JPH08122821A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH08122821A JPH08122821A JP26484194A JP26484194A JPH08122821A JP H08122821 A JPH08122821 A JP H08122821A JP 26484194 A JP26484194 A JP 26484194A JP 26484194 A JP26484194 A JP 26484194A JP H08122821 A JPH08122821 A JP H08122821A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】安価でかつ良好な画像品質が得られる液晶表示
装置の構造を提供すること。 【構成】画素電極を走査電極と同一平面上に形成し、そ
の一端を走査電極上まで延在させ付加容量を形成した。
また、ａ−Ｓｉ膜とゲート絶縁膜を略同一の平面形状に
加工し、さらにａ−Ｓｉ膜とゲート絶縁膜のパターンを
付加容量部の走査電極の段さ部分に形成し、さらにこの
ゲート絶縁膜，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜のパター
ンを乗り越えるように保護電極を形成した。 【効果】液晶印加電圧が保持期間中に減衰することを防
止でき良好な保持特性を実現できる。絶縁耐圧の低下が
防止できる。製造工程を短縮でき、製造歩留まりが向上
する。
装置の構造を提供すること。 【構成】画素電極を走査電極と同一平面上に形成し、そ
の一端を走査電極上まで延在させ付加容量を形成した。
また、ａ−Ｓｉ膜とゲート絶縁膜を略同一の平面形状に
加工し、さらにａ−Ｓｉ膜とゲート絶縁膜のパターンを
付加容量部の走査電極の段さ部分に形成し、さらにこの
ゲート絶縁膜，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜のパター
ンを乗り越えるように保護電極を形成した。 【効果】液晶印加電圧が保持期間中に減衰することを防
止でき良好な保持特性を実現できる。絶縁耐圧の低下が
防止できる。製造工程を短縮でき、製造歩留まりが向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器等の画像情
報，文字情報の表示装置として用いられる薄膜トランジ
スタを用いたアクティブマトリックス方式の液晶表示装
置に関する。
報，文字情報の表示装置として用いられる薄膜トランジ
スタを用いたアクティブマトリックス方式の液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置における最大の技術課題は
画質の向上と製造コストの低減を同時に達成することに
ある。このうち画質に関しては、従来、ＴＦＴのリーク
電流や汚染等による液晶材料の抵抗値の低下に起因する
液晶駆動電圧の低下や、ＴＦＴのゲート／ソース間の寄
生容量によるフィードスルー電圧に起因する液晶駆動信
号への直流成分の重畳を防止するために液晶容量と並列
に付加容量を設けることが一般的に行われている。付加
容量の構造としては様々なものが提案されている。例え
ば、特開平2−137826 号では五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）と窒化シリコン(ＳｉＮ)の２層絶縁膜を有する容
量が開示されている（第１の従来技術）。また、製造コ
スト低減のためにはＴＦＴ基板の製造工程の短縮が有効
であり、このために例えば特開平2−228632 号において
は複数の膜の加工形状を同一としてホト／エッチング工
程を削減して工程数を削減する方法が開示されている
（第２の従来技術）。この例では、ＴＦＴを構成する半
導体層とゲート絶縁膜であるＳｉＮ膜を同一のホトマス
クにより加工するので、付加容量部の誘電体層は半導体
膜とゲート絶縁膜の２層構造となっている点が特徴であ
る。
画質の向上と製造コストの低減を同時に達成することに
ある。このうち画質に関しては、従来、ＴＦＴのリーク
電流や汚染等による液晶材料の抵抗値の低下に起因する
液晶駆動電圧の低下や、ＴＦＴのゲート／ソース間の寄
生容量によるフィードスルー電圧に起因する液晶駆動信
号への直流成分の重畳を防止するために液晶容量と並列
に付加容量を設けることが一般的に行われている。付加
容量の構造としては様々なものが提案されている。例え
ば、特開平2−137826 号では五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）と窒化シリコン(ＳｉＮ)の２層絶縁膜を有する容
量が開示されている（第１の従来技術）。また、製造コ
スト低減のためにはＴＦＴ基板の製造工程の短縮が有効
であり、このために例えば特開平2−228632 号において
は複数の膜の加工形状を同一としてホト／エッチング工
程を削減して工程数を削減する方法が開示されている
（第２の従来技術）。この例では、ＴＦＴを構成する半
導体層とゲート絶縁膜であるＳｉＮ膜を同一のホトマス
クにより加工するので、付加容量部の誘電体層は半導体
膜とゲート絶縁膜の２層構造となっている点が特徴であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では画質の向上と製造コストの低減の課題を同
時には達成できない。このことを以下に説明する。
従来技術では画質の向上と製造コストの低減の課題を同
時には達成できない。このことを以下に説明する。
【０００４】まず、第１の従来技術ではＴＦＴ部分には
半導体膜のパターンを残し、付加容量部分では半導体膜
を除去する必要があるので、ＳｉＮ膜のホト／エッチン
グ工程と半導体膜のホト／エッチング工程は別個のホト
マスクを用いて行う必要があり、必然的に製造工程が長
くなり製造コストの低減を達成できない。
半導体膜のパターンを残し、付加容量部分では半導体膜
を除去する必要があるので、ＳｉＮ膜のホト／エッチン
グ工程と半導体膜のホト／エッチング工程は別個のホト
マスクを用いて行う必要があり、必然的に製造工程が長
くなり製造コストの低減を達成できない。
【０００５】一方、製造工程を削減するために、第２の
従来技術の様なＳｉＮと半導体膜からなる付加容量を採
用すると、実際に画素を駆動させた時に半導体／絶縁膜
界面の界面準位による電荷の充放電に起因する過渡応答
により液晶印加電圧が保持期間中に減衰し、付加容量の
本来の目的である電荷を保持する作用が得らず、良好な
表示性能を得ることが困難である。
従来技術の様なＳｉＮと半導体膜からなる付加容量を採
用すると、実際に画素を駆動させた時に半導体／絶縁膜
界面の界面準位による電荷の充放電に起因する過渡応答
により液晶印加電圧が保持期間中に減衰し、付加容量の
本来の目的である電荷を保持する作用が得らず、良好な
表示性能を得ることが困難である。
【０００６】以上のように、上記の従来技術では画質の
向上と製造コストの低減を同時に達成することは困難で
ある。本発明は、この問題を解決しようとするものであ
り、短い工程で製造でき、かつ良好な画像品質が得られ
る液晶表示装置の構造を提供することを目的とする。
向上と製造コストの低減を同時に達成することは困難で
ある。本発明は、この問題を解決しようとするものであ
り、短い工程で製造でき、かつ良好な画像品質が得られ
る液晶表示装置の構造を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では以下の手段を講じた。
に本発明では以下の手段を講じた。
【０００８】（１）絶縁基板上に形成した複数の走査電
極および共通電極と、前記走査電極および共通電極と交
差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走
査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前
記画素電極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄
膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクテ
ィブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス
基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリック
ス基板と対向基板とに挟持された液晶層とから構成さ
れ、前記画素電極によって前記液晶層を駆動する機能を
有する液晶表示装置において、前記付加容量を共通電極
と、前記共通電極の表面および側面を被覆するように形
成された共通電極の自己酸化膜と、前記自己酸化膜上に
直接形成された上部電極とから構成し、かつ、前記薄膜
トランジスタを構成する半導体膜とゲート絶縁膜を、略
同一の平面形状とした。
極および共通電極と、前記走査電極および共通電極と交
差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走
査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前
記画素電極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄
膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクテ
ィブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス
基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリック
ス基板と対向基板とに挟持された液晶層とから構成さ
れ、前記画素電極によって前記液晶層を駆動する機能を
有する液晶表示装置において、前記付加容量を共通電極
と、前記共通電極の表面および側面を被覆するように形
成された共通電極の自己酸化膜と、前記自己酸化膜上に
直接形成された上部電極とから構成し、かつ、前記薄膜
トランジスタを構成する半導体膜とゲート絶縁膜を、略
同一の平面形状とした。
【０００９】（２）絶縁基板上に形成した複数の走査電
極と、前記走査電極と交差するように形成された複数の
映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量
