JP2019049713A - 電子機器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 144
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 229
- 239000000463 material Substances 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】表示装置100は、可撓性を有する基板101上に、表示部102と、外部から信号が入力されうる複数の接続端子112と、複数の配線111と、を有し、接続端子112の一は、配線111の一によって表示部102と電気的に接続されている。また、配線111は、複数本に分岐した第1の部分と、複数本が1本に収束した第2の部分と、を有する。
【選択図】図1
Description
装置に関する。
可撓性を有する基板上に表示素子を設け、表示装置を湾曲させることや、曲面に沿った表
示を行うことが可能な表示装置を備える電子機器が望まれている。このような表示装置は
フレキシブルディスプレイとも呼ばれ、実用化に向け開発が進められている。
Luminescence)素子、液晶素子などが挙げられる。また、フレキシブルデ
ィスプレイとして電気泳動方式や電子粉流体方式などにより表示を行う素子を備える電子
ペーパなどが挙げられる。
が担持された有機EL表示パネルが開示されている。
と表示装置を電気的に接続する接続配線を表示装置に貼り付ける必要がある。当該接続配
線としては、代表的にはFPC(Flexible printed circuit)
などがある。FPCを基板に貼り付ける場合、異方性導電フィルム(ACF:Aniso
tropic Conductive Film)などを用いて熱圧着を行う。
る熱や圧力によって、基板や基板上に設けられた配線が破損してしまう問題がある。また
、基板を湾曲させることに伴い、基板と接続配線が剥がれてしまうといった問題がある。
号や電源電位を安定して供給可能な表示装置を提供することを課題の一とする。または、
信号や電源電位を安定して供給可能な、湾曲可能な表示装置を提供することを課題の一と
する。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
複数の接続端子と、複数の配線と、を有する表示装置であり、接続端子の一は、配線の一
によって表示部と電気的に接続されている。また、配線は、複数本に分岐した第1の部分
と、複数本が1本に収束した第2の部分と、を有する。
る厚さよりも薄い領域を有することが好ましい。
ける厚さよりも厚い領域を有することが好ましい。
で湾曲していることが好ましい。
曲方向と配線の延伸方向とが一致しないように配置されていることが好ましい。
の他の一は、ICと表示部とを電気的に接続し、ICは、当該配線の第1の部分と接続端
子との間に設けられていることが好ましい。
の任意の2点を面に沿って結ぶ線の傾きが連続するとき、その面を湾曲させる、という。
このとき、変形後の面は任意の点において0よりも大きな曲率半径を有する。
で湾曲させた時に装置が有する特定の機能が失われないことを言う。したがって、例えば
湾曲可能な表示装置とは、その一部を湾曲させた場合であっても表示を行うことのできる
表示装置を指す。
位を安定して供給可能な表示装置を提供できる。または、信号や電源電位を安定して供給
可能な、湾曲可能な表示装置を提供できる。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしも各構成における相対的な大
小関係に限定されない。
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、コイル、容量素子、その他の各種機能を有する素
子、各種機能を有する回路などが含まれる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図面を参照して説明
する。
図1(A)は、本発明の一態様の表示装置100の上面概略図である。
、複数の接続端子112、IC113、及び複数の配線114を備える。
することにより、画素部103に画像を表示することができる。
nce)素子、液晶素子などが挙げられる。また、画素に電気泳動方式や電子粉流体方式
などにより表示を行う素子を備える構成としてもよい。
るため好ましい。また表示素子に液晶素子を適用した場合などでバックライトが必要な場
合には、基板101を湾曲させたときにその形状に追従するように、基板101の表示部
102が設けられた面とは反対側に可撓性を有するバックライトを貼り付ければよい。
路としての機能を有する回路などとすることができる。駆動回路104は基板101上に
形成された薄膜トランジスタなどの半導体素子によって構成されていることが好ましい。
なお、駆動回路104は必ずしも基板101上に設ける必要はなく、IC113に駆動回
路104の機能を持たせてもよい。
またその基板101の突出する部分に複数の配線111の一部、複数の接続端子112、
IC113、配線114が設けられている。
2を駆動するために用いられる各種信号を入力することができる端子である。
路としての機能を有する回路などとすることができる。または、入力される画像信号に対
して画像処理を施し、新たな画像信号を生成する機能を有する回路であってもよい。図1
(A)に示すように、基板101上にIC113を実装することが好ましい。なお、IC
113は必ずしも基板101上に実装して設ける必要はなく、例えばIC113を表示装
置100の外部に設け、IC113からの出力信号が接続端子112及び配線111を介
して表示装置100に入力される構成としてもよい。
気的に接続する配線である。配線114が電気的に接続された接続端子112には、IC
113または表示部102を駆動させるための信号が入力される。なお、IC113を設
けない場合には、配線114は不要となる。
11は表示部102と電気的に接続され、表示部102を駆動させるための信号を表示部
102に入力することができる。なお、簡略化のため、図1には配線111の数を少なく
明示しているが、実際にはこれよりも多数の配線を備える場合が多い。
配線と、IC113と表示部102とを電気的に接続する配線とがある。これらは表示部
102を駆動させる信号を、表示部102に伝える機能を有するという点で共通している
。したがって以下では、これらの配線を総称して配線111と呼ぶこととする。
号としては、例えば駆動回路104を駆動するための信号や、IC113を駆動するため
の電源電圧とは異なる電圧を含む信号などが挙げられる。
備えるため、接続端子112とIC113との間の配線114の数と、IC113と表示
部102との間の配線111の数とが一致しない場合について示している。
を湾曲させ、接続端子112及びIC113が設けられた基板101の一部を表示面とは
反対側に湾曲させて折り返すことができる。
00の概略図を示している。また、図1(B)では、表示部102も凹状に湾曲させた状
態を示している。
出部を表示面とは反対側に湾曲させて折り返すことができるため、表示面側から見た表示
装置100の占有面積を縮小でき、狭額縁の表示装置100とすることができる。したが
って例えば表示装置100を電子機器に組み込む場合においては、電子機器の小型化を実
現できる。
12を例えば電子機器の筐体に設けられたコネクタに接続することができる。すなわち、
表示装置100の一部がFPCと同様の機能を果たすことができる。したがって例えば、
可撓性を有する表示装置にFPCを貼り付けた場合における、基板や基板上に設けられた
配線の破損や、基板101を湾曲させたときのFPCの剥がれなどといった不具合を排除
することができる。したがって、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
曲させることができるため、表示する画像として曲面を再現することができる。したがっ
て表示面が平面である表示装置では実現できない多様な画像表現やアプリケーションを実
現することができる。
続いて、配線111の形状の例について説明する。図2(A)には、並列した2本の配
線111について、その一部の上面概略図を示している。
うな形状を有する。言い換えると、配線111は複数本に分岐した第1の部分121と、
当該複数本が1本に収束した第2の部分122とを有する。
うに湾曲させることが好ましい。
伴う応力によって配線に割れが生じ、最悪の場合断線してしまう場合もある。配線の断線
が起こると、表示部102に信号を伝えることができないため、表示不良が生じてしまう
。
に分岐した配線のうち1つが断線したとしても、分岐した他の配線により信号を伝達する
ことが可能となる。したがって、湾曲に伴う表示不良の発生が抑制され、信頼性の高い表
示装置100を実現できる。
た複数の配線のそれぞれの線幅をできるだけ大きくすることが好ましい。このような形状
とすることで、配線111を分岐させることによる抵抗の増加を抑制することができる。
また、分岐した複数の配線のうち1以上が断線した場合であっても、抵抗の増加を抑制で
きるため、信号の遅延などの影響を低減できる。
れず2本以上であればよい。分岐数が多いほど、湾曲させたときの配線の断線のリスクを
低減することができる。
径を小さくできるため、基板101の一部を湾曲させて折り返したときの表示装置100
の実質的な厚さを薄くすることができる。湾曲部110における表示装置100の総厚の
中心位置における曲率半径の許容値としては、0.1mm以上10mm以下、好ましくは
0.5mm以上5mm以下、より好ましくは0.5mm以上2mm以下にまで小さくする
ことができる。
ける断面構成例について、図3を用いて説明する。
は、配線111、IC113、配線114、及び接続端子112を含む領域を示している
。
着層132を介して可撓性を有する基板131が設けられている構成を示している。
ように、その上層の基板131と接着層132が開口されている。当該開口部において、
IC113のバンプ134がACF133を介して配線111または配線114と電気的
に接続されている。
配線114の上面が露出している。当該露出した配線114の一部が接続端子112とし
て機能する。
ることが好ましい。
い場合を示している。
らに加わる応力に違いが生じる。そのため、湾曲部110と重なる配線111の第1の部
分121の厚さを薄くすることにより、湾曲したときの配線111の上部と下部とでこれ
らに加わる応力の差を小さくすることができ、配線111が断線してしまうことを抑制で
きる。
恐れがあるため、第1の部分121にはCuなどの低抵抗な導電性材料を用いることが好
ましい。ここで、配線111は第1の部分121と第2の部分122の材料を異ならせて
もよいし、同じ材料を用いてもよい。
、配線抵抗の増加を抑制することができるため好ましい。また、配線111の第1の部分
121を複数本に分岐する場合には、その上面形状を図2(B)に示すような形状とする
ことで、配線抵抗の増加を効果的に抑制できる。
も厚い場合を示している。
線111自体の機械的強度を高めることができ、湾曲することに伴う配線111の断線を
抑制することができる。
分岐させる場合には、第1の部分121の厚さを厚くすることで、配線抵抗の増加を抑制
することができる。
合を示したが、配線111の表面が露出することなく絶縁されていればよく、この構成に
限定されない。例えば、配線111上に樹脂を形成することにより配線111の表面を絶
縁させると、配線111が設けられた領域における表示装置100の厚さを低減すること
ができ、湾曲させることがより容易となる。また、このとき、配線111や配線114の
一部の領域上の樹脂を除去してその表面を露出させることで、配線111や配線114の
一部を接続端子112として機能させることができる。
異ならせる場合には、厚さの厚い部分と薄い部分とを同一材料の単層構造として、配線の
上部の一部をエッチングにより除去(ハーフエッチングともいう)することで薄い部分を
形成してもよい。
のうち1以上の層を除いた構成としてもよい。
111bの積層構造である場合の断面概略図を示している。
エッチングにより除去して配線111の薄い部分を形成してもよい。このとき、配線11
1aと配線111bとで材料を異ならせると、配線111aをエッチングにより加工する
際に配線111bの上面がエッチングされてしまい、意図した厚さよりも薄くなってしま
うことを抑制できるため好ましい。
111bの端部を覆うように、配線111aを設けることで、配線111の厚い部分を形
成してもよい。このような構成とすることで、配線111a及び配線111bとして同一
の材料を用いてもエッチングに伴う不具合が生じないため好ましい。
料を含んでいることが好ましい。特に、延性と展性のいずれも高い材料を用いることが好
ましい。湾曲部110に用いる配線の延性が高いと、湾曲に伴う配線111の断線が生じ
にくくなる。また、展性が高いと、湾曲した状態から平坦な状態に戻したときに、配線1
11の割れなどが生じにくくなる。延性及び展性の高い材料としては、金、銀、白金、鉄
、ニッケル、銅、アルミニウム、亜鉛、スズなどの金属材料や、当該金属材料を含む合金
などが挙げられる。
、好ましくは全層に上述の材料を用いると、配線111の断線や割れを抑制できる。
以下では、図1に示す表示装置100とは構成の一部が異なる表示装置の構成例につい
て説明する。
。また、表示部102と接続端子112とは、配線111を介して直接電気的に接続され
ている。
い部分に位置する場合を示している。このような構成とすることで、表示面側から見た表
示装置100の占有面積をさらに縮小でき、狭額縁の表示装置100とすることができる
。
曲方向と配線111の延伸方向とが一致しないように配置されている構成を示している。
言い換えると、配線111が湾曲部110と斜めに交差するように設けられている。
く湾曲させたとき、形成される曲面141上の任意の点において、曲面141に沿った接
線142が一義的に決まる。ここで、図6(A)中一点鎖線矢印で示すように、曲面上の
任意の点に接する平面における接線142に垂直な方向を湾曲方向143とする。
2点を当該曲面に沿って最短距離で結ぶ線144が一義的に決まる。ここで、当該線14
4上の任意の点において、線144が上記接線142と直交する場合、曲面141の湾曲
方向と当該線144の延伸方向とが一致する、とする。
上記接線142との成す角は、当該線144上の任意の点で常に等しい角度となる。接線
142と湾曲方向143とは常に直交するため、線144と接線142の成す角のうち鋭
角(90度を含む)のものを、90度から引いて得られた角度を、当該線144の延伸方
向と曲面141の湾曲方向との成す角とよぶ。ここで、図6(B)は、線144の延伸方
向と曲面141の湾曲方向との成す角が0度である場合に相当する。
111の様子を示している。
である)ように配線111が配置されている場合について示す。
145の曲率半径と一致する。
うに、配線111が配置されている場合について示す。言い換えると配線111の延伸方
向と湾曲方向との成す角が0度より大きくなるように、配線111が配置されている。
くは15度以上60度以下、より好ましくは30度以上60度以下とすればよい。
径よりも大きくなる。したがって、被形成面145を湾曲させた時に配線111が破損や
断線してしまうリスクを低減することができ、信頼性の高い表示装置を実現できる。
曲率半径よりも小さい曲率半径で、被形成面145(または基板101)を湾曲させるこ
とができる。したがって、基板101の一部を湾曲させて折り返したときの表示装置10
0の実質的な厚さをより薄くすることができる。
路104に換えて、画素部103を挟む2つの駆動回路(駆動回路104a、104b)
を設けた場合の例を示す。特に高精細な画素部103を備える表示装置においては、この
ように駆動回路を2つに分割することが好ましい。
