WO2019030858A1

WO2019030858A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

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Publication number: WO2019030858A1
Application number: PCT/JP2017/028937
Authority: WO
Inventors: 薫安部
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2017-08-09
Filing date: 2017-08-09
Publication date: 2019-02-14
Also published as: US10897026B2; US20190326553A1; CN111033782A; CN111033782B

Abstract

デバイスの信頼性を維持しつつ、デバイスの表示面の設計自由度を向上させるために、表示に寄与するアクティブ領域（ＤＡ）と、該アクティブ領域（ＤＡ）の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部（９）とを含み、該切り欠き部（９）が形成された前記アクティブ領域（ＤＡ）の周端側には、凸部（８）が形成され、該凸部（８）において発光層（５）が段切れする表示デバイス（２）を提供する。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

　本発明は、アクティブ領域において発光素子を有する発光層を備える表示デバイスに関する。

　一般に、基材上において発光素子を備えた表示デバイスに、外部モジュールを実装する場合、外部モジュールをアクティブ領域の外側の非アクティブ領域に実装する。この場合、デバイスの一面全体を表示面とすることができず、表示デバイスのデザイン性を低下させる。デバイスの表示面の設計自由度を向上させ、デザイン性を向上させた表示デバイスを提供するために、表示デバイスのアクティブ領域に外部モジュールを担持させる構成が考えられる。

　表示デバイスのアクティブ領域に外部モジュールを担持させるために、表示デバイスのアクティブ領域に開口を形成すると、開口の端面から水分等の異物が侵入する場合がある。このため、当該異物によって発光素子が失活し、開口周囲における表示の異常が発生する虞がある。

　特許文献１においては、非発光領域よりも外周側の発光領域において、発光素子を備えた有機発光層の端面が封止層によって覆われている構造を備える有機ＥＬ装置と、当該装置の製造方法について記載されている。

日本国公開特許公報「特開２０１４－１９７６２３号（２０１４年１０月１６日公開）」

　特許文献１の有機ＥＬ装置の製造工程においては、有機発光層の形成後に、レーザースクライブ装置を用いて、領域を分断する溝を形成する必要がある。このため、レーザースクライブ装置の使用時に、有機発光層の発光素子にダメージを与える可能性がある。

　上記課題を解決するために、本願の表示デバイスは、基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスであって、表示に寄与するアクティブ領域と、該アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部とを含み、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする。

　また、本願の表示デバイスの製造方法は、基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造方法であって、前記発光層よりも下層に凸部を形成する凸部形成工程と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上に前記発光層を形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる発光層形成工程と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程とを備える。

　また、本願の表示デバイスの製造装置は、基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造装置であって、前記発光層よりも下層の凸部と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上の前記発光層とを形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる成膜装置と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成装置とを備える。

　本願の表示デバイスは、アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部を備え、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする。このため、アクティブ領域における発光層への異物の侵入を低減した表示デバイスを、表示面の設計自由度を維持しつつ、発光層へのダメージを低減した製造方法により提供できる。

本発明の実施形態１に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの上面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの画素領域周囲を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程を示すフローチャートである。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの凸部、および発光層の製造工程を示すフローチャートである。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態１に係る表示デバイスの映像信号線の引き回しとドライバの配置との例を示す図である。本発明の実施形態２に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態２に係る表示デバイスの切り欠き部９の周囲を示す上面図である。本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態３に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態３に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。本発明の実施形態３に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態４に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態４に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。本発明の実施形態４に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。本発明の実施形態５に係る表示デバイスの映像信号線の引き回しとドライバの配置との例を示す図である。本発明の実施形態６に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態６に係る表示デバイスの切り欠き部９の周囲を示す上面図である。本発明の実施形態７に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態８に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の実施形態９に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。本発明の各実施形態に係る表示デバイスの製造装置を示すブロック図である。

　　〔実施形態１〕
　図２は、実施形態１に係る表示デバイス２を示す上面図である。図１は、図２におけるＡ－Ａ線矢視断面図であり、すなわち、表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。図３は、表示デバイス２の発光層５を含む画素領域の周囲における断面図を示す。

　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法を、図４に示すフローチャートに従い、図１から図３を参照して説明する。

　図３の（ｂ）に示すように、まず、基材１０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０および有機層間膜２１を含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、図１に示す凸部８と、発光層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５とを形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２７、および無機封止膜２９を含む封止層６を形成し、積層体７とする（ステップＳ５）。次いで、切り欠き部９を形成する（ステップＳ１０）。次いで、切り欠き部９に外部モジュール４３を実装する（ステップＳ１１）。次いで、基材１０とともに積層体７を分断し、個片化する（ステップＳ１２）。次いで、接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１３）。次いで、ＴＦＴ層４の端部に電子回路基板を実装する（ステップＳ１４）。これにより、図３に示す表示デバイス２を得る。

　なお、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合には、図３の（ａ）に示すように、例えば、始めにガラス基板５０上に積層体７（樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光層５および封止層６）を形成する。次いで、上面フィルムを貼り付け（ステップＳ６）ガラス基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、樹脂層１２の下面（ガラス基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびガラス基板５０間の結合力が低下する。次いで、ガラス基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して基材１０（例えば、ＰＥＴ等で構成された下面フィルム）を貼り付ける（ステップＳ９）。その後上記ステップＳ１０に移行する。

　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルムの材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。

