JPH10186680A - リンス液 - Google Patents
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- JPH10186680A JPH10186680A JP8347576A JP34757696A JPH10186680A JP H10186680 A JPH10186680 A JP H10186680A JP 8347576 A JP8347576 A JP 8347576A JP 34757696 A JP34757696 A JP 34757696A JP H10186680 A JPH10186680 A JP H10186680A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト、反射防止膜に対する溶解性、水溶
液から形成された膜へのなじみが良好で、取扱いの容易
なリソグラフィー用リンス液を提供すること。 【構成】 レジスト或いは反射防止膜などをリンスする
ためのリソグラフィー用リンス液として、水可溶性有機
溶剤と水との均質溶液を用いる。水可溶性有機溶剤とし
ては、プロピレングリコールアルキルエーテル、プロピ
レングリコールアルキルエーテルアセテート、エチルラ
クテートから選ばれた少なくとも１種からなるものが好
ましい。
液から形成された膜へのなじみが良好で、取扱いの容易
なリソグラフィー用リンス液を提供すること。 【構成】 レジスト或いは反射防止膜などをリンスする
ためのリソグラフィー用リンス液として、水可溶性有機
溶剤と水との均質溶液を用いる。水可溶性有機溶剤とし
ては、プロピレングリコールアルキルエーテル、プロピ
レングリコールアルキルエーテルアセテート、エチルラ
クテートから選ばれた少なくとも１種からなるものが好
ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィー用リン
ス液、更に詳細には集積回路素子、カラーフィルタ、液
晶表示素子等における基板或いはレジスト塗布装置など
から硬化および未硬化の不要なレジスト、反射防止膜等
を溶解或いは剥離除去するために有用なリソグラフィー
用リンス液に関する。
ス液、更に詳細には集積回路素子、カラーフィルタ、液
晶表示素子等における基板或いはレジスト塗布装置など
から硬化および未硬化の不要なレジスト、反射防止膜等
を溶解或いは剥離除去するために有用なリソグラフィー
用リンス液に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路素子、カラーフィルタ、液晶表
示素子等の製造のため、従来よりリソグラフィー技術が
用いられている。リソグラフィー技術を用いての集積回
路素子等の製造では、例えば基板上に必要に応じ反射防
止膜を形成した後、ポジ型或いはネガ型のレジストが塗
布され、ベーキングにより溶剤を除去した後、レジスト
膜上に必要に応じ反射防止膜が形成され、紫外線、遠紫
外線、電子線、Ｘ線等の各種放射線により露光され、現
像されレジストパターンが形成される。上記レジストな
どの塗布は、スピンコート、ロールコート、リバースロ
ールコート、流延塗布、ドクターコート、浸漬塗布など
種々の公知の方法が採られており、例えば集積回路素子
の製造においては、レジスト塗布法としてスピンコート
法が主として用いられている。スピンコート法では、基
板上にレジスト溶液が滴下され、この滴下されたレジス
ト溶液は基板の回転により基板外周方向に流延され、過
剰のレジスト溶液は基板外周から飛散除去され、所望の
膜厚を有するレジスト膜が形成される。しかし、その際
レジスト溶液の一部が基板の背面にまで回り込んだり、
或いは基板の外周縁にはレジスト溶液が他の部分より厚
く残る、いわゆるビードの形成がなされる欠点があり、
基板側面周辺部或いは裏面から不要なレジストを除去し
たり、ビードの除去を行う必要がある。これは、集積回
路素子の製造に限らず、カラーフィルタ、液晶表示素子
等の製造においても同様である。また、スピンコート法
以外の塗布法においても、不必要な部分にレジストが付
着することがあることはスピンコート法における場合と
同様である。また、基板とレジスト膜との間に反射防止
膜がある集積回路素子の場合、パターンが形成された
後、反射防止膜の除去を行う必要がある。一方、塗布装
置にもレジスト溶液が付着するため更なる使用に際し塗
布装置を洗浄することも必要である。このようなレジス
ト或いは反射防止膜などの除去、剥離やビードの形成の
阻止、更には塗布装置の洗浄などのためには、有機溶剤
からなるリンス液が好ましいものと考えられ、従来有機
溶剤のみからなるリンス液が用いられている（例えば特
公平４−４９９３８号公報）。そして、このようなリン
ス液においては、更にレジスト或いは反射防止膜に対す
る溶解性や剥離性の優れたものが要求されているのが実
状である。
示素子等の製造のため、従来よりリソグラフィー技術が
用いられている。リソグラフィー技術を用いての集積回
路素子等の製造では、例えば基板上に必要に応じ反射防
止膜を形成した後、ポジ型或いはネガ型のレジストが塗
布され、ベーキングにより溶剤を除去した後、レジスト
膜上に必要に応じ反射防止膜が形成され、紫外線、遠紫
外線、電子線、Ｘ線等の各種放射線により露光され、現
像されレジストパターンが形成される。上記レジストな
どの塗布は、スピンコート、ロールコート、リバースロ
ールコート、流延塗布、ドクターコート、浸漬塗布など
種々の公知の方法が採られており、例えば集積回路素子
の製造においては、レジスト塗布法としてスピンコート
法が主として用いられている。スピンコート法では、基
板上にレジスト溶液が滴下され、この滴下されたレジス
ト溶液は基板の回転により基板外周方向に流延され、過
剰のレジスト溶液は基板外周から飛散除去され、所望の
