JPH0499235A - 極低酸素銅の製造法 - Google Patents
極低酸素銅の製造法Info
- Publication number
- JPH0499235A JPH0499235A JP20976190A JP20976190A JPH0499235A JP H0499235 A JPH0499235 A JP H0499235A JP 20976190 A JP20976190 A JP 20976190A JP 20976190 A JP20976190 A JP 20976190A JP H0499235 A JPH0499235 A JP H0499235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- content
- hydrogen
- copper
- ppm
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000012733 comparative method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸素（以下、〔Ｏ〕で示す）含有量が１．
５ｐｐｍ以下の極低酸素銅の製造法に関するものである
。 〔従来の技術〕 従来、一般に、９９．９９％以上の純度をもつ純銅とし
ては、無酸素銅、脱酸銅、および真空溶解銅などが知ら
れており、この中で無酸素銅は、（０）含有量が最も低
く、その含有量が３〜■０ｐｐｆｆｌ程度であり、良好
な延性と加工性を有することから、例えば半導体装置の
ボンディングワイヤ用極細線や同プリント基板用箔村な
どの製造に用いられている。 〔発明が解決しようとする課題〕 一方、近年の半導体装置の高集積化はめざましく、これ
に伴ない、ボンディングワイヤやプリント基板にもより
一層の細線化や薄肉化が要求されているが、上記の無酸
素銅は、上記の通り酸素含有量が３〜１０ｐｐｍと低い
にもかかわらず、この含有酸素が原因で、より一段の細
線化や薄肉化を可能にする十分な延性および加工性を具
備するものとはならないために、より一層の細線化や薄
肉化では断線や破断が生じ易く、実用的経済的な面から
上記の要求には満足な対応をはかることができない。 また、従来精製方法として知られている真空溶解法やＣ
Ｏ含有ガス雰囲気溶解法などで上記無酸素銅を精製処理
する試みもなされたが、
５ｐｐｍ以下の極低酸素銅の製造法に関するものである
。 〔従来の技術〕 従来、一般に、９９．９９％以上の純度をもつ純銅とし
ては、無酸素銅、脱酸銅、および真空溶解銅などが知ら
れており、この中で無酸素銅は、（０）含有量が最も低
く、その含有量が３〜■０ｐｐｆｆｌ程度であり、良好
な延性と加工性を有することから、例えば半導体装置の
ボンディングワイヤ用極細線や同プリント基板用箔村な
どの製造に用いられている。 〔発明が解決しようとする課題〕 一方、近年の半導体装置の高集積化はめざましく、これ
に伴ない、ボンディングワイヤやプリント基板にもより
一層の細線化や薄肉化が要求されているが、上記の無酸
素銅は、上記の通り酸素含有量が３〜１０ｐｐｍと低い
にもかかわらず、この含有酸素が原因で、より一段の細
線化や薄肉化を可能にする十分な延性および加工性を具
備するものとはならないために、より一層の細線化や薄
肉化では断線や破断が生じ易く、実用的経済的な面から
上記の要求には満足な対応をはかることができない。 また、従来精製方法として知られている真空溶解法やＣ
Ｏ含有ガス雰囲気溶解法などで上記無酸素銅を精製処理
する試みもなされたが、
〔０〕含有量を２ ｐｐｍ以下
に低減することができないのが現状である。 〔課題を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点から、上記の
従来無酸素銅に比して、より〔０）含有量の低い極低酸
素銅を製造すべく研究を行なった結果、 ［０：ｌ：３〜１Ｏｐｐ匝、 水素（以下、［Ｈ］で示す）・１ ｐｐｍ以下、を含有
し、純度が９９．９９％以上の従来無酸素銅に相当する
純銅素材溶湯に、 Ｎ２ 、 Ａｒ 、およびＣＯのうちの１種または２種
以上に、全体割合で０．５〜５０容量％のＮ２を混合し
てなる還元性ガス、 を吹込むと、上記純銅素材溶湯中の
に低減することができないのが現状である。 〔課題を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点から、上記の
