JP2514813B2 - ハロゲン含有液晶性化合物 - Google Patents
ハロゲン含有液晶性化合物Info
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規なハロゲン含有液晶性化合物に関し、
さらに詳しくは、本発明は液晶として優れた性質を有
し、また他の強誘電性液晶化合物と混合することにより
広い温度範囲に亘ってカイラルスメクチックC相を示す
液晶組成物を提供し得る新規なハロゲン含有光学活性基
を有する液晶性化合物に関する。
さらに詳しくは、本発明は液晶として優れた性質を有
し、また他の強誘電性液晶化合物と混合することにより
広い温度範囲に亘ってカイラルスメクチックC相を示す
液晶組成物を提供し得る新規なハロゲン含有光学活性基
を有する液晶性化合物に関する。
[発明の背景] 近年、表示方法として液晶表示が盛んに用いられてい
るが、現在における液晶表示方法としてはTN型表示方式
が一般的である。このTN型表示方式にはネマチック液晶
性の化合物が一般的に用いられている。
るが、現在における液晶表示方法としてはTN型表示方式
が一般的である。このTN型表示方式にはネマチック液晶
性の化合物が一般的に用いられている。
しかしながら、ネマチック液晶性の化合物を用いるTN
型表示方式は、応答速度が遅いこと、および高マルチプ
レックス駆動には無理があるとの基本的な問題点を有し
ており、昨今においては、このような問題点の少ないス
メクチック液晶性の化合物を利用する表示方法の研究が
盛んに行なわれている。
型表示方式は、応答速度が遅いこと、および高マルチプ
レックス駆動には無理があるとの基本的な問題点を有し
ており、昨今においては、このような問題点の少ないス
メクチック液晶性の化合物を利用する表示方法の研究が
盛んに行なわれている。
特に、光学活性炭素(不斉炭素)を分子内に有するス
メクチック液晶性化合物が示すカイラルスメクチックC
相(以下、単に「SmC*相」と記載することもある)は
強誘電性を示すので、高速応答性を有することが知られ
ている。また、例えばこのような化合物を厚さ1μm程
度の薄いセルに注入した場合においてメモリー性を有す
るようになるとの報告があり、この性質を利用した新た
な表示素子の開発も進められている[エヌ・エイ・クラ
ーク(N.A.Clark)ら:アプライド・フィジクス・レタ
ー(Applied Phys.lett.),36,899(1980)参照]。
メクチック液晶性化合物が示すカイラルスメクチックC
相(以下、単に「SmC*相」と記載することもある)は
強誘電性を示すので、高速応答性を有することが知られ
ている。また、例えばこのような化合物を厚さ1μm程
度の薄いセルに注入した場合においてメモリー性を有す
るようになるとの報告があり、この性質を利用した新た
な表示素子の開発も進められている[エヌ・エイ・クラ
ーク(N.A.Clark)ら:アプライド・フィジクス・レタ
ー(Applied Phys.lett.),36,899(1980)参照]。
SmC*相を呈する液晶化合物として最初に報告された
ものは、1975年マイヤー(Meyer)らにより開発されたD
OBAMBC[(S)−2−メチルブチル=p−(p−n−デ
シルオキシベンジリデンアミノ)シンナメート]である
が、その後の開発により、現在ではDOBAMBCに類似する
構造を有する液晶性化合物以外にも、シッフ塩基系、エ
ステル系およびビフェニル系などの新たな種類の液晶性
化合物が開発されている。
ものは、1975年マイヤー(Meyer)らにより開発されたD
OBAMBC[(S)−2−メチルブチル=p−(p−n−デ
シルオキシベンジリデンアミノ)シンナメート]である
が、その後の開発により、現在ではDOBAMBCに類似する
構造を有する液晶性化合物以外にも、シッフ塩基系、エ
ステル系およびビフェニル系などの新たな種類の液晶性
化合物が開発されている。
SmC*相を呈する温度よりも高温度でスメクチックA
相(以下、「SmA相」と記すこともある)を示す液晶材
料に、SmC*相を示さない化合物を添加していくと、混
合物の液晶化温度が次第に低下する傾向を示す。しか
し、同時にSmA相−SmC*相転移温度も降下するので、Sm
C*相を呈する温度範囲を広げることは、従来困難であ
った。
相(以下、「SmA相」と記すこともある)を示す液晶材
料に、SmC*相を示さない化合物を添加していくと、混
合物の液晶化温度が次第に低下する傾向を示す。しか
し、同時にSmA相−SmC*相転移温度も降下するので、Sm
C*相を呈する温度範囲を広げることは、従来困難であ
った。
[発明の目的] 本発明は、新規なハロゲン含有液晶性化合物を提供す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
本発明はまた、他の液晶組成物に添加混合することに
よって、SmA相−SmC*相転移温度を低下させることなく
融点を低下させることによって室温付近の広範囲の温度
域においてSmC*相を呈する液晶組成物を得ることので
きる新規なハロゲン含有液晶性化合物を提供することを
目的とする。
よって、SmA相−SmC*相転移温度を低下させることなく
融点を低下させることによって室温付近の広範囲の温度
域においてSmC*相を呈する液晶組成物を得ることので
きる新規なハロゲン含有液晶性化合物を提供することを
目的とする。
本発明はさらにまた、自発分極が大きく、かつ、高速
応答可能な液晶組成物を得ることのできる新規なハロゲ
ン含有液晶性化合物を提供することを目的とする。
応答可能な液晶組成物を得ることのできる新規なハロゲ
ン含有液晶性化合物を提供することを目的とする。
[発明の要旨] 本発明は、一般式[I]: R1−A−B−R2 [I] [ただし、R1は、炭素原子1〜15個を有するアルコキシ