と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶
縁膜とからなるアクティブマトリックス基板と、前記ア
クティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記
アクティブマトリックス基板と対向基板とに挟持された
液晶層とから構成され、前記画素電極によって前記液晶
層を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記
付加容量を前記走査電極と、前記共通電極の表面および
側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸化膜
と、前記自己酸化膜上に直接形成された上部電極とから
構成し、かつ、前記薄膜トランジスタを構成する半導体
膜とゲート絶縁膜を、略同一の平面形状とした。
極と、前記走査電極と交差するように形成された複数の
映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量
と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶
縁膜とからなるアクティブマトリックス基板と、前記ア
クティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記
アクティブマトリックス基板と対向基板とに挟持された
液晶層とから構成され、前記画素電極によって前記液晶
層を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記
付加容量を前記走査電極と、前記共通電極の表面および
側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸化膜
と、前記自己酸化膜上に直接形成された上部電極とから
構成し、かつ、前記薄膜トランジスタを構成する半導体
膜とゲート絶縁膜を、略同一の平面形状とした。
【００１０】（３）絶縁基板上に形成した複数の走査電
極および共通電極と、前記走査電極および共通電極と交
差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走
査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前
記画素電極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄
膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクテ
ィブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス
基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリック
ス基板と対向基板とに挟持された液晶層とから構成さ
れ、前記画素電極によって前記液晶層を駆動する機能を
有する液晶表示装置において、前記付加容量を前記共通
電極と、共通電極の表面および側面を被覆するように形
成された共通電極の自己酸化膜と、その一端が共通電極
と同一層上に形成され、かつ他端が表面に自己酸化膜を
形成した共通電極上まで延在された上部電極により構成
した。
極および共通電極と、前記走査電極および共通電極と交
差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走
査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前
記画素電極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄
膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクテ
ィブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス
基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリック
ス基板と対向基板とに挟持された液晶層とから構成さ
れ、前記画素電極によって前記液晶層を駆動する機能を
有する液晶表示装置において、前記付加容量を前記共通
電極と、共通電極の表面および側面を被覆するように形
成された共通電極の自己酸化膜と、その一端が共通電極
と同一層上に形成され、かつ他端が表面に自己酸化膜を
形成した共通電極上まで延在された上部電極により構成
した。
【００１１】（４）絶縁基板上に形成した複数の走査電
極と、前記走査電極と交差するように形成された複数の
映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量
と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶
縁膜とからなるアクティブマトリックス基板と、前記ア
クティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記
アクティブマトリックス基板と対向基板とに挟持された
液晶層とから構成され、前記画素電極によって前記液晶
層を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記
付加容量を前記走査電極と、走査電極の表面および側面
を被覆するように形成された走査電極の自己酸化膜と、
その一端が前記走査電極と同一層上に形成され、かつ他
端が表面に自己酸化膜を形成した走査電極上まで延在さ
れた上部電極により構成した。
極と、前記走査電極と交差するように形成された複数の
映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量
と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶
縁膜とからなるアクティブマトリックス基板と、前記ア
クティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記
アクティブマトリックス基板と対向基板とに挟持された
液晶層とから構成され、前記画素電極によって前記液晶
層を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記
付加容量を前記走査電極と、走査電極の表面および側面
を被覆するように形成された走査電極の自己酸化膜と、
その一端が前記走査電極と同一層上に形成され、かつ他
端が表面に自己酸化膜を形成した走査電極上まで延在さ
れた上部電極により構成した。
【００１２】（５）好ましい実施態様として、上記
（１）〜（２）において、前記付加容量の上部電極を、
その一端が前記走査電極または共通電極と同一層上に形
成され、かつ他端が表面に自己酸化膜を形成した走査電
極または共通電極上まで延在するように形成した。
（１）〜（２）において、前記付加容量の上部電極を、
その一端が前記走査電極または共通電極と同一層上に形
成され、かつ他端が表面に自己酸化膜を形成した走査電
極または共通電極上まで延在するように形成した。
【００１３】（６）好ましい実施態様として、上記
（１）〜（２）において、前記半導体膜およびゲート絶
縁膜のパターンを前記薄膜トランジスタ部および前記映
像信号電極の下層にのみ形成した。
（１）〜（２）において、前記半導体膜およびゲート絶
縁膜のパターンを前記薄膜トランジスタ部および前記映
像信号電極の下層にのみ形成した。
【００１４】（７）好ましい実施態様として、上記
（１）〜（４）において、前記走査電極または共通電極
のパターン側面をテーパ形状に加工した。
（１）〜（４）において、前記走査電極または共通電極
のパターン側面をテーパ形状に加工した。
【００１５】（８）上記（７）において、前記テーパ加
工されたパターン側面と基板面がなす角度を１０°以上
７０°以下とした。
工されたパターン側面と基板面がなす角度を１０°以上
７０°以下とした。
【００１６】（９）好ましい実施態様として、上記
（１）〜（４）において、前記走査電極および共通電極
はＡｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆの各金属
膜、またはこれらの金属間の合金膜、またはこれらの金
属の窒化合金または、以上述べた材料を２層以上積層し
た複合膜により構成した。
（１）〜（４）において、前記走査電極および共通電極
はＡｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆの各金属
膜、またはこれらの金属間の合金膜、またはこれらの金
属の窒化合金または、以上述べた材料を２層以上積層し
た複合膜により構成した。
【００１７】（１０）好ましい実施態様として、上記
（１）〜（４）において、前記走査電極および共通電極
をＡｌを主成分としてその成分中に少なくともＴｉとＴ
ａを含む合金で構成し、ＴｉとＴａとを合わせた成分量
が重量％で前記合金全体の０.８〜８.５％に設定した。
（１）〜（４）において、前記走査電極および共通電極
をＡｌを主成分としてその成分中に少なくともＴｉとＴ
ａを含む合金で構成し、ＴｉとＴａとを合わせた成分量
が重量％で前記合金全体の０.８〜８.５％に設定した。
【００１８】（１１）好ましい実施態様として、上記
（１）〜（４）において、前記走査電極または共通電極
と前記上部電極の交差部の前記走査電極または共通電極
のパターン端部を前記ゲート絶縁膜によって被覆した。
（１）〜（４）において、前記走査電極または共通電極
と前記上部電極の交差部の前記走査電極または共通電極
のパターン端部を前記ゲート絶縁膜によって被覆した。
【００１９】（１２）以下の工程を含む製造方法を採用
した。
した。
【００２０】（Ｉ）絶縁基板上に走査電極および共通電
極を形成する工程。
極を形成する工程。
【００２１】（II）前記走査電極および共通電極を被覆
するように前記走査電極および共通電極の自己酸化膜を
形成し、その直後に付加容量の上部電極を形成する工
程。
するように前記走査電極および共通電極の自己酸化膜を
形成し、その直後に付加容量の上部電極を形成する工
程。
【００２２】（１３）以下の工程を含む製造方法を採用
した。
した。
【００２３】（Ｉ）絶縁基板上に走査電極および共通電
極を形成する工程。
極を形成する工程。
【００２４】（II）前記走査電極および共通電極を被覆