膜厚を有するレジスト膜が形成される。しかし、その際
レジスト溶液の一部が基板の背面にまで回り込んだり、
或いは基板の外周縁にはレジスト溶液が他の部分より厚
く残る、いわゆるビードの形成がなされる欠点があり、
基板側面周辺部或いは裏面から不要なレジストを除去し
たり、ビードの除去を行う必要がある。これは、集積回
路素子の製造に限らず、カラーフィルタ、液晶表示素子
等の製造においても同様である。また、スピンコート法
以外の塗布法においても、不必要な部分にレジストが付
着することがあることはスピンコート法における場合と
同様である。また、基板とレジスト膜との間に反射防止
膜がある集積回路素子の場合、パターンが形成された
後、反射防止膜の除去を行う必要がある。一方、塗布装
置にもレジスト溶液が付着するため更なる使用に際し塗
布装置を洗浄することも必要である。このようなレジス
ト或いは反射防止膜などの除去、剥離やビードの形成の
阻止、更には塗布装置の洗浄などのためには、有機溶剤
からなるリンス液が好ましいものと考えられ、従来有機
溶剤のみからなるリンス液が用いられている（例えば特
公平４−４９９３８号公報）。そして、このようなリン
ス液においては、更にレジスト或いは反射防止膜に対す
る溶解性や剥離性の優れたものが要求されているのが実
状である。
【０００３】一方、特開平５−１８８５９８号、特開平
６−６９１２０号、特開平６−１４８８９６号などにお
いては反射防止膜を水溶液から形成することが提案さ
れ、近時反射防止膜を形成するに際し、水溶液を用いる
ことが多くなってきている。そして、このような水溶液
から形成される反射防止膜に対しそれらの溶解時間が短
縮されるなど好ましいリンス効果を有し、更には、火
災、取扱いの安全性をも満足するリンス液の提供も望ま
れているが、従来のリンス液では、これらの要望を同時
に満たすことは困難であった。
６−６９１２０号、特開平６−１４８８９６号などにお
いては反射防止膜を水溶液から形成することが提案さ
れ、近時反射防止膜を形成するに際し、水溶液を用いる
ことが多くなってきている。そして、このような水溶液
から形成される反射防止膜に対しそれらの溶解時間が短
縮されるなど好ましいリンス効果を有し、更には、火
災、取扱いの安全性をも満足するリンス液の提供も望ま
れているが、従来のリンス液では、これらの要望を同時
に満たすことは困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
有さない、有機溶剤溶液から形成されるレジスト或いは
反射防止膜などに対しては勿論、更に水溶液から形成さ
れる反射防止膜などに対しても良好な溶解性、剥離性を
有するとともに、火災の危険性が改善され、且つ消防法
上における取扱いも容易なリンス液を提供することを目
的とするものである。
有さない、有機溶剤溶液から形成されるレジスト或いは
反射防止膜などに対しては勿論、更に水溶液から形成さ
れる反射防止膜などに対しても良好な溶解性、剥離性を
有するとともに、火災の危険性が改善され、且つ消防法
上における取扱いも容易なリンス液を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究し
た結果、従来レジスト或いは反射防止膜などの溶剤或い
はリンス液として用いられていた水可溶性有機溶剤に水
を添加含有せしめることにより、水可溶性有機溶剤のみ
からなる場合に比べレジスト及び反射防止膜などに対す
る溶解性または剥離性が向上し、また水の含有により混
合溶剤の引火点が上昇し、火災等の危険性も少なく、つ
まり消防法上の取扱いの安全性も改善されることを見い
だして本発明をなしたものである。すなわち、本発明
は、水可溶性有機溶剤と水の均質溶液からなることを特
徴とするリソグラフィー法用リンス液を提供するもので
ある。
た結果、従来レジスト或いは反射防止膜などの溶剤或い
はリンス液として用いられていた水可溶性有機溶剤に水
を添加含有せしめることにより、水可溶性有機溶剤のみ
からなる場合に比べレジスト及び反射防止膜などに対す
る溶解性または剥離性が向上し、また水の含有により混
合溶剤の引火点が上昇し、火災等の危険性も少なく、つ
まり消防法上の取扱いの安全性も改善されることを見い
だして本発明をなしたものである。すなわち、本発明
は、水可溶性有機溶剤と水の均質溶液からなることを特
徴とするリソグラフィー法用リンス液を提供するもので
ある。
【０００６】本発明における水可溶性有機溶剤として
は、従来レジスト或いは反射防止膜などの溶剤或いはリ
ンス液として用いられ、水に混和性の有機溶剤であれば
いずれのものでもよく、単独でも２種以上の混合物でも
良い。本発明において用いられる水可溶性有機溶剤の一
例としては、プロピレングリコールアルキルエーテル、
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、エ
チルラクテート（ＥＬ）、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、アセトン等が挙げられる。
は、従来レジスト或いは反射防止膜などの溶剤或いはリ
ンス液として用いられ、水に混和性の有機溶剤であれば
いずれのものでもよく、単独でも２種以上の混合物でも
良い。本発明において用いられる水可溶性有機溶剤の一
例としては、プロピレングリコールアルキルエーテル、
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、エ
チルラクテート（ＥＬ）、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、アセトン等が挙げられる。
【０００７】上記プロピレングリコールアルキルエーテ
ルとしては、例えばプロピレングリコールメチルエーテ
