JP3370933B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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Description
極との積層数が多く、該誘電体層の薄い小型大容量の積
層セラミックコンデンサに関する。
素体と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極と
からなる。該素体は誘電体層と内部電極とが交互に多数
層積層したものからなる。該内部電極のうち、隣り合う
内部電極は誘電体層を介して対向し、別々の外部電極と
電気的に接続されている。
導電パターンとを交互に積層させて形成したチップ状の
積層体を空気中において1200〜1300℃程度の高
温で焼成することにより製造されている。
率の高い例えばBaTiO3 系のセラミック粒子と有
機バインダを主成分とするものからなり、導電パターン
は例えばPd等の粉末を主成分とする導電ペーストから
なる。
用されているPd等は高価な貴金属なので、これが積層
セラミックコンデンサのコストを高くしていた。そこ
で、最近ではNi等の卑金属が導電ペーストの主成分と
して使用されている。
ペーストを使用したチップ状の積層体を従来通り空気中
において高温で焼成すると、Ni等の卑金属が酸化し、
内部電極の導電性が失われてしまい、また、Ni等の卑
金属が酸化しないように非酸化性雰囲気中においてチッ
プ状の積層体を高温で焼成すると、誘電体層が還元され
てその絶縁抵抗が低下し、所望の電気的特性が得られな
くなってしまう。
として使用する場合、誘電体層の材料として耐還元性の
高い材料を用いるとともに、焼成は還元性雰囲気中で行
ない、その後、酸素を少し含む雰囲気中において、焼成
温度より低い600〜900℃程度の温度で熱処理して
誘電体層を再酸化させ、内部電極の酸化を防止しつつ誘
電体層の絶縁抵抗を回復させ、所望の電気的特性が得ら
れるようにしている。
る電子回路の小型化、高密度化の流れに伴い、積層セラ
ミックコンデンサについても小型大容量化が求められ、
小型大容量化のために誘電体層の積層数の更なる増加
と、誘電体層の薄層化が進んでいる。
ックコンデンサの取得できる静電容量は向上するもの
の、絶縁抵抗は低下する。これは、絶縁抵抗Rが、R=
ρ×d/S(R;抵抗、ρ;抵抗率、S;電極面積、
d;誘電体厚)で記述されるからである。
目がある。これは静電容量Cと絶縁抵抗Rの積であり、
C=ε0 ×εr ×S/d(ε0 ;真空誘電率、ε
r ;比誘電率)で与えられるため、C×R=ρ×ε0
×εr となり、誘電体厚みや層数には関係ない値とな
る。
なると、このCR積は一般に低下する傾向にある。これ
は、誘電体厚みが薄くなることで、絶縁抵抗がオーミッ
ク則から外れるためと考えられる。即ち、セラミックコ
ンデンサの薄層化ではCR積が低下するという問題があ
った。
のCR積が得られる小型大容量の積層セラミックコンデ
ンサを提供することを目的とする。
ミックコンデンサは、誘電体層と内部電極とが交互に積
層されている積層セラミックコンデンサにおいて、該誘
電体層一層中に一のセラミック粒子で形成されている一
層一粒子の部分の割合が20%以上であることを特徴と
するものである。
を有していてもよいが、5μm以下の厚さを有し、誘電
体層を形成しているセラミック粒子は3.5μm以上の
平均粒径を有している場合が好ましい。5μm以下とし
たのは、誘電体層が5μm以下の厚さになると積層セラ
ミックコンデンサのCR積低下が顕著になるからであ
る。
する導電ペーストを焼成して形成することができるが、
これ以外の卑金属粉末を主成分とする導電ペーストを焼
成して形成してもよい。また、前記誘電体層は例えばB
aTiO3 系の材料により形成することができるが、
これ以外の誘電体材料を用いて形成してもよい。
求める。すなわち、積層セラミックコンデンサを内部電
極に垂直な面で切断し、この面について、誘電体層を形
成しているセラミック粒子の粒径を測定し、その平均粒
径を算出し、内部電極に対して垂直な線を平均粒径の間
隔で引き、一粒子がかかっている線の数を全部の線に対
する割合で求める。
製し、得られたセラミックグリーンシートに導電パター
ンを印刷し、このセラミックグリーンシートを積層・圧
着させ、これを導電パターン毎にチップ状に裁断してチ
ップ状の積層体を形成した。
TiO3 系のセラミック粉末を用いて形成し、導電パ
ターンはNi粉末を主成分とする導電ペーストを用いて
形成した。また、セラミックグリーンシートは焼成後で
5μmの厚さとなる厚さのものを使用した。
に、空気中において600℃まで昇温させながら加熱し
て脱バインダし、続いて、2.0体積%のH2 を含む
窒素ガスからなる非酸化性雰囲気に変え、1200〜1
300℃まで昇温させ、その温度で1〜5時間焼成し、
その後、600℃まで降温し、200ppmの酸素を含
む窒素ガス雰囲気に変え、この温度で1時間熱処理し、
誘電体層を再酸化させ、その後、常温まで冷却した。粒
径は焼成温度と保持時間を変えて変化させた。
これを1150〜1200℃に加熱して熱エッチング
し、研磨面のSEM写真を2000倍で撮影した。そし
て、内部電極に対し平行に直径法を用いて、200個の
粒子の粒径を測定し、その平均値を求めた。結果は表1
に示す通りであった。
直角に、上記で求めた粒径(平均値)の間隔で100本
描き、その線上に1個の粒子しかないところの数を数
え、全ての線、すなわち100本の線に対するこの数の
割合を、一層一粒子の占める割合として求めた。なお、
一層一粒子とは図3の部分A,Bに示すように、内部電
極10,10の間の誘電体層12が1つのセラミック粒
子A,Bからなることをいう。
端部に外部電極を焼付け、積層セラミックコンデンサを
形成した。そして、恒温槽で20℃に保ち、LCRメー
ターで静電容量を測定した。測定条件は1kHz、1V
rmsである。静電容量の測定後、DC50Vを1分間
印加して絶縁抵抗を測定した。静電容量と絶縁抵抗の積
を計算し、CR積(μF・MΩ)を算出した。結果を表
1に示す。
20%以上であると、CR積で15000μF・MΩ以
上を達成できることがわかる。
いるセラミック粒子の表面積が少なくなるので、焼成段
階での還元性が抑えられる。また、薄層化により、再酸
化段階において酸素が内部電極−セラミック粒子の界面
を拡散後、さらに粒界に拡散し易くなり、オーミックな
抵抗特性が維持されたものと考えられる。つまり、薄層
化において、有効であると言える。
積が低下する領域でも、CR積低下のない小型大容量の
積層セラミックコンデンサを得ることができるという効
果がある。
すグラフである。
るセラミック粒子の配列を示す拡大説明図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 誘電体層と内部電極とが交互に積層され
ている積層セラミックコンデンサにおいて、該誘電体層
は5μm以下の厚さを有し、該誘電体層一層中に一のセ
ラミック粒子で形成されている一層一粒子の部分を備
え、該内部電極に対して垂直な面で切断した面に存在す
るセラミック粒子の平均粒径の間隔で内部電極に対して
垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する該一層一
粒子の部分にかかっている線の数の割合が20%以上で
あり、前記内部電極がNi粉末を主成分とする導電ペー
ストを焼成したものからなることを特徴とする積層セラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項2】 前記誘電体層が5μm以下の厚さを有
し、該誘電体層を形成しているセラミック粒子が3.5
μm以上の平均粒径を有していることを特徴とする請求
項1に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項3】 前記誘電体層がBaTiO3系のセラミ
ック粒子からなることを特徴とする請求項1又は2に記
載の積層セラミックコンデンサ。
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