b)으로 된 LDD 구조의 박막트랜지스터가 형성되며, 구동회로부에는 n+층(12c)이 형성된 NMOS TFT가 p+층(12d)이 형성된 PMOS TFT로 이루어진 CMOS TFT가 형성된다.
이후, 제1도(g)에 나타낸 바와 같이 상기한 포토레지스트(20c)를 제거하고 기판(1) 전체에 걸쳐서 SiNx와 같은 층간절연막(7)을 성막한 후, 패터닝하여 컨택트홀을 형성하고 Al과 같은 금속을 성막하고 패터닝하여 소스/드레인전극(8)을 형성한다. 그리고, 제1도(h)에 나타낸 바와 같이 ITO(Induim Tin Oxide)를 성막하고 패터닝하여 투명전극(9)을 형성한 후, 보호막(10)을 성막하여 화소부에는 LDD구조의 TFT가, 구동회로부에는 CMOS가 형성된 구동회로 일체형 액정표시소자가 완성된다.
그리고, 도면에는 표시하지 않았지만, 보호막을 형성한 후 구동회로부와 액정패널 외부에 외부구동회로를 접속하기 위해 상기한 보호막을 패터닝하여 패드오픈영역을 형성하며, 이어서 배향막을 형성하고 러빙을 실시하여 액정패널을 완성한다. 또한, 상판에는 빛이 누설되는 것을 방지하기 위해 블랙매트릭스를 형성하는 공정이 추가로 필요하게 된다.
그러나, 상기한 방법에 의해 형성된 구동회로 일체용 액정표시소자는 공정이 복잡하게 되고, 박막트랜지스터에 형성된 소스/드레인전극 및 금속배선에 단선이 자주 발생하는 등의 여러 가지 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 비정질실리콘을 성막한 후 레이저어닐링을 실시하여 구동회로부에는 다결정실리콘 CMOS 박막트랜지스터를, 화소부에는 비정질 박막트랜지스터를 동시에 형성하는 하이브리드구조의 구동회로 일체형 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 구동회로부에 형성되는 배선을 이중으로 형성하여 단선이 발생하는 것을 방지할 수 있는 구동회로 일체형 액종표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 구동회로 일체형 액정표시소자의 제조방법은 화소부와 구동회로부로 구성된 기판에 형성된 버퍼층 위에 금속막을 성막하고 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계와, 게이트전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐서 게이트절연막을 성막하는 단계와, 구동회로부에 금속을 성막하고 패터닝하여 배선을 형성하는 단계와, 투명전극을 성막하여 화소전극을 형성하는 단계와, 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 화소부 및 구동회로부의 A영역과 구동회로부의 B영역의 게이트전극을 블로킹한 상태에서 P형 불순물을 도핑하는 단계와, 상기한 포토레지스트를 제거한 후 다시 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 구동회로부의 B영역과 화소부의 게이트전극 및 구동회로부의 A영역의 게이트전극을 블로킹한 상태에서 N형 불순물을 도핑하는 단계와, 비정질실리콘층을 형성하는 단계와, 상기한 구동회로부 및 화소부에 레이저를 조사하여 어닐링을 실시하는 단계와, 반도체층을 패터닝하여 화소 TFT와 CMOS TFT를 형성하는 단계와, 보호막을 형성하는 단계로 구성된다.
N형 및 P형 불순물은 이온샤우어방법에 의해 투명전극 위에 남아 있게 된다. 구동회로부에는 레이저가 기판의 윗쪽에서 실시되어 다결정실리콘으로 이루어진 PMOS TFT 및 NMOS TFT로 구성된 CMOS TFT가 형성되며, 화소부에는 비정질실리콘층으로 이루어진 TFT가 형성되어, 하이브리드구조의 액정표시소자가 만들어진다. 화소부와 구동회로부에 성막되는 보호막에는 수소가 다량으로 포함되어 있어 열처리에 의해 수소원자가 채널층으로 확산되어 채널층과 게이트산화막간의 계면특성이 향상된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구동회로 일체형 액정표시소자의 제조방법을 상세히 설명한다.