ル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールエチルエーテル
（ＰＧＥＥ）、プロピレングリコールプロピルエーテル
等が、またプロピレングリコールアルキルエーテルアセ
テートとしては、プロピレングリコールメチルエーテル
アセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピル
エーテルアセテート等が挙げられる。また、これらの２
種以上の混合物としては、例えばＰＧＭＥとＰＧＭＥＡ
或いはＰＧＥＥとＰＧＭＥＡなどの混合溶剤が好ましい
ものとして挙げられる。
ルとしては、例えばプロピレングリコールメチルエーテ
ル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールエチルエーテル
（ＰＧＥＥ）、プロピレングリコールプロピルエーテル
等が、またプロピレングリコールアルキルエーテルアセ
テートとしては、プロピレングリコールメチルエーテル
アセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピル
エーテルアセテート等が挙げられる。また、これらの２
種以上の混合物としては、例えばＰＧＭＥとＰＧＭＥＡ
或いはＰＧＥＥとＰＧＭＥＡなどの混合溶剤が好ましい
ものとして挙げられる。
【０００８】本発明においては前記水可溶性有機溶剤は
水とともに用いられるが、リンス液中の好ましい水の含
有量は使用する溶剤により異なり一義的に定めることは
できない。しかし、一般的には水可溶性有機溶剤１００
重量部に対し０．５〜２００重量部、更には水可溶性有
機溶剤１００重量部に対し０．５〜１００重量部用いる
のが好ましい。また、個々の溶剤の具体例についてみる
と、ＰＧＭＥとＰＧＭＥＡの混合溶剤（重量比７０：３
０）に対しては２５重量部以下が、ＰＧＥＥとＰＧＭＥ
Ａの混合溶剤（重量比５０：５０）に対しては１００重
量部以下が、ＥＬに対しては５５重量部以下が更に好ま
しい。なお、メチルイソブチルケトンは水の含有量が２
重量部を越えると溶剤と水とが分離する傾向があり、２
重量部以下で用いるのが好ましい。
水とともに用いられるが、リンス液中の好ましい水の含
有量は使用する溶剤により異なり一義的に定めることは
できない。しかし、一般的には水可溶性有機溶剤１００
重量部に対し０．５〜２００重量部、更には水可溶性有
機溶剤１００重量部に対し０．５〜１００重量部用いる
のが好ましい。また、個々の溶剤の具体例についてみる
と、ＰＧＭＥとＰＧＭＥＡの混合溶剤（重量比７０：３
０）に対しては２５重量部以下が、ＰＧＥＥとＰＧＭＥ
Ａの混合溶剤（重量比５０：５０）に対しては１００重
量部以下が、ＥＬに対しては５５重量部以下が更に好ま
しい。なお、メチルイソブチルケトンは水の含有量が２
重量部を越えると溶剤と水とが分離する傾向があり、２
重量部以下で用いるのが好ましい。
【０００９】本発明のリンス液は、公知のポジ型レジス
ト、ネガ型レジスト、反射防止膜のいずれにも適用する
ことができる。本発明のリンス液が適用できるレジスト
の代表的なものを例示すると、ポジ型では、例えば、キ
ノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなる
もの、化学増幅型レジストなどが、ネガ型では、例え
ば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化
合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或
いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド
化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重
合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネ
ガレジストなどが挙げられる。
ト、ネガ型レジスト、反射防止膜のいずれにも適用する
ことができる。本発明のリンス液が適用できるレジスト
の代表的なものを例示すると、ポジ型では、例えば、キ
ノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなる
もの、化学増幅型レジストなどが、ネガ型では、例え
ば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化
合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或
いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド
化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重
合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネ
ガレジストなどが挙げられる。
【００１０】上記キノンジアジド系感光剤とアルカリ可
溶性樹脂とからなるレジスト材料は本発明のリンス液が
適用されるに好ましいものであるが、このキノンジアジ
ド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるレジスト材
料のキノンジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性樹脂の
一例を示すと、キノンジアジド系感光剤としては、１，
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸、これらのスルホン
酸のエステル或いはアミドなどが、またアルカリ可溶性
樹脂としては、ポリビニルフェノール、ポリビニルアル