　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分または不純物等の異物が、ＴＦＴ層４または発光層５に到達することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、ゲート絶縁膜１６と、ゲート電極Ｇと、パッシベーション膜１８・２０と、容量電極Ｃと、端子ＴＭと、ソース配線Ｓと、ドレイン配線極Ｄと、有機層間膜（平坦化膜）２１とを含む。ゲート絶縁膜１６は半導体膜１５よりも上層に形成される。ゲート電極Ｇはゲート絶縁膜１６よりも上層に形成される。パッシベーション膜１８・２０はゲート電極Ｇよりも上層に形成される。容量電極Ｃおよび端子ＴＭはパッシベーション膜１８よりも上層に形成される。ソース配線Ｓおよびドレイン配線極Ｄはパッシベーション膜２０よりも上層に形成される。有機層間膜２１は、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄよりも上層に形成される。半導体膜１５、ゲート絶縁膜１６、およびゲート電極Ｇを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。非アクティブ領域において、ＴＦＴ層４が備える金属層には、電子回路基板との接続に用いられる複数の端子が形成される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。当該金属は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。

　ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。有機層間膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　発光層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、第１電極２２（例えば、アノード電極）と、有機絶縁膜２３と、ＥＬ（electroluminescence）発光層２４と、ＥＬ共通層２５と、第２電極２６とを含む。第１電極２２は有機層間膜２１よりも上層に形成される。
有機絶縁膜２３は第１電極２２のエッジを覆う。ＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５は第１電極２２よりも上層に形成される。第２電極２６はＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５よりも上層に形成される。発光素子（例えば、有機発光ダイオード）は、第１電極２２、ＥＬ発光層２４、ＥＬ共通層２５、および第２電極２６によって構成される。アクティブ領域ＤＡの有機絶縁膜２３は、サブピクセルを規定するバンク（画素隔壁）として機能する。アクティブ領域ＤＡに形成された発光層５は、表示デバイス２の表示に寄与する有効層として機能する。

　有機絶縁膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。有機絶縁膜２３は、例えば、アクティブ領域ＤＡとアクティブ領域ＤＡの外側の非アクティブ領域とに対してスリットコート方式で塗布することができる。

　ＥＬ発光層２４は、有機絶縁膜２３によって囲まれた領域（サブピクセル領域）に、蒸着法によって形成される。ＥＬ共通層２５は、例えば、第１電極２２および有機絶縁膜２３上に、蒸着法によって形成される。発光層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。なお、ＥＬ共通層２５のように、ＥＬ発光層２４の１以上の層を（複数の画素で共有する）共通層とすることもできる。

　第１電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極（例えば、カソード電極）２６は、共通電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明金属で構成することができる。

　発光層５がＯＬＥＤ層である場合、第１電極２２および第２電極２６間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。発光層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。

　封止層６は発光層５を覆い、水、酸素等の異物の発光層５への浸透を防ぐ。封止層６は、有機絶縁膜２３および第２電極２６を覆う無機封止膜２７と、無機封止膜２７よりも上層に形成され、無機封止膜２７を覆う無機封止膜２９とを含む。

　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。これらの１以上の機能を有する層が発光層５よりも上層に積層されている場合には、機能フィルム３９を薄くしたり、除いたりすることもできる。電子回路基板は、例えば、図２に示す端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）である。

　図１に示すように、表示デバイス２は、表示面から基材１０まで連通する切り欠き部９を備え、切り欠き部９に外部モジュール４３を担持する。図２に示すように、外部モジュール４３は表示デバイス２の表示に寄与するアクティブ領域ＤＡの端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部の内部に担持される。すなわち、切り欠き部９の全周囲方向には、アクティブ領域ＤＡが存在している。

　図１に示すように、アクティブ領域ＤＡと切り欠き部９との間には、額縁領域ＳＡが形成されている。図２に示すように、額縁領域ＳＡは、切り欠き部９に担持される外部モジュール４３の外側全周を囲う位置に形成される。額縁領域ＳＡにおける有機絶縁膜２３の上層には、図１に示すように、凸部８とＥＬ共通層２５と第２電極２６とが、この順に積層されている。

　凸部８は、金属材料を備えた金属層４０と、金属層４０の上層に形成され、感光性樹脂を備えるレジスト層４１を備える。金属層４０の側面のうち、アクティブ領域ＤＡに近接する側面は、表示面から基材１０に向かって、切り欠き部９に向かう側に傾斜する、逆テーパー面４０ｔを備える。平面視において、逆テーパー面４０ｔと重なる有機絶縁膜２３の上面２３ｔには、ＥＬ共通層２５の端面２５ｔが形成されている。

　アクティブ領域ＤＡにおけるＥＬ共通層２５および第２電極２６は、第１電極２２、有機絶縁膜２３、およびＥＬ発光層２４の何れかの上層に形成されている。一方、額縁領域ＳＡにおけるＥＬ層２５ｓおよび第２電極２６ｓは、凸部８の上層に形成されている。さらに、アクティブ領域ＤＡと額縁領域ＳＡとの間において、ＥＬ共通層２５および第２電極２６のそれぞれは連続していない。すなわち、アクティブ領域ＤＡと額縁領域ＳＡとの間において、発光層５は段切れしている。発光層５の段切れにより、ＥＬ共通層２５は端面２５ｔを、第２電極２６は端面２６ｔを備える。端面２５ｔ・２６ｔは、無機封止膜２７によって覆われている。