基、2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンチル
オキシ基、4−クロロペンチルオキシ基、2−(S)−
クロロ−4−メチルペンチルオキシ基、2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンタノイルオキシ基、4−
クロロペンタノイルオキシ基あるいは2−(S)−クロ
ロ−4−メチルペンタノイルオキシ基であり、R2は、炭
素原子1〜15個を有するアルコキシ基、2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンチルオキシカルボニル
基、4−クロロペンチルオキシカルボニル基あるいは2
−(S)−クロロ−4−メチルペンチルオキシカルボニ
ル基であるが、R1およびR2の双方が共に炭素原子1〜15
個を有するアルコキシ基であることはない(なお、この
明細書中では、「ハロゲン置換光学活性基」とは、ハロ
ゲン原子と不斉炭素原子とを有する基を意味する。従っ
て、これはR1およびR2の少なくとも一方は、上記のハロ
ゲン置換光学活性基のひとつであることを意味してい
る)、そして AおよびBは、p−フェニレン基または2,5−ピラジ
ニレン基であるが、AとBとが共に2,5−ピラジニレン
基であることはない] で表されるハロゲン含有液晶性化合物にある。
基、2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンチル
オキシ基、4−クロロペンチルオキシ基、2−(S)−
クロロ−4−メチルペンチルオキシ基、2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンタノイルオキシ基、4−
クロロペンタノイルオキシ基あるいは2−(S)−クロ
ロ−4−メチルペンタノイルオキシ基であり、R2は、炭
素原子1〜15個を有するアルコキシ基、2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンチルオキシカルボニル
基、4−クロロペンチルオキシカルボニル基あるいは2
−(S)−クロロ−4−メチルペンチルオキシカルボニ
ル基であるが、R1およびR2の双方が共に炭素原子1〜15
個を有するアルコキシ基であることはない(なお、この
明細書中では、「ハロゲン置換光学活性基」とは、ハロ
ゲン原子と不斉炭素原子とを有する基を意味する。従っ
て、これはR1およびR2の少なくとも一方は、上記のハロ
ゲン置換光学活性基のひとつであることを意味してい
る)、そして AおよびBは、p−フェニレン基または2,5−ピラジ
ニレン基であるが、AとBとが共に2,5−ピラジニレン
基であることはない] で表されるハロゲン含有液晶性化合物にある。
[発明の詳細な記述] 本発明の新規なハロゲン含有液晶性化合物は、下記一
般式[I]: R1−A−B−R2 [I] (ただし、R1、R2、AおよびBは前記の通り)で表わさ
れる化合物である。
般式[I]: R1−A−B−R2 [I] (ただし、R1、R2、AおよびBは前記の通り)で表わさ
れる化合物である。
上記一般式[I]において、炭素原子1〜15個を有す
るアルコキシ基は、例えば、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、n−ブトキシ、2−メチルブトキシ、n−ペン
チルオキシ、2−メチルペンチルオキシ、3−メチルペ
ンチルオキシ、n−ヘキシルオキシ、4−メチルヘキシ
ルオキシ、n−ヘプチルオキシ、5−メチルヘプチルオ
キシ、n−オクチルオキシ、2−オクチルオキシ、6−
メチルオクチルオキシ、n−ノニルオキシ、7−メチル
ノニルオキシ、n−デシルオキシ、8−メチルデシルオ
キシ、n−ウンデシルオキシ、n−ドデシルオキシ、n
−トリデシルオキシ、n−テトラデシルオキシ、n−ペ
ンタデシルオキシの如き直鎖または分岐鎖アルコキシ基
である。
るアルコキシ基は、例えば、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、n−ブトキシ、2−メチルブトキシ、n−ペン
チルオキシ、2−メチルペンチルオキシ、3−メチルペ
ンチルオキシ、n−ヘキシルオキシ、4−メチルヘキシ
ルオキシ、n−ヘプチルオキシ、5−メチルヘプチルオ
キシ、n−オクチルオキシ、2−オクチルオキシ、6−
メチルオクチルオキシ、n−ノニルオキシ、7−メチル
ノニルオキシ、n−デシルオキシ、8−メチルデシルオ
キシ、n−ウンデシルオキシ、n−ドデシルオキシ、n
−トリデシルオキシ、n−テトラデシルオキシ、n−ペ
ンタデシルオキシの如き直鎖または分岐鎖アルコキシ基
である。
本発明の化合物は、一般式[I]において、R1および
R2の少なくとも一方が、前記した特定のハロゲン置換光
学活性基であり、そのことによって、本発明の化合物
は、ハロゲンを含有し且つ光学活性である液晶性化合物
であるという特徴を有する。
R2の少なくとも一方が、前記した特定のハロゲン置換光
学活性基であり、そのことによって、本発明の化合物
は、ハロゲンを含有し且つ光学活性である液晶性化合物
であるという特徴を有する。
また、上記一般式[I]において、AおよびBは、p
−フェニレン基または2,5−ピラジニレン基であるが、
AとBとが共に2,5−ピラジニレン基であることはな
い。
−フェニレン基または2,5−ピラジニレン基であるが、
AとBとが共に2,5−ピラジニレン基であることはな
い。
本発明のハロゲン含有液晶性化合物は、例えば以下に
述べるような種々の方法によって製造することができ
る。下記各式においてR*は光学活性基を示す。
述べるような種々の方法によって製造することができ
る。下記各式においてR*は光学活性基を示す。
イ)Aがp−フェニレン基であり、Bが2,5−ピラジニ
レン基であり、R1がハロゲン置換光学活性アシルオキシ