제2도(a)∼제2도(j)는 본 발명에 따른 구동회로 일체형 액종표시소자의 제조방법을 나타내는 도면으로, 본 발명에서 화소부에 형성되는 TFT는 비정질실리콘(a-Si)으로 구성된 TFT이고, 구동회로부에 형성되는 TFT는 다결정실리콘(p-Si) CMOS로 이루어진 하이브리드형 구조이다. 기판(51)은 구동회로부로부터 인가되는 신호에 의해 스위칭되어 영상신호를 화소전극에 저장하는 비정질실리콘 화소 TFT가 형성된 화소부와, 상기한 화소 TFT를 구동하며 화소전극에 신호를 인가하는 다결정실리콘 CMOS TFT가 형성된 구동회로부로 나누어져 있다. 또한, 구동회로부는 NMOS TFT가 형성되는 A영역과 PMOS TFT가 형성되는 B영역으로 나누어져 있다.
우선, 제2도(a)에 나타낸 바와 같이 기판(51)에 성막된 버퍼층(53) 위에 Al이나 Cr 등의 금속을 성막하고 패터닝하여 게이트전극(56) 및 신호선(57)을 형성한 후, 제2도(b)에 나타낸 바와 같이 기판(51) 전체에 걸쳐서 SiO2등으로 이루어진 게이트절연막(55)을 성막한다. 그리고, 구동회로부의 금속배선 연결부분에 도면에 나타내지 않은 컨택트홀을 형성한 후, 제2도(c)에 나타낸 바와 같이 상기한 게이트절연막(55) 위에 Mo와 같은 금속을 성막하고 패터닝하여 배선의 역할을 하는 금속막(76)을 형성한다. 이 금속막(76)에 의해 구동회로부의 배선이 2중으로 형성되어 배선이 단선되는 것이 확실하게 방지된다.
그후, 제2도(d)에 나타낸 바와 같이 ITO와 같은 투명전극물질을 성막하고 패터닝하여 투명전극(59)을 형성한다. 이때, 투명전극(59)은 구동회로부에 형성된 금속막(76) 위와 화소부의 화소영역과 화소 TFT의 소스/드레인전극이 형성되는 영역 및 신호선(57)에 형성되는데, 금속막(76) 위에 형성되는 투명전극(59)은 상기한 금속막(76)의 모서리부분까지 완전히 덮도록 형성하여 이후의 이온도핑시에 이 모서리부분에도 도핑이온들이 충분히 남아 있게 하여 모서리부분에서의 오우믹층 형성이 용이하도록 한다. 또한, 화소영역에 형성된 투명전극(59)은 화소전극으로서, 상기한 구동신호부로부터 인가된 신호가 저장된다.
그리고, 제2도(e)에 나타낸 바와 같이 포토레지스트(80a)를 도포하고 패터닝하여 화소부와 구동회로부의 A영역 및 구동회로부의 B영역의 게이트전극(56c)을 블로킹한 상태에서 p+도핑을 실시한다. 이 이온(B+)의 도핑은 B2H6/H2분위기에서 이온샤우어방법에 의해 실시되어, 구동회로부의 B영역에 성막된 투명전극(59)의 내부에도 도핑되지만, 대부분의 이온(B+)들은 상기한 투명전극(59) 위에 증착된 상태로 남아 있게 된다. 또한, 상기한 포토레지스트(80a)를 제거한 후, 다시 포토레지스트(80b)를 도포하고 패터닝하여 제2도(f)에 나타낸 바와 같이 구동회로부의 B영역과 구동회로부의 A영역의 게이트전극(56b) 및 화소부의 게이트전극(56a)을 블로킹한 상태에서 n+도핑을 실시한다. 이 N형 이온의 도핑도 PH3/H2분위기에서 이온샤우어방법에 의해 실시되어, 대부분의 이온(P+)이 상기한 투명전극(59)위에 증착된 상태로 남게 된다.
따라서, 화소부와 구동회로부의 A영역의 투명전극(59) 위에는 n+도핑에 의해 N형 이온(P+)이 남아 있게 되고, 구동회로부의 B영역의 투명전극(59) 위에는 p+도핑에 의해 P형 이온(B+)이 남아 있게 된다.
