TWI589193B

TWI589193B - 可撓性裝置以及可撓性裝置的製作方法

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Publication number: TWI589193B
Application number: TW103143848A
Authority: TW
Inventors: 吳政哲; 蔡鎭竹; 黃建融; 葉永輝; 陳恒殷
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2014-12-16
Filing date: 2014-12-16
Publication date: 2017-06-21
Also published as: US20160174358A1; US9408300B2; CN105992450A; CN105992450B; TW201625076A

Description

可撓性裝置以及可撓性裝置的製作方法

本發明是有關於一種可撓性裝置及其製作方法。

可撓性裝置必須使用可撓性基板來實現可撓曲的特性。不過，可撓性基板的可撓曲特性卻導致無法直接將電子元件製作於其上的問題。為了製作電子元件於可撓性基板上，需要將可撓性基板貼附於硬質的載板或是機台上，以利用載板或是機台提供合適的支撐，進而將電子元件形成於可撓性基板上。如此，在電子元件製作完成之後需要將可撓性基板自硬質的載板或是機台上取下。

目前，可撓性基板在製作完電子元件後可以自載板取下，會使用離型層將可撓性基板與載板接合。接著，使用機械剝除技術，施加合適的剝離力以讓可撓性基板自載板分離。離型層提供的附著力不高，因此機械剝除時不需施加強大的剝離力。不過，於可撓性基板上製作電子元件時，整體裝置的剛性強度並不均勻，也就是有些區域的剛性相對較大，因此在機械剝除時需要施加的剝離力也會不一樣。被施加的剝離力較大的區域可能發生元件的損壞，製作良率並不理想。

本發明提供一種可撓性裝置，具有良好的品質。

本發明提供一種可撓性裝置的製作方法，具有良好的製作良率。

本發明的可撓性裝置具有一第一區以及一第二區，且部分第一區的剛性大於第二區的剛性。可撓性裝置包括可撓性基板與剛性元件。可撓性基板包括彼此相對的一第一表面與一第二表面，且可撓性基板的第二表面在第一區具有一粗糙結構而使第二表面在第一區的表面粗糙度大於在第二區的表面粗糙度。剛性元件配置於可撓性基板的第一表面上且位於第一區，其中剛性元件的剛性大於可撓性基板的剛性且粗糙結構投影於該可撓性基板的區域與剛性元件的面積相重疊。

本發明的可撓性裝置的製作方法，包括將一可撓性基板藉由一離型層暫時地貼附於一載板上，其中可撓性基板具有一第一表面與一第二表面，且第二表面接觸於離型層；形成至少一元件於可撓性基板的第一表面上以形成一可撓性裝置，其中可撓性裝置具有一第一區以及一第二區，且部分第一區的剛性大於第二區的剛性；以及以一雷射射束由載板朝向位於第一區的離型層照射，且雷射射束的照射路徑落在第一區。

本發明實施例的可撓性裝置的製作方法可以降低剛性元件所在區域所需要的剝離力。因此，可撓性裝置的製作方法具有理想的良率。另外，本發明實施例的製作方法不易損壞可撓性裝置上的構件，因此本發明實施例的可撓性裝置具有理想的品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、10A‧‧‧離型層

20‧‧‧載板

100、200、300、400‧‧‧可撓性裝置

102、202、302、402‧‧‧第一區

104、204、304、404‧‧‧第二區

110、210、310、410、410B‧‧‧可撓性基板

112、212、412‧‧‧第一表面

114、214、414‧‧‧第二表面

114A、214A、314A、414A‧‧‧粗糙結構

120、320‧‧‧元件

122、322A、322B‧‧‧剛性元件

124‧‧‧功能性元件

410A‧‧‧可撓性基板的部分

A-A、B-B、C-C、D-D、E-E、F-F‧‧‧線

DL‧‧‧移動方向

DP‧‧‧剝離方向

HB、HB1、HB2、HBS‧‧‧熱應力區

L‧‧‧雷射射束

LB、LB1、LB2‧‧‧照射點

P1、P2、P3‧‧‧軌跡

R‧‧‧方向

S1‧‧‧第一側

S2‧‧‧第二側

S3‧‧‧第三側

S4‧‧‧第四側

TH、TH1、TH2、TH3‧‧‧通孔

Z1、Z2‧‧‧分離介面

Θ1、Θ2、Θ3‧‧‧斜向角度

圖1A為本發明第一實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖1B為圖1A的剖線A-A的剖面示意圖。