基またはハロゲン置換光学活性アルコキシ基であり、R2
がアルコキシ基である場合: すなわち、2−クロロ−5−(p−メトキシフェニ
ル)ピラジンをHBrで加水分解し、得られる2−ブロモ
−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジンに2倍モル
以上のナトリウムアルコキシドを反応させ、得られる2
−アルコキシ−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジ
ンにハロゲン置換光学活性アシルクロライドまたはハロ
ゲン置換光学活性アルコールのトシラートを反応させ
て、目的とする[II]または式[III]で表わされる化
合物を得る。
レン基であり、R1がハロゲン置換光学活性アシルオキシ
基またはハロゲン置換光学活性アルコキシ基であり、R2
がアルコキシ基である場合: すなわち、2−クロロ−5−(p−メトキシフェニ
ル)ピラジンをHBrで加水分解し、得られる2−ブロモ
−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジンに2倍モル
以上のナトリウムアルコキシドを反応させ、得られる2
−アルコキシ−5−(p−ヒドロキシフェニル)ピラジ
ンにハロゲン置換光学活性アシルクロライドまたはハロ
ゲン置換光学活性アルコールのトシラートを反応させ
て、目的とする[II]または式[III]で表わされる化
合物を得る。
ロ)Aがp−フェニレン基であり、Bが2,5−ピラジニ
レン基であり、R1がアルコキシ基であり、R2がハロゲン
置換光学活性アルコキシカルボニル基である場合: すなわち、2−クロロ−5−(p−アルコキシフェニ
ル)ピラジンをパラジウム触媒の存在下にKCNと反応さ
せ、得られる2−シアノ−5−(p−アルコキシフェニ
ル)ピラジンのCN基を加水分解し、得られる対応するカ
ルボン酸誘導体のカルボキシル基を酸クロリドに変えた
後ハロゲン置換光学活性アルコールと反応させて、目的
とする式[IV]で表わされる化合物を得る。
レン基であり、R1がアルコキシ基であり、R2がハロゲン
置換光学活性アルコキシカルボニル基である場合: すなわち、2−クロロ−5−(p−アルコキシフェニ
ル)ピラジンをパラジウム触媒の存在下にKCNと反応さ
せ、得られる2−シアノ−5−(p−アルコキシフェニ
ル)ピラジンのCN基を加水分解し、得られる対応するカ
ルボン酸誘導体のカルボキシル基を酸クロリドに変えた
後ハロゲン置換光学活性アルコールと反応させて、目的
とする式[IV]で表わされる化合物を得る。
ハ)AおよびBが共にp−フェニレン基であり、R1がア
ルコキシ基であり、R2がハロゲン置換光学活性アルコキ
シカルボニル基である場合: すなわち、シアノビフェニル誘導体を加水分解し、得
られるカルボン酸誘導体のカルボキシル基を塩化チオニ
ルで酸クロリドに変えた後、ハロゲン置換光学活性アル
コールと反応させて、目的とする式[V]で表わされる
化合物を得る。
ルコキシ基であり、R2がハロゲン置換光学活性アルコキ
シカルボニル基である場合: すなわち、シアノビフェニル誘導体を加水分解し、得
られるカルボン酸誘導体のカルボキシル基を塩化チオニ
ルで酸クロリドに変えた後、ハロゲン置換光学活性アル
コールと反応させて、目的とする式[V]で表わされる
化合物を得る。
[発明の効果] 本発明のハロゲン含有液晶性化合物は、強誘電性液晶
組成物の成分として、他の強誘電性を有する液晶化合物
または組成物と混合して使用する場合特に有用である。
特に、本発明の液晶性化合物の中には単独ではSmC*相
を示さない化合物があるにもかかわらず、本発明の化合
物を他の液晶化合物または液晶組成物に添加することに
よって、SmA相−SmC*相転移温度を降下させることなく
融点を低下させ、その結果室温付近を含む広範囲の温度
域においてSmC*相を呈する液晶組成物を得ることがで
きるという予想外の顕著な効果を奏する。
組成物の成分として、他の強誘電性を有する液晶化合物
または組成物と混合して使用する場合特に有用である。
特に、本発明の液晶性化合物の中には単独ではSmC*相
を示さない化合物があるにもかかわらず、本発明の化合
物を他の液晶化合物または液晶組成物に添加することに
よって、SmA相−SmC*相転移温度を降下させることなく
融点を低下させ、その結果室温付近を含む広範囲の温度
域においてSmC*相を呈する液晶組成物を得ることがで
きるという予想外の顕著な効果を奏する。
また、本発明の化合物を添加することによって、得ら
れる液晶組成物の自発分極を大きくすることができ、そ
の結果、外部電界に対する感受性が大きく、応答速度の
大きい液晶組成物を得ることができるという顕著な優れ
た効果を奏する。
れる液晶組成物の自発分極を大きくすることができ、そ
の結果、外部電界に対する感受性が大きく、応答速度の
大きい液晶組成物を得ることができるという顕著な優れ
た効果を奏する。
従って、本発明の化合物を含有する液晶組成物は、光
液晶シャッターあるいは高マルチプレックス液晶ディス
プレイなどの用途に有利に使用することができる。
液晶シャッターあるいは高マルチプレックス液晶ディス
プレイなどの用途に有利に使用することができる。
次に、本発明のハロゲン含有液晶性化合物の合成例
(実施例)および使用例を示す。
(実施例)および使用例を示す。
[実施例1] 2−{p−2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペ
ンタノイルオキシフェニル}−5−オクチルオキシピラ
ジンの製造 5−(p−メトキシフェニル)−2−クロロピラジン
7gを48%臭化水素酸100mlおよび酢酸100mlの混合物に加
え、得られた混合物を6時間還流下に加熱した。得られ
た反応生成液を減圧下に濃縮し、これに水200mlを加え
析出した黒褐色固体を分離し、この固体をエーテル200m