コール、アクリル酸或はメタクリル酸の共重合体や例え
ば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、キシレノール等のフェノール類の１種又
は２種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド等のアルデヒド類から製造されるノボラック樹脂など
が挙げられる。
溶性樹脂とからなるレジスト材料は本発明のリンス液が
適用されるに好ましいものであるが、このキノンジアジ
ド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるレジスト材
料のキノンジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性樹脂の
一例を示すと、キノンジアジド系感光剤としては、１，
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸、これらのスルホン
酸のエステル或いはアミドなどが、またアルカリ可溶性
樹脂としては、ポリビニルフェノール、ポリビニルアル
コール、アクリル酸或はメタクリル酸の共重合体や例え
ば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、キシレノール等のフェノール類の１種又
は２種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド等のアルデヒド類から製造されるノボラック樹脂など
が挙げられる。
【００１１】また、化学増幅型レジストも本発明のリン
ス液が適用されるに好ましいレジストである。化学増幅
型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸
の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像
液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもの
で、例えば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化
合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基或いは
カルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される
酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と
架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
ス液が適用されるに好ましいレジストである。化学増幅
型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸
の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像
液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもの
で、例えば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化
合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基或いは
カルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される
酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と
架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
【００１２】一方、本発明のリンス液が適用される反射
防止膜としては、有機材料からなる反射防止膜であれば
いずれのものでも良い。このような反射防止膜として
は、例えば染料を添加したポリアミン酸またはポリブテ
ン酸（米国特許第４９１０１２２号）、染料を添加した
共重合体（例えば特開平６−１１８６５６号等）、無水
マレイン酸重合体、無水イタコン酸重合体、ポリアクリ
レートまたはポリメタクリレートからなる重合体に染料
等をグラフトさせたもの（米国特許第２７５１３７３
号、米国特許第２８１１５０９号、米国特許第３７６３
０８６号、米国特許第３８５４９４６号、米国特許第４
６０９６１４号）、アミノ芳香族発色団と無水基を有す
る重合体との反応生成物（米国特許第５２９４６８０
号）、水溶性ポリマーと水溶性パーフルオロカルボン酸
から成るもの（特開平５−１８８５９８号）、水溶性高
分子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の
有機アルカリ溶液（特開平６−６９１２０号）、水溶性
膜形成成分とフッ素系界面活性剤からなるもの（特開平
６−１４８８９６号）、パーフロロアルキルカルボン
酸、有機アミン、ポリビニルピロリドンからなるもの
（特願平７−１３１０９６号）、パーフロロアルキルス
ルホン酸、有機アミン、ポリビニルピロリドン、水溶性
アルキルシロキサン重合体からなるもの（特願平８−１
２９０５６号）など、有機溶剤或いは水溶液から形成さ
れるものが挙げられる。本発明のリンス液は、水を含有
するため水溶液から形成された膜ともなじみがよく（接
触角が小さい）、水溶液から形成された反射防止膜に対
しても良好なリンス効果が得られる。
防止膜としては、有機材料からなる反射防止膜であれば
いずれのものでも良い。このような反射防止膜として
は、例えば染料を添加したポリアミン酸またはポリブテ
ン酸（米国特許第４９１０１２２号）、染料を添加した
共重合体（例えば特開平６−１１８６５６号等）、無水