圖1C為圖1A的剖線B-B的剖面示意圖。

圖2A為本發明第一實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖2B為圖2A的剖線A-A的剖面示意圖。

圖2C為圖2A的剖線B-B的剖面示意圖。

圖3A為本發明第一實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖3B為圖3A的剖線A-A的剖面示意圖。

圖3C為圖3A的剖線B-B的剖面示意圖。

圖4A為本發明第一實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。

圖4B為本發明第一實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。

圖4C為圖4A的剖線A-A的剖面示意圖。

圖4D為圖4A的剖線B-B的剖面示意圖。

圖5為本發明第一實施例的可撓性基板的第二表面的顯微照片圖。

圖6A為本發明第二實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖6B為圖6A的剖線C-C的剖面示意圖。

圖6C為圖6A的剖線D-D的剖面示意圖。

圖7A為本發明第二實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖7B為圖7A的剖線C-C的剖面示意圖。

圖7C為圖7A的剖線D-D的剖面示意圖。

圖7D至圖7F為雷射射束L沿照射路徑照射的過程。

圖8A為本發明第二實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖8B為圖8A的剖線C-C的剖面示意圖。

圖8C為圖8A的剖線D-D的剖面示意圖。

圖9A為本發明第二實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。

圖9B為本發明第二實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。

圖10A為本發明第三實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。

圖10B為本發明第三實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。

圖11A為本發明第四實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖11B為圖11A的剖線E-E的剖面示意圖。

圖11C為圖11A的剖線F-F的剖面示意圖。

圖12A為本發明第四實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖12B為圖12A的剖線E-E的剖面示意圖。

圖12C為圖12A的剖線F-F的剖面示意圖。

圖13A為本發明第四實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖。

圖13B為圖13A的剖線E-E的剖面示意圖。

圖13C為圖13A的剖線F-F的剖面示意圖。

圖14為圖2A的步驟中，雷射射束的照射方法的一種實施方式。

圖15表示在圖14的照射方式下雷射照射點與熱影響區的示意圖。

圖16與圖17為圖2A的步驟中，雷射射束的照射方法的另外兩種實施方式。

圖18與圖19為雷射照射步驟的不同實施方式的示意圖。

圖1A為本發明第一實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖1B為圖1A的剖線A-A的剖面示意圖，而圖1C為圖1A的剖線B-B的剖面示意圖。請參照圖1A至圖1C，將一可撓性基板110藉由一離型層10可暫時地貼附於一載板20上，其中可撓性基板110具有相對的一第一表面112與一第二表面114，且第二表面114接觸於離型層10。具體來說，可撓性基板110的材質例如為聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PA)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)或聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)等可撓性材料。可撓性基板110也可以具有阻氣層。以聚亞醯胺而言，此類型可撓性材料可以是先以溶液狀態塗佈於已經形成有離型層10的載板20上，再藉由固化步驟固化成可撓性基板110，其中固化步驟可以包括光固化步驟、熱固化步驟或其他步驟。或是，在其他實施例中，聚亞醯胺材料已經製作成薄膜狀的可撓性基板110，而在本步驟中藉由離型層10暫時地將可撓性基板110貼附於載板20上。另外，離型層10用來暫時地將可撓性基板110貼附於載板20上，因此離型層10的黏著力可不要求十分穩固。也就是說，可撓性基板110在後續製作步驟中，仍可以自離型層10上被取下。

此外，如圖1A至圖1C所示，形成至少一元件120於可撓性基板110的第一表面112上以形成一可撓性裝置100。在本實施例中，元件120包括有剛性元件122與功能性元件124，其中剛性元件122的剛性既大於可撓性基板110也大於功能性元件124。因此，可撓性裝置100可以劃分出第一區102與第二區104，其中剛性元件122位於第一區102中而功能性元件124位於第二區104中。第一區102中由於設置有剛性元件122，可撓性裝置100在第一區102的剛性會大於在第二區104的剛性。

