JPH0438860A

JPH0438860A - 半導体装置用リードフレームの製造方法

Info

Publication number: JPH0438860A
Application number: JP14579290A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Sawaki; 佐脇　久
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1990-06-04
Filing date: 1990-06-04
Publication date: 1992-02-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野１本発明は半導体装置用リードフレームの製造方法に関し
、特に、広幅の素材を短冊状に切出す前にめっき処理を
施し７てリードフレームを製造する方法に関するもので
ある。

［従来の技術］従来の半導体装置用リードフレームの製造方法は、第４
図に示すように、鋳造工程Ｓ１．圧延工程Ｓ２．スリッ
ティング工程Ｓ３を経た金属条又は金属板を用いて、プ
レス加工又はエツチング加工Ｓ４を施してリードフレー
ムを成形し、その後に金、銀等のめっき加工Ｓ５を施し
て製造していた。また、リードフレーム加工工程（プレ
ス加工）Ｓ４を行う前に、めっき加工Ｓ５を実施した後
、プレス加工をする方法もある。これらの製造方法は、
いずれの場合も、スリッティング工程Ｓ３を経て金属条
とした素材に、めっきを施していることが特徴である。

二のリードフレーム上のめっきは、半導体装置製造工程
のワイヤボンディングに必要であるため、ワイヤボンデ
ィング時の高温の空気中で酸化されにくい素材、即ち、
金、銀、白金、ロジウムのめっきを使用するのが一般的
である。

［発明が解決しようとする課題］従来のスリッティング後にめっきを施す半導体装置用リ
ードフレームの製造方法では、一般的に最終的なリード
フレーム、即ち短冊状の状態、もしくは、幅のせまい連
続状の状態で、金、銀のめっきをするため、リードフレ
ームの製造コストに占めるめっきのコストが高くなり、
リードフレーム全体のコストを押し上げる問題がある。

さらに、プレス又はエツチング加工後、めっきを実施す
る方法では、半導体ペレットと結線されるべき内部リー
ドが変形しやすく、リードフレームの製造歩留りを低下
させるという間超がある。

また、銅めっきを施した材料（例えば、神戸製鋼■のＤ
ＫＬＦ材）を用いて、プレス加工又はエツチング加工の
みでリードフレームを製造する方法もある。しかし、銅
めっきは酸化されやすいため、半導体装置の製造工程、
特にワイヤボンディングにおいて、不具合が発生しやす
い。従って、上記銅めっき済材料を使用する場合には、
リードフレームの製造工程及び半導体装置の製造工程の
全般に渡って、酸素フリーになるように製造雰囲気を制
御しなければならない。また酸素フリーとなるように設
備の改善が必要となる。

本発明の目的は、圧延工程で広幅の素材に貴金属のめっ
きを施すことにより、従来の問題点を解消した半導体装
置用リードフレームの製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置用リ
ードフレームの製造方法においては、鋳造工程と、圧延
工程と、めっき工程と、スリッティング工程と、リード
フレーム加工工程とを有する半導体装置用リードフレー
ムの製造方法であって、鋳造工程は、広幅の素材に鋳造処理を行うものであり、圧延工程は、鋳造処理された広幅の素材に圧延処理を行
うものであり、めっき工程は、圧延処理の途中又は処理終了後に前記広
幅の素材に、金、銀等の貴金属めっき処理を行うもので
あり、スリッティング工程は、めっき処理された広幅の素材か
ら細幅のリードフレーム素材をスリッティング加工する
ものであり、リードフレーム加工工程は、前記リードフレーム素材を
リードフレームとして成形加工するものである。

［作用］本発明では第１図に示すようにスリッティング前の圧延
工程中に、広幅の素材のままで、金、銀等の貴金属めっ
きを施し、その後に、めっき済の素材を、プレス加工又
はエツチング加工のみ実施してリードフレームとして成
形するものである。

したがって、プレス又はエツチング加工後に、めっきを
実施しないため、リードフレームのリード変形を阻止す
ることが可能となる。

また、金、銀等の貴金属をめっきするため、その後の半
導体装置の製造工程で酸素フリーのような雰囲気の制御
等も不要となり、従来の半導体装置の製造工程、製造装
置で生産が可能となる。

［実施例］以下、本発明の一実施例を図により説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る製造工程を示す工程線
図である。

