JP3133405B2

JP3133405B2 - 液晶化合物

Info

Publication number: JP3133405B2
Application number: JP03215934A
Authority: JP
Inventors: 忠昭磯崎; 伸宏岡部; 繁徳佐久間; 浩之最上谷
Original assignee: Showa Shell Sekiyu KK
Current assignee: Showa Shell Sekiyu KK
Priority date: 1991-08-01
Filing date: 1991-08-01
Publication date: 2001-02-05
Anticipated expiration: 2016-02-05
Also published as: JPH0597821A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ピラジン環を含む光学
的三安定状態を示す液晶物質を用いた液晶素子に関する
ものである。

【０００２】

【従来技術】液晶表示素子は、１）低電圧作動性、２）
低消費電力性、３）薄形表示、４）受光型などの優れた
特徴を有するため、現在まで、ＴＮ方式、ＳＴＮ方式、
ゲスト−ホスト（Ｇｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）方式などが開発
され実用化されている。しかし、現在広く利用されてい
るネマチック液晶を用いたものは、応答速度が数ｍｓｅ
ｃ〜数十ｍｓｅｃと遅い欠点があり、応用上種々の制約
を受けている。これらの問題を解決するため、ＳＴＮ方
式や薄層トランジスタなどを用いたアクティブマトリッ
クス方式などが開発されたが、ＳＴＮ型表示素子は、表
示コントラストや視野角などの表示品位は優れたものと
なったが、セルギャップやチルト角の制御に高い精度を
必要とすることや応答がやや遅いことなどが問題となっ
ている。また、アクティブマトリックス方式の表示素子
では生産技術上の歩留まりが悪く、従ってコストが高く
なるという問題がある。このため、応答性のすぐれた新
しい液晶表示方式の開発が要望されており、光学応答時
間がμｓｅｃオーダーと極めて短かい超高速デバイスが
可能になる強誘電性液晶の開発が試みられていた。

【０００３】強誘電性液晶は、１９７５年、Ｍｅｙｅｒ
等によりＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシルオキシベンジリデ
ン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメート）が初
めて合成された（ＬｅＪｏｕｒｎａｌｄｅＰｈｙ
ｓｉｑｕｅ，３６巻１９７５，Ｌ−６９）。さらに、
１９８０年、ＣｌａｒｋとＬａｇａｗａｌｌによりＤＯ
ＢＡＭＢＣのサブマイクロ秒の高速応答、メモリー特性
など表示ディバイス上の特性が報告されて以来、強誘電
性液晶が大きな注目を集めるようになった〔Ｎ．Ａ．Ｃ
ｌａｒｋ，ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．３６．８９９（１９８０）〕。しかし、彼らの方式
には、実用化に向けて多くの技術的課題が残され、特に
室温で強誘電性液晶を示す材料は無く、表示ディスプレ
ーに不可欠な液晶分子の配列制御に有効かつ実用的な方
法も確立されていなかった。この報告以来、液晶材料／
デバイス両面からの様々な試みがなされ、ツイスト二状
態間のスイッチングを利用した表示デバイスが試作さ
れ、それを用いた高速電気光学装置も例えば特開昭５６
−１０７２１６号などで提案されているが、高いコント
ラストや適正なしきい値特性は得られていない。

