JPH04283953A - 半導体用リードフレーム材およびリードフレームの製造法 - Google Patents
半導体用リードフレーム材およびリードフレームの製造法Info
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- JPH04283953A JPH04283953A JP3046635A JP4663591A JPH04283953A JP H04283953 A JPH04283953 A JP H04283953A JP 3046635 A JP3046635 A JP 3046635A JP 4663591 A JP4663591 A JP 4663591A JP H04283953 A JPH04283953 A JP H04283953A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体用のリードフレー
ム材およびリードフレームの製造法に関し、さらに詳し
くは、エッチング加工性が良好で微細加工性に優れると
ともに強度的にも優れた鉄系ないし銅系リードフレーム
材およびリードフレームの製造法に関する。
ム材およびリードフレームの製造法に関し、さらに詳し
くは、エッチング加工性が良好で微細加工性に優れると
ともに強度的にも優れた鉄系ないし銅系リードフレーム
材およびリードフレームの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の実装に用いられるリード
フレーム材としては、種々の材質、形状のものが知られ
ており、たとえば所定板厚に圧延されたリードフレーム
基材をエッチングまたはスタンピングにより所定形状パ
ターンに成型加工したのち、基材表面の全面または所定
箇所に金メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキあるいは錫
・ニッケルメッキなどの表面処理を施すことが通常行わ
れている。
フレーム材としては、種々の材質、形状のものが知られ
ており、たとえば所定板厚に圧延されたリードフレーム
基材をエッチングまたはスタンピングにより所定形状パ
ターンに成型加工したのち、基材表面の全面または所定
箇所に金メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキあるいは錫
・ニッケルメッキなどの表面処理を施すことが通常行わ
れている。
【０００３】ここで、リードフレーム材には主としてＦ
ｅ−Ｎｉ系の４２合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系コバール合
金やＣｕ系合金が用いられ、その厚さは１００〜２５０
μｍの範囲であるのが一般的である。
ｅ−Ｎｉ系の４２合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系コバール合
金やＣｕ系合金が用いられ、その厚さは１００〜２５０
μｍの範囲であるのが一般的である。
【０００４】近年、半導体装置の高密度実装が進むにつ
れて、リードフレームも年々多ピン化、狭ピッチ化が進
んでいるが、上記したような材料を用いて量産する場合
、インナーリードピッチ２００μｍ程度までのエッチン
グ加工が限界である。ピッチが狭く、多ピン化するほど
ワイヤーボンディングに必要なインナーリード平坦幅の
確保が難しくなり、かつサイドエッチ量が増加するため
にリード間がショートしやすくなる。特に多ピンリード
フレームで多く使われている４２合金は、そのエッチン
グ加工性が銅合金に比べて劣るため、極端な多ピン化、
狭ピッチ化への対応に困難性がある。
れて、リードフレームも年々多ピン化、狭ピッチ化が進
んでいるが、上記したような材料を用いて量産する場合
、インナーリードピッチ２００μｍ程度までのエッチン
グ加工が限界である。ピッチが狭く、多ピン化するほど
ワイヤーボンディングに必要なインナーリード平坦幅の
確保が難しくなり、かつサイドエッチ量が増加するため
にリード間がショートしやすくなる。特に多ピンリード
フレームで多く使われている４２合金は、そのエッチン
グ加工性が銅合金に比べて劣るため、極端な多ピン化、
狭ピッチ化への対応に困難性がある。
【０００５】従来エッチング加工においては、インナー
リードオモテ面の平坦幅を確保する目的でウラ面平坦幅
を狭くする必要があった。しかし、ウラ面平坦幅を狭め
すぎると、ワイヤーボンディング時にインナーリードの
平面性を保つことが困難となって、ワイヤーボンディン
グが良好に行われない場合があり、注意が必要であった
。
リードオモテ面の平坦幅を確保する目的でウラ面平坦幅