在一實施例中，剛性元件122可例如為驅動晶片，而功能性元件124可例如為有機發光元件、無機發光元件、感測元件、顯示元件或其組合。在其他實施例中，剛性元件122可以為電極，而功能性元件124可以為電池元件。在這些實施例中，剛性元件122可以電性連接於功能性元件。另外，剛性元件122也可以為裝置中相對剛硬的構件，例如框膠或側向阻隔層，而且剛性元件122可以設置於功能性元件124的周邊。在此所謂的剛性大致上可以由元件各層的厚度與楊氏係數等來綜合判定。

一般來說，將可撓性基板110暫時貼附於載板20上可以使得元件120的製作過程保有理想的精準度與良率。在所需要的元件120都已經製作於可撓性基板110後，整個可撓性裝置100需要自載板20上取下，以完成獨立的可撓性裝置100。離型層10提供的附著力可以不像一般永久性黏著層強，因此只要施加足夠的剝離力就可以將可撓性基板110自載板20上取下。不過，當要剝離的部分具有較大的剛性或是可撓性較差時，將可撓性基板110自載板20上取下所需要的剝離力會大幅的增加。舉例來說，在一實施例中，當剛性元件122為封裝好的驅動晶片而功能性元件122為有機發光元件時，要將剛性元件122所在區域(例如本實施例的第一區102)的可撓性基板110與載板20分離需要約3.867公斤(Kg)的離型力，而其餘部分(例如本實施例的第二區104)的分離僅需要低於0.15公斤(Kg)的離型力。這樣的離型力大小很有可能導致可撓性基板110上的構件受到損壞，例如製作於可撓性基板110上的導線或可撓性基板110本身可能因此斷裂，而導致製作良率不佳。

在本實施例中，將可撓性裝置100與載板20分離前，可以先進行以下步驟。圖2A為本發明第一實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖2B為圖2A的剖線A-A的剖面示意圖，而圖2C為圖2A的剖線B-B的剖面示意圖。請同時參照圖2A至圖2C，例如以一雷射射束L由載板20一側朝向位於第一區102中的離型層10照射，且雷射射束L的照射路徑落在第一區102。此時，被雷射射束L照射過的離型層10會發生分解或改質而轉變成離型層10A。在本實施例中，雷射射束L的行徑方向例如是由可撓性基板110的第一側S1朝向第二側S2前進，使得離型層10A由第一側S1連續地分布至第二側S2，且第一側S1與第二側S2為相對側。

之後，圖3A為本發明第一實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖3B為圖3A的剖線A-A的剖面示意圖，而圖3C為圖3A的剖線B-B的剖面示意圖。請同時參照圖3A至圖3C，在完成上述雷射射束L的照射後，將可撓性裝置100由載板20上取下，使可撓性基板110與載板20分離。在此，取下可撓性裝置100的步驟可以是由可撓性基板110的一側施加剝離力並且沿一剝離方向DP將可撓性基板110撕離載板20。

在圖2A的步驟中，離型層10A的附著力受到破壞而較未被雷射射束L照射的離型層10降低許多。因此，在圖3A的步驟中，取下第一區102的過程中不需要大幅增加離型力即可讓第一區102的可撓性基板110與載板20分離。在一實施例中，當剛性元件122為封裝好的驅動晶片而功能性元件122為有機發光元件，並且離型層10經過圖2A至圖2C的處理步驟而轉變成離型層10A時，要將剛性元件122所在區域(例如本實施例的第一區102)的可撓性基板110與載板20分離僅需要約0.187公斤(Kg)的離型力，這與前述離型層10未處理前需要3.867公斤的剝離力比較，降低許多。因此，在本實施例中，將第一區102剝離載板20的過程中不容易讓可撓性基板110上的構件受到損壞而可以提高可撓性裝置的製作良率。