る位置が確定している場合がある。例えば、所定の位置で折り返すことが可能な電子機器
などでは、常に同じ位置で表示部102を繰り返し湾曲させる必要がある。このとき、駆
動回路104a及び104bも平坦な状態と湾曲した状態が繰り返されることで、駆動回
路104a及び駆動回路104bを構成するトランジスタなどの素子の電気的特性が変化
してしまう恐れがある。
挟むように、駆動回路を分割して設けることが好ましい。図7(B)では、図7(A)に
示す駆動回路104aが、2つの湾曲部120を挟むように駆動回路104c、駆動回路
104d、及び駆動回路104eの3つに分割されている。また同様に、図7(A)に示
す駆動回路104bも、駆動回路104f、駆動回路104g及び駆動回路104hに分
割されている。
割して設けられた2つの駆動回路(駆動回路104c、104d)と、各駆動回路と電気
的に接続され、マトリクス状に配置された複数の画素150を示している。
111から入力された駆動回路104dを駆動させるための各種信号を駆動回路104d
に入力することができる。このとき、駆動回路104c及び駆動回路104d内の回路素
子(シフトレジスタやバッファなど)間の間隔は、画素150の間隔よりも狭く配置する
。
返すように配置する構成としてもよい。このような構成とすることで、駆動回路104c
及び駆動回路104d内の回路素子(シフトレジスタやバッファなど)間の間隔を狭める
ことなく、駆動回路を分割しない場合と同様の間隔で配置することができる。特に画素1
50が高精細に配置されている場合には、このような配置とすることは有効である。
数はこれに限られず、2つ、または4つ以上に分割して設ける構成としてもよい。
とができる。
以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法例について説明する。
〔剥離層の形成〕
まず、支持基板201上に、剥離層202を形成する。
。支持基板201としては、例えばガラス基板、樹脂基板の他、半導体基板、金属基板、
セラミック基板などを用いることができる。
料を用いることができる。好ましくはタングステンを用いる。
続いて、剥離層202上に被剥離層203を形成すると共に、剥離層202と被剥離層
203との間に酸化物層211を形成する。
シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。また被剥離層2
03としては、上記無機絶縁材料を含む層を単層で、もしくは積層して用いることができ
る。
近い層には加熱により水素を放出する層を用いることが好ましい。例えば、剥離層202
側から酸化窒化シリコンを含む層と窒化シリコンを含む層の積層構造とする。
酸素の含有量が多いものをいう。一方、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い
ものは「窒化酸化シリコン」という。
きる。特に、水素を含む成膜ガスを用いたプラズマCVD法により成膜することが好まし
い。
層202と被剥離層203との間に酸化物層211を形成することができる。
タングステン酸化物を含む層とする。
、W4O11、WO2といった様々な組成をとりうる不定比性化合物である。またチタン
酸化物(TiO(2−x))、やモリブデン酸化物(MoO(3−x))も不定比性化合
物である。
ば剥離層202としてタングステンを用いた場合には、酸化物層211がWO3を主成分
とするタングステン酸化物であることが好ましい。
含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、剥離層202の表面に予め酸化物層211を形成す
ることもできる。このような方法を用いると、酸化物層211の厚さをプラズマ処理の条
件を異ならせることで変化させることができ、プラズマ処理を行わない場合に比べて酸化
物層211の厚さの制御性を高めることができる。
m以上20nm以下とする。なお、酸化物層211が極めて薄い場合には、断面観察像で
は確認できない場合がある。
続いて、加熱処理を行い、酸化物層211を変質させる。
給される。
酸化物層211中に酸素の組成の異なる領域が複数混在した状態となる。例えば、剥離層
202としてタングステンを用いた場合には、酸化物層211中のWO3が還元されてこ
れよりも酸素の組成の少ない状態(例えばWO2など)が生成され、これらが混在した状
態となる。このような金属酸化物は酸素の組成に応じて異なる結晶構造を示すため、酸化
物層211内に酸素の組成が異なる複数の領域を設けることで酸化物層211の機械的強
度が脆弱化する。その結果、酸化物層211の内部で崩壊しやすい状態が実現され、後の
剥離工程における剥離性を向上させることができる。
満で行えばよい。また酸化物層211内の金属酸化物と水素の還元反応が生じる温度以上
で行うことが好ましい。例えば、剥離層202にタングステンを用いる場合には、420
℃以上、450℃以上、600℃以上、または650℃以上の温度で加熱する。
の剥離性を向上させることができる。しかし、支持基板201の耐熱性や、生産性を考慮
して加熱温度を低くしたい場合には、上述のように予め剥離層202に対してプラズマ処
理を施して酸化物層211を形成することにより、加熱処理の温度を低くしても高い剥離
性を実現できる。
続いて、被剥離層203上に表示部102、配線111、及び配線114を形成する(
図8(B))。
る配線や、表示素子の駆動を制御する回路に用いるトランジスタを備えていてもよい。
る場合には、被剥離層203上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及び
ドレイン電極を順に形成することで、トランジスタを作製することができる。
どを用いてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ
構造としてもよい。また、チャネルエッチ型のトランジスタ、または、チャネル保護型の
トランジスタを用いてもよい。チャネル保護型の場合、チャネル領域の上にのみ、チャネ
ル保護膜を設けてもよい。または、ソースドレイン電極と半導体層とを接触させる部分の
み開口し、その開口以外の場所にも、チャネル保護膜を設けてもよい。
コンやゲルマニウムなどの半導体材料、化合物半導体材料、有機半導体材料、または酸化
物半導体材料を用いてもよい。
、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結
晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、ト
ランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
ン、多結晶シリコン、または単結晶シリコンなどを用いることができる。
ち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いることが好ましい。代表的にはIn−Ga
−Zn系金属酸化物などが挙げられる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャ
リア密度の小さい酸化物半導体を用いると、オフ状態におけるリーク電流を抑制できるた
め好ましい。
を含む層を挟持した発光素子を、上記被剥離層203上に形成することにより、フレキシ
ブルな発光装置を作製することもできる。例えば発光素子を有するフレキシブルな照明装
置(又は光源)を作製することもできるし、トランジスタと発光素子や液晶素子のような
表示素子とを含む複数の画素を被剥離層203上に作製することで、画像表示装置を作製
してもよい。フレキシブルな画像表示装置の例については、後の実施の形態で説明する。
一の層を加工して形成することが好ましい。例えばトランジスタのゲート電極、ソース電
極、ドレイン電極、発光素子の一部を構成する電極、トランジスタと発光素子とを電気的
に接続する配線などが挙げられる。
ている。配線111の配線111aのみが形成されている部分が第1の部分に相当し、配
線111の配線111a及び配線111bが積層されている部分が第2の部分に相当する
。また配線114は、配線111の第2の部分と同様の構成である。ここで、例えば配線
111bにトランジスタのゲート電極と同じ材料を用い、配線111aにトランジスタの
ソース電極又はドレイン電極と同じ材料を用いることで、工程を増やすことなく配線11
1を形成することができる。
続いて、支持基板201と基板131とを接着層132を介して貼り合わせる(図8(
C))。
ンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などの樹脂のほか、
可撓性を有する程度に薄い金属基板、ガラス基板などを用いることができる。または、金
属、ガラス、または樹脂のいずれか2種以上を積層した複合材料を用いてもよい。
透過しにくいバリア層が設けられていることが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化窒
化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの層が設けられて
いてもよい。
外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシ
ロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。また、後に基板131を除
去する場合には、水溶性樹脂や有機溶媒に可溶な樹脂などを用いることもできる。
続いて、酸化物層211を境にして、剥離層202と被剥離層203とを剥離する(図
8(D))。
、剥離層202と被剥離層203の間に剥離の起点を形成する。例えば、これらの間に刃
物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで剥離の起点を形成してもよい。また一部の領
域にレーザ光を照射し剥離層202の一部を溶解、蒸発、または熱的に破壊させることで
剥離の起点を形成してもよい。また、液体(例えばアルコールや水、二酸化炭素を含む水
など)を剥離層202の端部に滴下し、毛細管現象を利用して該液体を剥離層202と被
剥離層203の境界に浸透させることにより剥離の起点を形成してもよい。
に物理的な力を加えることにより、被剥離層203を破損することなく剥離することがで
きる。このとき、支持基板201または基板131にテープ等を貼り付け、当該テープを
上記方向に引っ張ることで剥離を行ってもよいし、鉤状の部材を支持基板201または基
板131の端部に引っ掛けて剥離を行ってもよい。また、粘着性の部材や真空吸着が可能
な部材を支持基板201または基板131の裏面に吸着させて引っ張ることにより剥離を
行ってもよい。または、粘着性のローラを支持基板201または基板131の裏面に押し
付け、ローラを回転させながら移動することにより剥離を行ってもよい。
界面に浸透するように剥離を行うことで、剥離性を向上させることができる。
生じる。したがって、図8(D)に示すように、剥離後の剥離層202の表面及び被剥離
層203の表面には、酸化物層211が付着する場合がある。図8(D)では、被剥離層
203側に付着した酸化物層211aと、剥離層202側に付着した酸化物層211bを
示している。なお付着した酸化物層211a及び211bのそれぞれの厚さは異なってい
てもよく、上述のように酸化物層211と剥離層202との界面で剥離しやすいことから
被剥離層203側に厚く付着する場合が多い。
その後、図8(E)に示すように被剥離層203の剥離面側に接着層135を介して基
板101を貼り付ける。接着層135及び基板101に用いることのできる材料としては
、それぞれ上記接着層132及び基板131を参酌することができる。
続いて、配線111及び配線114の表面の一部を露出するために、基板131及び接
着層132の一部を除去して開口を形成する(図8(F))。
などで覆い、開口する部分に基板131及び接着層132を溶解させる溶剤を滴下し、溶
解した基板131及び接着層132を拭き取ることにより、配線111及び配線114の
一部を露出する開口を形成することができる。または、開口する部分を囲うように、基板
131の上面からカッター等の刃物で切り込みをいれ、基板131及び接着層132を物
理的に引きはがしてもよい。または、レーザ光の照射などにより、基板131及び接着層
132の一部を除去してもよい。
成する方法としては上記に限られず、基板101上に直接表示部102や配線111及び
配線114を形成してもよい。基板101が表示部102や配線111及び配線114の
形成工程に掛かる熱に対して耐熱性を有している場合には、基板101上に直接表示部1
02や配線111及び配線114を形成すると、工程が簡略化できるため好ましい。この
とき、基板101を支持基材に固定した状態で表示部102や配線111及び配線114
を形成すると、これらを形成するための装置内、及び装置間における搬送が容易になるた
め好ましい。
層との界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。例えば金属と
樹脂など、密着性の低い材料の組み合わせとしてもよい。
。例えば、支持基板としてガラスを用い、被剥離層としてポリイミドなどの有機樹脂を用
いて、有機樹脂を加熱することにより、剥離を行ってもよい。または、支持基板と有機樹
脂からなる被剥離層の間に金属層を設け、当該金属層に電流を流して当該金属層を加熱す
ることにより、当該金属層と被剥離層の界面で剥離を行ってもよい。
とができる。
本実施の形態では、実施の形態1で例示した表示装置のより具体的な構成例について、
図面を参照して説明する。以下では、有機EL素子が適用された画像表示装置の例につい
て説明する。
図9に、上面射出(トップエミッション)方式が採用された表示装置300の断面概略
図を示す。なお、図9に示す表示装置300の上面概略図は図1を参酌することができ、
図9は図1における、表示部102、配線111、及び接続端子112を含む領域を切断
する断面概略図に相当する。
03を有する。また被剥離層203上に、発光素子340を備える画素部103及び駆動
回路104、配線111、及び接続端子112を有する。また、可撓性を有する基板35
3が、封止層352を介して基板354と対向して設けられている。
11の厚さの厚い部分(図9では第2の部分122)は、後に説明するトランジスタのゲ
ート電極と同一の導電膜と、ソース電極及びドレイン電極と同一の導電膜の積層構造を有
している。また配線111の厚さの薄い部分(図9では第1の部分121)は、トランジ
スタのソース電極及びドレイン電極と同一の導電膜で構成されている。また、配線111
の一部の表面が露出し、接続端子112を構成している。
l、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ru、Ag、Ta及びWなどの金
属、または上述の金属を含む合金、または上述の金属の窒化物などを用いることができる
。なお配線111として、トランジスタや表示素子を構成する電極や配線と同一の導電膜
を加工して形成する場合には、多くの場合その厚さが十分に薄いため、延性や展性の乏し
い材料であっても、湾曲に伴う破損や断線を抑制することができる。
とトランジスタ312を組み合わせた回路を有する例を示している。なお、駆動回路10
4はnチャネル型のトランジスタを組み合わせた回路に限られず、nチャネル型のトラン
ジスタとpチャネル型のトランジスタを組み合わせた種々のCMOS回路や、pチャネル
型のトランジスタを組み合わせた回路を有する構成としてもよい。
イッチング用のトランジスタ313と、電流制御用のトランジスタ314と、電流制御用
のトランジスタ314の電極(ソース電極又はドレイン電極)に電気的に接続された第1
の電極333を含む。また第1の電極333の端部を覆う絶縁層319が設けられている