するように前記走査電極および共通電極の自己酸化膜を
形成し、その直後に付加容量の上部電極を形成する工
程。
するように前記走査電極および共通電極の自己酸化膜を
形成し、その直後に付加容量の上部電極を形成する工
程。
【００２５】（III)基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜
を積層する工程。
を積層する工程。
【００２６】（IV）前記ゲート絶縁膜，半導体膜を略同
一の平面形状に加工する工程。
一の平面形状に加工する工程。
【００２７】（１４）以下の工程を含む製造方法を採用
した。
した。
【００２８】（Ｉ）絶縁基板上に走査電極を形成する工
程。
程。
【００２９】（II）前記走査電極を被覆するように前記
走査電極の自己酸化膜を形成し、その直後に付加容量の
上部電極を形成する工程。
走査電極の自己酸化膜を形成し、その直後に付加容量の
上部電極を形成する工程。
【００３０】（１５）以下の工程を含む製造方法を採用
した。
した。
【００３１】（Ｉ）絶縁基板上に走査電極を形成する工
程。
程。
【００３２】（II）前記走査電極を被覆するように前記
走査電極の自己酸化膜を形成し、その直後に付加容量の
上部電極を形成する工程。
走査電極の自己酸化膜を形成し、その直後に付加容量の
上部電極を形成する工程。
【００３３】（III)基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜
を積層する工程。
を積層する工程。
【００３４】（IV）前記ゲート絶縁膜，半導体膜を略同
一の平面形状に加工する工程。
一の平面形状に加工する工程。
【００３５】
【作用】薄膜トランジスタを構成する半導体膜とゲート
絶縁膜を、略同一の平面形状とし、そのパターンを前記
薄膜トランジスタ部および前記映像信号電極の下層にの
み形成することにより、これらの膜を同一のホトマスク
で加工できるようになるので製造工程数を削減できる。
同時に、付加容量を共通電極または走査電極と、前記共
通電極または走査電極の表面および側面を被覆するよう
に形成された自己酸化膜と、前記自己酸化膜上に直接形
成された上部電極とから構成することにより、半導体／
絶縁膜の２層を含む容量の形成を回避できるので良好な
保持特性ひいては良好な画質が得られる。
絶縁膜を、略同一の平面形状とし、そのパターンを前記
薄膜トランジスタ部および前記映像信号電極の下層にの
み形成することにより、これらの膜を同一のホトマスク
で加工できるようになるので製造工程数を削減できる。
同時に、付加容量を共通電極または走査電極と、前記共
通電極または走査電極の表面および側面を被覆するよう
に形成された自己酸化膜と、前記自己酸化膜上に直接形
成された上部電極とから構成することにより、半導体／
絶縁膜の２層を含む容量の形成を回避できるので良好な
保持特性ひいては良好な画質が得られる。
【００３６】また、前記付加容量の上部電極は、その一
端が前記走査電極または共通電極と同一層上に、また他
端が表面に自己酸化膜を形成した走査電極または共通電
極上まで延在するように形成することにより良好な絶縁
特性を持つ付加容量を実現できる。即ち、このようにす
ることにより上部電極と自己酸化膜の界面が工程中で薬
品に曝されることがないので絶縁耐圧の低下が防止でき
る。
端が前記走査電極または共通電極と同一層上に、また他
端が表面に自己酸化膜を形成した走査電極または共通電
極上まで延在するように形成することにより良好な絶縁
特性を持つ付加容量を実現できる。即ち、このようにす
ることにより上部電極と自己酸化膜の界面が工程中で薬
品に曝されることがないので絶縁耐圧の低下が防止でき
る。
【００３７】また、走査電極または共通電極のパターン
側面をテーパ形状に加工することにより上部電極が段差
部で段切れすることを防止できる。また、角部での電界
集中を防止できるので良好な絶縁耐圧を確保できる効果
もある。
側面をテーパ形状に加工することにより上部電極が段差
部で段切れすることを防止できる。また、角部での電界
集中を防止できるので良好な絶縁耐圧を確保できる効果
もある。
【００３８】また、走査電極および共通電極はＡｌ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆの各金属膜、またはこ
れらの金属間の合金膜、またはこれらの金属の窒化合金
または、以上述べた材料を２層以上積層した複合膜によ
り構成することにより、良好な絶縁特性を有する自己酸
化膜を形成できるので絶縁耐圧を向上できる。
ａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆの各金属膜、またはこ
れらの金属間の合金膜、またはこれらの金属の窒化合金
または、以上述べた材料を２層以上積層した複合膜によ
り構成することにより、良好な絶縁特性を有する自己酸
化膜を形成できるので絶縁耐圧を向上できる。
【００３９】特に、走査電極および共通電極をＡｌを主
成分とした合金で構成することにより、より走査電極お
よび共通電極を低抵抗化できるので走査信号の伝搬遅延
を小さくできるので画面の大型化，高精細化が達成でき
る。また、Ａｌの自己酸化膜であるアルミナ膜は極めて
安定な材料であり通常の半導体プロセス用のエッチング
ガスや薬品ではエッチングされないので、前記の如く半
導体膜とゲート絶縁膜を、略同一の平面形状に加工する
ときにエッチングガスに曝されてもエッチングされるこ
とがないので良好な製造歩留まりが達成できる。さら
に、前記Ａｌ合金をその成分中に少なくともＴｉとＴａ
を含む合金で構成し、ＴｉとＴａとを合わせた成分量が
重量％で前記合金全体の０.８〜８.５％に設定すること
により特に良好な絶縁特性を有する自己酸化膜を形成で
きるので絶縁耐圧を向上できる。
成分とした合金で構成することにより、より走査電極お
よび共通電極を低抵抗化できるので走査信号の伝搬遅延
を小さくできるので画面の大型化，高精細化が達成でき
る。また、Ａｌの自己酸化膜であるアルミナ膜は極めて
安定な材料であり通常の半導体プロセス用のエッチング
ガスや薬品ではエッチングされないので、前記の如く半
導体膜とゲート絶縁膜を、略同一の平面形状に加工する
ときにエッチングガスに曝されてもエッチングされるこ
とがないので良好な製造歩留まりが達成できる。さら
に、前記Ａｌ合金をその成分中に少なくともＴｉとＴａ
を含む合金で構成し、ＴｉとＴａとを合わせた成分量が
重量％で前記合金全体の０.８〜８.５％に設定すること
により特に良好な絶縁特性を有する自己酸化膜を形成で
きるので絶縁耐圧を向上できる。
【００４０】また、絶縁基板上に走査電極および共通電
極を形成する工程と、前記走査電極および共通電極を被
覆するように前記走査電極および共通電極の自己酸化膜
を形成し、その直後に付加容量の上部電極を形成する工
程を含む製造工程を採用することにより、上部電極と自
己酸化膜の界面が工程中で薬品に曝されることがないの
で絶縁耐圧の低下が防止できる。
極を形成する工程と、前記走査電極および共通電極を被
覆するように前記走査電極および共通電極の自己酸化膜
を形成し、その直後に付加容量の上部電極を形成する工
程を含む製造工程を採用することにより、上部電極と自
己酸化膜の界面が工程中で薬品に曝されることがないの
で絶縁耐圧の低下が防止できる。
【００４１】本発明のその他の特徴は以下の記載から明
らかになるであろう。
らかになるであろう。
【００４２】
〔実施例１〕図１は本発明の第１の実施例の単位画素の
断面図を示す。ガラス基板１上にＡｌよりなる走査電極
１０が形成され、その表面はアルミナ膜２０で被覆され
ている。ここで、走査電極のパターン端部はテーパ形状
に加工されている。アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜より
なるゲート絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ(ａ−Ｓｉ)膜３
０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映像信号電極１４，ソース電
極１５よりなるTFTが形成されている。ガラス基板１に
は、インジウム−スズ−酸化膜（ＩＴＯ）よりなる画素
電極１３が形成され、その一端はソース電極１５に接続
されている。画素電極１３の他端は表面にアルミナ膜２
０を形成した隣接画素の走査電極１０上まで延在され、
付加容量を形成する。ＴＦＴおよび付加容量を被覆する
ようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。
断面図を示す。ガラス基板１上にＡｌよりなる走査電極
１０が形成され、その表面はアルミナ膜２０で被覆され
ている。ここで、走査電極のパターン端部はテーパ形状
に加工されている。アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜より
なるゲート絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ(ａ−Ｓｉ)膜３
０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映像信号電極１４，ソース電
極１５よりなるTFTが形成されている。ガラス基板１に
は、インジウム−スズ−酸化膜（ＩＴＯ）よりなる画素
電極１３が形成され、その一端はソース電極１５に接続
されている。画素電極１３の他端は表面にアルミナ膜２
０を形成した隣接画素の走査電極１０上まで延在され、
付加容量を形成する。ＴＦＴおよび付加容量を被覆する
ようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。
【００４３】本実施例の特徴は、画素電極１３が走査電
極１０と同一平面上に形成され、その一端を走査電極上
まで延在させ付加容量を形成した点にある。このように
することにより、半導体／絶縁膜の２層を含む容量の形
成を回避できるので半導体／絶縁膜界面の界面準位によ
る電荷の充放電に起因する過渡応答により液晶印加電圧
が保持期間中に減衰することを防止でき良好な保持特性
を実現できる。また、容量を形成する部分のアルミナ膜
２０が画素電極１３によって被覆され、ソース電極１
５，映像信号電極１４やゲート絶縁膜２１の加工工程で
エッチング液やガスに曝されることがないので、良好な
絶縁特性を実現できる。また、他の特徴としては、走査
