[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TWI417682B - 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液 - Google Patents

微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液 Download PDF

Info

Publication number
TWI417682B
TWI417682B TW096138818A TW96138818A TWI417682B TW I417682 B TWI417682 B TW I417682B TW 096138818 A TW096138818 A TW 096138818A TW 96138818 A TW96138818 A TW 96138818A TW I417682 B TWI417682 B TW I417682B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
photoresist
group
treatment liquid
poly
Prior art date
Application number
TW096138818A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200832087A (en
Inventor
Go Noya
Ryuta Shimazaki
Masakazu Kobayashi
Original Assignee
Az Electronic Mat Ip Japan Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Az Electronic Mat Ip Japan Kk filed Critical Az Electronic Mat Ip Japan Kk
Publication of TW200832087A publication Critical patent/TW200832087A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI417682B publication Critical patent/TWI417682B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/11—Vinyl alcohol polymer or derivative
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液
本發明涉及光阻圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液。更詳言之，本發明涉及用於製造半導體裝置、液晶顯示元件等平面顯示器(FPD)、電荷耦合元件(CCD)、彩色濾光片、磁頭等之光阻圖案以藥液處理形成微細化圖案之方法，及用於它之光阻基板處理液。
包括LSI等半導體積體電路、FPD顯示面板之製造，彩色濾光片、感熱頭等之電路基板的製造等之寬廣領域中，為形成微細元件或進行微細加工，向來係利用光微影技術。光微影法中，為形成光阻圖案係使用正型或負型感光性組成物。這些感光性組成物之中，做為正型光阻例如，廣泛採用由鹼可溶性樹脂及醌二疊氮化合物(感光性物質)構成之感光性樹脂組成物。
近年來，伴隨LSI之高積體化及高速化，微細電子裝置製造業界之設計法則已有由1/2微米朝向1/8微米，甚至於其以下的微細化之要求。為對應如此之設計法則的進一步微細化，慣用作曝光光源之可見光或近紫外線(波長400~300nm)等已有不足，必須使用KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等遠紫外線，以至於如X線、電子束的波長更短之放射線，並漸有使用這些曝光光源的微影製程之提議、實用化。對應於此一設計法則之微細化，微細加工之際對於用作光阻之感光性樹脂組成物亦有高解析度之要求。解析度以外，於感光性樹脂組成物同時尚有提升感度、圖案形狀、圖像尺寸準確度等性能之需求。對此，於短波長放射線具感光性之高解析度感放射線性樹脂組成物者，有「化學放大型感光性樹脂組成物」之提議。此化學放大型感光性樹脂組成物含經放射線照射產生酸之化合物，經放射線照射此酸產生化合物產生酸，因所產生之酸的觸媒之圖像形成步驟，有助於圖像形成步驟可得高感度等優點，已取代習知感光性樹脂組成物而逐漸普及。
可是，經如此之感光性樹脂組成物之探討微細化雖有進展，設計法則卻有更加微細化之要求。因此而有從全新觀點使光阻圖案微細化之方法的探討。
例如，專利文獻1~3記載，更以均勻被覆層被覆於由通常方法形成之圖案，縮小溝槽圖案之溝寬、接觸孔的直徑之方法。此方法為可使藉由利用感光性樹脂組成物、光微影之圖案形成方法微細化至極限的圖案，更微細化之方法。
然而，這些專利文獻記載之方法係塗敷被覆組成物於形成之圖案，加熱或曝光使被覆組成物硬化而使圖案膨大，必須於圖案製程另附加步驟。因此，從製造成本、製造效率之觀點，尚有改良之餘地。
專利文獻1 特開平10－73927號公報專利文獻2 特開2001－19860號公報專利文獻3 特開2005－300853號公報
本發明鑑於如上問題，其目的在提供，於製造成本、製造效率之不良影響小的圖案微細化方法。
本發明之圖案形成方法，係形成微細光阻之圖案形成方法，其特徵為包括，顯像處理後之光阻圖案以含具胺基的水溶性聚合物之光阻基板處理液作處理，縮小上述經顯像處理形成之光阻圖案的實效尺寸之步驟。
藉本發明微細化之光阻圖案，其特徵為經成像曝光之光阻基板以顯像液顯像，更以含具胺基的水溶性聚合物之光阻基板處理液處理而形成。
又，本發明之圖案實效尺寸縮小用之光阻基板處理液，其特徵為含具胺基的水溶性聚合物及溶劑，以其處理經顯像處理形成之光阻圖案可縮小光阻圖案之實效尺寸。
依本發明可以將圖案微細化而於製造成本、製造效率之不良影響小。尤因不必導入新裝置於製程中，並利用較廉價之材料，可抑制製造成本之增大而製造微細圖案。