【０００４】このような視点から他のスイッチング方式
についても探索され、過渡的な散乱方式が提案された。
その後、１９８８年に三安定状態を有する液晶の三状態
スイッチング方式が報告された〔Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎ
ｄａｎｉ，Ｔ．Ｈａｇｉｗａｒａ，Ｙ．Ｓｕｚｕｋｉｅ
ｔａｌ．，Ｊａｐａｎ．Ｊ．ｏｆＡｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，２７，（５），Ｌ７２９−Ｌ７３２（１９８
８）〕。前記「三状態を有する」とは第一の電極基板と
所定の間隙を隔てて配置されている第二の電極基板の間
に強誘電性液晶が挾まれてなる液晶電気光学装置におい
て、前記第一及び第二の電極基板に電界形成用の電圧が
印加されるよう構成されており、図１Ａで示される三角
波として電圧を印加したとき、図１Ｄのように反強誘電
性液晶が、無電界時に分子配向が第一の安定状態（図１
Ｄの２）を有し、かつ、電界印加時に一方の電界方向に
対し分子配向が前記第一の安定状態とは異なる第二の安
定状態（図１Ｄの１）を有し、さらに他方の電界方向に
対し前記第一及び第二の安定状態とは異なる第三の分子
配向安定状態（図１Ｄの３）を有することを意味する。
三状態スイッチング方式は、液晶分子配向において従来
の双安定状態とは基本的に異なる三安定状態を示す液晶
相Ｓ^＊（３）において示される駆動電圧に対する明確な
しきい特性とヒステリシス特性を応用するものであり、
単純マトリックス方式によって大画面の動画像表示が実
現できる画期的な駆動方法と考えられる。更に、三安定
状態を示す液晶を使用する表示素子の性能は三安定状態
液晶固有の物性であるヒステリシスの形状に大きく依存
する。図２に示すような形状のヒステリシスでは０Ｖで
理想的な暗状態を実現できるが、０ＶよりＶ_１まで電圧
を上げると、又は０Ｖより−Ｖ_１まで電圧を下げると光
漏れが生じる。このようなヒステリシスを持つ三安定状
態を示す液晶は暗状態のメモリー効果が悪いと言える。
そして、この現象は表示素子のコントラストの低下をも
たらす。それに対し、図３に示すようなヒステリシスで
は０Ｖで実現した理想的な暗状態が電圧Ｖ_２又は電圧−
Ｖ_２まで維持されており、暗状態のメモリー効果が良い
と言える。そして、表示素子のコントラストは良好なも
のとなる。

【０００５】三安定状態を示す液晶相Ｓ^＊（３）を相系
列に有する液晶化合物は、本発明者の出願した特開平１
−３１６３６７号、特開平１−３１６３７２号、特開平
１−３１６３３９号、特開平２−２８１２８号及び市橋
等の特開平１−２１３３９０号公報があり、また三安定
状態を利用した液晶電気光学装置としては本出願人は特
開平２−４０６２５号、特開平２−１５３３２２号、特
開平２−１７３７２４号において新しい提案を行ってい
るが、本発明の液晶化合物は未知のものである。

【０００６】

【目的】本発明は上記の問題点に鑑み、複素環を含む液
晶化合物について鋭意検討した結果、ヘテロ環としてピ
ラジン環を含む液晶化合物が、化学的・光化学的に安定
で、しかも大きい誘電異方性を有し、さらに従来の強誘
電性液晶では得られなかった三安定状態を示す液晶相Ｓ
^＊（３）を有することを見い出した。また、ピラジン環
を含む液晶化合物は、しきい値電圧が低いことを見い出
した。本発明の目的は、新規なピラジン環を含む液晶化
合物の三安定状態を示す液晶相Ｓ^＊（３）を利用した新
しい電気光学素子や液晶ディスプレーなどを提供する点
にある。

【０００７】

【構成】本発明は、下記一般式

【化３】〔式中、Ｒ_１′、Ｒ_２′は炭素数４〜１８のアルキル
基、Ｒ_３′はＣＨ_３、ＣＦ_３またはＣ_２Ｆ_５、Ｘ′は
Ｏ、ＣＯＯ、ＣＯまたは単結合、ｔはハロゲン原子が少
なくとも１つ以上置換していることを示す。^＊は光学活
性炭素を示す。〕よりなる群から選ばれた液晶化合物を
三安定状態において利用することを特徴とする反強誘電
性液晶素子に関する。とくに、本発明においては前記液
晶化合物として下記一般式

【化４】〔式中、Ｒ_１′、Ｒ_２′は炭素数４〜１８のアルキル
基、Ｒ_３′はＣＨ_３、ＣＦ_３またはＣ_２Ｆ_５、ｔはハロ
ゲン原子が少なくとも１つ以上置換していることを示
す。^＊は光学活性炭素を示す。〕よりなる群から選ばれ
た液晶化合物であることが好ましい。