マレイン酸重合体、無水イタコン酸重合体、ポリアクリ
レートまたはポリメタクリレートからなる重合体に染料
等をグラフトさせたもの（米国特許第２７５１３７３
号、米国特許第２８１１５０９号、米国特許第３７６３
０８６号、米国特許第３８５４９４６号、米国特許第４
６０９６１４号）、アミノ芳香族発色団と無水基を有す
る重合体との反応生成物（米国特許第５２９４６８０
号）、水溶性ポリマーと水溶性パーフルオロカルボン酸
から成るもの（特開平５−１８８５９８号）、水溶性高
分子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の
有機アルカリ溶液（特開平６−６９１２０号）、水溶性
膜形成成分とフッ素系界面活性剤からなるもの（特開平
６−１４８８９６号）、パーフロロアルキルカルボン
酸、有機アミン、ポリビニルピロリドンからなるもの
（特願平７−１３１０９６号）、パーフロロアルキルス
ルホン酸、有機アミン、ポリビニルピロリドン、水溶性
アルキルシロキサン重合体からなるもの（特願平８−１
２９０５６号）など、有機溶剤或いは水溶液から形成さ
れるものが挙げられる。本発明のリンス液は、水を含有
するため水溶液から形成された膜ともなじみがよく（接
触角が小さい）、水溶液から形成された反射防止膜に対
しても良好なリンス効果が得られる。
【００１３】本発明のリンス液の適用をレジストパター
ンの形成方法とともに更に説明すると、まずレジスト溶
液はスピンコート法など従来から公知の塗布法により、
必要に応じて前処理されたシリコン基板、ガラス基板等
に塗布される。レジストの塗布に先立ち或いは塗布形成
されたレジスト膜上に、必要に応じ反射防止膜が塗布、
形成される。例えばスピンコート法においては、レジス
ト或いは反射防止膜のビードが基板縁に形成される傾向
があるが、本発明のリンス液を回転する縁ビード上にス
プレーすることによりビードの流動を促進させ、基板上
に実質的に均一な厚みを有するレジスト膜或いは反射防
止膜の形成をなすことができる。また、基板側面周辺或
いは背面に回り込んだレジスト或いは反射防止膜はリン
ス液のスプレーにより除去することができる。また、例
えばポジ型レジストの場合で基板とレジスト膜の間に反
射防止膜が存在する場合、露光、現像により、パターン
が形成された後、レジスト膜のない部分の反射防止膜を
このリンス液を用い湿式除去することもできる。
ンの形成方法とともに更に説明すると、まずレジスト溶
液はスピンコート法など従来から公知の塗布法により、
必要に応じて前処理されたシリコン基板、ガラス基板等
に塗布される。レジストの塗布に先立ち或いは塗布形成
されたレジスト膜上に、必要に応じ反射防止膜が塗布、
形成される。例えばスピンコート法においては、レジス
ト或いは反射防止膜のビードが基板縁に形成される傾向
があるが、本発明のリンス液を回転する縁ビード上にス
プレーすることによりビードの流動を促進させ、基板上
に実質的に均一な厚みを有するレジスト膜或いは反射防
止膜の形成をなすことができる。また、基板側面周辺或
いは背面に回り込んだレジスト或いは反射防止膜はリン
ス液のスプレーにより除去することができる。また、例
えばポジ型レジストの場合で基板とレジスト膜の間に反
射防止膜が存在する場合、露光、現像により、パターン
が形成された後、レジスト膜のない部分の反射防止膜を
このリンス液を用い湿式除去することもできる。
【００１４】基板に塗布されたレジストは、例えばホッ
トプレート上でプリベークされて溶剤が除去され、厚さ
が通常１〜２．５ミクロン程度のレジスト膜とされる。
プリベーク温度は、用いる溶剤或いはレジストの種類に
より異なり、通常２０〜２００℃、好ましくは５０〜１
５０℃程度の温度で行われる。レジスト膜はその後、高
圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、
ＫｒＦエキシマレーザー、軟Ｘ線照射装置、電子線描画
装置など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介
して露光が行われる。露光後、現像性、解像度、パター
ン形状等を改善するため必要に応じアフターベーキング
を行った後、現像が行われ、レジストパターンが形成さ
れる。レジストの現像は、通常現像液を用い、露光域と
未露光域の溶剤或いはアルカリ溶液に対する溶解性の差
を利用して行われる。アルカリ性現像液としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム
（ＴＭＡＨ）などの水溶液或いは水性溶液が用いられ
る。
トプレート上でプリベークされて溶剤が除去され、厚さ
が通常１〜２．５ミクロン程度のレジスト膜とされる。
プリベーク温度は、用いる溶剤或いはレジストの種類に
より異なり、通常２０〜２００℃、好ましくは５０〜１
５０℃程度の温度で行われる。レジスト膜はその後、高
圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、
ＫｒＦエキシマレーザー、軟Ｘ線照射装置、電子線描画
装置など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介
して露光が行われる。露光後、現像性、解像度、パター
ン形状等を改善するため必要に応じアフターベーキング
を行った後、現像が行われ、レジストパターンが形成さ
れる。レジストの現像は、通常現像液を用い、露光域と
未露光域の溶剤或いはアルカリ溶液に対する溶解性の差
を利用して行われる。アルカリ性現像液としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム
（ＴＭＡＨ）などの水溶液或いは水性溶液が用いられ
る。
【００１５】また、上記レジスト膜或いは反射防止膜の