図において、本発明に係る製造工程は、鋳造工程Ｓ１．
圧延工程Ｓ２＋　めっき工程Ｓ６．スリッティング工程
Ｓ３．リードフレーふ加工工程Ｓ４からなる。

鋳造工程Ｓ１では、広幅の素材としての電気銅に不純物
を添加し、溶解鋳造の処理を行う。

圧延工程Ｓ２では、鋳造工程Ｓ１を経た銅合金に、熱間
圧延７面前、粗圧延、冷間圧延、焼鈍等の処理を行い、
その後、硫酸−過酸化水素系のエツチング液で酸洗する
。

その酸洗した後、めっき工程Ｓ６を行う。すなわち、め
っき工程Ｓ６では、酸洗した広幅の銅合金素材のままで
、市販の低シアン銀めっき液を用い、その両面に電解銀
めっき処理を行う。ここに、めっきの純度は、半導体装
置製造工程のワイヤボンディング性を考慮して９９．９
９％とした。また、めっき膜厚は、仕上げ圧延での損失
等を考慮して、３ｐｍ以上とした。

さらに、めっき済の素材に仕上げ圧延処理を行い、０．
２５ｍｍの厚さにした。このときの表面粗度は０．４μ
ｍ　ｍａｘで、銀めっきの厚さは２．５ｐｍ以上であっ
た。

スリッティング工程Ｓ３では、仕上げ圧延処理を施した
めっき済の素材からリードフレームとしての細幅をもつ
リードフレーム素材をスリッティング加工する。

最後に、リードフレーム加工工程Ｓ４では、スリッティ
ング加工されたリードフレーム素材にプレス加工を行い
、第２図に示す最終的な形状のリードフレームを成形す
る。第２図に示すリードフレームは、内部リード２．ア
イランド３．外部り−ド４．タイバー５．リードフレー
ム枠６．送りビン孔７を有している。

第３図は本発明に係るリードフレームの断面図、第５図
は第４図に基づ〈従来の製造方法で製造したリードフレ
ームの断面図である。第３図、第５図において、ｌ、１
′はめっき層、２は内部リード。

３はアイランドである。

本発明に係る製造方法により製造したリードフレーム（
第３図）は、従来方法により製造したリードフレーム（
第５図）と比較して、電気特性、信頼性の点で同等以上
であった。

本実施例では、素材として銅合金を用いたが、鉄、鉄−
ニッケル合金を用いてもよい。また、めっき材質として
銀を用いたが、金、白金、ロジウムを用いても効果に変
わりはない。

さらに、酸洗−仕上げ圧延後に、全面めっきを施しても
同様な効果を得られることは言うまでもない。

［発明の効果］以上説明したように本発明は、圧延工程中で広幅の素材
に全面の金、銀等のめっきを施すため、めっき加工費を
３０％低下させることができる。

さらに、プレス又はエツチング加工後に、めっきを実施
しないため、内部リードの変形を防止できる。

また、めっき後、仕上げ圧延をすることにより、めっき
膜質が緻密になり、その後のワイヤボンディング工程に
おけるボンディング不良率が従来方法に比し、１０％低
下することができる。

さらに、めっき層として、金、銀等の貴金属を用いるた
め、半導体装置の製造中に酸化等が起こらないため、従
来の製造プロセス、製造装置がそのまま使用できる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す工程線図、第２図は本
発明に係る半導体装置用リードフレームを示す部分図、
第３図は第２図のＡ−Ａ　′線断面図、第４図は従来方
法を示す工程線図、第５図は従来方法によるリードフレ
ームを示す断面図である。ｌ、１′・・・めっき層　　　　　２・・内部リード３
・アイランド　　　　　４・・・外部リード５・・・タ
イバー６・・・リードフレーム枠７・・・送りビン孔

Claims

【特許請求の範囲】

（１）鋳造工程と、圧延工程と、めっき工程と、スリッ
ティング工程と、リードフレーム加工工程とを有する半
導体装置用リードフレームの製造方法であって、鋳造工程は、広幅の素材に鋳造処理を行うものであり、圧延工程は、鋳造処理された広幅の素材に圧延処理を行
うものであり、めっき工程は、圧延処理の途中又は処理終了後に前記広
幅の素材に、金、銀等の貴金属めっき処理を行うもので
あり、スリッティング工程は、めっき処理された広幅の素材か
ら細幅のリードフレーム素材をスリッティング加工する
ものであり、リードフレーム加工工程は、前記リードフレーム素材を
リードフレームとして成形加工するものであることを特
徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。