【０００８】なお、前記ｔとしてはＦが最も好ましく、
ついでＣｌ、Ｂｒの順である。本発明の目的化合物を具
体的に掲げると、４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル４−（２−アルキルピラジン−５−イル）ベンゾエート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フルオロフェニル４−（２−アルキルピ
ラジン−５−イル）ベンゾエート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル４−（２−アルコキシピラジン−５−イル）ベンゾエー
ト４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フルオロフェニル４−（２−アルコキシ
ピラジン−５−イル）ベンゾエート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル４−（２−アルキルカルボニルオキシピラジン−５−イ
ル）ベンゾエート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フルオロフェニル４−（２−アルキルカ
ルボニルオキシピラジン−５−イル）ベンゾエート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル２−（４−アルキルフェニル）ピラジン−５−イル−カ
ルボキシレート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フルオロフェニル２−（４−アルキルフ
ェニル）ピラジン−５−イル−カルボキシレート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル２−（４−アルコキシフェニル）ピラジン−５−イル−
カルボキシレート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フルオロフェニル２−（４−アルコキシ
フェニル）ピラジン−５−イル−カルボキシレート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フェニル２−（４−アルキルカルボニルオキシフェニル）ピラジ
ン−５−イル−カルボキシレート４−（１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルオキシ
カルボニル）フルオロフェニル２−（４−アルキルカ
ルボニルオキシフェニル）ピラジン−５−イル−カルボ
キシレートさらに、上記化合物のＣＦ_３基にかえて、ＣＨ_３基およ
びＣ_２Ｆ_５基また、上記化合物中のＦ原子にかえて、Ｃ
ｌ原子またはＢｒ原子に置換した化合物等も例示され
る。

【０００９】本発明にかかる化合物の合成法の一例を示
すと次のようである。（ａ）アルキルオキシベンゼンを塩化メチレンに溶解
し、ＡｌＣｌ_３とアセチルクロライドを加えて、４−
（アルキルオキシ）アセトフェノン（１）を得る。次
に、二酸化セレン、ジオキサン、水を加えて、加熱、撹
拌し、４−（アルキルオキシ）フェニルグリオキサール
−水和物（２）を得る。次に、ジアミノマレオニトリル
を加え、２，３−ジニトリル５−（４−アルキルオキ
シフェニル）ピラジン（３）を得る。これを加水分解し
（４）、次に脱炭酸化処理をして２−（４−アルキルオ
キシフェニル）ピラジン−５−イル−カルボン酸（５）
を得る。次に、塩化チオニルにて、２−（４−アルキル
オキシフェニル）ピラジン−５−イル−カルボン酸塩化
物（６）を得る。（ｂ）ベンジルオキシハロゲン置換安息香酸を過剰の塩
化チオニル中で還流し、その塩化物（７）を得る。これ
に光学活性な１，１，１−トリフルオロ−アルカノール
を加え、塩化メチレン中トリエチルアミンの存在下で対
応する４−ベンジルオキシ−ハロゲン置換安息香酸エス
テル（８）を得る。次に接触還元して４−ヒドロキシ−
ハロゲン置換安息香酸エステル（９）を得る。（ｃ）上記（６）と（９）の化合物を塩化メチレン中、
トリエチルアミンの存在下にて反応させ、本発明の目的
化合物である４−（１，１，１−トリフルオロ−２−ア
ルキルオキシカルボニル）ハロゲン置換フェニル２−
（４−アルキルオキシフェニル）ピラジン−５−イル−
カルボキシレートを得る。

【化５】

【化６】

【００１０】

【実施例】実施例１４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ
カルボニル）フェニル２−（４−ｎ−オクチルオキシフェニル）ピラジン−５
−イル−カルボキシレート