塗布は塗布装置を用いて行われるが、レジスト或いは反
射防止膜が基板上に塗布された後、塗布後の装置を別種
の材料の塗布装置として再度利用する、例えばレジスト
から反射防止膜、レジストから別種のレジスト或いは反
射防止膜からレジスト等の塗布装置として使用する場合
があり、このような場合には別種の材料の塗布装置とし
て使用する前に当該塗布装置を洗浄するが、このような
場合にも本発明のリンス液を有効に利用することができ
る。
塗布は塗布装置を用いて行われるが、レジスト或いは反
射防止膜が基板上に塗布された後、塗布後の装置を別種
の材料の塗布装置として再度利用する、例えばレジスト
から反射防止膜、レジストから別種のレジスト或いは反
射防止膜からレジスト等の塗布装置として使用する場合
があり、このような場合には別種の材料の塗布装置とし
て使用する前に当該塗布装置を洗浄するが、このような
場合にも本発明のリンス液を有効に利用することができ
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により更に
詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。
詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。
【００１７】〔実施例１〕下記のキノンジアジド感光剤
とノボラック樹脂とを、ノボラック樹脂１００部（重
量、以下同じ）に対しキノンジアジド感光剤２４部の割
合で用い、これら固形成分が２５重量％となるようにプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｐ
ＧＭＥＡ）溶剤を用いて溶解し、レジスト組成物を調整
した。 キノンジアジド感光剤：２，３，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルフォニルクロライドのエステル化物 ノボラック樹脂 ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾー
ル＝６／４とホルムアルデヒドの縮重合物 このようにして調整したレジスト組成物を、４インチシ
リコン基板上にプリベーク後の膜厚が２．６μｍになる
ようにスピンコートし、ダイレクトホットプレートにて
１００℃、９０秒でプリベークして、レジスト膜を形成
した。なお、実施例では、溶解性の試験を行うためレジ
ストの膜厚を通常使用される膜厚より厚く設定した。
とノボラック樹脂とを、ノボラック樹脂１００部（重
量、以下同じ）に対しキノンジアジド感光剤２４部の割
合で用い、これら固形成分が２５重量％となるようにプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｐ
ＧＭＥＡ）溶剤を用いて溶解し、レジスト組成物を調整
した。 キノンジアジド感光剤：２，３，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルフォニルクロライドのエステル化物 ノボラック樹脂 ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾー
ル＝６／４とホルムアルデヒドの縮重合物 このようにして調整したレジスト組成物を、４インチシ
リコン基板上にプリベーク後の膜厚が２．６μｍになる
ようにスピンコートし、ダイレクトホットプレートにて
１００℃、９０秒でプリベークして、レジスト膜を形成
した。なお、実施例では、溶解性の試験を行うためレジ
ストの膜厚を通常使用される膜厚より厚く設定した。
【００１８】形成されたレジスト膜は、プロピレングリ
コールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）：プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
＝５：５の混合溶剤（溶剤Ａ）と水からなる表１の１−
（１）〜１−（９）のリンス液を用い、下記記載の溶解
性試験に基づいて溶解性の試験を行い、表１の結果を得
た。
コールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）：プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
＝５：５の混合溶剤（溶剤Ａ）と水からなる表１の１−
（１）〜１−（９）のリンス液を用い、下記記載の溶解
性試験に基づいて溶解性の試験を行い、表１の結果を得
た。
【００１９】（溶解性試験）レジスト膜上にリンス液
０．０３ｍｌを滴下し、滴下してから下地のシリコンが
見えるまでの時間（ｓｅｃ）を測定し、レジスト膜厚
（Å）を時間（ｓｅｃ）で割った値（Å／ｓｅｃ）を溶
解速度とした。
０．０３ｍｌを滴下し、滴下してから下地のシリコンが
見えるまでの時間（ｓｅｃ）を測定し、レジスト膜厚
（Å）を時間（ｓｅｃ）で割った値（Å／ｓｅｃ）を溶
解速度とした。
【００２０】〔比較例１〕リンス液として水を混合しな
い溶剤Ａのみからなるものを用いる以外、実施例１と同
様に行い、表１の結果を得た。
い溶剤Ａのみからなるものを用いる以外、実施例１と同
様に行い、表１の結果を得た。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、ＰＧＥＥとＰＧ
ＭＥＡからなる混合溶剤に水を添加、含有せしめること
により、溶解速度が大幅に増大することがわかる。
ＭＥＡからなる混合溶剤に水を添加、含有せしめること
により、溶解速度が大幅に増大することがわかる。
【００２３】〔実施例２〕実施例１において、溶剤Ａに
代えてプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧ
ＭＥ）：ＰＧＭＥＡ＝７：３の混合溶剤（溶剤Ｂ）を用
い、水との混合比を表２に記載のものとした以外は実施
例１を繰り返し、表２の結果を得た。
代えてプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧ
ＭＥ）：ＰＧＭＥＡ＝７：３の混合溶剤（溶剤Ｂ）を用
い、水との混合比を表２に記載のものとした以外は実施
例１を繰り返し、表２の結果を得た。
【００２４】〔比較例２〕リンス液として水を混合しな
い溶剤Ｂのみからなるものを用いる以外、実施例１と同
様に行い、表２の結果を得た。
い溶剤Ｂのみからなるものを用いる以外、実施例１と同
様に行い、表２の結果を得た。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２から明らかなように、ＰＧＭＥとＰＧ
ＭＥＡからなる混合溶剤に水を含有せしめることによ
り、実施例１同様溶解速度は増大する。
ＭＥＡからなる混合溶剤に水を含有せしめることによ
り、実施例１同様溶解速度は増大する。
【００２７】〔実施例３〕実施例１において、溶剤Ａに
代えてエチルラクテート（ＥＬ）を用い、水との混合比
を表３に記載のものとした以外は実施例１を繰り返し、
表３の結果を得た。
代えてエチルラクテート（ＥＬ）を用い、水との混合比
を表３に記載のものとした以外は実施例１を繰り返し、
表３の結果を得た。
【００２８】〔比較例３〕リンス液としてＥＬのみを用
いる以外、実施例１と同様に行い、表３の結果を得た。
いる以外、実施例１と同様に行い、表３の結果を得た。
【００２９】
【表３】
【００３０】表３から明らかなように、ＥＬに水を含有
せしめることにより、実施例１、２同様溶解速度は増大
する。
せしめることにより、実施例１、２同様溶解速度は増大
する。
【００３１】〔実施例４〕ポリビニルピロリドン１部、
パーフロロオクタンスルフォン酸４部，２−アミノエタ
ノール０．３５部、水溶性アルキルシロキサン重合体
（ポリフロ−ＫＬ−２４５、共栄社油脂社製）０．００
４部、純水９４．６４６部からなる反射防止膜形成用組
成物を、４インチシリコン基板上にスピンコートにより
塗布し、９０℃で９０秒間ベーキングを行い、６５０Å
の反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に実施例１
〜３のリンス液を滴下した。反射防止膜に対するリンス
液の滴下直後の接触角はいづれも小さく、リンス液の反
射防止膜に対するなじみが良好で、水を含有しないリン
ス液に比べスムースな溶解を達成することができた。
パーフロロオクタンスルフォン酸４部，２−アミノエタ
ノール０．３５部、水溶性アルキルシロキサン重合体
（ポリフロ−ＫＬ−２４５、共栄社油脂社製）０．００
４部、純水９４．６４６部からなる反射防止膜形成用組
成物を、４インチシリコン基板上にスピンコートにより
塗布し、９０℃で９０秒間ベーキングを行い、６５０Å
の反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に実施例１
〜３のリンス液を滴下した。反射防止膜に対するリンス
液の滴下直後の接触角はいづれも小さく、リンス液の反
射防止膜に対するなじみが良好で、水を含有しないリン
ス液に比べスムースな溶解を達成することができた。
【００３２】
【発明の効果】上述のように、本発明においては水可溶
性有機溶剤に水を添加、含有せしめることにより、従来
の水可溶性有機溶剤のみをリンス液として用いた場合に
比べレジスト膜、反射防止膜等に対する溶解性が向上す
るとともに、リンス液は水溶液から形成された膜へのな
じみもよく、スムースな溶解がなされるという効果があ
る。
性有機溶剤に水を添加、含有せしめることにより、従来
の水可溶性有機溶剤のみをリンス液として用いた場合に
比べレジスト膜、反射防止膜等に対する溶解性が向上す
るとともに、リンス液は水溶液から形成された膜へのな
じみもよく、スムースな溶解がなされるという効果があ
る。
【００３３】また、リンス液中に水を含有するためリン
ス液の引火点が上昇し、消防法の規制もゆるやかにな
り、製造現場、工場での取扱いも簡単になるという効果
もある。
ス液の引火点が上昇し、消防法の規制もゆるやかにな
り、製造現場、工場での取扱いも簡単になるという効果
もある。
Claims (7)
- 【請求項１】水可溶性有機溶剤と水との均質溶液からな
ることを特徴とするリソグラフィー用リンス液。 - 【請求項２】水可溶性有機溶剤が、プロピレングリコー
ルアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエ
ーテルアセテート、エチルラクテート、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン及びアセトンから選ばれ
た少なくとも１種からなるものであることを特徴とする
請求項１記載のリソグラフィー用リンス液。 - 【請求項３】水可溶性有機溶剤が、プロピレングリコー
ルアルキルエーテルとプロピレングリコールアルキルエ
ーテルアセテートとの混合溶剤であることを特徴とする
請求項２記載のリソグラフィー用リンス液。 - 【請求項４】プロピレングリコールアルキルエーテルが
プロピレングリコールメチルエーテルであり、プロピレ
ングリコールアルキルエーテルアセテートがプロピレン
グリコールメチルエーテルアセテートであることを特徴
とする請求項３記載のリソグラフィー用リンス液。 - 【請求項５】プロピレングリコールアルキルエーテルが
プロピレングリコールエチルエーテルであり、プロピレ
ングリコールアルキルエーテルアセテートがプロピレン
グリコールメチルエーテルアセテートであることを特徴
とする請求項３記載のリソグラフィー用リンス液。 - 【請求項６】水可溶性有機溶剤がエチルラクテートであ