　本実施形態に係る表示デバイス２の額縁領域ＳＡおよび切り欠き部９における部材の製造方法について、図５から図１０を参照して詳細に説明する。

　図５は図４のステップＳ４に示される、凸部８と発光層５との形成について、より詳細に説明するためのフローチャートである。図５のフローチャートに沿って、図６から図８に示す工程断面図を参照して、凸部８と発光層５との形成方法を説明する。

　まず、ガラス基板５０からＴＦＴ層４まで形成した後、図６の（ａ）に示すように、第１電極２２を形成する（ステップＳ４－１）。この際、第１電極２２とドレイン電極Ｄとの導通がとれるように、有機層間膜２１に空けられたコンタクトホールに第１電極２２を形成する。次いで、図６の（ｂ）に示すように、有機絶縁膜２３を塗布し、平面視において、第１電極２２と重なる位置に開口を設けることにより、図７の（ａ）に示す有機絶縁膜２３を形成する（ステップＳ４－２）。この際、第１電極２２の端面を有機絶縁膜２３が覆うように、有機絶縁膜２３を形成する。

　次いで、有機絶縁膜２３上に金属層４０を成膜し（ステップＳ４－３）、金属層４０の上層にレジスト層４１を成膜し（ステップＳ４－４）、マスク越しのフォトリソグラフィによりレジスト層４１をパターニングする。これにより、図７の（ｂ）に示す凸部層８Ａを成膜する。

　次いで、レジスト層４１越しに金属層４０を、等方性エッチングによりエッチングする（ステップＳ４－５）。この際、金属層４０のエッチングによって、第１電極２２のエッチングが行われないように、第１電極２２および金属層４０に使用される材料、およびエッチング液の選択を行う。本実施形態においては、第１電極２２は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層体であるため、エッチング液は、Ｔｉをエッチングしないものを使用する。さらに、金属層４０は、Ｔｉとは異なる、上述のエッチング液によってエッチングされる金属材料を備える。

　等方性エッチングの特性により、レジスト層４１の端部においては、レジスト層４１の下方の金属層４０も一部回り込んでエッチングされる。このようなレジスト層４１の下方の金属層４０のエッチングにより、図８の（ａ）に示す逆テーパー面４０ｔを側面に備えた凸部８が得られる。

　次いで、ＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５を形成する（ステップＳ４－６）。この際、ＥＬ共通層２５は、ガラス基板５０よりも表示面側の上方から、蒸着法により形成される。このため、ＥＬ共通層２５は、凸部８の逆テーパー面４０ｔおよびレジスト層４１によって、平面視において陰となる、有機絶縁膜２３の上面２３ｔまで回り込んで形成されない。さらに、有機絶縁膜２３の上面と凸部８の上面とは、ガラス基板５０からの高さが異なるため、凸部８の端部において、ＥＬ共通層２５は段切れをおこす。このため、凸部８の上層には、アクティブ領域ＤＡにおけるＥＬ共通層２５と連続しないＥＬ共通層２５が形成される。したがって、平面視において、逆テーパー面４０ｔと重なる位置に、ＥＬ共通層２５の端面２５ｔが存在することとなる。

　次いで、第２電極２６を形成する（ステップＳ４－７）。このステップにおいても、上記と同様に、有機絶縁膜２３の上面２３ｔには第２電極２６は形成されない。また、第２電極２６の段切れが発生し、凸部８におけるＥＬ共通層２５ｓの上層に、アクティブ領域ＤＡにおける第２電極２６と連続しない第２電極２６ｓが形成される。この場合においても、平面視において、逆テーパー面４０ｔと重なる位置に、第２電極２６の端面２６ｔが存在することとなる。以上により、図８の（ｂ）に示す、発光層５が形成される。

　続いて、図９および図１０を参照して、図４に示すステップＳ５からステップＳ１１までをより詳細に説明する。

　まず、発光層５上層に封止層６を形成する（ステップＳ５）。封止層６のうち最下層の無機封止膜２７は、ＣＶＤを使用して成膜する。このため、無機封止膜２７は、凸部８の逆テーパー面４０ｔおよびレジスト層４１によって、平面視において陰となる、有機絶縁膜２３の上面２３ｔまで回り込んで形成される。したがって、露出していたＥＬ共通層２５の端面２５ｔと第２電極２６の端面２６ｔとは、無機封止膜２７によって覆われる。

　ついで、ステップＳ６からステップＳ９を行う。すなわち、封止層６の上面に、接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付け、ガラス基板５０を樹脂層１２から剥離し、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して基材１０を貼り付ける。これにより、図９の（ａ）に示す積層構造を得る。

　次いで、凸部８を含む積層体を穿孔し、切り欠き部９を形成する（ステップＳ６）。穿孔は、図９の（ｂ）に示す、レーザカッターからのレーザ４４等によって行ってもよい。レーザ４４は、フェムトレーザ、ＹＡＧレーザ、またはパルスレーザであってもよい。また、レーザ４４による穿孔の際には、積層体にあまり熱が発生しないことが好ましい。さらに、積層体のそれぞれの層の加工に適する出力を得るために、レーザ４４による穿孔の途中において、レーザ４４の出力を変更してもよい。

　穿孔により、図１０の（ａ）に示す切り欠き部９が得られる。これにより、切り欠き部９から凸部８が形成されている領域が額縁領域ＳＡとなり、凸部８の周囲側の領域がアクティブ領域ＤＡとなる。最後に、切り欠き部９に外部モジュール４３を実装する（ステップＳ７）ことにより、図１０の（ｂ）に示す構造が得られる。この後、ステップＳ８以降を実行することにより、図１に示す表示デバイス２が得られる。