이어서, 제2도(g)에 나타낸 바와 같이 상기한 포토레지스트(80b)를 제거하고 비정질실리콘으로 이루어진 반도체층(54)을 기판(51) 전체에 걸쳐서 성막한 뒤, 기판의 위쪽에서 구동회로부에만 레이저를 선택적으로 1회 조사하여 어닐링을 실시한다. 이 레이저는 엑시머레이저(eximer laser)로서, 이 레이저어닐링(laserannealing)에 의해 비정질실리콘층이 다결정실리콘층으로 되며, 투명전극(59) 위의 N형 이온 및 P형 이온이 각각 A영역 및 B영역으로 확산되어 A영역이 N형 다결정실리콘층(62b)으로 되고, B영역이 P형 다결정실리콘층(12c)으로 이루어진 오우믹층으로 된다. 한편, 구동회로부의 A영역 및 B영역의 게이트전극(56b, 56c) 위의 반도체층에는 이온의 확산이 없기 때문에 레이저어닐링에 의해 진성 다결정실리콘층으로 이루어진 채널층(62a)으로 된다.
그후, 제2도(h)에 나타낸 바와 같이 기판 뒤쪽에서 화소부에만 선택적으로 엑시머레이저를 1회 조사하면, 비정질실리콘층이 다결정실리콘층으로 됨과 동시에 투명전극(59) 위의 N형 이온(B+)이 반도체층으로 확산되어 화소부에는 다결정실리콘층으로 이루어진 n+층이 형성된다. 또한, 도면에 나타낸 바와 같이, 게이트전극(56a) 위의 반도체층은 게이트전극(56a)에 의해 레이저의 조사가 블로킹되어 계속 비정질반도체층을 유지하게 된다. 따라서, 화소부에는 비정질반도체층으로 이루어진 채널층(62d)과 다결정반도체층으로 이루어진 n+층(62b)이 형성된다.
이이서, 제2도(i)에 나타낸 바와 같이 상기한 반도체층(54)을 패터닝하여 구동회로부에는 NMOS TFT와 PMOS TFT로 구성된 다결정실리콘(p-Si) CMOS TFT를 형성하고, 화소부에는 N형 다결정실리콘으로 이루어진 오우믹층과 진성 비정질실리콘으로 이루어진 채널층을 가지는 화소 TFT가 형성되어 하이브리드구조가 된다. 상기한 반도체층(54)의 패터닝에 의해 화소부의 화소영역에는 화소전극만이 남게 된다.
그리고, 제2도(j)에 나타낸 바와 같이 SiNx 등과 같은 보호막(90)을 성막하여 구동회로 일체형 액정표시소자를 완성한다. 이때, 상기한 보호막(90)에 수소를 다량으로 포함시켜 성막한 후, 열처리에 의해 어닐링을 실시하면, 보호막(90)에 포함되어 있던 수소가 구동회로부와 화소부의 각 TFT의 채널층에 확산된다. 상기한, 채널층에 확산된 수소원자는 확산계수가 크기 때문에 반도체층 내에서 수소원자의 이동이 가능하게 되고 채널층과 게이트절연막간에 형성된 계면특성을 좋게 하여 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있다.
본 발명은 상기와 같이, 비정질실리콘으로 이루어진 반도체층에 레이저를 조사함으로써, 다결정실리콘으로 이루어진 NMOS TFT와 PMOS TFT로 구성된 CMOS TFT 및 다결정실리콘으로 이루어진 오우믹층과 비정질실리콘 채널층으로 구성된 비정질실리콘 화소 TFT를 구동회로부와 화소부에 동시에 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 보호막에 포함된 수소를 채널층에 확산시켜 채널층과 게이트절연막 사이의 계면특성을 개선할 수 있다. 또한, 구동회로부에 형성된 배선이 금속막과 투명전극으로 이중되어 있으므로 배선에 단선이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있게 된다.