。
37が順に積層された積層体である。本構成例で例示する表示装置300は、上面発光方
式が適用された表示装置であるため、第2の電極337に透光性の材料を用いる。また第
1の電極333には反射性の材料を用いることが好ましい。EL層335は少なくとも発
光性の有機化合物を含む。EL層335を挟持する第1の電極333と第2の電極337
の間に電圧を印加し、EL層335に電流を流すことにより、発光素子340を発光させ
ることができる。
被剥離層343を有する。また被剥離層343上の発光素子340と対向する位置にカラ
ーフィルタ321を有し、絶縁層319と重なる位置にブラックマトリクス322を有す
る。被剥離層343は、被剥離層203と同様の材料からなる層である。
て、タッチセンサを形成してもよい。また、基板353および基板354とは別の可撓性
を有する基板上に形成されたタッチセンサを、光射出側の基板に重ねて設けてもよい。ま
た、光学センサを備えるタッチセンサを適用する場合には、画素部103に複数の光電変
換素子をマトリクス状に配置する。
る不純物が拡散することを抑制する機能を有することが好ましい。また、トランジスタの
半導体層に接する絶縁層316及び絶縁層318は、半導体層への不純物の拡散を抑制す
ることが好ましい。これらの絶縁層には、例えばシリコンなどの半導体やアルミニウムな
どの金属の、酸化物または窒化物を用いることができる。また、このような無機絶縁材料
の積層膜、または無機絶縁材料と有機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。
ルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、窒化シリコン、
酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化タンタル等から選ばれた材料を用いることがで
きる。また上記材料を単層で又は積層して用いてもよい。なお、本明細書中において、窒
化酸化とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、酸化窒化と
は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示す。なお、各元素の含有量
は、例えば、ラザフォード後方散乱分析法(RBS分析法:Rutherford Ba
ckscattering Spectrometry)等を用いて測定することができ
る。また、上記無機絶縁材料として、ハフニウムシリケート(HfSiOx)、窒素が添
加されたハフニウムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウムア
ルミネート(HfAlxOyNz)、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等のhigh−
k材料を用いてもよい。
きる。すなわち、支持基板上に剥離層、酸化物層及び被剥離層343を形成し、被剥離層
343上にカラーフィルタ321及びブラックマトリクス322を形成した後に剥離を行
い、その後被剥離層343の裏面側に接着層342を介して基板353を貼り付けること
により図9に示す構成を得ることができる。
と接着層342の間に、酸化物層211aまたは酸化物層341を有していてもよい。酸
化物層211a及び酸化物層341は極めて薄く、且つ透光性を有するため、発光素子3
40からの発光の取り出し側に設けられていても、発光効率を低下させる恐れはほとんど
ない。
成された被剥離層343とを、封止層352により貼り合わせる際、それぞれ剥離を行う
前に支持基板上に設けられた状態で貼り合わせを行い、貼り合わせ後にそれぞれの支持基
板から剥離を行うことが好ましい。特に高精細な画素部103を有する表示装置のように
、カラーフィルタ321と画素との位置合わせに高い精度が要求される場合では、ガラス
基板などの支持基板に固定された状態で貼り合わせを行うことで、高い精度でこれらの位
置あわせを行うことができる。このような方法により、高精細が実現されたフレキシブル
な表示装置を実現できる。
態様はこれに限定されない。表示素子として、液晶素子や、電気泳動素子(電子ペーパ)
などを用いることも可能である。電気泳動素子を用いる場合、バックライトが不要である
ため、フレキシブルな表示装置の一態様として好適である。
本構成例では、下面射出(ボトムエミッション)方式が採用された表示装置について説
明する。なお、上記構成例1と重複する部分については説明を省略する。
ている。表示装置350は、発光素子340よりも基板354側にカラーフィルタ321
を有している。また、可撓性を有する基板353が直接、封止層352に接して設けられ
、上記表示装置300における被剥離層343や接着層342を有していない。
7には反射性の材料を用いる。したがって、EL層335からの発光は、基板354側に
射出される。
ィルタ321が設けられている。さらに、カラーフィルタ321を覆って絶縁層317が
設けられている。
材料を用いることが好ましい。または、基板353の封止層352と接する面に、上述し
た不純物が拡散することを抑制する機能を有する絶縁材料を含む膜が設けられていること
が好ましい。
以下では、上述した各要素に用いることのできる材料、及び形成方法について説明する
。
可撓性を有する基板の材料としては、有機樹脂や可撓性を有する程度に薄いガラス材料
などを用いることができる。
)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタ
クリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂
、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好まし
く、例えば、熱膨張係数が30×10−6/K以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(
プリプレグとも記す)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使
用することもできる。
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラ
ス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いても良い。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。
発光に対して透光性を有する材料を用いる。光射出側に設ける材料において、光の取り出
し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好ましい。例
えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからな
る基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径40nm以下の小さな無機フィ
ラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板の厚さは、可撓性や曲
げ性を得るために、10μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下
であることが好ましい。金属基板を構成する材料としては特に限定はないが、例えば、ア
ルミニウム、銅、ニッケル、または、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合
金などを好適に用いることができる。光を取り出さない側の可撓性を有する基板に、金属
または合金材料を含む導電性の基板を用いると、発光素子340からの発熱に対する放熱
性が高まるため好ましい。
縁膜を形成するなどし、絶縁処理が施された基板を用いることが好ましい。例えば、電着
法、スピンコート法やディップ法などの塗布法、スクリーン印刷法などの印刷法、蒸着法
やスパッタリング法など堆積法などの方法を用いて導電性の基板表面に絶縁膜を形成して
もよいし、酸素雰囲気下で放置または加熱する方法や、陽極酸化法などの方法により、基
板の表面を酸化してもよい。
坦化した絶縁表面を形成するために平坦化層を設けてもよい。平坦化層としては絶縁性の
材料を用いることができ、有機材料または無機材料で形成することができる。例えば、平
坦化層は、スパッタリング法などの堆積法、スピンコート法やディップ法などの塗布法、
インクジェット法やディスペンス法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法等を用
いて形成することができる。
えば有機樹脂からなる層を2種類以上積層した材料、有機樹脂からなる層と無機材料から
なる層を積層した材料、無機材料からなる層を2種類以上積層した材料などを用いる。無
機材料からなる層を設けることにより、水分等の内部への浸入が抑制されるため、発光装
置の信頼性を向上させることができる。
いることができる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミ
ニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムなどを用いればよい。
層の上層または下層に、スパッタリング法、CVD法または塗布法などにより、上記無機
材料からなる層を形成することができる。
発光素子340において、光射出側に設ける電極にはEL層335からの発光に対して
透光性を有する材料を用いる。
ウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。また
は、グラフェンを用いても良い。また、上記電極の導電層として、金、銀、白金、マグネ
シウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム
、またはチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。または、こ
れら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用いても良い。なお、金属材料(ま
たはその窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記
材料の積層膜を上記電極の導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができる
ため好ましい。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。
当該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上させ
ることができる。
雰囲気下で成膜した第1の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜し
た第2の導電性酸化物膜の積層膜とすると、EL層への成膜ダメージを低減させることが
できるため好ましい。ここで特に第1の導電性酸化物膜を成膜する際に用いるアルゴンガ
スの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−70℃以下、好ましくは−100℃以下
のアルゴンガスを用いることが好ましい。
る材料を用いることが好ましい。
グステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属、または
これらを含む合金を用いることができる。またこれら金属または合金にランタンやネオジ
ム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アル
ミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合
金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウ
ムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅を含む合金は耐熱性が高いた
め好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接して金属膜、または金属酸化物膜を積層す
ることで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜
の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料
からなる膜と金属材料からなる膜とを積層しても良い。例えば、銀と酸化インジウム酸化
スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いる
ことができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。
含めば良く、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されていてもよい。複数の層
で構成されている構成としては、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、並びに電子注入層が積層された構成を例に挙げることができる。なお、発光層を除く
これらの層はEL層335中に必ずしも全て設ける必要はない。また、これらの層は重複
して設けることもできる。具体的にはEL層335中に複数の発光層を重ねて設けてもよ
く、電子注入層に重ねて正孔注入層を設けてもよい。また、中間層として電荷発生層の他
、電子リレー層など他の構成を適宜加えることができる。また、例えば、異なる発光色を
呈する発光層を複数積層する構成としてもよい。例えば補色の関係にある2以上の発光層
を積層することにより白色発光を得ることができる。
、スピンコート法などの塗布法を用いて形成できる。
接着層、封止層としては、例えば、二液混合型樹脂などの常温で硬化する樹脂、熱硬化
性樹脂、光硬化性樹脂などの硬化性材料や、ゲルなどを用いることができる。例えば、エ
ポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリビニル
クロライド(PVC)、ポリビニルブチラル(PVB)、エチレンビニルアセテート(E
VA)などを用いることができる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい
。
化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物
質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、
物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。また、粒状の乾燥剤を設けること
により、当該乾燥剤により発光素子340からの発光が乱反射されるため、信頼性が高く
、且つ視野角依存性が改善した発光装置(特に照明用途等に有用)を実現できる。
カラーフィルタ321は、発光素子340からの発光色を調色し、色純度を高める目的
で設けられている。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場
合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色(R)
、緑色(G)、青色(B)の3色のカラーフィルタを用いてもよいし、これに黄色(Y)
を加えた4色とすることもできる。また、R、G、B、(及びY)に加えて白色(W)の
画素を用い、4色(または5色)としてもよい。