圖4A為本發明第一實施例的可撓性裝置的俯視示意圖，圖4B為本發明第一實施例的可撓性裝置的俯視示意圖，圖4C為圖4A的剖線A-A的剖面示意圖，而圖4D為圖4A的剖線B-B的剖面示意圖。請同時參照圖4A至圖4D，經由前述步驟所製作的可撓性裝置100具有第一區102與第二區104，其中第一區102的剛性大於第二區104的剛性。並且，可撓性裝置100可包括可撓性基板110以及配置於可撓性基板110上的元件120，其中元件120可包括有剛性元件122與功能性元件124。可撓性基板110包括彼此相對的一第一表面112與一第二表面114。此外，剛性元件122配置於可撓性基板110的第一表面112上且位於第一區102，其中剛性元件122的剛性大於可撓性基板110的剛性且粗糙結構114A投影於可撓性基板的區域與剛性元件122相重疊。

具體來說，由圖4B至圖4D可知，可撓性基板110的第二表面114在第一區102具有一粗糙結構114A而使第二表面114在第一區102的表面粗糙度大於在第二區104的表面粗糙度。粗糙結構114A可例如是由上述圖2A至圖2C的雷射照射步驟中所形成的。根據上述步驟，雷射照射步驟在第一區102中執行，因此粗糙結構114A也落在第一區102。同時，進行雷射照射步驟是為了降低剛性元件122所在部分的離型層的附著力，因此雷射射束的照射範圍會重疊於剛性元件122的配置面積。另外，以本實施例而言，可撓性裝置100還包括有設置於第二區104中的功能性元件124，並且剛性元件122的剛性大於功能性元件124的剛性，但在其他的實施例中，功能性元件124也可以選擇性省略。也就是說，可撓性裝置100可以僅包括可撓性基板110與剛性元件122。

圖5為本發明第一實施例的可撓性基板的第二表面的顯微照片圖。由圖5可知，第二表面114在第一區102具有明顯的粗糙結構114A，而在第二區104則顯得平滑或可透光而觀看到作為顯示元件的功能性元件124。在此，作為顯示元件的功能性元件124是以有機發光顯示畫素為例，但不以此為限。

由第一實施例可知，在雷射照射的步驟中，離型層材料會被分解以降低離型層在第一區102的附著力，藉而提升可撓性裝置100的製作良率。不過，以離型層材料被分解會產生氣體的狀況為例，過程中產生的氣體如果無法排洩或是過度累積，將容易因為氣體產生的壓力而使得第一區102發生變形的可能。因此，在第一實施例中，如圖2B所示，雷射射束L的照射路徑是由可撓性基板110的第一側S1開始，朝向可撓性基板110的第二側S2行進，且第一側S1與第二側S2為相對側。不過，可撓性裝置100的製作方法不以此為限。

圖6A為本發明第二實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖6B為圖6A的剖線C-C的剖面示意圖，而圖6C為圖6A的剖線D-D的剖面示意圖。本實施例可以依據圖1A至圖3A的步驟，將可撓性基板110藉由離型層10暫時地貼附於載板20上，並且在可撓性基板110貼附於載板20上的情形下將元件120製作於可撓性基板110。之後，請參照圖6A至圖6C，進行一加工步驟以在可撓性基板上製作至少一通孔TH而形成可撓性基板210。形成通孔TH的加工步驟可以是輪刀切割、雷射切割、沖壓(punch)等，但不以此些為限。在此，通孔TH(通孔TH1 與通孔TH2)數量為兩個，但這僅是舉例說明之用。在其他實施例中，通孔TH的數量可以為1個或是多於兩個。

在本實施例中，剛性元件122位於通孔TH1與通孔TH2之間，並且通孔TH1與通孔TH2分別界定出第一區202的兩端。如此，第一區202以外的區域可以視為是第二區204。同時，剛性元件122整體落在第一區202內。此外，通孔TH1與通孔TH2可以貫穿可撓性基板210而使離型層10暴露出來，或同時貫穿可撓性基板210與離型層10而暴露出載板20，之後的圖式是以後者為例。

圖7A為本發明第二實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖7B為圖7A的剖線C-C的剖面示意圖，而圖7C為圖7A的剖線D-D的剖面示意圖。圖7A至圖7C所表示的步驟例如以一雷射射束L由載板20一側朝向位於第一區202中的離型層10照射而在第一區202中形成離型層10A。在本實施例中，雷射射束L的照射路徑開始於第一通孔TH1所在位置，且結束於第二通孔TH2所在位置。也就是說，雷射射束L是沿著移動方向DL移動。