以下詳細說明本發明之圖案形成方法。
本發明之圖案形成方法係對於顯像後之光阻圖案以光阻基板處理液作處理。用以將光阻圖案顯像，形成原有圖案之方法無特殊限制，可以任意方法為之。因此，形成原有圖案之微影步驟可係使用習知正型感光性樹脂組成物、負型感光性樹脂組成物，形成光阻圖案之任何已知方法。本發明中採用光阻基板處理液的代表性圖案形成方法可係如下方法。
首先，經必要時之前處理的矽基板、玻璃基板等基板表面，以旋塗法等習知塗敷法塗敷感光性樹脂組成物，形成感光性樹脂組成物層。塗敷感光性樹脂組成物以前，亦可於光阻上層或下層塗敷形成抗反射膜。藉由如此之抗反射膜可以改善切面形狀及曝光限度(exposure margin)。
本發明之圖案形成方法可利用任何習知感光性樹脂組成物。可用於本發明之圖案形成方法的感光性樹脂組成物之代表例有正型之例如由醌二疊氮系感光劑及鹼可溶性樹脂構成者，化學放大型感光性樹脂組成物等，負型之例如含具有聚桂皮酸乙烯酯等感光性基之高分子化合物者，含有芳族二疊氮化合物者或如環化橡膠及雙疊氮化合物構成之含有疊氮化合物者，含重氮樹脂者，含加成聚合性不飽和化合物之光聚合性組成物，化學放大型負型感光性樹脂組成物等。
於此用在由醌二疊氮系感光劑及鹼可溶性樹脂構成之正型感光性樹脂組成物之醌二疊氮系感光劑有例如，1,2－苯并醌二疊氮－4－磺酸、1,2－萘醌二疊氮－4－磺酸、1,2－萘醌二疊氮－5－磺酸，這些磺酸之酯或醯胺等，鹼可溶性樹脂有例如，酚醛清漆型樹脂、聚乙烯酚、聚乙烯醇、丙烯醯酸或甲基丙烯醯酸之共聚物等。較佳酚醛清漆型樹脂有以酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、二甲酚等酚類的1種或2種以上，及甲醛、仲甲醛等醛類的1種以上製造者。
化學放大型感光性樹脂組成物無論正型或負型皆可用於本發明之圖案形成方法。化學放大型光阻係以放射線照射產生酸，藉此酸之觸媒作用經化學變化使放射線照射部分的顯像液之溶解度起變化而形成圖案，有例如因放射線產生酸之酸產生化合物與含有於酸之存在下分解，產生如酚式羥基或羧基之鹼可溶性基的酸感應性基之樹脂所組成者；鹼可溶性樹脂與交聯劑及酸產生劑所組成者。
形成於基板上之感光性樹脂組成物層例如於熱板上預烘烤去除感光性樹脂組成物中之溶劑，形成光阻膜。預烘烤溫度隨所用之溶劑或感光性樹脂組成物而異，而通常係於20~200℃，較佳者50~150℃左右之溫度施行。
然後，光阻膜以高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、超高壓水銀燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、軟X線照射裝置、電子束描繪裝置等習知照射裝置，必要時介著光罩進行曝光。
曝光後，必要時施行烘烤後，以例如浸置顯像(puddle development)等方法顯像。鹼性顯像液係用例如氫氧化鈉、氫氧化四甲銨(TMAH)等之水溶液或水性溶液。顯像處理後，必要時以淋洗液，較佳者純水淋洗(洗淨)光阻圖案。而，形成之光阻圖案可用作蝕刻、鍍敷、離子擴散、染色處理等之阻罩，然後於必要時剝離。
依本發明之圖案形成方法，尤其對於微細光阻圖案，圖案可更加微細化。依本發明之圖案形成方法係以組合形成如此之微細光阻圖案的微影步驟，亦即，含使用KrF準分子雷射、ArF準分子雷射，以至於X線、電子束等當做曝光光源，配合以250nm以下之曝光波長曝光之微影步驟為佳。而且，基於光阻圖案之圖案尺寸，以含形成線條及間隔圖案中線條之間隔部300nm以下，較佳者200nm以下，或接觸孔圖案中孔徑300nm以下，較佳者200nm以下之光阻圖案的微影步驟為佳。
光阻圖案之膜厚等係依用途等適當選擇，一般選擇0.1~5μm，較佳者0.1~2.5μm，尤佳者0.2~1.5μm之膜厚。
依本發明之圖案形成方法中，將光阻圖案顯像後，以含具胺基的水溶性聚合物之光阻基板處理液作處理。使用此光阻基板處理液顯像形成之光阻圖案的實效尺寸縮小。於此，具胺基的水溶性聚合物若係於其構造中有胺基，且具水溶性即可任意選用。含於聚合物之胺基數無限，但為明顯得圖案尺寸之微細化效果，以每1分子有5~5000個氮原子為佳，5~2000個更佳。
於此，較佳具胺基之水溶性聚合物係具有下述構造之聚胺。
式中L1 及L2 係2價連結基，例如單鍵或2價官能基。L1 及L2 之碳原子數無特殊限制，以係0~20為佳，0~5更佳。又，L1 及L2 之種類無特殊限制，而一般以係烴基中之伸烷基或伸芳基為佳，伸烷基更佳。R1 及R2 係任意官能基。R1 及R2 之碳原子數無特殊限制，一般係氫或烴基，以係0~20為佳，0~5更佳。又，R1 及R2 之種類無特殊限制，而一般以係烴基中之烷基或芳基為佳。又，R1 與R2 可互相結合成環，亦可R1 或R2 與含於L1 及L2 之碳原子形成環。p係表聚合度之數。L1 、L2 、R1 及R2 必要時亦可以其它官能基例如羥基、羧基、胺基、羰基或醚基等取代，L1 、L2 、R1 及R2 並亦可於1分子中以複數種混雜存在。又，L1 、L2 、R1 及R2 含碳原子時，其碳原子數係選擇為可使化合物以特定濃度溶解於水。這些之中，以L1 係伸烷基，L2 係亞甲基為佳。如此之具胺基的水溶性聚合物之具體例有聚烯丙胺、聚N－甲基烯丙胺、聚N,N’－二甲基烯丙胺、聚(N－甲基－3,5－哌啶二基亞甲基)等。這些聚合物之聚合度可依單體構造、光阻基板處理液濃度、所用光阻之種類等任意選擇而無特殊限制，聚烯丙胺者p係5~500，10~400較佳，聚N,N’－二甲基烯丙胺者p係5~50，5~30較佳，聚(N－甲基－3,5－哌啶二基亞甲基)者p係5~50，10~30較佳。這些較佳聚合物之具體構造及聚合度之具體例如下。這些有例如日東紡織(股)等之市售品。
於此，R1 及R2 非同為氫時，亦即式(I)中之氮形成三級胺基 時，例如上述(Ic)或(Id)，明顯可得本發明之效果而尤佳。具體有，聚N,N’－二甲基烯丙胺(分子量800)、聚(N－甲基－3,5－哌啶二基亞甲基)(分子量3000)。
此外，可有效利用於本發明之具胺基的水溶性聚合物有，聚烯丙胺之各種衍生物，構造中含吡唑、乙烯吡唑烷酮、丙烯醯胺(醯胺)、乙烯吡啶或哌啶等骨架之聚合物。