を狭くする必要があった。しかし、ウラ面平坦幅を狭め
すぎると、ワイヤーボンディング時にインナーリードの
平面性を保つことが困難となって、ワイヤーボンディン
グが良好に行われない場合があり、注意が必要であった
。
【０００６】リードフレーム材の板厚を薄くすることに
より多ピン化、狭ピッチ化が図られてきたが、薄板化に
伴い強度不足が顕著となる。このため鉄系合金や銅系合
金の高強度材が開発されているが、それでもあまり極端
な薄板化は強度面から無理があり８０〜１２５μｍ厚程
度が限界であると考えられる。また、従来リードフレー
ム材として一般に用いられている４２合金やコバール合
金にはＮｉやＣｏが相当量含まれており、材料単価が高
いという問題もある。
より多ピン化、狭ピッチ化が図られてきたが、薄板化に
伴い強度不足が顕著となる。このため鉄系合金や銅系合
金の高強度材が開発されているが、それでもあまり極端
な薄板化は強度面から無理があり８０〜１２５μｍ厚程
度が限界であると考えられる。また、従来リードフレー
ム材として一般に用いられている４２合金やコバール合
金にはＮｉやＣｏが相当量含まれており、材料単価が高
いという問題もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
技術の問題点に鑑みてなされたもので、エッチング加工
性が良好で微細加工性に優れるとともに強度的にも優れ
、またコストの低減化が図られる半導体用リードフレー
ム材およびそのようなリードフレームの製造法を提供す
ることを目的とするものである。
技術の問題点に鑑みてなされたもので、エッチング加工
性が良好で微細加工性に優れるとともに強度的にも優れ
、またコストの低減化が図られる半導体用リードフレー
ム材およびそのようなリードフレームの製造法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために本発明に係る半導体用リードフレーム材は、鉄系
材料または銅系材料からなるベース材の両面に、片面厚
さ３〜２０μｍのＮｉまたはＮｉ基合金メッキ層が形成
されてなること、を特徴とするものである。
ために本発明に係る半導体用リードフレーム材は、鉄系
材料または銅系材料からなるベース材の両面に、片面厚
さ３〜２０μｍのＮｉまたはＮｉ基合金メッキ層が形成
されてなること、を特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の半導体用リードフレームの
製造法は、下記の工程からなることを特徴とするもので
ある。（イ）鉄系材料または銅系材料からなるベース材
の両面に、ＮｉまたはＮｉ基合金メッキを電解法または
無電解法により片面厚さ３〜２０μｍの範囲に施す工程
、（ロ）前記工程（イ）により製造したリードフレーム
材の両面にレジストを塗布し、所定のリードフレームパ
ターンをパターン製版する工程、および（ハ）前記工程
（ロ）のパターン製版後、エッチング加工を施す工程。
製造法は、下記の工程からなることを特徴とするもので
ある。（イ）鉄系材料または銅系材料からなるベース材
の両面に、ＮｉまたはＮｉ基合金メッキを電解法または
無電解法により片面厚さ３〜２０μｍの範囲に施す工程
、（ロ）前記工程（イ）により製造したリードフレーム
材の両面にレジストを塗布し、所定のリードフレームパ
ターンをパターン製版する工程、および（ハ）前記工程
（ロ）のパターン製版後、エッチング加工を施す工程。
【００１０】本発明によれば、ベース材の両面に、Ｎｉ
またはＮｉ基合金メッキ層が形成されてなるので、エッ
チング処理によっても従来ベース材上にレジストを塗布
したのちエッチング加工したときに生ずるようなサイド
エッチがなく、したがって、リードの平坦幅を広くとる
ことができてワイヤーボンディング処理も良好に行うこ
とができる。しかも、エッチング処理したリードフレー
ムの断面形状が断面アーチ型構造をしているため強度的
にも極めて優れておりベース材の薄板化が可能となる。
またはＮｉ基合金メッキ層が形成されてなるので、エッ
チング処理によっても従来ベース材上にレジストを塗布
したのちエッチング加工したときに生ずるようなサイド
エッチがなく、したがって、リードの平坦幅を広くとる
ことができてワイヤーボンディング処理も良好に行うこ
とができる。しかも、エッチング処理したリードフレー
ムの断面形状が断面アーチ型構造をしているため強度的
にも極めて優れておりベース材の薄板化が可能となる。
【００１１】発明の具体的説明
本発明の半導体用リードフレーム材のベース材を構成す
る材料は、鉄系材料または銅系材料である。具体的には
、鉄系材料としてＡＫ鋼（アルミキルド鋼）やＬＣ材（