圖7D至圖7F為雷射射束L沿照射路徑照射的過程。由圖7D至圖7F可知，由於雷射射束L的照射路徑開始於第一通孔TH1所在位置朝向第二通孔TH2行進，雷射能量讓離型層10的材料分解時，產生的氣體可以由第一通孔TH1散逸(如圖7D與圖7E所示)。另外，在雷射射束L的照射點接近於第二通孔TH2時，產生的氣體可以由第二通孔TH2與第一通孔TH1散逸出去。因此，離型層10A所在位置處不容易有氣體的累積，而不至於讓可撓性基板210變形或是讓可撓性裝置200受到損壞。也就是說，通孔TH1可以利於製作過程中所產生的氣體得以散逸而有助於提升製作良率。

圖8A為本發明第二實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖8B為圖8A的剖線C-C的剖面示意圖，而圖8C為圖8A的剖線D-D的剖面示意圖。圖8A至圖8C所表示的步驟類似於圖3A至圖3C的步驟，也就是將可撓性裝置200自載板20上取下。圖8A至圖8C的具體步驟可參照圖3A至圖3C的相關描述。在第一實施例與第二實施例中，可撓性基板110或210都是沿著剝離方向DP與載板20分離，也就是由可撓性基板110或210的較接近於剛性元件的一側朝對向側與載板20分離。不過，剝離方向DP不以圖式中所表示的方向為限。在其他的實施例中，可撓性基板110或210可以是沿著剝離方向DP的反方向與載板20分離，也就是由可撓性基板110或210的較遠離於剛性元件的一側朝對向側與載板20分離。

圖9A為本發明第二實施例的可撓性裝置的俯視示意圖，與圖9B為本發明第二實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。請參照圖9A與圖9B，依據圖6A至圖8A等步驟製作的可撓性裝置200可大致上相似於第一實施例的可撓性裝置100。具體來說，可撓性裝置200具有第一區202與第二區204，其中第一區202的剛性可大於第二區204的剛性。並且，可撓性裝置200包括可撓性基板210以及配置於可撓性基板210上的元件120，其中元件120可包括有剛性元件122與功能性元件124。可撓性基板210包括彼此相對的一第一表面212(標示於圖6B)與一第二表面214(標示於圖6B)，並且具有通孔TH1與TH2。此外，剛性元件122配置於可撓性基板210的第一表面212上且位於第一區202，其中剛性元件122的剛性可大於可撓性基板210的剛性。另外，可撓性基板210的第二表面214在第一區202具有一粗糙結構214A且粗糙結構214A投影於可撓性基板210的區域與剛性元件122的面積相重疊。也就是說，可撓性基板210上具有兩個通孔TH1與TH2。不過，在其他的實施例中，可撓性基板210上可以僅設置有一個通孔TH，或是多於兩個通孔TH。

舉例而言，圖10A為本發明第三實施例的可撓性裝置的俯視示意圖，與圖10B為本發明第三實施例的可撓性裝置的俯視示意圖。請參照圖10A與圖10B，可撓性裝置300可大致上相似於第一實施例的可撓性裝置100。具體來說，可撓性裝置300具有第一區302與第二區304，其中第一區302的剛性可大於第二區304的剛性。並且，可撓性裝置300包括可撓性基板310以及配置於可撓性基板310上的元件320，其中元件320可包括有剛性元件322A與322B與功能性元件124。可撓性基板310包括彼此相對的一第一表面(圖10A表示即為第一表面)與一第二表面(圖10B表示即為第二表面)，並且具有通孔TH1、TH2與TH3。此外，剛性元件322A與322B配置於可撓性基板310的第一表面上且位於第一區302，其中剛性元件322A與322B的剛性大於可撓性基板310的剛性。另外，製作可撓性裝置300時，例如使用雷射照射離型層時，可以使得通孔TH3位於雷射射束的照射路徑中或是讓雷射射束的照射路徑橫越(pass through)通孔TH3，如此一來，可撓性基板310的第二表面在第一區302具有一粗糙結構314A，並且粗糙結構314A投影於可撓性基板的區域與剛性元件322A與322B相重疊。也就是說，可撓性基板310上具有三個通孔TH1、TH2與TH3，並且可撓性基板310上設置有兩個剛性元件322A與322B。三個通孔TH1、TH2與TH3中，通孔TH1、TH2界定出第一區302的兩端，而通孔TH3位於第一區302內。剛性元件322A位於通孔TH1與通孔TH3之間，而剛性元件322B位於通孔TH2與通孔TH3之間。另外，剛性元件322A與322B可以是封裝好的驅動晶片，但不以此為限。