ている。ブラックマトリクス322は隣接する画素の発光素子340から回り込む光を遮
光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ321の端部を、ブ
ラックマトリクス322と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができ
る。ブラックマトリクス322は、発光素子340からの発光を遮光する材料を用いるこ
とができ、金属や、顔料を含む有機樹脂などを用いて形成することができる。なお、ブラ
ックマトリクス322は、駆動回路104などの画素部103以外の領域に設けてもよい
。
けてもよい。オーバーコートは、カラーフィルタ321やブラックマトリクス322を保
護するほか、これらに含まれる不純物が拡散することを抑制する。オーバーコートは発光
素子340からの発光を透過する材料から構成され、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いるこ
とができる。
とができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を備える電子機器の例について説明する
。
を組み込むことのできる電子機器としては、例えばテレビジョン装置(テレビ、またはテ
レビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタル
ビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。また、照明や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装
または外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
1に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本
発明の一態様の表示装置を表示部7402に用いることにより作製される。
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニ
ュー画面に切り替えることができる。
って、湾曲した表示面に沿った表示を行うことができ、且つ信頼性の高い携帯電話機とす
ることができる。
0は、筐体7101、表示部7102、操作ボタン7103、及び送受信装置7104を
備える。
た映像を表示部7102に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信
することもできる。
え、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
って、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
は、筐体7201、表示部7202、バンド7203、バックル7204、操作ボタン7
205、入出力端子7206などを備える。
ターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することがで
きる。
ことができる。また、表示部7202はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面
に触れることで操作することができる。例えば、表示部7202に表示されたアイコン7
207に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末7200に組み込まれたオペレーションシ
ステムにより、操作ボタン7205の機能を自由に設定することもできる。
無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話すること
もできる。
介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子7206を介して充電
を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子7206を介さずに無線給電により行
ってもよい。
ができる。
。したがって、信頼性が高く、曲面に沿った表示が可能で、且つ狭額縁の電子機器を実現
できる。
とができる。
101 基板
102 表示部
103 画素部
104 駆動回路
104a 駆動回路
104b 駆動回路
104c 駆動回路
104d 駆動回路
104e 駆動回路
104f 駆動回路
104g 駆動回路
104h 駆動回路
110 湾曲部
111 配線
111a 配線
111b 配線
112 接続端子
113 IC
114 配線
120 湾曲部
121 第1の部分
122 第2の部分
131 基板
132 接着層
133 ACF
134 バンプ
135 接着層
141 曲面
142 接線
143 湾曲方向
144 線
145 被形成面
151 配線
201 支持基板
202 剥離層
203 被剥離層
211 酸化物層
211a 酸化物層
211b 酸化物層
300 表示装置
311 トランジスタ
312 トランジスタ
313 トランジスタ
314 トランジスタ
316 絶縁層
317 絶縁層
318 絶縁層
319 絶縁層
321 カラーフィルタ
322 ブラックマトリクス
333 電極
335 EL層
337 電極
340 発光素子
341 酸化物層
342 接着層
343 被剥離層
350 表示装置
352 封止層
353 基板
354 基板
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 携帯情報端末
7201 筐体
7202 表示部
7203 バンド
7204 バックル
7205 操作ボタン
7206 入出力端子
7207 アイコン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (2)
- 表示装置と、筐体と、を有し、
前記表示装置は、表示部と、複数の接続端子と、複数の配線と、ICと、を有し、
前記複数の配線は、前記表示部と、前記複数の接続端子との間に配置され、
前記ICは、前記複数の配線の一部を介して前記表示部と電気的に接続され、
前記基板は、前記複数の接続端子が設けられた第1の辺と、前記第1の辺と対向する第2の辺と、を有し、
前記第1の辺は、前記第2の辺よりも短く、
前記複数の配線は、第1の配線を有し、
前記第1の配線は、第1の導電層と、前記第1の導電層上の第2の導電層と、有し、
前記第1の配線は、前記第1の領域と、第2の領域と、を有し、
前記第2の領域は、複数の開口を有し、
前記第1の導電層は、前記第2の領域において、前記第2の導電層と重ならない領域を有し、
前記第1の配線は、前記第2の領域において、第1の湾曲した形状を有し、
前記表示部は、第2の湾曲した形状を有すること特徴とする電子機器。 - 表示装置と、筐体と、を有し、
前記表示装置は、表示部と、複数の接続端子と、複数の配線と、ICと、を有し、
前記複数の配線は、前記表示部と、前記複数の接続端子との間に配置され、
前記ICは、前記複数の配線の一部を介して前記表示部と電気的に接続され、
前記基板は、前記複数の接続端子が設けられた第1の辺と、前記第1の辺と対向する第2の辺と、を有し、
前記第1の辺は、前記第2の辺よりも短く、
前記複数の配線は、第1の配線を有し、
前記第1の配線は、第1の導電層と、前記第1の導電層上の第2の導電層と、有し、
前記第1の配線は、前記第1の領域と、第2の領域と、を有し、
前記第2の領域は、複数の開口を有し、
前記第1の導電層は、前記第2の領域において、前記第2の導電層と重ならない領域を有し、
前記第1の配線は、前記第2の領域において、第1の湾曲した形状を有し、
前記表示部は、第2の湾曲した形状を有し、
前記第1の湾曲部は、前記ICと前記表示部との間に設けられていること特徴とする電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013045119 | 2013-03-07 | ||
JP2013045119 | 2013-03-07 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014040718A Division JP2014197181A (ja) | 2013-03-07 | 2014-03-03 | 表示装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018220155A Division JP6530126B2 (ja) | 2013-03-07 | 2018-11-26 | 電子機器 |
JP2020123834A Division JP2020197724A (ja) | 2013-03-07 | 2020-07-20 | 電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019049713A true JP2019049713A (ja) | 2019-03-28 |
Family
ID=51487552
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014040718A Withdrawn JP2014197181A (ja) | 2013-03-07 | 2014-03-03 | 表示装置 |
JP2016234909A Active JP6389861B2 (ja) | 2013-03-07 | 2016-12-02 | 腕時計 |
JP2017172780A Active JP6306790B2 (ja) | 2013-03-07 | 2017-09-08 | 表示装置及び電子機器 |
JP2018167563A Withdrawn JP2019049713A (ja) | 2013-03-07 | 2018-09-07 | 電子機器 |
JP2018220155A Active JP6530126B2 (ja) | 2013-03-07 | 2018-11-26 | 電子機器 |
JP2020123834A Withdrawn JP2020197724A (ja) | 2013-03-07 | 2020-07-20 | 電子機器 |
JP2021104357A Withdrawn JP2021170118A (ja) | 2013-03-07 | 2021-06-23 | 電子機器 |
JP2022201806A Withdrawn JP2023051978A (ja) | 2013-03-07 | 2022-12-19 | 表示装置 |
JP2022202944A Active JP7377944B2 (ja) | 2013-03-07 | 2022-12-20 | 表示装置 |
JP2024010108A Pending JP2024040218A (ja) | 2013-03-07 | 2024-01-26 | 表示装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014040718A Withdrawn JP2014197181A (ja) | 2013-03-07 | 2014-03-03 | 表示装置 |
JP2016234909A Active JP6389861B2 (ja) | 2013-03-07 | 2016-12-02 | 腕時計 |
JP2017172780A Active JP6306790B2 (ja) | 2013-03-07 | 2017-09-08 | 表示装置及び電子機器 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018220155A Active JP6530126B2 (ja) | 2013-03-07 | 2018-11-26 | 電子機器 |
JP2020123834A Withdrawn JP2020197724A (ja) | 2013-03-07 | 2020-07-20 | 電子機器 |
JP2021104357A Withdrawn JP2021170118A (ja) | 2013-03-07 | 2021-06-23 | 電子機器 |
JP2022201806A Withdrawn JP2023051978A (ja) | 2013-03-07 | 2022-12-19 | 表示装置 |
JP2022202944A Active JP7377944B2 (ja) | 2013-03-07 | 2022-12-20 | 表示装置 |
JP2024010108A Pending JP2024040218A (ja) | 2013-03-07 | 2024-01-26 | 表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US9543533B2 (ja) |
JP (10) | JP2014197181A (ja) |
KR (4) | KR20150126353A (ja) |
CN (3) | CN105474290B (ja) |
TW (7) | TW202333401A (ja) |
WO (1) | WO2014136856A1 (ja) |
Families Citing this family (156)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9851811B2 (en) * | 2012-02-20 | 2017-12-26 | Beijing Lenovo Software Ltd. | Electronic device and method for controlling the same |
WO2014175296A1 (en) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR20150021000A (ko) | 2013-08-19 | 2015-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9229481B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20150075367A (ko) | 2013-12-25 | 2015-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
KR102086644B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블표시장치 및 이의 제조방법 |
JP6253448B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-12-27 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルムシート |
KR102435833B1 (ko) | 2014-02-28 | 2022-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
US9363342B2 (en) * | 2014-03-05 | 2016-06-07 | Lg Electronics Inc. | Mobile terminal and arrangement to generate a bending force on a display |
CN104898873A (zh) * | 2014-03-06 | 2015-09-09 | 宝宸(厦门)光学科技有限公司 | 触控面板 |
KR102223784B1 (ko) * | 2014-06-03 | 2021-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연성 회로 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN104006358A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-08-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曲率可调节的背板及其应用 |