低炭素材）が、また、銅系材料としてＯＬＩＮ７０２５
（オーリン社製）、ＫＬＦ１２５（神戸製鋼所社製）、
ＥＦＴＥＣ７５Ｘ（古河電工社製）、ＯＬＩＮ１９４
（オーリン社製）、ＭＦ２０２ （三菱電機社製）、Ｅ
ＦＴＥＣ６４Ｔ（古河電工社製）、ＯＭＣＬ１ （三菱
伸銅社製）、ＴＡＭＫＡＣ５ （三菱伸銅社製）などが
挙げられる。これらの鉄系材料や銅系材料は、従来一般
に用いられている４２合金やコバール合金に比べて材料
コストが低い。このベース材の板厚は５０〜２５０μｍ
の範囲で好ましく用いられ、さらには後述するように、
リードフレーム材の目的に応じて適当な板厚に選択する
。
る材料は、鉄系材料または銅系材料である。具体的には
、鉄系材料としてＡＫ鋼（アルミキルド鋼）やＬＣ材（
低炭素材）が、また、銅系材料としてＯＬＩＮ７０２５
（オーリン社製）、ＫＬＦ１２５（神戸製鋼所社製）、
ＥＦＴＥＣ７５Ｘ（古河電工社製）、ＯＬＩＮ１９４
（オーリン社製）、ＭＦ２０２ （三菱電機社製）、Ｅ
ＦＴＥＣ６４Ｔ（古河電工社製）、ＯＭＣＬ１ （三菱
伸銅社製）、ＴＡＭＫＡＣ５ （三菱伸銅社製）などが
挙げられる。これらの鉄系材料や銅系材料は、従来一般
に用いられている４２合金やコバール合金に比べて材料
コストが低い。このベース材の板厚は５０〜２５０μｍ
の範囲で好ましく用いられ、さらには後述するように、
リードフレーム材の目的に応じて適当な板厚に選択する
。
【００１２】上記のベース材の両面にはＮｉまたはＮｉ
基合金メッキ層（以下、「Ｎｉメッキ」というときは、
ＮｉまたはＮｉ基合金メッキを意味するものとする）が
形成される。このＮｉメッキは従来公知の電解法と無電
解法のいずれの方法により施すこともでき、メッキ厚、
硬さ、表面状態、純度、素材の状態などによって、メッ
キ法、メッキ浴を使い分ければよい。たとえば純Ｎｉを
コイルに施す場合は電解法により、すでにシートとなっ
た素材にＮｉ‐ＰやＮｉ‐Ｂ合金を施す場合は無電解法
により行うのが好ましい。なお、このメッキ層は蒸着に
よって形成してもよい。
基合金メッキ層（以下、「Ｎｉメッキ」というときは、
ＮｉまたはＮｉ基合金メッキを意味するものとする）が
形成される。このＮｉメッキは従来公知の電解法と無電
解法のいずれの方法により施すこともでき、メッキ厚、
硬さ、表面状態、純度、素材の状態などによって、メッ
キ法、メッキ浴を使い分ければよい。たとえば純Ｎｉを
コイルに施す場合は電解法により、すでにシートとなっ
た素材にＮｉ‐ＰやＮｉ‐Ｂ合金を施す場合は無電解法
により行うのが好ましい。なお、このメッキ層は蒸着に
よって形成してもよい。
【００１３】Ｎｉメッキ厚はベース材の両面でバランス
をとることが強度上およびエッチング加工性などの点か
ら重要である。また、本発明においてはＮｉメッキ厚は
３〜２０μｍの範囲とするが、リードフレーム材に要求
される目的に対応させてベース材厚とＮｉメッキ厚を変
えることが好ましい。たとえば、狭ピッチリードフレー
ム対応材用には、ベース材厚が５０〜１００μｍで、Ｎ
ｉメッキ厚が３〜２０μｍ、より好ましくは１０〜１５
μｍの範囲とし、低コストリードフレーム材用には、ベ
ース材厚が１００〜２５０μｍで、Ｎｉメッキ厚が３〜
１５μｍ、より好ましくは５〜１０μｍの範囲とするの
が好ましい。Ｎｉメッキ厚が薄すぎると強度補強の効果
が小さく、一方、あまり厚すぎるとエッチング加工性が
悪くなり、材料コストアップとなる。
をとることが強度上およびエッチング加工性などの点か
ら重要である。また、本発明においてはＮｉメッキ厚は
３〜２０μｍの範囲とするが、リードフレーム材に要求
される目的に対応させてベース材厚とＮｉメッキ厚を変
えることが好ましい。たとえば、狭ピッチリードフレー
ム対応材用には、ベース材厚が５０〜１００μｍで、Ｎ
ｉメッキ厚が３〜２０μｍ、より好ましくは１０〜１５
μｍの範囲とし、低コストリードフレーム材用には、ベ
ース材厚が１００〜２５０μｍで、Ｎｉメッキ厚が３〜
１５μｍ、より好ましくは５〜１０μｍの範囲とするの
が好ましい。Ｎｉメッキ厚が薄すぎると強度補強の効果
が小さく、一方、あまり厚すぎるとエッチング加工性が
悪くなり、材料コストアップとなる。
【００１４】リードフレームの製造法
本発明のリードフレームは、上記のリードフレーム材に
エッチング加工を施して形成したものである。より具体
的には、（イ）鉄系材料または銅系材料からなるベース
材の両面にＮｉメッキを電解法または無電解法により片
面厚さ３〜２０μｍの範囲に施し、（ロ）このＮｉメッ
キの施されたリードフレーム材の両面にレジストを塗布
し所定のリードフレームパターンをパターニングした後