lに加えて溶解させ、不溶物を濾過除去した。エーテル
溶液を濃縮乾固して得られた黄色結晶をメタノール50ml
から再結晶して、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2
−ブロモピラジン4.2gを得た。
ンタノイルオキシフェニル}−5−オクチルオキシピラ
ジンの製造 5−(p−メトキシフェニル)−2−クロロピラジン
7gを48%臭化水素酸100mlおよび酢酸100mlの混合物に加
え、得られた混合物を6時間還流下に加熱した。得られ
た反応生成液を減圧下に濃縮し、これに水200mlを加え
析出した黒褐色固体を分離し、この固体をエーテル200m
lに加えて溶解させ、不溶物を濾過除去した。エーテル
溶液を濃縮乾固して得られた黄色結晶をメタノール50ml
から再結晶して、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2
−ブロモピラジン4.2gを得た。
IR(KBr)cm-1:3300、1600、1580、1500、1445、1430、
1320、1300、1270、1210、1160、1110、1010、830、77
0、550、490 金属ナトリウム0.67gを溶解させたオクタノール15ml
に、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラ
ジン2.0gを加え、100℃で4時間撹拌した。これに、希
塩酸(濃塩酸3ml+水20ml)を加えて酸性にした後、エ
ーテル(40ml×3)で抽出した。エーテル液を濃縮して
得られた結晶を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開液:エーテル3%−ヘキサン)にかけて、5−
(p−ヒドロキシフェニル)−2−オクチルオキシピラ
ジン2.1gを得た。
1320、1300、1270、1210、1160、1110、1010、830、77
0、550、490 金属ナトリウム0.67gを溶解させたオクタノール15ml
に、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−ブロモピラ
ジン2.0gを加え、100℃で4時間撹拌した。これに、希
塩酸(濃塩酸3ml+水20ml)を加えて酸性にした後、エ
ーテル(40ml×3)で抽出した。エーテル液を濃縮して
得られた結晶を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開液:エーテル3%−ヘキサン)にかけて、5−
(p−ヒドロキシフェニル)−2−オクチルオキシピラ
ジン2.1gを得た。
IR(KBr)cm-1:3400、2950、2920、2850、1610、1600、
1580、1535、1510、1475、1470、1350、1290、1260、12
40、1175、1100、1055、1015、1005、990、910、830、7
20、595、570 次いで、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−オク
チルオキシピラジン2.0gを2−(S)−クロロ−3−
(S)−メチルペンタノイルクロリドで常法によりエス
テル化して、2−{p−2−(S)−クロロ−3−
(S)−メチルペンタノイルオキシフェニル}−5−オ
クチルオキシピラジン1.8gを得た。
1580、1535、1510、1475、1470、1350、1290、1260、12
40、1175、1100、1055、1015、1005、990、910、830、7
20、595、570 次いで、5−(p−ヒドロキシフェニル)−2−オク
チルオキシピラジン2.0gを2−(S)−クロロ−3−
(S)−メチルペンタノイルクロリドで常法によりエス
テル化して、2−{p−2−(S)−クロロ−3−
(S)−メチルペンタノイルオキシフェニル}−5−オ
クチルオキシピラジン1.8gを得た。
C H N 実測値: 67.04% 7.67% 6.52% 計算値: 66.58 7.68 6.47 (C24H33N2O3Clとして) IR(KBr)cm-1:2960、2930、2860、1760、1605、1595、
1560、1510、1480、1470、1420、1355、1340、1290、12
80、1205、1170、1145、1120、1010、995、930、910、8
50、845、710、575 [実施例2] 2−オクチルオキシ−5−[p−{2−(S)−クロロ
−3−(S)−メチルペンチルオキシ}フェニル]ピラ
ジンの製造 2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンタン酸
12.1gのテトラヒドロフラン(THF)100ml溶液を、−5
℃に冷却したLiAlH43.06gのTHF100ml溶液に40分間かけ
て滴下した。−5℃で1.5時間撹拌した後、室温で15時
間放置した。この溶液を、6N硫酸5mlを含む氷水200ml中
に注ぎ込み、30分間撹拌した後、エーテル(100ml×
5)で抽出した。得られた褐色のエーテル液を減圧蒸留
(b.p.55〜70℃/0.5mmHg)して、2−(S)−クロロ−
3−(S)メチルペンタノール7.6gを得た。
1560、1510、1480、1470、1420、1355、1340、1290、12
80、1205、1170、1145、1120、1010、995、930、910、8
50、845、710、575 [実施例2] 2−オクチルオキシ−5−[p−{2−(S)−クロロ
−3−(S)−メチルペンチルオキシ}フェニル]ピラ
ジンの製造 2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンタン酸
12.1gのテトラヒドロフラン(THF)100ml溶液を、−5