Claims (16)

  1. 화소부와 구동회로부로 나누어진 기판에 성막된 버퍼층 위에 게이트전극을 형성하는 단계와, 게이트금속이 형성된 기판 전체에 게이트절연막을 성막하는 단계와, 상기한 화소부 및 구동회로부에 화소전극을 형성하는 단계와, 상기한 화소부 및 구동회로부의 한쪽 영역과, 화소부의 다른쪽 영역의 게이트 전극 위의 채널영역을 블로킹한 상태에서 제1불순물을 도핑하는 단계와, 구동회로부의 제1불순물이 도핑된 영역과 상기한 구동회로부틔 다른 영역의 게이트전극 위의 채널영역 및 화소부에 형성된 게이트전극 위의 채널영역을 볼로킹한 상태에서 제2불순물을 도핑하는 단계와, 상기한 기판의 화소부 및 구동회로부에 비정질반도체층을 형성하는 단계와, 상기한 구동회로부에 레이저를 조사하여 어닐링을 실시하는 단계와, 상기한 화소부에 레이저를 조사하여 어닐링을 실시하는 단계와, 상기한 반도체층을 패터닝하여 구동회로부에는 다결정반도체 CMOS 박막트랜지스터를, 화소부에는 비정질반도체 화소박막트랜지스터를 형성하는 단계로 구성된 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 제1불순물 및 제2불순물이 각각 P형 이온 및 N형 이온인 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 게이트절연막을 성막한 후 구동회로부의 금속배선 연결부분에 콘택트홀을 형성하는 단계와, 상기한 구동회로부에 금속막을 성막하고 패터닝하는 단계가 추가로 구성된 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 기판 전체에 걸쳐서 보호막을 성막하는 단계와, 상기한 보호막에 어닐링을 실시하는 단계가 추가로 구성된 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 ITO인 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 금속막의 모서리부분을 완전히 덮도록 상기한 화소전극의 패터닝이 실시되는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 이온의 도핑이 이온샤우어방법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 구동회로부로의 레이저조사가 기판의 위쪽에서 실시되는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 화소부로의 레이저 조사가 게이트전극을 마스크로 하여 기판 아래쪽에서 실시되는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 레이저어닐링에 사용되는 레이저가 엑시머레이저인 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기한 레이저의 조사가 1회 실시되는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  12. 제4항에 있어서, 상기한 보호막에 수소가 다량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자 제조방법.
  13. 화소부와 구동회로부로 나누어진 기판과, 상기한 기판 위에 형성된 버퍼층과, 게이트전극과, 투명전극과, 상기한 투명전극 위에 형성된 N형 다결정반도체로 이루어진 오우믹층과, 상기한 게이트전극 위에 진성 비정질반도체로 이루어진 체널층을 포함하는 화소부에 형성된 화소박막트랜지스터와, 게이트전극과, 금속막과, 상기한 금속막 위에 형성된 투명전극과, 상기한 투명전극 위에 형성된 N형 다결정반도체로 이루어진 오우믹층과, 상기한 게이트전극 위에 진성 다결정반도체로 이루어진 채널층을 포함하는 구동회로부의 한쪽 영역에 형성된 NMOS 박막트랜지스터와, 게이트전극과, 금속막과, 상기한 금속막 위에 형성된 투명전극과, 상기한 투명전극 위에 형성된 P형 다결정반도체로 이루어진 오우믹층과, 상기한 게이트전극 위에 진성 다결정반도체로 이루어진 채널층을 포함하는 구동회로부의 한쪽 영역에 형성된 PMOS 박막트랜지스터와, 상기한 게이트전극위에 형성된 게이트절연막과, 상기한 기판의 화소부 및 구동회로부위에 형성된 보호막으로 구성된 구동회로 일체형 액정표시소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기한 투명전극이 ITO(Induim Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자.
  15. 제13항에 있어서, 상기한 금속막이 Mo인 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자.
  16. 제13항에 있어서, 구동회로부에 형성된 투명전극이 상기한 금속막의 모서리까지 완전히 덮고 있는 것을 특징으로 하는 구동회로 일체형 액정표시소자.
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