這些具胺基的水溶性聚合物必要時可選用任意分子量物，其分子量一般係500~200,000，1,000~100,000較佳。而因隨具胺基的水溶性聚合物之主鏈構造、官能基之種類等，具胺基的水溶性聚合物之恰當分子量不同，上述範圍外之具胺基的水溶性聚合物亦可予採用。
這些具胺基的水溶性聚合物必要時亦可組合2種以上使用。
於此，處理液所含之具胺基的水溶性聚合物之濃度無特殊限制，以依目的、使用方法調整為佳。亦即，一般濃度高者傾向處理所需時間短，且圖案實效尺寸之縮小效果大。另一方面，一般濃度低者，處理後之純水淋洗步驟所需時間傾向較短。並依所用感光性樹脂組成物之種類等，最適具胺基的水溶性聚合物之種類、濃度不同。因之，以依所需特性而為良好均衡之濃度為佳。因此，具胺基的水溶性聚合物之最適濃度不特定，以光阻基板處理液總重量為基準時，一般係0.01~5%，0.05~2%較佳，0.1~1%更佳。
以光阻基板處理液處理光阻圖案之方法有，浸泡光阻基板於光阻基板處理液之方法，以光阻基板浸沾於光阻基板處理液之方法，作槳式塗敷之方法等。以光阻基板處理液處理光阻基板之時間(亦即處理時間)無特殊限制，為明顯得圖案實效尺寸之縮小效果，以係10秒以上為佳，60秒以上更佳。處理時間之上限無特殊限制，從製程效率之觀點以300秒以下為佳。
光阻基板處理液之溫度亦不特定，從圖案實效尺寸之縮小效果、縮小尺寸之均勻度的觀點，一般為5~50℃，20~30℃更佳。
本發明中之光阻基板處理液含上述具胺基的水溶性聚合物及必要時之溶劑。溶劑不特定，可任意選用，而從與顯像液、淋洗液之親和性的觀點，以用水為佳。為改善潤濕性等，亦可以少量之有機溶劑用作共溶劑。如此之共溶劑有甲醇、乙醇等醇類，丙酮、丁酮等酮類，乙酸乙酯等酯等。必要時亦可含其它成分。例如，在無損於本發明效果之範圍，亦可含界面活性劑、酸性物質或鹼性物質。
依本發明之圖案形成方法係於顯像後，要依本發明之含具胺基的水溶性聚合物之處理液作處理以前，及/或剛處理後以純水洗淨，亦即作淋洗處理為佳。前者之淋洗處理係為洗淨附著於光阻圖案之顯像液。為防光阻基板處理液受顯像液污染，並以最少量之光阻基板處理液作處理，以顯像液、處理液作處理之前，以純水作淋洗處理為佳。後者之淋洗處理係為將光阻基板處理液洗淨。尤以光阻基板處理液濃度高時，光阻基板於嗣後步驟，例如蝕刻步驟中為免殘留在光阻表面之處理液成分造成問題，用光阻基板處理液作處理後以純水作淋洗處理則較佳。
以純水作淋洗處理可用任意方法，可藉例如浸泡光阻基板於淋洗液，將淋洗液滴於旋轉中之光阻基板表面，以噴霧或噴灑供給為之。這些以純水作淋洗之處理可採任一，亦可予併用。
本發明中，顯像後之光阻圖案為前述光阻基板處理液顯影後之光阻圖案。一般，顯像後或以純水作淋洗處理後，不予乾燥即以處理液作處理，必要時，剛顯像後或顯像後之淋洗處理後予以一度乾燥，用處理液處理，亦可得本發明之效果。
以本發明之方法，光阻圖案被微細化，得到之微細化效果以線寬或孔徑之變化量計，一般係5以上，10以上較佳。於此，本發明之圖案形成方法中，光阻圖案被微細化之機制，不同於習知以含交聯劑之組成物被覆於圖案以微細化之方法者。亦即，本發明中，光阻基板處理液不含交聯劑。而且，以本發明之圖案形成方法將光阻圖案微細化之機制目前尚不明白，而推測係，於光阻表面之未曝光部分形成被膜，或光阻有處理液成分滲透而膨潤中任一，或二者所致。
以本發明之圖案形成方法縮小圖案實效尺寸之光阻圖案，繼之依用途施行加工。此際，因採用本發明中之圖案形成方法而無特殊限制，可藉慣用方法加工。
如此由本發明方法形成之圖案，如同以習知方法製造之圖案，適用於半導體裝置、液晶顯示元件等平面顯示器(FPD)、電荷耦合元件(CCD)、彩色濾光片、磁頭等。
以下舉例說明本發明。而本發明之樣態不限於這些例。
比較例
AZ電子材料公司製抗反射膜AZ KrF－17B(‘AZ’係註冊商標，以下同)以東京電子公司製旋塗機旋塗於8吋矽晶圓，以熱板作180℃、60秒之烘烤，調整為可得800之膜。膜厚係以PROMATRIX公司製膜厚測定裝置測定。其次將AZ電子材料公司製之光阻AZ DX6270P(含以聚苯乙烯為骨架之聚合物，248nm曝光用化學放大型光阻)旋塗於得到之抗反射膜上，以熱板作125℃、90秒之烘烤，調整為可得0.67μm之光阻膜。然後以CANON公司製縮小投影曝光裝置FPA3000EX5(波長248nm)使用1/2環孔曝光。經曝光之圖案係150nm寬之線條及間隔。曝光後以熱板作130℃、90秒之烘烤，使用AZ電子材料公司製顯像液AZ300MIF DEVELOPER(2.38重量%氫氧化四甲銨水溶液)作浸置顯像(23℃、1分鐘)。其次以純水作淋洗處理，旋乾得光阻圖案。
實施例
如同比較例顯像後，作(a)不以純水淋洗直接以光阻基板處理液處理60秒，(b)不以純水淋洗直接以光阻基板處理液處理60秒，以純水淋洗15秒，(c)以純水淋洗，以光阻基板處理液處理60秒，更以純水淋洗15秒，之各處理。光阻基板處理液係用，以表1記載之濃度含表1記載之具胺基的水溶性聚合物者。
比較例及各實施例中得之圖案寬各以日立製作所公司製高精度外觀尺寸評估裝置(S－9200)測定，得各實施例中圖案寬對於比較例之圖案寬的變化量(單位：)。得到之結果如表1。

Claims (6)

  1. 一種圖案形成方法，其係形成微細光阻圖案之圖案形成方法，其特徵為包括：顯像處理後之光阻圖案以含有選自包含聚N,N’-二甲基烯丙胺及聚(N-甲基-3,5-哌啶二基亞甲基)之群組之具胺基的水溶性聚合物之光阻基板處理液作處理，藉此縮小上述經顯像處理形成之光阻圖案的實效尺寸之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之圖案形成方法，其中上述光阻圖案利用上述光阻基板處理液作處理之時間係10~300秒。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之圖案形成方法，其中更包含：在剛要利用上述光阻基板處理液作處理以前、或剛利用上述光阻基板處理液作處理以後的至少一者，以純水洗淨。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之圖案形成方法，其中上述光阻圖案之線條及間隔圖案中之線寬，或接觸孔圖案中之孔徑係300nm以下。
