JP2016184173A5 - 半導体装置、携帯電話機、表示装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 第１の基板上のゲート配線と、
   前記ゲート配線上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のソース配線と、
   前記半導体膜上のドレイン配線と、
   前記ソース配線上及び前記ドレイン配線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に接する金属膜と、
   前記金属膜上の液晶と、
   前記液晶上の遮光膜と、
   前記遮光膜上の第２の基板と、を有し、
   前記透明導電膜は、前記金属膜と接する第１の領域と、前記金属膜と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記層間絶縁膜が有するコンタクトホールにおいて、前記ソース配線又は前記ドレイン配線の一方と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、画素電極として機能し、
   前記第１の領域は、前記遮光膜と重なることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の基板上のゲート配線と、
   前記ゲート配線上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のソース配線と、
   前記半導体膜上のドレイン配線と、
   前記ソース配線上及び前記ドレイン配線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に接する金属膜と、
   前記金属膜上の液晶と、
   前記液晶上の遮光膜と、
   前記遮光膜上の第２の基板と、を有し、
   前記透明導電膜は、前記金属膜と接する第１の領域と、前記金属膜と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記層間絶縁膜が有するコンタクトホールにおいて、前記ソース配線又は前記ドレイン配線の一方と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、画素電極として機能し、
   前記第１の領域は、前記遮光膜と重なり、
   前記層間絶縁膜は、有機樹脂膜を有し、
   前記第２の領域は、前記層間絶縁膜が有する平坦面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
3. 第１の基板上のゲート配線と、
   前記ゲート配線上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のソース配線と、
   前記半導体膜上のドレイン配線と、
   前記ソース配線上及び前記ドレイン配線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に接する金属膜と、
   前記金属膜上の液晶と、
   前記液晶上の遮光膜と、
   前記遮光膜上の第２の基板と、を有し、
   前記透明導電膜は、前記金属膜と接する第１の領域と、前記金属膜と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記層間絶縁膜が有するコンタクトホールにおいて、前記ソース配線又は前記ドレイン配線の一方と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、画素電極として機能し、
   前記第１の領域は、前記遮光膜と重なり、
   前記金属膜は、前記透明導電膜よりも平面面積が小さく、
   前記金属膜及び前記透明導電膜を上面から見た際に、前記金属膜の側面は、前記透明導電膜の側面よりも内側に位置することを特徴とする半導体装置。
4. 第１の基板上のゲート配線と、
   前記ゲート配線上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のソース配線と、
   前記半導体膜上のドレイン配線と、
   前記ソース配線上及び前記ドレイン配線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に接する金属膜と、
   前記金属膜上の液晶と、
   前記液晶上の遮光膜と、
   前記遮光膜上の第２の基板と、を有し、
   前記透明導電膜は、前記金属膜と接する第１の領域と、前記金属膜と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記層間絶縁膜が有するコンタクトホールにおいて、前記ソース配線又は前記ドレイン配線の一方と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、画素電極として機能し、
   前記第１の領域は、前記遮光膜と重なり、
   前記層間絶縁膜は、有機樹脂膜を有し、
   前記第２の領域は、前記層間絶縁膜が有する平坦面上に設けられ、
   前記金属膜は、前記透明導電膜よりも平面面積が小さく、
   前記金属膜及び前記透明導電膜を上面から見た際に、前記金属膜の側面は、前記透明導電膜の側面よりも内側に位置することを特徴とする半導体装置。
5. 第１の基板上のゲート配線と、
   前記ゲート配線上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のソース配線と、
   前記半導体膜上のドレイン配線と、
   前記ソース配線上及び前記ドレイン配線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に接する金属膜と、
   前記金属膜上の液晶と、
   前記液晶上の遮光膜と、
   前記遮光膜上の第２の基板と、を有し、
   前記透明導電膜は、前記金属膜と接する第１の領域と、前記金属膜と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記層間絶縁膜が有するコンタクトホールにおいて、前記ソース配線又は前記ドレイン配線の一方と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、画素電極として機能し、
   前記第１の領域は、前記遮光膜と重なり、
   前記金属膜の端部は、前記透明導電膜の端部よりも後退していることを特徴とする半導体装置。
6. 第１の基板上のゲート配線と、
   前記ゲート配線上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のソース配線と、
   前記半導体膜上のドレイン配線と、
   前記ソース配線上及び前記ドレイン配線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に接する金属膜と、
   前記金属膜上の液晶と、
   前記液晶上の遮光膜と、
   前記遮光膜上の第２の基板と、を有し、
   前記透明導電膜は、前記金属膜と接する第１の領域と、前記金属膜と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記層間絶縁膜が有するコンタクトホールにおいて、前記ソース配線又は前記ドレイン配線の一方と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、画素電極として機能し、
   前記第１の領域は、前記遮光膜と重なり、
   前記層間絶縁膜は、有機樹脂膜を有し、
   前記第２の領域は、前記層間絶縁膜が有する平坦面上に設けられ、
   前記金属膜の端部は、前記透明導電膜の端部よりも後退していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とする携帯電話機。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とする表示装置。