ることを特徴とする請求項２記載のリソグラフィー用リ
ンス液。 - 【請求項７】レジスト膜または反射防止膜のリンスのた
めに用いるものであることを特徴とする請求項１〜６の
いずれか１項記載のリソグラフィー用リンス液。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347576A JPH10186680A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | リンス液 |
| SG1997004309A SG55429A1 (en) | 1996-12-26 | 1997-12-04 | Rinsing solution |
| EP97122381A EP0851305B1 (en) | 1996-12-26 | 1997-12-18 | Rinsing and stripping process for lithography |
| DE69728634T DE69728634T2 (de) | 1996-12-26 | 1997-12-18 | Reinigung- und Entschichtungsverfahren für die Lithographie |
| TW086119348A TW393592B (en) | 1996-12-26 | 1997-12-19 | Rinsing solution |
| US08/996,510 US5964951A (en) | 1996-12-26 | 1997-12-23 | Rinsing solution |
| KR1019970073112A KR19980064555A (ko) | 1996-12-26 | 1997-12-24 | 린싱 액 |
| CN97125720A CN1191891A (zh) | 1996-12-26 | 1997-12-26 | 漂洗溶液 |
| KR1020050109065A KR100593280B1 (ko) | 1996-12-26 | 2005-11-15 | 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347576A JPH10186680A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | リンス液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186680A true JPH10186680A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18391158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347576A Pending JPH10186680A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | リンス液 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5964951A (ja) |
| EP (1) | EP0851305B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10186680A (ja) |
| KR (2) | KR19980064555A (ja) |
| CN (1) | CN1191891A (ja) |
| DE (1) | DE69728634T2 (ja) |
| SG (1) | SG55429A1 (ja) |
| TW (1) | TW393592B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR101215429B1 (ko) | 2003-10-20 | 2012-12-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 |
| JP2013194092A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Bridgestone Corp | 洗浄液組成物 |
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| KR100594815B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 린스용 씬너 및 이를 이용한 포토레지스트막의 처리 방법 |
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| KR100638243B1 (ko) * | 2000-11-20 | 2006-10-24 | 주식회사 동진쎄미켐 | 액정 디스플레이 디바이스용 레지스트 세정액 조성물 |
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| CN100340340C (zh) * | 2004-10-29 | 2007-10-03 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种积炭清洗剂及其在失活催化剂再生过程中的应用 |
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| KR20070081572A (ko) * | 2006-02-13 | 2007-08-17 | 삼성전자주식회사 | 슬릿 코터 세정제, 표시장치 제조용 슬릿 코터 및표시장치의 제조방법 |
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