  5. 一種微細化光阻圖案，其特徵為經成像曝光之光阻基板以顯像液顯像，更以含有選自包含聚N,N’-二甲基烯丙胺及聚(N-甲基-3,5-哌啶二基亞甲基)之群組之具胺基的水溶性聚合物之光阻基板處理液作處理而形成。
  6. 一種光阻圖案實效尺寸縮小用之光阻基板處理液，其特徵為含有選自包含聚N,N’-二甲基烯丙胺及聚(N-甲基-3,5-哌啶二基亞甲基)之群組之具胺基的水溶性聚合物 及溶劑，其處理經顯像處理形成之光阻圖案而使光阻圖案之實效尺寸縮小。
TW096138818A 2006-10-19 2007-10-17 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液 TWI417682B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006285312A JP5000260B2 (ja) 2006-10-19 2006-10-19 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200832087A TW200832087A (en) 2008-08-01
TWI417682B true TWI417682B (zh) 2013-12-01

Family

ID=39313950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096138818A TWI417682B (zh) 2006-10-19 2007-10-17 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8101333B2 (zh)
EP (1) EP2088470B1 (zh)
JP (1) JP5000260B2 (zh)
KR (1) KR20090082232A (zh)
CN (1) CN101523296B (zh)
MY (1) MY149342A (zh)
TW (1) TWI417682B (zh)
WO (1) WO2008047719A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5270839B2 (ja) * 2007-01-23 2013-08-21 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法
JP5270840B2 (ja) * 2007-01-23 2013-08-21 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法
JP5154395B2 (ja) * 2008-02-28 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及びレジスト塗布・現像処理システム
JP5306755B2 (ja) * 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
JP5705669B2 (ja) 2011-07-14 2015-04-22 メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法
JP5758263B2 (ja) * 2011-10-11 2015-08-05 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US9557652B2 (en) 2012-12-14 2017-01-31 Basf Se Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below
JP6157151B2 (ja) * 2013-03-05 2017-07-05 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP6459759B2 (ja) * 2014-05-26 2019-01-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
KR101658066B1 (ko) * 2014-07-24 2016-09-20 금호석유화학 주식회사 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법
TWI682250B (zh) * 2014-10-17 2020-01-11 日商東京應化工業股份有限公司 光阻圖型形成方法
JP6455370B2 (ja) * 2014-10-30 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6455369B2 (ja) * 2014-10-30 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6503206B2 (ja) 2015-03-19 2019-04-17 東京応化工業株式会社 レジストパターン修復方法
KR102272719B1 (ko) 2015-03-31 2021-07-05 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 레지스트패턴 피복용 도포액 및 패턴의 형성방법
JP6520753B2 (ja) * 2016-02-19 2019-05-29 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
KR101806748B1 (ko) 2016-12-02 2017-12-07 에스케이하이닉스 주식회사 포토레지스트 패턴 코팅용 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005148597A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