、（ハ）エッチング加工を施してリードフレームに形成
する。レジストの塗布やリードフレームパターンのパタ
ーニングは、従来公知の方法により行えばよい。また、
エッチング加工も従来公知の処理条件で行えばよく、た
とえば、エッチング液として塩化第二鉄などが用いられ
る。
エッチング加工を施して形成したものである。より具体
的には、（イ）鉄系材料または銅系材料からなるベース
材の両面にＮｉメッキを電解法または無電解法により片
面厚さ３〜２０μｍの範囲に施し、（ロ）このＮｉメッ
キの施されたリードフレーム材の両面にレジストを塗布
し所定のリードフレームパターンをパターニングした後
、（ハ）エッチング加工を施してリードフレームに形成
する。レジストの塗布やリードフレームパターンのパタ
ーニングは、従来公知の方法により行えばよい。また、
エッチング加工も従来公知の処理条件で行えばよく、た
とえば、エッチング液として塩化第二鉄などが用いられ
る。
【００１５】
【実施例】以下は本発明の実施例を説明するためのもの
である。本発明はこれらの実施例によりその範囲が限定
されるものではない。ベース材としてＡＫ鋼（Ａｌ０．
０６０重量％、Ｍｎ０．４重量％、Ｐ０．０１５重量％
、Ｆｅ残）１００μｍ厚を用い、Ｎｉメッキを電解法で
片面２０μｍずつ両面に施した材料を用いてリードフレ
ームを作成した。
である。本発明はこれらの実施例によりその範囲が限定
されるものではない。ベース材としてＡＫ鋼（Ａｌ０．
０６０重量％、Ｍｎ０．４重量％、Ｐ０．０１５重量％
、Ｆｅ残）１００μｍ厚を用い、Ｎｉメッキを電解法で
片面２０μｍずつ両面に施した材料を用いてリードフレ
ームを作成した。
【００１６】図１は、このリードフレームを製造する工
程の概略を説明する断面図である。まず、図１（ａ）に
示すように、１００μｍ厚のＡＫ鋼１の両面にＮｉメッ
キ２を２０μｍ施し、つぎに図１（ｂ）に示すようにそ
の両面にレジスト３をコーティング後リードフレームパ
ターンを製版し、つぎにエッチング処理を施した後レジ
ストを剥膜して図１（ｃ）に示すようなリードフレーム
を製造した。
程の概略を説明する断面図である。まず、図１（ａ）に
示すように、１００μｍ厚のＡＫ鋼１の両面にＮｉメッ
キ２を２０μｍ施し、つぎに図１（ｂ）に示すようにそ
の両面にレジスト３をコーティング後リードフレームパ
ターンを製版し、つぎにエッチング処理を施した後レジ
ストを剥膜して図１（ｃ）に示すようなリードフレーム
を製造した。
【００１７】図１（ｃ）に示すように、エッチング処理
したリードフレーム４の断面形状は、Ｎｉメッキ２がエ
ッチングマスクとしての作用をするために中央部（ベー
ス材部）５が凹んだ断面アーチ型構造をしており、サイ
ドエッチがなく平坦幅が広くとれ、微細エッチング加工
が可能となる。またオモテ面６の平坦幅とウラ面７の平
坦幅を同時に広くとることができる。
したリードフレーム４の断面形状は、Ｎｉメッキ２がエ
ッチングマスクとしての作用をするために中央部（ベー
ス材部）５が凹んだ断面アーチ型構造をしており、サイ
ドエッチがなく平坦幅が広くとれ、微細エッチング加工
が可能となる。またオモテ面６の平坦幅とウラ面７の平
坦幅を同時に広くとることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明のリードフレーム材によれば、鉄
系材料または銅系材料からなるベース材の両面にＮｉメ
ッキが片面厚さ３〜２０μｍの範囲で施されているので
、ベース材の鉄系材料や銅系材料が薄くそれだけでは強
度が不足であっても、その両面に施したＮｉメッキによ
って強度が補われる。また、ベース材として安価な鉄系
材料や銅系材料が使われるので、たとえば、Ｎｉメッキ
厚３〜１５μｍでは、材料コストが４２合金やコバール
合金に比べて安価である。さらに、本発明のリードフレ
ーム材はその両面にＮｉメッキが施されており、このＮ
ｉを下地メッキとして後工程でそのまま使用することが
できるので、エッチング後の下地メッキ工程の省略が可
能となり、したがって、コストならびに時間の節約にな
る。さらに、Ｎｉメッキによって耐蝕性が向上する。
系材料または銅系材料からなるベース材の両面にＮｉメ
ッキが片面厚さ３〜２０μｍの範囲で施されているので
、ベース材の鉄系材料や銅系材料が薄くそれだけでは強
度が不足であっても、その両面に施したＮｉメッキによ
って強度が補われる。また、ベース材として安価な鉄系
材料や銅系材料が使われるので、たとえば、Ｎｉメッキ
厚３〜１５μｍでは、材料コストが４２合金やコバール
合金に比べて安価である。さらに、本発明のリードフレ
ーム材はその両面にＮｉメッキが施されており、このＮ