WO2016012900A1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US20160105950A1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Apple Inc. | Electronic Device Having Structured Flexible Substrates With Bends |
US9600112B2 (en) * | 2014-10-10 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Signal trace patterns for flexible substrates |
WO2016059514A1 (en) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
KR20190006101A (ko) * | 2014-10-28 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 장치 |
JP6322555B2 (ja) * | 2014-11-26 | 2018-05-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置及び検出機能付き表示装置 |
CN104486902B (zh) * | 2014-11-27 | 2018-01-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 弯折型印刷电路板 |
US11042124B2 (en) * | 2014-12-12 | 2021-06-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Timepiece component and method of manufacturing timepiece component |
US9933868B2 (en) * | 2014-12-16 | 2018-04-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Flexible touch sensor |
US9591746B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-03-07 | Industrial Technology Research Institute | Electronic device package, electronic device structure and method of fabricating electronic device package |
TWI589193B (zh) * | 2014-12-16 | 2017-06-21 | 財團法人工業技術研究院 | 可撓性裝置以及可撓性裝置的製作方法 |
KR102291466B1 (ko) * | 2015-01-20 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
KR102320382B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2021-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
TWI696108B (zh) * | 2015-02-13 | 2020-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法 |
JP6404150B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
JP6553382B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-07-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102276416B1 (ko) * | 2015-03-26 | 2021-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6346584B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-06-20 | グンゼ株式会社 | タッチパネルおよびその製造方法 |
JP6329925B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2018-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2017006419A1 (ja) | 2015-07-06 | 2017-01-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 表示装置 |
WO2017037560A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
ES2926958T3 (es) * | 2015-09-28 | 2022-10-31 | Lightntec Gmbh & Co Kg | Pantalla luminosa |
US10516118B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices |
KR102257253B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2021-05-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성기판 |
US10181504B2 (en) * | 2015-10-14 | 2019-01-15 | Apple Inc. | Flexible display panel with redundant bent signal lines |
CN105137743B (zh) * | 2015-10-15 | 2018-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种智能手表 |
JP6546525B2 (ja) | 2015-12-24 | 2019-07-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106980256B (zh) * | 2016-01-18 | 2019-07-30 | 上海和辉光电有限公司 | 一种手表及其制造方法 |
KR102375685B1 (ko) * | 2016-02-02 | 2022-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
US10361385B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
JP6727843B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-07-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6640599B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6456317B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2019-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および可撓性表示装置 |
KR102643637B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2024-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN107180808B (zh) * | 2016-03-09 | 2019-07-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种导线及制作导线的方法 |
KR102536250B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2023-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN107221546A (zh) * | 2016-03-21 | 2017-09-29 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
KR102505879B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102454824B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
KR102479508B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2022-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2017188508A (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置、表示装置 |
JP6756508B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2020-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6719948B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2020-07-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102525124B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2023-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102586676B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2023-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP6625933B2 (ja) * | 2016-06-06 | 2019-12-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106125542B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-05-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 智能手表及其多次数字运算方法 |
KR102403234B1 (ko) * | 2016-06-20 | 2022-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI792916B (zh) | 2016-06-24 | 2023-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置、電子裝置 |
JP6736379B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-08-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6732562B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-07-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102359245B1 (ko) * | 2016-07-08 | 2022-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
KR102692576B1 (ko) * | 2016-07-20 | 2024-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US10321562B2 (en) * | 2016-07-22 | 2019-06-11 | Lg Innotek Co., Ltd | Flexible circuit board, COF module and electronic device comprising the same |
KR102489612B1 (ko) * | 2016-07-22 | 2023-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성 회로기판, cof 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스 |
JP6783573B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-11-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6749807B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2020-09-02 | 新光電気工業株式会社 | 光半導体装置 |
KR102710823B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2024-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102557892B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2023-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN106205394B (zh) * | 2016-09-05 | 2020-05-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、显示装置及制作方法 |
WO2018051212A1 (en) | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel |
KR102694860B1 (ko) | 2016-09-23 | 2024-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
GB2557419B (en) * | 2016-10-07 | 2020-04-01 | Jaguar Land Rover Ltd | Control unit |