TW200614345A (en) * 2004-08-20 2006-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Over-coating agent for forming fine patterns and a method of forming fine patterns using such agent
TW200628980A (en) * 2004-10-26 2006-08-16 Az Electronic Materials Usa A composition for coating over a photoresist pattern

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700623A (en) * 1970-04-22 1972-10-24 Hercules Inc Reaction products of epihalohydrin and polymers of diallylamine and their use in paper
US3833531A (en) * 1970-04-22 1974-09-03 Hercules Inc Reaction products of epihalohydrin and polymers of diallylamine and salts thereof and their use in paper
US4053512A (en) * 1976-08-02 1977-10-11 American Cyanamid Company Process for preparing poly(allyltrialkylammonium) salt flocculants
US4350759A (en) * 1981-03-30 1982-09-21 Polaroid Corporation Allyl amine polymeric binders for photographic emulsions
US4407790A (en) 1981-09-25 1983-10-04 Economics Laboratory, Inc. Method of controlling bloat using nonionic surfactants
JPS60110987A (ja) * 1983-11-15 1985-06-17 日東紡績株式会社 染色堅牢度向上法
US4537831A (en) * 1984-02-22 1985-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Crosslinking of chlorine-containing polymers
JPS62215942A (ja) 1986-03-18 1987-09-22 Oriental Shashin Kogyo Kk Ｘ線撮影用熱現像性感光材料
JPH0615593B2 (ja) * 1987-01-07 1994-03-02 工業技術院長 含フツ素高分子化合物
JP2533793B2 (ja) 1988-06-17 1996-09-11 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版の製造方法
JP2673586B2 (ja) 1989-08-02 1997-11-05 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用湿し水組成物，それに使用する濃縮液及びそれを使用する平版印刷方法
US5326672A (en) 1992-04-23 1994-07-05 Sortec Corporation Resist patterns and method of forming resist patterns
JPH06222570A (ja) 1992-11-30 1994-08-12 Soltec:Kk レジストパターン形成方法
JPH07140674A (ja) 1993-06-17 1995-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジストリンス液、及びレジスト現像処理法
JPH07142349A (ja) 1993-11-16 1995-06-02 Mitsubishi Electric Corp 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
JPH07335519A (ja) 1994-06-03 1995-12-22 Hitachi Ltd パタン形成方法
JPH088163A (ja) 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp パターン形成方法
JP3071401B2 (ja) 1996-07-05 2000-07-31 三菱電機株式会社 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
US6203785B1 (en) * 1996-12-30 2001-03-20 Geltex Pharmaceuticals, Inc. Poly(diallylamine)-based bile acid sequestrants
TW372337B (en) * 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
US5977041A (en) 1997-09-23 1999-11-02 Olin Microelectronic Chemicals Aqueous rinsing composition
WO1999021901A1 (fr) * 1997-10-29 1999-05-06 Nitto Boseki Co., Ltd. Procedes de production de polymeres de n,n-dialkylallylamine et polymeres de n,n-dialkylallylamine