電極１０がテーパ加工されているので、段さ部分での画
素電極の段切れを防止できる。さらに、パターンエッジ
での電界集中を防止できるので、良好な絶縁特性を実現
できる。
極１０と同一平面上に形成され、その一端を走査電極上
まで延在させ付加容量を形成した点にある。このように
することにより、半導体／絶縁膜の２層を含む容量の形
成を回避できるので半導体／絶縁膜界面の界面準位によ
る電荷の充放電に起因する過渡応答により液晶印加電圧
が保持期間中に減衰することを防止でき良好な保持特性
を実現できる。また、容量を形成する部分のアルミナ膜
２０が画素電極１３によって被覆され、ソース電極１
５，映像信号電極１４やゲート絶縁膜２１の加工工程で
エッチング液やガスに曝されることがないので、良好な
絶縁特性を実現できる。また、他の特徴としては、走査
電極１０がテーパ加工されているので、段さ部分での画
素電極の段切れを防止できる。さらに、パターンエッジ
での電界集中を防止できるので、良好な絶縁特性を実現
できる。
【００４４】〔実施例２〕図２は本発明の第２の実施例
の単位画素の断面図を示す。ガラス基板１上にＡｌより
なる走査電極１０が形成され、その表面はアルミナ膜２
０で被覆されている。ここで、走査電極のパターン端部
はテーパ形状に加工されている。アルミナ膜２０上には
ＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ
(ａ−Ｓｉ)膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映像信号電極
１４，ソース電極１５よりなるＴＦＴが形成されてい
る。ガラス基板１には、インジウム−スズ−酸化膜（Ｉ
ＴＯ）よりなる画素電極１３が形成され、その一端はソ
ース電極１５に接続されている。画素電極１３の他端は
表面にアルミナ膜２０を形成した隣接画素の走査電極１
０上まで延在され、付加容量を形成する。さらに、走査
電極１０の段さ部分の画素電極上には保護電極１６が形
成されている。ＴＦＴおよび付加容量を被覆するように
ＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されている。
の単位画素の断面図を示す。ガラス基板１上にＡｌより
なる走査電極１０が形成され、その表面はアルミナ膜２
０で被覆されている。ここで、走査電極のパターン端部
はテーパ形状に加工されている。アルミナ膜２０上には
ＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ
(ａ−Ｓｉ)膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映像信号電極
１４，ソース電極１５よりなるＴＦＴが形成されてい
る。ガラス基板１には、インジウム−スズ−酸化膜（Ｉ
ＴＯ）よりなる画素電極１３が形成され、その一端はソ
ース電極１５に接続されている。画素電極１３の他端は
表面にアルミナ膜２０を形成した隣接画素の走査電極１
０上まで延在され、付加容量を形成する。さらに、走査
電極１０の段さ部分の画素電極上には保護電極１６が形
成されている。ＴＦＴおよび付加容量を被覆するように
ＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されている。
【００４５】本実施例においては、上記第１の実施例に
加えてａ−Ｓｉ膜３０とゲート絶縁膜２１を略同一の平
面形状に加工し、さらに走査電極１０の段さ部分の画素
電極上に保護電極１６を形成した点に特徴がある。ａ−
Ｓｉ膜３０とゲート絶縁膜２１を略同一の平面形状にす
ることにより、これらの膜を１回のホト／エッチング工
程により加工できるので製造工程を短縮できる。また、
走査電極１０の段さ部分の画素電極上に保護電極１６を
形成することにより、段さ部分での画素電極の段切れ不
良に対し冗長性をもたせることができるので製造歩留ま
りが向上する。
加えてａ−Ｓｉ膜３０とゲート絶縁膜２１を略同一の平
面形状に加工し、さらに走査電極１０の段さ部分の画素
電極上に保護電極１６を形成した点に特徴がある。ａ−
Ｓｉ膜３０とゲート絶縁膜２１を略同一の平面形状にす
ることにより、これらの膜を１回のホト／エッチング工
程により加工できるので製造工程を短縮できる。また、
走査電極１０の段さ部分の画素電極上に保護電極１６を
形成することにより、段さ部分での画素電極の段切れ不
良に対し冗長性をもたせることができるので製造歩留ま
りが向上する。
【００４６】図３は本発明の第２の実施例の単位画素の
平面図を示す。ａ−Ｓｉ膜３０とゲート絶縁膜２１のパ
ターンはＴＦＴ部だけでなく、映像信号電極１４に沿っ
て形成されている。このようにすることにより、走査電
極１０の乗り越え部の段差を緩和できるので映像信号電
極の段切れを防止できる。また、ａ−Ｓｉ膜３０は可視
光に対して良好な吸収特性を持つため映像信号電極１４
の裏面からの光の反射を低減できるので、反射光の少な
いみやすい液晶表示装置が実現できる。
平面図を示す。ａ−Ｓｉ膜３０とゲート絶縁膜２１のパ
ターンはＴＦＴ部だけでなく、映像信号電極１４に沿っ
て形成されている。このようにすることにより、走査電
極１０の乗り越え部の段差を緩和できるので映像信号電
極の段切れを防止できる。また、ａ−Ｓｉ膜３０は可視
光に対して良好な吸収特性を持つため映像信号電極１４
の裏面からの光の反射を低減できるので、反射光の少な
いみやすい液晶表示装置が実現できる。
【００４７】〔実施例３〕図４および図５は本発明の第
３の実施例の断面および平面図である。ガラス基板１上
にＡｌよりなる走査電極１０が形成され、その表面はア
ルミナ膜２０で被覆されている。ここで、走査電極のパ
ターン端部はテーパ形状に加工されている。アルミナ膜
２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１，真性非
晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映
像信号電極１４，ソース電極１５よりなるＴＦＴが形成
されている。ガラス基板１には、インジウム−スズ−酸
化膜（ＩＴＯ）よりなる画素電極１３が形成され、その
一端はソース電極１５に接続されている。画素電極１３
の他端は表面にアルミナ膜２０を形成した隣接画素の走
査電極１０上まで延在され、付加容量を形成する。さら
に、走査電極１０の段さ部分の画素電極上にはゲート絶
縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパター
ンが形成されている。ＴＦＴおよび付加容量を被覆する
ようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。
３の実施例の断面および平面図である。ガラス基板１上
にＡｌよりなる走査電極１０が形成され、その表面はア
ルミナ膜２０で被覆されている。ここで、走査電極のパ
ターン端部はテーパ形状に加工されている。アルミナ膜
２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１，真性非
晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映
像信号電極１４，ソース電極１５よりなるＴＦＴが形成
されている。ガラス基板１には、インジウム−スズ−酸
化膜（ＩＴＯ）よりなる画素電極１３が形成され、その
一端はソース電極１５に接続されている。画素電極１３
の他端は表面にアルミナ膜２０を形成した隣接画素の走
査電極１０上まで延在され、付加容量を形成する。さら
に、走査電極１０の段さ部分の画素電極上にはゲート絶
縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパター
ンが形成されている。ＴＦＴおよび付加容量を被覆する
ようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。
【００４８】本実施例においては、ａ−Ｓｉ膜３０とゲ
ート絶縁膜２１のパターンを付加容量部の走査電極１０
の段さ部分に形成した点に特徴がある。画素電極として
用いられるＩＴＯ電極を段さ部に形成すると、段さ部分
のパターンの端部から楔状に亀裂が生じる。このような
部分がその後の工程でエッチングガスやエッチング液に
曝されると亀裂部分からエッチングガスやエッチング液
が画素電極１３とアルミナ膜２０の界面に染み込み絶縁
特性を低下させる。従って、本実施例の様に、段さ部分
をゲート絶縁膜２１で保護することによりエッチングガ
スやエッチング液の染み込みを防止できるので、歩留ま
りを向上できる。
ート絶縁膜２１のパターンを付加容量部の走査電極１０
の段さ部分に形成した点に特徴がある。画素電極として
用いられるＩＴＯ電極を段さ部に形成すると、段さ部分
のパターンの端部から楔状に亀裂が生じる。このような
部分がその後の工程でエッチングガスやエッチング液に
曝されると亀裂部分からエッチングガスやエッチング液
が画素電極１３とアルミナ膜２０の界面に染み込み絶縁
特性を低下させる。従って、本実施例の様に、段さ部分
をゲート絶縁膜２１で保護することによりエッチングガ
スやエッチング液の染み込みを防止できるので、歩留ま
りを向上できる。
【００４９】〔実施例４〕図６および図７は本発明の第
４の実施例の断面および平面図である。ガラス基板１上
にＡｌよりなる走査電極１０が形成され、その表面はア
ルミナ膜２０で被覆されている。ここで、走査電極のパ
ターン端部はテーパ形状に加工されている。アルミナ膜
２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１，真性非
晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映
像信号電極１４，ソース電極１５よりなるＴＦＴが形成
されている。ガラス基板１には、インジウム−スズ−酸
化膜（ＩＴＯ）よりなる画素電極１３が形成され、その
一端はソース電極１５に接続されている。画素電極１３
の他端は表面にアルミナ膜２０を形成した隣接画素の走
査電極１０上まで延在され、付加容量を形成する。さら
に、走査電極１０の段さ部分の画素電極上にはゲート絶
縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパター
ンが形成され、さらにこのゲート絶縁膜２１，真性非晶
質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパターンを乗り越えるよう