℃に冷却したLiAlH43.06gのTHF100ml溶液に40分間かけ
て滴下した。−5℃で1.5時間撹拌した後、室温で15時
間放置した。この溶液を、6N硫酸5mlを含む氷水200ml中
に注ぎ込み、30分間撹拌した後、エーテル(100ml×
5)で抽出した。得られた褐色のエーテル液を減圧蒸留
(b.p.55〜70℃/0.5mmHg)して、2−(S)−クロロ−
3−(S)メチルペンタノール7.6gを得た。
IR(KBr)cm-1: 3350(ブロード)、2970、2935、2880、1460、1380、10
70、1030、815、770、665 この2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンタ
ノールから常法により、2−(S)−クロロ−3−
(S)メチルペンチル=p−トルエンスルホナートを合
成した。
70、1030、815、770、665 この2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンタ
ノールから常法により、2−(S)−クロロ−3−
(S)メチルペンチル=p−トルエンスルホナートを合
成した。
実施例1におけるようにして合成した5−(p−ヒド
ロキシフェニル)−2−オクチルオキシピラジン0.50g
をKOH0.10gのエタノール30ml溶液に加え、加熱溶解させ
た。この溶液に上記のトシラート0.50gを加え、10時間
還流下に加熱した。冷却後、4N塩酸を添加して酸性し
た。この液からエタノールを減圧下に留去した後、エー
テル抽出して得られた橙色固体を、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開液:エーテル−ヘキサン)にか
けて、2−オクチルオキシ−5−[p−{2−(S)−
クロロ−3−(S)−メチルペンチルオキシ}フェニ
ル]ピラジン0.28gを得た。
ロキシフェニル)−2−オクチルオキシピラジン0.50g
をKOH0.10gのエタノール30ml溶液に加え、加熱溶解させ
た。この溶液に上記のトシラート0.50gを加え、10時間
還流下に加熱した。冷却後、4N塩酸を添加して酸性し
た。この液からエタノールを減圧下に留去した後、エー
テル抽出して得られた橙色固体を、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開液:エーテル−ヘキサン)にか
けて、2−オクチルオキシ−5−[p−{2−(S)−
クロロ−3−(S)−メチルペンチルオキシ}フェニ
ル]ピラジン0.28gを得た。
C H N Cl 実測値: 68.63% 8.14% 6.69% 8.66% 計算値: 68.80% 8.42 6.69 8.46 (C24O35C2O2Clとして) IR(KBr)cm-1:2960、2930、2890、2855、1610、1535、
1515、1465、1420、1380、1350、1295、1260、1245、11
75、1055、1030、1020、1015、1005、990、910、845、8
30、770、690、610、570、420 [実施例3] 2−{2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンチ
ルオキシカルボニル}−5−(p−オクチルオキシフェ
ニル)ピラジンの製造 5−(p−オクチルオキシフェニル)−2−クロロピ
ラジン10.2g、シアン化カリ3.12gおよびテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム1.85gをジメチルホ
ルムアミド100ml中に加え、150℃で6時間還流下に加熱
した。放冷後これに200mlの水を加え、エーテル(200ml
×3)で抽出した。抽出エーテル液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開液:ベンゼン)にかけて、5−(p−オクチル
オキシフェニル)−2−シアノピラジン7.1gを得た。
1515、1465、1420、1380、1350、1295、1260、1245、11
75、1055、1030、1020、1015、1005、990、910、845、8
30、770、690、610、570、420 [実施例3] 2−{2−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンチ
ルオキシカルボニル}−5−(p−オクチルオキシフェ
ニル)ピラジンの製造 5−(p−オクチルオキシフェニル)−2−クロロピ
ラジン10.2g、シアン化カリ3.12gおよびテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム1.85gをジメチルホ
ルムアミド100ml中に加え、150℃で6時間還流下に加熱
した。放冷後これに200mlの水を加え、エーテル(200ml
×3)で抽出した。抽出エーテル液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開液:ベンゼン)にかけて、5−(p−オクチル
オキシフェニル)−2−シアノピラジン7.1gを得た。
IR(KBr)cm-1:2920、2850、2225、1905、1600、1555、
1500、1460、1390、1335、1315、1265、1245、1160、10
40、1015、995、920、830、770、530 5−(p−オクチルオキシフェニル)−2−シアノピ
ラジン7.0gをエチルセロソルブ150mlに溶解し、これにK
OH4.0gの水70ml溶液を加え、100〜110℃で8時間撹拌し
た。これに塩酸10mlを加え、氷冷した後、析出物を濾集
し、水次いでエタノールで洗浄し、乾燥して5−(p−
オクチルオキシフェニル)ピラジン−2−カルボン酸6.