　図１１は、発光層５の発光素子の駆動に使用される、ゲートドライバと、ソースドライバと、それぞれのドライバからの配線とを示す図である。表示デバイス２は、第１ゲートドライバ４６と、第１ソースドライバ４７とを備える。第１ゲートドライバ４６と、第１ソースドライバ４７とは、それぞれアクティブ領域ＤＡの外側に形成される。第１ゲートドライバ４６からの配線と第１ソースドライバ４７からの配線とは、互いに略直交するように配される。このとき、額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３が存在する位置においては、配線が配されないように、額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３を迂回して配線が配される。

　本実施形態の表示デバイス２は、アクティブ領域ＤＡ中に切り欠き部９を有し、外部モジュール４３を切り欠き部９に実装している。このため、アクティブ領域ＤＡよりも外側に、外部モジュール４３を実装するための領域を別途形成する必要が無い。このため、表示デバイス２の端部近くまでをアクティブ領域ＤＡとすることが可能であり、表示面の設計の自由度が増す。

　また、凸部８において発光層５が段切れし、アクティブ領域ＤＡの発光層５の端面が封止層６によって覆われている。このため、表示に寄与する有効層であるアクティブ領域ＤＡの発光層５に、切り欠き部９から水分等の異物が侵入する可能性を低減することができる。

　また、凸部８を形成することにより、比較的簡素な構造によって、発光層５を段切れさせ、発光層５の端面に、凸部８の陰を作成することができる。このため、比較的簡単に発光層５の端面を封止層６によって覆うことができる。

　また、額縁領域ＳＡにおける積層体に異物が侵入した場合であっても、額縁領域ＳＡが表示に寄与しない領域であるため、表示デバイス２の表示の劣化を低減する。

　　〔実施形態２〕
　図１２は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態と比較して、金属層４０の側面が切り欠き部９側においても逆テーパーを有し、封止層６がさらに有機封止膜２８を備え、封止層６が凸部８上において端部を備える点が相違する。さらに、本実施形態に係る表示デバイス２は、切り欠き部９が形成されたアクティブ領域ＤＡの周端に、基材１０より上層の無機層のスリットＳ１を備える。

　図１３は、本実施形態に係る表示デバイス２の切り欠き部９の周囲における概略上面図である。切り欠き部９が形成されたアクティブ領域ＤＡの周端には、切り欠き部９に向かって、凸部８およびスリットＳ１が、この順において形成されている。すなわち、凸部８およびスリットＳ１は、何れも切り欠き部９を取り囲む、額縁領域ＳＡに形成される。

　図１２に示す表示デバイス２の製造方法を、図１４から図１７に示す工程断面図を参照して説明する。

　まず、前実施形態と同様に、有機絶縁膜２３の塗布までを行う。次いで、有機絶縁膜２３のパターニングを行う。この際、有機絶縁膜２３の第１電極２２の上面と重なる位置に開口を形成するために、有機絶縁膜２３を除去する。同時に、本実施形態においては、図１４の（ａ）に示すように、第１電極２２の形成されていない、積層体の一部において、バリア層３から有機絶縁膜２３までを除去し、凹部４５を形成する。

　次いで、金属層４０およびレジスト層４１を成膜し、マスク越しのフォトリソグラフィによりレジスト層４１をパターニングする。図１４の（ｂ）に示す凸部層８Ａを成膜する。次いで、レジスト層４１越しに金属層４０を、等方性エッチングによりエッチングし、図１５の（ａ）に示す逆テーパー面４０ｔを得る。この際、レジスト層４１は凹部４５の上部には形成されないため、凹部４５には金属層４０が存在せず、金属層４０には、凹部４５側の端面においても逆テーパーが形成される。

　次いで、ＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５を蒸着法により形成し、発光層５を形成する。この際、本実施形態においては、蒸着に使用するマスクの形状を設計することにより、図１５の（ｂ）に示すように、凹部４５にＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５を形成しない。しかしながら、前実施形態と同様のマスクを使用して、凹部４５にＥＬ発光層２４およびＥＬ共通層２５を形成してもよい。

　次いで、発光層５の上層に封止層６を形成する。本実施形態においては、無機封止膜２７・２９の間に、有機封止膜２８を形成してもよい。有機封止膜２８は、無機封止膜２９のバッファ層として機能する。この際、封止層６の成膜が、凸部８上の発光層５上にて止まるように形成を行う。このため、図１６の（ａ）に示すように、封止層６は凹部４５には形成されない。さらに、無機封止膜２９は、有機封止膜２８の端面を覆い、無機封止膜２７と接触する。このため、有機封止膜２８の端面から、異物がアクティブ領域ＤＡ側に侵入することを低減できる。

　次いで、切り欠き部９を形成するために、レーザ４４等によって積層体を穿孔する。本実施形態においては、図１６の（ｂ）に示すように、凹部４５において露出した有機層である樹脂層１２と、基材であるガラス基板５０のみを穿孔して、図１７の（ａ）に示す、切り欠き部９を形成する。この際、図１７の（ａ）に示すように、ガラス基板５０より上層の無機層のスリットＳ１が形成される。次いで、図１７の（ｂ）に示すように、切り欠き部９に外部モジュール４３を実装し、前実施形態と同様に、ステップＳ８以降を実行することにより、図１２に示す表示デバイス２が得られる。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、切り欠き部９を形成する際に、基材であるガラス基板５０と、ガラス基板５０の上層の有機層である樹脂層１２とを穿孔する。すなわち、切り欠き部９の形成の際に、ガラス基板５０よりも上層の無機層を穿孔しない。このため、切り欠き部９の形成の際に、無機層を穿孔することによりクラックが発生する可能性を低減できる。