に保護電極１６が形成されている。ＴＦＴおよび付加容
量を被覆するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が
形成されている。
４の実施例の断面および平面図である。ガラス基板１上
にＡｌよりなる走査電極１０が形成され、その表面はア
ルミナ膜２０で被覆されている。ここで、走査電極のパ
ターン端部はテーパ形状に加工されている。アルミナ膜
２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１，真性非
晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映
像信号電極１４，ソース電極１５よりなるＴＦＴが形成
されている。ガラス基板１には、インジウム−スズ−酸
化膜（ＩＴＯ）よりなる画素電極１３が形成され、その
一端はソース電極１５に接続されている。画素電極１３
の他端は表面にアルミナ膜２０を形成した隣接画素の走
査電極１０上まで延在され、付加容量を形成する。さら
に、走査電極１０の段さ部分の画素電極上にはゲート絶
縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパター
ンが形成され、さらにこのゲート絶縁膜２１，真性非晶
質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパターンを乗り越えるよう
に保護電極１６が形成されている。ＴＦＴおよび付加容
量を被覆するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が
形成されている。
【００５０】本実施例においては、ａ−Ｓｉ膜３０とゲ
ート絶縁膜２１のパターンを付加容量部の走査電極１０
の段さ部分に形成し、さらにこのゲート絶縁膜２１，真
性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパターンを乗り越え
るように保護電極１６を形成した点に特徴がある。前記
第３の実施例と同様に、段さ部分をゲート絶縁膜２１で
保護することによりエッチングガスやエッチング液の染
み込みを防止できるので、良好な絶縁耐圧を実現でき
る。同時に段さ部分での画素電極の段切れ不良に対し冗
長性をもたせることができるので製造歩留まりが向上す
る。
ート絶縁膜２１のパターンを付加容量部の走査電極１０
の段さ部分に形成し、さらにこのゲート絶縁膜２１，真
性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパターンを乗り越え
るように保護電極１６を形成した点に特徴がある。前記
第３の実施例と同様に、段さ部分をゲート絶縁膜２１で
保護することによりエッチングガスやエッチング液の染
み込みを防止できるので、良好な絶縁耐圧を実現でき
る。同時に段さ部分での画素電極の段切れ不良に対し冗
長性をもたせることができるので製造歩留まりが向上す
る。
【００５１】〔実施例５〕図８および図９は本発明の第
５の実施例の断面および平面図である。ガラス基板１上
にＡｌよりなる走査電極１０と共通電極１１が形成さ
れ、その表面はアルミナ膜２０で被覆されている。ここ
で、走査電極および共通電極のパターン端部はテーパ形
状に加工されている。アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜よ
りなるゲート絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）
膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映像信号電極１４，ソー
ス電極１５よりなるＴＦＴが形成されている。ガラス基
板１には、インジウム−スズ−酸化膜（ＩＴＯ）よりな
る画素電極１３が形成され、その一方はソース電極１５
に接続され、画素電極１３の他端は表面にアルミナ膜２
０を形成した共通電極１１上を乗り越えて付加容量を形
成する。走査電極１０の段さ部分の画素電極上にはゲー
ト絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパ
ターンが形成され、さらにこのゲート絶縁膜２１，真性
非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパターンを乗り越える
ように保護電極１６が形成されている。ＴＦＴおよび付
加容量を被覆するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２
３が形成されている。本実施例の構成は、前記第４の実
施例とほぼ同様であるが、付加容量を共通電極１１と画
素電極１３で構成した点に特徴がある。共通電極を走査
電極から分離して形成することにより、走査電極の負荷
容量を小さくできるので走査信号の伝搬遅延を小さくで
きるので画面が高精細化，大型化しても良好な画質を実
現できる。
５の実施例の断面および平面図である。ガラス基板１上
にＡｌよりなる走査電極１０と共通電極１１が形成さ
れ、その表面はアルミナ膜２０で被覆されている。ここ
で、走査電極および共通電極のパターン端部はテーパ形
状に加工されている。アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜よ
りなるゲート絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）
膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１，映像信号電極１４，ソー
ス電極１５よりなるＴＦＴが形成されている。ガラス基
板１には、インジウム−スズ−酸化膜（ＩＴＯ）よりな
る画素電極１３が形成され、その一方はソース電極１５
に接続され、画素電極１３の他端は表面にアルミナ膜２
０を形成した共通電極１１上を乗り越えて付加容量を形
成する。走査電極１０の段さ部分の画素電極上にはゲー
ト絶縁膜２１，真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパ
ターンが形成され、さらにこのゲート絶縁膜２１，真性
非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０のパターンを乗り越える
ように保護電極１６が形成されている。ＴＦＴおよび付
加容量を被覆するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２
３が形成されている。本実施例の構成は、前記第４の実
施例とほぼ同様であるが、付加容量を共通電極１１と画
素電極１３で構成した点に特徴がある。共通電極を走査
電極から分離して形成することにより、走査電極の負荷
容量を小さくできるので走査信号の伝搬遅延を小さくで
きるので画面が高精細化，大型化しても良好な画質を実
現できる。
【００５２】次に本発明の実施例の製造工程を図１０〜
図１５を用いて説明する。
図１５を用いて説明する。
【００５３】ガラス基板１上にスパッタリング法により
Ａｌ膜を３００ｎｍ堆積して、周知のホトリソグラフィ
法により所定の形状にパターニングして走査電極１０を
得る（図１０）。
Ａｌ膜を３００ｎｍ堆積して、周知のホトリソグラフィ
法により所定の形状にパターニングして走査電極１０を
得る（図１０）。
【００５４】次に、陽極酸化法により走査電極の表面お
よび側面にアルミナ膜２０を形成する。陽極酸化は酒石
酸をアンモニア水によりｐＨ約７に調整した溶液をエチ
レングリコールで希釈した溶液中で実施した。化成電圧
１４５Ｖで約２００ｎｍの膜厚のアルミナ膜を形成でき
る（図１１）。次に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜
を１２０ｎｍ堆積し、所定の形状にパターニングして画
素電極１３を得る。ここで、画素電極はアルミナ膜を表
面に形成した走査電極１０の一部に重なるように形成し
た（図１２）。この部分を付加容量として用いるためで
ある。また、このように付加容量の上部電極をアルミナ
膜形成直後に形成することにより、容量部のアルミナ膜
がその後の工程でエッチングガスやエッチング液に曝さ
れることがないので良好な絶縁耐圧を保つことができ
る。次に、プラズマＣＶＤ法によりＴＦＴのゲート絶縁
膜であるＳｉＮ膜２１，活性層である真性非晶質Ｓｉ膜
３０およびコンタクト層となるｎ型非晶質Ｓｉ膜３１を
連続して形成する。ＳｉＮ膜は原料ガスとしてＳｉ
Ｈ４，Ｈ2，ＮＨ3 を用い基板温度３００℃で２００ｎ
ｍ形成した。真性非晶質Ｓｉ膜は原料ガスとしてＳｉＨ
4 を用い基板温度２５０℃で２５０ｎｍ形成した。ｎ型
非晶質Ｓｉ膜は原料ガスとしてＳｉＨ4およびＰＨ3を用
い基板温度２５０℃で５０ｎｍ形成した。また、プラズ
マＣＶＤで膜を堆積中には走査電極１０は設地電位にし
ておくことが望ましい。このようにすることにより、Ｃ
ＶＤ工程中にプラズマ中の荷電粒子が基板に入射しても
チャージアップすることがないので工程中にアルミナ膜
が絶縁破壊することを防止できる。走査電極１０は広い
面積にわたって形成されているため電荷を蓄積しやす
い。一方形成された容量は１ｐＦ以下の小さなものであ
るので、このような対策をしないと容易に絶縁破壊す
る。走査電極の電位を固定して電荷が蓄積しないように
することによりこのような不良は防止できる。
よび側面にアルミナ膜２０を形成する。陽極酸化は酒石
酸をアンモニア水によりｐＨ約７に調整した溶液をエチ
レングリコールで希釈した溶液中で実施した。化成電圧
１４５Ｖで約２００ｎｍの膜厚のアルミナ膜を形成でき
る（図１１）。次に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜
を１２０ｎｍ堆積し、所定の形状にパターニングして画
素電極１３を得る。ここで、画素電極はアルミナ膜を表
面に形成した走査電極１０の一部に重なるように形成し
た（図１２）。この部分を付加容量として用いるためで
ある。また、このように付加容量の上部電極をアルミナ
膜形成直後に形成することにより、容量部のアルミナ膜
がその後の工程でエッチングガスやエッチング液に曝さ
れることがないので良好な絶縁耐圧を保つことができ
る。次に、プラズマＣＶＤ法によりＴＦＴのゲート絶縁
膜であるＳｉＮ膜２１，活性層である真性非晶質Ｓｉ膜