JPH11184099A (ja) 1997-12-18 1999-07-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 平版印刷版の処理方法
DE19802069A1 (de) 1998-01-21 1999-07-22 Huels Silicone Gmbh Aminofunktionelle Polyorganosiloxane, deren Herstellung und Verwendung
US6017872A (en) 1998-06-08 2000-01-25 Ecolab Inc. Compositions and process for cleaning and finishing hard surfaces
US6368421B1 (en) 1998-07-10 2002-04-09 Clariant Finance (Bvi) Limited Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces
JP4385429B2 (ja) * 1999-04-01 2009-12-16 日東紡績株式会社 アンカーコート剤及びそれを用いてラミネートフィルムを製造する方法
US7129199B2 (en) 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
JP2000338685A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アッシング後の処理液組成物およびこれを用いた処理方法
JP3950584B2 (ja) 1999-06-29 2007-08-01 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物
JP2001066782A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
JP4403627B2 (ja) 2000-03-29 2010-01-27 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法
JP2001312060A (ja) 2000-05-01 2001-11-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
JP4273283B2 (ja) * 2000-07-07 2009-06-03 信越化学工業株式会社 微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法
US6701940B2 (en) 2001-10-11 2004-03-09 S. C. Johnson & Son, Inc. Hard surface cleaners containing ethylene oxide/propylene oxide block copolymer surfactants
US7189783B2 (en) * 2001-11-27 2007-03-13 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
KR100421052B1 (ko) * 2002-01-24 2004-03-04 삼성전자주식회사 탈이온수 제조 장치 및 그 사용 방법
JP4045180B2 (ja) 2002-12-03 2008-02-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4235466B2 (ja) * 2003-02-24 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法
JP4462188B2 (ja) * 2003-04-01 2010-05-12 日東紡績株式会社 変性ポリアリルアミンおよびその製造方法
JP4485241B2 (ja) 2004-04-09 2010-06-16 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
CN102591160B (zh) * 2004-04-23 2014-02-26 东京应化工业株式会社 光刻用冲洗液
JP2006030483A (ja) 2004-07-14 2006-02-02 Tokyo Electron Ltd リンス処理方法および現像処理方法
EP1930775A1 (en) 2004-09-01 2008-06-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Rinsing liquid for lithography and method for resist pattern formation
US20060188805A1 (en) 2005-02-18 2006-08-24 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material and process for forming resist pattern, and semiconductor device and process for manufacturing the same
JP4676325B2 (ja) * 2005-02-18 2011-04-27 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
US7528200B2 (en) * 2006-02-01 2009-05-05 Ardes Enterprises, Inc. Epoxy hardener systems based on aminobis(methylene-ethyleneurea)