　　〔実施形態３〕
　図１８は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス２は、実施形態１と比較して、第１電極２２と金属層４０とが、コンタクト部４０ｈにおいて電気的に導通する点においてのみ相違する。図１８に示す表示デバイス２の製造方法を、図１９に示す工程断面図を参照して説明する。

　まず、図１９の（ａ）および（ｂ）に示すように、第１電極２２を形成し、有機絶縁膜２３を成膜する工程までを完了させる。この際、前述の実施形態と比較して、外部モジュール４３を実装する側において、第１電極２２をより大きく形成する。次いで、有機絶縁膜２３のパターニングにおいて、第１電極２２の上面と重なる位置に加えて、外部モジュール４３を実装する側の端部において、上面と重なる位置においても、一部有機絶縁膜２３を除去する。このため、有機絶縁膜２３には、図２０の（ａ）に示すように、第１電極２２の上面と重なる位置に、ＥＬ発光層２４が形成される開口に加えて、コンタクトホール２３ｈが形成される。

　次いで、凸部層８Ａを成膜する。ここで、図２０の（ｂ）に示すように、金属層４０をコンタクトホール２３ｈ中においても形成することにより、第１電極２２と金属層４０とを電気的に導通させるためのコンタクト部４０ｈを形成する。この後、図５に示すステップＳ４－５以降および図４に示すステップＳ５以降を前述の実施形態と同様に実行することにより、図１８に示す表示デバイス２を得る。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、第１電極２２と金属層４０とが電気的に導通する。このため、金属層４０を第１電極２２への電圧印加を行うための補助端子として使用することが可能となる。さらに、金属層４０の上層に対してもコンタクトホールを形成し、第２電極２６と金属層４０とを電気的に導通させることが可能である。上記構成により、凸部８における第２電極２６を第１電極２２への電圧印加を行うための補助端子として使用することが可能となる。

　　〔実施形態４〕
　図２１は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス２は、実施形態１と比較して、凸部８がレジスト層４１のみを備え、レジスト層４１の側面のうち、アクティブ領域ＤＡに近接する側面に、逆テーパー面４１ｔを備える点においてのみ相違する。逆テーパー面４１ｔは、表示面から基材１０に向かって、切り欠き部９に向かう側に傾斜する。さらに、本実施形態においては、レジスト層４１は、ネガ型の感光性樹脂を含む。図２１に示す表示デバイス２の製造方法を、図２２および図２３に示す工程断面図を参照して説明する。

　まず、図２２の（ａ）に示すように、有機絶縁膜２３を成膜し、パターニングする工程までを完了させる。次いで、図２２の（ｂ）に示すように、レジスト層４１を有機絶縁膜２３および第１電極２２の上層に塗布する。この状態において、最終的に切り欠き部９および額縁領域ＳＡを設ける位置のみに孔が形成されたマスク越しに、レジスト層４１を露光し、現像液にて洗浄することにより、レジスト層４１を現像する。

　この際、マスクの上方から露光を行うと、下方側ほど露光量が少なくなる。したがって、レジスト層４１はネガ型の感光性樹脂を含むため、マスクの端部近くのレジスト層４１には、現像後に、図２３の（ａ）に示す逆テーパー面４１ｔが形成される。

　この状態から、ＥＬ発光層２４、ＥＬ共通層２５、および第２電極２６の形成を行うことにより、前述の実施形態と同様に、図２３の（ｂ）に示す、発光層５が得られる。この後、図４に示すステップＳ５以降を前述の実施形態と同様に実行することにより、図２１に示す表示デバイス２を得る。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、前述の実施形態と同様の構成を、凸部８の部材をレジスト層４１のみとして得ることができる。このため、金属層４０の成膜およびエッチングに係る工程を削減でき、製造コストおよびタクトタイムの低減につながる。

　　〔実施形態５〕
　図２４は、本実施形態の表示デバイス２において、発光層５の発光素子の駆動に使用される、ゲートドライバと、ソースドライバと、それぞれのドライバからの配線とを示す図である。本実施形態の表示デバイス２は、実施形態１の表示デバイス２と比較して、ゲートドライバとして、第１ゲートドライバ４６と第２ゲートドライバ４８とを備える点において相違する。また、本実施形態の表示デバイス２は、実施形態１の表示デバイス２と比較して、ソースドライバとして、第１ソースドライバ４７と第２ソースドライバ４９とを備える点においても相違する。

　第２ゲートドライバ４８は、アクティブ領域ＤＡにおいて、外部モジュール４３を挟んだ、第１ゲートドライバ４６と逆側に配置される。また、第２ソースドライバ４９は、アクティブ領域ＤＡにおいて、外部モジュール４３を挟んだ、第１ソースドライバ４７と逆側に配置される。

　前述の実施形態と同様に、第１ゲートドライバ４６からの配線と第１ソースドライバ４７からの配線とは、互いに略直交するように配される。ここで、本実施形態においては、額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３に向かって、第１ゲートドライバ４６から配された配線は、額縁領域ＳＡを迂回せず、額縁領域ＳＡの手前まで形成される。第１ゲートドライバ４６からの配線が配されない位置においては、第２ゲートドライバ４８からの配線が配される。

　一方、額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３に向かって、第１ソースドライバ４７から配された配線は、額縁領域ＳＡを迂回せず、額縁領域ＳＡの手前まで形成される。加えて、延長上に額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３が存在しない、第１ソースドライバ４７から配された配線についても、アクティブ領域ＤＡ中の破線で示す表示分割線ＳＬの手前まで配される。第１ソースドライバ４７からの配線が配されない位置においては、第２ソースドライバ４９からの配線が配される。図２４の表示分割線ＳＬは、表示デバイス２の表示面の一辺と略平行であり、額縁領域ＳＡの下端を通る位置を示す。表示分割線ＳＬを境界として、アクティブ領域ＤＡは、下側の第１アクティブ領域ＤＡ１と、上側の第２アクティブ領域ＤＡ２とに分割される。なお、表示分割線ＳＬの位置は、外部モジュール４３の中心を通る位置等に変更されてもよい。

　本実施形態においては、アクティブ領域ＤＡ中の表示分割線ＳＬの位置を基準として、それぞれの位置における発光素子を駆動するソースドライバが異なっている。さらに、第１ソースドライバ４７からの配線と、第２ソースドライバ４９からの配線とにおいて伝送される映像信号が異なっている。このため、表示デバイス２は、第１アクティブ領域ＤＡ１と第２アクティブ領域ＤＡ２とにおいて、異なる表示を行うことが可能である。なお、第１ゲートドライバ４６および第２ゲートドライバ４８から、それぞれ額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３に向かって配された配線には、同じ駆動信号が伝送されてもよい。

　上記構成により、本実施形態に係る表示デバイス２は、額縁領域ＳＡおよび外部モジュール４３を迂回させることなく、配線が形成されるため、配線の設計をより簡素にすることができる。また、外部モジュール４３の位置、すなわち、切り欠き部９の位置を基準として、表示を異ならせることが可能であるため、より効果的な表示面の設計が可能となる。

　　〔実施形態６〕
　図２５は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。図２６は、本実施形態に係る表示デバイス２の切り欠き部９の周囲における概略上面図である。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、額縁領域ＳＡにおいて、凸部８と切り欠き部９との間に、有機層間膜２１と有機絶縁膜２３とのスリットＳ２を備える。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、スリットＳ２と切り欠き部９との間に、バリア層３と、ＴＦＴ層４のゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０を含む無機絶縁膜とのスリットＳ３を備えている。

　スリットＳ３は、図４のステップＳ３において、パッシベーション膜２０のパターニングの際に、アクティブ領域ＤＡよりも周囲側の一部において、バリア層３よりも上層を除去することにより形成される。スリットＳ２は、図５のステップＳ４－２において、有機絶縁膜２３のパターニングの際に、アクティブ領域ＤＡとスリットＳ３との間の一部において、有機層間膜２１と有機絶縁膜２３とを除去することにより形成される。

　スリットＳ２・Ｓ３の上には、発光層５および封止層６が形成される。また、スリットＳ３の上においては、樹脂層１２と発光層５との間に、有機層間膜２１と有機絶縁膜２３が形成される。本実施形態においては、切り欠き部９は、スリットＳ３の位置において、積層体を穿孔することにより形成される。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、凸部８と切り欠き部９との間にスリットＳ２を備える。スリットＳ２においては、有機層間膜２１と有機絶縁膜２３とのそれぞれが寸断されている。これにより、切り欠き部９から、有機層間膜２１または有機絶縁膜２３を通じて、アクティブ領域ＤＡに異物が侵入することを低減できる。

　また、本実施形態においては、スリットＳ３の位置において積層体を穿孔することにより、切り欠き部９を形成する。このため、切り欠き部９の形成の際に穿孔する無機層を減らすことができ、穿孔の際にクラックが発生する可能性を低減できる。

　　〔実施形態７〕
　図２７は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス２は、実施形態６に係る表示デバイス２と比較して、スリットＳ２とスリットＳ３との間において、凸部８Ｂをさらに備える点においてのみ相違する。凸部８Ｂは、前述の凸部８と同一の構造を備えていてもよい。また、凸部８Ｂは、前述の凸部８と同一の工程により、形成されてもよい。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、複数の凸部を備え、当該複数の凸部の間には、有機層間膜２１と有機絶縁膜２３とのスリットが形成されている。このため、切り欠き部９から、発光層５を通じて、アクティブ領域ＤＡに異物が侵入する可能性をさらに低減できる。

　　〔実施形態８〕
　図２８は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス２は、実施形態６に係る表示デバイス２と比較して、スリットＳ３よりも内側に切り欠き部９を備える点についてのみ相違する。すなわち、スリットＳ３と切り欠き部９との間には、バリア層３、ゲート絶縁膜１６、およびパッシベーション膜１８・２０が形成されている。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、上記構成により、スリットＳ３よりも切り欠き部９側と、スリットＳ３よりもアクティブ領域ＤＡ側とにおいて、無機絶縁膜が連続しない。このため、切り欠き部９から、無機絶縁膜の各層の界面を通じて、アクティブ領域ＤＡに異物が侵入する可能性を低減できる。

　　〔実施形態９〕
　図２９は、本実施形態に係る表示デバイス２の外部モジュール４３の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス２は、実施形態８に係る表示デバイス２と比較して、スリットＳ２の内部に凸部８が設けられている点において相違する。本実施形態において、凸部８は、スリットＳ２におけるパッシベーション膜２０の上、すなわち、無機絶縁膜の上に形成されている。

　凸部８は、スリットＳ２を形成した後、前述の凸部８と同様の方法によって形成されてもよい。凸部８および発光層５の形成の後、無機封止膜２７を、ＣＶＤを使用して成膜する。これにより、無機封止膜２７は、平面視において、凸部８の逆テーパー面４０ｔの陰となる、パッシベーション膜２０の上面２０ｔまで回り込んで形成される。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、上記構成により、露出していたＥＬ共通層２５の端面と第２電極２６の端面とは、無機封止膜２７によって覆われる。また、無機封止膜２７と、無機絶縁膜の最上層であるパッシベーション膜２０の上面２０ｔとが、スリットＳ２の内部において接触する。このため、切り欠き部９から、発光層５を通じて、アクティブ領域ＤＡに異物が侵入する可能性をさらに低減できる。

　なお、本実施形態においては、切り欠き部９の存在する額縁領域ＳＡの端部において、有機層間膜２１および有機絶縁膜２３が形成されている。上記構成により、表示デバイス２をフレキシブルな表示デバイスとする場合に、切り欠き部９周囲における、表示デバイス２の湾曲に対する強度を向上させることができる。しかしながら、これに限られず、切り欠き部９の存在する額縁領域ＳＡの端部において、有機層間膜２１または有機絶縁膜２３が形成されていなくともよい。

　図３０は、上述の各実施形態の表示デバイス２の製造工程において使用される、表示デバイスの製造装置６０を示すブロック図である。表示デバイスの製造装置６０は、コントローラ６２と、成膜装置６４と、切り欠き部形成装置６６と、実装装置６８とを備える。コントローラ６２は、成膜装置６４と、切り欠き部形成装置６６と、実装装置６８との動作を制御する。成膜装置６４は、発光層５を含む、表示デバイス２の各層の成膜を行ってもよい。切り欠き部形成装置６６は、切り欠き部９の形成を行ってもよい。実装装置６８は、切り欠き部９に外部モジュール４３を実装してもよい。

　　〔まとめ〕
　様態１の表示デバイスは、基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスであって、表示に寄与するアクティブ領域と、該アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部とを含み、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする。

　様態２においては、第１電極と該第１電極よりも上層の第２電極とを備え、前記発光層が前記第１電極と前記第２電極との間に形成され、前記有機絶縁膜が前記第１電極の上に形成され、前記凸部が前記有機絶縁膜の上に形成されている。

　様態３においては、前記封止層が前記発光層の端面を覆う。

　様態４においては、前記封止層が、無機層を備える。

　様態５においては、前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である。

　様態６においては、前記凸部が感光性樹脂を備える。

　様態７においては、前記感光性樹脂がネガ型の感光性樹脂である。

　様態８においては、前記凸部が金属を備える。

　様態９においては、前記発光層の下層に電極を備え、該電極と前記金属とが電気的に導通する。

　様態１０においては、平面視において、前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面が存在する。

　様態１１においては、前記ＴＦＴ層が有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成されている。

　様態１２においては、前記凸部が複数形成され、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間には、前記スリットが形成されている。

　様態１３においては、前記ＴＦＴ層が無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記無機絶縁膜のスリットが形成されている。

　様態１４においては、前記ＴＦＴ層が有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成され、前記凸部は該スリットの内部であって、前記無機絶縁膜の上に形成されている。

　様態１５においては、前記スリットの内部において、前記封止層と前記無機絶縁膜が接する。

　様態１６においては、前記発光層の駆動に用いられる複数のドライバを備え、前記アクティブ領域を複数の領域に分割し、前記発光層を駆動する前記ドライバを前記複数の領域において異ならせる。

　様態１７においては、前記切り欠き部に外部モジュールを備える。

　様態１８の表示デバイスの製造方法は、基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造方法であって、表示に寄与するアクティブ領域の端部に囲まれる位置において、前記発光層よりも下層に凸部を形成する凸部形成工程と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上に前記発光層を形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる発光層形成工程と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程とを備える。

　様態１９においては、前記表示デバイスが、第１電極と該第１電極よりも上層の第２電極とを備え、前記有機絶縁膜が、前記第１電極の上に形成され、前記凸部形成工程において、前記凸部を前記有機絶縁膜の上に形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を前記第１電極と前記第２電極との間に形成する。

　様態２０においては、前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である。

　様態２１においては、前記凸部形成工程において、前記逆テーパー面を、ネガ型の感光性樹脂を使用して形成する。

　様態２２においては、前記凸部が金属を備え、前記逆テーパー面を、前記金属の等方性エッチングを使用して形成する。

　様態２３においては、前記発光層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面を形成する。

　様態２４においては、前記発光層の上層に前記発光層の端面を覆う封止層を形成する封止層形成工程を備え、前記封止層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面の下部に封止層を形成する。

　様態２５においては、前記ＴＦＴ層が有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットを形成する。

　様態２６においては、前記凸部形成工程において、前記凸部を複数形成し、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間に、前記スリットを形成する。

　様態２７においては、前記ＴＦＴ層が無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記無機絶縁膜のスリットを形成する。

　様態２８においては、前記ＴＦＴ層が有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットが形成され、前記凸部形成工程において、前記凸部を、該スリットの内部の前記無機絶縁膜の上に形成する。