9gを得た。
1500、1460、1390、1335、1315、1265、1245、1160、10
40、1015、995、920、830、770、530 5−(p−オクチルオキシフェニル)−2−シアノピ
ラジン7.0gをエチルセロソルブ150mlに溶解し、これにK
OH4.0gの水70ml溶液を加え、100〜110℃で8時間撹拌し
た。これに塩酸10mlを加え、氷冷した後、析出物を濾集
し、水次いでエタノールで洗浄し、乾燥して5−(p−
オクチルオキシフェニル)ピラジン−2−カルボン酸6.
9gを得た。
IR(KBr)cm-1:2920、2850、1680、1600、1575、1560、
1510、1460、1435、1415、1315、1290、1255、1180、10
20、830、795、735、550 5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン−2−
カルボン酸1.25gと塩化チオニルとから常法によって得
られた酸クロリドをベンゼン15mlに溶解し、この溶液に
実施例2におけると同様にして合成した2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンタノール0.62gを加え、
次いで更にピリジン2mlを加え、室温で3時間撹拌し
た。これにベンゼン15mlを加えた後、水、希塩酸、水、
希炭酸水素ナトリウム水溶液および水で順次洗浄し、次
いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この液から溶媒
を留去して得られた固体を、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開液:ベンゼン)にかけて、淡黄色結晶
を得た。この結晶を、メタノール次いでヘキサンから再
結晶して、2−{2−(S)−クロロ−3−(S)−メ
チルペンチルオキシカルボニル}−5−(p−オクチル
オキシフェニル)ピラジン0.16gを得た。
1510、1460、1435、1415、1315、1290、1255、1180、10
20、830、795、735、550 5−(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン−2−
カルボン酸1.25gと塩化チオニルとから常法によって得
られた酸クロリドをベンゼン15mlに溶解し、この溶液に
実施例2におけると同様にして合成した2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンタノール0.62gを加え、
次いで更にピリジン2mlを加え、室温で3時間撹拌し
た。これにベンゼン15mlを加えた後、水、希塩酸、水、
希炭酸水素ナトリウム水溶液および水で順次洗浄し、次
いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この液から溶媒
を留去して得られた固体を、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開液:ベンゼン)にかけて、淡黄色結晶
を得た。この結晶を、メタノール次いでヘキサンから再
結晶して、2−{2−(S)−クロロ−3−(S)−メ
チルペンチルオキシカルボニル}−5−(p−オクチル
オキシフェニル)ピラジン0.16gを得た。
C H N 実測値: 67.37% 7.98% 6.36% 計算値: 67.17 7.89 6.27 (C25H35N2O3Clと
して) IR(KBr)cm-1:2970、2940、2860、1710、1610、1585、
1570、1520、1470、1320、1295、1260、1190、1140、11
20、1025、850、805 [実施例4] p−ヘプチルオキシ−p′−{2−(S)−クロロ−3
−(S)−メチルペンチルオキシカルボニル}ビフェニ
ルの製造 実施例3における中間体である5−(p−オクチルオ
キシフェニル)ピラジン−2−カルボン酸の代わりに、
p−(p−ヘプチルオキシフェニル)安息香酸を使用し
た外は、実施例3におけると同様にして2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンチル=p−(p−ヘプチ
ルオキシフェニル)ベンゾアートを製造した。
して) IR(KBr)cm-1:2970、2940、2860、1710、1610、1585、
1570、1520、1470、1320、1295、1260、1190、1140、11
20、1025、850、805 [実施例4] p−ヘプチルオキシ−p′−{2−(S)−クロロ−3
−(S)−メチルペンチルオキシカルボニル}ビフェニ
ルの製造 実施例3における中間体である5−(p−オクチルオ
キシフェニル)ピラジン−2−カルボン酸の代わりに、
p−(p−ヘプチルオキシフェニル)安息香酸を使用し
た外は、実施例3におけると同様にして2−(S)−ク
ロロ−3−(S)−メチルペンチル=p−(p−ヘプチ
ルオキシフェニル)ベンゾアートを製造した。
C H 実測値: 72.63% 8.14% 計算値: 72.62 7.97 (C26H35O3Clとして) IR(KBr)cm-1:2950、2920、2850、1725、1595、1520、
1490、1450、1385、1300、1280、1250、1190、1105、82
0、760 実施例1〜4で得られた化合物の相転移温度を第1表
に示す。
1490、1450、1385、1300、1280、1250、1190、1105、82
0、760 実施例1〜4で得られた化合物の相転移温度を第1表
に示す。
さらに、数値は、その数値が記載された欄の相から、
その欄の右の欄のうち『呈』が記載された欄の相への転
移温度を示し、カッコ内の数値はその逆方向の転移温度
を示す。
その欄の右の欄のうち『呈』が記載された欄の相への転
移温度を示し、カッコ内の数値はその逆方向の転移温度
を示す。
[使用例1] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン(Is0→SmA6
1.5℃、SmA→SmC*59.7℃、SmC*→C37.1℃)80部に実
施例1で得た化合物20部を号して得られる液晶組成物の
相転移温度は(Is0→SmA55.9℃、SmA→SmC*52.4℃、Sm
C*→C23.0℃)と室温付近の広い温度範囲でSmC*相を
示す。また、三角波法で自発分極Psを測定したところ1.
3nC/cm2から25.3nC/cm2(いずれもTc−T=10℃で測
定)と飛躍的に大きくなった。一方、本液晶組成物を、
表面にラビング処理を施した透明電極を有する2枚のガ
ラス基板に加熱封入しセル厚が1〜2μmとなるように
組み立てた。前記電気光学素子を、互いに直交する2枚
の偏光板の間に挟持し、±5Vの交流電界を印加すると、
電界の向きに応じて応答した。また、そのときの応答速
度は、実施例1の化合物添加前、 τ(100−10%)=500μsに比して、 τ(100−10%)=75μsと、非常に速くなった。
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン(Is0→SmA6
1.5℃、SmA→SmC*59.7℃、SmC*→C37.1℃)80部に実
施例1で得た化合物20部を号して得られる液晶組成物の
相転移温度は(Is0→SmA55.9℃、SmA→SmC*52.4℃、Sm
C*→C23.0℃)と室温付近の広い温度範囲でSmC*相を
示す。また、三角波法で自発分極Psを測定したところ1.
3nC/cm2から25.3nC/cm2(いずれもTc−T=10℃で測
定)と飛躍的に大きくなった。一方、本液晶組成物を、
表面にラビング処理を施した透明電極を有する2枚のガ
ラス基板に加熱封入しセル厚が1〜2μmとなるように
組み立てた。前記電気光学素子を、互いに直交する2枚
の偏光板の間に挟持し、±5Vの交流電界を印加すると、
電界の向きに応じて応答した。また、そのときの応答速
度は、実施例1の化合物添加前、 τ(100−10%)=500μsに比して、 τ(100−10%)=75μsと、非常に速くなった。
[使用例2] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン(Is0→SmA6
1.5℃、SmA→SmC*59.7℃、SmC*→C37.1℃)90部に実
施例2で得た化合物10部を混合して得られた液晶組成物
の相転移温度は(Is0→SmA55.5℃、SmA→SmC*53.8℃、
SmC*→C35.3℃)と室温付近の広い温度範囲でSmC*相
を示す。また、三角波法で自発分極Psを測定したところ
1.3nC/cm2から10.1nC/cm2(いずれもTc−T=10℃で測
定)と飛躍的に大きくなった。一方、本液晶組成物を、
表面にラビング処理を施した透明電極を有する2枚のガ
ラス基板に加熱封入しセル厚が1〜2μmとなるように
組み立てた。前記電気光学素子を、互いに直交する2枚
の偏光板の間に挟持し、±5Vの交流電界を印加すると、
電界の向きに応じて応答した。また、そのときの応答速
度は、実施例2の化合物添加前、 τ(100−10%)=500μsに比して、 τ(100−10%)=170μsと、非常に速くなった。
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン(Is0→SmA6
1.5℃、SmA→SmC*59.7℃、SmC*→C37.1℃)90部に実
施例2で得た化合物10部を混合して得られた液晶組成物
の相転移温度は(Is0→SmA55.5℃、SmA→SmC*53.8℃、
SmC*→C35.3℃)と室温付近の広い温度範囲でSmC*相
を示す。また、三角波法で自発分極Psを測定したところ
1.3nC/cm2から10.1nC/cm2(いずれもTc−T=10℃で測
定)と飛躍的に大きくなった。一方、本液晶組成物を、
表面にラビング処理を施した透明電極を有する2枚のガ
ラス基板に加熱封入しセル厚が1〜2μmとなるように
組み立てた。前記電気光学素子を、互いに直交する2枚
の偏光板の間に挟持し、±5Vの交流電界を印加すると、
電界の向きに応じて応答した。また、そのときの応答速
度は、実施例2の化合物添加前、 τ(100−10%)=500μsに比して、 τ(100−10%)=170μsと、非常に速くなった。
[使用例3] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン56部、2−ド
デシルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジン24部と実施例1で得られた化合物20
部からなる液晶組成物(Is0→SmA50.8℃、SmA→SmC*4
6.4℃、SmC*→C20℃)をラビング処理を施した透明電
極を有する2枚のガラス基板に加熱封入したセル厚が1
〜2μmとなるように組み立てた。前記電気光学素子
を、互いに直交する2枚の偏光板の間に挟持し±5Vの交
流電界を印加すると、電界の向きに応じて応答した。ま
た、そのときの応答速度は34.5℃で、 τ(100−10%)=78μsと非常に速くコントラスト
は、1:50以上であった。
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン56部、2−ド
デシルオキシ−5−(p−(S)−2−メチルブトキシ
フェニル)ピラジン24部と実施例1で得られた化合物20
部からなる液晶組成物(Is0→SmA50.8℃、SmA→SmC*4
6.4℃、SmC*→C20℃)をラビング処理を施した透明電
極を有する2枚のガラス基板に加熱封入したセル厚が1
〜2μmとなるように組み立てた。前記電気光学素子
を、互いに直交する2枚の偏光板の間に挟持し±5Vの交
流電界を印加すると、電界の向きに応じて応答した。ま
た、そのときの応答速度は34.5℃で、 τ(100−10%)=78μsと非常に速くコントラスト
は、1:50以上であった。
[使用例4] 2−((S)−4−メチルヘキシルオキシ)−5−
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン(Is0→SmA6
1.5℃、SmA→SmC*59.7℃、SmC*→C37.1℃)50部と実
施例4で得た化合物50部を混合して得られる液晶組成物
の相転移温度は(Is0→SmA56.2℃、SmA→SmC*40.4℃、
SmC*→C14.0℃)と室温付近の広い温度範囲でSmC*相
を示す。また、三角波法で自発分極Psを測定したとこ
ろ、1.3nC/cm2から130nC/cm2(いずれも、Tc−T=10℃
で測定)と飛躍的に大きくなった。
(p−オクチルオキシフェニル)ピラジン(Is0→SmA6
1.5℃、SmA→SmC*59.7℃、SmC*→C37.1℃)50部と実
施例4で得た化合物50部を混合して得られる液晶組成物
の相転移温度は(Is0→SmA56.2℃、SmA→SmC*40.4℃、
SmC*→C14.0℃)と室温付近の広い温度範囲でSmC*相
を示す。また、三角波法で自発分極Psを測定したとこ
ろ、1.3nC/cm2から130nC/cm2(いずれも、Tc−T=10℃
で測定)と飛躍的に大きくなった。
[使用例5] チッソ株式会社製の液晶組成物CS−1015(Is0→Ch75.