圖11A為本發明第四實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖11B為圖11A的剖線E-E的剖面示意圖，而圖11C為圖11A的剖線F-F的剖面示意圖。請同時參照圖11A至圖11C，本步驟包括將一可撓性基板410藉由一離型層10暫時地貼附於一載板20上，其中離型層10的面積小於可撓性基板410而使得可撓性基板410局部地接觸於載板20。在此，可撓性基板410接觸於載板20的部分410A例如環繞於離型層10的周圍。可撓性基板410具有一第一表面412與一第二表面414，且第二表面 414有一部分接觸於離型層10。另外，本步驟也形成至少一元件120於可撓性基板410的第一表面412上。在此，可撓性基板410的製作方法可以參考圖1A至圖1C的可撓性基板110的製作方法，且元件120的製作、類型、配置位置等也可以參考第一實施例的說明。

圖12A為本發明第四實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖12B為圖12A的剖線E-E的剖面示意圖，而圖12C為圖12A的剖線F-F的剖面示意圖。請參照圖12A至圖12C，進行一加工步驟以將例如圖11A的結構沿著離型層10的周緣切割可撓性基板410，形成圖12A所示的環形的一切割開口V且切割開口V暴露出離型層10，或切割開口V同時貫穿可撓性基板410與離型層10而暴露出載板20(如圖12B)。此時，可撓性基板410被切割成兩個彼此分離的部分，其中一個部分是預計要被取下的可撓性基板410B而另一部分為接觸於載板10的部分410A。並且，在本實施例中，元件120都是製作在可撓性基板410B上以構成可撓性裝置400。

在本實施例中，元件120包括剛性元件122與功能性元件124，其中剛性元件122剛性可既大於功能性元件124也大於可撓性基板410B。因此，可撓性裝置400可以具有第一區402與第二區404，且剛性元件122位於第一區402使得第一區402的剛性大於第二區404。

圖13A為本發明第四實施例的可撓性裝置的製作方法的一步驟的俯視示意圖，圖13B為圖13A的剖線E-E的剖面示意圖，而圖13C為圖13A的剖線F-F的剖面示意圖。請參照圖13A至圖13C，將可撓性裝置400自載板20上取下，例如先以一雷射射束L由載板20一側朝向位於第一區402中的離型層10照射而在第一區402中形成離型層10A。在本實施例中，由於可撓性基板410B的邊緣由切割開口V暴露出來，雷射射束L的照射路徑是由可撓性基板410的第一側S1開始，朝向可撓性基板410的第二側S2行進，且第一側S1與第二側S2為相對側。另外，可撓性裝置400自載板20上取下的剝離方向可以如圖13C一樣是由可撓性基板410B的第三側S3開始並且朝向第四側S4施加剝離力，或是由可撓性基板410B的第四側S4開始並且朝向第三側S3施加剝離力。在此，第三側S3較為遠離剛性元件122而第四側S4較為接近剛性元件122。因此，採用圖13C的方式由載板20上剝離可撓性裝置400時，剝離的步驟與雷射照射的步驟可以同時地進行，但不以此為限。在其他實施例中，雷射照射的步驟可以優先於剝離的步驟。另外，與前述實施例相似地，雷射照射的步驟會在可撓性基板410B的第二表面414上形成粗糙結構414A，且雷射照射這步驟僅在第一區402中進行，因此粗糙結構414A也只位於第一區402中。