JP6775376B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-10-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6815159B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2021-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106526931A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-03-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法 |
KR102614599B1 (ko) * | 2016-11-07 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 롤러블 디스플레이 장치 |
JP6998652B2 (ja) | 2016-11-11 | 2022-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018078057A (ja) | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102589241B1 (ko) * | 2016-12-19 | 2023-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치의 cof |
CN108257971B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-07-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
KR102491829B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2023-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 유기 화합물, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
JP2018116137A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
JP6777558B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2020-10-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106816459B (zh) * | 2017-02-28 | 2019-08-13 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示基板和柔性显示装置 |
EP3605624A4 (en) | 2017-03-24 | 2020-12-09 | Yamaha Corporation | MODULE FOR THERMOELECTRIC POWER GENERATION, DEVICE FOR THERMOELECTRIC POWER GENERATION USING THE MODULE FOR THERMOELECTRIC POWER GENERATION AND TEMPERATURE MEASUREMENT METHOD |
KR102455038B1 (ko) * | 2017-04-12 | 2022-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US20180323239A1 (en) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Innolux Corporation | Display device |
KR102381286B1 (ko) * | 2017-05-18 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN107170758B (zh) * | 2017-05-25 | 2020-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR102409200B1 (ko) * | 2017-06-01 | 2022-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치전극을 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2019003099A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法、及び表示装置 |
CN107331686A (zh) | 2017-06-30 | 2017-11-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板、线路结构及oled显示设备 |
JP2019020463A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
KR102340729B1 (ko) | 2017-07-31 | 2021-12-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10644096B2 (en) | 2017-08-22 | 2020-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN107479754B (zh) * | 2017-08-22 | 2020-07-28 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性触摸传感器和柔性触摸显示面板 |
CN207134069U9 (zh) | 2017-08-31 | 2019-09-27 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示基板及显示装置 |
CN107491221B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制备方法、显示装置 |
CN207134068U (zh) * | 2017-08-31 | 2018-03-23 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示面板和柔性显示装置 |
CN107634086B (zh) | 2017-09-15 | 2020-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 |
JPWO2019078318A1 (ja) | 2017-10-20 | 2020-11-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2019078927A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN107894681A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法及显示面板 |
US11145707B2 (en) | 2018-01-09 | 2021-10-12 | Wuhan China Star Opotelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel, trace structure and organic light emitting diode display apparatus |
US20210036092A1 (en) * | 2018-01-30 | 2021-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
JP7043298B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN108493212A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示结构及电子设备 |
CN108281089B (zh) * | 2018-03-29 | 2020-04-24 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示面板和柔性显示装置 |
CN108322579A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-07-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种移动终端 |
CN208077535U (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及柔性显示装置 |
KR102546667B1 (ko) * | 2018-05-15 | 2023-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 |
WO2019234841A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | コニカミノルタ株式会社 | ケーブル付きフレキシブル回路及びその製造方法、並びにケーブル付きフレキシブル回路中間体 |
KR102622861B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2024-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연성 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN108877501A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
TWI666492B (zh) * | 2018-07-09 | 2019-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件基板 |
WO2020012726A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 株式会社村田製作所 | 無線通信デバイスおよびその製造方法 |
KR102528500B1 (ko) | 2018-07-19 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11985876B2 (en) * | 2018-07-20 | 2024-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN108766249B (zh) * | 2018-08-09 | 2020-12-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种可折叠的显示面板及可折叠显示装置 |
KR102615116B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN109585515A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器走线结构 |
KR102651854B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2024-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 |
CN109755412B (zh) * | 2019-01-15 | 2021-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件 |
KR102201820B1 (ko) * | 2019-01-30 | 2021-01-12 | 주식회사 창성시트 | 디스플레이 기판 |
KR102543443B1 (ko) * | 2019-03-08 | 2023-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 연성 인쇄 회로 기판의 제조 방법 |
KR20200112068A (ko) * | 2019-03-20 | 2020-10-05 | 삼성전자주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
DE102019205617A1 (de) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | Brose Fahrzeugteile Se & Co. Kommanditgesellschaft, Bamberg | Verfahren zur Herstellung eines Trägermoduls und Trägermodul |
CN110085123B (zh) * | 2019-04-29 | 2021-10-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
CN110047804B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示面板、拼接屏 |
GB201906509D0 (en) * | 2019-05-08 | 2019-06-19 | Flexenable Ltd | Reduced border displays |
KR20210010716A (ko) * | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111768702B (zh) * | 2019-07-24 | 2022-03-29 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性显示器 |
CN111951676B (zh) * | 2019-07-24 | 2022-03-25 | 友达光电股份有限公司 | 可挠式装置 |
KR20210013506A (ko) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210013496A (ko) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110544709B (zh) * | 2019-08-06 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法与修复方法 |
US11508922B2 (en) * | 2019-08-27 | 2022-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including elastic member |
CH716627A1 (fr) * | 2019-09-23 | 2021-03-31 | Mft Dhorlogerie Audemars Piguet Sa | Matériau composite forgé. |
CN110797348B (zh) * | 2019-10-12 | 2022-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
CN110824894A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 智能手表 |
JP7523915B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2024-07-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フレキシブル基板 |
CN115039061A (zh) * | 2020-02-11 | 2022-09-09 | 东友精细化工有限公司 | 可折叠触摸传感器面板 |