ｉを下地メッキとして後工程でそのまま使用することが
できるので、エッチング後の下地メッキ工程の省略が可
能となり、したがって、コストならびに時間の節約にな
る。さらに、Ｎｉメッキによって耐蝕性が向上する。
【００１９】また、本発明の方法により製造されたリー
ドフレームは、Ｎｉメッキのエッチングマスクとしての
作用によりサイドエッチがなく平坦幅が広くとれ、微細
エッチング加工性に優れる。たとえば、インナーリード
ピッチ１５０μｍ程度のエッチング処理も可能であり、
狭ピッチないし多ピン化への対応性に優れる。またオモ
テ面平坦幅とウラ面平坦幅を同時に広くとることができ
、後のワイヤーボンディング処理も良好に行うことがで
きる。さらに、断面形状がアーチ型構造をしているため
強度的にも極めて優れたものである。
ドフレームは、Ｎｉメッキのエッチングマスクとしての
作用によりサイドエッチがなく平坦幅が広くとれ、微細
エッチング加工性に優れる。たとえば、インナーリード
ピッチ１５０μｍ程度のエッチング処理も可能であり、
狭ピッチないし多ピン化への対応性に優れる。またオモ
テ面平坦幅とウラ面平坦幅を同時に広くとることができ
、後のワイヤーボンディング処理も良好に行うことがで
きる。さらに、断面形状がアーチ型構造をしているため
強度的にも極めて優れたものである。
【図１】リードフレームの製造工程の概略を説明する断
面図。
面図。
１ ベース材
２ Ｎｉメッキ
３ レジスト
４ エッチング処理後のリードフレーム５ ベース
材中央部 ６ オモテ面 ７ ウラ面
材中央部 ６ オモテ面 ７ ウラ面
Claims (3)
- 【請求項１】鉄系材料または銅系材料からなるベース材
の両面に、片面厚さ３〜２０μｍのＮｉまたはＮｉ基合
金メッキ層が形成されてなることを特徴とする、半導体
用リードフレーム材。 - 【請求項２】下記の工程からなることを特徴とする半導
体用リードフレームの製造法。（イ）鉄系材料または銅
系材料からなるベース材の両面に、ＮｉまたはＮｉ基合
金メッキを電解法または無電解法により片面厚さ３〜２
０μｍの範囲に施す工程、（ロ）前記工程（イ）により
製造したリードフレーム材の両面にレジストを塗布し、
所定のリードフレームパターンをパターン製版する工程
、および（ハ）前記工程（ロ）のパターン製版後、エッ
チング加工を施す工程。 - 【請求項３】請求項２に記載の方法により製造された半
導体用リードフレーム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046635A JPH04283953A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 半導体用リードフレーム材およびリードフレームの製造法 |
| US07/849,343 US5354422A (en) | 1991-03-12 | 1992-03-11 | Process for producing leadframe material for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046635A JPH04283953A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 半導体用リードフレーム材およびリードフレームの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283953A true JPH04283953A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12752756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3046635A Pending JPH04283953A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 半導体用リードフレーム材およびリードフレームの製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5354422A (ja) |
| JP (1) | JPH04283953A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575006A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP3693300B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2005-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| US6361959B1 (en) | 1994-07-07 | 2002-03-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic unit forming methods and materials |