JP2008102343A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Az Electronic Materials Kk 現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法
JP4942116B2 (ja) * 2008-03-17 2012-05-30 Ｎｅｃトーキン株式会社 電気二重層コンデンサ
US7745077B2 (en) * 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
US20100028803A1 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 Fujifilm Corporation Surface treating agent for resist pattern formation, resist composition, method of treating surface of resist pattern therewith and method of forming resist pattern
JP5306755B2 (ja) 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005148597A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
TW200614345A (en) * 2004-08-20 2006-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Over-coating agent for forming fine patterns and a method of forming fine patterns using such agent
TW200628980A (en) * 2004-10-26 2006-08-16 Az Electronic Materials Usa A composition for coating over a photoresist pattern

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008102348A (ja) 2008-05-01
TW200832087A (en) 2008-08-01
US20100021700A1 (en) 2010-01-28
CN101523296B (zh) 2012-05-30
EP2088470A4 (en) 2010-10-20
KR20090082232A (ko) 2009-07-29
US8101333B2 (en) 2012-01-24
CN101523296A (zh) 2009-09-02
JP5000260B2 (ja) 2012-08-15
EP2088470B1 (en) 2017-10-04
EP2088470A1 (en) 2009-08-12
MY149342A (en) 2013-08-30
WO2008047719A1 (fr) 2008-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI417682B (zh) 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液
KR100932087B1 (ko) 리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 레지스트 패턴의형성방법
KR100593280B1 (ko) 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법
JP3978255B2 (ja) リソグラフィー用洗浄剤
JP5306755B2 (ja) 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
JP4531726B2 (ja) 微細化されたレジストパターンの形成方法
JP2007219009A (ja) レジスト基板用処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法
JPH0650396B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
US20100028817A1 (en) Solution for treatment of resist substrate after development processing and method for treatment of resist substrate using the same
JPH07333840A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JP4053402B2 (ja) Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
JPH0210348A (ja) ポジ型感光性組成物及びレジストパターンの形成方法
TWI406109B (zh) 光刻用洗淨劑或沖洗劑
TWI276919B (en) Resin for primer material, primer material, layered product, and method of forming resist pattern
JP2010128464A (ja) レジストパターン形成方法
JPS6286823A (ja) 微細パタ−ン形成方法
JPH09236924A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH02296246A (ja) ポジ型レジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees