平成25年10月23日 東京大学生産技術研究所 1.発表者: 柴田 憲治(東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 特任講師) 袁 洪涛 (前 東京大学大学院 工学系研究科 物理工学専攻・ 工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター 特任助教) 岩佐 義宏(東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター・物理工学専攻 教授/理化学研究所創発物性科学研究センター 創発デバイス研究チーム チームリーダー) 平川 一彦(東京大学生産技術研究所 教授/ 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 教授) 2.発表のポイント ◆単一の自己形成量子ドットのゲートにイオン液体を初めて適用し、トランジスタの制御性を従来比最大100倍に向上 ◆従来、困難だった自己形成量子ドット中の電子の閉じ込めサイズや、スピンの振る舞いを電圧で大きく制御 ◆10ナノメートル級の微小ナノ構造の