従来無酸素銅に比して、より〔０）含有量の低い極低酸
素銅を製造すべく研究を行なった結果、 ［０：ｌ：３〜１Ｏｐｐ匝、 水素（以下、［Ｈ］で示す）・１ ｐｐｍ以下、を含有
し、純度が９９．９９％以上の従来無酸素銅に相当する
純銅素材溶湯に、 Ｎ２ 、 Ａｒ 、およびＣＯのうちの１種または２種
以上に、全体割合で０．５〜５０容量％のＮ２を混合し
てなる還元性ガス、 を吹込むと、上記純銅素材溶湯中の
〔０〕含有量が１．
５ｐｐａ＋以下に低減し、−力士記純銅素材溶湯中の［
Ｈ］含有量は０．８〜２ｐｐ１こ増加するが、この脱酸
素水素富化純銅溶湯を鋳造してインゴットとなし、この
インゴットに、 真空、あるいはＮ ２ 、 Ａ ｒなど非酸化性雰囲気
中、７００〜９００℃の範囲内の所定温度に所定時間保
持、 の条件で脱水素熱処理を施すと、
５ｐｐａ＋以下に低減し、−力士記純銅素材溶湯中の［
Ｈ］含有量は０．８〜２ｐｐ１こ増加するが、この脱酸
素水素富化純銅溶湯を鋳造してインゴットとなし、この
インゴットに、 真空、あるいはＮ ２ 、 Ａ ｒなど非酸化性雰囲気
中、７００〜９００℃の範囲内の所定温度に所定時間保
持、 の条件で脱水素熱処理を施すと、
〔０〕含有量にほとんど変化なく、（Ｈ）含有量を０．
５ｐｐｍ以下に低減することができ、しかもこの結果の
極低酸素銅は、これを極細線にした場合、従来無酸素銅
では、実用的経済的に伸線が容易な極細線の直径が６０
−であるのに対して、直径：５０−までの伸線が容易で
あり、また箔材についても、同様に上記極低酸素銅の圧
延銅箔は、上記無酸素銅の圧延銅箔に比して著しくすぐ
れた屈曲性を示すなどの研究結果を得たのである。 したがって、この発明は、上記研究結果にもとづいてな
されたものであって、 ［０）：３〜１０ｐｐｍ 。 （Ｈ） ： １ ｐｐｍ以下、 を含有し、純度が９９．９９％以上の純銅素材溶湯に、
Ｎ ２ 、 Ａ ｒ 、およびＣＯのうちの１種または
２種以上に、全体割合で０．５〜５０容量％のＮ２を混
合してなる還元性ガス、 を吹込んで、
５ｐｐｍ以下に低減することができ、しかもこの結果の
極低酸素銅は、これを極細線にした場合、従来無酸素銅
では、実用的経済的に伸線が容易な極細線の直径が６０
−であるのに対して、直径：５０−までの伸線が容易で
あり、また箔材についても、同様に上記極低酸素銅の圧
延銅箔は、上記無酸素銅の圧延銅箔に比して著しくすぐ
れた屈曲性を示すなどの研究結果を得たのである。 したがって、この発明は、上記研究結果にもとづいてな
されたものであって、 ［０）：３〜１０ｐｐｍ 。 （Ｈ） ： １ ｐｐｍ以下、 を含有し、純度が９９．９９％以上の純銅素材溶湯に、
Ｎ ２ 、 Ａ ｒ 、およびＣＯのうちの１種または
２種以上に、全体割合で０．５〜５０容量％のＮ２を混
合してなる還元性ガス、 を吹込んで、
〔０〕および（Ｈ）含有量を、〔０）
： １．５ｐｐｍ以下、 ［Ｈ］ ： ０．８〜２ｐｐｍ 。 とし、ついでこの脱酸素水素富化純銅溶湯を鋳造した後
、これに、 非酸化性雰囲気中、７００〜９００℃の範囲内の所定温
度に所定時間保持、 の条件で脱水素熱処理を施して、
： １．５ｐｐｍ以下、 ［Ｈ］ ： ０．８〜２ｐｐｍ 。 とし、ついでこの脱酸素水素富化純銅溶湯を鋳造した後
、これに、 非酸化性雰囲気中、７００〜９００℃の範囲内の所定温
度に所定時間保持、 の条件で脱水素熱処理を施して、
〔０〕および［Ｈ）含
有量を、 ［０） ＋１．５ｐｐｍ以下・ ［Ｈ］ ： ０．５ｐｐｍ以下１ とした極低酸素銅の製造法に特徴を有するものである。 なお、この発明の方法における脱酸素水素富化純銅溶湯
中の
有量を、 ［０） ＋１．５ｐｐｍ以下・ ［Ｈ］ ： ０．５ｐｐｍ以下１ とした極低酸素銅の製造法に特徴を有するものである。 なお、この発明の方法における脱酸素水素富化純銅溶湯
中の
〔０〕および（Ｈ）含有量は必然的に定まるもので
あり、さらに云いかえれば純銅素材溶湯の３〜１０ｐｐ
ｍの
あり、さらに云いかえれば純銅素材溶湯の３〜１０ｐｐ
ｍの
〔０〕含有量を、上記のＮ２ ：０．５〜５０容量
％含有の還元性ガスを用いて１．５ｐｐＩ＋＋以下に低
減した場合、必然的に［Ｈ］含有量が０．８〜２ ｐｐ
ｌｌに富化された状態となり、この程度の〔Ｈ〕含有量
であれば次の脱水素熱処理で、