CN113903773A (zh) * | 2020-07-06 | 2022-01-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及电子设备 |
US11733731B2 (en) * | 2020-08-03 | 2023-08-22 | Cambrios Film Solutions Corporation | Conductive laminated structure and foldable electronic device |
CN114089854A (zh) * | 2020-08-25 | 2022-02-25 | 宸美(厦门)光电有限公司 | 触控面板、触控面板的制作方法及触控装置 |
JP7438905B2 (ja) * | 2020-09-17 | 2024-02-27 | 株式会社東芝 | ディスク装置 |
US11347359B2 (en) | 2020-09-30 | 2022-05-31 | Tpk Advanced Solutions Inc. | Touch panel, manufacturing method of touch panel, and device thereof |
KR20230128094A (ko) * | 2021-01-13 | 2023-09-01 | 캐논 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | 광전 변환 기판 |
CN113593411B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
CN113707021B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置 |
DE112021008263T5 (de) * | 2021-09-24 | 2024-08-14 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Abtaststeuerschaltung und ansteuerverfahren, anzeigesubstrat, anzeigepanel und vorrichtung |
KR20230111969A (ko) * | 2022-01-19 | 2023-07-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성 인쇄회로기판, cof 모듈 및 이를 포함하는 전자디바이스 |
CN117133190B (zh) * | 2023-01-18 | 2024-11-01 | 荣耀终端有限公司 | 折叠屏和可折叠电子设备 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5663077U (ja) * | 1979-10-19 | 1981-05-27 | ||
JPS57164734U (ja) * | 1981-04-10 | 1982-10-18 | ||
JPH06120643A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブル配線板およびその製造方法 |
JPH06194680A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Casio Comput Co Ltd | 液晶フィルム基板 |
JPH071424A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | 押出セメント板の製造方法 |
JP2007178706A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2010102010A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示パネル |
JP2011118082A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
JP2012128006A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
JP2012220636A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2013015835A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Samsung Display Co Ltd | 可撓性表示パネル及び該可撓性表示パネルを備える表示装置 |
JP2013029568A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5752954Y2 (ja) * | 1977-05-13 | 1982-11-17 | ||
JPS5663077A (en) | 1979-10-29 | 1981-05-29 | Toyo Boseki | Fabric |
JPS56116011A (en) | 1980-02-18 | 1981-09-11 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
JPS5719896A (en) | 1980-07-08 | 1982-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Notifying device |
JPS5841675Y2 (ja) * | 1980-07-09 | 1983-09-20 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電界発光灯表示パネル |
JPS57164734A (en) | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Black-and-white photographic sensitive silver halide material |
JPS5825057A (ja) | 1981-07-16 | 1983-02-15 | Jeol Ltd | 質量分析装置 |
JPS5825057U (ja) | 1981-08-08 | 1983-02-17 | ソニー株式会社 | フレキシブル・プリント・サ−キツト |
JPS5937761A (ja) | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Nec Corp | 自動ダイヤル装置の番号記憶およびダイヤル発信方式 |
JPS5937761U (ja) | 1982-09-03 | 1984-03-09 | 株式会社東芝 | 屈曲自在型印刷配線板 |
JPH0422075A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Seiko Epson Corp | 配線接続装置 |
JPH0462885A (ja) | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Seiko Epson Corp | フレキシブル回路基板 |
JP2959641B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1999-10-06 | 株式会社リコー | 液晶表示装置 |
JP2934126B2 (ja) * | 1993-08-10 | 1999-08-16 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク装置用の磁気ヘッドユニット |
JPH06168314A (ja) | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 娯楽装置 |
US5461202A (en) | 1992-10-05 | 1995-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flexible wiring board and its fabrication method |
JPH10115837A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Omron Corp | 液晶表示装置 |
US6338809B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
US6688528B2 (en) | 1997-07-15 | 2004-02-10 | Silverbrook Research Pty Ltd | Compact display assembly |
JPH1152394A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH11305227A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
US6433414B2 (en) * | 2000-01-26 | 2002-08-13 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing flexible wiring board |
TW487896B (en) | 2000-02-24 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corp | Mounting structure for semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus |
US7019718B2 (en) | 2000-07-25 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP3739640B2 (ja) | 2000-08-28 | 2006-01-25 | シャープ株式会社 | 液晶モジュールの製造方法 |
JP2002131773A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
JP2002148659A (ja) | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2003005667A (ja) | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Pioneer Electronic Corp | 表示装置 |
JP2003069164A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Nitto Denko Corp | フラットパネルディスプレイ用フレキシブル配線回路基板 |
KR100803163B1 (ko) | 2001-09-03 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
US7145411B1 (en) * | 2002-03-18 | 2006-12-05 | Applied Micro Circuits Corporation | Flexible differential interconnect cable with isolated high frequency electrical transmission line |
JP2004037859A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | 表示装置 |
KR100864000B1 (ko) * | 2002-11-28 | 2008-10-16 | 삼성전자주식회사 | 연성 인쇄회로기판을 갖는 액정표시모듈 |
JP2005017567A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Sony Corp | 液晶表示装置と液晶表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置とエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
US7531752B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-05-12 | Nec Corporation | Flexible substrate and electronic device |
FR2868866B1 (fr) | 2004-04-09 | 2008-04-11 | Framatome Anp Sas | Procede et dispositif de surveillance du coeur d'un reacteur nucleaire |
JP2005338179A (ja) | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP4276678B2 (ja) | 2004-07-28 | 2009-06-10 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
KR100671660B1 (ko) * | 2004-10-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연성 회로 기판 및 그것을 채용한 표시 장치 |
WO2006046679A1 (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 |
US7449372B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device |
CN101615623B (zh) * | 2005-03-25 | 2012-07-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器电路 |
JP4147298B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2008-09-10 | 株式会社 大昌電子 | フレックスリジッドプリント配線板およびフレックスリジッドプリント配線板の製造方法 |
US7710739B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
JP5376705B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2013-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示パネル |
US7978397B2 (en) | 2005-05-25 | 2011-07-12 | Bridgestone Corporation | Information display panel and method for manufacturing the same |
JP2006330213A (ja) | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Bridgestone Corp | 情報表示用パネル |
US7863188B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4907179B2 (ja) | 2006-01-27 | 2012-03-28 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