【化７】１）４−ベンジルオキシ安息香酸１，１，１−トリ
フルオロ−２−オクチルエステルの合成

【化８】４−ベンジルオキシ安息香酸クロリド４．３ｇを塩化メ
チレン５０ｍｌに溶解させ、次いで光学活性な１，１，
１−トリフルオロ−２−オクタノール２．９ｇとジメチ
ルアミノピリジン０．６ｇとトリエチルアミン１．７ｇ
とを塩化メチレン５０ｍｌに溶解した溶液を氷冷下にて
少量づつ加えた。反応混合物を室温に戻し、一昼夜反応
させ、反応液を氷水に投入し、塩化メチレンにて抽出し
塩化メチレン相を希塩酸、水、１Ｎ炭酸ナトリウム水溶
液、水にて順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥
して溶媒を留去し、粗生成物を得た。これをトルエン−
シリカゲルカラムクロマトグラフで処理し、さらにエタ
ノールにて再結晶して目的化合物３．８ｇを得た。２）４−ヒドロキシ安息香酸１，１，１−トリフル
オロ−２−オクチルエステルの合成

【化９】１）で得られた化合物をメタノール１００ｍｌに溶解
し、１０％担持Ｐｂ−カーボン０．４ｇを加え、水素雰
囲気下水素化分解反応を行ない、目的化合物２．８ｇを
得た。３）４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチル
オキシカルボニル）フェニル２−（４−ｎ−オクチル
オキシフェニル）ピラジン−５−イル−カルボキシレー
トの合成

【化１０】２−（４−ｎ−オクチルオキシフェニル）ピラジン−５
−イル−カルボン酸１．５ｇを過剰の塩化チオニルと共
に還流下に４時間加熱した後、未反応の塩化チオニルを
留去して、２−（４−ｎ−オクチルオキシフェニル）ピ
ラジン−５−イル−カルボン酸塩化物を得た。次いで、
２）で合成した光学活性４−ヒドロキシ安息香酸１，
１，１−トリフルオロ−２−オクチルエステル１．３ｇ
とトリエチルアミン０．５ｇを１０ｍｌの塩化メチレン
中に溶解し、先に合成した２−（４−ｎ−オクチルオキ
シフェニル）ピラジン−５−イル−カルボン酸塩化物を
２０ｍｌの塩化メチレンに溶解した溶液を少ずつ滴下す
る。さらにジメチルアミノピリジン０．２ｇを５ｍｌの
塩化メチレンに溶解したものを加える。室温にて一昼夜
撹拌した。反応混合物を水中に入れ、液性を中性にした
後、塩化メチレン層のみを抽出した。無水硫酸マグネシ
ウムにて乾燥した後、溶媒を留去し、残渣物をシリカゲ
ルクロマトグラフィ及び再結晶にて精製し、目的物１．
８ｇを得た。旋光度［α］２０／Ｄ＝＋３３．１０° ホットステージつき偏光顕微鏡観察による相転移温度
（℃）は次の通りである。

【表１】本目的化合物の赤外線吸収スペクトルを図４に示す。実施例２４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ
カルボニル）フェニル２−（４−ｎ−ノニルオキシフェニル）ピラジン−５−
イル−カルボキシレート

【化１１】２−（４−ｎ−ノニルオキシフェニル）ピラジン−５−
イル−カルボン酸１．６ｇを過剰の塩化チオニルと共に
還流下に４時間加熱した後、未反応の塩化チオニルを留
去して２−（４−ｎ−ノニルオキシフェニル）ピラジン
−５−イル−カルボン酸塩化物を得た。次いで実施例１
の２）で合成した光学活性４−ヒドロキシ安息香酸
１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルエステル１．
３ｇとトリエチルアミン０．５ｇを１０ｍｌの塩化メチ
レン中に溶解し、先に合成した２−（４−ｎ−ノニルオ
キシフェニル）ピラジン−５−イル−カルボン酸塩化物
を２０ｍｌの塩化メチレンに溶解した溶液を少ずつ滴下
する。さらにジメチルアミノピリジン０．２ｇを５ｍｌ
の塩化メチレンに溶解したものを加える。室温にて一昼
夜撹拌した。反応混合物を水中に入れ、液性を中性にし
た後、塩化メチレン層のみを抽出した。無水硫酸マグネ
シウムにて乾燥した後、溶媒を留去し、残渣物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ及び再結晶にて精製し、目
的物１．６ｇを得た。旋光度［α］２０／Ｄ＝＋３２．４１° ホットステージつき偏光顕微鏡観察による相転移温度
（℃）は次の通りである。