| US6828668B2 (en) * | 1994-07-07 | 2004-12-07 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
| US6117694A (en) * | 1994-07-07 | 2000-09-12 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
| US5629239A (en) * | 1995-03-21 | 1997-05-13 | Tessera, Inc. | Manufacture of semiconductor connection components with frangible lead sections |
| US5733283A (en) * | 1996-06-05 | 1998-03-31 | Malis; Jerry L. | Flat loop bipolar electrode tips for electrosurgical instrument |
| US5939775A (en) * | 1996-11-05 | 1999-08-17 | Gcb Technologies, Llc | Leadframe structure and process for packaging intergrated circuits |
| US6274822B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-08-14 | Tessera, Inc. | Manufacture of semiconductor connection components with frangible lead sections |
| US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
| DE10321590B4 (de) * | 2003-05-14 | 2006-07-27 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zur Mikrostrukturierung von Pd-haltigen Funktionsschichten |
| FR2857892B1 (fr) * | 2003-07-25 | 2005-10-21 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede de brasage d'un alliage ti-al |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4711700A (en) * | 1985-07-03 | 1987-12-08 | United Technologies Corporation | Method for densifying leadframe conductor spacing |
| US4888449A (en) * | 1988-01-04 | 1989-12-19 | Olin Corporation | Semiconductor package |
| US5116458A (en) * | 1990-01-19 | 1992-05-26 | Amp Incorporated | Electrical edge contact member and a method of manufacturing same |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP3046635A patent/JPH04283953A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-11 US US07/849,343 patent/US5354422A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5354422A (en) | 1994-10-11 |
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