％含有の還元性ガスを用いて１．５ｐｐＩ＋＋以下に低
減した場合、必然的に［Ｈ］含有量が０．８〜２ ｐｐ
ｌｌに富化された状態となり、この程度の〔Ｈ〕含有量
であれば次の脱水素熱処理で、
〔０〕含有量を増加させ
ることなく、［Ｈ］含有量を０．５ｐｐｍ以下に低減で
きるという実験結果にもとづいて定めたものである。 また、この発明の方法において、還元性ガス中の８２割
合を０．５〜５０容量％と定めたのは、その割合が０．
５容量％未満では所望の
ることなく、［Ｈ］含有量を０．５ｐｐｍ以下に低減で
きるという実験結果にもとづいて定めたものである。 また、この発明の方法において、還元性ガス中の８２割
合を０．５〜５０容量％と定めたのは、その割合が０．
５容量％未満では所望の
〔０〕低減作用が発揮されず、
一方その割合が５０容量％を越えると、脱酸素水素富化
純銅溶湯中の［Ｈ］含有量が２ｐｐｍを越えて高くなっ
てしまい、これを次工程の脱水素熱処理で０ 、５ ｐ
ｐｍ以下に低減するにはかなりの処理時間を必要とする
ようになり、経済的でないという理由によるものである
。 さらに、脱水素熱処理温度を７００〜９００℃と限定し
たのは、その温度が７００℃未満では所定の脱水素を行
なうのに長時間を必要とし、一方その温度か９００℃を
越えると結晶粒の粗大化が起り、強度および延性か低下
するようになり、箔材や極細線の製造に際して破断や断
線が起り易くなるという理由にもとづくものである。 〔実 施 例〕 つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。 通常の溶解炉にて、原料として無酸素銅を用いて、第１
表に示される純度を有し、かつ
一方その割合が５０容量％を越えると、脱酸素水素富化
純銅溶湯中の［Ｈ］含有量が２ｐｐｍを越えて高くなっ
てしまい、これを次工程の脱水素熱処理で０ 、５ ｐ
ｐｍ以下に低減するにはかなりの処理時間を必要とする
ようになり、経済的でないという理由によるものである
。 さらに、脱水素熱処理温度を７００〜９００℃と限定し
たのは、その温度が７００℃未満では所定の脱水素を行
なうのに長時間を必要とし、一方その温度か９００℃を
越えると結晶粒の粗大化が起り、強度および延性か低下
するようになり、箔材や極細線の製造に際して破断や断
線が起り易くなるという理由にもとづくものである。 〔実 施 例〕 つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。 通常の溶解炉にて、原料として無酸素銅を用いて、第１
表に示される純度を有し、かつ
〔０〕および［Ｈ］含有
量の各種の純銅素材溶湯を１０ｋｇづつ溶製し、この純
銅素材溶湯に、温度： Ｌｉ２Ｏ”Ｃで第１表に示され
る組成の還元性ガスをｌｊｌ／ｓ１ｎの割合で１０分間
吹込んで、同じく第１表に示される
量の各種の純銅素材溶湯を１０ｋｇづつ溶製し、この純
銅素材溶湯に、温度： Ｌｉ２Ｏ”Ｃで第１表に示され
る組成の還元性ガスをｌｊｌ／ｓ１ｎの割合で１０分間
吹込んで、同じく第１表に示される
〔０〕および〔Ｈ〕
含有量の脱酸素水素富化純銅溶湯とした後、直径： ７
０ｍｍのインゴットに鋳造し、このインゴットに同じく
第１表に示される条件で脱水素熱処理を施すことにより
本発明法１〜７および比較法１〜７をそれぞれ実施し、
第１表に示される純度を有し、かつ（０）およびＣＨ）
含有量の極低酸素銅を製造した。 なお、比較法１〜７は、いずれも製造条件のうちのいず
れかの条件（第１表に※印を付す）がこの発明の範囲か
ら外れたものである。 ついで、この結果得られた各種の極低酸素銅のインゴッ
トに８００℃の熱間圧延開始温度にて熱間圧延を施して
幅ニア０■ＩＸ厚さ： １０＋ｏ＋＊の熱延板とし、引
続いてこの熱延板に冷間圧延を施して幅ニア。 關×厚さ：０．５關の冷延板とし、この冷延板に、真空
中、４００℃に１時間保持の焼鈍を施した後、冷間圧延
にて厚さ二３５−の箔材を製造した。 また、同じく直径ニア０關のインゴットに８００℃の熱
間鍛造開始温度にて熱間鍛造を施して直径：２０ｍｍの
丸棒とし、この丸棒を冷間引抜き加工により直径：０．
９ｍｍの線材とし、これに真空中、４００℃に１時間保
持の条件で焼鈍を施した後、冷間伸線加工にて直径＝５
０即の極細線を製造した。 つぎに、この結果得られた箔材については、Ｊ Ｉ Ｓ
−Ｐ８１１５にもとづいて耐折れ強さ試験を行ない、
幅＋Ｉ５ｍｍＸ長さ：１１０ｍｍの寸法をもった試験片
が切れるまでの往復曲げの回数を測定した。 また、極細線については、直径＝６０ＩＩｍから最終寸
法である直径：５０ｔＩｎへ伸線加工するに際しての伸
線ｉ１ ： １００ｋｇ当りの断線回数を測定した。こ
れらの測定結果を第１表に示した。 〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明法１〜７によれば、
含有量の脱酸素水素富化純銅溶湯とした後、直径： ７
０ｍｍのインゴットに鋳造し、このインゴットに同じく
第１表に示される条件で脱水素熱処理を施すことにより
本発明法１〜７および比較法１〜７をそれぞれ実施し、
第１表に示される純度を有し、かつ（０）およびＣＨ）
含有量の極低酸素銅を製造した。 なお、比較法１〜７は、いずれも製造条件のうちのいず
れかの条件（第１表に※印を付す）がこの発明の範囲か
ら外れたものである。 ついで、この結果得られた各種の極低酸素銅のインゴッ
トに８００℃の熱間圧延開始温度にて熱間圧延を施して
幅ニア０■ＩＸ厚さ： １０＋ｏ＋＊の熱延板とし、引
続いてこの熱延板に冷間圧延を施して幅ニア。 關×厚さ：０．５關の冷延板とし、この冷延板に、真空
中、４００℃に１時間保持の焼鈍を施した後、冷間圧延
にて厚さ二３５−の箔材を製造した。 また、同じく直径ニア０關のインゴットに８００℃の熱
間鍛造開始温度にて熱間鍛造を施して直径：２０ｍｍの
丸棒とし、この丸棒を冷間引抜き加工により直径：０．
９ｍｍの線材とし、これに真空中、４００℃に１時間保
持の条件で焼鈍を施した後、冷間伸線加工にて直径＝５
０即の極細線を製造した。 つぎに、この結果得られた箔材については、Ｊ Ｉ Ｓ
−Ｐ８１１５にもとづいて耐折れ強さ試験を行ない、
幅＋Ｉ５ｍｍＸ長さ：１１０ｍｍの寸法をもった試験片
が切れるまでの往復曲げの回数を測定した。 また、極細線については、直径＝６０ＩＩｍから最終寸
法である直径：５０ｔＩｎへ伸線加工するに際しての伸
線ｉ１ ： １００ｋｇ当りの断線回数を測定した。こ
れらの測定結果を第１表に示した。 〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明法１〜７によれば、
〔０〕金含有ｌ ： １．５ｐｐｍ以下、〔Ｈ〕含有量
＋ ０．５ｐｐＩ１１以下の極低酸素銅を製造すること
ができ、しかもこの結果得られた極低酸素銅は、このよ
うに
＋ ０．５ｐｐＩ１１以下の極低酸素銅を製造すること
ができ、しかもこの結果得られた極低酸素銅は、このよ
うに
〔０〕含有量が低いので、例えば厚さ：３５郁の箔
材や直径＝５０ｕｎの極細線の製造に際しても、破断や
断線の発生かきわめて少なく、これらの箔材や極細線の
経済的製造か可能であるのに対して、比較法１〜７に見
られるように、製造条件のうちのいずれかの条件でもこ
の発明の範囲から外れると、製造される極低酸素銅にお
ける
材や直径＝５０ｕｎの極細線の製造に際しても、破断や
断線の発生かきわめて少なく、これらの箔材や極細線の
経済的製造か可能であるのに対して、比較法１〜７に見
られるように、製造条件のうちのいずれかの条件でもこ
の発明の範囲から外れると、製造される極低酸素銅にお
ける
〔０〕および（Ｈ）含有量のうちの少なくともいず
れかの含有量が高いものとなるため、箔材や極細線の製
造では破断や断線の発生が著しく、厚さ：３５端の箔材
や直径：５０μｓの極細線の製造は実質的に不経済であ
ることが明らかである。 上述のように、この発明の方法によれば、従来製造が不
可能であった
れかの含有量が高いものとなるため、箔材や極細線の製
造では破断や断線の発生が著しく、厚さ：３５端の箔材
や直径：５０μｓの極細線の製造は実質的に不経済であ
ることが明らかである。 上述のように、この発明の方法によれば、従来製造が不
可能であった
〔０〕含有量がＬ５ｐｐｍ５ｐｐ極低酸素
銅を製造することができ、このように
銅を製造することができ、このように
〔０〕含有量の低
い極低酸素銅は、すぐれた延性および加工性を有するの
で、これから例えば箔材や極細線を製造するに際して、
従来無酸素銅を用いる場合に比して、−段と薄肉化およ
び細線化をはかることが可能であり、したがって例えば
半導体装置の高集積化にも寄与することができるなど工
業上有用な効果がもたらされるのである。
い極低酸素銅は、すぐれた延性および加工性を有するの