【表２】本目的化合物の赤外線吸収スペクトルを図５に示す。実施例３４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ
カルボニル）フェニル２−（４−ｎ−デシルオキシフェニル）ピラジン−５−
イル−カルボキシレート

【化１２】２−（４−ｎ−デシルオキシフェニル）ピラジン−５−
イル−カルボン酸１．６ｇを過剰の塩化チオニルと共に
還流下に４時間加熱した後、未反応の塩化チオニルを留
去して２−（４−ｎ−デシルオキシフェニル）ピラジン
−５−イル−カルボン酸塩化物を得た。次いで実施例１
の２）で合成した光学活性４−ヒドロキシ安息香酸
１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルエステル１．
３ｇとトリエチルアミン０．５ｇを１０ｍｌの塩化メチ
レン中に溶解し、先に合成した２−（４−ｎ−デシルオ
キシフェニル）ピラジン−５−イル−カルボン酸塩化物
を２０ｍｌの塩化メチレンに溶解した溶液を少ずつ滴下
する。さらにジメチルアミノピリジン０．２ｇを５ｍｌ
の塩化メチレンに溶解したものを加え、室温にて一昼夜
撹拌した。反応混合物を水中に入れ、液性を中性にした
後、塩化メチレン層のみを抽出した。無水硫酸マグネシ
ウムにて乾燥した後、塩化メチレンを留去し、残渣物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィ及び再結晶にて精製
し、目的物１．７ｇを得た。旋光度［α］２０／Ｄ＝＋３１．５１° ホットステージつき偏光顕微鏡観察による相転移温度
（℃）は次の通りである。

【表３】本目的化合物の赤外線吸収スペクトルを図６に示す。実施例４４−（２−オクチルオキシカルボニル）フェニル２−
（４−ｎ−オクチルオキシフェニル）ピラジン−５−イ
ル−カルボキシレート

【化１３】実施例１の光学活性１，１，１−トリフルオロ−２−オ
クタノールの代わりに光学活性２−オクタノールを用い
て、実施例１と全く同様な方法で目的化合物を合成し
た。旋光度［α］２０／Ｄ＝−２０．９１° ホットステージつき偏光顕微鏡観察による相転移温度
（℃）は次の通りである。

【表４】本目的化合物の赤外線吸収スペクトルを図７に示す。実施例５ラビング処理したポリイミド配向膜をＩＴＯ電極基板上
に有するセル厚１．６μｍの液晶セルに、実施例１で得
られた液晶化合物４−（１，１，１−トリフルオロ−２
−オクチルオキシカルボニル）フェニル２−（４−ｎ
−オクチルオキシフェニル）ピラジン−５−イル−カル
ボキシレートをＩｓｏｔｒｏｐｉｃ相において充填し、
液晶薄膜セルを作成した。作成した液晶セルを２枚の偏
光板を直交させたフォトマルチプライヤー付き偏光顕微
鏡に、−１５Ｖの直流電圧印加時の分子長軸方向と偏光
子が重なる状態に配置した。この液晶セルを０．１〜
１．０℃／１分間の温度勾配にてＳ^＊ｃ相まで徐冷し
た。さらに冷却してゆき、９５℃〜８２℃の温度範囲に
おいて、±１５Ｖ、１０Ｈｚの三角波電圧を印加した場
合を図８に示した。印加電圧がマイナス域での暗状態、
０ボルト域での中間状態、プラス域での明状態と光透過
率が三つの状態に変化していることを観察し、三つの安
定な液晶分子の配向状態があることを確認した。他の実
施例の化合物についても同様のＳ^＊（３）相において同
一の効果が確認された。実施例６実施例５で作成し、使用した液晶薄膜セルを２枚の偏光
板を直交させたフォトマルチプライヤー付き偏光顕微鏡
に、電圧０Ｖの状態で暗視野となるように配置する。こ
の液晶セルを０．１〜１．０℃／１分間の温度勾配に
て、ＳＡ相まで徐冷する。さらに冷却してゆき、９５〜
８２℃の温度範囲において、図９（ａ）に示す±３０
Ｖ、１０Ｈｚの三角波電圧を印加する。８５℃での印加
電圧と透過率との関係から図９（ｂ）のようなヒステリ
シスが得られた。０Ｖ〜＋Ｖ_３、０Ｖ〜−Ｖ_３までの暗
部の透過率の変化が極めて少ない。これは、暗部のメモ
リー効果が極めて良好であることを示している。また、
しきい値電圧が±１５Ｖ前後であることより、しきい値
電圧の低いことを示している。