在前述實施例中，雷射射束的照射可以讓離型層材料分解或改質而降低被照射區域離型層的附著力，不過雷射射束直接照射的區域周邊可能會發生熱累積現象。熱累積現象反而可能導致離型層材料的附著力上升而不利於剝離步驟的進行。因此，雷射射束的照射方式可以因應地進行調整。

以下將基於圖2A的步驟，來說明雷射射束的照射方法。

圖14為圖2A的步驟中，雷射射束的照射方法的一種實施方式。請參照圖14A，本圖中所記載的構件皆可以參照圖2A的相關說明而不另贅述。當採用點狀雷射射束LB進行雷射照射步驟時，雷射射束的照射點LB例如沿著軌跡P1進行。並且，雷射射束的各個照射點LB的面積部分重疊於前次的照射點LB的面積。如此一來，雷射射束的照射點LB佈滿整個第一區102，因此前述實施例中所記載的基於射照射所產生的粗糙結構將也佈滿整個第一區102。

圖15表示在圖14的照射方式下雷射照射點與熱影響區的示意圖。請同時參照圖14與圖15，每個雷射射束的照射點LB都對應一個熱影響區HB，且熱影響區HB的面積大於照射點LB的面積。兩個相重疊的照射點LB，例如照射點LB1與LB2，是緊接著照射時，對應的熱影響區HB1與HB2的熱影響作用可能增強。因此，熱影響區HB1與HB2重疊處，例如熱影響區HBS，將會有最顯著的熱影響作用。也就是說，熱影響區HBS中的離型層材料可能發生較顯著的附著力增大情形。因此，當可撓性基板110要沿著剝離方向DP剝離載板20時，熱影響區HBS較佳不要在垂直於剝離方向DP的方向R上密集排列，這將導致剝離不易。在本實施例中，由於雷射射束的照射點LB是沿著軌跡P1行進，熱影響區HBS大致上是平行於剝離方向DP排列，而不會造成剝離上的困難。

圖16與圖17為圖2A的步驟中，雷射射束的照射方法的另外兩種實施方式。在圖16中，雷射射束的照射點LB例如沿著軌跡P2行進，且照射點LB之間彼此不重疊，其中軌跡P2大致由多個V型路徑連接而成。此時，照射點LB分布於第一區102的部分面積中，因此前述實施例中所記載的基於雷射照射所產生的粗糙結構將也分布於第一區102的部分面積中。另外，在圖17中，照射點LB之間彼此亦可不重疊並且雷射射束的照射點LB沿著軌跡P3行進，其中軌跡P3可與圖14的軌跡P1相似，都是蜿蜒的軌跡，但軌跡P3分布較疏而軌跡P1分布較密。

除了控制照射點的行進軌跡外，也可藉由雷射射束的入射角度來降低熱影響區對於剝除步驟的不良影響。舉例來說，圖18與圖19為雷射照射步驟的不同實施方式的示意圖。在圖18與圖19中，雷射射束L的照射方向可以不與可撓性基板110垂直，而以一斜向角度□1、□2或是□3的照射方向進行照射。因此，被雷射照射過的離型層10A可以具有如同梯形(圖18)或是近似平行四邊形(圖19)的剖面輪廓。控制雷射射束的照射位置，可以讓熱影響區HB位在剛性元件122的邊緣，且傾斜一角度。如此一來，可撓性基板110自載板20上取下時會沿著分離介面Z1與Z2分離。也就是說，在未被雷射射束照射的區域中，分離介面Z1位於離型層10與可撓性基板110之間，而在被雷射照射過的區域，由於離型層10A已經有部分材料被分解，分離介面Z2位於離型層10A與載板20之間。以圖18而言，分離介面Z1與分離介面Z2正投影於可撓性基板110時彼此重疊而且連續地涵蓋整個可撓性基板110的面積，因此可以輕易地自載板20上剝離可撓性基板110。圖19的實施例亦然。

本發明實施例的可撓性電子裝置的製作方法中，在將可撓性裝置由載板上取下之前，先對剛性較大的區域進行例如雷射照射步驟以降低此區域所需要的剝離力。因此，可撓性電子裝置的製作方法具有理想的良率。另外，本發明實施例的製作方法不易損壞可撓性裝置上的構件，因此本發明實施例的可撓性裝置具有理想的品質。