WO2007105732A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光ピックアップ装置およびそれを搭載した光ディスク装置 |
EP1895545B1 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5068067B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-11-07 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置および平面型表示装置 |
JP2008299112A (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
EP2163944B1 (en) | 2007-06-20 | 2013-06-19 | Bridgestone Corporation | Information display panel |
JP5630729B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-11-26 | Nltテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
US8125606B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-02-28 | Nlt Technologies, Ltd. | Display device with branched terminal electrode |
JP5371341B2 (ja) | 2007-09-21 | 2013-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気泳動方式の表示装置 |
JP4448535B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2010-04-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
JP5458500B2 (ja) | 2008-02-14 | 2014-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP2010010201A (ja) | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Sharp Corp | 光結合装置及びこの光結合装置を搭載した電子機器 |
JP2010072380A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
CN201266288Y (zh) * | 2008-09-27 | 2009-07-01 | 上海广电光电子有限公司 | 液晶显示装置 |
WO2010070735A1 (ja) | 2008-12-16 | 2010-06-24 | 株式会社島津製作所 | 光マトリックスデバイス |
CN101924816B (zh) | 2009-06-12 | 2013-03-20 | 清华大学 | 柔性手机 |
JP5041379B2 (ja) | 2009-07-06 | 2012-10-03 | Necアクセステクニカ株式会社 | 積層型回路基板及びその製造方法 |
US8576209B2 (en) | 2009-07-07 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9035190B2 (en) * | 2009-10-16 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible circuit board and display device |
US20110261541A1 (en) | 2009-12-10 | 2011-10-27 | Panasonic Corporation | Driving device, display panel module, display apparatus, and method of manufacturing driving device |
JP2011158559A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用基板および接続構造 |
JP2011209405A (ja) | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
JP5471728B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-04-16 | 凸版印刷株式会社 | 表示パネル、この表示パネルを利用した大型表示パネル |
KR101109313B1 (ko) | 2010-04-14 | 2012-01-31 | 삼성전기주식회사 | 터치스크린 패널을 포함하는 표시장치 |
JP5516048B2 (ja) | 2010-05-12 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | デバイス装置及びディスプレイ装置 |
KR101481674B1 (ko) | 2010-08-19 | 2015-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널을 갖는 표시 장치 |
US8923014B2 (en) | 2010-08-19 | 2014-12-30 | Lg Display Co., Ltd. | Display device having touch panel |
JP5757083B2 (ja) | 2010-12-01 | 2015-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置 |
KR101778650B1 (ko) | 2011-02-23 | 2017-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP5236767B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2013-07-17 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
JP2012221120A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Fujitsu Component Ltd | タッチパネル |
US8711570B2 (en) | 2011-06-21 | 2014-04-29 | Apple Inc. | Flexible circuit routing |
KR20130027307A (ko) | 2011-09-07 | 2013-03-15 | 삼성전기주식회사 | 터치패널 |
US9083344B2 (en) * | 2012-02-01 | 2015-07-14 | Apple Inc. | Touch sensor with integrated signal bus extensions |
KR101935552B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2019-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치 |
US9419065B2 (en) * | 2012-08-07 | 2016-08-16 | Apple Inc. | Flexible displays |
KR102097150B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2020-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
TWM455211U (zh) * | 2013-02-05 | 2013-06-11 | Unidisplay Inc | 觸控面板以及觸控顯示面板 |
-
2014
- 2014-02-27 KR KR1020157024086A patent/KR20150126353A/ko not_active IP Right Cessation
- 2014-02-27 KR KR1020247019634A patent/KR20240097949A/ko unknown
- 2014-02-27 KR KR1020217006684A patent/KR20210027553A/ko not_active IP Right Cessation
- 2014-02-27 TW TW111150258A patent/TW202333401A/zh unknown
- 2014-02-27 CN CN201480012109.5A patent/CN105474290B/zh active Active
- 2014-02-27 TW TW107146501A patent/TWI692280B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-02-27 CN CN201810685805.2A patent/CN108807708B/zh active Active
- 2014-02-27 US US14/192,178 patent/US9543533B2/en active Active
- 2014-02-27 TW TW103106774A patent/TWI618460B/zh active
- 2014-02-27 TW TW109111333A patent/TWI736204B/zh active
- 2014-02-27 WO PCT/JP2014/055704 patent/WO2014136856A1/en active Application Filing
- 2014-02-27 TW TW110124647A patent/TWI790673B/zh active
- 2014-02-27 CN CN201910489773.3A patent/CN110364083B/zh active Active
- 2014-02-27 TW TW106113306A patent/TWI650052B/zh active
- 2014-02-27 TW TW107120816A patent/TWI681696B/zh active
- 2014-02-27 KR KR1020187035582A patent/KR20180133942A/ko active Application Filing
- 2014-03-03 JP JP2014040718A patent/JP2014197181A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-11-29 US US15/363,228 patent/US10096669B2/en active Active
- 2016-12-02 JP JP2016234909A patent/JP6389861B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-07 US US15/670,309 patent/US10263063B2/en active Active
- 2017-09-08 JP JP2017172780A patent/JP6306790B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-07 JP JP2018167563A patent/JP2019049713A/ja not_active Withdrawn
- 2018-11-26 JP JP2018220155A patent/JP6530126B2/ja active Active
- 2018-12-06 US US16/211,763 patent/US10680055B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-27 US US16/884,369 patent/US11271070B2/en active Active
- 2020-07-20 JP JP2020123834A patent/JP2020197724A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-06-23 JP JP2021104357A patent/JP2021170118A/ja not_active Withdrawn
- 2021-11-10 US US17/523,153 patent/US11678538B2/en active Active
-
2022
- 2022-12-19 JP JP2022201806A patent/JP2023051978A/ja not_active Withdrawn
- 2022-12-20 JP JP2022202944A patent/JP7377944B2/ja active Active
-
2023
- 2023-05-04 US US18/143,182 patent/US11950474B2/en active Active
-
2024
- 2024-01-26 JP JP2024010108A patent/JP2024040218A/ja active Pending
- 2024-03-25 US US18/614,822 patent/US20240237445A1/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5663077U (ja) * | 1979-10-19 | 1981-05-27 | ||
JPS57164734U (ja) * | 1981-04-10 | 1982-10-18 | ||
JPH06120643A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブル配線板およびその製造方法 |
JPH06194680A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Casio Comput Co Ltd | 液晶フィルム基板 |
JPH071424A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | 押出セメント板の製造方法 |
JP2007178706A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2010102010A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示パネル |
JP2011118082A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
JP2012128006A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
JP2012220636A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2013015835A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Samsung Display Co Ltd | 可撓性表示パネル及び該可撓性表示パネルを備える表示装置 |
JP2013029568A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20200721 |