３０およびコンタクト層となるｎ型非晶質Ｓｉ膜３１を
連続して形成する。ＳｉＮ膜は原料ガスとしてＳｉ
Ｈ４，Ｈ2，ＮＨ3 を用い基板温度３００℃で２００ｎ
ｍ形成した。真性非晶質Ｓｉ膜は原料ガスとしてＳｉＨ
4 を用い基板温度２５０℃で２５０ｎｍ形成した。ｎ型
非晶質Ｓｉ膜は原料ガスとしてＳｉＨ4およびＰＨ3を用
い基板温度２５０℃で５０ｎｍ形成した。また、プラズ
マＣＶＤで膜を堆積中には走査電極１０は設地電位にし
ておくことが望ましい。このようにすることにより、Ｃ
ＶＤ工程中にプラズマ中の荷電粒子が基板に入射しても
チャージアップすることがないので工程中にアルミナ膜
が絶縁破壊することを防止できる。走査電極１０は広い
面積にわたって形成されているため電荷を蓄積しやす
い。一方形成された容量は１ｐＦ以下の小さなものであ
るので、このような対策をしないと容易に絶縁破壊す
る。走査電極の電位を固定して電荷が蓄積しないように
することによりこのような不良は防止できる。
【００５５】続いて、ＳｉＮ膜２１，真性非晶質Ｓｉ膜
３０およびｎ型非晶質Ｓｉ膜３１を同一のホトマスクを
用いて略同一の形状にパターニングした。エッチングは
SF6ガスを用いた。ＳＦ6 ガスによる真性非晶質Ｓｉ膜
３０およびｎ型非晶質Ｓｉ膜３１のエッチング速度はＳ
ｉＮ膜２１のエッチング速度よりも大きいためエッチン
グ形状は図に示すごとくテーパ形状となる。このことは
後に形成される上部電極の段切れを防止するために有効
である。また、ＳｉＮ膜２１，真性非晶質Ｓｉ膜３０お
よびｎ型非晶質Ｓｉ膜３１を付加容量の走査電極の段さ
部分にも形成することにより、容量部のアルミナ膜がそ
の後の工程でエッチングガスやエッチング液に曝される
ことを防止できるので良好な絶縁耐圧を保つことができ
る。次にスパッタリング法によりＣｒを５０ｎｍ、Ａｌ
を４００ｎｍ形成し所定の形状にパターニングして、映
像信号電極１４，ソース電極１５および容量の保護電極
１６を得る。最後にＴＦＴ部および付加容量部を覆うよ
うに保護ＳｉＮ膜を形成し、ＴＦＴ基板が完成する。こ
の後、カラーフィルター等を表面に形成した対向基板と
組み合わせて組み立てる工程，液晶を封入する工程，基
板周囲に駆動回路を取付ける工程を経て液晶表示装置が
完成するが、本発明の骨子とは関係ないので割愛する。
３０およびｎ型非晶質Ｓｉ膜３１を同一のホトマスクを
用いて略同一の形状にパターニングした。エッチングは
SF6ガスを用いた。ＳＦ6 ガスによる真性非晶質Ｓｉ膜
３０およびｎ型非晶質Ｓｉ膜３１のエッチング速度はＳ
ｉＮ膜２１のエッチング速度よりも大きいためエッチン
グ形状は図に示すごとくテーパ形状となる。このことは
後に形成される上部電極の段切れを防止するために有効
である。また、ＳｉＮ膜２１，真性非晶質Ｓｉ膜３０お
よびｎ型非晶質Ｓｉ膜３１を付加容量の走査電極の段さ
部分にも形成することにより、容量部のアルミナ膜がそ
の後の工程でエッチングガスやエッチング液に曝される
ことを防止できるので良好な絶縁耐圧を保つことができ
る。次にスパッタリング法によりＣｒを５０ｎｍ、Ａｌ
を４００ｎｍ形成し所定の形状にパターニングして、映
像信号電極１４，ソース電極１５および容量の保護電極
１６を得る。最後にＴＦＴ部および付加容量部を覆うよ
うに保護ＳｉＮ膜を形成し、ＴＦＴ基板が完成する。こ
の後、カラーフィルター等を表面に形成した対向基板と
組み合わせて組み立てる工程，液晶を封入する工程，基
板周囲に駆動回路を取付ける工程を経て液晶表示装置が
完成するが、本発明の骨子とは関係ないので割愛する。
【００５６】以上の実施例においては走査電極１０およ
び共通電極１１にＡｌを用い、その自己酸化膜であるア
ルミナ膜を付加容量の誘電体として用いたが、電極材料
はこれに限定されるものではなく、例えばＴａ，Ｔｉ，
Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆ等、その自己酸化膜が良好な絶縁
特性を有するものであればよい。特に上記の金属の窒化
合金を用いるとリーク電流が低減できるのでより望まし
い。
び共通電極１１にＡｌを用い、その自己酸化膜であるア
ルミナ膜を付加容量の誘電体として用いたが、電極材料
はこれに限定されるものではなく、例えばＴａ，Ｔｉ，
Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆ等、その自己酸化膜が良好な絶縁
特性を有するものであればよい。特に上記の金属の窒化
合金を用いるとリーク電流が低減できるのでより望まし
い。
【００５７】また、特にＡｌを主成分とする合金を用い
る場合、その成分中に少なくともＴｉとＴａを含む合金
で、かつＴｉとＴａとを合わせた成分量が重量％で前記
合金全体の０.８〜８.５％である材料を用いることが絶
縁耐圧を向上させる点から特に望ましい。図１６はＡｌ
合金中のＴｉとＴａを合わせた成分量とこの合金の自己
酸化膜の絶縁耐圧の関係をしめす。ＴｉとＴａ含有量が
少なすぎても多すぎても絶縁耐圧は低下する。ＴｉとＴ
ａ含有量を０.８〜８.５％の範囲とすることにより良好
な絶縁特性を実現できることがわかる。
る場合、その成分中に少なくともＴｉとＴａを含む合金
で、かつＴｉとＴａとを合わせた成分量が重量％で前記
合金全体の０.８〜８.５％である材料を用いることが絶
縁耐圧を向上させる点から特に望ましい。図１６はＡｌ
合金中のＴｉとＴａを合わせた成分量とこの合金の自己
酸化膜の絶縁耐圧の関係をしめす。ＴｉとＴａ含有量が
少なすぎても多すぎても絶縁耐圧は低下する。ＴｉとＴ
ａ含有量を０.８〜８.５％の範囲とすることにより良好
な絶縁特性を実現できることがわかる。
【００５８】図１７は本発明の液晶表示装置の断面模式
図を示す。液晶層５０６を基準に下部のガラス基板１上
には、走査信号電極１１と映像信号電極１４とがマトリ
ックス状に形成され、その交点近傍に形成されたＴＦＴ
を介してＩＴＯよりなる画素電極１３を駆動する。液晶
層５０６を挾んで対向する対向ガラス基板５０８上には
ＩＴＯよりなる対向電極５１０及びカラーフィルター５
０７，カラーフィルター保護膜５１１，遮光用ブラック
マトリックスパターンを形成する遮光膜５１２が形成さ
れている。図１７の中央部は１画素部分の断面を、左側
は一対のガラス基板１，５０８の左側縁部分で外部引出
端子の存在する部分の断面を、右側は一対のガラス基板
１，５０８の右側縁部分で外部引出端子の存在しない部
分の断面をしめしている。図１７の左側，右側のそれぞ
れに示すシールＳＬは液晶層506を封止するように構成
されており、液晶封入口（図示していない）を除くガラ
ス基板１，５０８の縁全体に沿って形成されている。シ
ール剤は例えばエポキシ樹脂で形成されている。対向ガ
ラス基板５０８側の対向電極５１０は少なくとも一個所
において、銀ペースト材ＳＩＬによってガラス基板１に
形成された外部引出配線に接続されている。この外部接
続配線は走査信号配線１０，ソース電極１５，映像信号
配線１４のそれぞれと同一製造工程で形成される。配向
膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，画素電極１３，保護膜２３，カ
ラーフィルター保護膜５１１，ゲートＳｉＮ膜２１のそ
れぞれの層はシールＳＬの内側に形成される。偏光板５
０５はそれぞれ一対のガラス基板１，５０８の外側の表
面に形成されている。
図を示す。液晶層５０６を基準に下部のガラス基板１上
には、走査信号電極１１と映像信号電極１４とがマトリ
ックス状に形成され、その交点近傍に形成されたＴＦＴ
を介してＩＴＯよりなる画素電極１３を駆動する。液晶
層５０６を挾んで対向する対向ガラス基板５０８上には
ＩＴＯよりなる対向電極５１０及びカラーフィルター５
０７，カラーフィルター保護膜５１１，遮光用ブラック
マトリックスパターンを形成する遮光膜５１２が形成さ
れている。図１７の中央部は１画素部分の断面を、左側
は一対のガラス基板１，５０８の左側縁部分で外部引出
端子の存在する部分の断面を、右側は一対のガラス基板
１，５０８の右側縁部分で外部引出端子の存在しない部
分の断面をしめしている。図１７の左側，右側のそれぞ
れに示すシールＳＬは液晶層506を封止するように構成
されており、液晶封入口（図示していない）を除くガラ
ス基板１，５０８の縁全体に沿って形成されている。シ
ール剤は例えばエポキシ樹脂で形成されている。対向ガ
ラス基板５０８側の対向電極５１０は少なくとも一個所
において、銀ペースト材ＳＩＬによってガラス基板１に
形成された外部引出配線に接続されている。この外部接
続配線は走査信号配線１０，ソース電極１５，映像信号
配線１４のそれぞれと同一製造工程で形成される。配向
膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，画素電極１３，保護膜２３，カ
ラーフィルター保護膜５１１，ゲートＳｉＮ膜２１のそ
れぞれの層はシールＳＬの内側に形成される。偏光板５
０５はそれぞれ一対のガラス基板１，５０８の外側の表
面に形成されている。
【００５９】液晶層５０６は液晶分子の向きを設定する
下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２の間に封入さ
れ、シールＳＬによってシールされている。下部配向膜
ＯＲＩ１はガラス基板１側の保護膜２３の上部に形成さ
れる。対向ガラス基板５０８の内側の表面には、遮光膜
５１２，カラーフィルター５０７，カラーフィルター保
護膜５１１，対向電極５１０および上部配向膜ＯＲＩ２
が順次積層して設けられている。この液晶表示装置はガ
ラス基板１側と対向ガラス基板５０８側の層を別々に形
成し、その後上下ガラス基板１，５０８を重ねあわせ、
両者間に液晶５０６を封入することによって組立てられ
る。バックライトＢＬからの光の透過を画素電極１３部
分で調節することによりＴＦＴ駆動型のカラー液晶表示
装置が構成される。
下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２の間に封入さ
れ、シールＳＬによってシールされている。下部配向膜
ＯＲＩ１はガラス基板１側の保護膜２３の上部に形成さ
れる。対向ガラス基板５０８の内側の表面には、遮光膜
５１２，カラーフィルター５０７，カラーフィルター保
護膜５１１，対向電極５１０および上部配向膜ＯＲＩ２
が順次積層して設けられている。この液晶表示装置はガ
ラス基板１側と対向ガラス基板５０８側の層を別々に形
成し、その後上下ガラス基板１，５０８を重ねあわせ、