10、10A‧‧‧離型層

20‧‧‧載板

102‧‧‧第一區

110‧‧‧可撓性基板

122‧‧‧剛性元件

B-B‧‧‧線

L‧‧‧雷射射束

Claims

一種可撓性裝置，具有一第一區以及一第二區，部分該第一區的剛性大於該第二區的剛性，且該可撓性裝置包括：一可撓性基板，包括彼此相對的一第一表面與一第二表面，且該可撓性基板的該第二表面在該第一區具有一粗糙結構而使該第二表面在該第一區的表面粗糙度大於在該第二區的表面粗糙度；以及一剛性元件，配置於該可撓性基板的該第一表面上且位於該第一區，其中該剛性元件的剛性大於該可撓性基板的剛性且該粗糙結構投影於該可撓性基板的區域與該剛性元件的面積相重疊。
如申請專利範圍第1項所述之可撓性裝置，更包括一功能性元件，配置於該可撓性基板的該第一表面上且位於該第二區，其中該剛性元件的剛性大於該功能性元件的剛性。
如申請專利範圍第2項所述之可撓性裝置，其中該功能性元件包括有機發光元件、無機發光元件、感測元件、顯示元件、電池元件或上述之組合。
如申請專利範圍第2項所述之可撓性裝置，其中該剛性元件電性連接於該功能性元件。
如申請專利範圍第2項所述之可撓性裝置，其中該剛性元件位於該功能性元件的周邊。
如申請專利範圍第1項所述之可撓性裝置，其中該可撓性基板具有至少一通孔，界定該第一區的一端。
如申請專利範圍第1項所述之可撓性裝置，其中該可撓性基板具有至少一通孔，位於該第一區。
如申請專利範圍第1項所述之可撓性裝置，其中該第一區由該可撓性基板的一第一側連續延伸至一第二側，且該第一側與該第二側為相對側。
如申請專利範圍第1項所述之可撓性裝置，其中該粗糙結構佈滿該第一區。
如申請專利範圍第1項所述之可撓性裝置，其中該粗糙結構在該第一區中沿一軌跡分布，而分布於該第一區的部分面積中。
一種可撓性裝置的製作方法，包括：將一可撓性基板藉由一離型層暫時地貼附於一載板上，其中該可撓性基板具有一第一表面與一第二表面，且該第二表面接觸於該離型層；形成至少一元件於該可撓性基板的該第一表面上以形成一可撓性裝置，其中該可撓性裝置具有一第一區以及一第二區，該至少一元件形成於該第一區，且部分該第一區的剛性大於該第二區的剛性；以及以一雷射射束由該載板朝向位於該第一區的該離型層照射，且該雷射射束的照射路徑落在該第一區中。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，更包括在完成該雷射射束的照射後，將該可撓性裝置由該載板上取下，使該可撓性基板與該載板分離。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，更包括在進行該雷射射束的照射之前，進行一加工步驟以在該可撓性基板上形成至少一通孔而暴露出該離型層或該載板。
如申請專利範圍第13項所述之可撓性裝置的製作方法，其中該至少一通孔包括一第一通孔與一第二通孔，分別界定該第一區的相對兩端，且該雷射射束的照射路徑開始於該第一通孔所在位置，且結束於該第二通孔所在位置。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，其中該雷射射束的照射路徑由該可撓性基板的一第一側開始，朝向該可撓性基板的一第二側行進，且該第一側與該第二側為相對側。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，其中該雷射射束的照射面積佈滿該第一區。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，其中該雷射射束的照射面積佔該第一區的面積的一部份。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，其中該雷射射束的照射方向與該可撓性基板不垂直。
如申請專利範圍第11項所述之可撓性裝置的製作方法，其中該離型層的面積小於該可撓性基板且部分該可撓性基板接觸該載板。
如申請專利範圍第19項所述之可撓性裝置的製作方法，更包括在進行該雷射射束的照射之前，對該可撓性基板進行一加工步驟以形成一切割開口，該切割開口環繞該離型層並且暴露出該離型層或該載板。