で、これから例えば箔材や極細線を製造するに際して、
従来無酸素銅を用いる場合に比して、−段と薄肉化およ
び細線化をはかることが可能であり、したがって例えば
半導体装置の高集積化にも寄与することができるなど工
業上有用な効果がもたらされるのである。
Claims (1)
- （１）酸素：３〜１０ｐｐｍ、 水素：１ｐｐｍ以下、 を含有し、純度が９９．９９％以上の純銅素材溶湯に、
Ｎ＿２、Ａｒ、およびＣＯのうちの１種または２種以上
に、全体割合で０．５〜５０容量％のＨ＿２を混合して
なる還元性ガス、 を吹込んで、酸素および水素含有量を、 酸素：１．５ｐｐｍ以下、 水素：０．８〜２ｐｐｍ とし、ついでこの脱酸素水素富化純銅溶湯を鋳造した後
、これに、 非酸化性雰囲気中、７００〜９００℃の範囲内の所定温
度に所定時間保持、 の条件で脱水素熱処理を施して、酸素および水素含有量
を、 酸素：１．５ｐｐｍ以下、 水素：０．５ｐｐｍ以下、 とすることを特徴とする極低酸素銅の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976190A JPH0499235A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 極低酸素銅の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976190A JPH0499235A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 極低酸素銅の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499235A true JPH0499235A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16578194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20976190A Pending JPH0499235A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 極低酸素銅の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499235A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944930B2 (en) * | 2000-02-24 | 2005-09-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing low-oxygen copper |
| US8030082B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-10-04 | Honeywell International Inc. | Liquid-particle analysis of metal materials |
| EP3029168A4 (en) * | 2013-07-31 | 2017-03-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper alloy for electronic and electrical equipment, plastically worked copper alloy material for electronic and electrical equipment, and component and terminal for electronic and electrical equipment |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP20976190A patent/JPH0499235A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944930B2 (en) * | 2000-02-24 | 2005-09-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing low-oxygen copper |