両者間に液晶５０６を封入することによって組立てられ
る。バックライトＢＬからの光の透過を画素電極１３部
分で調節することによりＴＦＴ駆動型のカラー液晶表示
装置が構成される。
【００６０】図１８はＴＦＴ基板側の画素配列の平面図
である。各画素は走査電極１０が延在する方向に複数配
列され、画素列Ｘ１，Ｘ２，…の夫々を構成している。
各画素列Ｘ１，Ｘ２…のそれぞれの画素はＴＦＴ，画素
電極１３および付加容量Caddの位置を同一に構成してい
る。映像信号電極１４は走査電極１０と交差するように
配置され各画素列の内の一個の画素電極にＴＦＴを介し
て接続されている。
である。各画素は走査電極１０が延在する方向に複数配
列され、画素列Ｘ１，Ｘ２，…の夫々を構成している。
各画素列Ｘ１，Ｘ２…のそれぞれの画素はＴＦＴ，画素
電極１３および付加容量Caddの位置を同一に構成してい
る。映像信号電極１４は走査電極１０と交差するように
配置され各画素列の内の一個の画素電極にＴＦＴを介し
て接続されている。
【００６１】図１９は表示装置全体の等価回路を示す。
ＸiＧ，Ｘi+1Ｇ，…は緑色フィルターＧが形成される画
素に接続された映像信号電極である。同様に、ＸiＢ，
Ｘi+1Ｂ，… は青色フィルターＢが、ＸiＲ，Ｘi+1
Ｒ，…は赤色フィルターＲが形成される画素に接続され
た映像信号電極であるＹi，Ｙi+1，…は図１７にしめし
た画素列Ｘ１，Ｘ２，…を選択する走査電極１０であ
り、これらの走査電極１０は垂直走査回路Ｖに接続され
ている。映像信号電極は映像信号駆動回路Ｈに接続され
ている。電源回路ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧
した安定化された電圧源をえるための電源回路やホスト
（上位演算処理装置）からの陰極線管用の情報を液晶表
示パネル用の情報に変換する回路を含む回路である。
ＸiＧ，Ｘi+1Ｇ，…は緑色フィルターＧが形成される画
素に接続された映像信号電極である。同様に、ＸiＢ，
Ｘi+1Ｂ，… は青色フィルターＢが、ＸiＲ，Ｘi+1
Ｒ，…は赤色フィルターＲが形成される画素に接続され
た映像信号電極であるＹi，Ｙi+1，…は図１７にしめし
た画素列Ｘ１，Ｘ２，…を選択する走査電極１０であ
り、これらの走査電極１０は垂直走査回路Ｖに接続され
ている。映像信号電極は映像信号駆動回路Ｈに接続され
ている。電源回路ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧
した安定化された電圧源をえるための電源回路やホスト
（上位演算処理装置）からの陰極線管用の情報を液晶表
示パネル用の情報に変換する回路を含む回路である。
【００６２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体／絶縁膜界面の界面準位による電荷の充放電に起因
する電圧減衰のない付加容量を有する液晶表示装置を短
い工程で製造できるので、安価でかつ良好な画像品質が
得られる液晶表示装置の構造を提供することが可能とな
る。
導体／絶縁膜界面の界面準位による電荷の充放電に起因
する電圧減衰のない付加容量を有する液晶表示装置を短
い工程で製造できるので、安価でかつ良好な画像品質が
得られる液晶表示装置の構造を提供することが可能とな
る。
【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示装置における
単位画素の断面図。
単位画素の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の液晶表示装置における
単位画素の断面図。
単位画素の断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の液晶表示装置における
単位画素の平面図。
単位画素の平面図。
【図４】本発明の第３の実施例の液晶表示装置における
単位画素の断面図。
単位画素の断面図。
【図５】本発明の第３の実施例の液晶表示装置における
単位画素の平面図。
単位画素の平面図。
【図６】本発明の第４の実施例の液晶表示装置における
単位画素の断面図。
単位画素の断面図。
【図７】本発明の第４の実施例の液晶表示装置における
単位画素の平面図。
単位画素の平面図。
【図８】本発明の第５の実施例の液晶表示装置における
単位画素の断面図。
単位画素の断面図。
【図９】本発明の第６の実施例の液晶表示装置における
単位画素の平面図。
単位画素の平面図。
【図１０】本発明の第４の実施例における液晶表示装置
の製造工程の説明図。
の製造工程の説明図。
【図１１】本発明の第４の実施例における液晶表示装置
の製造工程の説明図。
の製造工程の説明図。
【図１２】本発明の第４の実施例における液晶表示装置
の製造工程の説明図。
の製造工程の説明図。
【図１３】本発明の第４の実施例における液晶表示装置
の製造工程の説明図。
の製造工程の説明図。
【図１４】本発明の第４の実施例における液晶表示装置
の製造工程の説明図。
の製造工程の説明図。
【図１５】本発明の第４の実施例における液晶表示装置
の製造工程の説明図。
の製造工程の説明図。
【図１６】Ａｌ合金中のＴｉとＴａを合わせた成分量と
この合金の自己酸化膜絶縁耐圧の関係を示す図。
この合金の自己酸化膜絶縁耐圧の関係を示す図。
【図１７】本発明の液晶表示装置の断面図。
【図１８】本発明の液晶表示装置における画素配置図。
【図１９】本発明の液晶表示装置全体の等価回路図。
１…ガラス基板、１０…走査電極、１１…共通電極、１
３…画素電極、１４…映像信号電極、１５…ソース電
極、１６…付加容量の保護電極、２０…アルミナ膜、２
１…ゲート絶縁膜、２３…保護絶縁膜、３０…真性非晶
質Ｓｉ膜、３１…ｎ型非晶質Ｓｉ膜、５０６…液晶層、
５０７…カラーフィルター、５０８…対向ガラス基板、
５１１…カラーフィルター保護膜、５１２…遮光膜、Ｓ
Ｌ…シール、ＳＩＬ…銀ペースト、ＯＲＩ１，ＯＲＩ２
…配向膜、ＢＬ…バックライト、Ｖ…垂直走査回路、Ｈ
…映像信号駆動回路、ＳＵＰ…電源回路。
３…画素電極、１４…映像信号電極、１５…ソース電
極、１６…付加容量の保護電極、２０…アルミナ膜、２
１…ゲート絶縁膜、２３…保護絶縁膜、３０…真性非晶
質Ｓｉ膜、３１…ｎ型非晶質Ｓｉ膜、５０６…液晶層、
５０７…カラーフィルター、５０８…対向ガラス基板、
５１１…カラーフィルター保護膜、５１２…遮光膜、Ｓ
Ｌ…シール、ＳＩＬ…銀ペースト、ＯＲＩ１，ＯＲＩ２
…配向膜、ＢＬ…バックライト、Ｖ…垂直走査回路、Ｈ
…映像信号駆動回路、ＳＵＰ…電源回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿武 恒一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 和久井 陽行 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 阿須間 宏明 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 石井 正宏 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (15)
- 【請求項１】絶縁基板上に形成した複数の走査電極およ
び共通電極と、前記走査電極および共通電極と交差する
ように形成された複数の映像信号電極と、前記走査電極
と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電
極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄膜トラン
ジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクティブマト
リックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対
向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と
対向基板とに挟持された液晶層とから構成され、前記画
素電極によって前記液晶層を駆動する機能を有する液晶
表示装置において、 前記付加容量は共通電極と、前記共通電極の表面および
側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸化膜
と、前記自己酸化膜上に直接形成された上部電極とから
構成され、かつ、前記薄膜トランジスタを構成する半導
体膜とゲート絶縁膜は、略同一の平面形状を有すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】絶縁基板上に形成した複数の走査電極と、
前記走査電極と交差するように形成された複数の映像信
号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続された薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された
画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量と、少
なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜と
からなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティ
ブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記アクテ
ィブマトリックス基板と対向基板とに挟持された液晶層
とから構成され、前記画素電極によって前記液晶層を駆
動する機能を有する液晶表示装置において、 前記付加容量は前記走査電極と、前記共通電極の表面お
よび側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸
化膜と、前記自己酸化膜上に直接形成された上部電極と
から構成され、かつ、前記薄膜トランジスタを構成する
半導体膜とゲート絶縁膜は、略同一の平面形状を有する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】絶縁基板上に形成した複数の走査電極およ
び共通電極と、前記走査電極および共通電極と交差する
ように形成された複数の映像信号電極と、前記走査電極
と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電