【００１１】

【効果】本発明により、特定の一般式で示される液晶化
合物を用いた三安定状態で駆動する新規な液晶素子を提
供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａが印加される三角波を、Ｂが市販ネマチック
液晶の、Ｃは二状態液晶の、Ｄは三状態液晶の、それぞ
れの光学応答特性を示す。

【図２】三状態液晶に関する暗部のメモリー効果の良く
ないヒステリシスを示す。

【図３】三状態液晶に関する暗部のメモリー効果の良い
ヒステリシスを示す。

【図４】実施例１の目的化合物の赤外線吸収スペクトル
を示す。以下の赤外線吸収スペクトル図は、いずれも縦
軸は透過率（％）、横軸は波数（ｃｍ^−１）を示す。

【図５】実施例２の目的化合物の赤外線吸収スペクトル
を示す。

【図６】実施例３の目的化合物の赤外線吸収スペクトル
を示す。

【図７】実施例４の目的化合物の赤外線吸収スペクトル
を示す。

【図８】本発明の三状態液晶化合物が示す暗部のメモリ
ー効果の良いヒステリシスを示したものであり、（ａ）
は印加した三角波電圧を、（ｂ）は印加した三角波電圧
に対する光透過率の変化を示したものである。

【図９】実施例６における本発明の実施例１の三状態液
晶化合物が示す暗部のメモリー効果の良いヒステリシス
を示したものであり、（ａ）は印加した三角波電圧を、
（ｂ）は印加した三角波電圧に対する実施例１の化合物
の光透過率変化のヒステリシスを示したものである。

フロントページの続き (72)発明者最上谷浩之東京都千代田区霞が関３丁目２番５号昭和シェル石油株式会社内 (56)参考文献特開平２−223563（ＪＰ，Ａ) 特開平２−149568（ＪＰ，Ａ) 特開平２−69440（ＪＰ，Ａ) 特開平３−223390（ＪＰ，Ａ) 日本化学会誌；1992年10号、1203− 1212頁日本化学会誌；1992年10号、1213− 1219頁 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/13 C07D 241/24 C09K 19/34 C09K 19/42 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式【化１】〔式中、Ｒ_１′、Ｒ_２′は炭素数４〜１８のアルキル
基、Ｒ_３′はＣＨ_３、ＣＦ_３またはＣ_２Ｆ_５、Ｘ′は
Ｏ、ＣＯＯ、ＣＯまたは単結合、ｔはハロゲン原子が少
なくとも１つ以上置換していることを示す。^＊は光学活
性炭素を示す。〕よりなる群から選ばれた液晶化合物を
三安定状態において利用することを特徴とする反強誘電
性液晶素子。
【請求項２】下記一般式【化２】〔式中、Ｒ_１′、Ｒ_２′は炭素数４〜１８のアルキル
基、Ｒ_３′はＣＨ_３、ＣＦ_３またはＣ_２Ｆ_５、ｔはハロ
ゲン原子が少なくとも１つ以上置換していることを示
す。^＊は光学活性炭素を示す。〕よりなる群から選ばれ
た液晶化合物を三安定状態において利用することを特徴
とする反強誘電性液晶素子。