| US7524356B2 (en) | 2000-02-24 | 2009-04-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing low-oxygen copper |
| US8030082B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-10-04 | Honeywell International Inc. | Liquid-particle analysis of metal materials |
| EP3029168A4 (en) * | 2013-07-31 | 2017-03-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper alloy for electronic and electrical equipment, plastically worked copper alloy material for electronic and electrical equipment, and component and terminal for electronic and electrical equipment |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100422364C (zh) | 极细铜合金线及其制造方法 | |
| CN106282651B (zh) | 一种铜银稀土合金超细线及其生产方法 | |
| US2636819A (en) | Grain stabilizing metals and alloys | |
| JP4259828B2 (ja) | 高強度銅合金の製造方法 | |
| US5637274A (en) | Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements | |
| JPH0499236A (ja) | 極低酸素銅の製造法 | |
| JPH0499235A (ja) | 極低酸素銅の製造法 | |
| JP2002194461A (ja) | リードフレーム用銅合金及びその製造方法 | |
| JP2970852B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JPH05138206A (ja) | フイルムキヤリア用銅合金圧延箔の製造方法 | |
| JP2651932B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 | |
| JP2001064757A (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JPH10287939A (ja) | 打抜加工性に優れた電気電子機器用銅合金 | |
| JPS6241303B2 (ja) | ||
| JPH0499234A (ja) | 極低酸素銅の製造法 | |
| JP3306585B2 (ja) | 晶出物および析出物が微細で、その分布割合が低いＣｕ合金圧延薄板 | |
| KR20210086496A (ko) | 고인장 고연성 동철합금 및 이의 제조방법 | |
| JPS61288036A (ja) | リードフレーム材用銅合金 | |
| JPH0453935B2 (ja) | ||
| US6797082B1 (en) | Manufacture of copper microalloys | |
| JP2864964B2 (ja) | メッキ性およびハンダ性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金冷延板およびその製造方法 | |
| JPH02263939A (ja) | 高導電率高耐熱性銅合金及びその製造方法 | |
| JPS64457B2 (ja) | ||
| TW200829707A (en) | Copper alloy material for electric and electronic instruments and method of producing the same | |
| JPS62149858A (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 |