極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄膜トラン
ジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクティブマト
リックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対
向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と
対向基板とに挟持された液晶層とから構成され、前記画
素電極によって前記液晶層を駆動する機能を有する液晶
表示装置において、 前記付加容量は前記共通電極と、共通電極の表面および
側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸化膜
と、その一端が共通電極と同一層上に形成され、かつ他
端が表面に自己酸化膜を形成した共通電極上まで延在さ
れた上部電極により構成されたことを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項４】絶縁基板上に形成した複数の走査電極と、
前記走査電極と交差するように形成された複数の映像信
号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続された薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された
画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量と、少
なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜と
からなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティ
ブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記アクテ
ィブマトリックス基板と対向基板とに挟持された液晶層
とから構成され、前記画素電極によって前記液晶層を駆
動する機能を有する液晶表示装置において、 前記付加容量は前記走査電極と、走査電極の表面および
側面を被覆するように形成された走査電極の自己酸化膜
と、その一端が前記走査電極と同一層上に形成され、か
つ他端が表面に自己酸化膜を形成した走査電極上まで延
在された上部電極により構成されたことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項５】請求項第１項及び第２項記載の液晶表示装
置において、 前記付加容量の上部電極は、その一端が前記走査電極ま
たは共通電極と同一層上に形成され、かつ他端が表面に
自己酸化膜を形成した走査電極または共通電極上まで延
在するように形成されたことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項６】請求項第１項ないし第２項記載の液晶表示
装置において、 前記半導体膜およびゲート絶縁膜のパターンは前記薄膜
トランジスタ部および前記映像信号電極の下層にのみ形
成されたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項第１項ないし第４項記載の液晶表示
装置において、 前記走査電極または共通電極のパターン側面はテーパ形
状に加工されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】請求項第７項記載の液晶表示装置におい
て、前記テーパ加工されたパターン側面と基板面がなす
角度は１０°以上７０°以下であることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項９】請求項第１項ないし第４項記載の液晶表示
装置において、 前記走査電極および共通電極はＡｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎ
ｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｈｆの各金属膜、またはこれらの金属間
の合金膜、またはこれらの金属の窒化合金または、以上
述べた材料を２層以上積層した複合膜により構成された
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】請求項第１項ないし第４項記載の液晶表
示装置において、 前記走査電極および共通電極はＡｌを主成分としてその
成分中に少なくともＴｉとＴａを含む合金で構成され、
ＴｉとＴａとを合わせた成分量が重量％で前記合金全体
の０.８〜８.５％に設定されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１１】請求項第１項ないし第４項記載の液晶表
示装置において、 前記走査電極または共通電極と前記上部電極の交差部の
前記走査電極または共通電極のパターン端部は前記ゲー
ト絶縁膜によって被覆されたことを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１２】以下の工程を含むことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 （１）絶縁基板上に走査電極および共通電極を形成する
工程。 （２）前記走査電極および共通電極を被覆するように前
記走査電極および共通電極の自己酸化膜を形成し、その
直後に付加容量の上部電極を形成する工程。 - 【請求項１３】以下の工程を含むことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 （１）絶縁基板上に走査電極および共通電極を形成する
工程。 （２）前記走査電極および共通電極を被覆するように前
記走査電極および共通電極の自己酸化膜を形成し、その
直後に付加容量の上部電極を形成する工程。 （３）基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜を積層する工
程。 （４）前記ゲート絶縁膜，半導体膜を略同一の平面形状
に加工する工程。 - 【請求項１４】以下の工程を含むことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 （１）絶縁基板上に走査電極を形成する工程。 （２）前記走査電極を被覆するように前記走査電極の自
己酸化膜を形成し、その直後に付加容量の上部電極を形
成する工程。 - 【請求項１５】以下の工程を含むことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 （１）絶縁基板上に走査電極を形成する工程。 （２）前記走査電極を被覆するように前記走査電極の自
己酸化膜を形成し、その直後に付加容量の上部電極を形
成する工程。 （３）基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜を積層する工
程。 （４）前記ゲート絶縁膜，半導体膜を略同一の平面形状
に加工する工程。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26484194A JPH08122821A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| EP95116750A EP0709718A3 (en) | 1994-10-28 | 1995-10-24 | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| KR1019950037256A KR960015052A (ko) | 1994-10-28 | 1995-10-26 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN95109593A CN1126844A (zh) | 1994-10-28 | 1995-10-27 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26484194A JPH08122821A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122821A true JPH08122821A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17408961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26484194A Pending JPH08122821A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0709718A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08122821A (ja) |
| KR (1) | KR960015052A (ja) |
| CN (1) | CN1126844A (ja) |
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| JP2001035808A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 |
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- 1994-10-28 JP JP26484194A patent/JPH08122821A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-24 EP EP95116750A patent/EP0709718A3/en not_active Withdrawn
- 1995-10-26 KR KR1019950037256A patent/KR960015052A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-10-27 CN CN95109593A patent/CN1126844A/zh active Pending
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