6℃、Ch→SmA66.7℃、SmA→SmC*62.0℃)τ(100−10
%)=50μs95部、実施例1の化合物5部からなる液晶
組成物を、表面にラビング処理を施した透明電極を有す
る2枚のガラス基板に加熱封入しセル厚が1〜2μmと
なるように組み立てた。前記電気光学素子を、互いに直
交する2枚の偏光板の間に挟持し±20Vの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答した。また、そのと
きの応答速度τ(100−10%)は非常に早く、31μsで
あった。また、相転移温度は(Is0→Ch73.0℃、Ch→SmA
64.9℃、SmA→SmC*62.0℃)であり、SmA→SmC*転移温
度は62℃と降下せず、広い、温度範囲でSmC*相を示す
液晶組成物が得られた。
6℃、Ch→SmA66.7℃、SmA→SmC*62.0℃)τ(100−10
%)=50μs95部、実施例1の化合物5部からなる液晶
組成物を、表面にラビング処理を施した透明電極を有す
る2枚のガラス基板に加熱封入しセル厚が1〜2μmと
なるように組み立てた。前記電気光学素子を、互いに直
交する2枚の偏光板の間に挟持し±20Vの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答した。また、そのと
きの応答速度τ(100−10%)は非常に早く、31μsで
あった。また、相転移温度は(Is0→Ch73.0℃、Ch→SmA
64.9℃、SmA→SmC*62.0℃)であり、SmA→SmC*転移温
度は62℃と降下せず、広い、温度範囲でSmC*相を示す
液晶組成物が得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井下田 昌也 千葉県市原市五井南海岸8番の1 宇部 興産株式会社千葉研究所内 (72)発明者 青木 和雄 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイ コーエプソン株式会社内 (72)発明者 池上 房子 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイ コーエプソン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】一般式[I]: R1−A−B−R2 [I] [上記の式において、R1は、炭素原子1〜15個を有する
アルコキシ基、2−(S)−クロロ−3−(S)−メチ
ルペンチルオキシ基、4−クロロペンチルオキシ基、2
−(S)−クロロ−4−メチルペンチルオキシ基、2−
(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンタノイルオキ
シ基、4−クロロペンタノイルオキシ基あるいは2−
(S)−クロロ−4−メチルペンタノイルオキシ基であ
り、R2は、炭素原子1〜15個を有するアルコキシ基、2
−(S)−クロロ−3−(S)−メチルペンチルオキシ
カルボニル基、4−クロロペンチルオキシカルボニル基
あるいは2−(S)−クロロ−4−メチルペンチルオキ
シカルボニル基であるが、R1およびR2の双方が共に炭素
原子1〜15個を有するアルコキシ基であることはない、
そして AおよびBは、p−フェニレン基または2,5−ピラジニ
レン基であるが、AとBとが共に2,5−ピラジニレン基
であることはない] で表されるハロゲン含有液晶性化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62062195A JP2514813B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ハロゲン含有液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62062195A JP2514813B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ハロゲン含有液晶性化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63227551A JPS63227551A (ja) | 1988-09-21 |
JP2514813B2 true JP2514813B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=13193123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62062195A Expired - Lifetime JP2514813B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ハロゲン含有液晶性化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2514813B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989004308A1 (en) * | 1987-11-12 | 1989-05-18 | Terumo Kabushiki Kaisha | Pyrazine derivatives and medicinal preparation containing same |
JP2814522B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1998-10-22 | ミノルタ株式会社 | 電子写真複写機 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63165371A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Adeka Argus Chem Co Ltd | ピリミジン化合物 |
JPS63190842A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | Chisso Corp | 2−置換アルキルエ−テル類および液晶組成物 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62062195A patent/JP2514813B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63165371A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Adeka Argus Chem Co Ltd | ピリミジン化合物 |
JPS63190842A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | Chisso Corp | 2−置換アルキルエ−テル類および液晶組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63227551A (ja) | 1988-09-21 |
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