　様態２９においては、前記発光層形成工程において、前記切り欠き部を形成する位置の一部における、前記基材より上層の無機層のスリットを形成し、前記切り欠き部形成工程において、前記スリットのみを穿孔して、前記切り欠き部を形成する。

　様態３０の表示デバイスの製造装置は、基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造装置であって、前記発光層よりも下層の凸部と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上の前記発光層とを形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる成膜装置と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成装置とを備える。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

２　　　　　　　表示デバイス
５　　　　　　　発光層
６　　　　　　　封止層
８、８Ｂ　　　　凸部
９　　　　　　　切り欠き部
１０　　　　　　基材
２１　　　　　　有機層間膜
２２　　　　　　第１電極
２３　　　　　　有機絶縁膜
２４　　　　　　ＥＬ発光層
２５　　　　　　ＥＬ共通層
２６　　　　　　第２電極
２７、２９　　　無機封止膜
４０　　　　　　金属層
４０ｈ　　　　　コンタクト部
４０ｔ、４１ｔ　逆テーパー面
４１　　　　　　レジスト層
４３　　　　　　外部モジュール
４６　　　　　　第１ゲートドライバ
４７　　　　　　第１ソースドライバ
４８　　　　　　第２ゲートドライバ
４９　　　　　　第２ソースドライバ
５０　　　　　　ガラス基板
６０　　　　　　表示デバイスの製造装置

Claims

　基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスであって、
　表示に寄与するアクティブ領域と、該アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部とを含み、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする表示デバイス。
　第１電極と該第１電極よりも上層の第２電極とを備え、
　前記発光層が前記第１電極と前記第２電極との間に形成され、前記有機絶縁膜が前記第１電極の上に形成され、前記凸部が前記有機絶縁膜の上に形成されている請求項１に記載の表示デバイス。
　前記封止層が前記発光層の端面を覆う請求項１または２に記載の表示デバイス。
　前記封止層が、無機層を備えた請求項１から３の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記凸部が感光性樹脂を備えた請求項１から５の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記感光性樹脂はネガ型の感光性樹脂である請求項６に記載の表示デバイス。
　前記凸部が金属を備えた請求項１から７の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記発光層の下層に電極を備え、該電極と前記金属とが電気的に導通する請求項８に記載の表示デバイス。
　平面視において、前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面が存在する請求項５に記載の表示デバイス。
　前記ＴＦＴ層は有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成されている請求項１から１０の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記凸部が複数形成され、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間には、前記スリットが形成されている請求項１１に記載の表示デバイス。
　前記ＴＦＴ層は無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記無機絶縁膜のスリットが形成されている請求項１から１２の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記ＴＦＴ層は有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成され、前記凸部は該スリットの内部であって、前記無機絶縁膜の上に形成されている請求項１に記載の表示デバイス。
　前記スリットの内部において、前記封止層と前記無機絶縁膜が接する請求項１４に記載の表示デバイス。
　前記発光層の駆動に用いられる複数のドライバを備え、前記アクティブ領域を複数の領域に分割し、前記発光層を駆動する前記ドライバを前記複数の領域において異ならせる請求項１から１５の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記切り欠き部に外部モジュールを備えた請求項１から１６の何れか１項に記載の表示デバイス。
　基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造方法であって、
　表示に寄与するアクティブ領域の端部に囲まれる位置において、前記発光層よりも下層に凸部を形成する凸部形成工程と、
　前記有機絶縁膜と前記凸部との上に前記発光層を形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる発光層形成工程と、
　前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程とを備えた表示デバイスの製造方法。
　前記表示デバイスが、第１電極と該第１電極よりも上層の第２電極とを備え、
　前記有機絶縁膜が、前記第１電極の上に形成され、
　前記凸部形成工程において、前記凸部を前記有機絶縁膜の上に形成し、
　前記発光層形成工程において、前記発光層を前記第１電極と前記第２電極との間に形成する請求項１８に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である請求項１８または１９に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記凸部形成工程において、前記逆テーパー面を、ネガ型の感光性樹脂を使用して形成する請求項２０に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記凸部が金属を備え、前記逆テーパー面を、前記金属の等方性エッチングを使用して形成する請求項２０に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記発光層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面を形成する請求項２０から２２の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記発光層の上層に前記発光層の端面を覆う封止層を形成する封止層形成工程を備え、
　前記封止層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面の下部に封止層を形成する請求項２０から２３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記ＴＦＴ層は有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットを形成する請求項１８から２４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記凸部形成工程において、前記凸部を複数形成し、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間に、前記スリットを形成する請求項２５に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記ＴＦＴ層は無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記無機絶縁膜のスリットを形成する請求項１８から２６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記ＴＦＴ層は有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットが形成され、
　前記凸部形成工程において、前記凸部を、該スリットの内部の前記無機絶縁膜の上に形成する請求項１８に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記発光層形成工程において、前記切り欠き部を形成する位置の一部における、前記基材より上層の無機層のスリットを形成し、
　前記切り欠き部形成工程において、前記スリットのみを穿孔して、前記切り欠き部を形成する請求項１８から２４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　基材と、該基材の上に形成されたＴＦＴ層と、該ＴＦＴ層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造装置であって、
　前記発光層よりも下層の凸部と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上の前記発光層とを形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる成膜装置と、
　前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成装置とを備えた表示デバイスの製造装置。